CH703289B1 - Device for encapsulating MEMS. - Google Patents
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Abstract
L’invention se rapporte à un dispositif d’encapsulage (3) pour un système électro-micromécanique (5) comportant un boîtier (7) comprenant une partie principale (2) formant une cavité (10) qui est fermée hermétiquement par un couvercle (4) à l’aide de moyens d’étanchéité (6). Selon l’invention, les moyens d’étanchéité (6) comportent un alliage formé par du nickel avec un matériau dont le point de fusion est inférieur à 250 °C afin de permettre son interdiffusion à l’état liquide avec le nickel. L’invention concerne le domaine des composants électroniques comportant un résonateur ou plus généralement un MEMS.The invention relates to an encapsulation device (3) for an electromicromechanical system (5) comprising a housing (7) comprising a main part (2) forming a cavity (10) which is hermetically closed by a cover ( 4) with sealing means (6). According to the invention, the sealing means (6) comprise an alloy formed of nickel with a material whose melting point is less than 250 ° C in order to allow its interdiffusion in the liquid state with nickel. The invention relates to the field of electronic components comprising a resonator or more generally a MEMS.
Description
Description Description
Domaine de l’invention Field of the invention
[0001 ] L’invention se rapporte à un système d’encapsulage pour un système électro-micromécanique (également connu sous l’abréviation MEMS provenant des termes anglais «Micro Electro Mechanical System») et, notamment, pour un MEMS du type résonateur à quartz. The invention relates to an encapsulation system for an electromicromechanical system (also known by the abbreviation MEMS from the English term "Micro Electro Mechanical System") and, in particular, for a MEMS resonator type to quartz.
Arrière-plan de l’invention Background of the invention
[0002] Les composants électroniques ayant un MEMS sont formés généralement par un boîtier hermétiquement fermé dans lequel est monté le MEMS. Un tel boîtier comprend en général une partie principale creuse fermée par un couvercle. The electronic components having a MEMS are generally formed by a hermetically sealed housing in which the MEMS is mounted. Such a housing generally comprises a hollow main portion closed by a cover.
[0003] Le MEMS peut être par exemple un résonateur piézoélectrique, tel qu’un résonateur à quartz destiné à être relié à un circuit oscillateur. La plupart des résonateurs à quartz de petites dimensions, qui sont utilisés par exemple dans les montres électroniques ou électromécaniques, sont des résonateurs du type diapason. The MEMS may for example be a piezoelectric resonator, such as a quartz resonator intended to be connected to an oscillator circuit. Most small crystal resonators, which are used for example in electronic or electromechanical watches, are tuning fork type resonators.
[0004] De tels résonateurs à quartz sont habituellement enfermés sous vide dans des boîtiers, dans le cas de la génération de signaux basse fréquence fournis par le circuit oscillateur, ou sous atmosphère de gaz inerte. De plus, une partie du couvercle peut être transparente à une longueur d’onde déterminée d’un faisceau de lumière afin de permettre le réglage optique du résonateur à quartz. Such quartz resonators are usually enclosed under vacuum in housings, in the case of the generation of low frequency signals provided by the oscillator circuit, or under an inert gas atmosphere. In addition, a portion of the cover may be transparent at a specific wavelength of a light beam to allow optical adjustment of the quartz resonator.
[0005] Généralement, de tels résonateurs sont montés dans des boîtiers par exemple en céramique qui sont relativement plats. Ces boîtiers comprennent une partie principale creuse de forme parallélépipédique à l’intérieur de laquelle est monté le résonateur, et un couvercle rectangulaire fixé sur la partie principale. Generally, such resonators are mounted in housings for example ceramic which are relatively flat. These housings comprise a hollow main part of parallelepiped shape inside which is mounted the resonator, and a rectangular cover fixed on the main part.
[0006] Afin d’assurer l’étanchéité entre le couvercle et la partie principale, actuellement, on utilise un joint en alliage métallique à base d’or et d’étain qui est rapporté entre les deux parties puis l’ensemble est chauffé afin de sceller définitivement le boîtier. To ensure the seal between the lid and the main part, currently, using a metal alloy gasket based on gold and tin which is reported between the two parts and the whole is heated to to permanently seal the case.
