CH192231A - Method of manufacturing a photo-electric electrode. - Google Patents

Method of manufacturing a photo-electric electrode.

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CH192231A
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Gloeilampenfabrieken N Philips
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Philips Nv
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  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)

Description

  

  Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Elektrode.    Es     ist    bekannt, bei .der Herstellung einer  photoelektrischen     Eleihtrode    von einer Silber  schicht auszugehen, diese, ganz oder teilweise  zu     oxydieren    und ,dann der     Einwirkung    eines  photoelektrischen     Metaller,    insbesondere eines       Alkali-    oder     Erdulkalimetalles,    derart zu  unterwerfen,     ,

  dass    das durch die Oxydation       gebildete    Silberoxyd von dem photoelektri  schen Metall reduziert und ein Gemisch     des     Oxyds -des     photoelektrischen    Metaller und  des     reduzierten    Silbers erhalten wird.

   Die  Entladungsröhre, in der die     photoelektrische     Elektrode     hergestellt    wird, wird zweckmässig  einer derartigen Behandlung     unterworfen,          da.ss    in dieses     Gemisch    auch noch Teilchen  des     photoelektrischen    Metaller     selbst    eindrin  gen,     .da,s    sich auch     a.ls    eine.dünne     adsorbiezte     Schicht auf der     gebildeten    gemischten  Schicht absetzt.

   Der     Überschuss    an photo  elektrischem     Metall    wird     -.darauf    in der Re  gel, z. B.     mittels    einer Pumpe, aus der Ent  ladungsröhre     entfernt    oder     inuerhalb    der  letzteren gebunden, z.     B,    mit Hilfe eines    Stoffes, wie Bleioxyd, :der mit dem Über  schuss an     photoelektrischem.    Metall eine  chemische     'Verbindung    eingeht, oder eines  Stoffes, wie Blei und Zinn, der mit diesem  Metall eine     Legieraug        bildet.     



  Die Silberschicht, von der bei der Her  stellung der photoelektrischen Elektrode  ausgegangen wird, kann auf     verschiedene          Weise    erhalten werden. Wird     diese    Elek  trode nicht auf der Wand der Entladungs  röhre angebracht, sondern frei von dieser  Wand angeordnet, so kann von einer Silber  platte ausgegangen werden, die in vielen  Fällen z. B.     halbzylinderförmig        ausgebildet     sein kann. Diese     Platte    kann jedoch auch  aus einem andern Metall, z. B.

   Kupfer, her  gestellt sein, das in     .diesem    Fall mit einer  Silberschicht überzogen wird.     Dieser    Über  zug     kann    vor der Anordnung der     Platte    in  der     Entladungsröhre    aufgebracht werden,  wozu dem Fachmann verschiedene Verfahren  zur     Verfügung        stehen.         In sehr vielen Fällen wird die Silber  schicht auf die     Innenseite    der Wand der       Entladungsröhre    aufgebracht, was     dadurch     erfolgen kann, dass das     Silber    aus einer     ge-          eigneten,

      in     die    Entladungsröhre eingebrach  ten Lösung niedergeschlagen wird. Diese  Metallschicht wird jedoch häufig dadurch  erhalten, dass Silber im Vakuum verdampft       und,diesier    Dampf kondensiert wird. Bei der  Herstellung von     photoelektrischen        Zellen    ist       es    z. B. üblich, in der     Zelle    einen vorher mit       Silber    überzogenen Glühdraht anzuordnen.  Es wird dann nach Entlüftung der Zelle ein  elektrischer Strom durch diesen Draht ge  schickt, wodurch das Silber derart erhitzt  wird, dass- es verdampft.

   Der     Glühkörper    ist  dabei     derart    angeordnet,     dass    sich das ver  dampfte Metall auf demjenigen Teil der  Wand niederschlägt, wo die photoelektrische       Elektrode    zu bilden ist.  



       Diese    Methode der Verdampfung und  Kondensation lässt sich selbstverständlich  auch     anwenden,    wenn die photoelektrische  Elektrode nicht auf einem Teil der Wand       anzubringen    ist, sondern auf einem     in    der  Entladungsröhre angeordneten     Körper,    der  aus     Glas    oder     Metall        bestehen    kann.  



