BE620840A - - Google Patents

Info

Publication number
BE620840A
BE620840A BE620840DA BE620840A BE 620840 A BE620840 A BE 620840A BE 620840D A BE620840D A BE 620840DA BE 620840 A BE620840 A BE 620840A
Authority
BE
Belgium
Prior art keywords
region
normal
carriers
sep
electronic device
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
French (fr)
Publication of BE620840A publication Critical patent/BE620840A/fr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/10Junction-based devices
    • H10N60/128Junction-based devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures

Landscapes

  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
BE620840D BE620840A (enrdf_load_stackoverflow)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
BE620840A true BE620840A (enrdf_load_stackoverflow)

Family

ID=194114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BE620840D BE620840A (enrdf_load_stackoverflow)

Country Status (1)

Country Link
BE (1) BE620840A (enrdf_load_stackoverflow)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2513011A1 (fr) Procede de fabrication de contacts a faible resistance dans des dispositifs a semi-conducteur
JP2004103959A (ja) 太陽電池およびその製造方法
FR2785088A1 (fr) Un procede de fabrication d'un substrat pour un dispositif electronique utilisant un agent d'attaque ainsi qu'un dispositif electronique presentant un tel substrat
EP0107556B1 (fr) Procédé de fabrication d'une résistance électrique dans un matériau semiconducteur polycristallin et dispositif à circuits intégrés en résultant
US20180040754A1 (en) Solar cell module and method of producing the same
DE8232492U1 (de) Solarzelle aus amorphem Silizium
DE3242835A1 (de) Solarzelle aus amorphem silizium
JP2020035915A (ja) 光電変換膜、撮像素子および光電変換素子
Kubis et al. All sub‐nanosecond laser monolithic interconnection of OPV modules
JP6362257B2 (ja) 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、積層型固体撮像素子および太陽電池
FR2799003A1 (fr) Detecteur de rayonnement utilisant un materiau composite et procede de fabrication de ce detecteur
FR2712429A1 (fr) Matériau supraconducteur constitué de couches monomoléculaires superposées.
BE620840A (enrdf_load_stackoverflow)
FR2780203A1 (fr) Detecteur a puits quantique avec couche de stockage des electrons photoexcites
FR2487122A1 (fr) Procede de fabrication de dispositifs a semi-conducteur
WO2012117182A2 (fr) Procede pour la mise en serie electrique monolithique de cellules photovoltaiques d'un module solaire et module photovoltaique mettant en oeuvre ce procede
Santos-Cruz et al. Au–Cu/p–CdTe/n–CdO/glass-type solar cells
EP0505259A2 (fr) Transistor supra-conducteur à effet de champ et procédé de fabrication d'une structure multicouche telle que celle utlisée dans le transistor
FR2589620A1 (fr) Condensateur multipiste
KR102419215B1 (ko) 박막 태양광 모듈을 제조하는 방법
EP3498893B1 (fr) Procede d'extraction d'impuretes metalliques d'une plaquette de silicium cristallin
BE620839A (enrdf_load_stackoverflow)
FR2755300A1 (fr) Materiau multicouches conducteur de l'electricite, et procede de traitement d'un tel materiau
CN112885907B (zh) 一种与半导体Si集成的人工神经元及其应用
FR2463512A1 (fr) Perfectionnements aux dispositifs a jonctions tunnel et aux procedes de fabrication de telles jonctions