CN100375387C

CN100375387C - 软激活电路

Info

Publication number: CN100375387C
Application number: CNB031239633A
Authority: CN
Inventors: 庄明南; 冯蔚文
Original assignee: PEIHENG SEMICONDUCTOR CO Ltd
Current assignee: PEIHENG SEMICONDUCTOR CO Ltd
Priority date: 2003-05-29
Filing date: 2003-05-29
Publication date: 2008-03-12
Anticipated expiration: 2023-05-29
Also published as: CN1553574A

Abstract

本发明涉及一种软激活电路，其包括：一电流源、一第一电流镜、一第二电流镜、一第一金属氧化物半导体场效晶体管、一第二金属氧化物半导体场效晶体管以及一电容，利用该第一电流镜、该第一金属氧化物半导体场效晶体管、该第二电流镜及该第二金属氧化物半导体场效晶体管与该电容的耦接，降低自该软激活电路产生的软激活电压与时间的比值，借以增加该电容的等效电容值，使得该软激活电路可以以一较小电容值的电容来制作。

Description

软激活电路

技术领域

本发明涉及一种软激活电路，特别是涉及一种可增加软激活电路的等效电容值，使得软激活电路可以以一较小电容值的电容来制作的软激活电路。

背景技术

软激活(Soft-start)电路的原理，是使用一电阻电容(RC)的充电电路与一控制电路耦接，在负载刚接上电源的瞬间，利用电阻电容充电电路使得控制电路能让流经负载的电流以较为缓慢的速率增加，意即使得通过负载的电流能得到控制，以减缓电源在接上负载时所产生的大电流对负载及其它耦接电路的伤害。

公知的一种软激活电路如图1所示，该软激活电路10是由一固定的电流源11及一电容12所组成，并以电流源11与电容12之间的串联节点A作为软激活电压的待测节点。

假设电流源11的电流为I、串联节点A的软激活电压为V(soft-start)且电容12的电容值为C，由公式V(soft-start)/T＝I/C可知，由于电流I为固定值，因此若在软激活电压V(soft-start)固定的情况下想要得到较小的V(soft-start)/T比，则电容12的电容值为C需要足够的大小才可满足。若以目前适用于此型电路的常用电容值来说，其大小常是介于1nF～0.1uF之间，如此的电容值所对应的电容体积若置于一般的电器用品电路中，并以-外接电容的方式来运作自是没有问题，然而若欲将此技术用于集成电路(Integrated Circuits，IC)中，则会出现下列两种困难：

1.具有上述电容值的电容体积过大，无法整合于集成电路的制造过程中，故无法符合集成电路体积日益缩小的潮流。

2.若欲以能够搭配集成电路的工艺尺寸的要求所制作出的电容，其电容值却又不够大到足以发挥软激活电路的保护功能。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种软激活电路，其电路配置的方式可以降低自该软激活电路产生的软激活电压与时间的比值，借以放大该软激活电路所含电容的有效值，使得该软激活电路时可以以一较小电容值(即较小的体积)的该电容来制作。

本发明可通过如下措施实现：

根据本发明的构想，提出一种软激活电路，其包括：一电流镜，是由两个金属氧化物半导体场效晶体管耦接而成，具有两个源极端与两个漏极端，该两个金属氧化物半导体场效晶体管的两个栅极端彼此相连接，并且，其中一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为一输入端连接于第一电压，而另一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为一输出端；一晶体管，其一第一端为集电极端且连接于该电流镜的输出端，其一第二端为射极端且连接于一第二电压；以及一电容，其一端连接于该电流镜的该输出端，其另一端连接于该晶体管的基极端；利用该晶体管与该电容的耦接，降低自该软激活电路产生的软激活电压与时间的比值，借以增加该电容的等效电容值。

根据上述构想，其中该两个金属氧化物半导体场效晶体管是相同的P型金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)耦接而成。

根据上述构想，其中该第二电流源的输出端连接于该第二电压。

根据上述构想，其中该第一电压大于该第二电压。

根据上述构想，其中该晶体管为一npn型双极型晶体管(bipolarjunctiontransistor，BJT)。

根据上述构想，其中该晶体管的控制端为基极端。

根据上述构想，其中该晶体管是为一达灵顿晶体管(Darlingtontransistor)。

根据上述构想，其中该达灵顿晶体管由一第一npn型双极型晶体管及一第二npn型双极型晶体管耦接而成，且该第一npn型双极型晶体管的基极端为该晶体管的输入端，该第一npn型双极型晶体管的射极端连接于该第二npn型双极型晶体管的基极端，该第一npn型双极型晶体管的集电极端连接于该第二npn型双极型晶体管的集电极端以构成该晶体管的该第一端，该第二npn型双极型晶体管的射极端为该晶体管的该第二端。

