CN100446399C - 利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，是可连接一驱动电路于现有习知半桥式换流电路，即可使用推挽式控制芯片进行控制半桥式换流电路，其包括：推挽式控制芯片，是设有二个输出端；驱动电路，设有二个输入端及二个输出端，该二个输入端分别连接于该推挽式控制芯片的二个输出端，是接受该推挽式控制芯片的控制；开关组件，是由第一电子开关与第二电子开关组成，每一电子开关皆设有一控制端，并且分别连接于该驱动电路的二个输出端，第一电子开关与第二电子开关受到该驱动电路的驱动，用以将直流电压切换为交流电压，并且传送至变压器的一次侧端。

Description

利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器

技术领域

本发明涉及一种利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，特别是涉及一种可以利用推挽式控制芯片控制半桥式换流器，并驱动负载的换流电路。

背景技术

TFT面板背光源的电力供应(Power Supply)主要是使用换流电路(Inverter Circuit)来达成能量的转换及驱动冷阴极萤光灯管(CCFL)的发光。现有习知的换流电路(Inverter Circuit)是因电路拓朴的不同，一般分有半桥式换流电路、全桥式换流电路及推挽式换流电路等，是将直流电转换成交流电的换流电路。

请参阅图1所示，是现有习知的推挽式换流电路驱动负载的电路示意图。变压器T1是将电路区分成为一次侧的前级电路101与二次侧的后级电路102。该一次侧101包括：一直流电源Vcc、一第一开关Q1、一第二开关Q2等，该二次侧102包括：至少一电容器(C1、C2、C3)、一负载(Load)、至少一二极管(D1、D2)等。再者，一次侧101与二次侧102间是连接有一推挽式控制芯片103。请配合参阅图2所示，是现有习知的推挽式控制芯片输出讯号及负载端输出波形示意图。推挽式控制芯片103输出一第一控制讯号a与一第二控制讯号b，其中第一控制讯号a与第二控制讯号b是分别控制一次侧101的第一开关Q1与第二开关Q2的切换动作，同时依据直流电源Vcc的电压，用以提供能量并藉由变压器T1将直流电源Vcc的电压升压转换到二次侧102，用以驱动负载(Load)，变压器T1的二次侧输出电压波形c是显示C点的电压波形，如图2所示，二次侧输出电压波形c是交流电压波形。

在上述说明中，该推挽式控制芯片103是LINFINITY(MICROSEMI)公司生产的芯片，其型号为LX1686及LX1688与LX1691等系列，或为02 Microinternational Limited公司生产的芯片，其型号为02-9RR等系列，和Beyond Innovation Technology公司生产的芯片，其型号为BIT3494等系列。

请参阅图3所示，是现有习知的半桥式换流电路驱动负载的电路示意图。变压器T2是将电路区分成为一次侧的前级电路201与二次侧的后级电路202，一次侧201包括：一直流电源Vcc、二个电子开关(Q1、Q2)、一半桥式控制芯片TL494、二电容器(C1、C2)及一隔离变压器Tr等，二次侧202包括有：一负载(Load)。

请配合参阅图4所示，是现有习知的半桥式控制芯片输出控制讯号及交流电源电压波形的示意图。半桥式控制芯片TL494是由二个输出端D1、D2输出控制讯号D1-D2，该控制讯号D1-D2通过隔离变压器Tr用以分别控制Q1、Q2二个电子开关的切换动作。该二个电子开关Q1、Q2是为N沟道场效晶体管或P沟道场效晶体管。藉由该二个电子开关Q1、Q2的切换动作，将储存于电容器C1、C2的电能通过一交连电容C3分别传送至变压器T2的一次侧端点T21，用以形成一交流电源ac。电容器C1、C2的电压是为直流电源Vcc的一半电压Vcc/2。该交流电源ac用以提供能量给变压器T2，并藉由变压器T2将交流电源升压转换到二次侧202，用以驱动负载(Load)。

在上述说明中，若使用的换流电路(Inverter Circuit)为半桥式换流电路时则需要搭配半桥式控制芯片的控制才能动作，若为推挽式换流电路则需要搭配推挽式控制芯片的控制才能动作。因此，在实用上缺乏弹性与共享性。再者，换流电路(Inverter Circuit)在使用上亦常受限于控制芯片，而导致换流电路(Inverter Circuit)因受制于以上叙述，而使控制芯片无法共享并统一购料，或需要搭配更多复杂的电路。

