BE765111A - Werkwijze voor het epitaxiaal neerslaan van een halfgeleidende verbinding - Google Patents

Werkwijze voor het epitaxiaal neerslaan van een halfgeleidende verbinding

Info

Publication number
BE765111A
BE765111A BE765111A BE765111A BE765111A BE 765111 A BE765111 A BE 765111A BE 765111 A BE765111 A BE 765111A BE 765111 A BE765111 A BE 765111A BE 765111 A BE765111 A BE 765111A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
procedure
epitaxial deposition
semiconductive
connection
semiconductive connection
Prior art date
Application number
BE765111A
Other languages
English (en)
Inventor
Physique Appliquees L E P De
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Publication of BE765111A publication Critical patent/BE765111A/nl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/12Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • H01L21/02538Group 13/15 materials
    • H01L21/02543Phosphides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • H01L21/02538Group 13/15 materials
    • H01L21/02546Arsenides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02623Liquid deposition
    • H01L21/02625Liquid deposition using melted materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02623Liquid deposition
    • H01L21/02628Liquid deposition using solutions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
BE765111A 1970-04-02 1971-03-31 Werkwijze voor het epitaxiaal neerslaan van een halfgeleidende verbinding BE765111A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7011879A FR2086578A5 (nl) 1970-04-02 1970-04-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE765111A true BE765111A (nl) 1971-09-30

Family

ID=9053302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE765111A BE765111A (nl) 1970-04-02 1971-03-31 Werkwijze voor het epitaxiaal neerslaan van een halfgeleidende verbinding

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3755013A (nl)
JP (1) JPS5032585B1 (nl)
BE (1) BE765111A (nl)
CA (1) CA918303A (nl)
CH (1) CH525027A (nl)
DE (1) DE2114645C3 (nl)
ES (1) ES389761A1 (nl)
FR (1) FR2086578A5 (nl)
GB (1) GB1336672A (nl)
NL (1) NL7104148A (nl)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3933539A (en) * 1973-12-26 1976-01-20 Texas Instruments Incorporated Solution growth system for the preparation of semiconductor materials
JPS5638054B2 (nl) * 1974-07-04 1981-09-03
DE2445146C3 (de) * 1974-09-20 1979-03-08 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung epitaktischer Schichten
US4132571A (en) * 1977-02-03 1979-01-02 International Business Machines Corporation Growth of polycrystalline semiconductor film with intermetallic nucleating layer
DE3036317A1 (de) * 1980-09-26 1982-05-19 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren und vorrichtung zur fluessigphasenepitaxie
US4507157A (en) * 1981-05-07 1985-03-26 General Electric Company Simultaneously doped light-emitting diode formed by liquid phase epitaxy
DE3306135A1 (de) * 1983-02-22 1984-08-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zum herstellen von polykirstallinen, grossflaechigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen
US4720373A (en) * 1984-07-13 1988-01-19 Research Corporation Solids refining apparatus
DE3731009A1 (de) * 1987-09-16 1989-03-30 Telefunken Electronic Gmbh Verfahren und vorrichtung zur fluessigphasenepitaxie
US5284781A (en) * 1993-04-30 1994-02-08 Motorola, Inc. Method of forming light emitting diode by LPE

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3585087A (en) * 1967-11-22 1971-06-15 Ibm Method of preparing green-emitting gallium phosphide diodes by epitaxial solution growth
US3558373A (en) * 1968-06-05 1971-01-26 Avco Corp Infrared detecting materials,methods of preparing them,and intermediates
US3692592A (en) * 1970-02-12 1972-09-19 Rca Corp Method and apparatus for depositing epitaxial semiconductive layers from the liquid phase
US3647578A (en) * 1970-04-30 1972-03-07 Gen Electric Selective uniform liquid phase epitaxial growth

Also Published As

Publication number Publication date
GB1336672A (en) 1973-11-07
CA918303A (en) 1973-01-02
DE2114645A1 (de) 1971-10-21
DE2114645B2 (de) 1980-01-10
NL7104148A (nl) 1971-10-05
JPS5032585B1 (nl) 1975-10-22
CH525027A (de) 1972-07-15
ES389761A1 (es) 1973-06-01
DE2114645C3 (de) 1980-09-11
FR2086578A5 (nl) 1971-12-31
US3755013A (en) 1973-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL147155B (nl) Werkwijze voor het bereiden van een etheen/fluoretheencopolymeer.
NL181293C (nl) Bevestigingsinrichting voor het losmaakbaar bevestigen van een paar delen.
NL7311307A (nl) Werkwijze voor de bereiding van een zoetstof.
NL155885B (nl) Werkwijze voor het continu kweken van een gist.
NL7410318A (nl) Werkwijze voor het bereiden van fenylpropana-
BE765111A (nl) Werkwijze voor het epitaxiaal neerslaan van een halfgeleidende verbinding
NL166813C (nl) Keten voor het automatisch onderdrukken van registreren.
BE785240A (nl) Werkwijze voor het dehydrogeneren van alkanen
BE768626A (nl) Verbeterde werkijze voor het epoxyderen van olefinen met hydroperoxyde
NL7311470A (nl) Werkwijze voor het neerslaan van een epitaxiale
NL148041B (nl) Werkwijze voor het bereiden van 1-nitroantrachinon.
NL159582B (nl) Werkwijze voor het isoleren van een fibrine-stabiliserende factor.
NL146208B (nl) Werkwijze voor het katalytisch heresteren van een mengsel van glyceriden.
BE823943A (nl) Werkwijze voor het aangroeien van een halfgeleiderverbinding
NL152442B (nl) Werkwijze voor de bereiding van hartige hapjes.
NL7507808A (nl) Werkwijze voor het isomeriseren van alkenen.
BE766273A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een scheepsromp
BE770841A (nl) Werkwijze voor het tegengaan van de neiging tot samenbakken vanureum
NO145956C (no) Fremgangsmaate for fremstilling av en beleggmasse
NL152261B (nl) Werkwijze voor het bereiden van 3-methyl-7-methoxy-8-dimethylaminomethylflavon.
NL7414068A (nl) Werkwijze voor het bereiden van glycolesters.
NL162314C (nl) Inrichting voor het snel aanbrengen van markeringen.
BE801574A (nl) Werkwijze voor het epoxyderen van olefinisch onverzadigde verbindingen
NL172743C (nl) Werkwijze voor het isomeriseren van alkenyl-alkoxybenzeenderivaten.
NL159583B (nl) Werkwijze voor het isoleren van een fibrine-stabiliserende factor.