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ton dispositifs aewi-oôndttotew? ;
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r!. .1'G'3k1';ikl ! rapporte à 1,7LC 1'it5t' ,",ple,i tion, da disjpoettiJ'e qui comportent '-"##"'' placiez ooaohes dont les coaduotibilitée eont d type diffusât t/ott dont lea ûenta'oae de dopage sont 1''re,.; ;., du, oorpe # l-*oottduo1î ar,-v:' on partout d'un, mélaagô d'un combinaison dr a!., e,,:i . ccade.. eoui d.Mm.ae .et d'an ga de. rlàotion, eû':?. partioAIi *1 d 3,*hydrogào , QtM"*6fA'e<!' or ari .,''##- k'i7ti"'.¯401,'i" '.iV'!l.1K1 oônetituo 4.t li,lt!lÏl. prooédé, - qui convient, riielie,/o obtenir dee couche f . semi-ooaduotrioea apéelalement ltxld'r, 4'Ë! ooûduotibilté* # i$a-di,&ie'.,7.-/.//,. ....... \ï/ ,
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t:tz' 't,t i.' x#d,.b 3?la%";';
haut, on cômmaaee par précipiter la corps enii-oondftôiftW? - .'-y.,. puis on coupe .'r d... ma-a 'dtt -' ; '"/%' aarp emi--ooaiueux . aaxe en acaé ôôt '.;;"; de nouveau précipité, et pendant l'interruption de.'l'ârri**;,. vée de . am'b.raor 'ue da, ai di-aiduaty , .';.\: -la. partie ce oorpa seal-oonduoteuff q.ia.1 a d4jà été séparée est 11 '.
J.i.4,GL .Ci i 4YpGsi 4s.w r.M'i.k.w ,Y,Ar, .Le produits de dopage et, qu'iau .'.moiûe'..lao&&e extérieure du iQl ae'"'iMi.lu.i;t " u' v 014 'iiuJ.l1 1 "%*-,# in45i411Â.i.4i 6S LiiY '< ¯ /v pendant la ooupure'de l'arrivée #%* .QQmhtn*i$Js-;$ ''\'';..''éoz<aac' aorp t. anttur,' otl' interrotaprii . gF..0alet'i"r .I.itita'E&,?Xi Irtti Ilr. de réaction faire le., vide. dans' la ohambrû d réaction. d 6 t est de l'hydrogène aoa arrivée dans la ouve de xa3,aH ... ne sera avantageusement 13 interrompuei pour qu'aucune '':J évaporât ion du corp9'semlooadnol:aM'...'M' B "'pjc'odae' d'eiï nme, ai4tr' l'interruption de la déoompoeition, on peut -';' par exemp5.r, haû'.r 1 acxp,.à.t.-.ca4r :
d,.t.px par exemple, ohauff er le oorps, aemi-oonduoteur déà prjj5oi*Vt pité dana un courant d'hydrogène, aucune t3./.i#r4yid..r notable .du corps aerai-oonduoteur ne se produisant, main par; .;. contre, le produit de dopage;:, évaporé eat entraîné par Xè..-..- '# courent d'hydrogène, Itbidrôl4ne peut en otr atrca'efî .r3.iaria,a,aa dee P-rodUtos 1nt 1an* > rda et ion l'élimineiîion des impuretéB produisant un le silicium sera par exemple porté à Lxki irdl:?"1$G,'11l:: d' r .
J" rro :i ., are . , rc . d* / ' - , l'interruption de lié6ataoa,sw< tenant eo#pti ;.; du type de produit de dbpièé * -,- ' tr xc,ement axc,r : 'ps.aA e srr rt;: , eonduetrloea, qui mont appauvries par évaporitiôn, dee 9*S>-±'- Î. aherch px:ianmi,.r tr# t,â.bs., moyen d ) \ï<%,
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cette évaporation du produit du dopage, on peut en outre,
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' augmenter aenaiblement W1 résistance spécifique du oor .":';fH
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semi-conducteur obtenu par précipitation, tout au moins
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dan la 8ne napertioîelle 13a ici tiéral .la oorpa yo-1t6,-,'., doit Stre chauffe à une'température .itaenv'irQnlOO*0.;;
en dessous de la température de fusion de la substance 'Considéré --\
Un procédé de précipitation des corps semi-con- ducteurs tel: que décrit ci-dessus, cet par exemple connu par le brevet allemand 1 061 393.
