CH717409B1 - Silicon part for watchmaking and process for manufacturing such a part. - Google Patents

Silicon part for watchmaking and process for manufacturing such a part. Download PDF

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CH717409B1 CH000585/2020A CH5852020A CH717409B1 CH 717409 B1 CH717409 B1 CH 717409B1 CH 000585/2020 A CH000585/2020 A CH 000585/2020A CH 5852020 A CH5852020 A CH 5852020A CH 717409 B1 CH717409 B1 CH 717409B1
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Abstract

La présente invention concerne une pièce en silicium (1) pour l'horlogerie, comprenant une surface (18), au moins une portion de la surface (18) comprenant une forêt de pics (11), la densité des pics (11) étant au moins 10 pics (11) pour 100 µm 2 de la surface (18), les pics ayant une hauteur comprise entre 1 µm et 15 µm, de façon à rendre ladite surface (18) anti-réfléchissante. La pièce en silicium (1) selon l'invention a une couleur qui ne dépend pas de l'angle de vue de l'utilisateur, notamment pour un angle de vision d'au moins 100° ou davantage. Elle peut être donc utilisée dans un endroit qui soit visible à l'utilisateur, par exemple dans un cadran.The present invention relates to a silicon part (1) for watchmaking, comprising a surface (18), at least a portion of the surface (18) comprising a forest of peaks (11), the density of the peaks (11) being at least 10 peaks (11) per 100 µm 2 of the surface (18), the peaks having a height of between 1 µm and 15 µm, so as to make said surface (18) anti-reflective. The silicon part (1) according to the invention has a color which does not depend on the viewing angle of the user, in particular for a viewing angle of at least 100° or more. It can therefore be used in a place which is visible to the user, for example in a dial.

Description

Domaine techniqueTechnical area

[0001] La présente invention concerne une pièce en silicium pour l'horlogerie et un procédé de fabrication d'une telle pièce. Cette invention trouve également application dans le domaine des pièces en silicium pour MEMS et dans le domaine général de la microtechnique, notamment si la pièce en silicium est visible par un utilisateur lors du fonctionnement du MEMS respectivement du système microtechnique. [0001] The present invention relates to a silicon part for watchmaking and a method of manufacturing such a part. This invention also finds application in the field of silicon parts for MEMS and in the general field of microtechnology, in particular if the silicon part is visible to a user during operation of the MEMS or microtechnical system.

Etat de la techniqueState of the art

[0002] Les marques horlogères, notamment celles de haut de gamme, utilisent de plus en plus de composants en silicium pour équiper leurs montres. Elles tirent ainsi profit des caractéristiques exceptionnelles que présente ce matériau, tant d'un point de vue de ses caractéristiques physiques que de la précision de son usinage. [0002] Watch brands, particularly high-end ones, are increasingly using silicon components to equip their watches. They thus take advantage of the exceptional characteristics presented by this material, both from the point of view of its physical characteristics and the precision of its machining.

[0003] Le silicium est en général monocristallin ou polycristallin. Les pièces sont obtenues en général par gravure, notamment par gravure profonde („Deep Reactive Ion Etching“ - DRIE), à partir d'une galette (wafer) en silicium. Silicon is generally monocrystalline or polycrystalline. The parts are generally obtained by etching, in particular by deep etching (“Deep Reactive Ion Etching” - DRIE), from a silicon wafer.

[0004] Le silicium cependant a une couleur sombre, changeante, pas très définie. Sa surface, polie miroir, présente énormément de réflexions non souhaitées ou parasites. [0004] Silicon, however, has a dark, changing color, not very defined. Its mirror-polished surface presents a lot of unwanted or parasitic reflections.

[0005] La surface du silicium peut être recouverte de différentes couches (oxyde, métal, diélectrique, etc.) afin d'améliorer son esthétisme ou ses performances mécaniques, ou bien de permettre l'ajout en surface d'éléments décoratifs. Si par exemple elle est recouverte d'un métal, on ne verra la couleur du métal que si le regard est perpendiculaire à cette surface, sinon on ne voit que des noirceurs ou des réflexions. [0005] The surface of the silicon can be covered with different layers (oxide, metal, dielectric, etc.) in order to improve its aesthetics or its mechanical performance, or to allow the addition of decorative elements to the surface. If, for example, it is covered with a metal, we will only see the color of the metal if we look perpendicular to this surface, otherwise we only see darkness or reflections.

[0006] En plus, les flancs de gravure sont extrêmement abrupts et les contours obtenus extrêmement nets. L'anglage, tant prisé en horlogerie, est ici quasiment impossible. Les pièces ainsi réalisées sont le plus souvent froides et un peu agressives. [0006] In addition, the engraving sides are extremely steep and the contours obtained are extremely sharp. Bevelling, so popular in watchmaking, is almost impossible here. The pieces produced in this way are most often cold and a little aggressive.

[0007] Bien que n'appréciant pas cette esthétique, les horlogers utilisent ces pièces car le plus souvent ce sont des pièces fonctionnelles, peu visibles et à l'intérieur du mouvement. [0007] Although they do not appreciate this aesthetic, watchmakers use these parts because most often they are functional parts, barely visible and inside the movement.

[0008] L'utilisation d'une pièce en silicium dans un endroit qui soit visible à l'utilisateur pose à ce jour un certain nombre de problèmes : les réflexions parasites dérangent l'utilisateur, et ne permettent pas de lire des éventuelles indications portées par la pièce. Cela est très important par exemple si la pièce en question est un système d'affichage ou un cadran animé, comme ceux décrits par exemples dans les documents EP3291024, EP3435362, EP3579059, EP3588204 au nom de la demanderesse. [0008] The use of a silicon part in a location which is visible to the user currently poses a certain number of problems: parasitic reflections disturb the user, and do not make it possible to read any indications carried by the room. This is very important for example if the part in question is a display system or an animated dial, such as those described for example in documents EP3291024, EP3435362, EP3579059, EP3588204 in the name of the applicant.

[0009] Certaines marques horlogères tentent d'adoucir l'aspect d'une pièce en silicium recouverte d'une couche métallique par une opération sur la pièce terminée, donc à postériori, par exemple par un micro-sablage de la couche métallique. Cependant il s'agit d'une opération longue, délicate, pièce-à-pièce et qui peut sévèrement endommager les propriétés physiques des parties les plus fines de la pièce, comme des lames de flexion par exemple. [0009] Certain watch brands attempt to soften the appearance of a silicon part covered with a metallic layer by an operation on the finished part, therefore retrospectively, for example by micro-sandblasting the metallic layer. However, it is a long, delicate, piece-by-piece operation which can severely damage the physical properties of the finer parts of the part, such as bending blades for example.

Bref résumé de l'inventionBrief summary of the invention

[0010] Un but de la présente invention est de proposer une pièce en silicium pour l'horlogerie exempte des limitations des pièces en silicium connues. [0010] An aim of the present invention is to propose a silicon part for watchmaking free from the limitations of known silicon parts.

[0011] Un autre but de la présente invention est de proposer une pièce en silicium pour l'horlogerie visible à l'utilisateur lorsqu'elle est montée dans une pièce d'horlogerie telle qu'une montre-bracelet, qui ait une couleur qui ne dépend pas de l'angle de vue de l'utilisateur. [0011] Another aim of the present invention is to provide a silicon part for watchmaking visible to the user when it is mounted in a timepiece such as a wristwatch, which has a color which does not depend on the user's viewing angle.

[0012] Un autre but de la présente invention est de proposer une pièce en silicium pour l'horlogerie visible à l'utilisateur lorsqu'elle est montée dans une pièce d'horlogerie telle qu'une montre-bracelet, qui permette de lire sans difficultés des indications portées par la pièce en silicium. [0012] Another aim of the present invention is to provide a silicon part for watchmaking visible to the user when it is mounted in a timepiece such as a wristwatch, which allows reading without difficulties of the indications carried by the silicon part.