同时，现有习知的半桥式换流电路需要使用隔离变压器来控制电子开关的切换动作，无法由半桥式控制芯片直接驱动电子开关。并且，现有习知的半桥式换流电路使用的电子开关是同为N沟道场效晶体管或同为P沟道场效晶体管。

由此可见，上述现有的换流电路仍存在有诸多的缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决换流电路存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。

有鉴于上述现有的换流电路存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新型的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，能够改进一般现有的换流电路，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的换流电路存在的缺陷，而提供一种新的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，所要解决的技术问题是使其利用一驱动电路，分别连接于推挽式控制芯片的输出端与二个电子开关所组成的半桥式开关组件的控制端，并接受推挽式控制芯片的控制，用以驱动驱动半桥式开关组件的切换动作，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，该半桥式换流器连接于一变压器的一次侧端，用以将一直流电压转换为一交流电压，该半桥式换流器包括：一推挽式控制芯片，是设有二个输出端；一驱动电路，设有二个输入端及二个输出端，该二个输入端分别连接于该推挽式控制芯片的二个输出端，是接受该推挽式控制芯片的控制；以及一开关组件，是由第一电子开关与第二电子开关组成，每一电子开关皆设有一控制端，并且分别连接于该驱动电路的二个输出端，第一电子开关与第二电子开关受到该驱动电路的驱动，用以将直流电压切换为交流电压，并且传送至该变压器的一次侧端。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其中该第一电子开关为一P沟道场效晶体管，以及该第二电子开关为一N沟道场效晶体管。

前述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其中所述的P沟道场效晶体管与该N沟道场效晶体管是组成一正半周驱动或一负半周驱动。

前述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其中所述的P沟道场效晶体管的源极是连接于该直流电压。

前述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其中所述的N沟道场效晶体管的源极是连接于一参考端。

前述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其中所述的驱动电路包括：一第一加速二极管，其阴极(N)端连接该推挽式控制芯片的第一输出端，阳极(P)端连接到一晶体管开关的基极端，且该晶体管开关的射极端连接到一参考端，集极端是连接到该第二电子开关的控制端，并通过一第一电阻连接到该直流电压；一第二电阻，是并接于该第一加速二极管；一第二加速二极管，其阴极(N)端是连接到该推挽式控制芯片的第二输出端，并且，其阳极(P)端是通过一交连电容连接到该第一电子开关的控制端；以及一第三电阻，是并接于该第二加速二极管。

前述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其中所述的驱动电路更包括：一齐纳二极管，其阳极(P)端连接于该第一电子开关的控制端，阴极(N)端连接于该直流电压；以及一第四电阻，是并接于该齐纳二极管。

前述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其中所述的驱动电路包括：一第一加速二极管，其阴极(N)端连接该推挽式控制芯片的第一输出端，阳极(P)端连接到一晶体管开关的基极端，且该晶体管开关的射极端连接到一参考端，集极端是通过一交连电容连接到该第一电子开关的控制端，并通过一第一电阻连接到该直流电压；一第二电阻，是并接于该第一加速二极管；一第二加速二极管，其阴极(N)端是连接到该推挽式控制芯片的第二输出端，并且，其阳极(P)端是连接到该第二电子开关的控制端；以及一第三电阻，是并接于该第二加速二极管。

前述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其中所述的驱动电路更包括：一齐纳二极管，其阳极(P)端连接于该第一电子开关的控制端，阴极(N)端连接于该直流电压；以及一第四电阻，是并接于该齐纳二极管。

前述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其中更设有一第一电容器及一第二电容器，该第一电容器及该第二电容器并联于该第一电子开关及该第二电子开关，该变压器的一次侧端的一第一端连接于该第一电子开关与该第二电子开关之间，该变压器的一次侧端的一第二端连接于该第一电容器及该第二电容器。。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明提出一种利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其是在现有习知的半桥式换流电路的二个电子开关与控制芯片之间连接一驱动电路。并且，控制芯片更替为推挽式控制芯片，进而控制该二个电子开关的切换动作。

