CN100358721C - 利用多重牺牲层扩张流体腔的制造方法 - Google Patents

利用多重牺牲层扩张流体腔的制造方法 Download PDF

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CN100358721C CNB2004100041489A CN200410004148A CN100358721C CN 100358721 C CN100358721 C CN 100358721C CN B2004100041489 A CNB2004100041489 A CN B2004100041489A CN 200410004148 A CN200410004148 A CN 200410004148A CN 100358721 C CN100358721 C CN 100358721C
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Abstract

本发明公开了一种利用多重牺牲层的移除以扩张流体腔的制造方法。在基底与结构层之间形成多于一种的牺牲层，并利用不同牺牲层对蚀刻液具有不同蚀刻速率的特性，在流体腔与流体通道间形成一狭小区域，以获得提高喷射稳定度的功效。此外，可在同一晶片中利用此项技术，制造出不同深度的流体腔，达到同一晶片可喷射出不同大小液滴的效果。

Description

利用多重牺牲层扩张流体腔的制造方法
技术领域
本发明涉及一种流体喷射装置的制造方法，尤其涉及一种利用多重牺牲层与各向异性蚀刻制造高稳定性流体腔及流体通道的方法。
背景技术
目前流体喷射装置大多运用于印刷机喷墨头、燃油喷射装置以及生物医学晶片等元件上，尤其大量使用在按热趋气泡式设计的喷墨头中。
图1示出了一种公开于美国专利文件6,102,530号中的单石化流体喷射装置(monolithic fluid eject device)1，其以硅基底10作为本体，且在硅基底10上形成结构层12，而在硅基底10和结构层12之间形成流体腔14，用以容纳流体26；在结构层12上设有第一加热器20，以及第二加热器22，第一加热器20用以在流体腔14内产生第一气泡30，第二加热器22用以在流体腔14内产生第二气泡32，以将流体腔14内的流体26射出。
由于单石化流体喷射装置1设有虚拟气阀(virtual valve)，并具有高排列密度、低交互干扰、低热量损失的特性，且无须另外通过组装方式贴合喷孔片，因此可以降低生产成本。
然而，在现有的单石化流体喷射装置1中，由于液滴的喷射是借助于加热元件瞬间加热流体所产生的气泡推挤流体腔内的墨水使其经由喷孔而产生墨滴喷射的现象，在整个喷射过程中，由于气泡推挤墨水的方向是全面的，因而在气泡生成时，流体腔内的液体除了受挤压而喷射离开喷孔外，液体亦会被推挤流向歧管，这种液体推挤现象将附带影响到其它相邻的流体腔，使其它相邻流体腔内的液体处于不稳定状态。若相邻流体腔被驱动而发生喷射，则喷射的液滴将因流体腔内的液体处于不平静状态而产生喷射出的液滴大小不一或液滴偏移的情形。
图2示出了一种公开于美国专利文件5,278,584号中的流体喷射装置。为减少液珠喷射时所产生的扰流效应对邻近流体腔的影响，通常在歧管与流体腔之间形成一狭窄区域(chamber neck)。墨水经由流道流向流体腔72，如箭头88所示。在流道与流体腔之间形成狭窄区域80(chamber neck)，气泡产生器70被加热时使墨水所产生的压力变化、以及当液滴喷射离开喷孔71时所产生的推挤力量在传递至此狭窄区域时，可以反射回流体腔中，以减少液体流动时对邻近流体腔产生的影响。
发明内容
鉴于此，本发明的目的在于提供一种利用多重牺牲层的移除以扩张流体腔的制造方法。
本发明的另一目的在于提供一种扩张流体腔的制造方法，该方法在流体腔与流体通道间形成一狭小区域，以达到增加喷射稳定度的功效。
本发明的又一目的在于提供一种扩张流体腔的制造方法，该方法能够在同一晶片中制造出不同深度的流体腔，因而可在同一晶片上喷射出大小不同的液滴，以增进解析度。