[0013] Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'une pièce en silicium pour l'horlogerie qui soit moins long et/ou moins délicat des procédés connus. [0013] Another aim of the present invention is to propose a process for manufacturing a silicon part for watchmaking which is less time-consuming and/or less delicate than known processes.

[0014] Un autre but de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'une pièce en silicium pour l'horlogerie qui n'endommage pas les propriétés physiques de la pièce, notamment de ses parties les plus fines, comme des lames de flexion par exemple. [0014] Another aim of the present invention is to propose a process for manufacturing a silicon part for watchmaking which does not damage the physical properties of the part, in particular its finest parts, such as blades. bending for example.

[0015] Selon l'invention, ces buts sont atteints notamment au moyen d'une pièce en silicium pour l'horlogerie selon la revendication 1 et au moyen d'un procédé de fabrication d'une pièce en silicium pour l'horlogerie selon la revendication 13. [0015] According to the invention, these goals are achieved in particular by means of a silicon part for watchmaking according to claim 1 and by means of a method of manufacturing a silicon part for watchmaking according to claim 1. claim 13.

[0016] La pièce en silicium selon l'invention comprend une surface, au moins une portion de la surface comprenant une forêt de pics. The silicon part according to the invention comprises a surface, at least a portion of the surface comprising a forest of peaks.

[0017] Dans ce contexte, le terme „forêt“ indique un ensemble dense, voire très dense, de pics. Selon l'invention, la densité des pics est d'au moins 10 pics pour 100 µm<2>de la surface de la pièce en silicium. [0017] In this context, the term “forest” indicates a dense, or even very dense, set of peaks. According to the invention, the density of the peaks is at least 10 peaks per 100 µm<2> of the surface of the silicon part.

[0018] Dans une variante préférentielle, les pics sont répartis irrégulièrement sur la surface. Dans une variante préférentielle, les pics ne sont pas arrangés en sorte de former une matrice comprenant des lignes et des colonnes, les lignes étant perpendiculaires aux colonnes. Dans une variante préférentielle, les pics sont contigus. [0018] In a preferred variant, the peaks are distributed irregularly over the surface. In a preferred variant, the peaks are not arranged so as to form a matrix comprising rows and columns, the lines being perpendicular to the columns. In a preferred variant, the peaks are contiguous.

[0019] Selon l'invention, les pics ont une hauteur comprise entre 1 µm et 15 µm, par exemple comprise entre 2 µm et 3 µm. Cela, en combinaison à leur densité, rend la surface comprenant la forêt de pics anti-réfléchissante. [0019] According to the invention, the peaks have a height of between 1 µm and 15 µm, for example between 2 µm and 3 µm. This, in combination with their density, makes the surface comprising the forest of spikes anti-reflective.

[0020] Dans ce contexte, le terme „pic“ indique une protubérance pointue, à savoir une protubérance définie entre deux extrémités, dans laquelle une extrémité (la base) est plus grande que l'autre extrémité (l'extrémité libre ou pointe). [0020] In this context, the term "peak" indicates a pointed protuberance, namely a protuberance defined between two ends, in which one end (the base) is larger than the other end (the free end or tip). .

[0021] Un pic peut avoir la forme d'une pyramide, d'un cône, d'un tronc de pyramide, ou d'un tronc de cône, etc. [0021] A peak can have the shape of a pyramid, a cone, a truncated pyramid, or a truncated cone, etc.

[0022] Dans une variante, la hauteur des pics est irrégulière. [0022] In a variant, the height of the peaks is irregular.

[0023] Dans une variante, la largeur des pics à la base, ou en général, la plus grande dimension de la base des pics est comprise entre 1 µm et 10 µm. [0023] In a variant, the width of the peaks at the base, or in general, the largest dimension of the base of the peaks is between 1 μm and 10 μm.

[0024] La pièce en silicium selon l'invention n'est pas limitée au domaine de l'horlogerie, mais trouve également application dans le domaine des pièces en silicium pour MEMS et le domaine général de la microtechnique, notamment si la pièce en silicium est visible par un utilisateur lors du fonctionnement du MEMS respectivement du système microtechnique. [0024] The silicon part according to the invention is not limited to the field of watchmaking, but also finds application in the field of silicon parts for MEMS and the general field of microtechnology, particularly if the silicon part is visible to a user during operation of the MEMS or microtechnical system.

[0025] Dans une variante, les pics sont séparés par des creux, à savoir des ouvertures, définis par des surfaces, notamment par au moins deux surfaces. Dans une variante, ces surfaces sont des surfaces latérales de deux pics contigus. Dans cette variante, les pics sont contigus. [0025] In a variant, the peaks are separated by hollows, namely openings, defined by surfaces, in particular by at least two surfaces. In a variant, these surfaces are lateral surfaces of two contiguous peaks. In this variant, the peaks are contiguous.

[0026] Les pics ne sont pas nécessairement périodiques, c'est-à-dire espacés régulièrement, et peuvent avoir différentes sections, par exemple et de façon non limitative des sections en forme de V inversée, U inversée, etc. La pièce en silicium peut comprendre des pics de différentes formes. The peaks are not necessarily periodic, that is to say regularly spaced, and can have different sections, for example and without limitation sections in the shape of an inverted V, inverted U, etc. The silicon part may include peaks of different shapes.

[0027] Dans une variante, le fond des creux est situé à une profondeur sensiblement constante de la pièce en silicium. Des creux de profondeur variables peuvent cependant aussi être envisagés. [0027] In a variant, the bottom of the recesses is located at a substantially constant depth of the silicon part. However, hollows of varying depth can also be considered.

[0028] Dans un mode de réalisation préférentiel, la pièce en silicium est une plaquette, à savoir une pièce comprenant au moins une surface (ou base) plate et ayant une faible épaisseur, par exemple inférieure 2 mm, par exemple inférieure à 500 µm. Dans une variante préférentielle la forêt de pics appartient à la surface opposée à la surface plate. La surface comprenant la forêt de pics peut être nommée „surface mate“ ou „surface satinée“. [0028] In a preferred embodiment, the silicon part is a wafer, namely a part comprising at least one flat surface (or base) and having a small thickness, for example less than 2 mm, for example less than 500 µm . In a preferred variant, the forest of peaks belongs to the surface opposite the flat surface. The surface comprising the forest of peaks can be called “matte surface” or “satin surface”.

[0029] En raison de la présence de la forêt de pics, il s'agit d'une surface anti-réfléchissante. Dans ce contexte, l'expression „surface anti-réfléchissante“ indique que sur cette surface les réflexions, non-souhaitées, sont sensiblement réduites (à savoir, réduites de plus de 65%) voire complètement supprimées, par rapport à la même surface sans la forêt de pics. [0029] Due to the presence of the woodpecker forest, it is an anti-reflective surface. In this context, the expression "anti-reflective surface" indicates that on this surface unwanted reflections are significantly reduced (i.e., reduced by more than 65%) or even completely eliminated, compared to the same surface without the woodpecker forest.

[0030] La pièce en silicium selon l'invention a donc une couleur qui ne dépend pas de l'angle de vue de l'utilisateur, notamment pour un angle de vision d'au moins 100° ou davantage. Elle peut être donc utilisée dans un endroit qui soit visible à l'utilisateur, par exemple dans un cadran. La pièce en silicium selon l'invention peut constituer elle-même un cadran d'une montre. The silicon part according to the invention therefore has a color which does not depend on the viewing angle of the user, in particular for a viewing angle of at least 100° or more. It can therefore be used in a place which is visible to the user, for example in a dial. The silicon part according to the invention can itself constitute a watch dial.