  Die Erfindung bezweckt ein     verbessertes     Verfahren zur     Herstellung    einer photoelek  trischen Elektrode.  



  Die ganz oder teilweise zu oxydierende  und     dann    der Einwirkung eines     photoelek-          trischen        Metallgis        auszusetzende     wird erfindungsgemäss dadurch hergestellt,  dass,     .Silberteilchen    mit einer     derartigen    Kon  zentration in eine     indifferente        Gasatmo-          sphä.reeines    solchen     Druckes    eingeführt und  aus     dieser    Atmosphäre niedergeschlagen wer  den, d ass,

       die    niedergeschlagenen Silberteil  chen eine     dunkelgefärbte,    eine matte Ober  fläche zeigende Schicht bilden und kleiner  als 0,5     Mikron,    zweckmässig von der Grössen  <U>ordnung</U> von 0,01     Mikron,    sind. Die .Silber  teilchen können z. B. durch thermische Ver  dampfung     oder,durch        Zerstäubung    mit Hilfe  einer     elektrischen    Entladung, bei der das  Silber die     Kathode    darstellen kann, in die       Gasatmosphäre    eingebracht werden.

      Es wurde gefunden,     dass-,    wenn diese  Silberschicht auf .die bekannte     Weise    behan  delt, d. h. oxydiert und der Einwirkung des  photoelektrischen Metallgis unterworfen wird,  eine     photoelektrische    Elektrode erhalten  wird, die eine sehr grosse     Empfindlichkeit     besitzt. Die     Silberschicht    hat eine matte  Oberfläche und eine dunkle Farbe.

   Die  Farbe ist von der Grösse     der    Silberteilchen  abhängig,     aus    denen die Schicht aufgebaut       ist.    Eine Schicht aus Teilchen von etwa  0,01     Mikron    hat eine     mattschwarze    Farbe,  während bei einer Teilchengrösse von 0,1     Mi-          kron    die Farbe dunkelgrau ist.  



  Die Grösse der Teilchen ist von der Kon  zentration abhängig, die beim Niederschla  gen     aus    der indifferenten Gasatmosphäre an  gewendet wird. Je grösser .die Konzentration,  desto grösster auch die Abmessungen der     nie-          dergesehlagenenSilberteilchen.    Bei thermi  scher Verdampfung des Silbers kann die       Verdampfungsgeschwindigkeit    durch An  wendung höherer     Temperaturen    erhöht wer  den.

   Werden die Silberteilchen durch     Zer-          stäubung    in die Gasatmosphäre     eingeführt,     so kann die     Silbermenge,    die je     Zeiteinheit     in die Gasatmosphäre eingebracht wird,  durch Erhöhung der Stromstärke und .durch  Verstärkung des elektrischen     Feldes    ver  grössert     werden.     



  Auch der     Druck    der Gasatmosphäre be  einflusst die     Grösse    der niedergeschlagenen       Silberteilchen.    Da sich das Silber bei sehr  niedrigen Gasdrücken     atomär    niederschlägt,  wodurch wie bei Verdampfung im Hoch  vakuum eine vollkommen zusammenhängende  Silberschicht mit spiegelnder Oberfläche er  halten     wird,    muss, der Druck des Gases ge  nügend hoch gewählt werden, um das Ent  stehen einer solchen spiegelnden Schicht zu  vermeiden. Anderseits ist der Gasdruck  nicht zu hoch zu wählen, da     .ein    zu hoher  Druck die Geschwindigkeit, sehr     verringert,     mit der die Silberteilchen in die Gasatmo  sphäre eingebracht werden können.

   Es kom  men im     allgemeinen    Gasdrucke von 0,05 bis  5 mm     Quecksilbersäule    in Frage.  



  Die Konzentration der     Silberteilchen    in      der Gasatmosphäre, sowie der Druck .der  letzteren werden derart ,gewählt,     .dass    sich  die     ,Silberatome    vor dem Niederschlagen  zwar kombinieren (also kein Niederschlag  von     atomärem    Silber), aber doch nur Teil  chen von sehr kleinen     Ausmassen    (kleiner als  0,5     Mikron)    bilden. Je     kleiner    die Teilchen  sind, welche die Silberschicht aufbauen,       desto    dunkler ist die Farbe der Schicht.