[0007] Ces alliages à base d’or et d’étain présentent les inconvénients d’utiliser des matériaux intrinsèquement chers et de posséder un point de fusion relativement bas, c’est-à-dire autour de 278 °C. Cette dernière caractéristique limite les procédés possibles lors de ou après la connexion du boîtier. On comprend en effet qu’aucun traitement thermique supérieur à 280 °C réalisé ultérieurement à la connexion n’est possible sous risque de descellement du boîtier. These alloys based on gold and tin have the disadvantages of using intrinsically expensive materials and having a relatively low melting point, that is to say around 278 ° C. This last characteristic limits the possible methods during or after the connection of the housing. It is understood that no heat treatment greater than 280 ° C achieved later connection is possible under risk of loosening the housing.
Résumé de l’invention Summary of the invention
[0008] Le but de la présente invention est de pallier tout ou partie les inconvénients cités précédemment en proposant un nouveau type de moyens d’étanchéité. The object of the present invention is to overcome all or part of the disadvantages mentioned above by proposing a new type of sealing means.
[0009] A cet effet, l’invention se rapporte à un dispositif d’encapsulage pour un système électro-micromécanique comportant un boîtier comprenant une partie principale formant une cavité qui est fermée hermétiquement par un couvercle à l’aide de moyens d’étanchéité caractérisé en ce que les moyens d’étanchéité comportent un alliage formé par du nickel avec un matériau dont le point de fusion est inférieur à 250 °C afin de permettre son interdiffusion à l’état liquide avec le nickel. For this purpose, the invention relates to an encapsulation device for an electromicromechanical system comprising a housing comprising a main part forming a cavity which is hermetically closed by a cover by means of sealing means characterized in that the sealing means comprises an alloy formed of nickel with a material whose melting point is less than 250 ° C to allow its interdiffusion in the liquid state with nickel.
[0010] A partir des boîtiers actuels dont les métallisations comportent déjà du nickel, on comprend donc que seul le matériau à bas point de fusion est nécessaire d’être rapporté pour effectuer l’herméticité du boîtier. De plus, la base en nickel est sensiblement moins chère que celle en or et permet en outre d’obtenir au moins un intermétallique dont le point de fusion est situé à une température plus élevée que les moyens d’étanchéité actuels. From the current housings whose metallizations already include nickel, it is therefore understood that only the low melting point material is necessary to be reported to achieve hermeticity of the housing. In addition, the nickel base is substantially less expensive than gold and also provides at least one intermetallic whose melting point is at a higher temperature than the current sealing means.
[0011 ] Conformément à d’autres caractéristiques avantageuses de l’invention: According to other advantageous features of the invention:
- ledit matériau est de l’indium ou de l’étain; said material is indium or tin;
- le boîtier est formé en céramique. the housing is formed of ceramic.
[0012] L’invention se rapporte également à un composant électronique comportant un dispositif d’encapsulage selon l’une des variantes précédentes dans la cavité duquel est monté au moins un système électro-micromécanique. The invention also relates to an electronic component comprising an encapsulation device according to one of the preceding variants in the cavity of which is mounted at least one electromicromechanical system.
[0013] Conformément à d’autres caractéristiques avantageuses de l’invention: According to other advantageous features of the invention:
- la cavité est sous vide ou sous atmosphère contrôlée; the cavity is under vacuum or in a controlled atmosphere;
- le système électro-micromécanique est un résonateur diapason à quartz; the electromicromechanical system is a quartz tuning fork resonator;
- le composant comprend un circuit oscillateur connecté électriquement au système électro-micromécanique; the component comprises an oscillator circuit electrically connected to the electromicromechanical system;
- le circuit oscillateur est monté sur la partie principale. the oscillator circuit is mounted on the main part.