[0031] La pièce en silicium selon l'invention permet également de lire sans difficultés des éventuelles indications portées par la pièce. [0031] The silicon part according to the invention also makes it possible to read without difficulty any indications carried by the part.

[0032] La pièce en silicium selon l'invention est donc une pièce mate, c'est-à-dire une pièce qui n'a pas d'éclat, qui ne brille pas, qui ne réfléchit pas la lumière. Cela permet également d'en adoucir l'apparence. The silicon part according to the invention is therefore a matte part, that is to say a part which has no shine, which does not shine, which does not reflect light. This also helps soften the appearance.

[0033] La pièce en silicium selon l'invention est donc une pièce „satinée“, car elle présente une surface avec une forêt de pics et qui est belle à voir. [0033] The silicon part according to the invention is therefore a “satin” part, because it has a surface with a forest of peaks and which is beautiful to see.

[0034] Dans une variante préférentielle, la pièce en silicium est une pièce monobloc, c'est-à-dire faite d'un seul bloc. [0034] In a preferred variant, the silicon part is a one-piece part, that is to say made from a single block.

[0035] Dans une variante préférentielle, la pièce en silicium, notamment sa surface comprenant la forêt de pics, comprend une couche d'oxyde de silicium ayant une épaisseur entre 0,25 µm et 4 µm, par exemple une épaisseur de 1 µm, obtenue par une oxydation thermique, anodique ou au plasma de la pièce en silicium. Cette oxydation, en consommant du silicium de la pièce, permet d'éliminer les éventuelles facettes encore présentes dans la structuration de surface, en les arrondissant, ce qui procure une unité d'aspect parfaitement anisotrope sur un large champ d'angles de vision, par exemple un champ d'angles de vision de plus de 100°. [0035] In a preferred variant, the silicon part, in particular its surface comprising the forest of peaks, comprises a layer of silicon oxide having a thickness between 0.25 µm and 4 µm, for example a thickness of 1 µm, obtained by thermal, anodic or plasma oxidation of the silicon part. This oxidation, by consuming silicon from the part, makes it possible to eliminate any facets still present in the surface structuring, by rounding them, which provides a perfectly anisotropic unity of appearance over a wide field of viewing angles, for example a field of viewing angles of more than 100°.

[0036] Dans une variante préférentielle, la pièce en silicium, notamment sa surface comprenant la forêt de pics, comprend une couche métallique ou diélectrique, par exemple une couche d'or, par exemple ayant une épaisseur de moins de 1 µm, par exemple de 0,2 µm. [0036] In a preferred variant, the silicon part, in particular its surface comprising the forest of peaks, comprises a metallic or dielectric layer, for example a gold layer, for example having a thickness of less than 1 µm, for example of 0.2 µm.

[0037] Dans une variante préférentielle, la pièce en silicium est un module (ou système) d'affichage analogique, tel que celui décrit dans les documents EP3291024, EP3435362, EP3579059, EP3588204 au nom de la demanderesse. [0037] In a preferred variant, the silicon part is an analog display module (or system), such as that described in documents EP3291024, EP3435362, EP3579059, EP3588204 in the name of the applicant.

[0038] Dans une variante, les portions d'affichage de ce système comprennent une couche de revêtement de vernis colorée. [0038] In a variant, the display portions of this system comprise a colored varnish coating layer.

[0039] Dans une variante préférentielle, la pièce en silicium est un cadran, animé ou pas animé. [0039] In a preferred variant, the silicon part is a dial, animated or not animated.

[0040] Dans une variante préférentielle, la pièce en silicium est un élément de décoration d'un fond de cadran. [0040] In a preferred variant, the silicon part is a decorative element of a dial background.

[0041] Dans une variante préférentielle, la pièce en silicium est un balancier et/ou un spiral ; un échappement; une ancre ; une source d'énergie telle qu'un barillet; ou un mobile ; etc. [0041] In a preferred variant, the silicon part is a balance wheel and/or a hairspring; an exhaust; an anchor ; a power source such as a barrel; or a mobile; etc.

[0042] Dans une variante préférentielle, une pièce d'horlogerie, telle qu'une montre ou une montre-bracelet par exemple, comprend la pièce en silicium selon l'invention. [0042] In a preferred variant, a timepiece, such as a watch or a wristwatch for example, comprises the silicon part according to the invention.

[0043] La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'une pièce (mate) en silicium pour l'horlogerie, comprenant : – réalisation à partir d'une galette en silicium d'une forêt de pics dans au moins une portion d'une surface de la galette en silicium, la densité des pics étant d'au moins 10 pics pour 100 µm<2>de la surface de la pièce en silicium, les pics ayant une hauteur comprise entre 1 µm et 15 µm; – découpage de la galette, par exemple par gravure, pour obtenir la pièce.[0043] The present invention also relates to a method of manufacturing a (matte) silicon part for watchmaking, comprising: – production from a silicon wafer of a forest of peaks in at least one portion of 'a surface of the silicon wafer, the density of the peaks being at least 10 peaks per 100 µm<2> of the surface of the silicon part, the peaks having a height of between 1 µm and 15 µm; – cutting the wafer, for example by engraving, to obtain the part.

[0044] Le procédé selon l'invention est moins long que les procédés connus. En plus, il n'endommage pas les propriétés physiques de la pièce, et peut être utilisé avec succès notamment pour des pièces comprenant des parties fines, comme des lames de flexion. The process according to the invention takes less time than known processes. In addition, it does not damage the physical properties of the part, and can be used successfully, particularly for parts including thin parts, such as bending blades.

[0045] L'étape de réalisation à partir d'une galette en silicium de la forêt de pics peut être réalisée par voie mécanique, par exemple avec un meulage (utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs) ou le micro-sablage (utilisé dans l'industrie horlogère). The step of producing the forest of peaks from a silicon wafer can be carried out mechanically, for example with grinding (used in the semiconductor industry) or micro-sandblasting ( used in the watch industry).

[0046] En complément ou en alternative, l'étape de réalisation à partir d'une galette en silicium de la forêt de pics peut être réalisée par voie chimique, par exemple avec un procédé d'attaque (anisotrope) du silicium connu dans l'industrie des cellules photovoltaïques. [0046] In addition or as an alternative, the step of producing the forest of peaks from a silicon wafer can be carried out chemically, for example with an (anisotropic) silicon etching process known in the photovoltaic cell industry.

[0047] Dans un mode de réalisation préférentiel, le procédé comprend une étape d'oxydation (thermique ou anodique ou plasma) de la pièce en silicium, notamment de la surface comprenant la forêt de pics, l'oxyde ainsi obtenu ayant une épaisseur entre 0,25 µm et 4 µm, notamment de 1 µm. [0047] In a preferred embodiment, the method comprises a step of oxidation (thermal or anodic or plasma) of the silicon part, in particular of the surface comprising the forest of peaks, the oxide thus obtained having a thickness between 0.25 µm and 4 µm, in particular 1 µm.

[0048] Dans revêtement un mode de réalisation préférentiel, le procédé comprend une étape de revêtement de la pièce (éventuellement oxydée) de silicium avec une couche (ou revêtement) métallique ou diélectrique : la couleur de la pièce ainsi revêtue ne dépendra pas de l'angle de vue de l'utilisateur. [0048] In coating a preferred embodiment, the method comprises a step of coating the (possibly oxidized) silicon part with a metallic or dielectric layer (or coating): the color of the part thus coated will not depend on the user's viewing angle.

