CH384688A - Impedanzschutzeinrichtung mit Halbleiterelementen - Google Patents

Impedanzschutzeinrichtung mit Halbleiterelementen

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CH384688A
CH384688A CH1422260A CH1422260A CH384688A CH 384688 A CH384688 A CH 384688A CH 1422260 A CH1422260 A CH 1422260A CH 1422260 A CH1422260 A CH 1422260A CH 384688 A CH384688 A CH 384688A
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CH
Switzerland
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semiconductor elements
measured
fed
switching
transistor
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Application number
CH1422260A
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English (en)
Inventor
Helmut Dipl Ing Ungrad
Original Assignee
Bbc Brown Boveri & Cie
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H1/00Details of emergency protective circuit arrangements
    • H02H1/0038Details of emergency protective circuit arrangements concerning the connection of the detecting means, e.g. for reducing their number
    • H02H1/0046Commutating the detecting means in dependance of the fault, e.g. for reducing their number

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  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Description


      Impedanzschutzeinrichtung    mit Halbleiterelementen    Es ist ein     Impedanzschutz    bekannt, welchem je  nach der Fehlerart die Spannung und der Strom ver  schiedener Phasen als Phasenwerte bzw. verkettete  Werte zugeführt werden. Bei den bisher verwendeten  elektromechanischen Relais sind solche Umschaltun  gen seit langem bekannt. Bei Fehlern zwischen den ein  zelnen Phasen werden beispielsweise die verketteten  Werte der Spannung und des Stromes benutzt. Für  Fehler mit Erdberührung, also einpolige oder zwei  polige Fehler in geerdeten Netzen, oder bei     Doppelerd-          schlüssen    in nicht geerdeten Netzen, werden die Pha  senwerte an die Relais gelegt.

   Man hat auch in den so  genannten     Einrelais-Schaltungen    die Umschaltung so  durchgeführt, dass bei Verwendung nur eines einzigen       Messrelais,    je nachdem zwischen welchen Phasenleitern  der Fehler auftritt, die richtigen Werte der Spannung  und des Stromes angeschaltet werden. Diese Umschal  tungen wurden bei den elektromechanischen Relais  mit Hilfe von     Anwurfrelais    und im Nulleiter vorgese  hene     Nullstrom-Relais    durchgeführt. Diese Umschal  tungen brauchen nun immer eine bestimmte Zeit, so  dass die Eigenzeit solcher Schutzeinrichtungen einen  bestimmten Wert nicht unterschreiten kann.  



  Die Anforderungen an die     Auslösezeiten    der     Impe-          danzschutzeinrichtungen    sind nun aber wesentlich er  höht worden, die Schutzeinrichtung soll möglichst  während einer einzigen Periode auslösen können. Dies  konnte mit mechanischen Relais bisher nur dadurch  erreicht werden, dass jede Umschalteinrichtung ver  mieden worden ist. Schutzeinrichtungen, welche bei  allen     Kurzschlussarten    richtig arbeiten sollen, müssten  daher mit 6     Messrelais    ausgerüstet werden, welche zu  gleich     Anwurfmessrelais    wären und unmittelbar auf die  Schalterauslösung wirkten.  



  Diese Ausführung erfordert einen grossen Aufwand  an teuren     Messrelais,    so dass sie, abgesehen vom Preis,  auch einen grossen Platzbedarf verlangt.    Es ist nun bekannt, dass man mit der Verwendung  elektronischer Schaltungen bedeutend schnellere Um  schaltungen erreichen kann, da diese praktisch     unver-          zögert    arbeiten, insbesondere bringt die Verwendung  von Halbleiterdioden oder Transistoren anstatt mecha  nischer Relais eine bedeutende Verkürzung der Um  schaltzeit mit sich.  



  Nun ergibt sich aber bei der Anwendung solcher  Halbleiterdioden oder Transistoren als Umschalter die  Schwierigkeit, dass diese in einen     Strakstromkreis    ein  geschaltet werden müssen und zugleich zur Steuerung  Gleichspannungen benötigen. Dazu kommt, dass bei  Transistoren nicht wie bei mechanischen Relais der       Ansprechkreis    und der     Auslösekreis    galvanisch ge  trennt sind, sondern über die Gleichspannung und im  Transistor selbst miteinander verbunden sind. Ausser  dem muss darauf geachtet werden, dass sie bei Einbau  in Wechselstromkreise während der Zeit der Durch  lässigkeit beide Halbwellen durchlassen müssen. Dies  erfordert besondere Massnahmen, da Transistoren  immer nur in einer Richtung Strom durchlassen.