根据所述目的，本发明提供了一种利用多重牺牲层扩张流体腔的制造方法，它包括下列步骤：提供一基底；在基底上形成一构图(图案化)的第一牺牲层；在基底上形成一构图的第二牺牲层，该第二牺牲层覆盖构图的第一牺牲层，其中第一牺牲层与第二牺牲层的材料不同；在基底上形成一结构层、该层覆盖构图的第二牺牲层；形成一穿过基底的流体通道，以露出第二牺牲层；移除第二牺牲层以形成一流体腔；扩大该流体腔；以及移除构图的第一牺牲层，以形成一颈部，该颈部连接于流体腔及流体通道之间。
在一优选实施方式中，还包括在结构层上形成一流体致动元件、一连接该流体致动元件的驱动电路以及一覆盖流体致动元件与驱动电路的保护层。
值得一提的是，第一牺牲层的材料为氮化硅，第二牺牲层的材料为硼硅酸磷玻璃(BPSG)、硅酸磷玻璃(PSG)或氧化硅。结构层的材料为低应力的氮氧化硅(SiON)或低应力的氮化硅(Si3N4)。
在另一优选实施方式中，形成流体通道及扩张流体腔的步骤是以氢氧化钾(KOH)溶液、四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液或乙二胺邻苯二酚(EDP)溶液进行各向异性蚀刻。移除第二牺牲层以形成流体腔的步骤是用HF溶液进行蚀刻来实现的。
在另一优选实施方式中，还包括蚀刻结构层以形成一连通流体腔的喷孔，其中流体经过该喷孔离开喷射装置。
附图说明
以下结合附图以及优选实施方式更详细地描述本发明。
图1示出了现有的单石化流体喷射装置；
图2示出了现有的在歧管与流体腔之间制造一狭窄区域的流体喷射装置；
图3A至3E是本发明第一实施方式的利用多重牺牲层与各向异性蚀刻制造高稳定性流体腔及流体通道的方法的剖面图；
图4A至4E是本发明第二实施方式的利用多重牺牲层与各向异性蚀刻制造高稳定性流体腔及流体通道的方法的剖面图；以及
图5A至5E是本发明第三实施方式的利用多重牺牲层与各向异性蚀刻制造高稳定性流体腔及流体通道的方法的剖面图。
附图标记说明
1     现有的流体喷射装置
10    硅基底
12    结构层
14    流体腔
20    第一加热器
22    第二加热器
26    流体
70    气泡产生器
71    喷孔
72    流体腔
80    流体腔与流体通道间的狭小区域
88    墨水经由歧管的流向
100   单晶硅基底
1001  基底的第一面
2002  基底的第二面
101   氮氧化硅(SiON)或低应力的氮化硅(Si3N4)层
110a、110c、110d  第一牺牲层
110b              第二牺牲层
120               结构层
130               流体致动元件
140               信号传送线路
150               保护层
155               信号传送线路开口
165               喷孔
210               V形沟槽
220               斜面
131               流体回流方向
310               流体逆流方向
500a、500b、500c流体通道
600a、600b、600c、600d、600e、600f、600g、600h、600i、600j、600l、
600m              流体腔。
具体实施方式
实施方式一
图3A至3E是本发明第一实施方式的利用多重牺牲层与各向异性蚀刻制造高稳定性流体腔及流体通道的方法的剖面图。本实施方式利用多重牺牲层的移除并扩张流体腔的制造方法在流体腔与流体通道间形成一狭小区域，以达到增加喷射稳定度的功效。
请参见图3A，提供具有第一面1001及第二面1002、且第二面1002与第一面1001相对的基底100，例如单晶硅基底。在基底的第一面1001上形成构图的第一牺牲层110a。接着，在基底的第一面1001上形成构图的第二牺牲层110b，第二牺牲层110b完全覆盖第一牺牲层110a。所述第一牺牲层110a形成于预定流体通道的两侧，其厚度远小于第二牺牲层110b。第一牺牲层110a由化学气相沉积法所形成的氮化硅构成，其厚度优选约为1000。而第二牺牲层110b的材料需与第一牺牲层110a相异，优选为由化学气相沉积(CVD)法沉积的硼硅酸磷玻璃(BPSG)、硅酸磷玻璃(PSG)或其它氧化硅材料，其厚度范围优选为6500～11000。
