CN100334686C - 提高CoSi2薄膜热稳定性的方法 - Google Patents

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Abstract

一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法,用于材料制备技术领域。本发明通过共溅射制备具有CoSi2成分的非晶薄膜,并且通过共溅射在薄膜中添加元素Zr,利用Zr不溶于CoSi2薄膜的特点,采用退火使非晶薄膜晶化,非晶态薄膜结晶后,Zr将会分布在晶粒周围,从而降低晶界扩散,提高薄膜的热稳定性;同时,高温下退火,部分Zr形成细小的ZrSi2弥散分布在晶界上,阻碍薄膜晶粒长大,阻碍结块现象的形成,从而也提高薄膜的热稳定性。本发明添加5%Zr的薄膜850℃处理后电阻率为29μΩcm。Zr的添加提高了薄膜的热稳定性但是仅仅稍微提高了薄膜的电阻率。

Description

提高CoSi2薄膜热稳定性的方法
技术领域
本发明涉及一种提高薄膜性能的方法,具体是一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法。用于材料制备技术领域。
背景技术
难熔金属硅化物广泛应用于大规模集成电路中作互联材料,欧姆接触材料和肖特基接触材料。其中,CoSi2具有15-20μΩcm的低电阻、晶格常数与Si接近晶格失配率小等特点而成为最受关注的材料。多晶CoSi2薄膜的热稳定性较低,高温退火时会形成热蚀沟,并且长大形成结块,从而大大提高薄膜的电阻率,从而阻碍薄膜的应用和推广。人们发明了各种方法提高CoSi2薄膜的热稳定性。比如,在薄膜表面覆盖Ti层,Ti层的存在将会有效降低薄膜晶界的扩散,从而延缓热蚀沟的形成,提高薄膜的热稳定性。
经对现有技术的文献检索发现,Tung在《Applied physics letters》(美国应用物理快报)72(1998)2538上发表的“Oxygen and the thermal stability of thin CoSi2layers(氧气和CoSi2薄膜的热稳定性)”一文,该文中采用在氧气氛中热处理,以在薄膜表面形成薄SiO2层降低晶界扩散,从而提高薄膜的热稳定性。晶界扩散是CoSi2薄膜热蚀沟形成的主要原因,而晶粒长大则是结块现象的主要原因。在上面提到的方法中,主要以延缓晶界扩散来提高薄膜的热稳定性,因此还不能完全满足提高热稳定性的需要。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的上述不足和缺陷,提供一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法,从延缓扩散和防止长大两个方面出发,使其有效的提高了薄膜的热稳定性,仅仅稍微提高了薄膜的电阻率,使薄膜具有更广泛的应用前景。
本发明是通过以下技术方案实现的,本发明通过共溅射制备具有CoSi2成分的非晶薄膜,并且通过共溅射在薄膜中添加少量(例如5%原子比)的CoSi2中的元素Zr,采用退火使非晶薄膜晶化。因为元素不溶于薄膜不溶于晶化相中,所以Zr形核时均匀地分布在晶化相的周围。Zr与Si或者Co原子具有比较强相互作用,它在晶界分布,将会有效地阻碍晶界扩散,从而提高薄膜形成热蚀沟地温度;Zr具有与Co和Si不同的原子半径,大小原子的搭配将会在晶界形成紧凑结构,从而阻碍原子扩散,提高薄膜的热稳定性。同时,850℃退火,部分Zr将会形成微小而弥散的硅化物分布在晶界上,阻碍晶粒长大,从而减少薄膜的结块现象。
所述的溅射,溅射的靶材制备按照质量比Co45.54%,Si43.32%,Zr11.12%配置靶材成分。首先在电弧熔炼炉中熔炼成块状合金。炉内真空度为10-5Pa,氩气保护状态。然后,把融化后的块状合金转入真空中频炉继续熔炼。中频炉的真空度为10-3Pa,氩气保护。熔液炉内浇注成直径为符合规格的圆柱铸件。随炉冷却至室温后,经过线切割加工成符合溅射仪要求的溅射靶材。
所述的共溅射,共溅射所使用的基片准备:使用具有(100)取向的抛光硅单晶片作为基片。基片使用前经过分析纯丙酮清洗,然后在1∶50HF稀溶液中浸泡去氧处理,在去离子水中漂洗后放入溅射仪中。基片的清洗工作对薄膜在基片上的附着性有重要的影响。
所述的薄膜,其制备为:靶材和基底装入磁控溅射仪,溅射仪的背底真空度优于10-4Pa,工作气体为氩气,工作气压为1Pa,溅射功率450W,基底温度50℃,溅射速率9nm/min,薄膜的厚度1μm。溅射制膜前,在基片和靶材之间覆盖挡板,靶材经过5分钟预溅射清洗。然后移开挡板,开始溅射制备薄膜。
所述的薄膜,其后续处理:溅射态薄膜成分与靶材成分接近,薄膜溅射态呈非晶态。在10-3Pa真空中进行850℃10分钟退火处理,薄膜转变成以CoSi2为主体,含有少量ZrSi2的薄膜。
本发明具有突出的实质性特点和显著进步,本发明添加5%Zr的薄膜与在相同情况下制备的不添加Zr进行对比,其溅射态和在900℃退火后的表面形貌:不添加Zr的薄膜900℃退火后明显粗糙,而添加5%Zr的薄膜900℃退火的形貌与溅射态接近,表明其添加5%Zr的薄膜具有良好高温热稳定性。添加5%Zr的薄膜850℃处理后电阻率为29μΩcm。Zr的添加提高了薄膜的热稳定性但是仅仅稍微提高了薄膜的电阻率(不添加Zr的薄膜电阻为20μΩcm)。
具体实施方式
结合本发明的内容提供以下实施例:
(1)、靶材制备
按照质量比Co45.54%,Si43.32%,Zr11.12%(原子比分别为Co31.7%,Si63.3%Zr5%)配置靶材成分。首先在电弧熔炼炉中熔炼成块状合金。炉内真空度为10-5Pa,氩气保护状态。然后,把融化后的块状合金转入真空中频炉继续熔炼。中频炉的真空度为10-3Pa,氩气保护。熔液炉内浇注成直径为符合规格的圆柱铸件。随炉冷却至室温后,经过线切割加工成符合溅射仪要求的溅射靶材(厚度5mm,直径76mm)。靶材在使用前需要经过150℃、3小时烘干油污、砂纸打磨以及丙酮清洗。
(2)、基片准备
使用具有(100)取向的抛光硅单晶片作为基底。硅基片使用前经过分析纯丙酮清洗,然后在1∶50的HF稀溶液中浸泡几分钟去氧处理,在去离子水中漂洗后放入溅射仪中。
(3)、溅射制备薄膜
靶材和基底装入CEVP-1000C磁控溅射仪。溅射仪的背底真空度优于10-4Pa。工作气体为氩气,工作气压为1Pa,溅射功率450W,基底温度50℃,溅射速率9nm/min,薄膜的厚度1μm。溅射制膜前,在基片和靶材之间覆盖挡板,靶材经过5分钟预溅射清洗。然后移开挡板,开始溅射制备薄膜。
(4)、薄膜后续处理
溅射态薄膜成分与靶材成分接近,薄膜溅射态呈非晶态。在10-3Pa真空中进行850℃10分钟退火处理,薄膜转变成以CoSi2为主体,含有少量ZrSi2的薄膜。
完全转变成CoSi2以后的薄膜900℃退火十分钟,通过原子力显微镜观察形貌,并求出其表面粗糙度Ra来衡量薄膜的热稳定性。不添加Zr的薄膜900℃退火后粗糙度Ra为5.051nm,而添加5%Zr的薄膜900℃退火后粗糙度Ra为2.246nm,表明其添加5%Zr的薄膜具有更好的热稳定性。