Brève description des figuresBrief description of the figures

[0049] Des exemples de mise en oeuvre de l'invention sont indiqués dans la description illustrée par les figures annexées dans lesquelles : La figure 1 illustre une vue en perspective d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention. La figure 2 illustre une portion d'un schéma en coupe selon la ligne A-A de la figure 1 de la pièce en silicium de la figure 1. La figure 3 illustre le schéma en coupe de la figure 2, dans lequel certains pics ont été supprimés. La figure 4 illustre un schéma en coupe d'un autre mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention. La figure 5 illustre deux vues au microscope avec deux agrandissements différents, d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention, dans laquelle la forêt de pics a été réalisée par micro-sablage. La figure 6 illustre une vue par le haut d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention, dans laquelle la forêt de pics a été réalisée par meulage, partiellement recouverte d'une couche d'or et posée sur un wafer poli recouvert d'or. La figure 7 illustre une vue de coupe d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention, dans laquelle la forêt de pics a été réalisée par attaque chimique. La figure 8 illustre deux vues au microscope avec deux agrandissements différents, de la pièce en silicium de la figure 8, après une oxydation thermique qui a créé une couche d'oxyde de silicium d'épaisseur 1 µm. La figure 9 illustre un schéma en coupe d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention, comprenant la couche d'oxyde. La figure 10 illustre une vue au microscope d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention, constituant un cadran animé. La figure 11 illustre une vue en perspective d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention (partie en bas) posée sur un wafer juste satiné (partie en haut). Les figures 12A à 12F illustrent des vues par le haut d'une pièce en silicium polie connue posée au voisinage de la même pièce réalisée avec le procédé selon l'invention, pour six différents angles de vue. Les figures 13A et 13B représentent une vue d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention, constituant un module d'affichage.[0049] Examples of implementation of the invention are indicated in the description illustrated by the appended figures in which: Figure 1 illustrates a perspective view of an embodiment of a silicon part according to the invention . Figure 2 illustrates a portion of a sectional diagram along the line A-A of Figure 1 of the silicon part of Figure 1. Figure 3 illustrates the sectional diagram of Figure 2, in which certain peaks have been removed . Figure 4 illustrates a sectional diagram of another embodiment of a silicon part according to the invention. Figure 5 illustrates two microscope views with two different enlargements, of an embodiment of a silicon part according to the invention, in which the forest of peaks has been produced by micro-sandblasting. Figure 6 illustrates a view from above of an embodiment of a silicon part according to the invention, in which the forest of peaks has been produced by grinding, partially covered with a layer of gold and placed on a polished wafer coated with gold. Figure 7 illustrates a sectional view of an embodiment of a silicon part according to the invention, in which the forest of peaks has been produced by chemical etching. Figure 8 illustrates two microscope views with two different magnifications, of the silicon part of Figure 8, after thermal oxidation which created a layer of silicon oxide with a thickness of 1 µm. Figure 9 illustrates a sectional diagram of one embodiment of a silicon part according to the invention, comprising the oxide layer. Figure 10 illustrates a microscope view of an embodiment of a silicon part according to the invention, constituting an animated dial. Figure 11 illustrates a perspective view of an embodiment of a silicon part according to the invention (bottom part) placed on a just satin-finished wafer (top part). Figures 12A to 12F illustrate views from above of a known polished silicon part placed in the vicinity of the same part produced with the method according to the invention, for six different viewing angles. Figures 13A and 13B represent a view of one embodiment of a silicon part according to the invention, constituting a display module.

Exemple(s) de mode(s) de réalisation de l'inventionExample(s) of mode(s) of carrying out the invention

[0050] La figure 1 illustre une vue en perspective d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium 1 selon l'invention. La forme de la pièce n'est pas limitative. La pièce 1 de la figure 1 comprend une première surface 18, et une deuxième surface 16, opposée à la première surface 18. Dans le mode de réalisation illustré, la deuxième surface 16 est parallèle à la première surface 18. Dans le mode de réalisation de la figure 1, la pièce en silicium 1 est monobloc. La pièce en silicium de la figure 1 est une plaquette, c'est-à-dire qu'elle comprend au moins une surface ou base plate 16, et a une épaisseur faible, par exemple inférieure à 2 mm, notamment inférieure à 500 µm. [0050] Figure 1 illustrates a perspective view of an embodiment of a silicon part 1 according to the invention. The shape of the part is not restrictive. Part 1 of Figure 1 comprises a first surface 18, and a second surface 16, opposite the first surface 18. In the illustrated embodiment, the second surface 16 is parallel to the first surface 18. In the embodiment of Figure 1, the silicon part 1 is in one piece. The silicon part in Figure 1 is a wafer, that is to say it comprises at least one flat surface or base 16, and has a small thickness, for example less than 2 mm, in particular less than 500 µm .

[0051] Selon l'invention, au moins une portion de la première surface 18 (dans le mode de réalisation de la figure 1, toute la première surface 18) comprend une forêt de pics. Selon l'invention, la densité des pics est d'au moins 10 pics pour 100 µm<2>de la surface 18 de la pièce 1 en silicium. [0051] According to the invention, at least a portion of the first surface 18 (in the embodiment of Figure 1, the entire first surface 18) comprises a forest of peaks. According to the invention, the density of the peaks is at least 10 peaks per 100 µm<2> of the surface 18 of the silicon part 1.

[0052] La figure 2 illustre une portion d'un schéma en coupe selon la ligne A-A de la figure 1 de la pièce en silicium de la figure 1. [0052] Figure 2 illustrates a portion of a sectional diagram along the line A-A of Figure 1 of the silicon part of Figure 1.

[0053] Dans le mode de réalisation de la figure 2, les pics 11 sont répartis irrégulièrement sur la surface. En d'autres mots, les pics 11 ne sont pas arrangés en sorte de former une matrice comprenant des lignes et des colonnes perpendiculaires entre eux. Dans le mode de réalisation de la figure 2, les pics sont contigus. [0053] In the embodiment of Figure 2, the peaks 11 are distributed irregularly on the surface. In other words, the peaks 11 are not arranged so as to form a matrix comprising rows and columns perpendicular to each other. In the embodiment of Figure 2, the peaks are contiguous.

[0054] Dans le mode de réalisation de la figure 2, les pics 11 ont une forme de pyramide, mais cette forme n'est pas du tout limitative. Dans ce contexte, le terme „pic“ indique une protubérance pointue, à savoir une protubérance définie entre deux extrémités, dans laquelle une extrémité (la base) est plus grande que l'autre extrémité (l'extrémité libre ou pointe). [0054] In the embodiment of Figure 2, the peaks 11 have a pyramid shape, but this shape is not at all limiting. In this context, the term “peak” indicates a pointed protrusion, i.e. a defined protrusion between two ends, in which one end (the base) is larger than the other end (the free end or tip).

[0055] Dans le mode de réalisation de la figure 2, la hauteur des pics 11 est irrégulière. [0055] In the embodiment of Figure 2, the height of the peaks 11 is irregular.

[0056] La figure 3 illustre le schéma en coupe de la figure 2, dans lequel certains pics 11 ont été supprimés pour des raisons de clarté. [0056] Figure 3 illustrates the sectional diagram of Figure 2, in which certain peaks 11 have been deleted for reasons of clarity.

[0057] Selon l'invention, les pics ont une hauteur e3 comprise entre 1 µm et 15 µm, par exemple comprise entre 2 µm et 3 µm. Cela, en combinaison avec leur densité, rend la surface 18 anti-réfléchissante. En raison de la présence de la forêt de ces pics 11, la surface 18 devient mate, ou satinée. [0057] According to the invention, the peaks have a height e3 of between 1 µm and 15 µm, for example between 2 µm and 3 µm. This, in combination with their density, makes surface 18 anti-reflective. Due to the presence of the forest of these peaks 11, the surface 18 becomes matte, or satin.

