CN100417106C - 一种用于2m映射片中的去泄漏方法 - Google Patents

一种用于2m映射片中的去泄漏方法 Download PDF

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Abstract

一种涉及准同步数字系列接口的去抖动部分的用于2M映射片中的去泄漏方法，去泄漏电路隔一定采样时间泄漏存储器的深度，计算该采样时间内泄漏存储器的累积的比特值，根据该累积的比特值确定对于多种频偏情况下，所需的相应的泄漏速率，所述的相应的泄漏速率设定为相应的泄漏时间，将泄漏存储器的深度与泄漏存储器的深度标准值比较，根据比较结果选择适当的泄漏时间进行泄漏。所述的泄漏速率为一确定频偏情况下，在不同序列中的泄漏速率均值；泄漏存储器的深度标准值为最短的指针调整时间间隔内泄漏存储器所累积的比特值；本发明操作简便，而且可得到精确的结果。

Description

一种用于2M映射片中的去泄漏方法
技术领域
本发明涉及光同步数字传输系统(简称SDH/SONET)，具体的说，涉及准同步数字系列PDH接口的去抖动部分的用于2M映射片中的去泄漏方法。
背景技术
当VC4接收时，它被分解成63个TU12信号，要得到纯净荷2M信号，必须去掉开销和塞入字节，同时在传输TU12中可能会带有指针调整，所以解映射的2M信号是有间隙的，如果直接输出至准同步数字系列PDH端，会引起很大的抖动。G.783协议对2M的准同步数字系列PDH接口有抖动指标限制。一般映射片中采用的去抖动方法是去泄漏电路和DPLL结合。去泄漏电路是将抖动的数据流做初步的平滑，送入DPLL。如果平滑效果不好的话，会直接影响指标。Transwitch ADMA-E1TXC-04002B手册中是将计算泄漏率的电路做在芯片中，每隔1秒计算指针正调整和负调整次数差，将最近十次的差值进行相加，通过公式LR＝HEX[int(280/C)]得到，这种方法，增加了电路的复杂性，并且实践证明采用这种方法不能满足指标要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种简便、精度高的用于2M映射片中的去泄漏方法，以解决现有技术中电路复杂、精度低的问题。
本发明所采用的方法为：一种用于2M映射片中的去泄漏方法，其特征在于：它采用如下步骤：
A.在光同步数字传输系统SDH中，准同步数字系列PDH接口的去泄漏电路隔一定采样时间泄漏存储器LEAKFIFO的深度；
B.计算所述采样时间内泄漏存储器LEAKFIFO的累积的比特bits值，根据该累积的比特bits值确定对于多种频偏情况下，所需的相应的泄漏速率，所述的相应的泄漏速率设定为相应的泄漏时间；
C.将泄漏存储器LEAKFIFO的深度与泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值比较，如果该泄漏存储器(LEAKFIFO)的深度大于或等于某一确定频偏下泄漏存储器(LEAKFIFO)深度标准值，则选择与该确定频偏对应的泄漏时间进行泄漏。
所述的步骤B中，所述的泄漏速率为一确定频偏情况下，在不同指针序列的泄漏速率均值或均值近似值；
所述的步骤C中，所述的泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值为最短的指针调整时间间隔内泄漏存储器LEAKFIFO所累积的比特bits值；
所述的泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值为最短的指针调整时间间隔内对于不同序列中的泄漏存储器LEAKFIFO所累积的比特bits值的均值；
所述的步骤B中，所述的泄漏速率采用如下的计算方法：
B1)计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏ppm下C1为负脉冲、C2为正脉冲的间隔，它采用如下表1所示的在不同序列中的计算方法：
  正频偏情况间隔(mc1)   负频偏情况间隔(mc2)
  b序列指针正调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm+40+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000/(2.048*ppm-40-8/30)
  b序列指针正调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10+8+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10-8-8/3)
  b序列指针负调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm-40-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000/(2.048*ppm+40+8/30)
  b序列指针负调整同隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10-8-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10+8+8/30)
  c序列指针正调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm+40-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000/(2.048*ppm-4+8/30)
  c序列指针正调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10+8-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10-8+8/3)
  c序列指针负调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm-40+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms).mc2＝1000/(2.048*ppm+40-8/30)
  c序列指针负调整间隔10s   C1为0的间隔(ms).mc1＝1000*10/(2048*ppm*10-8+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10+8-8/30)
表1
B2)计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏ppm下，一定采样时间Sample内的泄漏存储器LEAKFIFO累积比特bits值，该采样时间Sample与累积比特bits值相除得泄漏速率；其中，累积比特bits值采用如下
表2所示的在不同序列中的计算方法：
  正频偏情况累积比特bits值depth_up   负频偏情况累积比特bits值depth_down
  b序列指针正调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/200-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/200+(sample*8)/30000
  b序列指针正调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/10000+(sample*8)/30000
