CH393540A - Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einkristallinem Halbleiterkörper - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einkristallinem Halbleiterkörper

Info

Publication number
CH393540A
CH393540A CH55460A CH55460A CH393540A CH 393540 A CH393540 A CH 393540A CH 55460 A CH55460 A CH 55460A CH 55460 A CH55460 A CH 55460A CH 393540 A CH393540 A CH 393540A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
production
arrangements
semiconductor
semiconductor body
crystal semiconductor
Prior art date
Application number
CH55460A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Reimer Dipl Phys Emeis
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH393540A publication Critical patent/CH393540A/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
CH55460A 1959-03-13 1960-01-19 Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einkristallinem Halbleiterkörper CH393540A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES62124A DE1096502B (de) 1959-03-13 1959-03-13 Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einkristallinem Grundkoerper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH393540A true CH393540A (de) 1965-06-15

Family

ID=7495363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH55460A CH393540A (de) 1959-03-13 1960-01-19 Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einkristallinem Halbleiterkörper

Country Status (3)

Country Link
CH (1) CH393540A (es)
DE (1) DE1096502B (es)
NL (1) NL248617A (es)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2927220A1 (de) * 1979-07-05 1981-01-15 Wacker Chemitronic Verfahren zur stapelfehlerinduzierenden oberflaechenzerstoerung von halbleiterscheiben

Also Published As

Publication number Publication date
DE1096502B (de) 1961-01-05
NL248617A (es)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH392490A (de) Verfahren zur Herstellung von normalerweise gasförmigen Olefinen
CH431069A (de) Verfahren zur Herstellung von Polyoxamiden
CH364244A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinkristallen
CH392896A (de) Verfahren zur Herstellung von Kunstharzen
CH414043A (de) Verfahren zur Herstellung von Farbstoffen
CH403727A (de) Verfahren zur Herstellung von Monopersulfaten
CH409892A (de) Verfahren zur Herstellung von Peroxo-monosulfaten
CH392500A (de) Verfahren zur Herstellung von Dioxysteroiden
CH382296A (de) Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial
CH382372A (de) Verfahren zur Herstellung von Hydroxocobalamin-Glutathion
CH393540A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einkristallinem Halbleiterkörper
CH391961A (de) Verfahren zur Herstellung von Salbengrundlagen mit schmalzartiger Konsistenz
CH390234A (de) Verfahren zur Herstellung von Vinylthioäthylthiolphosph3r- bzw, -phosphonsäureestern
CH402192A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einem einkristallinen Halbleiterkörper
CH398514A (de) Verfahren zur Herstellung von Dibortetrachlorid
CH381784A (de) Verfahren zur Herstellung von Farbstoffen
CH417101A (de) Verfahren zur Herstellung von Polyaddukten
CH397266A (de) Verfahren zur Herstellung von Magnetogrammträgern
CH393602A (de) Verfahren zur Herstellung von Chlor-Brom-Phthalocyaninen
CH389781A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
CH374647A (de) Verfahren zur Herstellung von Aminoacetalen
CH379029A (de) Verfahren zur Herstellung von Farbstoffen
CH395384A (de) Verfahren zur Herstellung von Farbstoffen
CH420416A (de) Verfahren zur Herstellung von Farbstoffen
CH401039A (de) Verfahren zur Herstellung von 2-Fluorsteroiden der Androstanserien