[0058] Dans la figure 3, les pics 11 sont contigus et sont séparés par des creux 10, qui dans l'exemple illustré sont en forme de V. La surface 18 de la figure 3 comprend donc une alternance de pics 11 et des creux 10. Chaque creux 10 est défini par une première surface 102 et une deuxième surface 104. La première surface 102 forme un premier angle α avec une direction h parallèle à celle de la surface de base 16, la deuxième surface104 forme un deuxième angle β avec la direction h. Dans la variante illustrée le premier angle α a une valeur sensiblement égale à celle du deuxième angle β. Dans une autre variante (non illustrée), le premier angle α a une valeur différente de celle du deuxième angle β. [0058] In Figure 3, the peaks 11 are contiguous and are separated by hollows 10, which in the example illustrated are V-shaped. The surface 18 of Figure 3 therefore comprises an alternation of peaks 11 and hollows 10. Each hollow 10 is defined by a first surface 102 and a second surface 104. The first surface 102 forms a first angle α with a direction h parallel to that of the base surface 16, the second surface 104 forms a second angle β with management h. In the variant illustrated, the first angle α has a value substantially equal to that of the second angle β. In another variant (not illustrated), the first angle α has a value different from that of the second angle β.

[0059] Dans une variante, les angles α et β sont d'environ 55°. Cela est le cas par exemple lorsque la forêt de pics est obtenue grâce à une attaque anisotrope d'une pièce en silicium monocristallin. Dans ce cas, l'attaque peut s'arrêter sur les plans <111> du silicium monocristallin, plans qui constituent alors les surfaces 102 et 104. [0059] In a variant, the angles α and β are approximately 55°. This is the case for example when the forest of peaks is obtained thanks to an anisotropic attack on a monocrystalline silicon part. In this case, the attack can stop on the <111> planes of the monocrystalline silicon, planes which then constitute the surfaces 102 and 104.

[0060] Dans une variante, les pics ne comprennent que de plans <111> du silicium monocristallin, cela n'étant pas nécessairement lié à une attaque anisotrope du silicium. Dans cette variante, la largeur d de la base des pics est d'environ 1,2 fois la hauteur : on a par exemple une base de 6 µm pour une hauteur de 5 µm. [0060] In a variant, the peaks only comprise <111> planes of monocrystalline silicon, this not necessarily being linked to an anisotropic attack on the silicon. In this variant, the width d of the base of the peaks is approximately 1.2 times the height: for example we have a base of 6 µm for a height of 5 µm.

[0061] Bien que dans la variante illustrée sur la figure 3, l'aire de la première surface 102 est sensiblement égale à celle de la deuxième surface 104, cela n'est pas limitatif. Dans une autre variante, l'aire de la première surface 102 est sensiblement différente de celle de la deuxième surface 104. [0061] Although in the variant illustrated in Figure 3, the area of the first surface 102 is substantially equal to that of the second surface 104, this is not limiting. In another variant, the area of the first surface 102 is significantly different from that of the second surface 104.

[0062] Dans la variante de la figure 3, ni la première ni la deuxième surface ne sont parallèles à la base planaire 16. [0062] In the variant of Figure 3, neither the first nor the second surface are parallel to the planar base 16.

[0063] Dans une autre variante (non illustrée), les creux 10 ont une forme de U et sont définis aussi par une troisième surface entre la première et la deuxième, cette troisième surface pouvant être parallèle à la base planaire 16. Dans une autre variante encore (non illustrée), entre la première et deuxième surface il y a deux ou plusieurs autres surfaces. [0063] In another variant (not illustrated), the recesses 10 have a U shape and are also defined by a third surface between the first and the second, this third surface being able to be parallel to the planar base 16. In another variant again (not illustrated), between the first and second surfaces there are two or more other surfaces.

[0064] Avantageusement la pièce 1 comprend une succession alternée d'arêtes supérieures 12 et d'arêtes inférieures 14. Dans la variante illustrée, toutes les arêtes inférieures 14 sont sensiblement à la même deuxième distance e2 de la base planaire 16 et les arêtes supérieures 12 ne sont pas toutes à la même deuxième distance e1 de la base planaire 16, car elles ont des hauteurs e3 (=e1- e2) différentes. [0064] Advantageously, the part 1 comprises an alternating succession of upper edges 12 and lower edges 14. In the variant illustrated, all the lower edges 14 are substantially at the same second distance e2 from the planar base 16 and the upper edges 12 are not all at the same second distance e1 from the planar base 16, because they have different heights e3 (=e1- e2).

[0065] Cependant d'autres modes de réalisation sont également possibles, comme celui illustré sur la figure 4, où les arêtes supérieures 12 et/ou inférieures 14 sont placées à des distances différentes de la base 16. However, other embodiments are also possible, such as that illustrated in Figure 4, where the upper edges 12 and/or lower 14 are placed at different distances from the base 16.

[0066] La solidité du morceau de la pièce en silicium monobloc est garantie par la valeur minimale de son épaisseur e2, choisie lors de la réalisation de la forêt de pics 11 et par la dimension de la pièce en silicium 1. The solidity of the piece of one-piece silicon part is guaranteed by the minimum value of its thickness e2, chosen during the production of the forest of peaks 11 and by the dimension of the silicon part 1.

[0067] Notamment, la dimension e3 est petite, voire très petite (c'est-à-dire plus que 100 fois plus petite) par rapport à la dimension e1, de façon à ce que les propriétés mécaniques de la pièce 1 selon l'invention ne changent pas par rapport à une pièce dépourvue de la forêt des pics. [0067] In particular, the dimension e3 is small, even very small (that is to say more than 100 times smaller) compared to the dimension e1, so that the mechanical properties of the part 1 according to the The invention does not change compared to a room without the forest of woodpeckers.

[0068] Dans le mode de réalisation de la figure 3, les surfaces 102, 104 définissant les pics 11 et les creux 10 sont planes, mais elles peuvent être également des portions de cône. [0068] In the embodiment of Figure 3, the surfaces 102, 104 defining the peaks 11 and the hollows 10 are planar, but they can also be cone portions.

[0069] La pièce 1 selon l'invention comprend donc une surface ayant un profil en „dents de scie“. [0069] Part 1 according to the invention therefore comprises a surface having a “sawtooth” profile.

[0070] Dans une variante, la largeur des pics à la base, ou en général, la plus grande dimension d de la base des pics est comprise entre 1 µm et 10 µm. [0070] In a variant, the width of the peaks at the base, or in general, the largest dimension d of the base of the peaks is between 1 μm and 10 μm.

[0071] Dans une variante préférentielle, l'épaisseur e1 est inférieure à 400 µm. [0071] In a preferred variant, the thickness e1 is less than 400 μm.

[0072] La figure 5 illustre deux vues au microscope avec deux agrandissements différents, d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention, dans laquelle la forêt de pics 11 a été réalisée par micro-sablage, à savoir en projetant un jet de sable fin sur la pièce en silicium 1. Le diamètre du sable est par exemple compris dans la plage 10 µm - 40 µm. Comme visible sur la figure 5, seulement certaines zones de la surface 18 de la pièce 1 présentent la forêt de pics 11. Dans l'exemple illustré notamment, il reste environ 20-25% de la surface initiale de la pièce 1, qui est dépourvue de pics, ce qui entraine une réflectivité qui est encore assez importante. [0072] Figure 5 illustrates two microscope views with two different enlargements, of an embodiment of a silicon part according to the invention, in which the forest of peaks 11 has been produced by micro-sandblasting, namely by projecting a jet of fine sand onto the silicon part 1. The diameter of the sand is for example in the range 10 µm - 40 µm. As visible in Figure 5, only certain areas of the surface 18 of the part 1 present the forest of peaks 11. In the example illustrated in particular, there remains approximately 20-25% of the initial surface of the part 1, which is devoid of peaks, which leads to a reflectivity which is still quite high.