   Ein  einfacher Ersatz mechanischer Relais durch Transisto  ren ist daher bei solchen Umschaltungen nicht     möglich,     sondern es stellt sich die Aufgabe, besondere Schal  tungen anzuwenden, bei denen eine gegenseitige Be  einflussung der Kreise möglichst vermieden oder we  nigstens unschädlich gemacht wird und bei denen die  Schaltung beider Halbwellen wieder ermöglicht wird.  



  Zur Lösung dieser Aufgabe wird nun erfindungs  gemäss vorgeschlagen, dass ein     Hilfswandler    vorgesehen  ist, dem die     Messwerte    über die Halbleiterelemente zu  geführt werden, wobei die Elemente einerseits mit  einem die die Umschaltung bewirkende     Messgrösse     führenden Stromwandler über eine     Kippschaltung,     anderseits mit den zu schaltenden     Messgrössen    verbun  den sind, und dass für beide Halbwellen je ein Halb  leiterelement vorgesehen ist.      Die doppelte Ausführung ermöglicht hierbei, beide  Halbwellen in gleicher Weise durchzulassen.

   Die Ver  bindung der Halbleiterelemente über einen Strom  wandler mit den     Messgrössen    ermöglicht eine galvani  sche Trennung zwischen den umzuschaltenden und den  die Umschaltung bewirkenden     Messgrössen.    Die Ver  bindung mit der notwendigen Gleichstromquelle wird       zweckmässigerweise    über Widerstände hergestellt, wel  che so geschaltet sind, dass sie den Wechselstrom selbst  nicht beeinflussen.    In der     Fig.    1 ist ein Beispiel der Anordnung mit  Transistoren gezeigt. Hierbei ist die Umschaltung der  Phasenspannung auf die verkettete Spannung darge  stellt, welche durch das Auftreten des Nullstromes be  wirkt wird.

   Fliesst ein Nullstrom, so muss die Phasen  spannung an das     Messrelais    gelegt werden, fliesst aber  keiner, so muss die verkettete Spannung am Relais lie  gen. Im Beispiel liegt normalerweise die Spannung UR  an der Wicklung 1, während an der Wicklung 2 die  Spannung     Us    zugeschaltet werden soll, wenn im     Wand-          ler    3 kein Strom     fliesst.    In der Wicklung 4 entsteht dann  die verkettete Spannung<I>UR-</I>     Us.    Der Strom 10 liegt  hierbei also nicht an einem Relais, sondern an dem  Wandler 3, von dort wird der Strom an eine     Kipp-          schaltung    5 geführt,

   in welcher von einer bestimmten  Höhe des Stromes     I,    an ein positives Ausgangssignal  erzeugt wird. Bei kleineren Spannungen entsteht in der  Kippschaltung ein negatives Ausgangssignal. Als sol  che Schaltungen können in bekannter Weise     Multivi-          bratoren    verwendet werden. Die Signale werden dann  über ein Verzögerungsglied 6 geführt, welches nur so  lange verzögert, bis die Einschaltvorgänge beim Auf  treten des Fehlers abgeklungen sind, also eine Verzö  gerung von höchstens einer halben Periode.

   Von dort  gelangt das Signal an den Transistor 7, welcher durch  lässig ist, wenn das Signal negativ ist     (pnp-Transistor),     also wenn kein Strom im Wandler 3     fliesst;    dann ist der  Sekundärkreis des Hilfswandlers 8 geschlossen, so dass  an der Wicklung 2 die Spannung     Us    liegt. Zunächst  gilt dies nur für die eine Halbwelle, die andere Halb  welle wird an einen entsprechenden Transistor 9 ge  führt, welcher ebenfalls durchlässig ist, wenn kein  Strom im Wandler 3     fliesst.    Die Einrichtungen 5 und 6  können hierbei beiden Halbwellen gemeinsam sein.  



  Es sei noch erwähnt, dass diese Schaltung auch bei       Einrelaisschaltungen    angewendet werden kann, bei  denen dann der umschaltende Strom ein Phasenstrom  ist, also statt     I,    beispielsweise     Is    an den Wandler 3  angelegt wird. In diesem Falle könnte die Spannung       Us    an der Wicklung 1 und     UT    an der Wicklung 2 liegen.  Eine Umschaltung der Spannung beispielsweise von       UT    auf UR an derselben Wicklung 2 kann dadurch  leicht bewerkstelligt werden, dass die Wicklung 2 über  so viel Transistoren an die betreffenden Spannungen  angeschlossen ist, als solche Spannungen vorhanden  sind. Es muss dann jeweils ein Transistor leitend sein.