  b序列指针负调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/200+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/200-(sample*8)/30000
  b序列指针负调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/10000+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/10000-(sample*8)/30000
  c序列指针正调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/200+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/200-(sample*8)/30000
  c序列指针正调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/10000+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/10000-(sample*8)/30000
  c序列指针负调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/200-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/200+(sample*8)/30000
  c序列指针负调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/10000+(sample*8)/30000
表2
所述的步骤C中，所述的泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值采用如下的计算方法：
C1)计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏ppm下C1为负脉冲、C2为正脉冲的间隔，它采用如下
表3所示的在不同序列中的计算方法：
  正频偏情况间隔(mc1)   负频偏情况间隔(mc2)
  b序列指针正调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm+40+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms).mc2＝1000/(2.048*ppm-40-8/30)
  b序列指针正调整间隔10s   C1为0的间隔(ms).mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10+8+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2048*ppm*10-8-8/3)
  b序列指针负调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm-40-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)mc2＝1000/(2048*ppm+40+8/30)
  b序列指针负调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10-8-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms).mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10+8+8/30)
  c序列指针正调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm+40-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms).mc2＝1000/(2048*ppm-4+8/30)
  c序列指针正调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10+8-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10-8+8/3)
  c序列指针负调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms).mc1＝1000/(2048*ppm-40+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms).mc2＝1000/(2.048*ppm+40-8/30)
  c序列指针负调整间隔10s   C1为0的间隔(ms).mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10-8+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2048*ppm*10+8-8/30)
表3
C2)计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏ppm下，在采样时间Sample为200ms内的泄漏存储器LEAKFIFO累积比特bits值，该累积比特bits值即泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值；其中，累积比特bits值采用如下表4所示的在不同序列中的计算方法：
  正频偏情况累积比特(bits)值(depth_up)   负频偏情况累积比特(bits)值(depth_down)
  b序列指针正调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/200-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/200+(sample*8)/30000
  b序列指针正调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/10000+(sample*8)/30000
  b序列指针负调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/200+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/200-(sample*8)/30000
  b序列指针负调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/10000+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/10000-(sample*8)/30000
  c序列指针正调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/200+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/200-(sample*8)/30000
  c序列指针正调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/10000+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/10000-(sample*8)/30000
