CH711960A2 - A method of manufacturing a hairspring of predetermined stiffness by removing material. - Google Patents

A method of manufacturing a hairspring of predetermined stiffness by removing material. Download PDF

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CH711960A2
CH711960A2 CH01869/15A CH18692015A CH711960A2 CH 711960 A2 CH711960 A2 CH 711960A2 CH 01869/15 A CH01869/15 A CH 01869/15A CH 18692015 A CH18692015 A CH 18692015A CH 711960 A2 CH711960 A2 CH 711960A2
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Niedermann Philipp
Dubochet Olivier
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Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique Sa - Rech Et Développement
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    • G04B17/00Mechanisms for stabilising frequency
    • G04B17/04Oscillators acting by spring tension
    • G04B17/06Oscillators with hairsprings, e.g. balance
    • G04B17/066Manufacture of the spiral spring

Abstract

L’invention se rapporte à un procédé de fabrication d’un spiral d’une raideur prédéterminée comportant les étapes de fabrication d’un spiral selon des dimensions surépaissies, de détermination de la raideur du spiral (5a) formé afin de retirer le volume de matériau pour obtenir le spiral aux dimensions nécessaires à ladite raideur prédéterminée. Cette invention concerne le domaine de l’horlogerie.The invention relates to a method for manufacturing a hairspring of predetermined stiffness comprising the steps of manufacturing a hairspring according to oversize dimensions, determining the stiffness of the hairspring (5a) formed in order to remove the volume of the hairspring. material to obtain the spiral to the dimensions necessary for said predetermined stiffness. This invention relates to the field of watchmaking.

Description

DescriptionDescription

Domaine de l’invention [0001] L’invention se rapporte à un procédé de fabrication d’un spiral d’une raideur prédéterminée et, plus précisément, un tel spiral utilisé comme spiral compensateur coopérant avec un balancier d’inertie prédéterminée pour former un résonateur comportant une fréquence prédéterminée.FIELD OF THE INVENTION [0001] The invention relates to a method for manufacturing a hairspring of predetermined stiffness and, more specifically, to such a hairspring used as a compensating hairspring cooperating with a predetermined inertia beam to form a hairspring. resonator having a predetermined frequency.

Arrière-plan de l’invention [0002] Il est expliqué dans le document EP 1 422 436, incorporé par référence à la présente demande, comment former un spiral compensateur comportant une âme en silicium revêtue de dioxyde de silicium et coopérant avec un balancier d’inertie prédéterminée pour compenser thermiquement l’ensemble dudit résonateur.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] It is explained in EP 1 422 436, incorporated by reference into the present application, how to form a compensating balance spring comprising a silicon core coated with silicon dioxide and cooperating with a balance wheel. predetermined inertia for thermally compensating the assembly of said resonator.

[0003] Fabriquer un tel spiral compensateur apporte de nombreux avantages mais possède également des inconvénients. En effet, l’étape de gravage de plusieurs spiraux dans une plaquette de silicium offre une dispersion géométrique non négligeable entre les spiraux d’une même plaquette et une dispersion plus grande entre des spiraux de deux plaquettes gravées à des moments différents. Incidemment, la raideur de chaque spiral gravé avec le même motif de gravage est variable en créant des dispersions de fabrication non négligeables. Résumé de l’invention [0004] Le but de la présente invention est de pallier tout ou partie les inconvénients cités précédemment en proposant un procédé de fabrication d’un spiral dont les dimensions sont suffisamment précises pour ne pas nécessiter de retouche.[0003] Making such a compensating hairspring provides many advantages but also has drawbacks. In fact, the step of etching several spirals in a silicon wafer offers a non-negligible geometrical dispersion between the spirals of the same wafer and a greater dispersion between spirals of two wafers etched at different times. Incidentally, the stiffness of each spiral engraved with the same engraving pattern is variable by creating significant manufacturing dispersions. SUMMARY OF THE INVENTION [0004] The object of the present invention is to overcome all or part of the disadvantages mentioned above by proposing a method of manufacturing a spiral whose dimensions are sufficiently precise not to require retouching.

[0005] A cet effet, l’invention se rapporte à un procédé de fabrication d’un spiral d’une raideur prédéterminée comportant les étapes suivantes: a) former un spiral selon des dimensions supérieures aux dimensions nécessaires pour obtenir ledit spiral d’une raideur prédéterminée; b) déterminer la raideur du spiral formé lors de l’étape a); c) calculer l’épaisseur de matériau à retirer pour obtenir les dimensions nécessaires pour obtenir ledit spiral d’une raideur prédéterminée; d) retirer du spiral formé lors de l’étape a), ladite épaisseur de matériau permettant d’obtenir le spiral aux dimensions nécessaires à ladite raideur prédéterminée.For this purpose, the invention relates to a method for manufacturing a hairspring of a predetermined stiffness comprising the following steps: a) forming a hairspring according to dimensions greater than the dimensions necessary to obtain said hairspring of a predetermined stiffness; b) determining the stiffness of the hairspring formed during step a); c) calculating the thickness of material to be removed to obtain the dimensions necessary to obtain said hairspring of a predetermined stiffness; d) removing the hairspring formed during step a), said thickness of material to obtain the hairspring to the dimensions necessary for said predetermined stiffness.

[0006] On comprend donc que le procédé permet de garantir une très haute précision dimensionnelle du spiral et, incidemment, de garantir une raideur plus précise dudit spiral. Chaque paramètre de fabrication, pouvant induire des variations géométriques lors de l’étape a), peut ainsi être totalement rectifié pour chaque spiral fabriqué ou rectifié en moyenne pour l’ensemble des spiraux formés en même temps permettant de diminuer drastiquement le taux de rebut.It is therefore clear that the method ensures a very high dimensional accuracy of the spiral and, incidentally, to ensure a more precise stiffness of said spiral. Each manufacturing parameter, which can induce geometric variations during step a), can be completely rectified for each spiral manufactured or rectified on average for all the spirals formed at the same time to drastically reduce the scrap rate.