    Diese Umschaltung ist im einzelnen bereits bei mecha  nischen Relais bekannt, so dass hierfür keine weitere  Beschreibung und Figur     erforderlich    sind. Der einzige    Unterschied besteht darin, dass keine Umschalter, son  dern für jede Spannung ein gesonderter Transistor ver  wendet wird, man kann aber auch Umschalttransisto  ren benutzen     (pnpn).     



  Auf die gleiche Weise können auch Ströme umge  schaltet werden, wobei die Ströme vorher in ebenfalls  bekannter Weise, aber im Gegensatz zur Schaltung mit  mechanischen Relais über Impedanzen in Spannungen  umgewandelt werden.  



  Eine andere Ausführung zeigt     Fig.    2, dort sind statt  der Transistoren mehrere als     Modulator    geschaltete  Halbleiterdioden 10 vorgesehen, welche mit den vom       Messstrom    erzeugten Impulsen moduliert werden. Der       Modulator    lässt den Wechselstrom nur durch, wenn  Impulse vorhanden sind.  



  Der Vorteil der Anordnung ist neben der gewonne  nen kurzen Zeit, die sich aus der Anwendung von Tran  sistoren ergibt, dass die Kreise der einzelnen     Messgrö-          ssen    nicht galvanisch miteinander verbunden sind und  die für die Steuerung der Transistoren nötige Gleich  spannung sich nicht auf die Wechselstromkreise aus  wirken kann, so dass trotz der Richtwirkung der Tran  sistoren beide Halbwellen in gleicher Weise geschaltet  werden können.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Impedanzschutzeinrichtung mit Halbleiterelemen ten, welchen je nach der Fehlerart Messwerte verschie dener Phasen als Phasenwerte oder verkettete Werte zugeführt werden, dadurch gekennzeichnet, dass ein Hilfswandler vorgesehen ist, dem die Messwerte über die Halbleiterelemente zugeführt werden, wobei die Elemente einerseits mit einem die die Umschaltung bewirkende Messgrösse führenden Stromwandler über eine Kippschaltung, anderseits mit den zu schaltenden Messgrössen verbunden sind, und dass für beide Halb wellen je ein Halbleiterelement vorgesehen ist. UNTERANSPRÜCHE 1.
    Einrichtung nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass als Halbleiterelemente Transistoren verwendet werden, welche mit ihrer Basis an einem die die Umschaltung bewirkende Messgrösse führenden Stromwandler über eine Kippschaltung liegen, wobei die Kollektoren mit dem zu schaltenden Messwert ver bunden sind, und dass für beide Halbwellen je eine solche Transistorschaltung vorgesehen ist. 2. Einrichtung nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass die Halbleiterelemente als Ring- modulatoren geschaltet sind. 3. Einrichtung nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass der Nullstrom über ein zusätzliches Verzögerungsglied den Halbleiterelementen zugeführt wird. 4.
    Einrichtung nach Unteranspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, dass für jede Halbwelle der die Umschal tung bewirkenden Grösse ein Transistor vorgesehen ist, die Kippschaltung aber für beide Halbwellen gemein sam ist. 5. Einrichtung nach Patentanspruch, dadurch ge kennzeichnet, dass im Spannungskreis zwei verschiedene Phasenspannungen liegen, von denen die eine von dem Transistor gesteuert wird, und dass jede Phasenspan nung getrennt einer Wicklung eines Hilfstransforma tors zugeführt wird.
CH1422260A 1960-12-21 1960-12-21 Impedanzschutzeinrichtung mit Halbleiterelementen CH384688A (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT201900012894A1 (it) * 2019-07-25 2021-01-25 Carlo Gavazzi Automation S P A Circuito di pilotaggio per il controllo di un modulo di sicurezza particolarmente per il pilotaggio di apparecchiature utilizzate negli impianti di controllo e segnalamento ferroviario e modulo di sicurezza comprendente detto circuito di pilotaggio

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IT201900012894A1 (it) * 2019-07-25 2021-01-25 Carlo Gavazzi Automation S P A Circuito di pilotaggio per il controllo di un modulo di sicurezza particolarmente per il pilotaggio di apparecchiature utilizzate negli impianti di controllo e segnalamento ferroviario e modulo di sicurezza comprendente detto circuito di pilotaggio

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