根据本发明的另一构想，提出一种软激活电路，其包括：一电流源，其输出端连接于一第一电压；一第一电流镜，是由两个金属氧化物半导体场效晶体管耦接而成，具有两个源极端与两个漏极端，该两个金属氧化物半导体场效晶体管的两个栅极端彼此相连接，其中一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为一输入端连接于一第一电压，而另一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为一输出端，该第一电流镜的输入端连接于该电流源的输入端，该共源极端连接于一第二电压；一第一金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，其源极端连接于该第二电压，其栅极端连接于该第一电流镜的共栅极端；一第二金属氧化物半导体场效晶体管，其漏极端连接于该第一电流镜的输出端，其源极端连接于该第一电压；一电容，其一端连接于该第一电流镜的输出端及该第二金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端，其另一端连接于该第二金属氧化物半导体场效晶体管的栅极端；以及一第二电流镜，由两个金属氧化物半导体场效晶体管组成，该两个金属氧化物半导体场效晶体管各自的栅极端短路形成一共栅极端，而各自的源极端形成一共源极端，且其中一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为该第二电流镜的输入端，另一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为该第二电流镜的输出端，该第二电流镜的输入端连接于该第一金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端，该第二电流镜的共源极端连接于该第一电压，该第二电流镜的输出端连接于该电容的另一端及该第二晶体管的栅极端；利用该第一电流镜、该第一金属氧化物半导体场效晶体管、该第二电流镜及该第二金属氧化物半导体场效晶体管与该电容的耦接，降低自该软激活电路产生的软激活电压与时间的比值，借以增加该电容的等效电容值。

根据上述构想，其中该第一电压小于该第二电压。

根据上述构想，其中该第一电流镜的该金属氧化物半导体场效晶体管是两个相同的第一P型金属氧化物半导体场效晶体管晶体管耦接而成。

根据上述构想，其中该第一金属氧化物半导体场效晶体管为一P型金属氧化物半导体场效晶体管，且其信道区(Channel)宽长比(Aspect Ratio)小于该第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的信道区长宽比。

根据上述构想，其中该第二金属氧化物半导体场效晶体管为一N型金属氧化物半导体场效晶体管。

根据上述构想，其中该第二电流镜的该两个金属氧化物半导体场效晶体管是一第一N型金属氧化物半导体场效晶体管及一第二N型金属氧化物半导体场效晶体管耦接而成。

根据上述构想，其中该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极为该第二电流镜的输入端，该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极为该第二电流镜的输出端。

根据上述构想，其中该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的信道区宽长比大于该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的信道区宽长比。

根据本发明的再一构想，提出一种软激活电路，其包括：一电流源，其输出端连接于一第一电压；一第一电流镜，由两个金属氧化物半导体场效晶体管组成，该两个金属氧化物半导体场效晶体管各自的栅极端短路形成一共栅极端，而各自的源极端形成一共源极端，且其中一漏极端为该第一电流镜的输入端，另一漏极端为该第一电流镜的输出端，该第一电流镜的输入端连接于该电流源的输入端，该共源极端连接于一第二电压；一第一金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)，其源极端连接于该第二电压，其栅极端连接于该第一电流镜的共栅极；一第二金属氧化物半导体场效晶体管，其漏极端连接于该第一晶体管的漏极端，其一源极端连接于该第一电压；一电容，其一端连接于该第一金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端及该第二金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端，其另一端连接于该第二金属氧化物半导体场效晶体管的栅极端；以及一第二电流镜，由两个金属氧化物半导体场效晶体管组成，该两个金属氧化物半导体场效晶体管各自的栅极端短路形成一共栅极端，而各自的源极端形成一共源极端，且其中一漏极端为该第二电流镜的输入端，另一漏极端为该第二电流镜的输出端，其该第二电流镜的输入端连接于该第一电流镜的输出端，该第二电流镜的共源极端连接于该第一电压，该第二电流镜的输出端连接于该电容的另一端及该第二金属氧化物半导体场效晶体管的栅极端；利用该第一电流镜、该第一金属氧化物半导体场效晶体管、该第二电流镜及该第二金属氧化物半导体场效晶体管与该电容的耦接，降低自该软激活电路产生的软激活电压与时间的比值，借以增加该电容的等效电容值，使得该软激活电路可以以一较小电容值的该电容来制作。

