CH671312A5

CH671312A5 -

Info

Publication number: CH671312A5
Application number: CH2925/82A
Authority: CH
Inventors: Richard Stephen Muka; Carl Joseph Russo
Original assignee: Varian Associates
Priority date: 1981-05-12
Filing date: 1982-05-11
Publication date: 1989-08-15
Also published as: GB2098437A; US4417347A; NL8201958A; DE3216850A1; GB2098437B; FR2506073B1; JPS57187942A; DE3216850C2; FR2506073A1

Description

BESCHREIBUNG Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1, eine Vorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 8 und eine Schwarzkörperstrahlungsquelle nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 17.

Auf dem Gebiet der Halbleiterindustrie werden Plättchen in Form von Halbleiter-Einkristallen, insbesondere aus Silizium, einer Behandlung unterzogen, um nach Bedarf einzelne Vorrichtungen oder integrierte Schaltkreise zu erzeugen. Im Verlauf einer solchen Beandlung kann das Kristallgitter des Halbleitermaterials beschädigt werden. Beispielsweise bewirken während

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der Ionenimplantation die einfallenden energiehaltigen Ionen, dass covalente Bindungen zwischen Siliziumatomen in dem Kristallgitter zerstört werden. Daher ist es erwünscht, die Defekté bei dem Kristallgitter dadurch zu beseitigen, dass eine Wärmebehandlung bei einer ausreichend hohen Temperatur und während einer genügend langen Zeit durchgeführt wird.

Die Wärmebehandlung zur Beseitigung solcher Schäden dient auch dazu, den in dem Silizium enthaltenen Dotierungsstoff zu aktivieren, bei dem es sich um Dotierungsatome wie Bor, Phosphor oder Arsen handelt, und diese Atome werden veranlasst, in dem Kristallgitter Substitutionspositionen oder nahezu als Substitutionspositionen zu betrachtende Positionen einzunehmen, damit sie als Quellen für Ladungsträger zur Wirkung kommen können, wie z.B. in der nachstehend genannten Literaturstelle beschrieben ist: A. Lietoila u.a., «Metastable As-Concentrations in Si Achieved by Ion Implantation and Rapid Thermal Annealing», J. App. Phys., Bd. 52, S. 230 (1981).

Bei der Erzeugung dünner Filme aus Halbleitermaterialien ist es erwünscht, die Korngrösse von polykristallinem Material zu vergrössern oder amorphes Silizium in eine epitaxiale Siliziumschicht umzuwandeln. Zu diesem Zweck kann man auf geeignete Weise Wärmeenergie zur Wirkung bringen, wie es z.B. in der nachstehend genannten Literaturstelle beschrieben ist: J.C.C. Fan u.a., «Lateral Epitaxy by Seeded Solidification for Growth of Single-Crystal Si Films on Insulators», App. Phys. Lett., Bd. 38, S. 365 (1981).

Zur thermischen Behandlung von Halbleitermaterialien ist es üblich, die Materialien in einem Ofen zu glühen. Hierbei werden z.B. Siliziumplättchen jeweils zu einer Charge von 100 bis 200 Plättchen zusammengestellt und in einem Träger (Schiffchen) angeordnet. Das Schiffchen wird langsam in ein Quarzrohr eingeführt, das sich in einem zylindrischen Hohlraum befindet und von Widerstandsheizelementen umgeben ist. Gewöhnlich wird das Quarzrohr mit Hilfe eines inerten Gases kontinuierlich von innen nach aussen durchgespült. Der Hohlraum und das Quarzrohr weisen gewöhnlich Temperaturzonen auf, deren Temperatur fortschreitend zunimmt. Bei diesem Verfahren wird die mittlere Temperatur der Plättchen allmählich bis auf etwa 1000°C gesteigert. Danach verbleibt das Schiffchen während einer Zeit in der Grössenordnung von 30 min in dem Ofen, wo es auf Temperaturen von etwa 900 bis 1100°C gehalten wird. Ein Glühen unter diesen Bedingungen erweist sich im allgemeinen als ausreichend, insbesondere bei kleineren Dosen des Dotierungsstoffs in der Grössenordnung von 1010 bis 1014/cm2; bei solchen Einbauvorgängen erweist sich die Aktivierung praktisch in jedem Fall als zufriedenstellend. Jedoch wird häufig keine gleichmässige Verteilung des Dotierungsstoffs erzielt, da die Zeit- und Temperaturcharakteristiken eines bestimmten Plättchens nicht mit denjenigen anderen Plättchen innerhalb der gleichen Charge identisch sind; ferner können an einem gewählten Punkt auf einem bestimmten Plättchen die im Laufe der Zeit zur Wirkung kommenden Temperaturen variieren. Eine solche Ungleichmässigkeit der Verteilung ist bei der Herstellung komplizierter integrierter Schaltkreise unerwünscht, da sich die Ausbeute verringert. Weiterhin führt das Glühen von Plättchen bei solchen Temperaturen während einer längeren Zeit zu einer unerwünschten Ausbreitung oder Umverteilung des Dotierungsstoffs sowohl in seitlicher als auch in senkrechter Richtung. Dies ist insbesondere dann unerwünscht,

wenn mit hohen Dosen des Dotierungsstoffs in der Grössenordnung von 1015 bis 2 x 1016/cm2 gearbeitet wird, wie es bei der Herstellung von MOS-Vorrichtungen von hoher Dichte geschieht. Eine solche Ausbreitung kann ausserdem dazu führen, dass die Herstellung von Übergängen in geringer Tiefe und/ oder von Schaltkreisen mit sehr hohem Integrationsgrad erschwert oder sogar unmöglich gemacht wird. Schliesslich wird bei hohen Dosierungen die Aktivierung durch Glühen im Ofen schwierig, da sich die Atome des Dotierungsstoffs zusammenballen und nicht einzeln elektrisch aktiv werden, wie es in der nachstehend genannten Literaturstelle erwähnt ist: M.Y. Tsai, u.a., «Shallow Junctions by High-Doses As Implants in Si: Experiments and Modelling», J. App. Phys., Bd. 51, S. 3230 (1980). Im allgemeinen ist es erwünscht, den Glühvorgang und die Aktivierung so durchzuführen, dass nur eine minimale Umverteilung des Dotierungsstoffs stattfindet. Schliesslich ist es erwünscht, einen möglichst hohen Aktivierungsgrad zu erzielen, damit man eine möglichst niedrige Implantationsdosis vorsehen kann, denn bei im übrigen gleichen Bedingungen erhöht sich der Durchsatz bei einer Verringerung der Implantationsdosis. Weiterhin ist das übliche Glühen im Ofen zeitraubend, und es ist nicht besonders geeignet, einen hohen Wirkungsgrad der aufgewandten Energie zu gewährleisten; hierbei handelt es sich um einen wichtigen Gesichtspunkt bezüglich der wirtschaftlichen Erzeugung von Filmen bei photoelektrischen Vorrichtungen.