  c序列指针负调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/200-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/200+(sample*8)/30000
  c序列指针负调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/10000+(sample*8)/30000
表4
本发明的有益效果为：在本发明中，通过隔一定时间采样泄漏存储器LEAKFIFO的深度，计算该采样时间内泄漏存储器LEAKFIFO的累积的比特bits值，根据该累积的比特bits值确定泄漏速率，获得相应的泄漏时间，再将泄漏存储器LEAKFIFO的深度与泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值比较，根据比较结果选择适当的泄漏时间进行泄漏，这种方法操作简便，而且可通过相应的计算得到精确的结果，如下表5所示为采用本发明的去泄漏方法所得到的抖动值数据：
Figure C0311585100121
表5
显而易见，通过使用本发明，抖动值大大低于系统容许参考值0.4。
附图说明
图1为本发明控制原理示意图；
图2为本发明泄漏速率的计算流程示意图；
图3为本发明泄漏存储器深度标准值的计算流程示意图。
具体实施方式
下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明：
根据图1、图2和图3，在光同步数字传输系统SDH中，准同步数字系列PDH接口的去泄漏电路包括泄漏存储器LEAKFIFO、泄漏参数计算模块和分频电路，本发明采用如下步骤：
A.去泄漏电路隔一定采样时间泄漏存储器LEAKFIFO的深度，如图1所示，通过写计数器和读计数器对读写信号取样，经计算后将泄漏存储器LEAKFIFO的深度输入泄漏参数计算模块；
B.在泄漏参数计算模块中，计算该采样时间内泄漏存储器LEAKFIFO的累积的比特bits值，根据该累积的比特bits值确定对于多种频偏情况下，所需的相应的泄漏速率，所述的相应的泄漏速率设定为相应的泄漏时间，由于一般测试指标是采用b/c两种序列，这两种序列基本上也代表了传输电路中速率的变化情况，因此，在本实施例中，对于某种频偏情况下，泄漏速率以在这两种序列中的泄漏速率均值计算，泄漏速率采用如下的具体计算方法：
B1)如图2所示，计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏ppm下C1为负脉冲、C2为正脉冲的间隔，它采用如表1所示的在不同序列中的计算方法。
B2)如图2所示，计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏ppm下，一定采样时间Sample内的泄漏存储器LEAKFIFO累积比特bits值，该采样时间Sample与累积比特bits值相除得泄漏速率；其中，累积比特bits值采用如表2所示的在不同序列中的计算方法。
没有任何调整和频偏的情况下，C1固定为1，C2固定为0。当加有频偏时，传输电路是通过指针和C1、C2的共同调整来满足频偏要求。例如在+50ppm b序列指针正调整间隔为200ms情况下，单位时间内要增加50*2.048＝102.4bits，指针间隔200ms正调整，相当于每秒减少40bits，因此C1必须降为0进行调整。计算公式如表1所示，mc1＝1000/(2.048*ppm+40+8/30)＝7ms。
由于C1、C2参与调整，因此泄漏存储器LEAKFIFO相对于平衡点的偏移既有指针调整的影响也有C1、C2的影响。泄漏存储器LEAKFIFO增加或减少比特bits值的计算公式如表2所示，例采样时间为4ms b序列指针间隔200ms正调整频偏为50ppm，depth_up＝0.41bits，相应要求的泄漏速率为4/0.41＝9.75ms/bit.
例如，采样时间Sample设为4ms，下面以50ppm和30ppm两个点计算泄漏速率：
Figure C0311585100141
b序列
1)指针正调整，+50ppm，200ms
采用表1和表2中所示计算方法：4ms LEAKFIFO积累的bits数为0.4103bits。
要求的泄漏速率为9.747ms/bit。
2)指针正调整，+30ppm，200ms
采用表1和表2中所示计算方法：4ms LEAKFIFO积累的bits数为0.2198bits。
要求的泄漏速率为18.19ms/bit。
3)指针正调整，+50ppm，10s
采用表1和表2中所示计算方法：4ms LEAKFIFO积累的bits数为0.3957bits。
要求的泄漏速率为10.10ms/bit。
4)指针正调整，+30ppm，10s
采用表1和表2中所示计算方法：4ms LEAKFIFO积累的bits数为0.24573bits。
要求的泄漏速率为16.27ms/bit。
Figure C0311585100151
c序列
1)指针正调整，+50ppm，200ms
采用表1和表2中所示计算方法：4ms LEAKFIFO积累的bits数为0.41249bits。
要求的泄漏速率为9.697ms/bit。
2)指针正调整，+30ppm，200ms
采用表1和表2中所示计算方法：4ms LEAKFIFO积累的bits数为0.241bits。
要求的泄漏速率为16.59ms/bit。
3)指针正调整，+50ppm，10s
采用表1和表2中所示计算方法：4ms LEAKFIFO积累的bits数为0.44231bits。
要求的泄漏速率为9.043ms/bit。
4)指针正调整，+30ppm，10s
采用表1和表2中所示计算方法：4ms LEAKFIFO积累的bits数为0.24029bits。
要求的泄漏速率为16.64ms/bit。
从上面的计算可以看出，在频偏为50ppm的泄漏速率都在9～10之间，在30ppm的泄漏速率都在15～18之间，因此泄漏时间选为9.6ms与16.9ms。
C.将泄漏存储器LEAKFIFO的深度与泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值比较，根据比较结果选择适当的泄漏时间进行泄漏，其中泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值为最短的指针调整时间间隔内泄漏存储器LEAKFIFO所累积的比特bits值，同样，泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值采用最短的指针调整时间间隔内对于b/c两种序列中的泄漏存储器LEAKFIFO所累积的比特bits值的均值汁算，泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值采用如下的具体计算方法：
C1)如图3所示，计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏ppm下C1为负脉冲、C2为正脉冲的间隔，它采用如表3所示的在不同序列中的计算方法。
C2)如图3所示，计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏ppm下，在采样时间Sample为200ms内的泄漏存储器LEAKFIFO累积比特bits值，该累积比特bits值即泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值；其中，累积比特bits值采用如表4所示的在不同序列中的计算方法：
