Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Energieverteilung und ist bei der räumlichen Ausgestaltung von einphasig gekapselten Schaltfeldern einer dreiphasigen, gasisolierten Hochspannungsschaltanlage anzuwenden, deren Leistungsschalter parallel nebeneinander liegend und deren weitere Bausteine oberhalb des jeweiligen Leistungsschalters angeordnet sind.
Bei Hochspannungsschaltanlagen der genannten Art wird der Polabstand der einzelnen Phasen und damit die Breite des dreiphasigen Schaltfeldes durch die Abmessungen, insbesondere den Durchmesser, der Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter bestimmt. Die Leistungsschalter sind dabei in etwa mittig in ihrem jeweiligen Kapselungsgehäuse und zueinander mit einem bestimmten Mittenabstand angeordnet. Die weiteren den Phasen eines Schaltfeldes zugeordneten Bausteine sind im Übrigen oberhalb oder unterhalb des jeweils zugehörigen Leistungsschalters mittig zu einer vertikalen Ebene angeordnet.
Hierzu sind die Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter derart mit vertikal ausgerichteten Anschlüssen versehen, dass alle Bausteine des Schaltfeldes in die durch die Leistungsschalter vorgegebene Polteilung eingefügt sind und auch die Aussenphasen benachbarter Schaltfelder etwa denselben Polabstand haben (Zeitschrift Brown Boveri Mitt. 4-73, Seiten 146/147).
Um die Polteilung eines einphasig gekapselten Schaltfeldes möglichst klein zu machen, ist es bereits bekannt, die Kapselungsgehäuse der drei Leistungsschalter einstückig in Form eines Gussgehäuses auszubilden (DE 8 907 711 U, DE 8 907 710 U).
Ausgehend von einem einphasig gekapselten Schaltfeld mit den Merkmalen des Oberbegriffes des Patentanspruches 1 liegt der Erfindung die Aufgabe zu Grunde, die für Servicezwecke erforderliche Zugänglichkeit zu einzelnen Schaltfeldern einer Hochspannungsschaltanlage durch eine veränderte räumliche Zuordnung der Bausteine eines Schaltfeldes zu verbessern.
Bei der Lösung dieser Aufgabe geht die Erfindung von dem Grundgedanken aus, dass bei einphasig gekapselten Hochspannungsschaltanlagen der Pol-abstand der drei Phasen eines Schaltfeldes an sich durch die Abmessungen der Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter bestimmt ist, dass aber die übrigen Bausteine des Schaltfeldes durch gezielte hochspannungstechnische Massnahmen wie Erhöhung des Gasdruckes und Optimierung des Feldverlaufes (durch entsprechende Formgebung der spannungsführenden Teile) bezüglich des Durchmessers ihres Kapselungsgehäuses kleiner bauend als das Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter ausgestaltet werden können.
Dies wird im Rahmen der Erfindung gezielt ausgenutzt, indem der Mittenabstand der den beiden äusseren Leistungsschaltern zugeordneten vertikalen Ebenen von der dem mittleren Leistungsschalter zugeordneten vertikalen Ebene kleiner ist als der Mittenabstand der beiden äusseren Leistungsschalter vom mittleren Leistungsschalter. Auf diese Weise sind die Bausteine der drei Phasen eines Schaltfeldes einander eng benachbart, während sich zwischen den beiden nebeneinander angeordneten äusseren Phasen zweier benachbarter Schaltfelder ein grösserer Abstand ergibt. Dadurch wird die Zugänglichkeit zwischen benachbarten Schaltfeldern wesentlich verbessert.
Konstruktiv wird die Erfindung zweckmässig -dadurch realisiert, dass die Mittelachsen der Anschlüsse der beiden Kapselungsgehäuse der aussen liegenden Leistungsschalter zur Mittelachse des jeweiligen Leistungsschalters horizontal versetzt angeordnet sind. In diese Ausgestaltung können auch stirnseitig an den Kapselungsgehäusen der Leistungsschalter vorgesehene Anschlussflansche für Bausteine des Schaltfeldes, beispielsweise Erdungsschalter, einbezogen werden und demzufolge den gleichen kleineren Mittenabstand aufweisen.
Bei dieser Ausgestaltung eines Schaltfeldes weisen also die Leistungsschalter eine grössere Polteilung als die weiteren Bausteine des Schaltfeldes auf.
