CN100439931C - 可校准电压的电光探测器 - Google Patents

Abstract

本发明的可校准电压的电光探测器属用于集成电路检测的装置。由激光器8、显微镜物镜头13、电光探头14；照明光源15、滤光镜16、光电探测器26等组成；所说的电光探头14是由透明基板1、其上表面镀有消反射膜2、其下表面镀有接地导电膜3、在接地导电膜3下的电光介质层4构成，电光介质层4的极化方向和光束传播方向皆与接地导电膜3的法向平行。本发明的电光探头输出的电光信号所对应的电路里电压信号幅度能够予以校准，增强了电光探测技术在集成电路芯片内部特性测试和电路故障诊断方面的应用；电光探头具有较高的电压灵敏度和较高的探测电场分布的空间分辨率；对电路工作状态无可观测的干扰；避免相邻信号传输线间的电光串信号。

Description

可校准电压的电光探测器

技术领域

本发明属用于集成电路检测的装置，特别涉及一种利用电光效应无损检测集成电路内的微带传输线中的电压信号的探测器。

背景技术

为了提高集成电路的集成度和运转速度，人们正在尽力减小集成电路芯片中的器件尺寸。在这种高速大规模集成电路的发展过程中，电路芯片中的漏电、热效应、寄生参数效应、和器件模型参数的不确定性等问题，成为进一步提高器件芯片的成品率和可靠性的障碍。如众所周知，一种低成品率的器件是不可能通过简单的筛选程序提高其可靠性的；高可靠的器件是用高可靠的设计和高可靠的工艺制造出来的。因此，如何改进高速大规模集成电路的设计和制造技术，提高器件芯片的成品率和可靠性，从而提高器件的应用等级，是有重大意义的研究课题。

为了在器件的研制过程中改进设计和制造工艺，就需要对研制过程中获得的集成电路芯片的内部特性进行检测分析和故障诊断。目前用于这种检测的装置主要有三种：扫描电子显微镜、原子力显微镜、和电光取样探测装置。这些装置都是依靠其探头和被测电路上的信号电场的相互作用实现测量的，而且测得的信号幅度大小主要取决于信号电场的法向分量。但是，被测电路上的信号电场的法向分量和横向分量的配比，是和探测点附近的电路布线有密切关系的。图1描述的是一个微带尺寸跳变的共面波导电路，有两条相邻近的导电的金属微带线AB和A₁B₁，在准静近似条件下，在任一时刻t它们之间有同一的电位差V(t)。但探测点A与其最近邻导体的间距AA₁小于探测点B与其最近邻导体的间距BB₁。因A点和B点同在一个导体上，这两点上的信号电压应当是相同的，但因电力线力求缩短，A点的信号电场的法向分量(垂直于纸面的方向)会小于B点的信号电场的法向分量。由于探头探测到的信号幅度是由信号电场的法向分量决定的，在这两个不同的探测点上测量同一个电压信号时会得到大小不同的信号幅度值。例如在国外报导的电光探测方案中，都是用一块微小的电光晶体做探头，例如一块沿(100)晶面切割抛光的GaAs晶体，测量时把它安放在被测的微带电路上面。在晶体表面与微带线的金属膜之间不可避免地存在一个空气隙，如图2所示。当被测的传输电信号的微带线与邻近的微带线挨得很近时，导体间的电感应作用使电力线(或者说电场通量)更多地在空气隙内直接在微带线之间传递，垂直向上进入电光晶体中的电场分量相对减少。如图1所示，对于同一个电压信号，既使微带线有理想的导电性，在A点测得的电光信号幅度也比B点的小。结果，在A、B两点上测得的电光信号波形和相对时间关系是一致的符合实际的，但在此二不同点上测得的电光信号幅度，因受近邻布线的影响互不相同，不能用实验直捷进行电压校准。这是迄今所报导的各种电光探头所存在的有待解决的问题。为了对集成电路芯片内部的电子学特性进行分析研究或故障诊断，不仅需要测量电路结点上的信号波形、时间和位相，还需要测量电压分布。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，设计一种探测器不仅能够测量电压信号的波形、时间、频率、位相关系、和相对幅度，还能够确定信号电压幅度的绝对值。本发明的电光探头能够对从电信号传输线上测得的电光信号幅度实现电压标定。这是电光探测技术的新进展，它将促成集成电路芯片内部的动态特性检测和故障诊断技术的进一步发展。