根据上述构想，其中该第一电压小于该第二电压。

根据上述构想，其中该第一电流镜的该两个金属氧化物半导体场效晶体管是由一第一P型金属氧化物半导体场效晶体管及一第二P型金属氧化物半导体场效晶体管耦接而成。

根据上述构想，其中该第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极为该第一电流镜的该输入端，该第二P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极为该第一电流镜的该输出端。

根据上述构想，其中该第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的信道区(Channel)宽长比(Aspect Ratio)大于该第二P型金属氧化物半导体场效晶体管的信道区长宽比。

根据上述构想，其中该第一金属氧化物半导体场效晶体管为一P型金属氧化物半导体场效晶体管。

根据上述构想，其中该第二电流镜是由一第一N型金属氧化物半导体场效晶体管及一第二N型金属氧化物半导体场效晶体管耦接而成。

本发明的优点在于：本发明的电路配置的方式可以降低自该软激活电路产生的软激活电压与时间的比值，借以放大该软激活电路所含电容的有效值，使得该软激活电路时可以以一较小电容值(即较小的体积)的该电容来制作，从而可以整合于集成电路的制造过程中，符合了集成电路体积日益缩小的潮流。

本发明还将结合附图对实施例作进一步详述。

附图说明

图1：公知的软激活电路的电路示意图；

图2：本发明第一较佳实施例的软激活电路的电路示意图；

图3：本发明第二较佳实施例的软激活电路的电路示意图；以及

图4：本发明第三较佳实施例的软激活电路的电路示意图。

其中，附图标记说明如下：

软激活电路10、20、30、40

电流源11、21、31、41

电流镜22、32

电容12、23、33、48

npn型双极型晶体管24、341、342

P型金属氧化物半导体场效晶体管221、222、321、322、42、43、44

高电压25、35、491

低电压26、36、492

达灵顿晶体管34

N型金属氧化物半导体场效晶体管45、46、47

具体实施方式

请参阅图2，其为本发明第一较佳实施例的软激活电路的电路示意图。如图2所示，该软激活电路20是由电流源21、电流镜22、电容23及npn型双极型晶体管(BJT)24耦接而成。其中，电流镜22是由两个相同的P型金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)221及222耦接而成，且P型金属氧化物半导体场效晶体管221及222的栅极端彼此相连接、源极端共同连接于高电压25，而P型金属氧化物半导体场效晶体管221的漏极端形成电流镜22的输入端，P型金属氧化物半导体场效晶体管222的漏极端形成电流镜22的输出端。

另外，电流镜22的输入端连接于电流源21的输入端，电流镜22的输出端连接于电容23的一端及npn(Negative-Positive-Negative负极-正极-负极)型双极型晶体管24的集电极端，而电容23的另一端则连接于npn型双极型晶体管24的基极端，电流源21的输出端及npn型双极型晶体管24的射极端共同连接于低电压26。

由图2可看出，电流源21产生的定电流(假设其大小为I’)经由电流镜22的映像，使得自npn型双极型晶体管24的射极端流出的电流大小亦为I’。由于npn型双极型晶体管的元件特性，使得流进npn型双极型晶体管24的基极端的电流、流进npn型双极型晶体管24的集电极端的电流以及流出npn型双极型晶体管24的射极端的电流彼此间具有一比例关系是1∶b∶(b+1)，因此流经电容23的电流(即流进npn型双极型晶体管24的基极端的电流)大小则为I’/(b+1)，当b够大时(以现代的npn型双极型晶体管来说多在100至200间)，可将流经电容23的电流大小视为I’/b。将此I’/b值代入公式V(soft-start)/T＝I/C的电流I处，可得V(sott-start)/T＝(I’/b)/C，亦可看成

V(soft-start)/T＝I’/(bC)。由此可知，在软激活电压V(soft-start)固定的情况下想要得到较小的V(soft-start)/T比值，若利用本发明所述的软激活电路，可将电容23的等效电容值放大b倍，使得可以利用具一较小电容值的电容，制作软激活电压与时间比(V(soft-start)/T)足够小的软激活电路。