上述说明中，该驱动电路包括有：一第一加速二极管，其阴极(N)端连接该推挽式控制芯片的输出端，并且，阳极(P)端连接到一晶体管开关的基极端，用以加速晶体管开关的截止动作。该晶体管开关的射极端连接到一参考端，集极端则连接到电子开关的控制端并同时通过一第一电阻连接到直流电压；一第二电阻，是并接于该第一加速二极管，用以抑制通过晶体管开关的基极端电流；一第二加速二极管，其阴极(N)端连接到该推挽式控制芯片的输出端，并，其阳极(P)端是通过一交连电容连接到电子开关的控制端，用来加速电子开关的导通动作；一第三电阻，并接于该第二加速二极管，用以抑制通过电子开关的控制端电流。

上述说明中，驱动电路更包括有：一齐纳二极管，其阳极(P)端连接于该电子开关的控制端，阴极(N)端连接于该直流电压，用以防止瞬间突波电压过大，而将电子开关烧毁；以及一第四电阻，是并接于该齐纳二极管，用以取得齐纳电压。

经由上述可知，本发明是关于一种利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，是可连接一驱动电路于现有习知半桥式换流电路，即可使用推挽式控制芯片进行控制半桥式换流电路，其包括：推挽式控制芯片，是设有二输出端；驱动电路，设有二输入端及二输出端，该二输入端连接于该推挽式控制芯片的二输出端，是接受该推挽式控制芯片的控制；半桥式开关组件，是由二个电子开关组成，每一开关皆设有一控制端，该控制端连接于该驱动电路的二输出端，藉由该驱动电路的驱动，用以将直流电压切换为交流电压传送至变压器的一次侧端。

借由上述技术方案，本发明至少具有下列优点：

如上述说明，本发明利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器是可以藉由一驱动电路，用以接收推挽式控制芯片的控制讯号，进而控制半桥式换流电路的二个电子开关所组成的半桥式开关组件的切换动作。

如此，本发明利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，是可连接一驱动电路于现有习知半桥式换流电路，即可以搭配使用推挽式控制芯片进行控制，在实用上更具有弹性，且不会受限于控制芯片。并且，业者只需使用推挽式控制芯片即可同时控制推挽式换流电路与半桥式换流电路。

综上所述，本发明特殊结构的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其利用一驱动电路，分别连接于推挽式控制芯片的输出端与二个电子开关所组成的半桥式开关组件的控制端，并接受推挽式控制芯片的控制，用以驱动半桥式开关组件的切换动作。其具有上述诸多优点及实用价值，并在同类产品中未见有类似的结构设计公开发表或使用而确属创新，其不论在结构上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的换流电路具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1是现有习知的推挽式换流电路驱动负载的电路示意图。

图2是现有习知的推挽式控制芯片输出控制讯号及负载端输出电压波形示意图。

图3是现有习知的半桥式换流电路驱动负载的电路示意图。

图4是现有习知的半桥式控制芯片输出控制讯号及交流电源电压波形示意图。

图5是本发明第一实施例的电路示意图。

图6是本发明第一实施例推挽式控制芯片的输出讯号及交流电源电压波形示意图。

图7是本发明第二实施例的电路示意图。

图8是本发明第二实施例推挽式控制芯片的输出讯号及交流电源电压波形示意图。

101：前级电路        102：后级电路

103：推挽式控制芯片  201：前级电路

202：后级电路        302：半桥式开关组件

304：驱动电路        a：  第一控制讯号

b：  第二控制讯号    c：  变压器T1的二次侧输出电压波形

ac：电压波形             AC：交流电源

T1：变压器               T2：变压器

TL494：半桥式控制芯片    D1-D2：输出控制讯号

Q1：控制讯号             Q2：控制讯号

Gnd：参考端

具体实施方式

以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

请参阅图5所示，是本发明第一实施例的电路示意图。本发明利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，是连接于一变压器T2的一次侧端，用以将一直流电源Vcc转换成为一交流电源AC，交流电源AC并通过变压器T2以提供负载动作所需的能量。在上述说明中，该交流电源AC的峰对峰值是为直流电源Vcc。

请接着参阅图5所示，本发明利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其包括：一推挽式控制芯片103、一驱动电路304、一半桥式开关组件302以及二电容器C2、C3。其中：