本发明的一种可校准电压的电光探测器，由电光探测单元、探测点位置监控单元和集成电路测试台组成(可参考说明书附图的图4和图5)：

所说的电光探测单元的组成构件按光路顺序是，激光器驱动装置7和激光器8发出的探测光束经准直透镜9、偏振分束器10、λ/4波片11变换为圆偏振光，经过扩束器12和探测光分束镜18和显微镜物镜头13，射入电光探头14并被聚焦到待测集成电路芯片19中的传输电信号的金属微带上，被金属微带反射回来的探测光反向通过电光探头14时被转化为强度调制的信号光，再经过显微镜物镜头13、探测光分束镜18、扩束器12、λ/4波片11和偏振分束器10，返回来的信号光被偏振分束器10全部反射到光电探测器26，光电探测器26输出的电信号输入到信号放大器与存储显示装置27；

上述的电光探测单元的光路中，光路结构采用了同轴光路形式，探测光在电光探头14里往返过程中被转化为强度调制的信号光，λ/4波片11和偏振分束器10的作用只是为了在同轴光路条件下把载有信号的探测光全部反射到光电探测器26。同轴光路结构参见说明书附图的图4。也可以采用非同轴光路完成同样的电光探测功能。即，让反射回来的探测光与入射的探测光之间保持一个夹角，并用楔型反射镜29把反射回来的被强度调制的探测光全部反射到光电探测器26里去，不再使用λ/4波片11和偏振分束器10便可以完成同样的电光探测功能。非同轴光路结构参见说明书附图的图5。

所说的探测点位置监控单元的组成构件按光路顺序是，由照明光源15发出的自发辐射光经过滤光镜16选出适当波段作为照明光，经过照明光分束镜17、探测光分束镜18、显微镜物镜头13和电光探头14，照射到被测集成电路芯片19的器件面上并被反射回来，被反射的照明光反向经过电光探头14、显微镜物镜头13和探测光分束镜18，与透过探测光分束镜18的部分探测光会合一起，经过照明光分束镜17在摄像机20的CMOS摄像头上成像，并在监视器21上显示出被测集成电路芯片19上的器件图案和探测光聚焦光点的位置。

探测点位置监控单元的特征是利用滤光镜16选出适当波长的照明光，当探测光经过显微镜物镜头13在被测集成电路芯片19的器件面上聚焦成极小光点时，照明光经过同一显微镜物镜头13对同一被测集成电路芯片19的器件面在摄像机20的CMOS摄像头上成像。

所说的集成电路测试台的组成构件是探针台25、探针24和集成电路测试电源28。

所说的激光器驱动装置7是微波信号发生器或直流电源。

所说的电光探头14是由透明基板1、镀在透明基板1上表面的消反射膜2、镀在透明基板1下表面的接地导电膜3、和在接地导电膜3下的一层电光介质层4构成，电光介质层4的极化方向与接地导电膜3的法向平行。

所说的接地导电膜3最好是对探测光波长有0.3～0.4的反射率和0.6～0.7的透射率；所说的电光介质层4可以是极化聚合物薄膜，厚度在0.2～2μm范围。所述的电光介质层，可以是任何一种具有旋转轴对称性的电光材料薄膜，其中的一种是有机生色团/氧化硅混合型电光聚合物，是以分散红或者分散红硅烷化试剂作为生色团(电偶极分子)材料，用正硅酸乙脂作为交联剂，用溶胶-凝胶法制备的。

所述的透明基板，可以是透明的氧化硅玻璃，也可以是对探测光无双折射效应的透明晶体，其上下两面近似平行而且光学抛光，其上表面的消反射膜对探测光产生的反射干涉效应小到可以忽略，其下表面的接地导电膜对探测光的反射率恰好可以使它所产生的不受调制的反射光，和从电信号传输线垂直反射回来的经过电光介质层被信号电场施加位相调制的反射光叠加，通过干涉完全转化为强度调制的信号光。

本发明的可校准电压的电光探测器有如下的应用效果：

1、在传输电信号的金属微带线上的被测点至电光探头里的参考电极面(即接地导电膜3)的垂直距离等于或小于该被测点至最近邻导体的间隔距离的条件下，由电光探头输出的电光信号的幅度与金属微带线上传输的电压信号幅度成正比。因此，电光信号幅度所对应的电压值可以校准，或者说可以标定。校准电压的参考电信号可用示波器从集成电路芯片的信号输入端的管脚测定，相应的电光信号可用电光探头从集成电路芯片上的输入接头处的金属微带连接线测定。

