CH339023A - Verfahren zum Ätzen der Oberfläche eines halbleitenden Körpers aus einem Tellurid eines zweiwertigen Metalles - Google Patents

Verfahren zum Ätzen der Oberfläche eines halbleitenden Körpers aus einem Tellurid eines zweiwertigen Metalles

Info

Publication number
CH339023A
CH339023A CH339023DA CH339023A CH 339023 A CH339023 A CH 339023A CH 339023D A CH339023D A CH 339023DA CH 339023 A CH339023 A CH 339023A
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
telluride
etching
body made
divalent metal
semiconducting body
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Nobel Dirk De
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of CH339023A publication Critical patent/CH339023A/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Weting (AREA)
CH339023D 1954-12-01 1955-11-29 Verfahren zum Ätzen der Oberfläche eines halbleitenden Körpers aus einem Tellurid eines zweiwertigen Metalles CH339023A (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL339023X 1954-12-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH339023A true CH339023A (de) 1959-06-15

Family

ID=19784635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH339023D CH339023A (de) 1954-12-01 1955-11-29 Verfahren zum Ätzen der Oberfläche eines halbleitenden Körpers aus einem Tellurid eines zweiwertigen Metalles

Country Status (6)

Country Link
US (1) US2822250A (de)
BE (1) BE543254A (de)
CH (1) CH339023A (de)
FR (1) FR1136614A (de)
GB (1) GB773860A (de)
NL (2) NL87792C (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL132314C (de) * 1960-07-06
US3143447A (en) * 1960-12-22 1964-08-04 Marriner K Norr Chemical etches for lead telluride crystals
US3274036A (en) * 1962-08-02 1966-09-20 United Aircraft Corp Arc etching
DE1544281C3 (de) * 1966-03-04 1975-04-03 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Dotieren von Silicium- Halbleitermaterial
US3629023A (en) * 1968-07-17 1971-12-21 Minnesota Mining & Mfg METHOD OF CHEMICALLY POLISHING CRYSTALS OF II(b){14 VI(a) SYSTEM
US3837882A (en) * 1971-09-02 1974-09-24 Kewanee Oil Co Optical bodies with non-epitaxially grown crystals on surface
US3869323A (en) * 1973-12-28 1975-03-04 Ibm Method of polishing zinc selenide
US3869324A (en) * 1973-12-28 1975-03-04 Ibm Method of polishing cadmium telluride
US4261791A (en) * 1979-09-25 1981-04-14 Rca Corporation Two step method of cleaning silicon wafers
US4456630A (en) * 1983-08-18 1984-06-26 Monosolar, Inc. Method of forming ohmic contacts
WO2010028062A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Hercules Incorporated Protein/cationic polymer compositions having reduced viscosity
CN104518045B (zh) * 2013-09-26 2018-03-23 中国建材国际工程集团有限公司 用来调理CdTe薄层太阳能电池的CdTe层的方法

Also Published As

Publication number Publication date
NL87792C (de)
US2822250A (en) 1958-02-04
BE543254A (de)
GB773860A (en) 1957-05-01
FR1136614A (fr) 1957-05-16
NL192840A (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH424732A (de) Verfahren zum Herstellen eines hochreinen Halbleiterstabes
CH473905A (de) Verfahren zum Überziehen eines Metallsubstrats
CH384972A (de) Verfahren zum elektrolytischen Aufbringen eines glänzenden Überzuges aus Gold oder einer Goldlegierung
CH330205A (de) Verfahren zum Ziehen eines stabförmigen kristallinen Körpers, vorzugsweise Halbleiterkörpers
CH339023A (de) Verfahren zum Ätzen der Oberfläche eines halbleitenden Körpers aus einem Tellurid eines zweiwertigen Metalles
CH353417A (de) Verfahren zur Herstellung eines mit einem Metallmuster versehenen isolierenden Trägers
CH365802A (de) Verfahren zur grossflächigen Kontaktierung eines Siliziumkörpers
CH341571A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers der Grenzschichtbauart
CH341572A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergerätes
CH359483A (de) Verfahren zum Plattieren der Oberfläche eines Körpers aus halbleitendem Material
CH339990A (de) Verfahren zum Anbringen eines Ohmschen Kontaktes auf einem halbleitenden Körper aus einem p-leitfähigen Tellurid eines zweiwertigen Metalles
CH352462A (de) Verfahren zur Herstellung eines Reinigungsmittels in Tablettenform
CH399607A (de) Verfahren zum Verbinden eines Metallkörpers mit einem keramischen Körper
CH338535A (de) Verfahren zum Anbringen eines feinmaschigen leitenden Netzwerkes an der Oberfläche eines isolierenden Trägers
CH333678A (de) Verfahren zum Herstellen eines Stromwenders
CH354169A (de) Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden Elektrodensystems mit einem Körper aus einem halbleitenden Selenid oder Tellurid eines zweiwertigen Metalles
AT189288B (de) Verfahren zum Abätzen der Oberfläche eines halbleitenden Körpers aus einem Tellurid eines zweiwertigen Metalls
CH346022A (de) Verfahren zur Herstellung eines Schichtstoffes
CH450553A (de) Verfahren zum Beschichten eines Halbleitermateriales
AT193945B (de) Verfahren zur Änderung der spezifischen Leitfähigkeit eines Halbleitermaterials
CH352055A (de) Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Körpers aus halbleitendem Material
CH335915A (de) Verfahren zum Schützen der Oberfläche von Gegenständen aus eisenhaltigen Werkstoffen gegen atmosphärische Korrosion
CH360320A (de) Verfahren zum Lackieren eines Gegenstandes mit poröser Oberfläche
CH334815A (de) Verfahren zur Behandlung der Oberfläche eines Halbleitkörpers
CH346949A (de) Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichterelementes