CH184714A - Electrical resistance with a negative temperature coefficient from a sintered mixture. - Google Patents

Electrical resistance with a negative temperature coefficient from a sintered mixture.

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CH184714A
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  Elektrischer Widerstand mit negativem     Temperaturkoeffizienten    aus einem  gesinterten Gemisch.    Für die Herstellung von Widerständen  mit negativem Temperaturkoeffizienten be  nutzt man häufig Urandioxyd     U02.    Dieses  Oxyd hat, wenn es in einem reduzierenden  oder nicht angreifenden Gase angeordnet ist,  stets gleichbleibende elektrische Eigenschaf  ten. Neben den grossen     Vorteilen,    die das  Urandioxyd hat, bestehen aber auch einige  Nachteile, zum Beispiel     zwingt    das verhält  nismässig hohe spezifische Gewicht zu einer  besonders festen Halterung bei grossen Wi  derstandskörpern;     ausserdem    ist auch der  Preis des Stoffes ziemlich hoch.

   Es besteht  daher das Bedürfnis, andere Halbleiter mit  negativem Temperaturkoeffizienten zu fin  den, die .die günstigen     Eigenschaften    des  Urandioxyds auch aufweisen, aber von  seinen Nachteilen frei sind.     Schwierigkeiten     macht bei dieser Suche     bereits    die Frage  nach der chemischen Beständigkeit, da die  Widerstände häufig in     einen    Variatorwider-    stand eingebaut werden und sie also in hei  ssem Zustande gegen Wasserstoff     beständig     sein müssen.

   Oxyde, die     in    reduzierender  oder nicht angreifender Umgebung auch bei  erhöhten     Temperaturen    nicht verändert wer  den, haben meist eine gute Leitfähigkeit und  nur einen geringen     negativen    Temperatur  koeffizienten; häufig besitzen sie überhaupt  keinen oder sogar einen     .geringen    positiven  Temperaturkoeffizienten des elektrischen  Widerstandes.  



  Es wurde nun gefunden,     dass    man auch  durch geeignete     Zusammensetzung    eines ge  sinterten Gemisches von leitenden und nicht  leitenden Stoffen zu Widerständen gelangen  kann, .die einen etwa ebenso hohen negativen  Temperaturkoeffizienten aufweisen wie das       Qran.dioxyd,    und     dass    diese Widerstände den  Widerständen aus Urandioxyd sogar in man  cher Beziehung überlegen     sind.    Nach der  Erfindung bestehen     höchstens        75/'9    des Sin-           tergemisches    solcher Widerstände aus min  destens einem niederen Metalloxyd, welches  einen spezifischen Widerstand von höchstens  10 Ohm .

       cm'/cm    aufweist und das sich in  dem Temperaturbereich von<B>800</B> bis<B>1600,'</B> C  im Wasserstoff nicht zu Metall reduzieren  lässt und der Rest des     Sintergemisches    aus  mindestens einem beständigen Isolierstoff,  der sich selbst bei Temperaturen oberhalb  <B>1500'</B> C nicht zersetzt und dessen spezifi  scher Widerstand mehr als 105 Ohm .     cm'/cm     beträgt.  



  Zweckmässig werden derartige Wider  stände dadurch erzeugt, dass nicht die leiten  den, niederen Metalloxyde, sondern die ent  sprechenden höheren, meistens nichtleitenden  Metalloxyde mit den beständigen nichtleiten  den Stoffen gemischt werden, die Mischung  in Formen gepresst oder gespritzt und dann,  vorzugsweise in oxydierender Umgebung, ge  brannt     wird.    Nachdem die Widerstände so  in mechanischer Beziehung fertiggestellt und  gegebenenfalls auch bereits in einen Glas  kolben eingebaut     sind,    können dann durch       Brennen    in reduzierender Atmosphäre die     -,e-          duzierbaren,    nichtleitenden höheren Verbin  dungen in die relativ gut leitenden niederen  Verbindungen umgewandelt werden.

   Man  kann aber diese Umwandlung auch durch  Brennen in indifferenter     Umgebung    bewir  ken, wenn man ein strömendes indifferentes  Gas benützt, durch welches das Gleichge  wicht, das während des Brennens     zwischen     dem Sauerstoffgehalt des Widerstandskör  pers und dem Sauerstoffgehalt der Umge  bung entsteht, immer wieder gestört wird.  



  Um im Widerstände während des Betrie  bes stets .die leitenden niederen Verbindun  gen zu behalten, werden die Widerstände  zweckmässig in einer     reduzierenden    oder  nicht angreifenden Umgebung benutzt.  