[0007] Conformément à d’autres variantes avantageuses de l’invention: - lors de l’étape a), les dimensions du spiral formé lors de l’étape a) sont entre 1 % et 20% supérieures à celles nécessaires pour obtenir ledit spiral à ladite raideur prédéterminée; - l’étape a) est réalisée à l’aide d’un gravage ionique réactif profond ou d’un gravage chimique; - lors de l’étape a), plusieurs spiraux sont formés dans une même plaquette selon des dimensions supérieures aux dimensions nécessaires pour obtenir plusieurs spiraux d’une raideur prédéterminée ou plusieurs spiraux de plusieurs raideurs prédéterminées; - le spiral formé lors de l’étape a) est à base de silicium, de verre, de céramique, de métal ou d’alliage métallique; - l’étape b) comporte les phases b1): mesurer la fréquence d’un ensemble comportant le spiral formé lors de l’étape a) couplé avec un balancier doté d’une inertie prédéterminée et b2): déduire de la fréquence mesurée, la raideur du spiral formé lors de l’étape a); -selon une première variante, l’étape d) comporte les phases d1): oxyder le spiral formé lors de l’étape a) afin de transformer ladite épaisseur de matériau à base de silicium à retirer en dioxyde de silicium et ainsi former un spiral oxydé, et 62): retirer l’oxyde du spiral oxydé permettant d’obtenir le spiral aux dimensions nécessaires à ladite raideur prédéterminée; - selon une deuxième variante, l’étape d) comporte la phase d3): graver chimiquement le spiral formé lors de l’étape a) afin d’obtenir le spiral aux dimensions nécessaires à ladite raideur prédéterminée. - après l’étape d), le procédé effectue au moins une nouvelle fois les étapes b), c) et d) pour affiner la qualité dimensionnelle; - après l’étape d), le procédé comporte, en outre, l’étape e): former, sur au moins une partie dudit spiral d’une raideur prédéterminée, une portion permettant de corriger la raideur du spiral et de former un spiral moins sensible aux variations thermiques; - selon une première variante, l’étape e) comporte la phase e1): déposer une couche sur une partie de la surface externe dudit spiral d’une raideur prédéterminée; - selon une deuxième variante, l’étape e) comporte la phase e2): modifier la structure selon une profondeur prédéterminée d’une partie de la surface externe dudit spiral d’une raideur prédéterminée; - selon une troisième variante, l’étape e) comporte la phase e3): modifier la composition selon une profondeur prédéterminée d’une partie de la surface externe dudit spiral d’une raideur prédéterminée.According to other advantageous variants of the invention: during step a), the dimensions of the spiral formed during step a) are between 1% and 20% greater than those necessary to obtain said spiral to said predetermined stiffness; step a) is carried out using deep reactive ion etching or chemical etching; during step a), several spirals are formed in the same plate in dimensions larger than the dimensions necessary to obtain several spirals of a predetermined stiffness or several spirals of several predetermined stiffnesses; the spiral formed during step a) is based on silicon, glass, ceramic, metal or metal alloy; step b) comprises the phases b1): measuring the frequency of an assembly comprising the spiral formed during step a) coupled with a balance having a predetermined inertia and b2): deducing from the measured frequency, the stiffness of the hairspring formed during step a); according to a first variant, step d) comprises the phases d1): oxidizing the spiral formed during step a) in order to transform said thickness of silicon-based material to be removed into silicon dioxide and thus form a spiral oxidized, and 62): removing the oxidized spiral oxide to obtain the spiral to the dimensions necessary for said predetermined stiffness; in a second variant, step d) comprises the step d3): etching the spiral formed during step a) in order to obtain the spiral to the dimensions required for said predetermined stiffness. after step d), the method performs at least one more step b), c) and d) to refine the dimensional quality; - After step d), the method further comprises step e): forming, on at least a portion of said hairspring of a predetermined stiffness, a portion for correcting the stiffness of the hairspring and forming a hairspring less sensitive to thermal variations; in a first variant, step e) comprises the step e1): depositing a layer on a portion of the outer surface of said hairspring of a predetermined stiffness; in a second variant, the step e) comprises the phase e2): modifying the structure according to a predetermined depth of a part of the external surface of said hairspring with a predetermined stiffness; in a third variant, step e) comprises the step e3): modifying the composition according to a predetermined depth of a portion of the external surface of said hairspring with a predetermined stiffness.

Description sommaire des dessins [0008] D’autres particularités et avantages ressortiront clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels: la fig. 1 est une vue en perspective d’un résonateur assemblé selon l’invention; la fig. 2 est un exemple de géométrie de spiral selon l’invention; les fig. 3 à 6 sont des sections de spiral à différentes étapes du procédé selon l’invention; la fig. 7 est une représentation en perspective d’une étape du procédé selon l’invention; la fig. 8 est un diagramme du procédé selon l’invention.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [0008] Other particularities and advantages will become clear from the description which is given hereinafter, by way of indication and in no way limitative, with reference to the appended drawings, in which: FIG. 1 is a perspective view of an assembled resonator according to the invention; fig. 2 is an example of spiral geometry according to the invention; figs. 3 to 6 are spiral sections at different stages of the process according to the invention; fig. 7 is a perspective representation of a step of the method according to the invention; fig. 8 is a diagram of the process according to the invention.

Description détaillée des modes de réalisation préférésDetailed Description of the Preferred Embodiments

[0009] Comme illustré à la fig. 1, l’invention se rapporte à un résonateur 1 du type balancier 3 - spiral 5. Le balancier 3 et le spiral 5 sont préférentiellement montés sur le même axe 7. Dans un tel résonateur 1, le moment d’inertie I du balancier 3 répond à la formule: (1) dans laquelle m représente sa masse et r son rayon de giration qui dépend également de la température par l’intermédiaire du coefficient de dilatation ab du balancier.As illustrated in FIG. 1, the invention relates to a resonator 1 of the balance 3-spiral type 5. The balance 3 and the spiral 5 are preferably mounted on the same axis 7. In such a resonator 1, the moment of inertia I of the balance 3 corresponds to the formula: (1) in which m represents its mass and r its radius of gyration which also depends on the temperature via the coefficient of expansion ab of the balance.

[0010] De plus, la raideur C du spiral 5 à section constante répond à la formule:In addition, the stiffness C of the spiral 5 constant section meets the formula:

(2) dans laquelle E est le module d’Young du matériau utilisé, h sa hauteur, e son épaisseur et L sa longueur développée.(2) in which E is the Young's modulus of the material used, its height, its thickness and L its developed length.

[0011] De plus, la raideur C d’un spiral 5 à section variable répond à la formule:In addition, the stiffness C of a spiral 5 variable section meets the formula:

(3) dans laquelle E est le module d’Young du matériau utilisé, h sa hauteur, e son épaisseur, L sa longueur développée et I l’abscisse curviligne le long de la spire.(3) wherein E is the Young's modulus of the material used, its height, its thickness, its developed length and the curvilinear abscissa along the turn.