         -Weisen    die Teilchen     Abmessungen    von     etwa     0,01     Mikron    auf, so hat, wie schon angege  ben, die     erhaltene    Schicht eine     tiefschwarze     Farbe. Werden die Teilchen noch kleiner, so  kann das Spiegelvermögen zurückkehren. Da  man gefunden hat, dass eine Verringerung  der Ausmasse der aufbauenden Teilchen eine  grössere Empfindlichkeit der     photoalektri-          schen    Elektrode zur Folge hat, werden diese  Teilchen     zweckmässig    wesentlich     kleiner    als  0,5     Mikron,    z.

   B. kleiner als 0.,1     ldikron,    und       zvweekmässig    sogar von :der Grössenordnung  von 0,01     Mikron    gemacht.  



  Der meist     erwünschte    Gasdruck und die  vorteilhafteste Konzentration der     Silberteil-          chen    in :der Gasatmosphäre lassen.     sich    für       Jeden    besonderen Fall durch einige Versuche  bestimmen. Der zu wählende Gasdruck und  die Konzentration hangen auch einigermassen  ab von dem Abstand des in Form von Teil  chen in die     Gaeatmosphäre    eingebrachten  Silbers von der Stelle, wo die, Silberschicht,  zu bilden ist.

   Bei grösserem Abstand haben  die Silberatome mehr Gelegenheit zum Kom  binieren, so -dass bei gleichem     Gasdruck    und  gleicher     Verdampfungsgeschwindigkeit    Teil  eben von grösseren Abmessungen     niederge-          schla"en    werden als; bei geringerem Abstand.  Bei einem zu geringen Abstand jedoch wür  den die Atome gar keine Gelegenheit zum       Kombinieren    haben, und es würde sich das  Silber     atomär    niederschlagen und eine spie  gelnde Oberfläche bilden.  



  Als Gasfüllung, in welche die Silber  teilchen eingebracht werden, werden Gase       verwendet,    die in bezug auf die Silberteil  chen indifferent sind, d. h. keine Verbindung  mit diesen Teilchen eingehen, z. B. Stick  stoff, Argon oder ein anderes Edelgas.    Die Erfindung wird anhand der Zeich  nung näher erläutert, in der eine photoelek  trische Zelle mit einer erfindungsgemäss her  gestellten Elektrode beispielsweise schema  tisch dargestellt ist.  



  Die     dargestellte    Zelle weist eine Glas  wand 1, auf, durch     die,der        Stromzuführungs-          draht    2 hindurchgeführt ist. Die Zelle ist  mit einem Fuss 3 versehen, auf dem der     Glüh-          draht    4 angeordnet ist; der bei dem normalen  Betrieb der Zelle als Anode dient. Die Zelle  ist im     -wesentlichen    kugelförmig ausgebildet  und hat     beispielsweise    einen Durchmesser  von 4 cm.  



  Diese Zelle kann     wie    folgt hergestellt  werden:  Der in der Nähe des Mittelpunktes der  kugelförmigen Zelle angeordnete     Glühdraht     4, der z. B. aus Wolfram oder     Alolybdän     besteht,     -wird,    bevor er in der Zelle angeord  net     -wird,    mit     etwa    40     Milligramm    Silber  überzogen.

   Nach vollkommener     Entlüftung     der Zelle -wird etwa die Hälfte dieses Silbers  verdampft; das     verdampfte    Silber schlägt  sich auf der Innenseite der Zellenwand nie  der und bildet dort die Silberschicht 5, die  mit dem     Stromzuführungsdraht    2 einen  guten Kontakt     herbeiführt.    Es     wird    dann  eine     Argonmenge        unter    einem Druck von  1,7 mm Quecksilbersäule in ,die Zelle einge  führt und es wird durch den Glühdraht 4  ein Strom .derartiger Intensität geschickt,  dass das auf ihm noch vorhandene Silber in  nerhalb 1,0 Sekunden verdampft.

   Das ver  dampfte Silber schlägt .sich auf der Silber  schicht 5 als eine nichtspiegelnde Schicht 6  nieder. Der Schirm 7 verhindert, dass der  Zellenfuss mit einem Silberniederschlag be  deckt wird. Auf ähnliche Weise     wird    mit  Hilfe eines (in der Zeichnung nicht darge  stellten) Schirmes ein     Fenster    8 freigelassen.  



