BE1008927A3 - Stralingsgevoelige detector. - Google Patents
Stralingsgevoelige detector. Download PDFInfo
- Publication number
- BE1008927A3 BE1008927A3 BE9401046A BE9401046A BE1008927A3 BE 1008927 A3 BE1008927 A3 BE 1008927A3 BE 9401046 A BE9401046 A BE 9401046A BE 9401046 A BE9401046 A BE 9401046A BE 1008927 A3 BE1008927 A3 BE 1008927A3
- Authority
- BE
- Belgium
- Prior art keywords
- radiation
- arm
- sensitive
- detector according
- sensitive detector
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 38
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017606 Vaccinium vitis idaea Nutrition 0.000 description 1
- 244000077923 Vaccinium vitis idaea Species 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K17/00—Measuring quantity of heat
- G01K17/003—Measuring quantity of heat for measuring the power of light beams, e.g. laser beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/38—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using extension or expansion of solids or fluids
- G01J5/40—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using extension or expansion of solids or fluids using bimaterial elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
Een inrichting voor het detecteren van stralingen, bijvoorbeeld infrarode straling, welke een gevoelige arm omvat die over ten minste een deel van zijn lengte uit bimetaal bestaat. Een einde van deze arm is met een stralingsabsorberend membraan verbonden.
Description
<Desc/Clms Page number 1> 8TRALING8GEVOELIGE DETECTOR Deze uitvinding heeft betrekking op een stralingsgevoelige detector steunende op het bimetaaleffect, en op een werkwijze die voordelig is voor het gebruik van een dergelijke detector. Het bimetaal effect is gekend. Het maakt gebruik van het verschil in thermische uitzettingscoëfficiënten van twee onderscheiden bimetaalbladen, waarbij genoemd verschil een verplaatsingskracht veroorzaakt die veranderlijk is als functie van de temperatuur. Dit effect werd reeds toegepast voor de meting van temperaturen. Uit US-A-3466449 is eveneens een thermisch relais gekend dat twee bimetaalbladen omvat. Korter bij ons werd het bimetaal effect ook nog voorgesteld in de spectrometrie (cf. J. L. Gimzewski et al : Observation of a chemical reaction using a micromechanical sensor, Chem. Phys. Letters, Vol. 217, No. 5,6, January 28,1994). Het bimetaaleffect werd tot nu toe echter nooit toegepast voor het detecteren van stralingen. Onderhavige uitvinding past het bimetaaleffect toe voor het detecteren van stralingen. Tot dit doel stelt deze een stralingsgevoelige detector voor zoals bepaald in de conclusies. Een bijzondere toepassing van de detector volgens de uitvinding is de infrarode beelddetectie. Niet alleen laat de detector volgens de uitvinding het detecteren van stralingen toe met een sterke gevoeligheid, maar de detector volgens de uitvinding heeft het <Desc/Clms Page number 2> EMI2.1 voordeel worden door het aanwenden van zogenaamde vervaardigd te kunnengieln en van de LIGA werkwijze. Een verder doel van de uitvinding bestaat erin en werkwijze voor te stellen voor het detecteren van de stralingen door het gebruik van de detector volgens de uitvinding en de eigenschappen hiervan te benutten. Hiernavolgend wordt de uitvinding op een meer gedetailleerde wijze uiteengezet middels de hierbij gevoegde tekeningen. Figuur l is een zijaanzicht van een uitvoeringsvoorbeeld van de detector volgens de uitvinding. Figuur 2 stelt een perpectief aanzicht voor van de detector volgens figuur 1. Figuren 3 t. e. m. 9 stellen een voordelige werkwijze voor voor het vervaardigen van een detector volgens de uitvinding. Figuur 10 stelt op schematische wijze een uitvoering- voorbeeld voor dat gerealiseerd is door het gebruik van de werkwijze LIGA. De stralingagevoelige detector zoals voorgesteld in figuren l en 2 omvat een drager 1, dat bijvoorbeeld uitgevoerd is onder de vorm van een rechthoekig kader waarbinnen een thermisch gelsoleerd membraan 2 is