2、由于本发明的电光探头输出的电光信号所对应的电路里电压信号幅度能够予以校准，它不仅可以测定集成电路芯片里的电路结点上的信号波形，时间和位相关系，还容许测定各结点上的信号电压的分布；如果把直流偏置电压斩波成超低频方波，它也容许测定电路里的直流偏置电压的分布。这便显著地增强了电光探测技术在集成电路芯片内部特性测试和电路故障诊断方面的应用。

3、由于本发明的电光探头能够测定集成电路芯片里的电路结点上的电信号的绝对电压值，从而容许用网络分析仪测定微波集成电路(MMIC)的S参数。

4、有机生色团/氧化硅混合型电光聚合物的介电常数比其它的电光材料的介电常数都小，它的电光系数却可以达到50pm/V的量级，使这种材料做成的电光探头具有较高的电压灵敏度和较高的探测电场分布的空间分辨率。

5、本电光探测系统中使用的探测光波长大于被测电路衬底的带隙吸收波长。探测光照射到衬底上并不激发光电子，对电路工作状态无可观测的干扰。所以在本发明的电光探头与被测电路接触的端面上，无探测光的全反射膜。这不仅显著减小对信号电场的屏蔽效应，而且会得到透射辅助提高空间分辨率的效果。因为，既使探测光束的聚焦光斑直径大于金属微带线宽，只要该直径小于微带线宽与其最近邻导体间隔之和，就可以有效地利用被测微带的反射测得该微带传输线产生的电光信号，部分未被反射回来的探测光会透过衬底而散射损失掉，避免相邻信号传输线间的电光串信号。目前商业上供选用的长焦距大数值孔径的显微镜物镜头对探测光的聚焦光斑直径可小于1μm，根据上述理论，容许探测的微带线宽可小于0.5μm。不过，对于不同的微带线宽要分别做具体的电压校准。

附图说明

图1是使用背景技术在这两个不同的探测点上测量同一个电压信号时会得到大小不同的信号幅度值的示意图。

图2是背景技术的用一块微小的电光晶体做探头时，在晶体表面与微带线的金属膜之间不可避免地存在一个空气隙的示意图。

图3是本发明的电光探头的结构示意图。

图4是本发明的可校准电压的电光探测器的同轴光路结构示意图。

图5是本发明的可校准电压的电光探测器的非同轴光路结构示意图。

具体实施方式

实施例1本发明的电光探头的结构及工作原理

本发明的电光探头的结构如图3所示。透明基板1可以是透明的氧化硅玻璃也可以是对探测光无双折射效应的透明晶体。在透明基板1的上表面镀有一层消反射膜2，在透明基板1的下表面镀有一层具有选择反射特性的接地导电膜3，该导电膜对探测光波长有0.35左右的反射率r₁和0.65左右的透射率t₁。反射率r₁与透射率t₁的具体数值的最佳选取与被测电路的传输电信号的金属微带线5对探测光的反射率r₂相关联。图3中的6是接地金属微带线，传输电信号的微带线5和接地金属微带线6组成共面波导。接地导电膜3对照明光的透射率足以保证摄像机20对被观测的集成电路图案能够产生可分辨的图象显示。在应用时，接地导电膜3被接地。在接地导电膜3上涂有一层由有机生色团和二氧化硅交联网组成的极化聚合物薄膜，即电光介质层4，其极化方向与接地导电膜3的法向平行。电光介质层4的极化聚合物薄膜厚度在0.2～2μm范围内，按照实用需要选择。本发明的电光介质层4是用分散红/氧化硅混合材料做成的，它具有符合实用要求的高电光系数和温度稳定性。