请参阅图3，其为本发明第二较佳实施例的软激活电路的电路示意图。如图3所示，该软激活电路30是由电流源31、电流镜32、电容33及达灵顿晶体管(Darlington transistor)34耦接而成。其中，电流镜32是由两个相同的P型金属氧化物半导体场效晶体管321及322耦接而成，且P型金属氧化物半导体场效晶体管321及322的栅极端彼此相连接、源极端共同连接于高电压35，而P型金属氧化物半导体场效晶体管321的漏极端形成电流镜32的输入端，P型金属氧化物半导体场效晶体管322的漏极端形成电流镜32的输出端。

另外，达灵顿晶体管34是由两个相同的npn型双极型晶体管341及342耦接而成，其中npn型双极型晶体管341的基极端为达灵顿晶体管34的输入端，npn型双极型晶体管341和342的集电极端彼此相接后连接于电流镜32的输出端，npn型双极型晶体管341的射极端连接于npn型双极型晶体管342的基极端，npn型双极型晶体管342的射极端则连接于低电压36。

并且，电流镜32的输入端连接于电流源31的输入端，电流镜32的输出端连接于电容33的一端及npn型双极型晶体管341和342的共集电极端，而电容33的另一端则连接于达灵顿晶体管34的输入端，电流源31的输出端亦连接于低电压36。

由图3可看出，电流源31产生的定电流(假设其大小为I”)经由电流镜32的映像，使得自npn型双极型晶体管342的射极端流出的电流大小亦为I”。由于达灵顿晶体管的元件特性(假设流进npn型双极型晶体管341的集电极端与基极端的电流比值为b，npn型双极型晶体管342亦同)，使得流进npn型双极型晶体管341的基极端的电流与流出npn型双极型晶体管342的射极端的电流彼此间具有一比例关是1∶(b+1)²，因此流经电容33的电流(即流进npn型双极型晶体管341的基极端的电流)大小则为I”/(b+1)²，当b够大时(以现代的npn型双极型晶体管来说多在100至200间)，可将流经电容33的电流大小视为I”/b²。将此I”/b²值代入公式V(soft-start)/T＝I/C的电流I处，可得V(soft-start)/T＝(I”/b²)/C，亦可看成

V(soft-start)/T＝I”/(b²C)。由此可知，在软激活电压V(soft-start)固定的情况下想要得到较小的V(soft-start)/T比值，若利用本发明所述的软激活电路，可将电容23的等效电容值放大b²倍，使得可以利用具一极小电容值的电容，制作软激活电压与时间比(V(soft-start)/T)够小的软激活电路。

请参阅图4，其为本发明第三较佳实施例的软激活电路的电路示意图，与第一及第二较佳实施例不同处在于，第三较佳实施例是为一互补式金氧半导体(Complementary MOS，CMOS)制成的电路布局。如图4所示，该软激活电路40是由电流源41、三颗P型金属氧化物半导体场效晶体管(42、43及44)、三颗N型金属氧化物半导体场效晶体管(45、46及47)及电容48耦接而成。其中，P型金属氧化物半导体场效晶体管42与44的漏、源极端间的信道(Channel)宽长比(Aspect Ratio)是彼此相同，但却皆为P型金属氧化物半导体场效晶体管43的信道宽长比的倍数(假设为n倍)。而N型金属氧化物半导体场效晶体管45的信道宽长比则为N型金属氧化物半导体场效晶体管46的倍数(假设为m倍)。

在图4中，P型金属氧化物半导体场效晶体管42、43与44的源极端皆连接于高电压491，而三者的栅极端彼此相连且共同短路于P型金属氧化物半导体场效晶体管42的漏极端，另外P型金属氧化物半导体场效晶体管42的漏极端与电流源41的输入端相连接，电流源41的输出端则连接至低电压492。因此，P型金属氧化物半导体场效晶体管42及43共同组成一个电流映像倍率为1/n的电流镜，P型金属氧化物半导体场效晶体管42及44亦共同组成一个电流映像倍率为1的电流镜。

另外，N型金属氧化物半导体场效晶体管45则以栅、漏极端短路的方式与P型金属氧化物半导体场效晶体管43的漏极端相连接，N型金属氧化物半导体场效晶体管45以共栅极端的方式与N型金属氧化物半导体场效晶体管46组成一个电流映像倍率为1/m的电流镜，共源极端则与低电压492相连接。

最后，N型金属氧化物半导体场效晶体管47的漏极端与电容48的一端共同连接至P型金属氧化物半导体场效晶体管44的漏极端，N型金属氧化物半导体场效晶体管47的栅极端与电容48的另一端短路后共同连接至N型金属氧化物半导体场效晶体管46的漏极端，N型金属氧化物半导体场效晶体管47的源极端亦与低电压492相连接。