该推挽式控制芯片103，设有二输出端A及B，可输出控制讯号。

该驱动电路304，设有二输入端及二输出端，该二输入端连接于推挽式控制芯片103的二输出端A及B，是接受该推挽式控制芯片的控制。

该半桥式开关组件302，是由二个电子开关Q1、Q2组成，每一电子开关皆设有一控制端G，该些控制端G分别连接于驱动电路304的二输出端，并藉由该驱动电路304的驱动，用以将该直流电源Vcc切换为该交流电源AC传送至变压器T2的一次侧端。在上述说明中，电子开关Q1是为P沟道场效晶体管，电子开关Q2是为N沟道场效晶体管。

请继续参阅图5所示，电子开关Q1的源极S连接到直流电源Vcc，电子开关Q2的源极S连接到一参考端Gnd，并且，电子开关Q1及电子开关Q2的泄极D连接到变压器T2的一次侧端，变压器T2的另一次侧端是通过电容器C3连接到参考端Gnd，并通过电容器C2连接到直流电源Vcc。同时，电子开关Q1、Q2的控制端G是分别连接到驱动电路304的输出端。在上述说明中，电子开关Q1、Q2是连接成该半桥式开关组件302。并且，其中电子开关Q1及Q2组成一正半周驱动或一负半周驱动，是在变压器T2的一次侧端T21形成交流电源AC。

请接着参阅图5所示，一驱动电路304用以驱动电子开关Q1及Q2，是由一第一加速二极管D1，其阴极N端连接推挽式控制芯片103的输出端B，阳极P端连接到一晶体管开关Q3的基极端，且该晶体管开关Q3的射极端连接到一参考端，集极端是连接到电子开关Q2的控制端G，并通过一第一电阻R1连接到该直流电源Vcc。一第二电阻R2，是并接于第一加速二极管D1。一第二加速二极管D2，其阴极N端连接到该推挽式控制芯片103的输出端A，并且，其阳极P端是通过一交连电容C1连接到电子开关Q1的控制端G。以及一第三电阻R3，是并接于第二加速二极管D2。

再者，一齐纳二极管D3，其阳极P端连接于电子开关Q1的控制端G，阴极N端连接于直流电源Vcc。并且，一第四电阻R4，是并接于该齐纳二极管D3。

请配合图5，参阅图6所示，是本发明第一实施例推挽式控制芯片的输出讯号及交流电源电压波形示意图。如图6所示，推挽式控制芯片103输出端A是输出一第一控制讯号a，输出端B是输出一第二控制讯号b，并且，第一控制讯号a与第二控制讯号b是责任周期(Duty cycle)大于50％的控制讯号，如Beyond Innovation Technology公司生产的芯片，其型号为BIT3105等系列的POUT1与POUT2的时脉。在变压器T2一次侧端的T21端点可以得到交流电源AC的电压波形ac，其峰对峰值是为直流电源Vcc。

请参阅图6，并配合参阅图5所示，在时间t1-t2时，该第一控制讯号a为高电位，而第二控制讯号b为低电位。该第一控制讯号a通过第三电阻R3、交连电容C1传送至电子开关Q1的控制端G，用以控制电子开关Q1截止(OFF)。第二控制讯号b通过第一加速二极管D1、第二电阻R2传送至晶体管开关Q3的基极端，用以控制晶体管开关Q3截止(OFF)，而使得直流电源Vcc可以直接通过第一电阻R1传送至电子开关Q2的控制端G，用来驱动电子开关Q2导通(ON)。在上述说明中，该第一加速二极管D1是可以加速晶体管开关Q3截止(OFF)并使得电子开关Q2导通(ON)的动作。

此时，电子开关Q2为导通(ON)状态，电子开关Q1为截止(OFF)状态，使得，储存于电容器C3的电能可以传送至变压器T2一次侧端，并在端点T21可得到的电压波形ac是为阴直流电源-Vcc/2。在上述说明中，电子开关Q1与电子开关Q2是为一负半周驱动。

请再参阅图6，并配合参阅图5所示，在时间t2-t3时，第一控制讯号a仍保持高电位，第二控制讯号b是由低电位上升至高电位。此时，晶体管开关Q3的基极端是接收高电位的控制讯号，而使得晶体管开关Q3达到导通(ON)状态。由于晶体管开关Q3导通(ON)，使得电子开关Q2的控制端G接受参考端Gnd的低电位讯号，因此，电子开关Q2进入截止(OFF)状态。而由于第一控制讯号a仍保持为高电位，所以电子开关Q1仍为截止(OFF)状态。