Es sind insbesondere zwei Verfahren zur schnellen Durchführung der Wärmebehandlung von Halbleitermaterialien vorgeschlagen worden. In beiden Fällen wird die Oberfläche des Materials der Wirkung eines Energiestrahls ausgesetzt, um die Temperatur des Materials zu erhöhen und die gewünschte Wirkung hervorzurufen, z.B. ein Glühen, eine Aktivierung, eine Steigerung der Korngrösse, ein epitaxiales Nachwachstum oder dgl. Insbesondere wurde die Benutzung von Laserstrahlen und Elektronenstrahlen vorgeschlagen und versuchsmässig angewendet. In beiden Fällen wurde festgestellt, dass ein schnelles Glühen in der Grössenordnung von Mikrosekunden möglich ist, wie es z.B. in der nachstehenden Literaturstelle beschrieben ist: W.L. Brown, «Superfast Annealling», IEEE Spectrum, April 1981, S. 50, sowie die dort angeführten Literaturstellen. Diese Verfahren sind Gegenstand von Untersuchungen in zahlreichen Laboratorien, doch werden sie bei im Handel erhältlichen Erzeugnissen noch nicht in grossem Umfang angewendet. Laserstrahlen haben einen ausserordentlich schlechten Ausnutzungsgrad der Energie und erfordern eine mechanische, elektro-optische oder elektro-mechanische Abtasttechnik. Bei Laserstrahlen können ferner Interferenzen auftreten, wenn sich ein SiOx-Muster auf einem Siliziumsubstrat befindet. Ausserdem kann eine bevorzugte Erhitzung der Trennfläche stattfinden, wodurch eine Ablösung der Oxidschicht bewirkt wird. Elektronenstrahlen sind zwar bezüglich der Energieverwertung relativ wirtschaftlich, doch erzeugen sie neutrale Fangstellen in der Nähe von Isolator-Halbleiter-Übergängen, die beim Gebrauch der Vorrichtungen im Laufe der Zeit zu Aufladungswirkungen führen können. Als dritte Möglichkeit wurde die Verwendung von Blitzlampen oder Bogenlampen in Verbindung mit einem geeigneten Reflektor für die Wärmebehandlung von Halbleitermaterialien vorgeschlagen. Bei Halbleiterplättchen bietet dieses letztere Verfahren den Vorteil, dass das gesamte Plättchen gleichzeitig erhitzt wird und dass thermische Ungleichmässigkeiten dadurch vermieden werden, dass eine ebene isotropische Front erzeugt wird. Die Nachteile dieses Verfahrens bestehen darin, dass es bezüglich der Energieausnutzung unwirtschaftlich ist und dass man gegebenenfalls komplizierte optische Elemente benötigt. Das optische System muss ausserdem so aufgebaut sein, dass Streulicht vermieden oder auf irgendeine Weise nutzbar gemacht wird. Hierzu sei auf die nachstehende Literaturstelle verwiesen: K. Nishiyama, «Radiation Annealing of Bo-ron-Implanted Silicon with a Halogen Lamp», Japanese Journal of Applied Physics, Bd. 19, Oktober 1980, S. L563 (1980).

Der Erfindung liegt nunmehr die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren, eine Vorrichtung und eine Schwarzkörperstrahlungsquelle zu schaffen, die es ermöglichen, Halbleitermaterialien einer Wärmebehandlung mit Hilfe der Schwarzkörperstrahlungsquelle durchzuführen, die eine konstante ebene Verteilung des Energieflusses erzeugt. Ferner soll eine Steigerung der Korngrösse bei einem polykristallinen Halbleitermaterial da5

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durch herbeigeführt werden, dass eine Infrarotstrahlung einer Schwarzkörperstrahlungsquelle zur Wirkung gebracht wird, die einen konstanten ebenen Energiefluß erzeugt.

Das erfindungsgemässe Verfahren ist durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruches 1 gekennzeichnet.

Die erfindungsgemässe Vorrichtung weist die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruches 8 auf.

Die erfindungsgemässe Schwarzkörperstrahlungsquelle ist durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 17 angeführten Merkmale gekennzeichnet.

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand schematischer Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 eine teilweise weggebrochen gezeigte Schrägansicht einer erfindungsgemässen Vorrichtung;

Fig. 2 eine Seitenansicht der Vorrichtung nach Fig. 1;

Fig. 3 eine Stirnansicht eines Teils einer Platte zum Unterstützen eines Halbleiterplättchens in der Vorrichtung nach Fig. 1 und 2;

Fig. 4 die Vorderseite eines Schwarzkörperstrahlers, der einen konstanten ebenen Energiefluss erzeugt und bei der Vorrichtung nach Fig. 1 und 2 verwendet wird;

Fig. 5 einen Ablaufplan, der die Arbeitsweise der Vorrichtung nach Fig. 1 und 2 beim Glühen eines Halbleiterplättchens veranschaulicht;

Fig. 6 eine graphische Darstellung der Umverteilung eines Dotierungsstoffs bei einer Glühbehandlung in einem Glühofen bekannter Art bzw. unter Benutzung der erfindungsgemässen Vorrichtung;

Fig. 7a und 7b eine Draufsicht bzw. einen waagerechten Schnitt einer alternativen Ausführungsform einer Platte zur Verwendung bei der erfindungsgemässen Vorrichtung; und

Fig. 8a und 8b die Draufsicht bzw. eine Seitenansicht einer alternativen Ausführungsform eines Schwarzkörperstrahlers zum Erzeugen eines konstanten ebenen Energieflusses.