[0014] Enfin, l’invention se rapporte à un procédé de fabrication d’un composant électronique formé par un dispositif d’encapsulage recevant au moins un système électro-micromécanique comportant les étapes suivantes: a) former ledit au moins un système électro-micromécanique; b) former une partie principale formant une cavité et un couvercle comportant des métallisations comprenant au moins une couche de nickel; caractérisé en ce que le procédé comporte en outre les étapes suivantes: c) former une couche intermédiaire en un matériau pur dont le point de fusion est inférieur à 250 °C; [0014] Finally, the invention relates to a method for manufacturing an electronic component formed by an encapsulation device receiving at least one electromicromechanical system comprising the following steps: a) forming said at least one electromechanical system; micromechanical; b) forming a main portion forming a cavity and a cover having metallizations comprising at least one layer of nickel; characterized in that the method further comprises the steps of: c) forming an intermediate layer of pure material having a melting point of less than 250 ° C;
2 d) fixer ledit au moins un système électro-micromécanique dans la cavité; e) assembler le couvercle contre la partie principale afin de recouvrir toute la cavité et en mettant en contact les métallisations et la couche intermédiaire; f) chauffer les métallisations et la couche intermédiaire afin de former par interdiffusion solide-liquide des intermétalliques capables de fermer hermétiquement ledit au moins un système électro-micromécanique dans la cavité. 2 d) fixing said at least one electromicromechanical system in the cavity; e) assembling the cover against the main portion to cover the entire cavity and bringing into contact the metallizations and the intermediate layer; f) heating the metallizations and the intermediate layer to form solid-liquid interdiffusion intermetallic capable of sealing said at least one electromicromechanical system in the cavity.
[0015] Avantageusement, il n’est plus nécessaire de rapporter un alliage pour former l’herméticité du dispositif d’encapsulage mais un matériau pur. De plus, par rapport aux moyens d’étanchéité actuels, il est apparu que les intermétalliques formés à partir du nickel ont des cinétiques de croissance plus lentes ce qui permet avantageusement de mieux contrôler leur formation. Advantageously, it is no longer necessary to report an alloy to form the hermeticity of the encapsulation device but a pure material. In addition, compared to current sealing means, it has emerged that the intermetallics formed from nickel have slower growth kinetics, which advantageously makes it possible to better control their formation.
[0016] Conformément à d’autres caractéristiques avantageuses de l’invention: According to other advantageous features of the invention:
- ledit matériau dont le point de fusion est inférieur à 250 °C est de l’indium ou de l’étain; said material whose melting point is less than 250 ° C. is indium or tin;
- lors de l’étape c), la couche intermédiaire est formée sur au moins une des métallisations ou selon une pièce dont la surface en projection est de forme correspondante à au moins une des métallisations; during step c), the intermediate layer is formed on at least one of the metallizations or in a part whose projection surface is of a shape corresponding to at least one of the metallizations;
- l’étape c) comporte un processus de galvanoplastie ou de sérigraphie; step c) involves an electroplating or screen printing process;
- les métallisations formées lors l’étape b) sont réalisées par sérigraphie et galvanoplastie; the metallizations formed during step b) are produced by screen printing and electroplating;
- l’étape f) est réalisée sous vide ou sous atmosphère contrôlée; step f) is carried out under vacuum or in a controlled atmosphere;
- ledit au moins un système électro-micromécanique est un résonateur diapason à quartz. said at least one electromicromechanical system is a quartz tuning fork resonator.
Description sommaire des dessins Brief description of the drawings
[0017] D’autres particularités et avantages ressortiront clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels: la fig. 1 est une vue de dessus du composant électronique selon l’invention; la fig. 2 est une vue selon la coupe A-A de la fig. 1 du composant électronique selon l’invention; la fig. 3 est un vue agrandie localisée sur l’interface entre le couvercle et le corps creux du boîtier; la fig. 4 est un schéma fonctionnel du procédé de fabrication selon l’invention. Other features and advantages will become apparent from the description which is given below, for information only and in no way limitative, with reference to the accompanying drawings, in which: FIG. 1 is a top view of the electronic component according to the invention; fig. 2 is a view according to section A-A of FIG. 1 of the electronic component according to the invention; fig. 3 is an enlarged view located on the interface between the cover and the hollow body of the housing; fig. 4 is a block diagram of the manufacturing method according to the invention.