接着，在基底100上顺序地形成构图的结构层120，该层覆盖构图的第二牺牲层110b。结构层120为化学气相沉积法(CVD)所形成的低应力的氮氧化硅(SiON)层或低应力的氮化硅(Si3N4)层，其应力介于50～300兆帕(MPa)之间。同时，在单晶硅基底100的第二面上亦形成一低应力的氮氧化硅(SiON)层或低应力的氮化硅(Si3N4)层101。
在一优选实施方式中，还包括形成流体致动元件130、连接流体致动元件的信号传送线路140以及覆盖在位于结构层120上的流体致动元件与驱动电路140的保护层150。首先，在结构层120上形成构图的电阻层，以作为加热器。电阻层由如HfB2、TaAl、TaN或其它电阻材料用物理气相沉积法(PVD)、例如蒸镀、溅镀法或反应性溅镀法形成。
然后，由例如Al、Cu、AlCu或其它导电材料用物理气相沉积法(PVD)沉积一导电层，再对其构图，形成信号传送线路140。然后，在基底上形成保护层150，例如氮化硅层，以覆盖信号传送线路140。进一步定义所述保护层150形成连接流体致动元件130与外部柔性电路板(未图示)的开口155。
请参见图3B，在低应力的氮氧化硅(SiON)层或低应力的氮化硅(Si3N4)层101上定义一开口，以显露出单晶硅基底100的第二面1002。开口可作为形成流体通道步骤时蚀刻单晶硅基底100的硬掩模。接着，利用湿蚀刻法蚀刻基底100的第二面1002，以形成流体通道500a，且露出第二牺牲层110b。在一优选实施方式中，其中湿蚀刻步骤是以氢氧化钾(KOH)溶液、四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide，TMAH)溶液或乙二胺邻苯二酚(Ethylene Diamine Pyrochatechol，EDP)溶液进行湿蚀刻来实现的。
请参见图3C，以湿蚀刻法移除第二牺牲层110b以形成第一流体腔600a。在一优选实施方式中，所述湿蚀刻步骤是以氢氟酸(HF)溶液进行的。应注意的是，此步骤所选用的蚀刻剂需要对第一牺牲层及第二牺牲层有高的蚀刻选择比。
请参见图3D，利用湿蚀刻法蚀刻第一流体腔600a内显露出的单晶硅基底表面，以形成扩大的第一流体腔600b。在一优选实施方式中，所述湿蚀刻步骤是以氢氧化钾(KOH)溶液、四甲基氢氧化铵(Tetramethyl AmmoniumHydroxide，TMAH)溶液或乙二胺邻苯二酚(Ethylene Diamine Pyrochatechol，EDP)溶液进行湿蚀刻的。
接着，进行高浓度的氢氟酸溶液移除第一牺牲层110a的步骤。由于浓氢氟酸溶液对氮化硅具蚀刻能力，其速率约为75/min，因此可利用浓氢氟酸溶液移除第一牺牲层110a。
请参见图3E，进一步扩张流体腔600c，以达到所期望的流体腔大小。在经过光阻涂布、曝光、显影工序之后，沿图案开口蚀刻结构层120，优选采用等离子体蚀刻、化学气体蚀刻、反应性离子蚀刻或激光蚀刻工艺，以形成与流体腔600c连通的喷孔165。至此，即完成了利用多重牺牲层与各向异性蚀刻制造高稳定性流体腔及流体通道的过程。
根据本发明第一实施方式所制造的流体腔及流体通道，在流体腔与歧管间形成一狭小区域，具有高度稳定性，可增加液滴喷射的稳定度。当对气泡产生器加热时使墨水所产生的压力变化、以及当液滴喷射离开喷孔时所产生的推挤力量在传递至所述狭窄区域时，得以反射回流体腔中，从而减少了液体流动时对邻近流体腔产生的影响。
实施方式二
图4A至4E是本发明第二实施方式的利用多重牺牲层与各向异性蚀刻制造高稳定性流体腔及流体通道的方法的剖面图。本实施方式利用多重牺牲层的移除并扩张流体腔的制造方法在邻近流体通道的流体腔内形成一斜面，可增加流体腔中流体逆流的阻力，防止相邻流体腔之间的交互作用，以提高喷射稳定度。