[0073] Dans une variante préférentielle, seulement une portion égale ou inférieure à 3% de la surface 18 de la pièce 1 est dépourvue de pics, ce qui diminue sensiblement la réflectivité. [0073] In a preferred variant, only a portion equal to or less than 3% of the surface 18 of the part 1 is devoid of peaks, which significantly reduces the reflectivity.

[0074] La figure 6 illustre une vue de dessus d'une pièce en silicium selon un mode de réalisation de l'invention, partiellement recouverte de métal 2 posé sur un substrat en silicium lisse (à savoir, dépourvu de la forêt de pics 11) recouvert du même métal. Dans cette variante, la forêt de pics a été réalisée par meulage, à savoir par friction de la pièce sur une meule, par exemple une meule rotative. [0074] Figure 6 illustrates a top view of a silicon part according to one embodiment of the invention, partially covered with metal 2 placed on a smooth silicon substrate (namely, devoid of the forest of peaks 11 ) covered with the same metal. In this variant, the forest of picks was produced by grinding, namely by friction of the part on a grinding wheel, for example a rotating grinding wheel.

[0075] La partie métallisée 2 de la pièce 1 selon l'invention illustrée sur la figure 6 présente une jolie couleur jaune d'or, couleur qui reste la même selon l'angle de vue, ce qui n'est pas le cas avec la pièce en silicium poli et recouvert d'or 3, dont la couleur n'apparait pas le jaune, mais plutôt noire avec une grosse réflexion parasite de lumière. Dans cet exemple, la hauteur des pics est comprise entre 3 µm et 6 µm. [0075] The metallized part 2 of the part 1 according to the invention illustrated in Figure 6 has a pretty golden yellow color, a color which remains the same depending on the viewing angle, which is not the case with the piece in polished silicon covered with gold 3, whose color does not appear yellow, but rather black with a large parasitic reflection of light. In this example, the height of the peaks is between 3 µm and 6 µm.

[0076] La figure 7 illustre une vue de coupe d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention, dans laquelle la forêt de pics 11 a été réalisée avec une attaque chimique, par exemple avec une attaque anisotrope du silicium. Dans d'autres variantes, des attaques isotropes sont aussi possibles. Dans une variante préférentielle, l'attaque est réalisée sans utiliser des masques. Dans d'autres variantes, une ou plusieurs masques sont utilisés afin d'avoir une attaque sélective. Dans une variante préférentielle, des solutions à base d'hydroxyde de potassium sont utilisées comme produits pour réaliser l'attaque. Un exemple d'une attaque chimique pour réaliser la forêt de pics 11 est décrit dans le document „Highly-efficient low cost anisotropic wet etching of silicon wafers for solar cells application“ de Sami Iqbal et al., publié pour AIP Advances. [0076] Figure 7 illustrates a sectional view of an embodiment of a silicon part according to the invention, in which the forest of peaks 11 has been produced with a chemical attack, for example with an anisotropic attack of the silicon. In other variants, isotropic attacks are also possible. In a preferred variant, the attack is carried out without using masks. In other variants, one or more masks are used in order to have a selective attack. In a preferred variant, solutions based on potassium hydroxide are used as products to carry out the attack. An example of a chemical attack to produce the forest of peaks 11 is described in the document “Highly-efficient low cost anisotropic wet etching of silicon wafers for solar cells application” by Sami Iqbal et al., published for AIP Advances.

[0077] Dans une variante, l'attaque chimique est par en voie humide. Dans d'autres variantes, l'attaque chimique est par voie sèche (par exemple „Plasma Deep Reactive Ion Etching“). [0077] In a variant, the chemical attack is carried out using a wet method. In other variants, the chemical attack is dry (for example “Plasma Deep Reactive Ion Etching”).

[0078] Dans l'exemple de la figure 7, la hauteur des pics 11 est comprise entre 2 µm et 3 µm. Dans l'exemple de la figure 7, les pics 11 sont des petites pyramides. [0078] In the example of Figure 7, the height of the peaks 11 is between 2 µm and 3 µm. In the example of Figure 7, the peaks 11 are small pyramids.

[0079] La figure 8 illustre deux vues au microscope avec deux agrandissements différents, de la pièce en silicium de la figure 7, après une oxydation thermique qui a créé une couche d'oxyde de silicium d'épaisseur 1 µm. [0079] Figure 8 illustrates two microscope views with two different enlargements, of the silicon part of Figure 7, after thermal oxidation which created a layer of silicon oxide with a thickness of 1 μm.

[0080] L'oxydation tend à réduire la topologie et arrondi les pyramides, notamment les arrêts supérieurs 12', en faisant disparaître leurs facettes. Ceci ne dégrade pas les propriétés optiques de la surface 18', puisque la réflectivité diminue encore. [0080] Oxidation tends to reduce the topology and round off the pyramids, in particular the upper stops 12', by making their facets disappear. This does not degrade the optical properties of the surface 18', since the reflectivity further decreases.

[0081] La figure 9 illustre un schéma en coupe d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium 1 selon l'invention, comprenant la couche d'oxyde 4. Dans cette variante, les pics ont la même hauteur. Cela n'est pas nécessairement lié à la présence de la couche d'oxyde 4. [0081] Figure 9 illustrates a sectional diagram of an embodiment of a silicon part 1 according to the invention, comprising the oxide layer 4. In this variant, the peaks have the same height. This is not necessarily linked to the presence of oxide layer 4.

[0082] La figure 10 illustre une vue au microscope d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium 1 selon l'invention, constituant un cadran animé. [0082] Figure 10 illustrates a microscope view of an embodiment of a silicon part 1 according to the invention, constituting an animated dial.

[0083] La figure 11 illustre une vue en perspective d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium 1 selon l'invention (partie en bas), ayant la surface 18' identique à celle de la figure 8, posée sur une pièce (wafer) en silicium 5 juste satiné (partie en haut). [0083] Figure 11 illustrates a perspective view of an embodiment of a silicon part 1 according to the invention (bottom part), having the surface 18' identical to that of Figure 8, placed on a part (wafer) in silicon 5 just satined (part at the top).

[0084] Les figures 12A à 12F illustrent des vues par le haut d'une pièce en silicium polie connue 5 posée au voisinage de la pièce 1 réalisée avec le procédé selon l'invention et ayant la même forme, pas encore détachée du substrat, pour six différents angles de vue. Les deux pièces sont couvertes du même oxyde thermique de 1 µm d'épaisseur. [0084] Figures 12A to 12F illustrate views from above of a known polished silicon part 5 placed in the vicinity of part 1 produced with the method according to the invention and having the same shape, not yet detached from the substrate, for six different viewing angles. Both parts are covered with the same 1 µm thick thermal oxide.

[0085] Il est possible de constater les changements assez radicaux d'apparence de la pièce 5 connue, par rapport à celle 1 selon l'invention, sont l'apparence reste constante. [0085] It is possible to note the fairly radical changes in appearance of the known part 5, compared to that 1 according to the invention, and the appearance remains constant.

[0086] Les figures 13A et 13B représentent une vue d'un mode de réalisation d'une pièce en silicium selon l'invention, constituant un module d'affichage. [0086] Figures 13A and 13B represent a view of an embodiment of a silicon part according to the invention, constituting a display module.