Claims (5)

1、一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法,其特征在于,通过共溅射制备具有含元素Zr的CoSi2成分非晶薄膜,利用Zr不溶于CoSi2薄膜的特点,采用退火使上述非晶薄膜晶化,该薄膜结晶后,Zr将会分布在该薄膜晶粒周围,从而降低晶界扩散,提高薄膜的热稳定性;同时,退火后,部分Zr形成细小的ZrSi2弥散分布在晶界上,阻碍上述薄膜晶粒长大,阻碍结块现象的形成,从而也提高薄膜的热稳定性。
2、根据权利要求1所述的提高CoSi2薄膜热稳定性的方法,其特征是,所述的共溅射,共溅射的靶材制备按质量百分比Co45.54%,Si43.32%,Zr11.12%配制靶材,首先在电弧熔炼炉中熔炼成块状合金,炉内真空度为10-5Pa,氩气保护状态,然后,把融化后的块状合金转入真空中频炉继续熔炼,中频炉的真空度为10-3Pa,氩气保护,熔液炉内浇注成直径为圆柱铸件,随炉冷却至室温后,经过线切割加工成符合溅射仪要求的溅射靶材。
3、根据权利要求1所述的提高CoSi2薄膜热稳定性的方法,其特征是,所述的非晶薄膜,其制备为:靶材和基底装入磁控溅射仪,溅射仪的背底真空度优于10-4Pa,工作气体为氩气,工作气压为1Pa,溅射功率450W,基底温度50℃,溅射速率9nm/min,薄膜的厚度1μm,溅射制膜前,在基片和靶材之间覆盖挡板,靶材经过5分钟预溅射清洗,然后移开挡板,开始溅射制备薄膜。
4、根据权利要求1或者3所述的提高CoSi2薄膜热稳定性的方法,其特征是,所述的非晶薄膜,其后续处理:溅射态薄膜成分与靶材成分接近,薄膜溅射态呈非晶态,在10-3Pa真空中进行850℃10分钟退火处理,薄膜转变成以CoSi2为主体,含有少量ZrSi2的薄膜。
5、根据权利要求2所述的提高CoSi2薄膜热稳定性的方法,其特征是,所述靶材在使用前需要经过150℃3小时烘干油污、砂纸打磨以及丙酮清洗。
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