  Sehr gute Ergebnisse wurden mit nie  derem     Titanoxyd    erhalten. Zur Herstellung  von     Titanoxydwiderständen    mischt man vor  teilhaft das nichtleitende     Titandioxyd        TiO,     mit einem ebenfalls     nichtleitenden,    aber un  ter reduzierenden Einflüssen nicht veränder-         liehen    Oxyd, wie zum Beispiel einem     Erd-          älkalioxyd    oder Erdoxyd, ferner Silizium  dioxyd,     Zirkonoxyd,        Hafniumoxyd,        Thor-          oxyd,        Tantalpentoxyd,

          Manganoxyd    oder  mehreren dieser Oxyde. Das Gemisch kann  durch Pressen oder Spritzen geformt wer  den. Zweckmässig werden die     Körper    dann  zunächst in oxydierender Umgebung, also  zum Beispiel in Luft,     gebrannt.    Man erhält  dadurch ausserordentlich feste, nichtleitende  keramische     Körper.    Dieses Verfahren hat  den Vorteil, dass bei höherer Temperatur eine  weitgehend gleichmässige Verteilung der ein  zelnen Bestandteile ineinander     eintritt,    die  den keramischen Körper in seiner Korngrösse  von der mehr oder weniger zufälligen Korn  grösse der Ausgangsstoffe im wesentlichen  unabhängig macht.

   Die Körper werden nach  diesem     Vorbrennen    bei einer solchen Tempe  ratur behandelt, dass das     Titandioxyd    nun  mehr unter geringer Sauerstoffentziehung in  das leitende niedere Oxyd übergeführt wird,  während das beigemischte isolierende Oxyd  unverändert bleibt.

   Diese Temperatur liegt  für ein Gemisch von     Titanoxyd    mit     Magne-          siumoxyd    zwischen 800 und 1500  , wenn in  Wasserstoff geglüht     wird.    Man erhält dann  eine äusserst feine Verteilung des an sich  sehr gut leitenden Bestandteils (niedrigeres       Titanoxyd    als     Ti0'2)

      in einem auch bei hohen  Temperaturen sehr gut isolierenden Oxyd  wie     Magnesiumoxyd.    An Stelle des     Magne-          siumoxyds    können auch andere bei den     Her-          stellungs-        und    Gebrauchstemperaturen nicht  reduzierbare oder sich zersetzende Oxyde der  genannten Art verwendet werden oder auch  Gemische solcher Oxyde. Die so     erhaltenen          Widerstandskörper    sind auch bei hohen Tem  peraturen in ihren elektrischen Eigenschaf  ten unveränderlich und nicht davon abhän  gig, ob sie in reduzierender oder indifferen  ter Umgebung arbeiten.  



  An Stelle des     Titanoxyds,    das als beson  ders günstiges Beispiel genannt wurde, kön  nen auch bestimmte Oxyde von     Niob        (Nbz0x,     mit x kleiner als 5),     Vanadin        (VzOX,    mit x  kleiner als 5) oder Gemische solcher Oxyde  benutzt werden.

        Bei Verwendung von Oxyden der drei  wertigen Metalle in der Nebenreihe der  fünften Gruppe des     periodischen        Systemes,     insbesondere bei Verwendung von     Nioboxyd          Nb,O;    und     'Vanadinoxyd        V,03,    werden die       pesten    Ergebnisse dann erzielt, wenn bei  dem reduzierenden Brennen die Temperatur  etwa bei<B>1600'</B> C oder zweckmässig sogar  darüber liegt. Zusammen mit den leitenden  Oxyden können hierbei ebenfalls die isolie  renden     Oxyde    der dreiwertigen Metalle, etwa  von Aluminium     (A1,03)    benutzt werden.  



  Das reduzierende Brennen bei etwa  <B>1600'</B> C und darüber gibt den genannten  dreiwertigen Oxyden völlig unveränderliche  elektrische Eigenschaften und ihr Tempera  turkoeffizient wird negativ.  



  Statt, wie weiter     vorn    angegeben, die  höheren     Schwermetalloxyde    mit den Nicht  leitern zu mischen und zu brennen und sie  dann zu reduzieren, kann man natürlich auch  unmittelbar die     niederen    Oxyde der Metalle  den nicht leitenden Stoffen beimischen. Das  Brennen muss dann in nicht oxydierender  Umgebung erfolgen. Es bleibt jedoch .dann  eine Abhängigkeit des     Endwiderstandes    von  der     Norngrösse    der Ausgangsstoffe bestehen.  



