Wang et al.
2023
Asymmetrically Contacted Tellurium Short‐Wave Infrared Photodetector with Low Dark Current and High Sensitivity at Room Temperature
BE360651A
(cs )
EP0042789A1
(fr )
1981-12-30
Procédé de mesure de grande sensibilité des concentrations de gaz et produits volatils in situ et en continu et appareil de mise en oeuvre
Ohl et al.
1959
Improved diode for the harmonic generation of millimeter and submillimeter waves
EP0136225B1
(fr )
1988-05-18
Dispositif d'alimentation en énergie électrique pour générateur d'ozone
Breddels et al.
1989
a-Si: H TFTs using low-temperature CVD of Si3H8
Haslett et al.
1975
Design considerations for improving low-temperature noise performance of silicon JFET's
Zarnani et al.
1988
Windowless helium lamp assisted chemical vapor deposition of hydrogenated amorphous silicon
Chik et al.
1990
Electronic transport in amorphous and microcrystalline phosphorus-doped silicon films prepared by thermal LPCVD
Lindell et al.
1959
Radar crystal valves
Van den Heuvel
1988
Striations in a gas discharge
BE393962A
(cs )
Takahashi et al.
1987
Photoconductive characteristics and stabilization of hydrogenated amorphous silicon films
CH340866A
(fr )
1959-09-15
Dispositif dans lequel se trouvent des organes assurant une commande automatique de gain
JP2024069263A
(ja )
2024-05-21
高精度ｒｆ電圧を供給する共振伝送線路
BE389170A
(cs )
BE351730A
(cs )
BE349944A
(cs )
BE417023A
(cs )
EP0161451A1
(fr )
1985-11-21
Dispositif d'élaboration d'un signal, correspondant à une grandeur variable liée à la puissance réactive d'un four à arc pour commander un compensateur de puissance réactive
BE475128A
(cs )
CH86284A
(fr )
1920-08-16
Installation de signalisation électrique sans fil.
BE481128A
(cs )
BE503167A
(cs )
BE440097A
(cs )