BE653434A - - Google Patents

Info

Publication number
BE653434A
BE653434A BE653434DA BE653434A BE 653434 A BE653434 A BE 653434A BE 653434D A BE653434D A BE 653434DA BE 653434 A BE653434 A BE 653434A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
substrate
film
thin
subjected
stress
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Publication of BE653434A publication Critical patent/BE653434A/fr

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02Pretreatment of the material to be coated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Procédé de fabrication de minces films ferromagnétiques 
L'invention concerne un procédé de fabrication de minces films à anisotropie uniaxiale, en particulier pour des dispositifs de mémoire magnétiques. 



   Les films de matériau magnétique peuvent être utilisés   comme   éléments de mémoire dans des mémoires pour machines calcula. trices. Afin que, dans ces mémoires, les films puissent fonction- ner à-des vitesses élevées, ils sont généralement   trs   minces. De plus, il est désirable que la couche formant le film présente deux états d'aimantation stables, de façon que l'information puisse être accumulée suivant la méthode "oui" ou "non".

   De minces films peuvent 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 
 EMI2.1 
 être obtenus par vaporisation., par pulvêr1sat16d5Jto1e électrochimique et chacun de ces procès permet de régler l'épais- seur de la couche de matériau magnétique appliqué (essentiellement en modifiai dans des conditions   contrôlées,   la durée   de'l'appli-     cation)..   L'introduction des deux états stables est   généralement   obtenue en appliquant un champ magnétique pendant l'application du film. De ces films à deux états stables on dit qu'ils présentent. une "anisotropie   uniaxiale"   et que ?l'anisotropie   uniaxiale"   est "induite"dans le film par le champ magnétique appliqué pendant   Inapplication   de la couche formant le film. 



     L'Invention   fournit un procédé de fabrication de minces films à anisotropie uniaxiale sans l'intervention d'un champ   magnétique.   



   Suivant l'invention, le substrat, sur lequel on   appli-   que par la suite la mince couche formant le film est soumis dans un sens à une charge suffisante pour provoquer une déformation ' élastique de substrat mais ne dépassant pas la valeur maximale pour laquelle   il   se produit uniquement une déformation élastique u substrat, puis on   ap@@ique   le mince film et ensuite on supprime charge dû substrat. De que la charge est supprimée, le substrat ren   @  forme initiale et   @  mince film est soumis à une solli- . citation ou contrainte , lui se traduit par de l'aniso- trople uniaxiale. 



   Dans une forme   @éalisation   l'invention, le substrat est fixé par un bord tandis qu'au brd opposé est exercée ..une force dans le plan du substrat qui comprime au étend le substrat. Après 1'application du mince film sur 1 surface de substrat., la force de compression ou d'extension du :substrat est supprimée, de sorte que le mince film est soumis à une con- trainte de traction   ou   de compression se traduisant par de l'ani-   sotropie   uniaxiale. 



   Dans une forme de réalisation particulière de l'inven- tion,le substrat est déformé de façon à acquérir une incurvation 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 cylindrique$ le mince film est appliqué sur la surface concave ou convexe du substrat après quoi on supprime la force exercée sur le substrat. Le mince film est ainsi soumis à une contrainte de traction ou de compression et présente de l'anisotropie uniaxiale. 



   Il importe cependant que le substrat ne soit pas soumis à une contrainte telle que la limite élastique soit dépassée. 



   L'invention sera expliquée à l'aide de l'exemple sui- vant. 



   Un corps de verre est encastré à une extrémité et l'autre extrémité est soumise à une traction de sorte que le verre est soumis à une contrainte do traction. Pendant que la contrainte      de traction existe dans le verre, on applique par vaporisation   - sur   la surface de verre une mince couche   d'une   épaisseur d'environ      1000 Angström   d'un   alliage de 82% de nickel et de 18% de fer. 



  Après l'application de la couche formant le film , la traction . sur le verre est supprimée, de sorte que la couche appliquée est soumise à une compression. Le film obtenu présente maintenant de l'anisotropie   uniaxiale.   Le film de métal s'avère présenter une direction   d'aimantation   préférée. 