本发明的电光探头的工作原理如下：垂直入射的照明光和强度为I_in的探测光通过透明基板1的上表面的消反射膜2到达透明基板1下表面的有选择反射性的接地导电膜3，然后通过电光介质层4，垂直地聚焦到被测器件的芯片上。为了避免照明光在集成电路衬底中激发光生载流子，要用微弱的照明光，所以消反射膜2和接地导电膜3对照明光的透过率是足够用的。照明光对被测的电路图案成像，探测光的聚焦光点则要落到被测的传输电信号的金属微带线5上。接地导电膜3对探测光约有0.35的反射率记作r₁，约有0.65的透过率记作t₁。探测光束在接地导电膜3上的反射光强为I_r1＝r₁I_i。传输电信号的金属微带线5对探测光约有0.6的反射率r₂，探测光束在金属微带上的反射光强为r₂t₁I_i。被传输电信号的金属微带5反射的光返回到接地导电膜3处，它在电光介质层4内往返过程中被来自传输电信号的金属微带5的信号电场施加位相调制。由于电光介质层4的以其极化方向为对称轴的对称性(∞mm)，而且信号电场的方向、电光介质层4的极化方向和探测光束的传播方向都平行于接地导电膜3的法向，探测光只受到位相调制。一个强度为t¹r₂t₁I_i的经过电光位相调制的部分探测光透过接地导电膜3与未经调制的反射光I_r1会合，t¹是探测光从电光介质层4透过接地导电膜3时的透过率，两者会合发生干涉，使位相调制的光转化为强度调制的光，成为可被光电探测器26(可以是光电二极管)接收的光信号。这是本发明的电光探头的第一级效应。还有一部分被接地导电膜3反射的强度为r¹r₂t₁I_i的探测光经过电光介质层4重新射向传输电信号的金属微带线5，在接地导电膜3与传输电信号的金属微带线5之间发生了类似于法布里-珀罗(F-P)腔内的多次往复反射过程，r¹是接地导电膜3对来自电光介质层4的探测光的反射率。结果，所有被传输电信号的金属微带线5反射并透过接地导电膜3返回到原入射光路的总反射光强为

I_r2＝(1-r₁)²r₂I_in/(1+r₁r₂-2·COS²8·√r₁r₂)

其中的位相因子δ是探测光在电光介质层4中往返一次所产生的相移。在上述论述中，忽略了电光介质层4与空气隙的界面对光的反射作用，因为所用的分散红/氧化硅混合型电光薄膜的折射指数与空气相近。当传输电信号的金属微带线5上有电压信号时，信号电场经过空气隙进入电光介质层4，电力线终止于接地导电膜3。信号电场通过电光介质层4对探测光进行位相调制。这种被位相调制过的从传输电信号的金属微带线5反射到原入射光路里的部分探测光I_r2与直接从接地导电膜3反射回来的未经调制的部分探测光I_r1会合后相干叠加，结果使位相调制转化为强度调制。为使这种转化达到最有效的水平，也就是为了获得最大的强度调制信号，应当近似满足I_r1≈I_r2，或者写成

r₁I_i≈(1-r₁)²r₂I_in/(1+r₁r₂-2·COS²δ·√r₁r₂)。

实际上，由于集成电路内部各不同位置上的金属微带对探测光束的反射、散射和透射互不相同，根据经验给r₂提供一个粗略的平均值，约0.6。如果接地导电膜3对λ＝1.3μm的探测光的反射率为0.36，电光介质层4的分散红/氧化硅混合型极化聚合物的寻常光折射指数n_.0＝1.47，从传输电信号的金属微带线5反射回来的探测光强约为0.357I_in，近似满足I_r1≈I_r2的要求。