请参见图4A，提供具有第一面1001及第二面1002、且第二面与第一面相对的基底100，例如单晶硅基底。在基底的第一面1001上形成多个构图的第一牺牲层110c，其中各个构图的第一牺牲层110c的大小及间距均逐渐增加，且位于预定流体通道中的一侧。接着，在基底100的第一面上形成构图的第二牺牲层110b，第二牺牲层110b完全覆盖第一牺牲层110c。第一牺牲层110c的厚度远小于第二牺牲层110b。第一牺牲层110c为由化学气相沉积法形成的氮化硅层，其厚度优选约为1000。而第二牺牲层110b的材料需与第一牺牲层110c相异，优选为由化学气相沉积(CVD)法沉积的硼硅酸磷玻璃(BPSG)、硅酸磷玻璃(PSG)或其它氧化硅材料，其厚度范围优选为6500～11000。
接着，在基底100上顺序地形成构图的结构层120，该层覆盖构图的第二牺牲层110b。结构层120可为化学气相沉积法(CVD)所形成的低应力的氮氧化硅(SiON)层，其应力介于50～300兆帕(MPa)之间。同时，在单晶硅基底100的第二面上亦形成一低应力的氮氧化硅(SiON)层或低应力的氮化硅(Si3N4)层101。
在一优选实施方式中，还包括形成流体致动元件130、连接流体致动元件的信号传送线路140以及覆盖在结构层120上的流体致动元件与信号传送线路140的保护层150。其构成与实施方式均与第一实施方式相同，在此省略对其的说明。
请参见图4B，在低应力的氮氧化硅(SiON)层101上定义一开口，以显露出单晶硅基底100的第二面。开口可作为形成流体通道步骤时蚀刻单晶硅基底100的硬掩模。开口的尺寸和流体通道入口端的大小相同。接着，利用湿蚀刻法蚀刻基底100的第二面，以形成流体通道500b，且露出第二牺牲层110b。在一优选实施方式中，湿蚀刻步骤是以氢氧化钾(KOH)溶液、四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide，TMAH)溶液或乙二胺邻苯二酚(Ethylene Diamine Pyrochatechol，EDP)溶液进行湿蚀刻来实现的。
请参见图4C，以湿蚀刻法移除第二牺牲层110b，以形成第一流体腔600d。在一优选实施方式中，所述湿蚀刻步骤是以HF溶液进行的。应注意的是，此步骤所选用的蚀刻剂需要对第一牺牲层及第二牺牲层有高的蚀刻选择比。
请参见图4D，利用湿蚀刻法蚀刻第一流体腔600d内显露出的单晶硅基底表面，以形成扩大的第一流体腔600e，同时在各个构图的第一牺牲层110c之间形成多个深度渐深的V形沟槽210。在一优选实施方式中，其中湿蚀刻步骤是以氢氧化钾(KOH)溶液、四甲基氢氧化铵(Tetramethyl AmmoniumHydroxide，TMAH)溶液或乙二胺邻苯二酚(Ethylene Diamine Pyrochatedchol，EDP)溶液进行湿蚀刻来实现的。
接着，进行高浓度的氢氟酸溶液移除第一牺牲层110c步骤。由于浓氢氟酸溶液对氮化硅具蚀刻能力，其速率约为75/min，因此可利用浓氢氟酸溶液移除第一牺牲层110c。
请参见图4E，用氢氧化钾(KOH)溶液、四甲基氢氧化铵(TetramethylAmmonium Hydroxide，TMAH)溶液或乙二胺邻苯二酚(Ethylene DiaminePyrochatechol，EDP)溶液进行蚀刻，可进一步扩张流体腔600f，使所述深度渐深的V形沟槽210串联转化成一斜面220，并达到所期望的流体腔大小。最后，在经过光阻涂布、曝光、显影工艺之后，沿图案开口蚀刻结构层120，优选用等离子体蚀刻、化学气体蚀刻、反应性离子蚀刻或激光蚀刻工艺，以形成与流体腔600f连通的喷孔165。至此，完成了利用多重牺牲层与各向异性蚀刻制造高稳定性流体腔及流体通道的过程。
根据本发明第二实施方式所制造的流体腔及流体通道，在流体腔与通道之间形成的斜面220能增加流体在流体腔中回流(箭头131)的阻力，增加流体腔中流体逆流(箭头310)的阻力，从而可防止相邻流体腔之间的交互作用，提高了喷射稳定度。
实施方式三
图5A至5E是本发明第三实施方式的利用多重牺牲层与各向异性蚀刻制造高稳定性流体腔及流体通道的方法的剖面图。本实施方式利用多重牺牲层的移除并扩张流体腔的制造方法能够在同一晶片中制造出不同深度的流体腔，因而可在同一晶片上喷射出大小不同的液滴，以增进解析度。