Erfindungsgemäss ist die vorstehend genannte Aufgabe durch die Schaffung einer Behandlungsvorrichtung gelöst, bei der das zu behandelnde Halbleitermaterial gegenüber einem Schwarzkörperstrahler, der eine konstante ebene Verteilung des Energieflusses erzeugt, angeordnet wird. Die Schwarzkörperstrahlungsquelle erzeugt einen konstanten ebenen Energiefluss, um eine gleichmässige Erhitzung des Materials zu bewirken. Die Strahlungsquelle wird während einer ausreichenden Zeit auf eine genügend hohe Temperatur aufgeheizt, um eine Wärmebehandlung des Materials zu bewirken, d.h. um ein Halbleiterplättchen zu glühen bzw. zu aktivieren, oder um ein epitaxiales Nachwachsen eines dünnen epitaxialen Films herbeizuführen.

Das modifizierte erfindungsgemässe Verfahren umfasst Massnahmen, um ein Halbleitermaterial gegenüber einem Schwarzkörperstrahler anzuordnen, welches Halbleitermaterial einer Wärmebehandlung unterzogen werden soll, damit das Material mittels Strahlungsenergie während einer ausreichenden Zeit auf eine hinreichend hohe Temperatur erhitzt wird, so dass die gewünschte Wirkung erzielt wird. Während des Austauschens der der Strahlungsquelle nacheinander gegenüberzustellenden Plättchen kann die Strahlungsquelle mittels eines Verschlusses verdeckt werden oder zur Verringerung des Energieverbrauchs leer laufen.

Die folgende Beschreibung befasst sich im einzelnen mit der Anwendung der erfindungsgemässen Vorrichtung zum Glühen und Aktivieren von Halbleiterplättchen. Zwar handelt es sich hierbei um eine besonders wichtige technische Anwendung der Vorrichtung, doch ermöglicht die Vorrichtung auch eine Behandlung polykristalliner Halbleitermaterialien zur Steigerung der Korngrösse sowie zur Herbeiführung eines epitaxialen Nachwachsens einer amorphen Schicht oder dgl. Die erfindungsgemässe Vorrichtung bietet infolge einer schnellen isothermischen Glühwirkung eine hohe Durchsatzgeschwindigkeit, eine weitgehende Ausschaltung nachteiliger Nebenwirkungen,

z.B. einer Umverteilung oder Beschädigung temperaturempfindlicher Schichten, eine gleichmässige Behandlungswirkung sowie die Möglichkeit, auf die Verwendung von Oxiddeckschichten für eingebrachte Dotierungsstoffe mit hohen Dampfdrücken zu verzichten. Diese Vorteile gelten allgemein für Halbleitermaterialien. Im folgenden wird die bei der Vorrichtung benutzte Wärmequelle als Schwarzkörperstrahler bezeichnet, doch gilt diese Bezeichnung auch für einen Graustrahler, d.h. einen Strahler, dessen spektrales Emissionsvermögen geringer ist als 1, bei dem jedoch mindestens ein Teil des Emissionsvermögens als Funktion der Wellenlänge zu demjenigen eines Schwarzkörpers proportional ist.

Bei Glühöfen werden gewöhnlich Heizwiderstände verwendet, die ein die Siliziumplättchen enthaltendes Quarzrohr um-schliessen, das ständig mit einer oxidierenden Atmosphäre, z.B. feuchter Luft, oder einem inerten Gas, z.B. Stickstoff, durchgespült wird. Die Erhitzung der Plättchen erfolgt durch Wärme-konvektion, Wärmeleitung und Wärmestrahlung. Hierbei treten thermische Gradienten von Plättchen zu Plättchen und über die einzelnen Plättchen hinweg auf. Zwar kann man den Wärmeschock für die Plättchen dadurch verringern, dass man das Quarzrohr nur langsam in den Ofen einführt, doch lassen sich bei dem Ofen Temperaturgradienten nicht vermeiden, oder es treten zyklische Änderungen der Ofentemperatur auf, so dass die Gefahr besteht, dass sich die Plättchen verziehen. Solche Glühöfen erfordern die Zufuhr einer elektrischen Leistung von bis zu 20 kW, und ihr Betrieb ist kostspielig.

Bei der Ofenglühung lässt sich die Umverteilung des Dotierungsstoffs nicht ohne weiteres beherrschen, denn die lange Glühzeit ermöglicht das Auftreten einer Verteilung in seitlicher und senkrechter Richtung über erhebliche Strecken innerhalb des Materials in der Grössenordnung von 0,5 Mikrometer. Eine solche unerwünschte Verteilung muss vermieden werden, wenn sich die Breite laut Konstruktionsrichtlinien 1 Mikrometer nähert. Ausserdem findet keine vollständige Aktivierung statt, so dass bei hohen Dosierungen von z.B. etwa IO15 bis 2x 1016 je cm2 mit ausserordentlich hohen Dosen gearbeitet werden muss, da bis zu 50% der Atome des Dotierungsstoffs im Kristallgitter keine Substitutionspositionen einnehmen. Weiterhin kann ein Teil der Aktivierung metastabil sein, so dass sie nicht während der ganzen Lebensdauer des Erzeugnisses anhält. Den Problemen der Umverteilung und der unvollständigen Aktivierung kommt eine zunehmende Bedeutung zu, wenn sich die Abmessungen der Vorrichtungen vergrössern und wenn Vorrichtungen hergestellt werden, bei denen die Übergänge nur eine Dicke in der Grössenordnung von 0,2 Mikrometer haben.

Bis jetzt wurde allgemein angenommen, dass ein äusserst schnelles Glühen erforderlich ist, wenn die bei der üblichen Ofenglühung auftretenden Probleme vermieden werden sollen. Im Hinblick hierauf wurde die Benutzung von Laser- oder Elektronenstrahlen sowie von Blitzlampen zum Glühen propagiert, da diese Verfahren ein sehr schnelles Glühen in der Grössenordnung von Mikrosekunden oder weniger ermöglichen sollten. Bei einem solchen überschnellen Glühen ergibt sich jedoch der Nachteil, dass die schützende Oxidschicht, die den Halbleiter bedeckt, abblättert oder abspringt. Im Hinblick hierauf wäre ein Glühverfahren erwünscht, bei dem die Glühzeit in der Mitte zwischen der Ofenglühzeit und einer Glühzeit von weniger als einer Sekunde liegt, denn hierbei würde sich ein befriedigender Durchsatz bei nur einmaliger Handhabung der Plättchen und ausreichender Aktivierung erzielen lassen.