[0012] De plus, la raideur C d’un spiral 5 à épaisseur variable mais à hauteur constante répond à la formule:In addition, the stiffness C of a spiral 5 variable thickness but constant height meets the formula:

(4) dans laquelle E est le module d’Young du matériau utilisé, h sa hauteur, e son épaisseur, L sa longueur développée et I l’abscisse curviligne le long de la spire.(4) wherein E is the Young's modulus of the material used, its height, its thickness, its developed length and the curvilinear abscissa along the turn.

[0013] Enfin, la fréquence / du résonateur 1 balancier-spiral répond à la formule:Finally, the frequency / resonator 1 sprung balance responds to the formula:

(5) [0014] Selon l’invention, il est souhaité que la variation de la fréquence en fonction de la température d’un résonateur soit sensiblement nulle. La variation de la fréquence / en fonction de la température T dans le cas d’un résonateur balancier-spiral suit sensiblement la formule suivante:(5) [0014] According to the invention, it is desired that the variation of the frequency as a function of the temperature of a resonator is substantially zero. The variation of the frequency / as a function of the temperature T in the case of a sprung balance resonator substantially follows the following formula:

(6) où :(6) where:

est la variation relative de fréquence ; - AT est la variation de la température ;is the relative frequency variation; - AT is the variation of the temperature;

est la variation relative du module d’Young en fonction de la température, c'est-à-dire le coefficient thermoélastique (GTE) du spiral ; - as est le coefficient de dilatation du spiral, exprimé en ppm.°C'1 ; - ab est le coefficient de dilatation du balancier, exprimé en ppm.°C'1 ; [0015] Les oscillations de tout résonateur destiné à une base de temps ou de fréquence devant être entretenues, la dépendance thermique comprend également une contribution éventuelle du système d’entretien comme, par exemple, un échappement à ancre suisse (non représenté) coopérant avec la cheville 9 du plateau 11 également monté sur l’axe 7.is the relative variation of the Young's modulus as a function of the temperature, ie the thermoelastic coefficient (GTE) of the spiral; - as is the coefficient of expansion of the spiral, expressed in ppm. ° C'1; - Ab is the coefficient of expansion of the balance, expressed in ppm. ° C'1; Oscillations of any resonator for a time base or frequency to be maintained, the thermal dependence also includes a possible contribution of the maintenance system such as, for example, a Swiss lever escapement (not shown) cooperating with the pin 9 of the plate 11 also mounted on the axis 7.

[0016] On comprend donc, à partir des formules (1)-(6), qu’il est possible d’appairer le spiral 5 avec le balancier 3 afin que la fréquence / du résonateur 1 soit quasiment insensible aux variations de température.It is therefore understood from formulas (1) - (6), that it is possible to pair the hairspring 5 with the balance 3 so that the frequency / resonator 1 is almost insensitive to temperature changes.

[0017] L’invention concerne plus particulièrement un résonateur 1 dans lequel le spiral 5 est utilisé pour compenser l’ensemble du résonateur 1, c’est-à-dire toutes les parties et notamment le balancier 3. Un tel spiral 5 est généralement appelé un spiral compensateur. C’est pourquoi, l’invention se rapporte à un procédé de fabrication permettant de garantir une très haute précision dimensionnelle du spiral et, incidemment, de garantir une raideur plus précise dudit spiral.The invention relates more particularly to a resonator 1 in which the hairspring 5 is used to compensate the entire resonator 1, that is to say all the parts and in particular the balance 3. Such a hairspring 5 is generally called a compensating hairspring. Therefore, the invention relates to a manufacturing method for ensuring a very high dimensional accuracy of the spiral and, incidentally, to ensure a more precise stiffness of said spiral.

[0018] Selon l’invention, le spiral compensateurs, 15 est formé à base d’un matériau, éventuellement revêtu d’une couche de compensation thermique, et destiné à coopérer avec un balancier 3 d’inertie prédéterminée. Toutefois, rien n’empêche de prévoir un balancier avec des masselottes déplaçables permettant d’offrir un paramètre de réglage avant ou après la vente de la pièce d’horlogerie.According to the invention, the compensating spiral 15 is formed from a material, optionally coated with a thermal compensation layer, and intended to cooperate with a balance 3 predetermined inertia. However, nothing prevents to provide a pendulum with movable weights to offer a setting parameter before or after the sale of the timepiece.

[0019] L’utilisation d’un matériau, par exemple à base de silicium, de verre ou de céramique, pour la fabrication d’un spiral 5, 15 offre l’avantage d’être précis par les méthodes de g ravage existantes et de posséder de bonnes propriétés mécaniques et chimiques en étant notamment très peu sensible aux champs magnétiques. Il doit en revanche être revêtu ou modifié superficiellement pour pouvoir former un spiral compensateur.The use of a material, for example based on silicon, glass or ceramic, for the manufacture of a hairspring 5, 15 offers the advantage of being precise by the existing methods of wrecking and to have good mechanical and chemical properties in particular being very insensitive to magnetic fields. It must however be coated or superficially modified to form a compensating hairspring.

[0020] Préférentiellement, le matériau à base de silicium utilisé comme spiral compensateur peut être du silicium monocristallin quelle que soit son orientation cristalline, du silicium monocristallin dopé quelle que soit son orientation cristalline, du silicium amorphe, du silicium poreux, du silicium polycristallin, du nitrure de silicium, du carbure de silicium, du quartz quelle que soit son orientation cristalline ou de l’oxyde de silicium. Bien entendu d’autres matériaux peuvent être envisagés comme un verre, une céramique, un cermet, un métal ou un alliage métallique. Par simplification, l’explication ci-dessous sera portée sur un matériau à base de silicium.Preferably, the silicon-based material used as compensating spiral may be monocrystalline silicon regardless of its crystalline orientation, doped monocrystalline silicon whatever its crystalline orientation, amorphous silicon, porous silicon, polycrystalline silicon, silicon nitride, silicon carbide, quartz whatever its crystalline orientation or silicon oxide. Of course other materials can be envisioned as a glass, a ceramic, a cermet, a metal or a metal alloy. For simplicity, the explanation below will be focused on a silicon-based material.

[0021] Chaque type de matériau peut être modifié superficiellement ou revêtu d’une couche afin de compenser thermiquement le matériau de base comme expliqué ci-dessus.Each type of material may be superficially modified or coated with a layer to thermally compensate the base material as explained above.

[0022] Si l’étape de gravage de spiraux dans une plaquette à base de silicium, au moyen d’un gravage ionique réactif profond (également connu sous l’abréviation «D.R.I.E.»), est la plus précise, des phénomènes qui interviennent pendant le gravage ou entre deux gravages successifs peuvent néanmoins induire des variations géométriques.If the step of etching spirals in a silicon-based wafer, by means of a deep reactive ion etching (also known by the abbreviation "DRIE"), is the most accurate phenomena that occur during engraving or between two successive engravings can nevertheless induce geometric variations.