Description détaillée des modes de réalisation préférés Detailed Description of the Preferred Embodiments
[0018] Dans la description suivante, toutes les parties du composant électronique qui sont bien connues d’un homme du métier dans ce domaine technique, ne seront pas expliquées en détail. In the following description, all parts of the electronic component that are well known to those skilled in this technical field, will not be explained in detail.
[0019] Le composant électronique 1 est représenté de manière simplifiée aux fig. 1 et 2. Il comporte principalement un dispositif d’encapsulage 3 destiné à recevoir un MEMS 5 de manière hermétique. Le dispositif d’encapsulage 3 comprend un boîtier 7 formé par une partie principale creuse 2 et un couvercle 4 destiné à fermer la partie creuse 2 à l’aide de moyens d’étanchéité 6. The electronic component 1 is shown in a simplified manner in FIGS. 1 and 2. It mainly comprises an encapsulation device 3 for receiving a MEMS 5 hermetically. The encapsulation device 3 comprises a housing 7 formed by a hollow main part 2 and a cover 4 intended to close the hollow part 2 by means of sealing means 6.
[0020] Dans l’exemple illustré aux fig. 1 et 2, le MEMS 5 représenté est un résonateur diapason à quartz, cependant d’autres types de MEMS 5 nécessitant un encapsulage sous vide ou sous atmosphère contrôlée sont également applicables. In the example illustrated in FIGS. 1 and 2, the MEMS 5 shown is a quartz tuning fork resonator, however other types of MEMS requiring encapsulation under vacuum or controlled atmosphere are also applicable.
[0021 ] La partie creuse 2 est généralement de forme parallélépipédique et comporte une portée 8 dans la cavité 10 intérieure destinée à fixer le MEMS 5 en porte-à-faux. Les extrémités libres des parois entourant la cavité 10 sont destinées à recevoir le couvercle 4 de forme sensiblement rectangulaire à l’aide des moyens d’étanchéité 6 afin d’enfermer de manière hermétique le MEMS 5 dans le dispositif d’encapsulage 3. The hollow portion 2 is generally of parallelepipedal shape and has a bearing surface 8 in the inner cavity 10 for fixing the MEMS 5 cantilevered. The free ends of the walls surrounding the cavity 10 are intended to receive the lid 4 of substantially rectangular shape by means of the sealing means 6 in order to hermetically seal the MEMS 5 in the encapsulation device 3.
[0022] A titre d’exemple, le boîtier 7, c’est-à-dire la partie creuse 2 et le couvercle 4, peut être de 5 mm de long, 3,2 mm de large et 1 ,08 mm de haut. De plus, le boîtier 7 est de préférence réalisé en céramique selon une technique habituelle. For example, the housing 7, that is to say the hollow portion 2 and the cover 4, may be 5 mm long, 3.2 mm wide and 1.08 mm high. . In addition, the housing 7 is preferably made of ceramic according to a usual technique.
[0023] Les moyens d’étanchéité 6 sont formés par une succession de couches destinées à adhérer à la céramique et à former la couche autorisant l’herméticité. Avantageusement selon l’invention, les moyens d’étanchéité 6 comportent un alliage à base de nickel associé à un matériau dont le point de fusion est bas, c’est-à-dire très inférieur à celui du nickel comme par exemple de l’ordre de 250 °C maximum. De manière préférée, le matériau utilisé peut être de l’indium ou de l’étain. The sealing means 6 are formed by a succession of layers intended to adhere to the ceramic and to form the layer allowing the hermeticity. Advantageously according to the invention, the sealing means 6 comprise a nickel-based alloy associated with a material whose melting point is low, that is to say much lower than that of nickel such as for example order of 250 ° C maximum. Preferably, the material used may be indium or tin.