由上述的说明可知，在时间t2-t3时，电子开关Q1与Q2皆为截止(OFF)状态，此时，变压器T2的一次侧是形成开路，使得储存在变压器T2内的能量得以泄除，是为泄能状态。因此，此时变压器T2一次侧端的T21端点得到的电压波形ac是为零电位。

请参阅图6，并配合参阅图5所示，在时间t3-t4时，第一控制讯号a是由高电位降至低电位，第二控制讯号b仍保持高电位。第一控制讯号a通过第二加速二极管D2、交连电容C1传送至电子开关Q1的控制端G，用以控制电子开关Q1导通(ON)。并且，第二加速二极管D2是可加速电子开关Q1的导通(ON)动作。由于第二控制讯号b仍保持为高电位，所以电子开关Q2仍为截止(OFF)状态。

此时，电子开关Q1为导通(ON)状态，Q2为截止(OFF)状态，使得，储存于电容器C2的电能可以传送至变压器T2一次侧端，并在端点T21可得到的电压波形ac是为阳直流电源+Vcc/2。在上述说明中，电子开关Q1与电子开关Q2是为一正半周驱动。

请参阅图6，并配合参阅图5所示，在时间t4-t5时，第一控制讯号a是由低电位上升至高电位，第二控制讯号b仍保持高电位。此时，电子开关Q1、Q2的状态是与时间t2-t3时相同，皆为截止(OFF)状态，因此，变压器T2的一次侧是形成开路，使得储存在变压器T2内的能量得以泄除，是为泄能状态。因此，此时变压器T2一次侧端的T21端点得到的电压波形ac是为零电位。

请参阅图5所示，其中齐纳二极管D3是用以保护电子开关Q1，以防止瞬间突波电压过大，而将电子开关Q1烧毁。以及第四电阻R4，是并接于齐纳二极管D3，用以取得齐纳电压。

请参阅图6，并配合参阅图5所示，本发明利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器动作与变压器T2一次侧端的T21端点得到的电压波形ac，其在时间t5-t6时又回复到时间t1-t2时的波形，依序如上述说明，是形成提供能量的交流电源AC，并其峰对峰值是为直流电源Vcc。同时，交流电源AC是升压转换到变压器T2的二次侧，用以提供能量给负载(Load)。

请配合图5，参阅图7所示，是本发明第二实施例的电路示意图。图7所示的电路，是将图5所示的第二加速二极管D2阴极N端，由推挽式控制芯片103的输出端A移动连接到输出端B，阳极P端则移动连接到电子开关Q2的控制端。同时，第三电阻R3同样移动并接于第二加速二极管D2。再将图5所示的第一加速二极管D1阴极N端，由推挽式控制芯片103的输出端B移动连接到输出端A，阳极P端相同连接晶体管开关Q3的基极端，且该晶体管开关Q3的射极端相同连接到参考端，集极端则由电子开关Q2的控制端G移动连接到交连电容C1，是通过交连电容C1连接到电子开关Q1的控制端G，集极端并相同通过第一电阻R1连接到该直流电源Vcc。在上述说明中，图5所示的其余组件皆无更替。

请配合图7，参阅图8所示，是本发明第二实施例推挽式控制芯片的输出讯号及交流电源电压波形示意图。推挽式控制芯片103是为LINFINITY(MICROSEMI)公司生产的芯片，其型号为LX1686及LX1688与LX1691等系列或为O2 Micro international Limited公司生产的芯片，其型号为O2-9RR等系列与Beyond Innovation Technology公司生产的芯片，其型号为BIT3494等系列。如图8所示，推挽式控制芯片103输出端A是输出一第一控制讯号a，输出端B是输出一第二控制讯号b。并且，推挽式控制芯片103输出的第一控制讯号a与第二控制讯号b，是和图6所示的控制讯号不同，其为责任周期(Duty cycle)小于50％的控制讯号。有如BeyondInnovation Technology公司生产的芯片，其型号为BIT3105系列的NOUT1与NOUT2，或为LINFINITY(MICROSEMI)公司生产的芯片，其型号为LX1686及LX1688与LX1691系列，或为O2 Micro international Limited公司生产的芯片，其型号为O2-9RR等系列与Beyond Innovation Technology公司生产的芯片，其型号为BIT3494等系列输出的时脉。