[0023] Bien entendu, d’autres types de fabrication peuvent être mis en oeuvre, comme le gravage laser, le gravage ionique localisé (connu sous l’abréviation anglaise «F.I.B.»), la croissance galvanique, la croissance par dépôt chimique en phase gazeuse ou le gravage chimique, qui sont moins précis et pour lesquels le procédé aurait encore plus de sens.Of course, other types of manufacturing can be implemented, such as laser etching, localized ion etching (known by the abbreviation "FIB"), galvanic growth, growth by chemical deposition in phase gaseous or chemical etching, which are less accurate and for which the process would make even more sense.

[0024] Ainsi, l’invention se rapporte à un procédé 31 de fabrication d’un spiral 5c. Selon l’invention, le procédé 31 comporte, comme illustré à la fig. 8, une première étape 33 destinée à former au moins un spiral 5a, par exemple à base de silicium, selon des dimensions Da supérieures aux dimensions Db nécessaires pour obtenir ledit spiral 5c d’une raideur C prédéterminée. Comme visible à la fig. 3, la section du spiral 5a comporte une hauteur Hi et une épaisseur E-i.Thus, the invention relates to a method 31 for manufacturing a spiral 5c. According to the invention, the method 31 comprises, as illustrated in FIG. 8, a first step 33 intended to form at least one hairspring 5a, for example based on silicon, in dimensions Da greater than the dimensions Db necessary to obtain said hairspring 5c of a predetermined stiffness C. As shown in fig. 3, the spiral section 5a has a height Hi and a thickness E-i.

[0025] Préférentiellement, les dimensions Da du spiral 5a sont sensiblement entre 1% et 20% supérieures à celles Db du spiral 5c nécessaires pour obtenir ledit spiral 5c d’une raideur C prédéterminée.Preferably, the dimensions Da of the spiral 5a are substantially between 1% and 20% higher than those Db spiral 5c necessary to obtain said spiral 5c of a predetermined stiffness C.

[0026] Préférentiellement selon l’invention, l’étape 33 est réalisée à l’aide d’un gravage ionique réactif profond dans une plaquette 23 d’un matériau à base de silicium comme illustré à la fig. 7. On s’aperçoit que les faces opposées F·,, F2 sont ondulées car un gravage ionique réactif profond du type Bosch occasionne une gravure en créneaux structurée par les étapes successives d’attaque et de passivation.Preferably, according to the invention, step 33 is carried out using a deep reactive ion etching in a wafer 23 of a silicon-based material as illustrated in FIG. 7. It can be seen that the opposite faces F 1, F 2 are corrugated because a Bosch deep reactive ion etching causes a structured slot etching by the successive stages of attack and passivation.

[0027] Bien entendu, le procédé ne saurait se limiter à une étape 33 particulière. A titre d’exemple, l’étape 33 pourrait tout aussi bien être obtenue par un gravage chimique dans une plaquette 23 d’un matériau par exemple à base de silicium. De plus, l’étape 33 signifie que un ou plusieurs spiraux sont formés, c’est-à-dire que l’étape 33 permet de former des spiraux en vrac ou alternativement formés dans une plaquette d’un matériau.Of course, the method can not be limited to a particular step 33. By way of example, step 33 could equally well be obtained by chemical etching in a wafer 23 of a material for example based on silicon. In addition, step 33 means that one or more spirals are formed, i.e., step 33 makes it possible to form bulk spirals or alternately formed in a wafer of a material.

[0028] Par conséquent, lors de l’étape 33, plusieurs spiraux 5a peuvent être formés dans la même plaquette 23 selon des dimensions Da, H-i, E-ι supérieures aux dimensions Db, H3, E3 nécessaires pour obtenir plusieurs spiraux 5c d’une raideur C prédéterminée ou plusieurs spiraux 5c de plusieurs raideurs C prédéterminées.Therefore, during the step 33, several spirals 5a can be formed in the same plate 23 according to dimensions Da, Hi, E-ι greater than the dimensions Db, H3, E3 necessary to obtain several spirals 5c d ' a predetermined stiffness C or several spirals 5c of several predetermined stiffnesses C.

[0029] L’étape 33 ne se limite pas non plus à la formation d’un spiral 5a selon des dimensions Da, H-ι, E-ι supérieures aux dimensions Db, H3, E3 nécessaires pour obtenir un spiral 5c d’une raideur C prédéterminée, formé à l’aide d’un unique matériau. Ainsi, l’étape 33 pourrait tout aussi bien former un spiral 5a selon des dimensions Da, H-ι, E-ι supérieures aux dimensions Db, H3, E3 nécessaires pour obtenir un spiral 5c d’une raideur C prédéterminée en un matériau composite, c’est-à-dire comportant plusieurs matériaux distincts.Step 33 is also not limited to the formation of a hairspring 5a in dimensions Da, H-ι, E-ι greater than the dimensions Db, H3, E3 needed to obtain a hairspring 5c of a predetermined stiffness C, formed using a single material. Thus, step 33 could equally well form a hairspring 5a with dimensions Da, H-ι, E-ι greater than the dimensions Db, H3, E3 necessary to obtain a hairspring 5c of a predetermined stiffness C of a composite material that is to say comprising several different materials.

[0030] Le procédé 31 comporte une deuxième étape 35 destinée à déterminer la raideur du spiral 5a. Une telle étape 35 peut être réalisée directement sur le spiral 5a encore attaché à la plaquette 23 ou sur le spiral 5a préalablement détaché de la plaquette 23, sur l’ensemble ou sur un échantillon des spiraux encore attachés à une plaquette 23 ou sur un échantillon de spiraux préalablement détachés d’une plaquette 23.The method 31 comprises a second step 35 for determining the stiffness of the hairspring 5a. Such a step 35 may be carried out directly on the hairspring 5a still attached to the wafer 23 or on the hairspring 5a previously detached from the wafer 23, on the whole or on a sample of the spirals still attached to a wafer 23 or on a sample spirals previously detached from a wafer 23.

[0031] Préférentiellement selon l’invention, le spiral 5a étant ou non détaché de la plaquette 23, l’étape 35 comporte une première phase destinée à mesurer la fréquence / d’un ensemble comportant le spiral 5a couplé avec un balancier doté d’une inertie/prédéterminée puis, à l’aide de la relation (5), en déduire, dans une deuxième phase, la raideur C du spiral 5a.Preferably according to the invention, the hairspring 5a being detached or not from the wafer 23, the step 35 comprises a first phase intended to measure the frequency / of an assembly comprising the hairspring 5a coupled with a balance provided with a predetermined inertia and then, using the relationship (5), deduce, in a second phase, the stiffness C spiral 5a.