请参见图5A，提供具有第一面1001及第二面1002且第二面1002与第一面1001相对的基底100，例如单晶硅基底。在基底的第一面1001上形成构图的第一牺牲层110d，其中构图的第一牺牲层110d处于预定流体通道中的一侧。接着，在基底的第一面1001上形成构图的第二牺牲层110b，第二牺牲层110b完全覆盖第一牺牲层110d。所述第一牺牲层110d的厚度远小于第二牺牲层110b。第一牺牲层110d由用化学气相沉积法形成的氮化硅构成，其厚度优选约为1000。而第二牺牲层110b的材料需与第一牺牲层110d相异，优选为由化学气相沉积(CVD)法沉积的硼硅酸磷玻璃(BPSG)、硅酸磷玻璃(PSG)或其它氧化硅材料，其厚度范围优选为6500～11000。
接着，在基底100上顺序地形成构图的结构层120，该层覆盖构图的第二牺牲层110b。结构层120可为化学气相沉积法(CVD)所形成的低应力的氮氧化硅(SiON)层或低应力的氮化硅(Si3N4)层，其应力介于50～300兆帕(MPa)之间。同时，在单晶硅基底100的第二面上亦形成一低应力的氮氧化硅(SiON)层或低应力的氮化硅(Si3N4)层101。
在一优选实施方式中，还包括在结构层120上形成流体致动元件130、连接流体致动元件的信号传送线路140以及覆盖流体致动元件与信号传送线路140的保护层150。其构成与实施方式均与第一实施方式相同，在此省略对其的说明。
请参见图5B，在低应力的氮氧化硅(SiON)层或低应力的氮化硅(Si3N4)层101上定义一开口，以显露出单晶硅基底100的第二面。开口可作为形成流体通道步骤时蚀刻单晶硅基底100的硬掩模。开口的尺寸和流体通道入口端的大小相同。接着，利用湿蚀刻法蚀刻基底100的第二面，以形成流体通道500c，且露出第二牺牲层110b。在一优选实施方式中，所述湿蚀刻步骤是以氢氧化钾(KOH)溶液、四甲基氢氧化铵(Tetramethyl AmmoniumHydroxide，TMAH)溶液或乙二胺邻苯二酚(Ethylene Diamine Pyrochatechol，EDP)溶液进行湿蚀刻的。
请参见图5C，进行湿蚀刻步骤，移除第二牺牲层110b，在流体通道的两侧形成第一流体腔600g与第二流体腔600h，第一流体腔600g露出基底的第一面而第二流体腔600h露出第二牺牲层110b。在一优选实施方式中，所述湿蚀刻步骤是以HF溶液进行的。应注意的是，此步骤所选用的蚀刻剂需要对第一牺牲层及第二牺牲层有高的蚀刻选择比。
请参见图5D，利用湿蚀刻法蚀刻第一流体腔600g内显露出的单晶硅基底表面，以形成扩大的第一流体腔600i，扩大后的第一流体腔600i的空间大于第二流体腔600h。在一优选实施方式中，所述湿蚀刻步骤是以氢氧化钾(KOH)溶液、四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide，TMAH)溶液或乙二胺邻苯二酚(Ethylene Diamine Pyrochatechol，EDP)溶液进行湿蚀刻来实现的。
接着，进行高浓度的氢氟酸溶液移除第一牺牲层110a步骤。由于浓氢氟酸溶液对氮化硅具蚀刻能力，其速率约为75/min，因此可利用浓氢氟酸溶液移除第一牺牲层110d，第二流体腔600h亦扩大成为600j。
请参见图5E，再用氢氧化钾(KOH)溶液、四甲基氢氧化铵(TetramethylAmmoninm Hydroxide，TMAH)溶液或乙二胺邻苯二酚(Ethylene DiaminePyrochatechol，EDP)溶液进行蚀刻，进一步扩张第一流体腔600i，使之成为600l，使第二流体腔600j成为600m，以达到制造不同体积流体腔的目的。最后，在经过光阻涂布、曝光、显影工序之后，沿图案开口蚀刻结构层120，优选采用等离子体蚀刻、化学气体蚀刻、反应性离子蚀刻或激光蚀刻工艺，以形成与流体腔600l或600m连通的喷孔165。
根据本发明第三实施方式所制造的流体腔及流体通道，可在同一晶片中制造出不同大小的流体腔，因而可达到在同一晶片上喷射出不同大小液滴的效果，提高了列印质量。