在上述说明中，本发明第二实施例的电路其动作原理是与前述第二实施例的电路动作原理相同，因此不加赘述，其是可在变压器T2一次侧端的T21端点得到交流电源AC的电压波形ac，并电压波形ac的峰对峰值是为直流电源Vcc。同时，交流电源AC是升压转换到变压器T2的二次侧，用以提供能量给负载(Load)。

综上所述，本发明利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，是可连接一驱动电路304于现有习知的半桥式换流电路，即可以搭配使用推挽式控制芯片103进行控制，在实用上更具有弹性，而且不会受限于控制芯片。并且，业者只需使用推挽式控制芯片103即可同时控制推挽式换流电路与半桥式换流电路。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1、一种利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，该半桥式换流器连接于一变压器的一次侧端，用以将一直流电压转换为一交流电压，其特征在于，该半桥式换流器包括：

一推挽式控制芯片，是设有二个输出端；

一驱动电路，设有二个输入端及二个输出端，该二个输入端分别连接于该推挽式控制芯片的二个输出端，是接受该推挽式控制芯片的控制；以及

一开关组件，是由第一电子开关与第二电子开关组成，每一电子开关皆设有一控制端，并且分别连接于该驱动电路的二个输出端，第一电子开关与第二电子开关受到该驱动电路的驱动，用以将直流电压切换为交流电压，并且传送至该变压器的一次侧端。

2、根据权利要求1所述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其特征在于其中该第一电子开关为一P沟道场效晶体管，以及该第二电子开关为一N沟道场效晶体管。

3、根据权利要求2所述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其特征在于其中所述的P沟道场效晶体管与该N沟道场效晶体管是组成一正半周驱动或一负半周驱动。

4、根据权利要求2所述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其特征在于其中所述的P沟道场效晶体管的源极是连接于该直流电压。

5、根据权利要求2所述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其特征在于其中所述的N沟道场效晶体管的源极是连接于一参考端。

6、根据权利要求1所述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其特征在于其中所述的驱动电路包括：

一第一加速二极管，其阴极(N)端连接该推挽式控制芯片的第一输出端，阳极(P)端连接到一晶体管开关的基极端，且该晶体管开关的射极端连接到一参考端，集极端是连接到该第二电子开关的控制端，并通过一第一电阻连接到该直流电压；

一第二电阻，是并接于该第一加速二极管；

一第二加速二极管，其阴极(N)端是连接到该推挽式控制芯片的第二输出端，并且，其阳极(P)端是通过一交连电容连接到该第一电子开关的控制端；以及

一第三电阻，是并接于该第二加速二极管。

7、根据权利要求6所述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其特征在于其中所述的驱动电路更包括：

一齐纳二极管，其阳极(P)端连接于该第一电子开关的控制端，阴极(N)端连接于该直流电压；以及

一第四电阻，是并接于该齐纳二极管。

8、根据权利要求1所述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其特征在于其中所述的驱动电路包括：

一第一加速二极管，其阴极(N)端连接该推挽式控制芯片的第一输出端，阳极(P)端连接到一晶体管开关的基极端，且该晶体管开关的射极端连接到一参考端，集极端是通过一交连电容连接到该第一电子开关的控制端，并通过一第一电阻连接到该直流电压；

一第二电阻，是并接于该第一加速二极管；

一第二加速二极管，其阴极(N)端是连接到该推挽式控制芯片的第二输出端，并且，其阳极(P)端是连接到该第二电子开关的控制端；以及

一第三电阻，是并接于该第二加速二极管。

9、根据权利要求8所述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其特征在于其中所述的驱动电路更包括：

一齐纳二极管，其阳极(P)端连接于该第一电子开关的控制端，阴极(N)端连接于该直流电压；以及

一第四电阻，是并接于该齐纳二极管。

10、根据权利要求1所述的利用推挽式控制芯片驱动的半桥式换流器，其特征在于其中更设有一第一电容器及一第二电容器，该第一电容器及该第二电容器并联于该第一电子开关及该第二电子开关，该变压器的一次侧端的一第一端连接于该第一电子开关与该第二电子开关之间，该变压器的一次侧端的一第二端连接于该第一电容器及该第二电容器。

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