  Nach der Bildung der Silberschicht 6  wird das Argon mittels einer Pumpe aus der  Zelle entfernt und Sauerstoff wird in die  Zelle eingelassen, zweckmässig unter einem  Druck von 0,15 mm Quecksilbersäule. Es  wird in dieser     Sauerstoffatmosphäre    eine  elektrische Entladung     herbeigeführt,    bei der      die Silberschichten 5 und 6 als Kathode und  der Draht 4 als Anode dienen. Die     Silber-          sehicht    ss, sowie gegebenenfalls ein Teil der  Schicht 5,     werden    infolge dieser     Entladung     oxydiert. Der Grad dieser Oxydation ist mit  Hilfe der Entladungsstromstärke und der  Entladungsdauer regelbar.

   Nachdem ein ge  nügender Grad der Oxydation des Silbers  erreicht     worden    ist, wird der     Überschuss    an  Sauerstoff     aus,der        Zelle    entfernt,     in,die    dann  eine     Caesiummenge        eingeführt    wird, was da  durch erfolgen kann, dass das     Caesium    in die  Zelle     hinüberdestilliert    oder in der Zelle  durch Erhitzung einer aus einer     Caesium-          verbin:dung    mit einem     Reduktionsmittel    be  stehenden Pastille freigemacht wird.

   Die  Zelle wird dann auf     etwa    180   C     erhitzt,     wobei sie nicht     mit    einer Vakuumpumpe in  Verbindung steht. Das     Caesium    reduziert  das     Silberoxyd,    wodurch eine Schicht aus  einem Gemisch von     Caesiumoxyd    und Sil  berteilchen erhalten wird. In diese Schicht  dringt ausserdem eine Menge freies     Caesium     ein, während auf dieser Schicht eine Menge       Caesium        adsorbiert    wird. Nach ,der Bildung  dieser Elektrode kann der     TUberschuss    an       Caesium,    z.

   B. durch Erhitzung des aus  Bleiglas bestehenden Füsschens entfernt wer  den.  



  Die auf     diese    Weise hergestellte photo  elektrische Elektrode     besitzt    eine sehr grosse  Empfindlichkeit. Es sei zur Illustration be  merkt, dass die mittlere Empfindlichkeit  einer Anzahl auf die beschriebene Weise       hergestellter    Elektroden 80     Mikroampere%Lu-          men    betrug, während die mittlere Empfind  lichkeit einer     Anzahl    von Elektroden, die  auf .gleiche Weise hergestellt wurden, jedoch  mit dem     Unterschied,    dass die     oxydierte    Sil  berschicht nicht durch Verdampfung in  einer     Gasatmosphäre,

      sondern ganz durch       Verdampfung    im Vakuum erhalten wurde,  40     Mikroampere/Lumen    betrug.  



  Die beschriebene Zelle kann gegebenen  falls auch mit     einer'    Gasfüllung versehen  werden. Zu diesem Zweck kann nach der  Herstellung der photoelektrischen Elektrode  z. B. eine     Argohmenge        unter    einem Druck    von 0,1 mm Quecksilbersäule in die     Zelle     eingeführt werden. Es ist auch möglich, die  Gasfüllung anzubringen, nachdem     die    Silber  schicht 6     oxydiert    worden ist und bevor das       Caesium    in der Zelle freigemacht wird, oder  bevor die Zelle nach dem Einbringen des       Caesiums    der Wärmebehandlung unterwor  fen wird.  



  Die auf die     obenbeschriebene    Weise her  gestellte photoelektrische Elektrode bietet.  besondere Vorteile, wenn sie in einer gasge  füllten photoelektrischen Zelle angewendet  wird, denn es     wurde    gefunden,     dass    diese  Elektrode nicht nur den Vorteil bietet, dass  die     Primärelektronenemission,    d. h.

   die An  zahl der durch Bestrahlung mit einer be  stimmten Lichtmenge     emittierten    Elektro  nen, gross ist, sondern auch den     weiteren     Vorteil, dass jedes positive Ion, das in der  Gasfüllung gebildet wird und auf die photo  elektrische Elektrode auftrifft, aus der letz  teren     verhältnismässig    wenige Elektronen       freimacht,    was zur Folge hat,     dass    die Zelle  weniger rasch durchschlägt, d. h.

   dass die  Gefahr für das     Auftreten    einer durch die       Belichtung    nicht mehr regelbaren     Glimment-          ladung    kleiner ist, während ausserdem der  photoelektrische Strom eine geringere Träg  heit zeigt.  