Eine erfindungsgemässe Behandlungsvorrichtung ist in Fig. 1 und 2 dargestellt. Diese Vorrichtung dient zum Aufnehmen, Glühen und Abgeben von Halbleiterplättchen. Fig. 1 zeigt die insgesamt mit 10 bezeichnete Vorrichtung in einer teilweise weggebrochen gezeichneten Schrägansicht. In einem Gehäuse 11 sind elektronische Schalttafeln 13 angeordnet, die über Türen 12 zugänglich sind. Zu der Vorrichtung gehört eine unter Aus5

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nutzung der Schwerkraft arbeitende Beschichungs- und Entnahmestation der unter der gesetzlich geschützten Bezeichnung «Wayflow» erhältlichen Bauart, die in der US-PS 3 901 183 beschrieben ist. Bei anderen Ausführungsformen kann man andere Verfahren zum Handhaben von Plättchen anwenden, z.B. ein pneumatisches Verfahren (air track) oder ein Kassetten/ Kassetten-System, wie es in der deutschen Offenlegungsschrift P 30 47 513.9 beschrieben ist. Bei der Endstation der Bauart Wayflow wird jeweils ein Plättchen aus einer Kassette, die über eine Eingangsschleuse 16 in einen Kassettenhalter 18 eingeführt wird (siehe US-PS 3 954 191), in eine Vakuumkammer 24, 20 überführt. Das Plättchen gleitet unter der Wirkung der Schwerkraft auf eine Platte 21, die dann in eine geeignete Aufnahmestellung gebracht wird. Nach dem Zuführen des Plättchens wird die Platte 21 gemäss Fig. 2 um eine Achse 34 in die Glühstellung geschwenkt, in der sie gegenüber einer Schwarzkörperstrahlungsquelle 22 angeordnet ist. Die Strahlungsquelle 22 kann mittels einer Verschlussplatte 23 abgedeckt werden, bis das Plättchen durch die Platte 21 in die richtige Stellung gebracht worden ist; alternativ kann die Strahlungsquelle eingeschaltet sein, jedoch im Leerlauf arbeiten, bis das Plättchen die richtige Lage einnimmt; natürlich stehen noch weitere Beschickungsverfahren zur Wahl. Der Abstand zwischen dem Plättchen und der Strahlungsquelle 22 kann zwischen etwa 6,5 mm und einer für zweckmässig gehaltenen längeren Strecke variieren. In der Praxis richtet sich der Abstand nach den Anforderungen bezüglich der Gleichmässigkeit sowie dem Raumbedarf für den Verschluß, die Abschirmungen und die Platte. Um eine hohe Gleichmässigkeit zu erreichen, ist die aktive Fläche der Strahlungsquelle vorzugsweise mindestens ebenso gross wie die Fläche des Plättchens, denn der Betrachtungsfaktor von der Strahlungsquelle zu dem Plättchen muss so hoch und gleich-mässig wie möglich sein [siehe M. Jakov, «Heat Transfer», Kap. 31-7 (1957)]. Die Temperatur der Schwarzkörperstrahlungsquelle beträgt beim Glühen und Aktivieren eines Silizium-plättchens z.B. 1400°C. Die Glühzeit variiert zwischen etwa 1 und etwa 10 sec. Das Aufheizen des Plättchens erfolgt durch Strahlungswärme, so dass die Temperatur des Plättchens zunimmt, bis sie im Gleichgewichtszustand nahezu gleich der Temperatur der Wärmequelle ist. Bei für den praktischen Betrieb bestimmten Systemen, bei denen mit Zykluszeiten von 1 bis 10 sec gearbeitet wird, erreicht jedoch das Plättchen nicht den Gleichgewichtszustand, da die Glühung und Aktivierung erfolgt, bevor das Plättchen eine Temperatur von z.B. 900°C erreicht. Nach dem Glühen und Aktivieren wird das Plättchen durch eine Entnahmeschleuse 17 in eine von einem Kassettenhalter 19 aufgenommene Kassette überführt.

Um eine gleichmässige Aufheizung zu gewährleisten, ist es zweckmässig, eine Beheizung durch Strahlungswärme anstelle einer Beheizung durch Konvektion durchzuführen. Bei den üblichen Verfahren zum Beheizen von Glühöfen erfolgt die Beheizung zu einem grossen Teil im Wege der Konvektion durch Stickstoff, Argon oder eine andere gasförmige Atmosphäre; wegen der durch thermische Einflüsse erzeugten Gasströmung ist hierbei jedoch keine gleichmässige Beheizung möglich. Bei dem Verfahren und der Vorrichtung nach der Erfindung wird der Druck mindestens zwischen der Schwarzkörperstrahlungsquelle und dem Halbleitermaterial ständig geregelt. In diesem Bereich variiert der Druck zwischen 10~7 Torr und dem Umgebungsdruck, und er wird so gewählt, dass die mittlere freie Wegstrecke des Gases erheblich grösser ist als der Abstand zwischen der Strahlungsquelle und dem Plättchen. Auf diese Weise wird verhindert, dass eine Beheizung in einem erheblichen Aus-mass durch Wärmeleitung erfolgt. Gemäss Fig. 2 wird eine mechanische Vorvakuumkammer 33 benutzt, die mit einer Diffusionspumpe 32 in Reihe geschaltet ist, um die Kammer 24 über eine Rohrleitung 30 und eine Prallplattenanordnung 31 zu evakuieren. Auf diese Weise wird der Druck in der Arbeitskammer

24, 20 auf dem gewünschten Wert gehalten, der sich, wie erwähnt, danach richtet, dass die mittlere freie Weglänge der Gasmoleküle erheblich grösser sein soll als der Abstand zwischen der Strahlungsquelle und dem Plättchen 37. Datier herrscht Strahlungsheizung von der Wärmequelle 35 vor. Da nur das Plättchen erhitzt wird, während die Wände der Kammer unbeheizt bleiben, ergibt sich bei dieser Anordnung auch dann hohe Wirtschaftlichkeit, wenn man die Kosten der Einrichtung zum Erzeugen des Unterdrucks berücksichtigt.