由图4可看出，电流源41产生的定电流(假设其大小为I)经由P型金属氧化物半导体场效晶体管42及44共同组成的电流镜的映像，使得自P型金属氧化物半导体场效晶体管44的漏极端流出的电流大小亦为I。

另外，经由P型金属氧化物半导体场效晶体管42及43共同组成的电流镜的映像，使得自P型金属氧化物半导体场效晶体管43的漏极端流出的电流大小为I/n，该电流再经由N型金属氧化物半导体场效晶体管45及46共同组成的电流镜的映像，使得流进N型金属氧化物半导体场效晶体管46的漏极端的电流大小变为I/(mn)。由于流进N型金属氧化物半导体场效晶体管47的栅极端的电流与I/(mn)相比极小，因此可将流经电容48的电流大小视为I/(mn)。

由于(1)自P型金属氧化物半导体场效晶体管44的漏极端流出的电流大小为I(2)流经电容48的电流大小视为I/(mn)，而当m及n够大时(以现代的金属氧化物半导体场效晶体管来说多在25以上)，将流经电容33的电流值I/(mn)代入公式V(soft-start)/T＝I/C的电流I处，可得V(soft-start)/T＝(I/mn)/C，亦可看成

V(soft-start)/T＝I”/(mnC)。由此可知，在软激活电压V(soff-start)固定的情况下想要得到较小的V(soft-start)/T比值，若利用本发明所述的软激活电路，可将电容23的等效电容值放大mn倍，使得可以利用具一极小电容值的电容，制作软激活电压与时间比(V(soft-start)/T)够小的软激活电路。

由以上三种较佳实施例可知，本发明所述的软激活电路配置的方式确实可以放大电容的有效值，使得人们在制作软激活电路时可以一较小电容值(即较小的体积)的电容即可达到较小的软激活电压与时间的比值，也就是达到缓慢控制通过负载的电流的增加速率，使得系统于激活时能够更安全的作用；尤其是第三较佳实施例的软激活电路，是以CMOS的工艺作为电路的实施环境，以能够搭配集成电路的工艺尺寸的要求所制作出的电容，并以本发明所述的配置方式，使得有效电容值足够大到能够发挥软激活电路的保护功能，因此可有效整合于集成电路的工艺中，完全符合集成电路体积日益缩小的世界潮流。故本发明确实能够解决公知软激活电路的技术缺陷，进而达成本发明的研发目的。

本发明可由熟悉本技术的人员作多种修饰，但皆不脱离所附的权利要求所欲保护的范围。

Claims

1.一种软激活电路，其特征在于，其包括：

一电流镜，是由两个金属氧化物半导体场效晶体管耦接而成，具有两个源极端与两个漏极端，该两个金属氧化物半导体场效晶体管的两个栅极端彼此相连接，并且，其中一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为一输入端连接于第一电压，而另一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为一输出端；

一晶体管，其一第一端为集电极端且连接于该电流镜的输出端，其一第二端为射极端且连接于一第二电压；以及

一电容，其一端连接于该电流镜的该输出端，其另一端连接于该晶体管的基极端；

利用该晶体管与该电容的耦接，降低自该软激活电路产生的软激活电压与时间的比值，借以增加该电容的等效电容值。

2.如权利要求1所述的软激活电路，其特征在于：

该两个金属氧化物半导体场效晶体管是相同的P型金属氧化物半导体场效晶体管。

3.如权利要求1或2所述的软激活电路，其特征在于：

该第一电压大于该第二电压；

该晶体管为一npn型双极型晶体管；及

该晶体管的控制端为基极端。

4.如权利要求1所述的软激活电路，其特征在于：

该晶体管是为一达灵顿晶体管；及/或

该达灵顿晶体管由一第一npn型双极型晶体管及一第二npn型双极型晶体管耦接而成，且该第一npn型双极型晶体管的基极端为该晶体管的输入端，该第一npn型双极型晶体管的射极端连接于该第二npn型双极型晶体管的基极端，该第一npn型双极型晶体管的集电极端连接于该第二npn型双极型晶体管的集电极端以构成该晶体管的该第一端，该第二npn型双极型晶体管的射极端为该晶体管的该第二端。

5.一种软激活电路，其特征在于，其包括：

一电流源，其输出端连接于一第一电压；

一第一电流镜，是由两个金属氧化物半导体场效晶体管耦接而成，具有两个源极端与两个漏极端，该两个金属氧化物半导体场效晶体管的两个栅极端彼此相连接，其中一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为一输入端连接于一第一电压，而另一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为一输出端，该第一电流镜的输入端连接于该电流源的输入端，该共源极端连接于一第二电压；