[0087] Comme représenté sur les figures 13A et 13B, un module d'affichage 1 consiste en un module d'affichage numérique d'un motif M tel qu'un chiffre ou un nombre comportant un bâti 20 fixe auquel d'au moins deux organes d'affichage, en l'espèce cinq organes d'affichage 31, 32, 33, 34, 35 pour former le chiffre „12“ (figure 13B). Les organes d'affichage 31, 32, 33, 34, 35 sont solidaires du bâti 20 et comportent chacun une portion d'affichage du motif M, ces portions d'affichage étant complémentaires l'une de l'autre de sorte pour former le motif M dans au moins une position d'affichage telle que représentée à la figure 13B. [0087] As shown in Figures 13A and 13B, a display module 1 consists of a digital display module of a pattern M such as a digit or a number comprising a fixed frame 20 to which at least two display members, in this case five display members 31, 32, 33, 34, 35 to form the number “12” (Figure 13B). The display members 31, 32, 33, 34, 35 are integral with the frame 20 and each comprise a display portion of the pattern M, these display portions being complementary to each other so as to form the pattern M in at least one display position as shown in Figure 13B.

[0088] A cet effet, au moins certains des organes d'affichage 31, 32, 33, 34, 35 sont mobiles relativement au bâti 20 par l'intermédiaire d'au moins une liaison déformable 40 formée par au moins une lame flexible 41 entre une première position de repos, représentée sur la figure 13A, dans laquelle les portions d'affichage des organes d'affichage 31, 32, 33, 34, 35 sont distantes l'une de l'autre et ladite position d'affichage, représentée sur la figure 13B, dans laquelle lesdites portions d'affichage sont contreapposées l'une à l'autre pour former et afficher le motif M. [0088] For this purpose, at least some of the display members 31, 32, 33, 34, 35 are movable relative to the frame 20 via at least one deformable connection 40 formed by at least one flexible blade 41 between a first rest position, shown in Figure 13A, in which the display portions of the display members 31, 32, 33, 34, 35 are spaced from each other and said display position, shown in Figure 13B, in which said display portions are counterposed to each other to form and display the pattern M.

[0089] Le déplacement des organes d'affichage mobiles autour de leur liaison déformable 4 entre les positions de repos et d'affichage résulte du déplacement d'un poussoir d'actionnement 50 également solidaire du bâti 20 par une structure 8 de guidage en translation linéaire à lames flexible 81. Le poussoir 50 comporte à son extrémité inférieure un organe de contact adapté pour coopérer avec dispositif d'actionnement 6, tel qu'une came 61 mobile en rotation autour d'un axe A. A son extrémité supérieure le poussoir 5 comporte un plateau 51 duquel sont solidaires deux pivots flexibles en „papillon“ 42 reliés à la base de bascules d'actionnement déformables B1, B2 à l'extrémité supérieure desquels sont attachés les organes d'affichage 32, 33, 34. Les organes d'affichage sont ainsi mobiles autour des liaisons déformables. [0089] The movement of the movable display members around their deformable connection 4 between the rest and display positions results from the movement of an actuation pusher 50 also secured to the frame 20 by a structure 8 for guiding in translation linear with flexible blades 81. The pusher 50 comprises at its lower end a contact member adapted to cooperate with actuating device 6, such as a cam 61 movable in rotation around an axis A. At its upper end the pusher 5 comprises a plate 51 to which are secured two flexible “butterfly” pivots 42 connected to the base of deformable actuation rockers B1, B2 to the upper end of which the display members 32, 33, 34 are attached. display are thus mobile around the deformable links.

[0090] Le bâti 20 du module d'affichage 1 peut être fixé sur un cadran, un disque ou directement sur la carrure d'une boite de montre pour une montre squelette par tout moyen approprié et notamment collage ou soudure. En guise de dispositif d'actionnement 6, un comportant une ou plusieurs cames 61, est liée cinématiquement au canon des heures et pivote autour de l'axe A, par exemple centré au cadran de la montre comme dans un affichage par aiguilles classique. [0090] The frame 20 of the display module 1 can be fixed on a dial, a disk or directly on the middle of a watch case for a skeleton watch by any appropriate means and in particular gluing or welding. As an actuating device 6, one comprising one or more cams 61, is kinematically linked to the hour barrel and pivots around the axis A, for example centered on the dial of the watch as in a conventional needle display.

[0091] Lors de la rotation de la bague 6 sous l'action d'entrainement de la roue des heures du rouage d'un mouvement horloger, la came 61 vient pousser l'extrémité libre du poussoir d'actionnement 50 (figure 13B) qui agit en tant que contact suiveur, et provoque un mouvement de translation du poussoir d'actionnement 50 selon son axe longitudinal par déformation de la structure de guidage 8. Cette translation induit une montée du plateau 51 et la déformation des pivots papillons 42, entrainant la rotation des deux bascules B1 et B2. Les organes d'affichage 32, 33, 34 connectées aux extrémités supérieures desdites bascules B1, B2 viennent alors s'ajuster en position d'affichage vis-à-vis des autres portions d'affichage 31, 35 pour former le motif M. Après le passage de la came 61 le contact suiveur du poussoir d'actionnement 5 revient en appui sur la bague 6. Les organes d'affichage 32, 33, 34 s'écartent alors pour revenir vers la position de repos (figure 13A) et le motif n'est plus visible. [0091] During the rotation of the ring 6 under the driving action of the hour wheel of the train of a watch movement, the cam 61 pushes the free end of the actuating pusher 50 (Figure 13B) which acts as a follower contact, and causes a translation movement of the actuating pusher 50 along its longitudinal axis by deformation of the guide structure 8. This translation induces a rise of the plate 51 and the deformation of the butterfly pivots 42, causing the rotation of the two rockers B1 and B2. The display members 32, 33, 34 connected to the upper ends of said flip-flops B1, B2 then adjust into the display position with respect to the other display portions 31, 35 to form the pattern M. After the passage of the cam 61 the follower contact of the actuating pusher 5 comes back to rest on the ring 6. The display members 32, 33, 34 then move away to return to the rest position (figure 13A) and the pattern is no longer visible.

[0092] On réalise ainsi un système d'affichage animé comportant des portions d'affichage mobiles suivant une période déterminée pour engendrer un effet d'animation visuelle au sein de l'affichage. [0092] An animated display system is thus produced comprising mobile display portions following a determined period to generate a visual animation effect within the display.

[0093] Un cadran peut être formé de douze modules élémentaires animant chacun une heure comme présenté sur les Fig. 11A et 11B, ou encore être formé sur une forme monolithique comportant les douze modules liés entre eux dans une pièce unitaire. [0093] A dial can be formed of twelve elementary modules each animating an hour as presented in Figs. 11A and 11B, or even be formed on a monolithic form comprising the twelve modules linked together in a unitary part.

[0094] Dans une variante, les organes d'affichage 31-34 comprennent une couche de revêtement de vernis colorée. [0094] In a variant, the display members 31-34 comprise a colored varnish coating layer.

Numéros de référence employés sur les figuresReference numbers used in the figures

[0095] 1 Pièce en silicium 2 Couche métallique 3 Pièce en silicium polie et recouverte de métal 4 Couche d'oxyde de silicium 5 Pièce en silicium polie 6 Dispositif d'actionnement 8 Structure de guidage 10, 10' Creux 11 Pic 12, 12' Arête supérieure 14 Arête inférieure 16 Surface (base) plane 18 Surface mate ou satinée 18' Surface mate ou satinée, oxydée 20 Bâti 31-34 Organes d'affichage 41 Lame flexible 42 Pivot flexible 50 Poussoir d'actionnement 51 Plateau 81 Lame flexible de la structure de guidage 8 102 Première surface 104 Deuxième surface α Premier angle β Deuxième angle d Plus grande dimension de la base d'un pic 11 e1Première distance ou épaisseur e2Deuxième distance ou épaisseur e3Hauteur d'un pic 11 h Ligne ayant une direction parallèle à la base plane B1, B2 Bascule A1 Profil montant du poussoir 50 A2 Point haut du poussoir 50 A3 Profil descendant du poussoir 50 [0095] 1 Silicon part 2 Metal layer 3 Polished silicon part covered with metal 4 Silicon oxide layer 5 Polished silicon part 6 Actuation device 8 Guide structure 10, 10' Hollow 11 Pic 12, 12 ' Upper edge 14 Lower edge 16 Flat surface (base) 18 Matte or satin surface 18' Matte or satin surface, oxidized 20 Frame 31-34 Display elements 41 Flexible blade 42 Flexible pivot 50 Actuation pusher 51 Plate 81 Flexible blade of the guide structure 8 102 First surface 104 Second surface α First angle β Second angle d Largest dimension of the base of a peak 11 e1First distance or thickness e2Second distance or thickness e3Height of a peak 11 h Line having a parallel direction at the flat base B1, B2 Rocker A1 Rising profile of the pusher 50 A2 High point of the pusher 50 A3 Downward profile of the pusher 50