Das Plättchen 37 wird durch einen konstanten ebenen Energiefluss aufgeheizt, der durch die Schwarzkörperstrahlungsquelle 22 bzw. 35 erzeugt wird. Der Ausdruck «konstante ebene Verteilung des Energieflusses» bedeutet, dass diese Quelle eine ebene Front eines konstanten Energieflusses erzeugt. Zwar kann die Leistungsaufnahme infolge einer Aufheizverzögerung der Wärmequelle variieren, doch bleibt der Energiefluss über die ebene Front hinweg konstant. Die ebene Isotherme führt zu einer gleichmässigen Aufheizung des Plättchens 37. Dies ist teilweise darauf zurückzuführen, dass die Schwarzkörperstrahlung in erster Linie im Infrarotbereich liegt und dass Silizium für Infrarotstrahlung teilweise durchlässig ist. Somit durchdringt die Strahlung ein Plättchen mit einer Dicke von mehreren hundert Mikrometer innerhalb von Millisekunden, wobei eine gleichmässige Erhitzung bewirkt wird. Wenn die Oberflächentemperatur des Plättchens 900°C beträgt, liegt der Gradient durch das Plättchen hindurch unter 50°C. Ausserdem kann die Strahlung durch die Platte reflektiert werden und das Plättchen erneut durchlaufen, wobei eine zusätzliche Absorption von Wärme oder eine Rückstrahlung zu der Wärmequelle stattfindet, die zu einer Steigerung des Wirkungsgrades führt. Wenn die Temperatur von Silizium zunimmt, wird der Energiebandabstand kleiner, und der unter der Bandlücke liegende Teil des Schwarzkörperspektrums vergrössert sich, so dass die Absorption verstärkt wird. Bei stark dotierten Halbleitern wird ausserdem die Absorption durch die Dotierung und die Schädigung des Kri-stallgefüges gesteigert [siehe Victor I. Fistul', «Heavily Doped Semiconductors Plenum» (1969), Kap. 4; Jacques I. Pankove, «Optical Processes in Semiconductors», Prentice Hall (1971), Kap. 3]. Gemäss Fig. 3 ist das Plättchen 37 in einem kleinen Abstand in der Grössenordnung von etwa 25 mm und vorzugsweise von weniger als 12,5 mm von der Schwarzkörperstrahlungsquelle 35 angeordnet. Da die Strahlungsheizwirkung vorherrscht, stellt sich die temperaturmässige Gleichmässigkeit des Plättchens 37 im wesentlichen auf ein Gleichgewicht bezüglich der Emissionsfläche der Strahlungsquelle 35 ein, doch wird in der Praxis das Gleichgewicht häufig nicht erreicht. Da somit eine Erhitzung in der Weise erfolgt, dass über die Ebene des Plättchens hinweg kein Temperaturgradient vorhanden ist, wird die Gefahr eines Verzieheris oder Reissens des Plättchens verringert.

Das Plättchen 37 wird innerhalb einiger Sekunden, z.B. 1 bis 10 Sekunden, von einer Temperatur in der Grössenordnung von 30°C auf eine Temperatur in der Grössenordnung von 900°C erhitzt. Die Wärmeaufnahme des Plättchens, d.h. das Integral des Energieflusses über die Zeit, richtet sich nach der Masse des Plättchens, der Art des Materials, der Konzentration des Dotierungsstoffs und der Behandlungsgeschichte des Plättchens. Ist die Wärmebehandlung abgeschlossen, wird die Wärmequelle entweder mit Hilfe des in Fig.l dargestellten Verschlusses 23 abgedeckt oder läuft leer. Besteht das Plättchen aus Silizium, wird es vorzugswseise auf 700°C abgekühlt, d.h. annähernd auf die Weissglutgrenze, die bei etwa 650 bis 700°C liegt, oder darunter, so dass das Plättchen der Glühkammer entnommen werden kann. Zu diesem Zweck wird die Platte aktiv gekühlt, oder sie wird so gedreht, dass das Plättchen Wärme an die Wände der Kammer abstrahlt, die als Schwarzkörper-Wärmeaufnahmeflächen zur Wirkung kommen. Gemäss Fig. 3 gehört zu der Platte 21 ein Metallklotz 19, an dessen Rückseite Kühlrohrschlangen 40 befestigt sind, in denen gekühltes Wasser

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mit einer Temperatur von etwa 10 bis 15°C bei einer Durchsatz-geschwindigkeit von etwa 41/min oder ein anderes Kühlmittel zirkuliert; diese Rohrschlangen sind durch nicht dargestellte Durchführungen mit einer ausserhalb der Glühkammer angeordneten Kühlmittelquelle verbunden. Um eine gleichmässige Glühwirkung zu begünstigen, ist auf der Vorderseite der Platte 21 ein sich längs ihres Umfangs erstreckender Streifen 42 aus einem hitzebeständigen Metall angeordnet. Dieser Streifen kann beheizt werden, um ein gleichmässiges Temperaturprofil zwischen den Rändern des Plättchens und seinem Mittelpunkt zu gewährleisten. Ferner sind zwischen der Wärmequelle 35 und den Wänden der Vakuumkammer ebene Abschirmungen 40a und 41 angeordnet. Diese Abschirmungen verringern die Wärmeverluste entsprechend dem Ausdruck l/n+1, in dem n die Anzahl der hintereinandergeschalteten Abschirmungen bezeichnet, wenn zwischen je zwei Abschirmungen ein Vakuum vorhanden ist. Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist die Platte mit innenliegenden Abschirmungen versehen. Fig. 7b zeigt eine Ausführungsform, bei der zwei Abschirmungen 65 und 66 unter Verwendung von Abstandhaltern 67 zwischen dem Plättchen 60 und dem Plattenkörper 68 angeordnet sind. Diese Abschirmungen bestehen aus einem hitzebeständigen Metall, z.B. Tantal oder Molybdän. Bei der bevorzugten Ausführungsform hat die Abschirmung 65 eine annähernd konkave Form, so dass das Plättchen 60 darüber hinweggleitet und sie nur im Bereich ihrer Ränder berührt. Hierdurch wird die die Schaltkreise tragende Seite des Plättchens geschützt, wenn die Rückseite geglüht wird, und ausserdem wird die Wirkung einer zusätzlichen thermischen Sperre erzielt, da die Wärmeleitung auf ein Minimum verringert wird. Bei dieser bevorzugt verwendeten Platte 62 sind gemäss Fig. 7a Blattfedern aus hitzebeständigem Metall an Haltern 63 befestigt, um Anschläge für das Plättchen 60 zu bilden. Das kreisförmige Halbleiterplättchen 60 hegt mit einem Teil seines Umfangs an einem Teil der zusammen im wesentlichen eine halbkreisförmige Krümmung aufweisenden Blattfedern 64 an und erhält dadurch die für das gleichmässige Erwärmen notwendige richtige Position.