例如，对于上述采用50ppm和30ppm计算泄漏速率的两个点，计算50ppm在各种序列下200ms内所积累比特bits值，即泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值。
Figure C0311585100161
b序列
1)指针正调整+50ppm 200ms
采用表3和表4中所示计算方法：积累比特bits值为200/7-8＝20bits。
2)指针正调整+50ppm 10s
采用表3和表4中所示计算方法：积累比特bits值为200/10＝20bits。
Figure C0311585100162
c序列
1)指针正调整+50ppm 200ms
采用表3和表4中所示计算方法：积累比特bits值为200/7-8＝20bits
2)指针正调整+50ppm 10s
采用表3和表4中所示计算方法：积累比特bits值为200/9＝22bits。
因此，选择泄漏存储器LEAKFIFO的深度相对于平衡位置大于或接近20bits，每隔9.6ms进行一次泄漏；小于20bits，每隔16.9ms进行一次泄漏。
泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值可通过计算选定的频偏在各种序列下，到最近一次指针调整下所积累的比特bits值得出。
在实际计算泄漏时间和泄漏存储器LEAKFIFO的深度标准值时，可多计算几种频偏的情况，从而进行分层的调整。

Claims (5)

1. 一种用于2M映射片中的去泄漏方法，其特征在于：它采用如下步骤：
A.在光同步数字传输系统(SDH)中，准同步数字系列(PDH)接口的去泄漏电路隔一定采样时间泄漏存储器(LEAKFIFO)的深度；
B.计算所述采样时间内泄漏存储器(LEAKFIFO)的累积的比特(bits)值，根据该累积的比特(bits)值确定对于多种频偏情况下，所需的相应的泄漏速率，所述泄漏速率为一确定频偏情况下不同指针序列的泄漏速率均值或均值近似值，所述的相应的泄漏速率设定为相应的泄漏时间；
C.将泄漏存储器(LEAKFIFO)的深度与泄漏存储器(LEAKFIFO)的深度标准值比较，如果该泄漏存储器(LEAKFIFO)的深度大于或等于某一确定频偏下泄漏存储器(LEAKFIFO)深度标准值，则选择与该确定频偏对应的泄漏时间进行泄漏。
2. 根据权利要求1所述的用于2M映射片中的去泄漏方法，其特征在于：
所述的步骤C中，所述的泄漏存储器(LEAKFIFO)的深度标准值为最短的指针调整时间间隔内泄漏存储器(LEAKFIFO)所累积的比特(bits)值。
3. 根据权利要求2所述的用于2M映射片中的去泄漏方法，其特征在于：
所述的泄漏存储器(LEAKFIFO)的深度标准值为最短的指针调整时间间隔内对于不同序列中的泄漏存储器(LEAKFIFO)所累积的比特(bits)值的均值。
4. 根据权利要求1所述的用于2M映射片中的去泄漏方法，其特征在于：
所述的步骤B中，所述的泄漏速率采用如下的计算方法：
B1)计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏(ppm)下C1为负脉冲、C2为正脉冲的间隔，它采用如下表所示的在不同序列中的计算方法：
  正频偏情况间隔(mc1)   负频偏情况间隔(mc2)   b序列指针正调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm+40+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms).mc2＝1000/(2.048*ppm-40-8/30)   b序列指针正调整间隔10s   C1为0的间隔(ms).mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10+8+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10-8-8/3)   b序列指针负调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm-40-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000/(2.048*ppm+40+8/30)   b序列指针负调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10-8-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10+8+8/30)   c序列指针正调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm+40-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000/(2.048*ppm-4+8/30)   c序列指针正调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10+8-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10-8+8/3)   c序列指针负调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm-40+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000/(2.048*ppm+40-8/30)   c序列指针负调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10-8+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10+8-8/30)
B2)计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏(ppm)下，一定采样时间(Sample)内的泄漏存储器(LEAKFIFO)累积比特(bits)值，该采样时间(Sample)与累积比特(bits)值相除得泄漏速率；其中，累积比特(bits)值采用如下表所示的在不同序列中的计算方法：
  正频偏情况累积比特(bits)值(depth_up)   负频偏情况累积比特(bits)值(depth_down)   b序列 指针正调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/200-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/200+(sample*8)/30000   b序列 指针正调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/10000+(sample*8)/30000   b序列指针负调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/200+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/200-(sample*8)/30000   b序列指针负调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/10000+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   