CH384723A - Transistor, insbesondere zur Verwendung als Schalter für hochfrequente Vorgänge - Google Patents

Transistor, insbesondere zur Verwendung als Schalter für hochfrequente Vorgänge

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CH384723A
CH384723A CH1327360A CH1327360A CH384723A CH 384723 A CH384723 A CH 384723A CH 1327360 A CH1327360 A CH 1327360A CH 1327360 A CH1327360 A CH 1327360A CH 384723 A CH384723 A CH 384723A
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CH1327360A
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Klaus Dipl Phys Braun
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Siemens Ag
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/611—Combinations of BJTs and one or more of diodes, resistors or capacitors
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/042—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0422—Anti-saturation measures
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