voorzien, waaraan een stralingsabsorberende laag 3 gekoppeld is. Het membraan 2 draagt een metallische arm 4, die zich overhangend uitstrekt. Het vaste uiteinde van de arm 4 is met een elektrisch contact 5 verbonden. Tan minste een gedeelte van de arm draagt een metaallaag 6 die samengesteld is uit een metaal dat verschillend is van dat van de arm 4 om een bimetaal arm te vormen. <Desc/Clms Page number 3> De drager l draagt ook een netaalarm 7 die zieh overhanged uitstrekt nagenoeg evenwijdig met de arm 4. Het vast uiteinde van de arm 7 is verbonden met een elektrisch contact 8. In het in figuur l voorgestelde voorbeeld draagt ten minste een gedeelte van de arm 7 aan metaal laag 9 die uit een metaal is samengesteld dat verschillend is van dat van de arm 7 om aldus eveneens een bimetaal arm te vormen. Nochtans zou de referentiearm ook gewoon metallisch kunnen zijn, zoals man verder zal zien. Maar indien beide armen 4 en 7 uit bimetaal zijn, dienen zij identisch te zijn. De arm 4 dient als gevoelige arm terwijl da arm 7 als referentiearm dient. Wanneer infrarode stralingen de absorptielaag 3 bereiken, vormt deze de stralingsenergie om in warmte en de gevoelige arm 4 ondergaat een vervorming onder invloed van het bimetaaleffect. Enkel de arm 4 ondergaat da invloed van de warmte die door de invallende stralingen is voortgebracht terwijl de referentiearm 7 onbeweeglijk blijft. Onder invloed van de stralingen nadert het vrije uiteinde van de gevoelige arm 4 het vrije uiteinde van de referentiearm 7 zodanig dat de elektrische capaciteit tussen deze beide vrije uiteinden verandert in functie van de geabsorbeerde energie. Aldus is de maat van capaciteitvariatie maatgevend voor da intensiteit van de invallende stralingen. Voor zover dat beide armen uit bimetaal en identisch zijn, induceert iedere temperatuurverandering te wijten aan de omgeving daarentegen een beweging die identisch is voor beide armen en brengt bijgevolg geen capaciteitsverandering mee. Om een grote detectiegevoeligheid te verzekeren moeten beide metalen die voor ieder bimetaalarm zijn gebruikt, <Desc/Clms Page number 4> een zo verschillend mogelijke thermische uitzettingscoëfficiënt bezitten, een zo nabij mogelijk modulus van Young en de armen moeten zo lang en dun mogelijk zijn. Proeven hebben aangetoond dat een bimetaal met een lengte van 1 mm en een breedte van een tiental microns een beweging van 1 gm/K aan zijn vrij uiteinde kan teweegbrengen. De detectie van de beweging van de gevoelige arm door de meting van de capaciteitsverandering heeft het voordeel dat deze meting geen elektronische ruis produceert die de performanties van de detector zou kunnen aantasten. Het is wel te verstaan dat de detectie van de beweging van de gevoelige arm op andere manieren kan worden uitgevoerd, bijvoorbeeld : door het variëren van een tunnel stroom tussen een punt bevestigd aan het uiteinde van de gevoelige arm en een vaste electrode, door piëzo-elektrisch of resistief effect van een element neergelegd op het uiteinde van de gevoelige arm. De detector volgens de uitvinding leent zich uitstekend tot het vervaardigen door oppervlakte micromachiningtechnologieën of van de werkwijze LIGA die de lithografie-en electrolytische bekledingstechnieken combineert. Een voorbeeld van een dergelijke werkwijze voor het vervaardigen van de detector volgens de uitvinding is voorgesteld door figuren 3 t/m 9. Op een siliciumsubstraat 11 wordt een laag 12, bijvoorbeeld SiN, neergelegd die als thermisch isolerend membraan moet dienen (figuur 3). Na neerslag van deze laag worden er gaten 20 geëtst, om een goede thermische isolatie toe te laten na de selectieve etsing van het <Desc/Clms Page number 5> substraat die later zal worden uitgevoerd. Op do laag 12 wordt vervolgens een zogenaamde sacrificial laag 13 neergelegd,bijvoorbeeldsiliciumoxydesio2 (fig.4). Dan wordt een metaallaag 14 neergelegd die moet horen tot de gevoelige arm (fig. 5). Op de metaallaag 14 wordt vervolgens de tweede metaallaag 