  Es ist     einleuchtend,    dass die erfindungs  gemäss     hergestellte    Silberschicht auch unmit  telbar auf Glas oder eine andere isolierende  Unterlage aufgebracht werden kann. Es ist  selbstverständlich auch möglich, .die Silber  schicht auf     eine        gesondert        in    der Zelle     an-          geordnete        Metallplatte    oder -auf eine auf der  Glaswand befindliche Metallschicht aufzu  bringen, die auf eine     andere    als die oben  beschriebene Weise, z. B. durch Ausfällung  aus einer Lösung, gebildet worden ist.



  Method of manufacturing a photoelectric electrode. It is known to start with a silver layer in the production of a photoelectric electrode, to oxidize it completely or partially and then to subject it to the action of a photoelectric metal, in particular an alkali or alkaline earth metal,

  that the silver oxide formed by the oxidation is reduced by the photoelectric metal and a mixture of the oxide of the photoelectric metal and the reduced silver is obtained.

   The discharge tube in which the photoelectric electrode is manufactured is expediently subjected to such a treatment that particles of the photoelectric metal itself also penetrate into this mixture, as there is also a thin adsorbed layer on the formed mixed layer settles.

   The excess of photoelectric metal is -.d it usually Re gel, z. B. by means of a pump, removed from the discharge tube or bound within the latter, z. B, with the help of a substance such as lead oxide: the one with the excess of photoelectric. Metal forms a chemical bond, or a substance such as lead and tin that forms an alloy eye with this metal.



  The silver layer, which is assumed in the manufacture of the photoelectric electrode, can be obtained in various ways. If this elec trode is not attached to the wall of the discharge tube, but is arranged freely from this wall, it can be assumed from a silver plate, which in many cases, for. B. can be formed semi-cylindrical. However, this plate can also be made of another metal, e.g. B.

   Copper, be made, which in this case is coated with a layer of silver. This over train can be applied before the arrangement of the plate in the discharge tube, for which a person skilled in the art has various methods available. In very many cases, the silver layer is applied to the inside of the wall of the discharge tube, which can be done by the fact that the silver is made of a suitable,

      solution introduced into the discharge tube is precipitated. This metal layer is, however, often obtained by evaporating silver in a vacuum and condensing this vapor. In the manufacture of photoelectric cells it is e.g. B. common to arrange a previously coated with silver filament in the cell. After the cell has been vented, an electric current is sent through this wire, which heats the silver in such a way that it evaporates.

   The incandescent body is arranged in such a way that the vaporized metal is deposited on that part of the wall where the photoelectric electrode is to be formed.



       This method of evaporation and condensation can of course also be used if the photoelectric electrode is not to be attached to a part of the wall, but to a body arranged in the discharge tube, which can consist of glass or metal.



  The invention aims to provide an improved method for producing a photoelectrical electrode.



  The completely or partially oxidized and then exposed to the action of a photoelectric metal cast is produced according to the invention in that silver particles with such a concentration are introduced into an indifferent gas atmosphere of such a pressure and are precipitated from this atmosphere, i ass,

       The deposited silver particles form a dark-colored layer showing a matt surface and are smaller than 0.5 microns, suitably of the order of 0.01 microns. The .Silber particles can z. B. by thermal Ver evaporation or by atomization with the help of an electrical discharge, in which the silver can represent the cathode, are introduced into the gas atmosphere.

      It has been found that when this silver layer is treated in the known manner, i.e. H. is oxidized and subjected to the action of the photoelectric metal gis, a photoelectric electrode is obtained which has a very high sensitivity. The silver layer has a matt surface and a dark color.

   The color depends on the size of the silver particles that make up the layer. A layer of particles of about 0.01 micron is dull black in color, while with a particle size of 0.1 micron the color is dark gray.