In Fig. 4 ist eine Ausführungsform des Schwarzkörperstrahlers 35 mit weiteren Einzelheiten dargestellt. Um eine gleichmässige Beheizung über die ganze Fläche des Plättchens hinweg zu gewährleisten, beschreibt die Schwarzkörperstrahlungsquelle eine gleichmässige thermische Abbildung. Diese Karte erzeugt eine ebene thermische Front, d.h. in parallelen Ebenen vor der Strahlungsquelle tritt jeweils die gleiche Temperatur auf. Da die Beheizung des Plättchens mittels Strahlungswärme erfolgt, bewirkt die Strahlung eine Aufheizung des Plättchens unter Einhaltung einer zweidimensionalen Isotropie. Um die entsprechenden Isthermen zu erzeugen, verwendet man vorzugsweise eine ebene Strahlungsquelle, doch ist dies nicht unbedingt erforderlich. Wie im folgenden erläutert, ist es theoretisch auch möglich, Isothermen mit Hilfe einer nicht ebenen strahlungs-quelle zu erzeugen.

Die Schwärzkörperstrahlungsquelle wird vorzugsweise aus einem mit elektrischem Widerstand behafteten Material hergestellt, das sich durch Formen oder Schneiden zu einer Fläche verarbeiten lässt, die mit einem aus Streifen bestehenden Muster versehen ist. Besonders bevorzugt wird Graphit verwendet, z.B. die unter der Bezeichnung «Stackpole 2020» in Form von Tafeln erhältliche Art, die sich gemäss Fig. 4 so zuschneiden lässt, dass sich en serpentinenförmiges Muster ergibt. Alternativ kann man pyrolithischen Graphit von hoher Reinheit verwenden. Gemäss Fig. 4 wird ein Blatt 50 aus Graphit mit einer Dicke von etwa 1,6 bis 3,2 mm so zugeschnitten, dass sich ein Serpentinenmuster ergibt, das aus Streifen 54 besteht. Die Ecken der Strahlungsquelle werden auf einem Metallrahmen 41 an den Ecken mit Hilfe leitfähiger Kontaktzapfen 52 und 52 befestigt. Bei der bevorzugten Ausführungsform wird die Platte aus Graphit bzw. Kohlenstoff ausgefräst, bevor die Streifen 54

zugeschnitten werden, um die Dicke innerhalb der Umfangslinie 51 nach Fig. 4 zu verringern. Dies hat zur Folge, dass die höchste Temperatur in der kreisrunden Zone innerhalb der Begrenzungslinie 51 auftritt, d.h. dort, wo die Strahlungsquelle gegenüber einem durch die Platte unterstützten Plättchen angeordnet ist. Im allgemeinen beträgt die Leistungsaufnahme einer solchen ebenen Strahlungsquelle mit serpentinenförmigen Streifen etwa 5 kW, doch verringert sich die erforderliche Leistungsaufnahme mit einer Zunahme des Wirkungsgrades der Abschirmung. Wenn eine möglichst gleichmässige Erhitzung erzielt werden soll, muss die wirksame Fläche der Schwarzkörperstrahlungsquelle mindestens ebenso gross sein wie das zu erhitzende Plättchen, und der Abstand zwischen dem Plättchen und der Strahlungsquelle soll möglichst klein sein. Bei einer anderen Ausführungsform wird ein Blatt aus hitzebeständigem Metall mit einet Dicke in der Grössenordnung von 0,13 mm zwischen zwei Paaren von stangenförmigen Klammern ausgespannt. Ein solches Blatt hat ein geringeres Emissionsvermögen als der bevorzugt verwendete Graphit, und es treten starke Einschalt-stromstösse auf, da die Veränderungen des Widerstandes in Abhängigkeit von der Temperatur erheblich grösser sind als bei Graphit bzw. Kohlenstoff.

In Fig. 8a bis 8c sit eine kleine ebene Form aufweisende Schwarzkörperstrahlungsquelle dargestellt, die einen konstanten ebenen Energiefluss liefert. Hierzu gehîren zwei zylindrische Stäbe 70 und 71, die in einen nicht dargestellten Rahmen in einem festen Abstand voneinander eingebaut sind. Ein Heizdraht aus hitzebeständigem Metall, z.B. Tantal, mit einem Durchmesser von etwa 1 mm ist so um die Stäbe 70 und 71 herumgelegt, dass er das in Fig. 8b dargestellte Muster bildet. Die Abschnitte des Heizdrahtes zwischen den Stäben erstrecken sich allgemein im rechten Winkel zu den Stäben, wobei die Versetzung zwischen den verschiedenen Abschnitten jeweils im Bereich der Stäbe herbeigeführt wird, wie es in Fig. 8a gezeigt ist. Diese Versetzung der Abschnitte ist gleichmässig, so dass die unteren Abschnitte jeweils in der Mitte zwischen zwei benachbarten höher liegenden abschnitten angeordnet sind, wie es aus der Draufsicht nach Fig. 8b ersichtlich ist. Vergleicht man Fig. 8a mit Fig. 8b, erkennt man, dass der Abschnitt 72' mit dem Abschnitt 72 und der Abschnitt 73' mit dem Abschnitt 73 identisch ist. Auf der Vorderseite der Strahlungsquelle näher sich die thermische Wirkung derjenigen einer ebenen Strahlungsquelle an, so dass ein kinstanter ebener Energiefluss erzeugt wird. Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die Stäbe 70 und 71 gemäss Fig. 8c mit Nuten 69 versehen, von denen der Glühfaden 75 aufgenommen wird, wenn er von der Oberseite zur Unterseite eins Stabes bzw. in umgekehrter Richtung geführt wird.