15 neergelegd om het eerste bimetaal te vormen, an zijn elektrisch contact, an vervolgens wordt een twee4- sacrificial laag 16 noergalagd (f ig. 6). Daarna wordt do metaallaag 17 neergelegd die tot de referentiearm oet horen, en vervolgens de tweede metaallaag 18 om hat referentiebi- metaal te vormen en daarna zijn elektrisch contact (fig. 7). De sacrificial lagen worden vervolgens geest (fig. 8), waarna het substraat 11 selectief t ge. tat wordt vanaf zijn uitwendig oppervlak tot het membraan 12, en vervolgens wordt op het achteroppervlak een absorptielaag 19 neergelegd (fig. 9). Een elektronische terugkoppelingsschakeling kan op voordelige wijze op het substraat 11 worden voorzien v66r het vormingaprocea om de capaciteit tussen de vrija uiteinden van de armen 4 en 7 constant te houden. Een elektrisch veld wordt tussen genoemde uiteinden van beide armen aangelegd en de terugkoppelingschakeling (met 10 voorgesteld in fig. 2) wijzigt het elektrisch veld in functie van de straling om de capaciteit constant te houden. De meting van de variatie van het aangelegd elektrisch veld is aldus maatgevend voor de intensiteit van de invallende stralingen. Om de detectiegevoeligheid te versterken, zouden de elektroden die de capaciteit vormen, kunnen worden gerealiseerd als "geïnterdigiteerde" vingers. Het lichaam van de elektroden draagt uitspringende delen die zieh tussen elkaar afwisselend uitstrekken. <Desc/Clms Page number 6> De detector volgens de uitvinding kan worden gereali- seerd in verschillende uitvoeringsvorman, Zoals eerder reeds vermeld, kan enkel de gevoelige arm uit bimetaal zijn samengesteld, terwijl het referentie element gewoon metallisch is. Het referentie element kan dan onbeweeglijk zijn an aan de drager worden bevestigd waar- aan ook het vast uiteinde van de gevoelige arm bevestigd iso Fig. 10 stelt een perspectief aanzicht voor van en stralingsgevoelige detector qereali... rd door de LIGA technologie. De blokken 21 en 22 zijn aan een drager bevestigd door do basis 23. De metallische armen 24 en 25 met blokken 21, respectievelijk 22 verbonden, zijn bedekt met een laag 26, resp. 27 die uit een van de armen verschillend metaal is samengesteld. Het vrije uiteinde van de arm 24 draagt een blok 28 bedekt met een laag 29 die is samengesteld uit een straling- sorberende stof. Wanneer stralingen het blok 29 bestraalt, buigt de arm 24 meer dan de arm 25. De vrije uiteinden van de armen 24 an 25 vormen een oapaciteit. De vervorming van de armen onder invloed van stralingen geeft aanleiding tot een capaciteitsverandering tussen de vrije uiteinden van de armen. Deze variatie van do elektrische capaciteit kan worden gemeten door 66n of ander der veelvuldige van de vakman gekende meetachake- lingen voor de capaciteitsmeting. Zo de bimetallische eigenschappen tot gevolg hebben dat de armen zich vervormen door van alkaar uiteen te gaan in functie van de invallende stralingen kan een terugkoppelingsschakeling worden gebruikt om de capaciteit tussen de vrije uiteinden van de armen constant te houden. Door een elektrisch potentiaal tussen de armen aan te leggen, zijn deze onderling aangetrokken en de capaciteitsverandering te wijten aan invallende stra- <Desc/Clms Page number 7> lingen is uitgebalanceerd. Indien de armen nagenoeg onbeweeglijk gehouden kunnen worden, kan da terugkoppelingspanning worden gebruikt als meetsignaal dat maatgevend is voor het niveau van de invallende stralingen. In hat geval dat het elektrisch potentiaal Mn uitwij- king van de armen veroorzaakt in functie van de invallende stralingen, kan een verdere metaalplaat worden toegevoegd op hat tegenoverliggend oppervlak van da arm 24 om een elektrostatische aantrekking in tegenover- gestelde zin toe te laten an ertoe strekken de armen onbeweeglijk te houden. Het zal duidelijk zijn dat de uitvinding niet beperkt is tot da hiervoor beschreven uitvoeringsvorm en dat modificatias eraan nogelijk zijn zonder buiten het kader van de uitvinding te treden.