Ein Ausführungsbeispiel für die neuartige Ausgestaltung des Schaltfeldes ist in den Fig. 1 bis 3 dargestellt. Dabei zeigt Fig. 1 eine Draufsicht auf die drei nebeneinander angeordneten Kapselungsgehäuse der Leistungsschalter, Fig. 2 einen vertikalen Schnitt durch ein Schaltfeld und Fig. 3 eine Draufsicht auf zwei nebeneinander angeordnete Schaltfelder.
Fig. 1 zeigt ein so genanntes Blockgehäuse 1, das zur Aufnahme der drei Leistungsschalter eines einphasig gekapselten Schaltfeldes dient und gemäss der DE 8 907 711 U ausgebildet ist. Das Blockgehäuse ist mit drei Gehäuseteilen 11, 12 und 13 für die einzelnen Leistungsschalter versehen. Jedem Gehäuseteil ist ein erster Anschlussflansch 14 und ein zweiter Anschlussflansch 15 zugeordnet, durch die hindurch Zugang zu den Stromanschlüssen 18 und 19 der einzelnen Leistunsschalter gegeben ist. Jedes Gehäuseteil ist weiterhin an dem einen Ende mit einem stirnseitigen Anschlussflansch 16 und am anderen Ende mit einem stirnseitigen Anschlussflansch 17 versehen. Über die Anschlussflansche 17 werden die Antriebe für die Leistungsschalter angekoppelt.
Die Figur zeigt weiterhin einen Abstand f, der den Mittenabstand der beiden äusseren Leistungsschalterpole vom mittleren Leistungsschalterpol bezeichnet. Weiterhin ist ein Abstand a definiert. Dieser Abstand bezeichnet den Mittenabstand der Anschlussflansche 14, 15 und 16 der beiden äusseren Gehäuseteile 11 und 13 von der Mittelachse der Gehäuseflansche 14, 15 und 16 des mittleren Gehäuseteiles 12, wobei diese Mittelachse mit der Mittelachse des mittleren Leistungsschalters übereinstimmt. Der Abstand a ist kleiner gewählt als der Abstand f, d.h. dass die Anschlussflansche 14, 15 und 16 der beiden äusseren Gehäuseteile 11 und 13 nicht mittig, sondern nach innen seitlich versetzt zu den jeweiligen Gehäuseteilen angeordnet sind.
Dadurch wird erreicht, dass die auf die Anschlussflansche 14 und 15 aufgesetzten weiteren Bausteine des Schaltfeldes eine kleinere Polteilung als die in dem Blockgehäuse 1 angeordneten Leistungsschalter aufweisen.
Gemäss Fig. 2, die einen Blick auf die sammelschienenseitigen Bausteine eines einphasig gekapselten Schaltfeldes zeigt, sind an die Anschlussflansche 15 des Blockgehäuses 1 jeweils zunächst ein Schottisolator 2, sodann ein Sammelschienentrenner 3, sodann ein Zwischenstück 4 und ein weiterer Sammelschienentrenner 5 aufgesetzt. Hier ist auch die seitlich versetzte Anordnung der Anschlussflansche 15 bezüglich der vertikalen Mittelebene der Gehäuseteile 11 und 13 des Blockgehäuses 1 zu erkennen, wobei die Polteilung a der Bausteine 2 bis 5 kleiner ist als die Polteilung f der die Leistungsschalter aufnehmenden Gehäuseteile 11, 12 und 13.
Fig. 3 zeigt zwei nebeneinander angeordnete Schaltfelder 10 und 20, die jeweils die Feldbreite b aufweisen. Zusätzlich zu den Bausteinen gemäss Fig. 2 sind hier eine dreiphasig gekapselte Sammelschiene 6 mit den Trennschalterantrieben 61, ferner die Leistungsschalterantriebe 7 sowie weitere Kapselungsbausteine 8 schematisch dargestellt.
In die Figur ist weiterhin die Polteilung a der über jedem Blockgehäuse angeordneten weiteren Bausteine des Schaltfeldes eingezeichnet sowie ein Abstand d, der grösser als die Polteilung a, aber auch grösser als die in Fig. 1 und 2 gezeigte Polteilung f der Leistungsschalter ist. Der Abstand d symbolisiert den Mittenabstand der beiden benachbarten Aussenphasen der beiden nebeneinander liegenden Schaltfelder. - Weiterhin ist ein Abstand e eingezeichnet, der den Zugangsfreiraum zwischen den beiden benachbarten Schaltfeldern 10 und 20 symbolisiert.