Dans ce procédé, des barreaux. disposés verticalement, servent de support pour le .'corps, semi-conducteur décomposé et .qui dont consit- tuée par le même corps semi-conducteur, sont ohauffés par passage direct du courant et aont baignée par une combinai- .son gageas du corps semi-conducteur, sinei que per un gaz , de réaction.
Suivant Impureté de la matière de départ utilisée, le corps semi-conducteur ainsi obtenu est plue ou moins fortement souillé par des produits de dopage, Quand on utilise un barreau support monocristallin, et en conduisant la réaction d'une manière convenable, en parti- culier en effectuant un pré-traitement de la matière du support, par exemple en laportent incandescence, dans un courant d'hydrogène,
on peut arriver à faire croître le corps semi-conducteur sous la forme d'un monocristal, qui convient sans traitement ultérieur spécial, pour la fabrication d'éléments semi-conducteure.
Si, pendant la décomposition du corps semi-conducteur, on interrompt suivant Il invention, l'arrivée de la combinai- son gazeuse du corps Semi-conductuer, par exemple un halo- génure de silicium, comme le silicochloroforme, et l'on ' maintient.
le barreau support avec le coprs semi-conducteur précipité une température élevée, une partie du produit , - de dopage Reposé est évaporée, ce qui provoque un app[asu- vrissement de la couche superficielle du corpa semi-conduc- teur en produits de dopage.
En particulier, le$ corpe tels ;- que le phosphore,l'arsenic, l'antimoine et le souffre, qui
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donnent une' aod't dc¯r z aaaa car : . ont .a,o r:; 1d dtl ,maa; 'qtte., ,,1'>OQ'(}:":,?a ' '.tels que .le )01'.,. -'lt1t'.;;"1.tW1it;qLÛ"dOt\'r.t/;'i;il} : une oonduct 1bilt6' :;iHo/p;;;:!'.,:t>Q)oêd', avivant It1niét1J/({i lion mène donc. en règle générale, ne diminution des d.)L ' .qui donnant une conductibilité do, type 'e:b.," 'O"f e*-';'d±, '1',.; "'Û,.,,",,;/,;,'; "..:",..,..,.:"".,,,,'/l>,.;.\,,:': ';,.. "," ".",>Í';"'.:C .
/ si l'faporation et eomplèt. 6n obtient , endroit / ainsi traité une ooû.Óhe:' r1ont:;ta:C()ndU:ctib11itc5e.".dtÍ',";;'::'f'Í3" type p*/ ,',. ' . ','\,'.i#;f<!]ctJ}{0";:i;'b;;'/:If\:0(;."k}0,111 a . i, " LI 1nventipn,.vf{'8tr.>eXpliCl"'6e;,U).,d.l3.:: ,n."..,><'tiF" ' servant- d'un exemple de réalisation. 'On" -,.Par de elliolum, - à.pu;t,Od t'{J:iâ+oênU1' ( dO>8tlari.fJtê,t\:',:;:,:;)I;;
utilisant de l'hydrogène comme gaz de réaction et dilution,-* sur un barreau support également en silicium, un barreau,, silicium dont la conductibilité est ,du: type n et la réels- ' tance spécifique environ 1 Ohm/cm, pendant la précipitation,. le barreau support est porté à une température d'environ
1100 à 1150 C. Pendant 1 interruption de la Décomposition.
on n'introduit dans la cuve de réaction que de l'hydrogène et l'on chauffe le barreau de silicium obtenu jusqu'à . environ 1340 C. Après environ une heure, on introduit de nouveau un halogénure de silane et l'on continue-,le dépôt de silicium de la manière déjà décrite. Par suite de
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' l'evaporatioa, la COl1obeO'btenue pendant 11 Interruption de # la décomposition, oOl1ohequise trouve maintenant à '1' in';;"':'};:::
' térieur du. corps déposé, a une épaisseur d'environ 10 et, sur un polissage transversal du barreau de silicium obtenu '
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par prtSoiP1t8ti0I1,.etdéà.1,{ê à. l'oeil nUt, 8prè..vo" subi une attache convenable au moyen d'un aside. Bien ente' du, diverses V8riante',duprÓédé<1éot:1t.ont peutait.meni:':,>'> possibles, en particulier l'emploi du procédé n'est pas limité au, silicium, mais il peut également être utilisé avec le germanium ou le carbure de, silicium. '.'.j.''".