一第一金属氧化物半导体场效晶体管，其源极端连接于该第二电压，其栅极端连接于该第一电流镜的共栅极端；

一第二金属氧化物半导体场效晶体管，其漏极端连接于该第一电流镜的输出端，其源极端连接于该第一电压；

一电容，其一端连接于该第一电流镜的输出端及该第二金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端，其另一端连接于该第二金属氧化物半导体场效晶体管的栅极端；以及

一第二电流镜，由两个金属氧化物半导体场效晶体管组成，该两个金属氧化物半导体场效晶体管各自的栅极端短路形成一共栅极端，而各自的源极端形成一共源极端，且其中一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为该第二电流镜的输入端，另一个金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端为该第二电流镜的输出端，该第二电流镜的输入端连接于该第一金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端，该第二电流镜的共源极端连接于该第一电压，该第二电流镜的输出端连接于该电容的另一端及该第二晶体管的栅极端；

利用该第一电流镜、该第一金属氧化物半导体场效晶体管、该第二电流镜及该第二金属氧化物半导体场效晶体管与该电容的耦接，降低自该软激活电路产生的软激活电压与时间的比值，借以增加该电容的等效电容值。

6.如权利要求5所述的软激活电路，其特征在于：

该第一电压小于该第二电压；

该第一电流镜的该金属氧化物半导体场效晶体管是两个相同的第一P型金属氧化物半导体场效晶体管晶体管耦接而成；及/或

该第一金属氧化物半导体场效晶体管为一P型金属氧化物半导体场效晶体管，且其信道区宽长比小于该第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的信道区长宽比。

7.如权利要求5所述的软激活电路，其特征在于：

该第二金属氧化物半导体场效晶体管为一N型金属氧化物半导体场效晶体管；

该第二电流镜的该两个金属氧化物半导体场效晶体管是一第一N型金属氧化物半导体场效晶体管及一第二N型金属氧化物半导体场效晶体管耦接而成；

该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极为该第二电流镜的输入端，该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极为该第二电流镜的输出端；及/或

该第一N型金属氧化物半导体场效晶体管的信道区宽长比大于该第二N型金属氧化物半导体场效晶体管的信道区宽长比。

8.一种软激活电路，其特征在于，其包括：

一电流源，其输出端连接于一第一电压；

一第一电流镜，由两个金属氧化物半导体场效晶体管组成，该两个金属氧化物半导体场效晶体管各自的栅极端短路形成一共栅极端，而各自的源极端形成一共源极端，且其中一漏极端为该第一电流镜的输入端，另一漏极端为该第一电流镜的输出端，该第一电流镜的输入端连接于该电流源的输入端，该共源极端连接于一第二电压；

一第一金属氧化物半导体场效晶体管，其源极端连接于该第二电压，其栅极端连接于该第一电流镜的共栅极；

一第二金属氧化物半导体场效晶体管，其漏极端连接于该第一金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端，其一源极端连接于该第一电压；

一电容，其一端连接于该第一金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端及该第二金属氧化物半导体场效晶体管的漏极端，其另一端连接于该第二金属氧化物半导体场效晶体管的栅极端；以及

一第二电流镜，由两个金属氧化物半导体场效晶体管组成，该两个金属氧化物半导体场效晶体管各自的栅极端短路形成一共栅极端，而各自的源极端形成一共源极端，且其中一漏极端为该第二电流镜的输入端，另一漏极端为该第二电流镜的输出端，该第二电流镜的输入端连接于该第一电流镜的输出端，该第二电流镜的共源极端连接于该第一电压，该第二电流镜的输出端连接于该电容的另一端及该第二金属氧化物半导体场效晶体管的栅极端；

9.如权利要求8所述的软激活电路，其特征在于，该第一电压小于该第二电压。

10.如权利要求8所述的软激活电路，其特征在于：

该第一电流镜的该两个金属氧化物半导体场效晶体管是由一第一P型金属氧化物半导体场效晶体管及一第二P型金属氧化物半导体场效晶体管耦接而成；

该第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极为该第一电流镜的该输入端，该第二P型金属氧化物半导体场效晶体管的漏极为该第一电流镜的该输出端；及/或

该第一P型金属氧化物半导体场效晶体管的信道区宽长比大于该第二P型金属氧化物半导体场效晶体管的信道区长宽比。