BE855787A - Werkwijze voor het groeien van een kristallijne laag op een substraat, inrichting voor toepassing van deze werkwijze en susstraat voorzien van een dergelijke laag - Google Patents

Werkwijze voor het groeien van een kristallijne laag op een substraat, inrichting voor toepassing van deze werkwijze en susstraat voorzien van een dergelijke laag

Info

Publication number
BE855787A
BE855787A BE2056006A BE2056006A BE855787A BE 855787 A BE855787 A BE 855787A BE 2056006 A BE2056006 A BE 2056006A BE 2056006 A BE2056006 A BE 2056006A BE 855787 A BE855787 A BE 855787A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
layer
susstraat
growing
facing
procedure
Prior art date
Application number
BE2056006A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Bell Telephone Mfg
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bell Telephone Mfg filed Critical Bell Telephone Mfg
Priority to BE2056006A priority Critical patent/BE855787A/nl
Publication of BE855787A publication Critical patent/BE855787A/nl
Priority to US05/916,335 priority patent/US4247360A/en
Priority to US06/159,535 priority patent/US4285911A/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/12—Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/06—Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
    • C30B19/062—Vertical dipping system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/10—Controlling or regulating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
BE2056006A 1977-06-17 1977-06-17 Werkwijze voor het groeien van een kristallijne laag op een substraat, inrichting voor toepassing van deze werkwijze en susstraat voorzien van een dergelijke laag BE855787A (nl)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE2056006A BE855787A (nl) 1977-06-17 1977-06-17 Werkwijze voor het groeien van een kristallijne laag op een substraat, inrichting voor toepassing van deze werkwijze en susstraat voorzien van een dergelijke laag
US05/916,335 US4247360A (en) 1977-06-17 1978-06-15 Crystalline layer growth method
US06/159,535 US4285911A (en) 1977-06-17 1980-06-16 Device for growing a crystalline layer on a substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE2056006A BE855787A (nl) 1977-06-17 1977-06-17 Werkwijze voor het groeien van een kristallijne laag op een substraat, inrichting voor toepassing van deze werkwijze en susstraat voorzien van een dergelijke laag

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE855787A true BE855787A (nl) 1977-12-19

Family

ID=3865378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE2056006A BE855787A (nl) 1977-06-17 1977-06-17 Werkwijze voor het groeien van een kristallijne laag op een substraat, inrichting voor toepassing van deze werkwijze en susstraat voorzien van een dergelijke laag

Country Status (2)

Country Link
US (2) US4247360A (nl)
BE (1) BE855787A (nl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2551470B1 (fr) * 1983-09-06 1985-11-08 Crismatec Tete de tirage de monocristaux

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2651566A (en) * 1949-02-14 1953-09-08 Int Standard Electric Corp Methods and apparatus for growing crystals
US2686712A (en) * 1949-03-21 1954-08-17 Nelson N Estes Apparatus for growing crystals
US3228753A (en) * 1962-07-27 1966-01-11 Texas Instruments Inc Orbital-spin crystal pulling
DE1644020A1 (de) * 1967-10-04 1971-03-25 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von tiegelgezogenen Einkristallstaeben mit homogener Dotierung

Also Published As

Publication number Publication date
US4285911A (en) 1981-08-25
US4247360A (en) 1981-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7712371A (nl) Werkwijze en apparaat voor het bevestigen van inrichtingen op een substraat.
NL184368C (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een antistatische laag op een substraat.
NL7608504A (nl) Werkwijze en inrichting voor het verwijderen of afstropen van een laag fotoresistmateriaal van- af een substraatoppervlak van een verschillend materiaal.
NL176642C (nl) Werkwijze voor het bedekken van een substraat met een laag polymeermateriaal.
NL7710659A (nl) Werkwijze voor het vormen van een epitaxiale laag op het oppervlak van een substraat.
NL173542C (nl) Werkwijze en inrichting voor het neerslaan van een compositielaag op elk van een aantal substraten.
NL7900906A (nl) Werkwijze voor het metalliseren van een substraat.
NL183596B (nl) Inrichting en werkwijze voor het doen groeien van kristallijne lichamen.
NL163409C (nl) Beklede zaden, alsmede werkwijze voor het bekleden van zaden.
NL7705641A (nl) Werkwijze en inrichting voor het groeien van kristallijne lichamen uit een smelt.
GB2007632B (en) Process for depositing a semi-conductor layer on a substrate and a semi-conductor layered substrate produced by the process
NL7800035A (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat.
NL7602264A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een metaalbe- kleding op een metaalsubstraat.
NL169521C (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een reflexie verminderend lagenstelsel op substraten uit organisch materiaal.
NL7700641A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een bekleding voor halfgeleidersubstraten.
NL7608397A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een polyurethanlaag op een substraat.
NL172978B (nl) Afdichtende bekleding voor een ondergrond en werkwijze voor het aanbrengen van een zodanige bekleding.
NL7612438A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een houder alsmede inrichting voor het toepassen van deze werkwijze.
NL7613644A (nl) Werkwijze voor het plakken van een vezelig substraat op polyvinylideenfluoride.
NL162753C (nl) Werkwijze voor het opbrengen van een bekledingslaag op een draagband, alsmede inrichting voor het toepassen van deze werkwijze.
NL7804394A (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een oppervlakdeklaag op een substraat.
NL7708959A (nl) Werkwijze voor het vormen van een magneto-op- tische polykristallijne cobalt ferriet laag en cobalt ferriet laag vervaardigd volgens de werkwijze.
NL7710607A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een laag met een structuur op een substraat.
BE855787A (nl) Werkwijze voor het groeien van een kristallijne laag op een substraat, inrichting voor toepassing van deze werkwijze en susstraat voorzien van een dergelijke laag
NL190725C (nl) Werkwijze voor het bekleden van een substraat.

Legal Events

Date Code Title Description
RE Patent lapsed

Owner name: BELL TELEPHONE MFG CY N.V.

Effective date: 19850617