[0024] Ces alliages Ni-ln ou Ni-Sn, qui peuvent comporter plusieurs intermétalliques, sont obtenus par une soudure faisant intervenir une interdiffusion solide-liquide, c’est-à-dire que la différence de point de fusion entre l’indium ou l’étain par rapport à celui de nickel permet de fondre un de ces premiers et de le faire diffuser dans la couche de nickel solide afin de former des intermétalliques. These alloys Ni-ln or Ni-Sn, which may comprise several intermetallic, are obtained by a weld involving a solid-liquid interdiffusion, that is to say that the melting point difference between indium or tin relative to that of nickel melts one of these first and spread it in the solid nickel layer to form intermetallic.
[0025] Ces soudures peuvent ainsi être réalisées à «basse» température, c’est-à-dire en dessous de 250 °C tout en acceptant des traitements thermiques postérieurs à des températures bien supérieures induites par les points de fusion des intermétalliques obtenus, c’est-à-dire compris entre 400 °C et 800 °C. These welds can thus be made at "low" temperature, that is to say below 250 ° C while accepting subsequent heat treatments at much higher temperatures induced by the melting points of the resulting intermetallic, that is to say between 400 ° C and 800 ° C.
3 [0026] Avantageusement selon l’invention, les boîtiers céramiques 7 commercialisés actuellement comportent des métallisations 9, 1 1 qui comprennent déjà au moins une couche de nickel. Typiquement, les métallisations 9, 1 1 comportent plusieurs couches formées avec du molybdène et du nickel, ou du tungstène et du nickel, le nickel de chaque métallisation 9, 1 1 étant protégé contre l’oxydation avec un flash d’or. De manière habituelle, les couches de molybdène et de nickel, ou de tungstène et de nickel ont des épaisseurs respectivement de 10 pm et de 5 pm tandis que celle de l’or est d’environ 0,75 pm. Advantageously according to the invention, the ceramic casings 7 currently marketed comprise metallizations 9, 1 1 which already comprise at least one layer of nickel. Typically, the metallizations 9, 1 1 comprise several layers formed with molybdenum and nickel, or tungsten and nickel, the nickel of each metallization 9, 1 1 being protected against oxidation with a flash of gold. Usually, the layers of molybdenum and nickel, or tungsten and nickel have thicknesses of 10 μm and 5 μm, respectively, while that of gold is approximately 0.75 μm.
[0027] Dès lors, on comprend que, pour former les moyens d’étanchéité 6 en un intermétallique nickel-indium ou nickelétain, une seule couche 12 d’indium pur ou d’étain pur est nécessaire pour réaliser la soudure par interdiffusion solide-liquide selon l’invention. Therefore, it is understood that, to form the sealing means 6 in a nickel-indium or nickel-tin intermetallic, a single layer 12 of pure indium or pure tin is necessary to achieve the solid-state interdiffusion welding. liquid according to the invention.
[0028] Par conséquent, le MEMS 5 peut, à l’aide des moyens d’étanchéité 6, être enfermé sous vide ou sous atmosphère contrôlée dans la cavité 10 du dispositif d’encapsulage 3 avec des matériaux moins coûteux et en obtenant au moins un intermétallique dont le point de fusion est situé à une température plus élevée que les moyens d’étanchéité actuels. Therefore, the MEMS 5 can, with the aid of the sealing means 6, be sealed under vacuum or in a controlled atmosphere in the cavity 10 of the encapsulation device 3 with less expensive materials and at least obtaining an intermetallic whose melting point is at a higher temperature than the current sealing means.
[0029] Dans l’exemple illustré aux fig. 1 et 2, le MEMS 5 est un diapason en quartz classique constitué de deux branches 14, 16 parallèles pour vibrer en mode de flexion dont la base commune 13 est fixée sur la portée 8. Les couches de métallisation du MEMS 5 nécessaires à l’actionnement piézoélectrique ainsi que les plages de connexion à un circuit intégré 15 ayant, par exemple, un étage oscillateur ne sont pas présentés en détail car ces éléments ne sont pas déterminants pour l’application de l’invention. In the example illustrated in FIGS. 1 and 2, the MEMS 5 is a conventional quartz tuning fork consisting of two parallel branches 14, 16 for vibrating in bending mode, the common base 13 of which is fixed on the bearing surface 8. The metallization layers of the MEMS 5 necessary for the Piezoelectric actuation as well as the connection pads to an integrated circuit 15 having, for example, an oscillator stage are not presented in detail because these elements are not critical for the application of the invention.