Claims (18)

1. Pièce en silicium (1) pour l'horlogerie, comprenant une surface (18), au moins une portion de la surface (18) comprenant une forêt de pics (11), la densité des pics (11) étant d'au moins 10 pics (11) pour 100 µm<2>de la surface (18), les pics ayant une hauteur e3 comprise entre 1 µm et 15 µm, de façon à rendre ladite surface (18) anti-réfléchissante.1. Silicon part (1) for watchmaking, comprising a surface (18), at least a portion of the surface (18) comprising a forest of peaks (11), the density of the peaks (11) being at least least 10 peaks (11) per 100 µm<2> of the surface (18), the peaks having a height e3 of between 1 µm and 15 µm, so as to make said surface (18) anti-reflective. 2. Pièce en silicium (1) selon la revendication 1, étant monobloc.2. Silicon part (1) according to claim 1, being in one piece. 3. Pièce en silicium (1) selon l'une des revendications 1 et 2, les pics (1) étant contigus et/ou répartis irrégulièrement sur la surface (18).3. Silicon part (1) according to one of claims 1 and 2, the peaks (1) being contiguous and/or distributed irregularly on the surface (18). 4. Pièce en silicium (1) selon l'une des revendications 1 à 3, la hauteur e3 des pics (11) étant irrégulière4. Silicon part (1) according to one of claims 1 to 3, the height e3 of the peaks (11) being irregular 5. Pièce en silicium (1) selon l'une des revendications 1 à 4, la hauteur e3 des pics (11) étant comprise entre 2 µm et 3 µm.5. Silicon part (1) according to one of claims 1 to 4, the height e3 of the peaks (11) being between 2 µm and 3 µm. 6. Pièce en silicium (1) selon l'une des revendications 1 à 5, ladite portion de la surface (18) comprenant une forêt de pics (11) comprenant une couche d'oxyde de silicium (4) ayant une épaisseur entre 0,25 µm et 4 µm, afin que cette portion ait une unité d'aspect anisotrope.6. Silicon part (1) according to one of claims 1 to 5, said portion of the surface (18) comprising a forest of peaks (11) comprising a layer of silicon oxide (4) having a thickness between 0 .25 µm and 4 µm, so that this portion has an anisotropic appearance unit. 7. Pièce en silicium (1) selon l'une des revendications 1 à 6, ladite portion de la surface (18) comprenant une forêt de pics (11) comprenant une couche métallique ou diélectrique (2), afin que la couleur de ladite portion ainsi revêtue soit indépendante d'un angle de vue d'un utilisateur.7. Silicon part (1) according to one of claims 1 to 6, said portion of the surface (18) comprising a forest of peaks (11) comprising a metallic or dielectric layer (2), so that the color of said portion thus coated is independent of a user's viewing angle. 8. Pièce en silicium (1) selon l'une des revendications 1 à 7, étant un module d'affichage analogique8. Silicon part (1) according to one of claims 1 to 7, being an analog display module 9. Pièce en silicium (1) selon la revendication 8, le module d'affichage comprenant des organes d'affichage (31-34) comprenant une couche de revêtement de vernis colorée.9. Silicon part (1) according to claim 8, the display module comprising display members (31-34) comprising a colored varnish coating layer. 10. Pièce en silicium (1) selon l'une des revendications 1 à 7, étant un cadran ou une portion d'un cadran.10. Silicon part (1) according to one of claims 1 to 7, being a dial or a portion of a dial. 11. Pièce en silicium (1) selon l'une des revendications 1 à 7, étant un balancier, un spiral, un échappement, une ancre et/ou un mobile.11. Silicon part (1) according to one of claims 1 to 7, being a balance, a balance spring, an escapement, an anchor and/or a mobile. 12. Pièce d'horlogerie comprenant la pièce en silicium selon l'une des revendications 1 à 11.12. Timepiece comprising the silicon part according to one of claims 1 to 11. 13. Procédé de fabrication de la pièce en silicium (1) pour l'horlogerie selon la revendication 1, comprenant: – réalisation à partir d'une galette en silicium d'une forêt de pics (11) dans au moins une portion d'une surface de la galette en silicium, la densité des pics étant d'au moins 10 pics (11) pour 100 µm<2>de la surface (18) de la pièce en silicium, les pics (11) ayant une hauteur e3 comprise entre 1 µm et 15 µm, de façon à rendre ladite surface (18) anti-réfléchissante ; – découpage de la galette pour obtenir ladite pièce (1).13. Process for manufacturing the silicon part (1) for watchmaking according to claim 1, comprising: – production from a silicon wafer of a forest of peaks (11) in at least a portion of a surface of the silicon wafer, the density of the peaks being at least 10 peaks (11) per 100 µm<2> of the surface (18) of the silicon part, the peaks (11) having a height e3 of between 1 µm and 15 µm, so as to make said surface (18) anti-reflective; – cutting the pancake to obtain said part (1). 14. Procédé de fabrication selon la revendication 13, l'étape de réalisation à partir d'une galette en silicium de la forêt de pics (11) étant effectuée par micro-sablage de la galette.14. Manufacturing method according to claim 13, the step of producing the forest of peaks (11) from a silicon wafer being carried out by micro-sandblasting the wafer. 15. Procédé de fabrication selon la revendication 13, l'étape de réalisation à partir d'une galette en silicium de la forêt de pics (11) étant effectuée par meulage de la galette.15. Manufacturing method according to claim 13, the step of producing from a silicon wafer the forest of peaks (11) being carried out by grinding the wafer. 16. Procédé de fabrication selon la revendication 13, l'étape de réalisation à partir d'une galette en silicium de la forêt de pics (11) étant effectuée par attaque chimique de la galette.16. Manufacturing method according to claim 13, the step of producing the forest of peaks (11) from a silicon wafer being carried out by chemical attack on the wafer. 17. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 13 à 16, comprenant une étape d'oxydation de ladite portion de la surface (18) comprenant une forêt de pics (11), afin de créer une couche d'oxyde de silicium (4) ayant une épaisseur entre 0,25 µm et 4 µm, afin que cette portion ait une unité d'aspect anisotrope.17. Manufacturing method according to one of claims 13 to 16, comprising a step of oxidizing said portion of the surface (18) comprising a forest of peaks (11), in order to create a layer of silicon oxide ( 4) having a thickness between 0.25 µm and 4 µm, so that this portion has an anisotropic appearance unit. 18. Procédé de fabrication selon l'une des revendications 13 à 17, comprenant une étape de revêtement avec couche métallique ou diélectrique de ladite portion de la surface (18) comprenant une forêt de pics (11), afin que la couleur de ladite portion ainsi revêtue soit indépendante d'un angle de vue d'un utilisateur.18. Manufacturing method according to one of claims 13 to 17, comprising a step of coating with a metallic or dielectric layer of said portion of the surface (18) comprising a forest of peaks (11), so that the color of said portion thus coated is independent of a user's viewing angle.
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