BE522000A - - Google Patents

Description

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  CELLULE A COUCHE   D'ARRET.   



   L'invention concerne une cellule à couche d'arrêt comportant une plaque porteuse recouverte d'une couche de sélénium, qui forme une électrode semi-conductrice et sur laquelle est appliquée une électrode bonne conductrice de l'électricité. 



  En générale on admet qu'entre ces électrodes se trouve une couche d'arrêt. 



  Ces cellules peuvent être utilisées comme, redresseurs ou comme cellules photo- électriques, Dans de telles cellules, il est connu d'appliquer sur la couche de sélénium localement, c'est-à-dire sur une partie de la surface de la cellule, une couche isolante et de prolonger la contre-électrode bonne conductrice jusqu'au-delà de la couche isolante. Ceci permet d'appliquer sur la partie de l'électrode bonne conductrice, qui se trouve au-dessus de la couche isolante par serrage ou par soudure, un capteur de courant sans qu'il y ait lieu de craindre qu'il se forme une connexion électrique indésirable entre la plaque porteuse, respectivement la couche de   sélénium.,   et la contre- électrode. 



   Il est également connu d'appliquer directement une telle couche isolante sur la plaque porteuse sous la couche de sélénium. Dans ce   cas,,   la couche isolante est par exemple, du vernis. Comme après   Inapplication   sur la plaque porteusela couche de sélénium doit être soumise à plusieurs traitements à une température assez élevée, ce vernis doit conserver a la température   mentionnée.   son état   solide   et son pouvoir isolant, de sorte que le choix est assez limité. 



   L'invention permet de former d'une façon très simple une telle couche isolante, résistant à de hautes températures. 



  Elle est bassée sur   15!idée   que certains métaux tels que le fer et l' aluminium, forment, avec le   sélénium,,,,   spontanément ou bien sous l'effet de la chaleur, un composé isolant. 

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   Suivant   l'invention.   la face de la plaque porteuse tournée vers le sélénium,, est particulièrement en un métal qui forme avec le sélénium un composé isolant. Par "composé isolant". on entend ici un composé qui forme une couche dont la résistance et/ou la tension de disruption sont élevées par rapport à celles de la couche   d'arrêt.   



   Cette forme de construction peut être réalisée de plusieurs ma-   nières.   



   On peut constituer la plaque porteuse par une plaque de fer ou d'   aluminium.   formant avec le sélénium un composé isolant, et par un recouvrement partiel connu d'un métal ou d'une autre substance qui forme avec le sélénium, un composé conducteur. 



  Le recouvrement peut être par exemple du nickel et/ou du carbone. 



   Toutefois  on peut aussi constituer la plaque porteuse, ou du moins la partie qui est tournée vers le sélénium  par un métal qui forme avec le sélénium un composé conducteur, par exemple du nickel, et par un recouvrement partiel d'un métal qui forme avec le sélénium un composé isolant. 



    C'est   ainsi que   1?on   peut projeter sur le nickel,. par exemple   localement   une couche d'aluminium. 



   La description du dessin annexée donné à titre d'exemple non limitatif  fera bien comprendre comment l'invention peut être réalisée, les particularités qui ressortent tant du texte que du dessin   faisant,,,   bien entendu, partie de   l'invention..   



   Les figures montrent en coupe quatre formes de réalisation. 



  L'épaisseur des couches dont sont constituées les cellules à couche d'arrêt y est fortement exagérée. La couche d'arrêt que   l'on   peut supposer exister entre l'électrode bonne conductrice et la couche de sélénium, n'est pas représentée sur le dessin. La cellule représentée sur la   fig.   1 est constituée par une plaque 1, qui, de façon connue, peut être en aluminium ou en fer, et sur laquelle est   appliqué,   par voie galvanique, un recouvrement 1 de   nickel.   Sur la face supérieure  on a encore prévu une couche de carbone   3,   obtenue par exemple en projetant une suspension de carbone que 1' on incruste ensuite par chauffage.   L9ensemble   formé par les parties 1. 2 et 3 constitue la plaque porteuse. 



   Ensuite.. on a enlevé localement en   4   la couche de nickel 2 et la couche de carbone 3par exemple par frottement ou par brossage. Il est évidemment possible aussi de faire en sorte que cette partie   4   reste nue lors de   Inapplication   des couches 2 et 3. 



   On applique ensuite  par un procédé   connu,.   la couche de sélénium 5. Celle-ci formera  sur la partie non recouverte   4   de la plaque 1, une couche isolante, surtout lorsqu'on chauffe la couche de sélénium. Il y a lieu de noter que l'épaississement apparpnt de la couche de sélénium au-dessus de la partie 4. est en réalité   négligeable,,   la couche de nickel 2 et la couche de carbone 3,sont très minces.Sur la couche de sélénium 5. on projette ensuite l'électrode bonne conductrice 6, qui peut être constituée par un alliage d'étain de bismuth et de calcium qui fond à   103 C.   Sur cette électrode bonne conductrice et au-dessus de la partie 4. on peut appliquer une bague de contact 7. 