[0030] Le procédé 21 de fabrication du dispositif d’encapsulage 3 va maintenant être expliqué en référence à la figure 4. Le procédé 21 comporte une première étape 23 destinée à fabriquer, de manière indépendante et habituelle, lors de phases 20, 22 et 24, respectivement le MEMS 5, le couvercle 4 et la partie creuse 2. The method 21 for manufacturing the encapsulation device 3 will now be explained with reference to FIG. 4. The method 21 comprises a first step 23 intended to manufacture, independently and habitually, during phases 20, 22 and 24, respectively the MEMS 5, the cover 4 and the hollow part 2.
[0031 ] Ainsi, si le MEMS 5 est un résonateur diapason en quartz, la phase 20 peut consister à graver dans un monocristal de quartz une plaquette, puis graver le corps du diapason dans l’épaisseur de cette plaquette pour enfin instrumenter le diapason, c’est-à-dire déposer les couches électriquement conductrices nécessaires à son fonctionnement. Thus, if the MEMS 5 is a quartz diapason resonator, the phase 20 may consist of etching a wafer in a quartz monocrystal, then etching the body of the tuning fork in the thickness of this wafer to finally instrument the tuning fork, that is to say deposit the electrically conductive layers necessary for its operation.
[0032] Le couvercle 4 et la partie creuse 2 sont préférentiellement formés de manière analogue à l’aide d’une céramique. Pour ce faire, de manière habituelle, plusieurs feuilles de céramique sont ouvragées, empilées et fixées les unes sur les autres. Ensuite, le couvercle 4 et la partie creuse 2 sont partiellement métallisés selon une surface correspondante pour permettre leur futur coopération. The lid 4 and the hollow portion 2 are preferably formed in a similar manner using a ceramic. To do this, in the usual way, several ceramic sheets are carved, stacked and fixed on one another. Then, the lid 4 and the hollow portion 2 are partially metallized to a corresponding surface to allow their future cooperation.
[0033] Comme expliqué ci-dessus, ces métallisations 9, 1 1 peuvent comporter par exemple une succession de couches de molybdène, de nickel et d’or, ou de tungstène, de nickel et d’or. Ces dépôts sont réalisés, par exemple, par sérigraphie pour le molybdène ou le tungstène et, par exemple, par galvanoplastie pour le nickel et l’or. As explained above, these metallizations 9, 1 1 may comprise for example a succession of layers of molybdenum, nickel and gold, or tungsten, nickel and gold. These deposits are made, for example, by screen printing for molybdenum or tungsten and, for example, by electroplating for nickel and gold.
[0034] Avantageusement selon l’invention, la deuxième étape 25 est destinée à former une couche 12 unique en matériau pur dont le point de fusion est bas, c’est-à-dire préférentiellement inférieur à 250 °C, comme par exemple de l’indium ou de l’étain. Suivant le mode de réalisation choisi pour l’étape 29 d’assemblage, cette étape 25 peut consister à former une pièce distincte ou un épaississement de matière de la métallisation 9, 1 1 du couvercle 4 et/ou de la partie creuse 2. Advantageously according to the invention, the second step 25 is intended to form a single layer 12 of pure material whose melting point is low, that is to say preferably less than 250 ° C, such as for example indium or tin. According to the embodiment chosen for the assembly step 29, this step 25 may consist of forming a separate piece or a thickening of material of the metallization 9, 1 1 of the cover 4 and / or of the hollow portion 2.
[0035] On comprend donc que l’étape 25 peut également être effectuée selon divers type de dépôt. Préférentiellement, on utilisera une étape de galvanoplastie soit dans un moule dédié soit directement sur au moins une des métallisations 9, 1 1. Toutefois, un processus de sérigraphie est également envisageable. It is therefore clear that step 25 can also be performed according to various types of deposit. Preferably, an electroplating step is used either in a dedicated mold or directly on at least one of the metallizations 9, 1 1. However, a screen printing process is also conceivable.