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your aewi-oôndttotew devices? ;
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r !. .1'G'3k1 '; ikl! relates to 1,7LC 1'it5t ', ", ple, i tion, da disjpoettiJ'e which include' -" ## "'' place ooaohes whose coaduotibilitée are of type diffusion t / ott whose ûenta'oae of doping are 1''re,.;;., du, oorpe # l- * oottduo1î ar, -v: 'one everywhere of a, melaagô of a combination dr a!., e ,,: i. ccade .. yes d.Mm.ae. and an ga de. rlàotion, eû ':?. partioAIi * 1 d 3, * hydrogào, QtM "* 6fA'e <!' or ari., '' ## - k'i7ti "'. ¯401,' i" '.iV'! l.1K1 oônetituo 4.t li, lt! lÏl. prooédé, - which is suitable, riielie, / o to obtain layer f. semi-ooaduotrioea apéelalement ltxld'r, 4'Ë! oûduotibilté * # i $ a-di, & ie '., 7 .- /. // ,. ....... \ ï /,
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t: tz '' t, t i. ' x # d, .b 3? la% "; ';
high, we cômmaaee by precipitating the body enii-oondftôiftW? - .'- y.,. then we cut .'r d ... ma-a 'dtt -'; '"/%' aarp emi - ooaiueux. aaxe en acaé ôôt '. ;;"; again precipitated, and during the interruption of.'l'ârri **;,. vee of. am'b.raor 'ue da, ai di-aiduaty,.';. \: -la. part this seal-oonduoteuff oorpa q.ia.1 has already been separated is 11 '.
Ji4, GL .Ci i 4YpGsi 4s.w r.M'i.kw, Y, Ar, .The doping products and, that iau. '. Moiûe' .. lao && e outer iQl ae '"' iMi. lu.i; t "u 'v 014' iiuJ.l1 1"% * -, # in45i411Â.i.4i 6S LiiY '<¯ / v during arrival cutoff #% * .QQmhtn * i $ Js -; $ '' \ ''; .. '' éoz <aac 'aorp t. anttur,' otl 'interrotaprii. gF..0alet'i "r .I.itita'E & ,? Xi Irtti Ilr. reaction do the., empty. in the reaction ohambrû. d 6 t is hydrogen aoa arriving in the opening of xa3, aH ... will be advantageously 13 interrupted so that no '': J evaporation of the corp9'semlooadnol: aM '...' M 'B " 'pjc'odae' from eiï nme, ai4tr 'the interruption of the deoompoeition, we can -'; ' for example5.r, haû'.r 1 acxp, .à.t .-. ca4r:
d, .t.px for example, to heat the body, aemi-oonduotor already prjj5oi * Vt pité in a current of hydrogen, no noticeable t3./.i#r4yid..r. of the air-motor body not occurring , hand by; .;. against, the doping product;:, evaporated is entrained by Xè ..-..- '# run out of hydrogen, Itbidrôl4ne can in otr atrca'efî .r3.iaria, a, aa dee P-rodUtos 1nt 1 year *> rda and ion the elimination of impurities B producing a silicon will for example be brought to Lxki irdl:? "1 $ G, '11l :: d' r.
J "rro: i., Are., Rc. D * / '-, the interruption of lien6ataoa, sw <tenant eo # pti;.; Of the type of product of dbpièé * -, -' tr xc, ement axc, r: 'ps.aA e srr rt ;:, eonduetrloea, which mounts depleted by evaporitiôn, dee 9 * S> - ±' - Î. aherch px: ianmi, .r tr # t, â.bs., middle d) \ ï <%,
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this evaporation of the doping product, it is also possible,
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'greatly increase W1 specific resistance of gold. ":'; fH
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semiconductor obtained by precipitation, at least
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in the 8th napertioîelle 13a here tiéral .la oorpa yo-1t6, -, '., must be heated to a temperature .itaenv'irQnlOO * 0. ;;
below the melting point of the substance 'Considered - \
A method of precipitating semiconductor bodies as described above, for example known from German patent 1,061,393.
