FR2477771A1
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1981-09-11
Procede pour la realisation d'un dispositif semiconducteur a haute tension de blocage et dispositif semiconducteur ainsi realise
EP1330836A1
(fr )
2003-07-30
Procede de realisation d'une diode schottky dans du carbure de silicium
EP0199424B1
(fr )
1990-07-11
Composant semiconducteur du type planar à structure d'anneaux de garde, famille de tels composants et procédé de réalisation
EP1073110A1
(fr )
2001-01-31
Procédé de fabrication de composants unipolaires
FR2475295A1
(fr )
1981-08-07
Diode et dispositif rom ou eeprom utilisant cette diode
EP0021869A1
(fr )
1981-01-07
Procédé pour réaliser une diode Schottky à tenue en tension améliorée
FR2488734A1
(fr )
1982-02-19
Diode zener et procede pour la fabriquer
FR2491260A1
(fr )
1982-04-02
Electrode a couche composite et dispositif a semi-conducteurs muni de cette electrode
EP2937902A1
(fr )
2015-10-28
MATRICE DE PHOTODIODES EN CdHgTe
FR3107783A1
(fr )
2021-09-03
Procédé de fabrication d’un transistor bipolaire et transistor bipolaire susceptible d’être obtenu par un tel procédé
EP3396720B1
(fr )
2020-01-22
Procede de realisation d'une matrice de photodiodes a structures en mesa
FR2974240A1
(fr )
2012-10-19
Capteur eclaire par la face arriere a isolement par jonction
BE642748A
(OSRAM )
1964-05-15
EP3331030B1
(fr )
2019-05-15
Structure et procede de passivation
FR3129248A1
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2023-05-19
Photodiode germanium à courant d’obscurité réduit comportant une portion intermédiaire périphérique à base de SiGe/Ge
EP0126499B1
(fr )
1988-01-13
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FR2462782A1
(fr )
1981-02-13
Procede de realisation d'une couche contenant du silicium et dispositif de conversion photoelectrique mettant en oeuvre ce procede
FR2864345A1
(fr )
2005-06-24
Realisation de la peripherie d'une diode schottky a tranchees mos
EP0012324B1
(fr )
1982-02-17
Procédé de formation de contacts sur des régions semi-conductrices peu profondes
EP3764403B1
(fr )
2023-03-08
Fabrication d'un dispositif photosensible à semiconducteur
FR3009433A1
(fr )
2015-02-06
Capteur d'images a illumination face arriere a faible courant d'obscurite
EP0148065A2
(fr )
1985-07-10
Composant semiconducteur rapide, notamment diode pin haute tension
WO2022171650A1
(fr )
2022-08-18
Photodiode germanium a contacts metalliques optimises
EP0033429A2
(fr )
1981-08-12
Cellule photovoltaique applicable à la fabrication de piles solaires
FR2573249A1
(fr )
1986-05-16
Procede pour la preparation d'elements semi-conducteurs a couches minces, et en particulier de cellules solaires