[0032] Une telle phase de mesure peut notamment être dynamique et réalisée selon les enseignements du document EP 2 423 764, incorporé par référence à la présente demande. Toutefois, alternativement, une méthode statique, réalisée selon les enseignements du document EP 2 423 764, peut également être mise en œuvre pour déterminer la raideur C du spiral 5a.Such a measurement phase can in particular be dynamic and carried out according to the teachings of document EP 2 423 764, incorporated by reference into the present application. However, alternatively, a static method, carried out according to the teachings of document EP 2 423 764, can also be implemented to determine the stiffness C of the spiral 5a.

[0033] Bien entendu, comme expliqué ci-dessus, le procédé ne se limitant pas au gravage d’un unique spiral par plaquette, l’étape 35 peut également consister en une détermination de la raideur moyenne d’un échantillon représentatif ou de l’ensemble des spiraux formés sur une même plaquette.Of course, as explained above, the method is not limited to the etching of a single spiral per wafer, step 35 may also consist of a determination of the average stiffness of a representative sample or the set of spirals formed on the same plate.

[0034] Avantageusement selon l’invention, à partir de la détermination de la raideur C du spiral 5a, le procédé 31 comporte une étape 37 destinée à calculer, à l’aide de la relation (2), l’épaisseur de matériau à retirer sur l’ensemble du spiral pour obtenir les dimensions globales Db nécessaires pour obtenir ledit spiral 5c d’une raideur C prédéterminée, c’est-à-dire le volume de matériau à retirer de manière homogène ou non sur la surface du spiral 5a.Advantageously according to the invention, from the determination of the stiffness C of the spiral 5a, the method 31 comprises a step 37 intended to calculate, using the relation (2), the thickness of material to withdrawing on the assembly of the hairspring to obtain the overall dimensions Db necessary to obtain said hairspring 5c of a predetermined stiffness C, that is to say the volume of material to be removed homogeneously or not on the surface of the hairspring 5a .

[0035] Le procédé se poursuit avec une étape 39 destinée à retirer la matière excédentaire du spiral 5a jusqu’aux dimensions Db nécessaires pour obtenir ledit spiral 5c d’une raideur C prédéterminée. On comprend donc qu’il importe peu que les variations géométriques soient intervenues sur l’épaisseur et/ou la hauteur et/ou la longueur du spiral 5a dans la mesure où, selon l’équation (2), c’est le produit h e3 qui détermine la rigidité de la spire.The method is continued with a step 39 for removing the excess material of the hairspring 5a to the dimensions Db necessary to obtain said hairspring 5c of a predetermined stiffness C. It is therefore understood that it does not matter that the geometric variations have occurred on the thickness and / or the height and / or the length of the hairspring 5a insofar as, according to equation (2), it is the product h e3 which determines the rigidity of the turn.

[0036] Ainsi, une épaisseur homogène sur toute la surface externe peut être retirée, une épaisseur non homogène sur toute la surface externe peut être retirée, une épaisseur homogène seulement sur une partie de la surface externe peut être retirée ou une épaisseur non homogène seulement sur une partie de la surface externe peut être retirée. A titre d’exemple, l’étape 37 pourrait consister à ne retirer de la matière que selon l’épaisseur E-ι ou selon la hauteur H-ι du spiral 5a.Thus, a uniform thickness over the entire outer surface can be removed, a non-uniform thickness over the entire outer surface can be removed, a uniform thickness only on a portion of the outer surface can be removed or a non-uniform thickness only on part of the outer surface can be removed. By way of example, step 37 could consist of removing material only according to the thickness E-ι or the height H-ι of the spiral 5a.

[0037] Dans une première variante se rapportant à un matériau à base de silicium, l’étape 39 comporte une première phase d1 destinée à oxyder le spiral 5a afin de transformer ladite épaisseur de matériau à base de silicium à retirer en dioxyde de silicium et ainsi former un spiral 5b oxydé. Une telle phase d1 peut, par exemple, être obtenue par oxydation thermique. Une telle oxydation thermique peut, par exemple, être réalisée entre 800 et 1200 °C sous atmosphère oxydante à l’aide de vapeur d’eau ou de gaz de dioxygène permettant de former de l’oxyde de silicium sur le spiral 5a.In a first variant relating to a silicon-based material, step 39 comprises a first phase d1 intended to oxidize the hairspring 5a in order to transform said thickness of silicon-based material to be removed into silicon dioxide and thus forming an oxidized spiral 5b. Such a phase d1 can, for example, be obtained by thermal oxidation. Such thermal oxidation can, for example, be carried out between 800 and 1200 ° C under an oxidizing atmosphere using water vapor or oxygen gas to form silicon oxide on the spiral 5a.

[0038] Comme visible à la fig. 4, la section du spiral 5b comporte une hauteur H2 et une épaisseur E2. On s’aperçoit que le spiral 5b est formé d’une partie centrale 22 à base de silicium selon les dimensions globales Db nécessaires pour le spiral 5c à ladite raideur C prédéterminée et une partie périphérique 24 en dioxyde de silicium. De plus, il est visible que la forme en créneaux est toujours reproduite sur une portion de la partie périphérique 24 mais n’est plus ou peu présente la partie centrale 22.As shown in FIG. 4, the spiral section 5b has a height H2 and a thickness E2. It can be seen that the hairspring 5b is formed of a central part 22 based on silicon according to the overall dimensions Db required for the hairspring 5c at said predetermined stiffness C and a peripheral portion 24 made of silicon dioxide. In addition, it is visible that the crenellated form is always reproduced on a portion of the peripheral portion 24 but is no longer or less present the central portion 22.

[0039] L’étape 39 se termine, comme illustré à la fig. 5, avec une deuxième phase d2 destinée à retirer l’oxyde du spiral 5b permettant d’obtenir un spiral 5c avec la partie 22 unique à base de silicium aux dimensions globales Db nécessaires pour obtenir ladite raideur C prédéterminée, la section comportant notamment une hauteur H3 et une épaisseur E3. Une telle phase d2 peut, par exemple, être obtenue par gravage chimique. Un tel bain chimique peut comporter, par exemple, un acide fluorhydrique permettant de retirer l’oxyde de silicium du spiral 5b.Step 39 ends, as shown in FIG. 5, with a second phase d2 intended to remove the oxide of the spiral 5b making it possible to obtain a spiral 5c with the single silicon-based part 22 with the overall dimensions Db necessary to obtain said predetermined stiffness C, the section comprising in particular a height H3 and a thickness E3. Such a phase d2 may, for example, be obtained by chemical etching. Such a chemical bath may comprise, for example, a hydrofluoric acid for removing the silicon oxide spiral 5b.