In this process, bars. arranged vertically, serve as a support for the body, a decomposed semiconductor and .which consists of the same semiconductor body, are heated by direct passage of the current and have bathed by a combination of its body gageas. semiconductor, sinei que per a gas, reaction.
Depending on the impurity of the starting material used, the semiconductor body thus obtained is more or less heavily soiled by doping products, When using a single crystal support bar, and by carrying out the reaction in a suitable manner, in particular by carrying out a pre-treatment of the support material, for example by incandescent, in a stream of hydrogen,
it is possible to grow the semiconductor body in the form of a single crystal, which is suitable without special further processing for the manufacture of semiconductor elements.
If, during the decomposition of the semiconductor body, the arrival of the gaseous combination of the semiconductor body, for example a halide of silicon, such as silicochloroform, is interrupted according to the invention, and one ' maintains.
the support bar with the semiconductor body precipitated a high temperature, part of the rested doping product is evaporated, which causes a buildup of the surface layer of the semiconductor body in doping products .
In particular, the $ corpe such; - as phosphorus, arsenic, antimony and sulfur, which
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give an 'aod't dc¯r z aaaa because:. have .a, o r :; 1d dtl, maa; 'qtte., ,, 1'> OQ '(}: ":,? a' '. such as .le) 01'.,. -'lt1t '. ;;" 1.tW1it; qLÛ "dOt \' rt /; 'i; il}: an oonduct 1bilt6':; iHo / p ;;;:! '.,: t> Q) oêd', brightening It1niét1J / ({i lion therefore leads. as a general rule, no decrease in d.) L '. which giving a conductivity do, type' e: b., "'O" fe * -'; 'd ±,' 1 ',.; "' Û,. ,," ,,; / ,;, '; "..:", .., ..,.: "". ,,,,' / l>,.;. \ ,,: ':';, .. "," ". ",> Í ';"' .: C.
/ if the evaporation is complete. 6n obtains, place / thus treated an ooû.Óhe: 'r1ont:; ta: C () ndU: ctib11itc5e. ". DtÍ'," ;; '::' f'Í3 "type p * /, ',.' . ',' \, '. i #; f <!] ctJ} {0 ";: i;' b ;; '/: If \: 0 (;." k} 0.111 a. i, "LI 1nventipn, .vf {'8tr.> eXpliCl "' 6e;, U)., d.l3. ::, n." ..,> <'tiF "' serving- as an example of embodiment. 'On" -, .By de elliolum, - à.pu; t, Od t '{J: iâ + oênU1' (dO> 8tlari.fJtê, t \: ',:;:,:;) I ;;
using hydrogen as reaction and dilution gas, - * on a support bar also made of silicon, a silicon bar, the conductivity of which is, of type n and the specific realtance about 1 Ohm / cm, for precipitation,. the support bar is brought to a temperature of approximately
1100 to 1150 C. During 1 interruption of the Decomposition.
only hydrogen is introduced into the reaction vessel and the silicon bar obtained is heated to. about 1340 ° C. After about one hour, a silane halide is introduced again and the deposition of silicon is continued in the manner already described. As a result of
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'the evaporatioa, the COl1obeO' obtained during 11 Interruption of the # decomposition, oOl1ohequise now finds at '1' in ';; "': '}; :::
'interior of. deposited body, has a thickness of about 10 and, on a transverse polishing of the silicon bar obtained '
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by prtSoiP1t8ti0I1, .anddéà.1, {ê to. the eye nUt, 8prè..vo "underwent a suitable attachment by means of an aside. Although ente 'du, various V8riante', duprÓédé <1éot: 1t.ont canait.meni: ':,>'> possible, in in particular, the use of the process is not limited to silicon, but it can also be used with germanium or silicon carbide. '.'. j. '' ".