  Die Widerstandskörper nach der Erfin  dung lassen sich gut zur Dämpfung von       Einschaltüberströrrien    verwenden. Es ist be  sonders zweckmässig, sie in     Variatorwider-          ständen    einzubauen. Die Widerstände kön  nen ausserdem zur Spannungsregelung die  nen. Es ist auch durch die Wahl möglichst  hoher spezifischer Widerstände für das Ge  misch und durch die Erzwingung eines  Temperaturgefälles in der Richtung des  Stromflusses möglich, eine fallende Strom  spannungskennlinie zu erzeugen. Bei einer  gegebenen Halterung und bei einer gegebe  nen Wärmeableitung ist die Form der Strom  spannungskennlinie abhängig von dem     spezi=     fischen Widerstand des Widerstandskörpers.

    Dieser ist leicht durch eine entsprechende  Zusammensetzung des Gemisches aus geeig  neten Mengen der leitenden und nichtleiten  den Verbindungen einzustellen. Solche Wi-         derstände    lassen sich mit grossem     Vorteil    für  viele     Verstärkerschaltungen        verwenden.  



  Electrical resistance with a negative temperature coefficient from a sintered mixture. Often uranium dioxide U02 is used to manufacture resistors with a negative temperature coefficient. When placed in a reducing or non-corrosive gas, this oxide always has constant electrical properties. In addition to the great advantages that uranium dioxide has, there are also some disadvantages, for example the relatively high specific weight forces it to be particularly high fixed support for large resistance bodies; in addition, the price of the fabric is quite high.

   There is therefore a need to find other semiconductors with a negative temperature coefficient that also have the favorable properties of uranium dioxide, but are free from its disadvantages. The question of chemical resistance already creates difficulties in this search, since the resistors are often built into a variator resistor and so they have to be resistant to hydrogen when they are hot.

   Oxides that do not change in a reducing or non-aggressive environment, even at elevated temperatures, usually have good conductivity and only a low negative temperature coefficient; they often have no or even a small positive temperature coefficient of electrical resistance.



  It has now been found that by suitable composition of a sintered mixture of conductive and non-conductive materials, resistors can be obtained which have a negative temperature coefficient that is about as high as that of the quartz dioxide, and that these resistances even match the resistors made of uranium dioxide are superior in some respects. According to the invention, at most 75/9 of the sintered mixture of such resistors consist of at least one lower metal oxide, which has a specific resistance of at most 10 ohms.

       cm '/ cm and which cannot be reduced to metal in the temperature range from <B> 800 </B> to <B> 1600,' </B> C in hydrogen and the remainder of the sintering mixture consists of at least one resistant insulating material, which does not decompose even at temperatures above <B> 1500 '</B> C and its specific resistance more than 105 ohms. cm '/ cm.



  Resistances of this kind are expediently generated by mixing not the conductive, lower metal oxides, but the corresponding higher, mostly non-conductive metal oxides with the permanent non-conductive substances, pressing or spraying the mixture into molds and then, preferably in an oxidizing environment, is burned. After the resistors are finished in a mechanical relationship and possibly already built into a glass flask, the -, reduced, non-conductive higher connections can then be converted into the relatively good conductive lower connections by burning in a reducing atmosphere.

   However, this transformation can also be effected by burning in an indifferent environment, if one uses a flowing indifferent gas, through which the equilibrium that arises during the burning between the oxygen content of the resistance body and the oxygen content of the environment is repeatedly disturbed .



  In order to always keep the conductive lower connections in the resistance during operation, the resistors are expediently used in a reducing or non-aggressive environment.



  Very good results have never been obtained with titanium oxide. To produce titanium oxide resistors, it is advantageous to mix the non-conductive titanium dioxide TiO with an oxide which is also non-conductive but cannot be changed under reducing influences, such as an alkaline earth oxide or earth oxide, and also silicon dioxide, zirconium oxide, hafnium oxide, thorium oxide , Tantalum pentoxide,

          Manganese oxide or several of these oxides. The mixture can be molded by pressing or injection molding. The bodies are then expediently first burned in an oxidizing environment, for example in air. This gives extremely strong, non-conductive ceramic bodies. This method has the advantage that at a higher temperature a largely uniform distribution of the individual components occurs, which makes the ceramic body essentially independent of the more or less random grain size of the starting materials in terms of its grain size.

   After this pre-firing, the bodies are treated at such a temperature that the titanium dioxide is now converted into the conductive, lower oxide with little oxygen removal, while the added insulating oxide remains unchanged.