[0040] Dans une deuxième variante, l’étape 39 comporte une unique phase d3 destinée à graver chimiquement le spiral 5a afin d’obtenir le spiral 5c à base de silicium aux dimensions Db, H3, E3 nécessaires à ladite raideur C prédéterminée. Bien entendu, suivant le matériau utilisé, d’autres variantes comme le gravage laser ou le gravage ionique localisé, permettant de retirer la matière excédentaire du spiral 5a jusqu’aux dimensions Db nécessaires pour obtenir ledit spiral 5c d’une raideur C prédéterminée, peuvent être envisagées.In a second variant, step 39 comprises a single phase d3 for etching the spiral 5a to obtain the spiral 5c silicon-based dimensions Db, H3, E3 required for said predetermined stiffness C. Of course, depending on the material used, other variants such as laser etching or localized ion etching, for removing the excess material from the hairspring 5a to the dimensions Db necessary to obtain said hairspring 5c of a predetermined stiffness C, can to be considered.

[0041] L’étape 39 peut finir le procédé 31. Toutefois, après l’étape 39, le procédé 31 peut également effectuer, au moins une nouvelle fois, les étapes 35, 37 et 39 dans le but d’encore affiner la qualité dimensionnelle du spiral. Ces itérations des étapes 35, 37 et 39 peuvent, par exemple, trouver un intérêt particulier quand l’exécution de la première itération des étapes 35, 37 et 39 est réalisée sur l’ensemble, ou sur un échantillon, des spiraux encore attachés à une plaquette 23, puis dans une deuxième itération, sur l’ensemble, ou un échantillon, des spiraux préalablement détachés de la plaquette 23 ayant subi la première itération.Step 39 may finish process 31. However, after step 39, method 31 may also perform, at least one more time, steps 35, 37 and 39 in order to further refine the quality. dimensional spiral. These iterations of steps 35, 37 and 39 may, for example, be of particular interest when the execution of the first iteration of steps 35, 37 and 39 is performed on the set, or on a sample, of the spirals still attached to a wafer 23, then in a second iteration, on the assembly, or a sample, spirals previously detached from the wafer 23 having undergone the first iteration.

[0042] Le procédé 31 peut également se poursuivre avec tout ou partie du processus 40 illustré à la fig. 8 comportant des étapes optionnelles 41,43 et 45. Avantageusement selon l’invention, le procédé 31 peut ainsi se poursuivre avec l’étape 41 destinée à former, sur au moins une partie du spiral 5c, une portion 28 permettant de former un spiral 5, 15 moins sensible aux variations thermiques.The method 31 may also continue with all or part of the process 40 illustrated in FIG. 8 comprising optional steps 41, 43 and 45. Advantageously according to the invention, the method 31 can thus be continued with the step 41 intended to form, on at least a part of the hairspring 5c, a portion 28 making it possible to form a hairspring 5, 15 less sensitive to thermal variations.

[0043] Dans une première variante, l’étape 41 peut consister en une phase e1 destinée à déposer une couche sur une partie de la surface externe dudit spiral 5c d’une raideur C prédéterminée.In a first variant, step 41 may consist of a phase e1 for depositing a layer on a portion of the outer surface of said hairspring 5c of a predetermined stiffness C.

[0044] Dans le cas où la partie 22 est un matériau à base de silicium, la phase e1 peut consister à oxyder le spiral 5c pour le revêtir de dioxyde de silicium afin de former un spiral qui est thermocompensé. Une telle phase e1 peut, par exemple, être obtenue par oxydation thermique. Une telle oxydation thermique peut, par exemple, être réalisée entre 800 et 1200 °C sous atmosphère oxydante à l’aide de vapeur d’eau ou de gaz de dioxygène permettant de former de l’oxyde de silicium sur le spiral 5c.In the case where the portion 22 is a silicon-based material, the e1 phase may consist of oxidizing the spiral 5c to coat with silicon dioxide to form a spiral which is thermocompensated. Such a phase e1 can, for example, be obtained by thermal oxidation. Such thermal oxidation can, for example, be carried out between 800 and 1200 ° C under an oxidizing atmosphere using water vapor or oxygen gas to form silicon oxide on the spiral 5c.

[0045] On obtient ainsi le spiral 5,15 compensateur comme illustré à la fig. 6 qui, avantageusement selon l’invention, comporte une âme 26 à base de silicium et un revêtement 28 à base d’oxyde de silicium. Avantageusement selon l’invention, le spiral 5, 15 compensateur possède donc une très haute précision dimensionnelle notamment quant à la hauteur H4 et de l’épaisseur E4, et, incidemment, une compensation thermique de l’ensemble du résonateur 1 très fine.Thus the balance spring 5,15 is obtained as shown in FIG. 6 which, advantageously according to the invention, comprises a core 26 based on silicon and a coating 28 based on silicon oxide. Advantageously according to the invention, the balance spring 5, 15 compensator therefore has a very high dimensional accuracy especially as to the height H4 and the thickness E4, and, incidentally, a thermal compensation of the entire resonator 1 very thin.

[0046] Dans le cas d’un spiral à base de silicium, les dimensions globales Db peuvent être trouvées en utilisant les enseignements du document EP 1 422 436 pour l’appliquer au résonateur 1 qui est destiné à être fabriqué, c’est-à-dire pour compenser l’ensemble des parties constituantes du résonateur 1 comme expliqué ci-dessus.In the case of a silicon-based hairspring, the overall dimensions Db can be found by using the teachings of EP 1 422 436 to apply it to the resonator 1 which is intended to be manufactured, that is, that is, to compensate for all the constituent parts of the resonator 1 as explained above.

[0047] Dans une deuxième variante, l’étape 41 peut consister en une phase e2 destinée à modifier la structure selon une profondeur prédéterminée d’une partie de la surface externe dudit spiral 5c d’une raideur C prédéterminée. A titre d’exemple, si un silicium amorphe est utilisé, il peut être prévu de le cristalliser selon une profondeur prédéterminée.In a second variant, the step 41 may consist of a phase e2 intended to modify the structure to a predetermined depth of a portion of the outer surface of said hairspring 5c of predetermined stiffness C. For example, if an amorphous silicon is used, it can be expected to crystallize it to a predetermined depth.