[0036] Préférentiellement, la couche 12 comporte une épaisseur de 10 pm afin de garantir une épaisseur de soudure suffisante ainsi que la totale consommation de la couche tout en gardant un temps de procédé assez court. Preferably, the layer 12 has a thickness of 10 microns to ensure a sufficient solder thickness and the total consumption of the layer while keeping a relatively short process time.
[0037] Dans une troisième étape 27, le MEMS 5 est monté dans la cavité 10 de la partie creuse 2 puis, lors de la quatrième étape 29, le boîtier 7 est assemblé en mettant en vis-à-vis les couches 9, 12, 1 1 afin de les mettre en contact. L’étape 29 d’assemblage peut comporter plusieurs modes de réalisation. Ainsi, comme expliqué ci-dessus, l’étape 29 peut consister uniquement à poser le couvercle 4 contre la partie creuse 2 ou à interposer entre ces derniers une pièce intermédiaire formant la couche 12 comportant le matériau qui diffusera dans le nickel compris dans les métallisations 9, 1 1. In a third step 27, the MEMS 5 is mounted in the cavity 10 of the hollow portion 2 and, in the fourth step 29, the housing 7 is assembled by putting the layers 9, 12 opposite each other. , 1 1 in order to put them in contact. The assembly step 29 may comprise several embodiments. Thus, as explained above, step 29 can consist only of placing the lid 4 against the hollow portion 2 or interposing therebetween an intermediate piece forming the layer 12 comprising the material which will diffuse into the nickel included in the metallizations 9, 1 1.
[0038] Enfin, quel que soit le mode de réalisation, le procédé 21 comporte une dernière étape 31 consistant à souder les moyens d’étanchéité 6 pour définitivement sceller le dispositif d’encapsulage 3. Comme expliqué ci-avant, suivant le MEMS 5 à encapsuler, l’étape 31 et, éventuellement, l’étape 29 est (sont) réalisée(s) sous vide ou sous atmosphère contrôlée. Finally, whatever the embodiment, the method 21 comprises a last step 31 of welding the sealing means 6 to permanently seal the encapsulation device 3. As explained above, according to the MEMS 5 to encapsulate, step 31 and, optionally, step 29 is (are) carried out under vacuum or controlled atmosphere.
[0039] L’étape 31 consiste principalement à presser le couvercle 4 contre le la partie creuse 2 tout en liquéfiant par chauffage la couche 12 afin qu’elle diffuse dans le nickel des métallisations 9, 1 1 pour former au moins un intermétallique favorisant l’herméticité du dispositif d’encapsulage 3 même pour des températures comprises entre 400 et 800 °C. De plus, par rapport aux moyens d’étanchéité actuels, il est apparu que les intermétalliques formés à partir du nickel ont des cinétiques de croissance plus lentes ce qui permet avantageusement de mieux contrôler leur formation. Step 31 consists mainly in pressing the lid 4 against the hollow portion 2 while liquefying by heating the layer 12 so that it diffuses into the nickel metallizations 9, 1 1 to form at least one intermetallic promoting the hermeticity of the encapsulant 3 even for temperatures between 400 and 800 ° C. In addition, compared to current sealing means, it has emerged that the intermetallics formed from nickel have slower growth kinetics, which advantageously makes it possible to better control their formation.
[0040] A titre optionnel, si le MEMS 5 est un résonateur diapason en quartz, il peut être nécessaire de l’ajuster ou de le régler. Ce réglage peut être effectué après l’étape 27 ou après l’étape 31. Dans ce dernier cas, c’est-à-dire quand le couvercle 4 est déjà fermé hermétiquement sous vide la partie creuse 2 du boîtier 7, le couvercle 4 devra comprendre As an option, if the MEMS 5 is a quartz tuning fork resonator, it may be necessary to adjust or adjust it. This adjustment can be performed after step 27 or after step 31. In the latter case, that is to say when the cover 4 is already sealed under vacuum the hollow portion 2 of the housing 7, the cover 4 will have to understand
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