CH469815A - Verfahren zum Aufdampfen einer Schicht - Google Patents
Verfahren zum Aufdampfen einer SchichtInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL6504932A NL6504932A (cs) | 1965-04-17 | 1965-04-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CH469815A true CH469815A (de) | 1969-03-15 |
Family
ID=19792962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CH537766A CH469815A (de) | 1965-04-17 | 1966-04-14 | Verfahren zum Aufdampfen einer Schicht |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT267107B (cs) |
| BE (1) | BE679635A (cs) |
| CH (1) | CH469815A (cs) |
| DE (1) | DE1521424A1 (cs) |
| GB (1) | GB1085998A (cs) |
| NL (1) | NL6504932A (cs) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2230792A (en) * | 1989-04-21 | 1990-10-31 | Secr Defence | Multiple source physical vapour deposition. |
-
1965
- 1965-04-17 NL NL6504932A patent/NL6504932A/xx unknown
-
1966
- 1966-04-14 GB GB1641866A patent/GB1085998A/en not_active Expired
- 1966-04-14 AT AT352066A patent/AT267107B/de active
- 1966-04-14 CH CH537766A patent/CH469815A/de unknown
- 1966-04-14 DE DE19661521424 patent/DE1521424A1/de active Pending
- 1966-04-15 BE BE679635D patent/BE679635A/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1521424A1 (de) | 1969-08-21 |
| NL6504932A (cs) | 1966-10-18 |
| GB1085998A (en) | 1967-10-04 |
| BE679635A (cs) | 1966-10-17 |
| AT267107B (de) | 1968-12-10 |
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