  The size of the particles depends on the concentration that is applied when precipitating from the inert gas atmosphere. The greater the concentration, the greater the dimensions of the precipitated silver particles. In the case of thermal evaporation of the silver, the evaporation rate can be increased by using higher temperatures.

   If the silver particles are introduced into the gas atmosphere by atomization, the amount of silver that is introduced into the gas atmosphere per unit of time can be increased by increasing the current strength and by strengthening the electric field.



  The pressure of the gas atmosphere also influences the size of the precipitated silver particles. Since the silver is deposited atomically at very low gas pressures, which, as with evaporation in a high vacuum, will keep a completely coherent layer of silver with a reflective surface, the pressure of the gas must be chosen to be sufficiently high to allow such a reflective layer to be created avoid. On the other hand, the gas pressure should not be too high because too high a pressure greatly reduces the speed at which the silver particles can be introduced into the gas atmosphere.

   There are generally gas pressures of 0.05 to 5 mm mercury in question.



  The concentration of the silver particles in the gas atmosphere, as well as the pressure of the latter, are chosen in such a way that the silver atoms combine before precipitation (i.e. no precipitation of atomic silver), but only particles of very small dimensions (smaller than 0.5 microns). The smaller the particles that make up the silver layer, the darker the color of the layer.

         -If the particles have dimensions of about 0.01 microns, the layer obtained has, as already indicated, a deep black color. If the particles become even smaller, the mirror power can return. Since it has been found that a reduction in the size of the constituent particles results in a greater sensitivity of the photoelectric electrode, these particles are expediently much smaller than 0.5 microns, e.g.

   B. smaller than 0.1 ldicron, and for a few weeks even made of: the order of magnitude of 0.01 micron.



  Leave the most desirable gas pressure and the most advantageous concentration of silver particles in the gas atmosphere. determine yourself for each special case through a few experiments. The gas pressure to be selected and the concentration also depend to a certain extent on the distance of the silver introduced into the gas atmosphere in the form of particles from the point where the silver layer is to be formed.

   If the distance is greater, the silver atoms have more opportunity to combine, so that with the same gas pressure and the same evaporation rate parts of larger dimensions are knocked down than with a smaller distance. If the distance is too small, however, the atoms would not be at all Have the opportunity to combine, and the silver would deposit atomically and form a reflective surface.



  As a gas filling into which the silver particles are introduced, gases are used which are indifferent to the silver particles, i.e. H. do not come into contact with these particles, e.g. B. Stick material, argon or another noble gas. The invention is explained in more detail with reference to the drawing, in which a photoelectric cell with an electrode according to the invention is shown, for example, schematically.



  The cell shown has a glass wall 1 through which the power supply wire 2 is passed. The cell is provided with a foot 3 on which the filament 4 is arranged; which serves as an anode during normal operation of the cell. The cell is essentially spherical and has a diameter of 4 cm, for example.



  This cell can be produced as follows: The filament 4 arranged in the vicinity of the center of the spherical cell, which z. B. consists of tungsten or alolybdenum, before it is arranged in the cell, is coated with about 40 milligrams of silver.

   After the cell has been completely vented, about half of this silver is vaporized; the evaporated silver never hits the inside of the cell wall and forms the silver layer 5 there, which makes good contact with the power supply wire 2. An amount of argon under a pressure of 1.7 mm of mercury is then introduced into the cell and a current of such intensity is sent through the filament 4 that the silver still present on it evaporates within 1.0 seconds.

   The evaporated silver is deposited on the silver layer 5 as a non-reflective layer 6. The screen 7 prevents the cell base from being covered with a precipitate of silver. In a similar manner, a window 8 is left free with the aid of a screen (not shown in the drawing).



  After the formation of the silver layer 6, the argon is removed from the cell by means of a pump and oxygen is let into the cell, advantageously under a pressure of 0.15 mm of mercury. An electrical discharge is brought about in this oxygen atmosphere, in which the silver layers 5 and 6 serve as the cathode and the wire 4 as the anode. The silver layer ss, and possibly part of the layer 5, are oxidized as a result of this discharge. The degree of this oxidation can be regulated with the aid of the discharge current and the discharge duration.

   After a sufficient degree of oxidation of the silver has been achieved, the excess oxygen is removed from the cell, into which an amount of cesium is then introduced, which can take place by the cesium being distilled over into the cell or in the cell is released by heating a lozenge consisting of a cesium compound with a reducing agent.