Beim Glühen von Plättchen unter Anwendung des erfindungsgemässen Verfahrens zeigt es sich, dass eine erhebliche Verringerung der Umverteilung des Dotierungsstoffs erzielt wird. Fig. 6 ermöglicht es, die Umverteilung des Dotierungsstoffs bei Silizium mit implantiertem Bor nach Glühen im Ofen( + ) mit von Silizium mit implantiertem Bor nach dem Glühen unter Benutzung der erfindungsgemässen Vorrichtung (Kreise) zu vergleichen. Das im Ofen geglühte Plättchen erhielt eine Dosis von 9,6 X 10I4/cm2 Bor 11 bei einer Implantationsspannung von 50 keV. Das Plättchen wurde im Ofen 30 min lang bei 1000°C geglüht. Das in der erfindungsgemässen Vorrichtung behandelte Plättchen erhielt bei 50 keV eine Dosis Bor 11 von 1 x 10ls/cm2. Hierbei wurde die Behandlungsvorrichtung 10 sec lang mit einer Leistungsaufnahme von 4,5 kW betrieben, wobei die Rückseite des Plättchens des Strahlungsquelle nach Fig. 4 zugewandt war. Die maximale Verteilung des Bors betrug bei im Ofen geglühtem Silizium etwa 0,72 Mikrometer, während sie bei der Benutzung der erfindungsgemässen Vorrichtung etwa 0,55 Mikrometer betrug. Ausserdem war die Spitzevertei-

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lung des Bors bei dem in der erfindungsgemässen Vorrichtung behandelten Silizium höher, was als logisches Ergebnis zu betrachten ist, da die ursprünglichen Dosierungen vergleichbar waren.

Das erfindungsgemässe Verfahren wird erkennbar wenn man den Weg eines Plättchens anhand des in Fig. 5 wiedergegebenen Ablaufplans verfolgt. Gemäss Fig. 5 wird ein Plättchen Nr. 1 beim Beschicken der Vorrichtung in die Beschickungsschleuse eingeführt, die dann auf ein Vakuum von etwa 0,1 Torr ausgepumpt wird. Nach etwa 1 sec wird die Schleuse zu der Behandlungskammer geöffnet, und das Plättchen wird in der Behandlungskammer auf der Tragplatte angeordnet. Sobald die Behandlungskammer geschlossen ist und sich die Platte in-ihrer Betriebsstellung gegenüber demSchwarzkörperstrahler befindet, wird ein konstanter ebener Wärmefluss während einer Zeitspanne von etwa 1 bis 10 sec zur Wirkung gebracht. Sobald die maximale Temperatur erreicht ist, lässt man die Strahlungsquelle leer laufen, oder sie wird mit Hilfe des Verschlusses abgedeckt, und die Tragplatte wird in eine Stellung geschwenkt, bei der sich das erhitzte Plättchen etwa 2 sec lang dadurch abkühlen kann, dass es Energie an die Wände der Kammer abstrahlt. Alternativ kann man den Schwarzkörperstrahler mit Hilfe einer Mikroprozessorsteuerung so programmieren, dass er den jeweils gewünschten Temperaturzyklus durchläuft. Hierauf wird das Plättchen in die Abgabeschleuse überführt, wo es während der Belüftung dieser Schleuse durch Wärmeleitung und Konvektion durch das Gas abgekühlt wird. Schliesslich wird das Plättchen der Abgabeschleuse und damit der Vorrichtung entnommen. Dem ersten Plättchen folgt ein zweites Plättchen usw., und die übrigen Plättchen werden nacheinander der beschriebenen Behandlung unterzogen. Mit dem erfindungsgemässen Verfahren ist ein hoher Durchsatz in der Grössenordnung von 150 bis 250 Plättchen pro Stunde möglich, wobei jeweils zu jedem beliebigen Zeitpunkt nur einige Plättchen gleich-5 zeitig einem Risiko ausgesetzt sind.

Bei der Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens ist es erwünscht, eine Verunreinigung der aktiven Fläche jedes Plättchen zu vermeiden. Diese Fläche ist insbesondere für eine Verunreinigung durch Na+ und Schwermetalle empfindlich, io Daher kann man nur Wärmequellen benutzen, die aus einer reinen wärmebehandelten Folie aus Kohlenstoff oder Metall bestehen. Strahlungsquellen aus Grahpit müssen gründlich gereinigt werden, z.B. durch Brennen im Vakuum, da C-V-Verschiebungen anzeigen, dass metallische Verunreinigungen vorhanden 15 sein können, wenn auf ein solches Brennen verzichtet wird. Eine Möglichkeit, bei der Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens Verunreinigungen zu vermeiden, besteht darin, das Plättchen in die Tragplatte jeweils so einzuführen, dass seine Rückseite der Strahlung ausgesetzt wird. Hierbei würden etwa 20 vorhandene Verunreinigungen von der Strahlungsquelle abfallen und auf die Rückseite des Plättchens gelangen, wo sie von den aktiven Bereichen auf der Vorderseite weit entfernt sind und bei den Schaltkreisen keine Störungen hervorrufen. Wegen der beschriebenen Beheizung mit Hilfe eines ebenen konstanten 25 Energieflusses erhitzt sich die Oberseite des Plättchens gleich-mässig und innerhalb einer kurzen Zeit in der Grössenordnung von Millisekunden, nachdem die freiliegende Rückseite der Wirkung der ebenen isotopischen thermischen Front ausgesetzt worden ist. Das Plättchen erhitzt sich hierbei gleichmässig über 30 seine gesamte Dicke.