[0048] Dans une troisième variante, l’étape 41 peut consister en une phase e3 destinée à modifier la composition selon une profondeur prédéterminée d’une partie de la surface externe dudit spiral 5c d’une raideur C prédéterminée. A titre d’exemple, si un silicium monocristallin ou polycristallin est utilisé, il peut être prévu de le doper ou d’y diffuser des atomes interstitiels ou de substitution selon une profondeur prédéterminée.In a third variant, the step 41 may consist of a phase e3 intended to modify the composition to a predetermined depth of a portion of the outer surface of said hairspring 5c of predetermined stiffness C. For example, if a monocrystalline or polycrystalline silicon is used, it may be provided to dope or to diffuse interstitial or substitutional atoms to a predetermined depth.

[0049] Avantageusement selon l’invention, il est ainsi possible de fabriquer, comme illustré à la fig. 2, sans plus de complexité un spiral 5c, 5, 15 comportant notamment: - une ou plusieurs spires de section(s) plus précise(s) que celle obtenue par un unique gravage; - des variations d’épaisseur et/ou de pas le long de la spire; - une virole 17 monobloc; - une spire interne 19 du type à courbe Grossmann; - une attache 14 de pitonnage monobloc; - un élément d’encastrement externe monobloc; - une portion 13 de la spire externe 12 surépaissie par rapport au reste des spires.Advantageously according to the invention, it is thus possible to manufacture, as illustrated in FIG. 2, without more complexity a hairspring 5c, 5, 15 comprising in particular: - one or more turns of section (s) more accurate (s) than that obtained by a single engraving; variations in thickness and / or pitch along the turn; a shell 17 in one piece; an internal turn 19 of the Grossmann curve type; a fastener 14 for one-piece punctuation; - an integral external mounting element; - A portion 13 of the outer coil 12 thickened relative to the rest of the turns.

[0050] Enfin, le procédé 31 peut également comporter l’étape 45 destinée à assembler un spiral compensateur 5, 15 obtenu lors de l’étape 41, ou un spiral 5c obtenu lors de l’étape 39, avec un balancier d’inertie prédéterminée obtenu lors de l’étape 43 pour former un résonateur 1 du type balancier-spiral qui est compensé thermiquement ou non, c’est-à-dire dont la fréquence / est sensible ou non aux variations de température.Finally, the method 31 may also comprise step 45 intended to assemble a compensating hairspring 5, 15 obtained during step 41, or a hairspring 5c obtained during step 39, with a balance of inertia. predetermined step obtained in step 43 to form a resonator 1 spiral balance type which is thermally compensated or not, that is to say whose frequency / is sensitive or not to temperature changes.

[0051] Bien entendu, la présente invention ne se limite pas à l’exemple illustré mais est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l’homme de l’art. En particulier, comme expliqué ci-dessus, le balancier, même s’il corn-Of course, the present invention is not limited to the illustrated example but is susceptible to various variations and modifications that will occur to those skilled in the art. In particular, as explained above, the pendulum, even if it

Claims (18)