实施例2与本发明的电光探头配合使用的电光探测光学单元结构

与本发明的电光探头配合使用的电光探测光学单元如图4所示。其中，7为激光器的驱动装置。如要做电光取样测量，激光器的驱动装置7应当是个微波信号发生器，以其输出的微波功率驱动激光器8产生增益开关超短脉冲光束；如要做连续光的电光测量，激光器的驱动装置7应当是个直流电源。激光器8可以是激光二极管，产生波长在1.25微米至1.3微米范围内的任一波长的近红外光作为探测光。探测光束经准直透镜9变换为平行光，经过偏振分束器10确定其偏振方向，通过λ/4波片11使探测光束变换为圆偏振光，经过扩束器12使探测光束的直径略大于长焦距大孔径的显微镜物镜头13的通光孔径。照明光源15是自发辐射灯，它所发出的自发辐射光经过滤光镜16选择出适当波段作为照明光，经过照明光分束镜17反射，到探测光分束镜18与来自扩束器12的探测光束会合，然后一起被投射到显微镜物镜头13。探测光和照明光被显微镜物镜头13会聚到电光探头14里(电光探头14的结构如实施例1所述)，会聚的探测光束透过电光探头14里的电光介质层4，焦点落在待测集成电路芯片19的器件面上。滤光镜16选择出的照明光波长恰好使照明光经过显微镜物镜头13对被测集成电路芯片19的器件表面成像时，显微镜物镜头13对于照明光的物平面与探测光的焦平面同时与被测的器件表面共面，结果在摄像机20的监视器21上显示出集成电路芯片19的器件图案和探测光束聚焦光点在器件图案中的位置。利用电光探头支架22及其位置微调器23可以把电光探头14从集成电路芯片19的器件表面上抬起或放置到器件表面的某个待测位置上。用集成电路测试电源28和探针24驱动集成电路芯片19上的器件，利用探针台25的位置微调机构可以在较大的范围内选择要探测的部位。集成电路芯片19上的器件在工作时各处于一定的电平，因而产生各自的电场。当电光探头14挨近或着落在集成电路芯片19的器件表面上时，器件发出的电场便分布在电光探头14的电光介质层4里，电力线终止在电光探头14里的接地导电膜3上。电光介质层4的感应折射率随电场变化，如实施例1所述，使探测光受到位相调制，并通过电光探头14里的反射干涉过程变换为强度调制。从电光探头14反射回来的探测光的大部分被探测光分束镜18反射到扩束器12，然后到达λ/4波片11。λ/4波片11使圆偏振光重新变换为线偏振光，但其偏振方向与入射时的相垂直，于是被偏振分束器10反射到光电探测器26。光电探测器26输出的电信号是集成电路芯片19内部器件上的电信号的复制品，它被输入到信号放大器与存储显示装置27。

上述光学结构中，应用偏振分束器10和λ/4波片11的目的只是为了在维持同轴光路结构的条件下把反射回来的载有强度调制信号的探测光同入射的探测光分离开来，并把全部反射回来的被强度调制的探测光输入光电探测器26。也可以不用同轴光路结构，图5给出本发明的可校准电压的电光探测器的非同轴光路结构，在这种结构中就不需要应用偏振分束器10和λ/4波片11，只要使反射回来的探测光同入射的探测光之间保持一个适当的小夹角，并用楔型反射镜29把反射回来的被强度调制的探测光全部反射到光电探测器26里去，便可以完成同样的电光探测功能。

上述的通过监视器21确定聚焦光斑在电信号传输线上的位置的监视用光学结构，其特征是用自发辐射灯作为照明光源15，经过一个滤光片16分选出适当波长和强度的照明光，经过照明光分束镜17和探测光分束镜18，使照明光与探测光汇合，并经过探测光束聚焦用的同一个显微镜物镜头13使照明光透过电光探头14照射到被测电路上，在探测光聚焦到电路器件面上的同时，该照明光使被测电路器件图案成像到摄像机20的CMOS摄像头上。

本发明的上述电光探测光学系统与现有的其它电光探测光学系统的区别，首先是这里的探测光束只受到位相调制而没有偏振调制，是通过被位相调制的光与未被调制的光相干叠加而转化为强度调制的。这里的偏振分束器10和λ/4波片11的作用只是为了在保持同轴光路结构的条件下把电光探头14反馈回来的载有强度调制信号的探测光全部反射到光电探测器26里去。其次是这里的照明光源是个自发辐射灯，利用滤光镜16从自发辐射光中选取适当波段的照明光，以保证用这种波段的光通过物镜头13观察电路芯片19的器件图案时，成像的物平面与探测光通过物镜头13聚焦时的焦平面恰好与被测集成电路芯片19的器件表面共面，从而使摄像机20的监视器21能够显示出探测光束聚焦光点和待测器件的表面的清晰图象。

实施例3电光介质层的制备

电光介质层4可以是任何一种具有旋转轴对称性的电光材料薄膜，其中的一种简便适用的材料是用溶胶-凝胶法制备的非线性光学材料薄膜。

将适当比例的生色团与交联剂材料溶解在同一溶剂中形成溶胶，将溶胶均匀地旋涂到透明基板1的接地导电膜3上，对形成的介质薄膜进行电晕极化和加热固化处理，即得到具有电光效应的极化聚合物薄膜，极化方向即接地导电膜3的法向，也是薄膜材料的旋转对称轴方向，膜的厚度要求在电光探头14与电信号传输线接触时，从电信号传输线上的被测点至接地导电膜3的垂直距离等于或小于该点到它的最近邻导体的距离，以便实现使信号电场近似平行于接地导电膜3法向的条件。