c序列指针正调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/200+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/200-(sample*8)/30000   c序列指针正调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/10000+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   c序列指针负调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/200-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/200+(sample*8)/30000   c序列指针负调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/10000+(sample*8)/30000
5. 根据权利要求1或2或3所述的用于2M映射片中的去泄漏方法，其特征在于：所述的步骤C中，所述的泄漏存储器(LEAKFIFO)的深度标准值采用如下的计算方法：
C1)计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏(ppm)下C1为负脉冲、C2为正脉冲的间隔，它采用如
下表所示的在不同序列中的计算方法：
  正频偏情况间隔(mc1)   负频偏情况间隔(mc2)   b序列指针正调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm+40+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000/(2.048*ppm-40-8/30)   b序列指针正调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10+8+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10-8-8/3)
  b序列指针负调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm-40-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000/(2.048*ppm+40+8/30)   b序列指针负调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10-8-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms).mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10+8+8/30)   c序列指针正调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm+40-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)mc2＝1000/(2.048*ppm-4+8/30)   c序列指针正调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10+8-8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2048*ppm*10-8+8/3)   c序列指针负调整间隔200ms   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000/(2.048*ppm-40+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000/(2.048*ppm+40-8/30)   c序列指针负调整间隔10s   C1为0的间隔(ms)：mc1＝1000*10/(2.048*ppm*10-8+8/30)C2恒为0   C1恒为1C2为1的间隔(ms)：mc2＝1000*10/(2.048*ppm*10+8-8/30)
C2)计算在指针序列b/c，指针正/负调整，时间间隔为200ms/10s下、正负频偏(ppm)下，在采样时间(Sample)为200ms内的泄漏存储器(LEAKFIFO)累积比特(bits)值，该累积比特(bits)值即泄漏存储器(LEAKFIFO)的深度标准值；其中，累积比特(bits)值采用如下表所示的在不同序列中的计算方法：
  正频偏情况累积比特(bits)值(depth_up)   负频偏情况累积比特(bits)值(depth_down)   b序列指针正调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/200-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/200+(sample*8)/30000   b序列指针正调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/10000+(sample*8)/30000   b序列指针负调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/200+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/200-(sample*8)/30000   b序列指针负调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/10000+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   c序列指针正调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/200+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/200-(sample*8)/30000
  c序列指针正调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1-(sample*8)/10000+(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2+(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   c序列指针负调整间隔200ms   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/200-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/200+(sample*8)/30000   c序列指针负调整间隔10s   depth_up＝sample/mc1+(sample*8)/10000-(sample*8)/30000   depth_down＝sample/mc2-(sample*8)/10000+(sample*8)/30000
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