   For a mixture of titanium oxide with magnesium oxide, this temperature is between 800 and 1500 when annealing in hydrogen. You then get an extremely fine distribution of the very good conductive component (lower titanium oxide than Ti0'2)

      in an oxide such as magnesium oxide, which insulates very well even at high temperatures. Instead of magnesium oxide, it is also possible to use other oxides of the type mentioned which cannot be reduced or decompose at the production and use temperatures, or mixtures of such oxides. The resistance bodies obtained in this way are unchangeable in their electrical properties even at high temperatures and do not depend on whether they work in a reducing or indifferent environment.



  Instead of titanium oxide, which was mentioned as a particularly favorable example, certain oxides of niobium (Nbz0x, with x less than 5), vanadium (VzOX, with x less than 5) or mixtures of such oxides can be used.

        When using oxides of the trivalent metals in the secondary row of the fifth group of the periodic system, especially when using niobium oxide Nb, O; and 'Vanadium oxide V, 03, the worst results are achieved when the temperature during the reducing firing is around 1600 ° C or even more appropriately. Together with the conductive oxides, the insulating oxides of the trivalent metals, such as aluminum (A1,03), can also be used.



  The reducing firing at about <B> 1600 '</B> C and above gives the trivalent oxides mentioned completely unchangeable electrical properties and their temperature coefficient becomes negative.



  Instead of mixing the higher heavy metal oxides with the non-conductors and burning them, as indicated above, and then reducing them, one can of course also add the lower oxides of the metals directly to the non-conductive substances. The burning must then take place in a non-oxidizing environment. However, the terminal resistance remains dependent on the normal size of the starting materials.



  The resistance body according to the invention can be used well to dampen switch-on overflows. It is particularly useful to install them in variator resistors. The resistors can also be used to regulate the voltage. It is also possible by choosing the highest possible specific resistances for the mixture and by forcing a temperature gradient in the direction of the current flow to generate a falling current-voltage characteristic. With a given bracket and given heat dissipation, the shape of the current-voltage characteristic depends on the specific resistance of the resistor body.

    This can easily be adjusted by appropriately composing the mixture of suitable amounts of the conductive and non-conductive compounds. Such resistors can be used with great advantage for many amplifier circuits.

 

Claims (1)