porte une inertie prédéfinie de construction, peut comporter des masselottes déplaçables permettant d’offrir un paramètre de réglage avant ou après la vente de la pièce d’horlogerie. [0052] De plus, une étape supplémentaire, entre l’étape 39 et l’étape 41, ou entre l’étape 39 et l’étape 45, pourrait être prévue afin de déposer d’une couche fonctionnelle ou esthétique, comme, par exemple, une couche de durcissement ou une couche luminescente. [0053] Il est également envisageable dans le cas où le procédé 31 effectue, après l’étape 39, une ou plusieurs itération (s) des étapes 35, 37 et 39 que l’étape 35 ne soit pas systématiquement mise en œuvre. Revendicationscarries a predefined inertia of construction, may comprise movable weights to provide a setting parameter before or after the sale of the timepiece. In addition, an additional step, between step 39 and step 41, or between step 39 and step 45, could be provided in order to deposit a functional or aesthetic layer, such as for example, a curing layer or a luminescent layer. It is also conceivable in the case where the method 31 performs, after step 39, one or more iteration (s) of steps 35, 37 and 39 that step 35 is not systematically implemented. claims 1. Procédé (31) de fabrication d’un spiral (5c) d’une raideur (C) prédéterminée comportant les étapes suivantes: a) former (33) un spiral (5a) selon des dimensions (Da, H-i, E-ι) supérieures aux dimensions (Db, H3, E3) nécessaires pour obtenir ledit spiral (5c) d’une raideur (C) prédéterminée; b) déterminer (35) la raideur (C) du spiral (5a) formé lors de l’étape a); c) calculer (37) l’épaisseur de matériau à retirer pour obtenir les dimensions (Db, H3, E3) nécessaires pour obtenir ledit spiral (5c) d’une raideur (C) prédéterminée; d) retirer (39) du spiral (5a) formé lors de l’étape a), ladite épaisseur de matériau permettant d’obtenir le spiral (5c) aux dimensions (Db, H3, E3) nécessaires à ladite raideur (C) prédéterminée.1. Method (31) for manufacturing a spiral (5c) of a predetermined stiffness (C) comprising the following steps: a) forming (33) a spiral (5a) according to dimensions (Da, Hi, E-i ) greater than the dimensions (Db, H3, E3) necessary to obtain said hairspring (5c) of a predetermined stiffness (C); b) determining (35) the stiffness (C) of the hairspring (5a) formed in step a); c) calculating (37) the thickness of material to be removed to obtain the dimensions (Db, H3, E3) necessary to obtain said hairspring (5c) of a predetermined stiffness (C); d) removing (39) from the hairspring (5a) formed during step a), said material thickness making it possible to obtain the hairspring (5c) with the dimensions (Db, H3, E3) necessary for said predetermined stiffness (C) . 2. Procédé (31) de fabrication selon fa revendication précédente, caractérisé en ce que, lors de l’étape a), les dimensions (Da, H-ι, E·,) du spiral (5a) formé lors de l’étape a) sont entre 1% et 20% supérieures à celles (Db, H3, E3) nécessaires pour obtenir ledit spiral (5c) à ladite raideur (C) prédéterminée.2. Method (31) of manufacture according to the preceding claim, characterized in that, in step a), the dimensions (Da, H-ι, E ·) of the spiral (5a) formed during the step a) are between 1% and 20% higher than those (Db, H3, E3) necessary to obtain said hairspring (5c) at said predetermined stiffness (C). 3. Procédé (31) de fabrication selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l’étape a) est réalisée à l’aide d’un gravage ionique réactif profond.3. Method (31) of manufacture according to claim 1 or 2, characterized in that step a) is carried out using a deep reactive ion etching. 4. Procédé (31) de fabrication selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l’étape a) est réalisée à l’aide d’un gravage chimique.4. Method (31) of manufacture according to claim 1 or 2, characterized in that step a) is carried out using a chemical etching. 5. Procédé (31) de fabrication selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que, lors de l’étape a), plusieurs spiraux (5a) sont formés dans une même plaquette (23) selon des dimensions (Da, H·,, E·,) supérieures aux dimensions (Db, H3, E3) nécessaires pour obtenir plusieurs spiraux (5c) d’une raideur (C) prédéterminée ou plusieurs spiraux (5c) de plusieurs raideurs (C) prédéterminées.5. Method (31) of manufacture according to one of the preceding claims, characterized in that, in step a), several spirals (5a) are formed in a same plate (23) in dimensions (Da, H · ,, E ·,) greater than the dimensions (Db, H3, E3) necessary to obtain several spirals (5c) of a predetermined stiffness (C) or several spirals (5c) of several predetermined stiffnesses (C). 6. Procédé (31) de fabrication selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le spiral (5a) formé lors de l’étape a) est à base de silicium.6. Method (31) of manufacture according to one of the preceding claims, characterized in that the spiral (5a) formed in step a) is based on silicon. 7. Procédé (31) de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le spiral (5a) formé lors de l’étape a) est à base de verre.7. Method (31) of manufacture according to one of claims 1 to 5, characterized in that the spiral (5a) formed in step a) is based on glass. 8. Procédé (31) de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le spiral (5a) formé lors de l’étape a) est à base de céramique.8. Method (31) of manufacture according to one of claims 1 to 5, characterized in that the spiral (5a) formed in step a) is based on ceramics. 9. Procédé (31) de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le spiral (5a) formé lors de l’étape a) est à base de métal.9. The method (31) of manufacture according to one of claims 1 to 5, characterized in that the spiral (5a) formed in step a) is based on metal. 10. Procédé (31) de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le spiral (5a) formé lors de l’étape a) est à base d’alliage métallique.10. Method (31) of manufacture according to one of claims 1 to 5, characterized in that the spiral (5a) formed in step a) is based on metal alloy. 11. Procédé (31) de fabrication selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l’étape b) comporte les phases suivantes: b1) mesurer la fréquence (/) d’un ensemble comportant le spiral (5a) formé lors de l’étape a) couplé avec un balancier doté d’une inertie prédéterminée; b2) déduire de la fréquence (/) mesurée, la raideur (C) du spiral (5a) formé lors de l’étape a).11. Method (31) of manufacture according to one of the preceding claims, characterized in that step b) comprises the following phases: b1) measure the frequency (/) of an assembly comprising the spiral (5a) formed during of step a) coupled with a beam having a predetermined inertia; b2) deduce from the frequency (/) measured, the stiffness (C) of the spiral (5a) formed during step a). 12. Procédé (31) de fabrication selon la revendication 6, caractérisé en ce que l’étape d) comporte les phases suivantes: d1) oxyder le spiral (5a) formé lors de l’étape a) afin de transformer ladite épaisseur de matériau à base de silicium à retirer en dioxyde de silicium et ainsi former un spiral (5b) oxydé; d2) retirer l’oxyde du spiral (5b) oxydé permettant d’obtenir le spiral (5c) aux dimensions (Db, H3, E3) nécessaires à ladite raideur (C) prédéterminée.12. Method (31) of manufacture according to claim 6, characterized in that step d) comprises the following phases: d1) oxidize the spiral (5a) formed during step a) to transform said thickness of material silicon-based material to be removed from silicon dioxide and thus forming an oxidized spiral (5b); d2) removing the oxidized spiral oxide (5b) for obtaining the spiral (5c) to the dimensions (Db, H3, E3) required for said predetermined stiffness (C). 13. Procédé (31) de fabrication selon l’une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que l’étape d) comporte la phase suivante: d3) graver chimiquement le spiral (5a) formé lors de l’étape a) afin d’obtenir le spiral (5c) aux dimensions (Db, H3, E3) nécessaires à ladite raideur (C) prédéterminée.13. The method (31) of manufacture according to one of claims 1 to 11, characterized in that step d) comprises the following phase: d3) etch the spiral (5a) formed in step a) so to obtain the hairspring (5c) of dimensions (Db, H3, E3) necessary for said predetermined stiffness (C). 14. Procédé (31) de fabrication selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que, après l’étape d), le procédé effectue au moins une nouvelle fois les étapes b), c) et d) pour affiner la qualité dimensionnelle.14. Method (31) for manufacturing according to one of the preceding claims, characterized in that, after step d), the method performs at least one more time steps b), c) and d) to refine the quality dimensional. 15. Procédé (31) de fabrication selon l’une des revendications précédentes, caractérisé en ce que, après l’étape d), le procédé comporte, en outre, l’étape suivante: e) former, sur au moins une partie dudit spiral (5c) d’une raideur (C) prédéterminée, une portion permettant de corriger la raideur du spiral (5c) et de former un spiral (5, 15) moins sensible aux variations thermiques.15. Method (31) for manufacturing according to one of the preceding claims, characterized in that, after step d), the method further comprises the following step: e) forming, on at least a part of said spiral (5c) of a stiffness (C) predetermined, a portion for correcting the stiffness of the spiral (5c) and forming a spiral (5, 15) less sensitive to thermal variations. 16. Procédé (31) de fabrication selon la revendication 15, caractérisé en ce que l’étape e) comporte la phase suivante: e1) déposer une couche sur une partie de la surface externe dudit spiral (5c) d’une raideur (C) prédéterminée.16. The method (31) of manufacture according to claim 15, characterized in that step e) comprises the following phase: e1) depositing a layer on a portion of the outer surface of said spring (5c) of a stiffness (C ) predetermined. 17. Procédé (31) de fabrication selon la revendication 15, caractérisé en ce que l’étape e) comporte la phase suivante: e2) modifier la structure selon une profondeur prédéterminée d’une partie de la surface externe dudit spiral (5c) d’une raideur (C) prédéterminée.17. The method (31) of manufacture according to claim 15, characterized in that step e) comprises the following phase: e2) modifying the structure to a predetermined depth of a portion of the outer surface of said hairspring (5c) d a predetermined stiffness (C). 18. Procédé (31) de fabrication selon la revendication 15, caractérisé en ce que l’étape e) comporte la phase suivante: e3) modifier la composition selon une profondeur prédéterminée d’une partie de la surface externe dudit spiral (5c) d’une raideur (C) prédéterminée.18. Method (31) of manufacture according to claim 15, characterized in that step e) comprises the following step: e3) modifying the composition to a predetermined depth of a portion of the outer surface of said hairspring (5c) d a predetermined stiffness (C).
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