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3 Blätter Zeichnungen

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PATENTANSPRÜCHE

1. Verfahren zum thermischen Behandeln von Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleitermaterial in eine Behandlungskammer eingeführt wird, dass ein Unterdruck in der Behandlungskammer erzeugt wird und dass das Halbleitermaterial in der Behandlungskammer mittels einer Schwarzkörperstrahlungsquelle erhitzt wird, die grösstenteils eine konstante ebene Verteilung des Energieflusses aufweist, wobei das Halbleitermaterial im wesentlichen parallel zu der Schwarzkörperstrahlungsquelle angeordnet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem Halbleitermaterial um ein Plättchen (37) aus Halbleitermaterial in Form eines Einkristalls handelt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Arbeitsschritt zum Erhitzen des Halbleitermaterials in der Weise durchgeführt wird, dass ein Halbleiterplättchen mindestens 0,1 sec lang auf mindestens 700°C erhitzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Arbeitsschritt zum Erhitzen des Halbleiterplättchens in der Weise durchgeführt wird, dass das Halbleiterplättchen mindestens 5 sec lang auf etwa 900°C erhitzt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterplättchen nach dem Erhitzen aus dem Raum entnommen wird, in dem der Unterdruck aufrechterhalten wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Halbleiterplättchen nach dem Erhitzen und vor dem Entnehmen aus der Vorrichtung mittels Strahlungskühlung auf eine Temperatur von 700°C oder darunter abgekühlt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass zum Abkühlen des Halbleiterplättchens die Tragplatte von der Schwarzkörperstrahlungsquelle weg in eine Stellung geschwenkt wird, bei welcher das Halbleiterplättchen Wärme an die Wände der es umgebenden Behandlungskammer abstrahlt.
8. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Behandlungskammer (20, 24), eine Einrichtung (33) zum Erzeugen eines Unterdruckes in der Behandlungskammer, Einrichtungen (18, 19) zum Einführen des Halbleitermaterials in die Behandlungskammer bzw. zum Entnehmen desselben aus der Behandlungskammer, eine in der Behandlungskammer angeordnete Tragplatte zum Aufnehmen des Halbleitermaterials bei dessen Einführung in die Behandlungskammer, zum Unterstützen des Materials während der Wärmebehandlung sowie zum Bereithalten des Materials zur Abgabe aus der Behandlungskammer sowie eine Schwarzkörperstrahlungsquelle (35), die grösstenteils eine konstante, ebene Verteilung des Energieflusses erzeugt und während der Wärmebehandlung gegenüber der Tragplatte angeordnet ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schwarzkörperstrahlungsquelle (35) während der Wärmebehandlung in einem Abstand von weniger als 12,5 mm von der Tragplatte (21) und im wesentlichen parallel dazu angeordnet ist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schwarzkörperstrahlungsquelle (35) eine wirksame Fläche zum Abgeben einer konstanten ebenen Strahlung aufweist, die grösser ist als der Flächeninhalt des Halbleiterplättchens (37).
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Tragplatte (21) eine aktive Kühleinrichtung (40) für den Hauptkörper der Tragplatte aufweist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Tragplatte (21; 62) mindestens eine zwischen dem Plättchen (37; 60) und dem Hauptkörper der Tragplatte angeordnete thermische Abschirmung (40a, 41; 65, 66) aufweist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die äussere thermische Abschirmung (65) der beiden genannten Abschirmungen eine annähernd konkave Form hat,

se dass sie von dem Plättchen (60) nur längs seines äusseren Randes berührt wird.
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch federnde Anschläge (64) aus hitzebeständigem Metall zum Aufnehmen und Anhalten des Plättchens (60) während des Einführens des Plättchens in die Tragplatte (62).
15. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schwarzkörperstrahlungsquelle (35) aus einem im wesentlichen ebenen Gebilde (50) aus elektrischem Widerstandsmaterial, das ein serpentinenförmiges Muster aufweist, hergestellt und zum parallelen eng beabstandeten Ausrichten mit dem Halbleiterplättchen (37) ausgebildet ist, dass Mittel (54) zum Erhalten von Energie durch Schaffen einer vorbestimmten Strahlungsintensität über einem Bereich, der nicht wesentlich grösser ist als jener des Halbleiterplättchens und zum Erzeugen einer im wesentlichen gleichmässigen Schwarzkörperstrahlungsintensität innerhalb des genannten Bereiches über der Oberfläche des genannten Halbleiterplättchens vorhanden sind, dass die genannten Mittel (54) einen dünnen Mittelteil innerhalb der Umfangslinie (51) des Widerstandsmaterials aufweisen, welcher Mittelteil eine höhere Strahlungsintensität erzeugt als der den Mittelteil umgebende Umfangsbereich ausserhalb der Umfangslinie (51) und dass elektrische Mittel zum Verbinden der Schwarzkörperstrahlungsquelle mit einer elektrischen Energiequelle vorhanden sind.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Widerstandsmaterial Graphit ist.
17. Schwarzkörperstrahlungsquelle für die Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 16, zum Erzeugen eines konstanten, eine ebene Verteilung aufweisenden Energieflusses, mit einem Tragglied (64) zum Positionieren eines Halbleiterplättchens (60) in enggekoppelter Stellung zur Strahlungsquelle, dadurch gekennzeichnet, dass das Tragglied widerstandsfähige metallische Abschirmmittel (65, 66) aufweist, die auf der der genannten Strahlungsquelle abgewandten Seite des einzusetzenden Halbleiterplättchens (60) angeordnet sind, und dass die Abschirmmittel (65, 66) ein konkaves Schildglied (65) zum Aufnehmen und gleichmässigen Erwärmen des genannten Halbleiterplättchens während der Wärmebehandlung aufweisen.
18. Schwarzkörperstrahlungsquelle nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass das Tragglied Blattfedern (64) aufweist, die der einen Kante der genannten Abschirmmittel (65, 66) entlang angeordnet sind und als Stopp- und Anschlagmittel für das genannte Halbleiterplättchen (60) dienen, so dass das Halbleiterplättchen in enger Kopplung der Schwarzkörperstrahlungsquelle gegenüberliegt.
19. Schwarzkörperstrahlungsquelle nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Blattfedern (64) im wesentlichen eine gleiche Kurvenform wie das Halbleiterplättchen (60) aufweisen, wobei ein Teil des Kreisumfanges des Halbleiterplättchens zum Anliegen an einen Teil der Blattfedern (64) bestimmt ist.