PATENTANSPRUCH I: Elektrischer Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten aus einem gesinter ten Gemisch, dadurch gekennzeichnet, dass höchstens 75 % des .Sintergemisches aus min destens einem niederen Metalloxyd bestehen, welches einen spezifischen Widerstand von höchstens 10 Ohm . em2/cm aufweist und das sich in dem Temperaturbereich von 800 bis 1500. C im Wasserstoff nicht zu Metall re duzieren lässt, und dass der Rest des Sinter gemisches aus mindestens einem beständigen Isolierstoff besteht, der sich selbst bei Tem peraturen oberhalb<B>15001</B> C nicht zersetzt und dessen spezifischer Widerstand mehr als 105 Ohm . cm'/cm beträgt. PATENT CLAIM I: Electrical resistance with a negative temperature coefficient from a sintered mixture, characterized in that at most 75% of the sintered mixture consists of at least one lower metal oxide, which has a specific resistance of at most 10 ohms. em2 / cm and that cannot be reduced to metal in the temperature range from 800 to 1500. C in hydrogen, and that the remainder of the sintering mixture consists of at least one resistant insulating material, which even at temperatures above 15001 </B> C does not decompose and its specific resistance is more than 105 ohms. cm '/ cm. UNTERANSPRüCHE: 1. Elektrischer Widerstand nach Patentan- spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der leitende Bestandteil ein niedrigeres Titanoxyd als TiO, ist. 2. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der leitende Bestandteil ein niederes Nioboxyd ist. 3. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der leitende Bestandteil ein niederes Vanadinoxyd ist. 4. SUBClaims: 1. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the conductive component is a lower titanium oxide than TiO. 2. Electrical resistance according to Patent Claim I, characterized in that the conductive component is a lower niobium oxide. 3. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the conductive component is a lower vanadium oxide. 4th Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der leitende Bestandteil ein Gemisch von niederem Nioboxyd, und niederem Titan, oxyd ist. 5. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der leitende Bestandteil ein Gemisch von niederem Vanadinoxyd und niederem Titanoxyd ist. 6. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the conductive component is a mixture of lower niobium oxide and lower titanium oxide. 5. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the conductive component is a mixture of lower vanadium oxide and lower titanium oxide. 6th Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der leitende Bestandteil ein Gemisch von niederem Nioboxyd und niederem Vana- dinoxyd ist. 7. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der leitende Bestandteil ein Gemisch von niederem Nioboxyd, niederem Vanadin- oxyd und niederem Titanoxyd ist. B. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus minde stens einem Erdalkalioxyd besteht. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the conductive component is a mixture of lower niobium oxide and lower vanadium oxide. 7. Electrical resistor according to patent claim I, characterized in that the conductive component is a mixture of lower niobium oxide, lower vanadium oxide and lower titanium oxide. B. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of at least one alkaline earth oxide. 9. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus minde stens einem Erdoxyd besteht. 10. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende-Bestandteil aus Silizium oxyd besteht. 11. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus ZZirkon- oxyd besteht. 12. 9. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of at least one earth oxide. 10. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of silicon oxide. 11. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of Zirconium oxide. 12. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus Hafnium- oxyd besteht. 13. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, .dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus Thoroxyd besteht. 14. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus Tantal- pentoxyd besteht. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of hafnium oxide. 13. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of thoroxide. 14. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of tantalum pentoxide. 1a. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus Mangan oxyd besteht. 16. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus einem Erdalkalioxyd enthaltenden Oxydge- misch besteht. <B>17.</B> Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus einem Erdoxyd enthaltenden Oxydgemisch be steht. 18. 1a. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of manganese oxide. 16. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of an oxide mixture containing alkaline earth oxide. 17. Electrical resistance according to claim I, characterized in that the insulating component consists of an oxide mixture containing earth oxide. 18th Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus einem Siliziumoxyd enthaltenden Oxydgemisch besteht. 19. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus einem Zirkonoxyd enthaltenden Oxydgemiscb besteht. 20. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch\ gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus einem Hafniumoxyd enthaltenden Oxydgemisch besteht. 21. Electrical resistance according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of an oxide mixture containing silicon oxide. 19. Electrical resistor according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of a zirconium oxide-containing Oxydgemiscb. 20. Electrical resistance according to Patent Claim I, characterized in that the insulating component consists of an oxide mixture containing hafnium oxide. 21st Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus einem Thoroxyd enthaltenden Oxydgemisch be steht. 22. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass .der isolierende Bestandteil aus einem Tantalpentoxyd enthaltenden Oxydge- misch besteht. Electrical resistance according to claim I, characterized in that the insulating component consists of an oxide mixture containing thoroxide. 22. Electrical resistor according to patent claim I, characterized in that the insulating component consists of an oxide mixture containing tantalum pentoxide. 23. Elektrischer Widerstand nach Patentan spruch I, dadurch gekennzeichnet, dass der isolierende Bestandteil aus einem Manganoxyd enthaltenden Oxydgemisch besteht. 23. Electrical resistance according to claim I, characterized in that the insulating component consists of an oxide mixture containing manganese oxide. PATENTANSPRUCH II: Verfahren zur Herstellung von Wider ständen nach Patentanspruch I, dadurch ge kennzeichnet, dass nicht die leitenden, nie deren Metalloxyde, sondern die entsprechen den nichtleitenden, höheren Metalloxyde mit den beständigen nichtleitenden Stoffen ge mischt werden, die Mischung geformt wird und dann beim nachfolgenden Brennen unter geringer Sauerstoffentziehung die höheren Metalloxyde in die niederen übergeführt werden. UNTERANSPRüCHE 24. PATENT CLAIM II: A method for producing resistors according to claim I, characterized in that not the conductive, never their metal oxides, but the corresponding non-conductive, higher metal oxides are mixed with the resistant non-conductive materials, the mixture is formed and then when subsequent firing with little oxygen deprivation, the higher metal oxides are converted into the lower ones. SUBCLAIMS 24. Verfahren nach Patentanspruch II, da durch gekennzeichnet, dass die fertig ge formten Widerstandskörper zunächst in oxydierender Umgebung und erst dann in reduzierender Umgebung gebrannt werden. 25. Verfahren nach Patentanspruch II, da durch gekennzeichnet, dass die fertig ge formten Widerstandskörper zunächst in oxydierender Umgebung und erst dann in indifferenter Umgebung gebrannt wer den. Method according to patent claim II, characterized in that the fully formed resistance bodies are first fired in an oxidizing environment and only then in a reducing environment. 25. The method according to claim II, characterized in that the finished ge molded resistor body is first burned in an oxidizing environment and only then in an indifferent environment.
CH184714D 1934-07-13 1935-07-12 Electrical resistance with a negative temperature coefficient from a sintered mixture. CH184714A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE756371C (en) * 1936-12-29 1952-09-22 Karl Biefeld Non-metallic, electrical resistance mass

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE756371C (en) * 1936-12-29 1952-09-22 Karl Biefeld Non-metallic, electrical resistance mass

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