   Une telle cellule peut être utilisée comme redresseur. 



  Lorsque l'électrode bonne conductrice 6 est suffisamment mince pour laisser passer la lumière  la cellule peut être utilisée comme cellule photo-électrique. Dans ce   casp   la contre-électrode sera généralement en   or    éventuellement avec un renforcement constitué par l'alliage précitée sous la bague de contact 7. 

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   La cellule représentée sur la fig. 2 comporte une plaque porteuse qui est constituée en grande partie, par une feuille 1 d'un métal qui forme avec le   sélénium un   composé bon conducteur,par exemple du nickel. La feuil- le peut être rendue rugueuse pour améliorer l'adhérence. Au milieu, la feuil- le est recouverte d'une couche 8 d'un métal tel que l'aluminiums qui forme, avec le sélénium. un composé   isolant.   La feuille 1 et la couche 8 forment ici la plaque porteuse. Sur celle-ci sont de nouveau appliquées la couche de sé- lénium 5 et l'électrode bonne conductrice 6. On forme ensuite une couche iso- lante sur la surface de contact des couches 5 et 8. Au-dessus de cette couche
Isolante, on dispose la bague de contact 7. 



   La forme de construction représentée sur la fig. 2 offre un sé- rieux avantage: l'application de la couche 8 peut s'effectuer d'une façon très simple, par exemple par projection. 



   D'autre part, une plaque porteuse essentiellement en nickel est assez coû-   teuse .    



   Le premier avantage peut être obtenu sans qu'il soit nécessaire d'employer une plaque porteuse coûteuse; il suffit d'employer une plaque porteuse, qui n'est constituée que superficiellement par du nickel ou par un métal analogue, comme le représente, par exemple,la fig 3. 



   Sur cette figure. la plaque porteuse est constituée par une pla- que de fer ou d'aluminium 1, recouverte   galvaniquement   par une couche de nic- kel 2. Autour de   l'ouverture   centrale. on a projeté, sur la couche de nickel, une bague 8 d'aluminium. L'ensemble ainsi formé est recouvert d'une couche de sélénium 5 et d'une contre-électrode 6. La bague de contact 7 se trouve de nouveau au-dessus de la bague 8 qui, étant exposée à l'effet du sélénium, formera une couche isolante. 



   Les cellules décrites ci-dessus comportent une ouverture centrale, ce qui permet de les fixer sur un boulon central. mode de fixation qui est fréquemment utilisé pour les redresseurs. Il existe évidemment de nombraises variantes en ce qui concerne l'endroit de formation de la couche isolante. 



   La   fig. 4   montre une forme de réalisation particulièrement appropriée à l'emploi comme cellule photo-électrique. Cette cellule est constituée par un disque circulaire 1 d'aluminium ou de fer recouvert d'une couche de nickel 2. Toutefois, le bord   4   ne comporte pas de nickel. Ensuite,on a appliqué la couche de sélénium 5, qui est recouverte de l'électrode bonne conductrice 6. par exemple par vaporisation d'or. Le long du bord, cette électrode est renforcée par le fait que l'on y a appliqué. par projection, une étroite bague 9 en un alliage à bas point de fusion. Contre cette bague est serré un contact 10.

Claims (1)

1. RESUME.

   1. Cellule à couche d'arrêt comportant une plaque porteuse sur laquelle se trouve une couche de sélénium formant une électrode semi-conductrice recouverte d'une électrode bonne conductrice et dans laquelle une couche isolante locale se trouve entre l'électrode bonne conductrice et la plaque porteuse, caractérisée en ce que la face de la plaque porteuse tournée vers le sélénium est partiellement constituée par un métal qui forme avec le sélénium un composé isolant.

   2. Des formes de réalisation de la cellule spécifiée sous 1, pouvant présenter en outre les particularités suivantes, prises séparément ou en combinaison: <Desc/Clms Page number 4> a) la plaque porteuse en un métal qui forme avec le sélénium un composé isolant.. est partiellement recouverte sur sa face tournée vers le sélénium$ par un métal ou une autre matière qui forme avec le sélénium, un composé isolant9 b) la plaque porteuse est une plaque métallique dont au moins la partie tournée vers la couche de sélénium,, est constituée par un métal ou une autre matière qui forme avec le sélénium.. un composé conducteur tandis qu9une partie est recouverte d'un métal qui forme avec le sélénium un composé isolant.