   Au lieu d'un corps de verre on peut utiliser un corps céramique ou un corps   métallique.   



   L'invention n'est pas limitée à la formation de minces films magnétiques. On peut appliquer tout matériau cristallin et y produire de l'anisotropie uniaxiale en appliquant le matériau cristallin,par exemple par vaporisation, par pulvérisation ou par voie galvanuique. sur un substrat porté à une contrainte préa- lable et   pouvant   reprendre son état non contraint, ce qui transfère la contrainte à la couche appliquée.

Claims (1)

  1. RESUME.
    1.- Procédé de fabrication des minces films à anisotro- pie uniaxiale se trouvant sur un substrat, caractérisé en ce qu'on soumet dans un seul sens le substrat sur lequel une mince couche formant un film sera appliquée par la suite à une sollicita*- tion suffisante pour provoquer la déformation élastique du substrat <Desc/Clms Page number 4> mais ne dépassant pas la charge maximale pour laquelle le substrat subit encore uniquement une déformation élastique, on applique la mince coucha formant le film et on supprime ensuite la charge du substrat, ce procédé pouvant présenter en outre la particulari- té que le mince film appliqué sur le substrat est constitué par du matériau aimantable.
    2.- Objet obtenu suivant le procédé spécifié ci- dessus.
BE653434D BE653434A (fr)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE653434A true BE653434A (fr)

Family

ID=206286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE653434D BE653434A (fr)

Country Status (1)

Country Link
BE (1) BE653434A (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2471273A1 (fr) * 1979-12-06 1981-06-19 Balzers Hochvakuum Procede pour recouvrir la surface d'un corps elastique d'une couche d'un seul tenant

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2471273A1 (fr) * 1979-12-06 1981-06-19 Balzers Hochvakuum Procede pour recouvrir la surface d'un corps elastique d'une couche d'un seul tenant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950015410A (ko) 자기 저항 센서 및 자기 저항 센서 제조방법
Chang Reversed magnetic anisotropy in deformed (100) Cu/Ni/Cu structures
US7598596B2 (en) Methods and apparatus for a dual-metal magnetic shield structure
BE653434A (fr)
Wulfhekel et al. Magnetic anisotropy of Co on Cu (1 1 17)
Schatz et al. Magnetic properties of giant magnetostrictive TbDyFe films
DE102005051332B4 (de) Halbleitersubstrat, Halbleiterchip, Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils
US5502381A (en) Stress sensor using magnetostriction thin film
Duden et al. Spin-polarized low energy electron microscopy of ferromagnetic layers
Wun-Fogle et al. Magnetostriction and magnetization of common high strength steels
EP1501757B1 (fr) Procede pour modifier les proprietes d&#39;une couche mince et substrat faisant application du procede
FR2828001A1 (fr) Dispositif de commande de renversement de sens d&#39;aimantation sans champ magnetique externe
Wedler et al. Magnetoelastic coupling of compressively stressed Fe/GaAs (001)
Atulasimha et al. Effect of stoichiometry on sensing behavior of iron-gallium
Wang et al. The converse piezoelectric effect on electron tunnelling across a junction with a ferroelectric–ferromagnetic composite barrier
US7410888B2 (en) Method for manufacturing strained silicon
Shim et al. Magnetostrictive Performance of Electrodeposited TB X DY (1-X) FE Y Thin Filmevaluated from Microactuator
JP4919310B2 (ja) 超磁歪薄膜素子の製造方法
KR100284465B1 (ko) Sm계거대자기변형박막및그제조방법
US5267476A (en) Strain detector
Angot et al. Hydrogen-induced semimetal-semiconductor transition of two-dimensional ErSi2 detected by electron energy loss spectroscopy
Oepts et al. Enhanced anisotropy of permalloy layers sputter deposited on V-grooved substrates and tilted surfaces
KR100253743B1 (ko) 메모리용 자기저항소자의 제조방법
EP1935041B1 (fr) Procede de fabrication d&#39;un capteur a magneto-impedance
Donovan et al. Magnetic domain structures in deformed and undeformed foils of a metallic glass