可以用分散红或者分散红硅烷化试剂作为生色团(电偶极分子)材料，用正硅酸乙脂(TEOS)作为交联剂，用二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂，配方按摩尔比是分散红硅烷化试剂∶正硅酸乙脂∶二甲基甲酰胺∶盐酸∶纯水＝1∶8～12∶18～22∶10∶30～40。将生色团材料与交联剂材料按一定比例混合，用二甲基甲酰胺溶解后滴加酸水，在室温下搅拌均匀，使之发生水解和缩聚反应，当溶胶体达到适合膜厚需要的粘度时，把它均匀旋涂到透明基板1的接地导电膜3上形成聚合物薄膜，随即经固化和极化处理过程，使之变成聚合物电光薄膜。在制造本发明的电光探头时，曾经使用的配方是0.1Mol的分散红硅烷化试剂、1.0Mol的正硅酸乙脂(TEOS)、2.0Mol的二甲基甲酰胺(DMF)、3.5Mol的纯水和1.0Mol的盐酸，均匀混合，经水解和缩聚过程，生成分散红硅烷化试剂和硅酸缩合反应形成的溶胶体的混合物，旋涂到接地导电膜3上形成聚合物薄膜，旋涂后在氮气保护下在80℃～100℃的某一温度下恒温固化30分钟，随后进行电晕极化，垂直于接地导电膜3加电场强度150V/μm左右，同时在氮气保护下把极化温度从80℃～100℃提高到150℃～170℃恒温极化3小时，使硅酸缩合物进一步聚合成硅氧化合物三维网状结构，把分散红的电偶极分子在极化过程中形成的沿接地导电膜3的法向排列固定住。极化固化过程结束时要先把温度降至室温，然后把极化电压降至零。

Claims (3)

1、一种可校准电压的电光探测器，由电光探测单元、探测点位置监控单元和集成电路测试台组成；所说的集成电路测试台的组成构件是探针台(25)、探针(24)和集成电路测试电源(28)；其特征是，

所说的电光探测单元的组成构件按光路顺序是，激光器驱动装置(7)和激光器(8)发出的探测光束经准直透镜(9)、扩束器(12)和探测光分束镜(18)和显微镜物镜头(13)，射入电光探头(14)并被聚焦到待测集成电路芯片(19)中的传输电信号的金属微带上，探测光被金属微带反射回来；探测光在电光探头(14)里往返过程中被转化为强度调制的信号光，再经过显微镜物镜头(13)、探测光分束镜(18)、扩束器(12)反射到光电探测器(26)，光电探测器(26)输出的电信号输入到信号放大器与存储显示装置(27)；

所说的探测点位置监控单元的组成构件按光路顺序是，由照明光源(15)发出的自发辐射光经过滤光镜(16)选出适当波段作为照明光，经过照明光分束镜(17)、探测光分束镜(18)、显微镜物镜头(13)和电光探头(14)，照射到被测集成电路芯片(19)的器件面上并被反射回来，被反射的照明光反向经过电光探头(14)、显微镜物镜头(13)和探测光分束镜(18)，与透过探测光分束镜(18)的部分探测光会合一起，经过照明光分束镜(17)在摄像机(20)的CMOS摄像头上成像，并在监视器(21)上显示出被测集成电路芯片(19)上的器件图案和探测光聚焦光点的位置。

2、按照权利要求1所述的可校准电压的电光探测器，其特征是，所说的电光探头由透明基板(1)、镀在透明基板(1)上表面的消反射膜(2)、镀在透明基板(1)下表面的接地导电膜(3)、和在接地导电膜(3)下面的一层电光介质层(4)构成，电光介质层(4)的极化方向与接地导电膜(3)的法向平行；所说的电光介质层(4)是极化聚合物薄膜，厚度在0.2～2μm范围。

3、按照权利要求1或2所述的可校准电压的电光探测器，其特征是，在扩束器(12)和光电探测器(26)间装有λ/4波片(11)和偏振分束器(10)，在同轴光路条件下把载有信号的探测光全部反射到光电探测器(26)里去；或在扩束器(12)和光电探测器(26)间装有楔型反射镜(29)，让反射回来的探测光与入射的探测光之间保持一个夹角，在非同轴光路条件下把载有信号的探测光全部反射到光电探测器(26)里去。

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