本发明的特征在于利用多重牺牲层的移除技术以扩张流体腔的制造方法。在结构层下形成多于一种的牺牲层，并利用牺牲层所在区域的不同以及不同牺牲层对蚀刻液所具有不同蚀刻速率的特性，形成不同大小的流体腔。借助于这种结构可在驱动喷射时产生不少优点，例如在流体腔与歧管间形成一狭小区域，可达到提高喷射稳定度的功效。此外，亦可在同一晶片中利用此项技术，制造出不同大小的流体腔，以达到在同一晶片上喷射出不同大小液滴的效果。
虽然本发明已以优选实施方式披露如上，但所述说明并不是对本发明的限定，本领域技术人员在不超出本发明的构思和保护范围的前提下，可作出多种改型与润饰，因此本发明的保护范围应以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (18)

1.一种利用多重牺牲层扩张流体腔的制造方法，包括下列步骤：
提供一基底；
在所述基底上形成一构图的第一牺牲层；
在所述基底上形成一构图的第二牺牲层，该第二牺牲层覆盖所述构图的第一牺牲层，其中所述第一牺牲层与第二牺牲层的材料不同；
在所述基底上形成一结构层，该结构层覆盖所述构图的第二牺牲层；
形成一穿过所述基底的流体通道，以露出所述第二牺牲层；
移除所述第二牺牲层以形成一流体腔；以及
扩大该流体腔。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一牺牲层位于邻近所述流体通道的两侧。
3.如权利要求2所述的方法，其中，还包括移除所述构图的第一牺牲层，以形成一连接在所述流体腔及流体通道之间的颈部的步骤。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一牺牲层具有多个间隙，这些间隙的距离逐渐增加，且位于邻近所述流体通道的一侧。
5.如权利要求4所述的方法，其中，还包括以下步骤：
扩大所述流体腔，并在所述各构图的第一牺牲层之间蚀刻所述基底，形成随所述第一牺牲层的间距增加的多个深度渐深的V形沟槽；
移除所述构图的第一牺牲层；以及
扩大所述流体腔及V形沟槽，以形成一连接所述流体腔及流体通道之间的具有斜面的颈部。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一牺牲层位于邻近所述流体通道的一侧，所述流体腔包括分别位于所述流体通道的两侧的第一流体腔和第二流体腔。
7.如权利要求6所述的方法，其中，还包括移除所述第一牺牲层后扩大所述第二流体腔、同时进一步扩大所述第一流体腔、使得该第一流体腔大于所述第二流体腔的步骤。
8.如权利要求1所述的方法，其中，还包括在所述结构层上形成一流体致动元件、一连接所述流体致动元件的驱动电路、以及一覆盖所述流体致动元件与驱动电路的保护层的步骤。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一牺牲层的材料为氮化硅。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二牺牲层的材料包括硼硅酸磷玻璃BPSG、硅酸磷玻璃PSG或氧化硅材料。
11.如权利要求1所述的方法，其中，所述结构层的材料包括氮氧化硅SiON及低应力的氮化硅Si3N4。
12.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成流体通道的步骤是以湿蚀刻步骤来实现的。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述湿蚀刻步骤是以氢氧化钾KOH溶液、四甲基氢氧化铵TMAH溶液或乙二胺邻苯二酚EDP溶液进行各向异性蚀刻来实现的。
14.如权利要求1所述的方法，其中，所述移除第二牺牲层以形成流体腔的步骤是以湿蚀刻法来实现的。
15.如权利要求14所述的方法，其中，所述湿蚀刻法是用氢氟酸HF溶液进行蚀刻。
16.如权利要求3所述的方法，其中，所述移除所述构图的第一牺牲层的步骤是以湿蚀刻法来实现的。
17.如权利要求16所述的方法，其中，所述湿蚀刻法是用浓氢氟酸HF溶液进行蚀刻。
18.如权利要求1所述的方法，其中，还包括蚀刻所述结构层以形成一连通所述流体腔的喷孔的步骤，流体经过该喷孔离开喷射装置。
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