CH416574A - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstäben durch Ziehen aus der Schmelze - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstäben durch Ziehen aus der Schmelze

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CH416574A
CH416574A CH1350163A CH1350163A CH416574A CH 416574 A CH416574 A CH 416574A CH 1350163 A CH1350163 A CH 1350163A CH 1350163 A CH1350163 A CH 1350163A CH 416574 A CH416574 A CH 416574A
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semiconductor rods
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semiconductor
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CH1350163A
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Wolfgang Dr Keller
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Siemens Ag
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    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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