   The cell is then heated to about 180 ° C. without being in communication with a vacuum pump. The cesium reduces the silver oxide, whereby a layer of a mixture of cesium oxide and silver particles is obtained. In addition, a lot of free cesium penetrates into this layer, while a lot of cesium is adsorbed on this layer. After the formation of this electrode, the excess of cesium, e.g.

   B. by heating the existing lead glass feet removed who the.



  The photoelectric electrode produced in this way has a very high sensitivity. It should be noted for illustration that the average sensitivity of a number of electrodes manufactured in the manner described was 80 microampere% lumen, while the average sensitivity of a number of electrodes manufactured in the same manner, but with the difference that the oxidized silver layer is not caused by evaporation in a gas atmosphere,

      but obtained entirely by evaporation in vacuo, was 40 microamps / lumen.



  The cell described can, if necessary, also be provided with a gas filling. For this purpose, after the production of the photoelectric electrode, for. For example, an amount of argon can be introduced into the cell under a pressure of 0.1 mm of mercury. It is also possible to apply the gas filling after the silver layer 6 has been oxidized and before the cesium is exposed in the cell, or before the cell is subjected to the heat treatment after the cesium has been introduced.



  The photoelectric electrode produced in the manner described above offers. particular advantages when it is used in a gas-filled photoelectric cell, because it has been found that this electrode not only offers the advantage that the primary electron emission, i.e. H.

   the number of electrons emitted by irradiation with a certain amount of light is large, but also the further advantage that each positive ion that is formed in the gas filling and hits the photoelectric electrode, relatively few electrons from the latter clears, which has the consequence that the cell breaks down less quickly, d. H.

   that the risk of the occurrence of a glow discharge that can no longer be regulated as a result of the exposure is smaller, while the photoelectric current also shows less inertia.



  It is evident that the silver layer produced according to the invention can also be applied directly to glass or another insulating base. It is of course also possible to apply the silver layer to a metal plate or a metal layer located on the glass wall which is arranged separately in the cell and which is applied in a manner other than that described above, e.g. B. has been formed by precipitation from a solution.

 

Claims (1)

PATENTANSPRÜGH Verfahren zur Herstellung einer photo elektrischen Elektrode, bei dem eine Silber- e ht ganz oder teilweise oxydiert und <B>s</B> 'hie dann der Einwirkung eines photoelektrischen Metalles unterworfen wird, dadurch gekenn zeichnet, @dass diese .Silberschicht dadurch hergestellt wird, dass Silberteilchen mit einer derartigen Konzentration in eine indifferente Gasatmosphäre eines solchen Druckes einge bracht und aus der letzteren niedergeschla gen werden, dass die niedergeschlagenen Silberteilchen eine dunkel gefärbte, PATENT APPROPRIATE Process for the production of a photoelectric electrode, in which a silver etch is completely or partially oxidized and then subjected to the action of a photoelectric metal, characterized in that this .silver layer thereby is produced that silver particles with such a concentration are introduced into an inert gas atmosphere of such a pressure and from the latter are precipitated that the precipitated silver particles have a darkly colored, eine matte Oberfläche zeigende Schicht bilden und kleiner als 0,5 Mikron sind. UNTERANSPRITCII Verfahren nach Patentanspruch, .dadurch gekennzeichnet, dass die niedergeschlagenen Silberteilchen von der Grössenordnung von 0,01 Mikron ,sind. form a layer showing a matte finish and are smaller than 0.5 microns. SUBSTANTIAL CLAIMS Method according to claim, characterized in that the silver particles deposited are of the order of magnitude of 0.01 microns.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE744768C (en) * 1938-07-17 1944-01-25 Fernseh Gmbh Process for the vapor deposition of metals on several photo and / or secondary emission electrodes to be treated differently located in the same vessel and arrangement for its implementation
DE742593C (en) * 1939-02-21 1954-03-22 Telefunken Gmbh Process for the production of a cathode showing the external photo effect or the secondary emission effect

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DE742593C (en) * 1939-02-21 1954-03-22 Telefunken Gmbh Process for the production of a cathode showing the external photo effect or the secondary emission effect

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