Claims (12)
- CONCLUS8 1. Stralingsgevoelige detector bestaande uit : een houder (1) met een stralingsabsorberend membraan (3) bevestigd eraan, een metalen referentie element (7) welk aan de houder (l) bevestigd is, een gevoelige arm (4) welke over ten minste een deel van zijn lengte uit bimetaal bestaat, waarbij een einde ervan met het stralingsabsorberende membraan (3) verbonden is en waarbij het vrije uiteinde ervan tegenover genoemd referentie element gelegen is, zodanig dat wanneer het stralingsabsorberende membraan (3) door straling ia bestraald, genoemde gevoelige ars (4) opgewarmd wordt en beweegt tgv.het bimetaal ef- feet, waarbij de elektrische capaciteit tu ten de vrije uiteinde van de gevoelige arm (4) en het referentie element (7) gewijzigd wordt met de bestralinqsintensi- teit.
- 2. Stralingsgevoelige detector volgens concluise 1, met het kenmerk dat het referentie element (9) door hat uiteinde van een arm (7) is gevormd, welke arm zieh praktisch parallel met genoemde gevoslige arm (3) uitstrekt.
- 3. Stralingsgevoelige detector volgens conclusie 2, met het kenmerk dat de referentie arm (7) ten minste deels uit bimetaal bestaat gelijk aan het bimetaal gebruikt voor de gevoelige arm (4).
- 4. Stralingsgevoelige detector volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk dat het stralingsabsorberende membraan (3) uit een laag bestaat, welke op een thermisch isolderend membraan (2) neergezet wordt. <Desc/Clms Page number 9>
- 5. Stralingsgevoelige detector volgens een der conclusies 2 t/m 4, met het kenmerk dat de gevoelige arm (24) aan het vrije einde ervan een uitspringend element (28) draagt, welk met een stralingsabsorberende laag (29) bedekt wordt.
- 6. Stralingsgevoelige detector volgens een der conclusies 2 t/m 4, met het kenmerk dat de gevoelige arm (4) een langwerpig element draagt, welk zich op een kleine afstand langs een tweede langwerpig element uitstrekt, dat aan het vrije einde van genoemde referentie arm (7) wordt gedragen.
- 7. Stralingsgevoelige detector volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk dat de gevoelige arm (3) en het referentie element (9) met elektrische contacten (4,8) verbonden zijn.
- 8. Stralingsgevoelige detector volgens conclusie 7, met het kenmerk dat een elektronische terugkoppelingscircuit tussen beide elektrische contacten verbonden is, zodanig dat de elektrische capaciteit tussen de gevoelige arm en het referentie element constant gehouden kan worden.
- 9. Stralingsgevoelige detector volgens een der voorgaande conclusies, met het kenmerk dat hij uit een halfgeleider substraat wordt gemaakt.
- 10. Werkwijze voor het vervaardigen van een straling- gevoelige detector volgens een der voorgaande conclusies, gekenmerkt door de volgende stappen : (a) kiezen van een halfgeleider substraat, (b) depositie van een thermisch isolerende laag, (c) depositie van een sacrificial laag, <Desc/Clms Page number 10> (d) metaal-depositie van de eerste metaallaag behorende tot de gevoelige arm, (e) depositie van de tweede metaallaag behorende tot de gevoelige arm en van het eerste elektrische contact, (f) depositie van een tweede sacrificial laag, (g) depositie van de eerste metaallaag behorende tot de referentie arm, (h) depositie van de tweede metalen laag behorende tot de referentie arm en van het tweede elektrische oontact, (i)selectief graveren van het halfgeleider substraat tot aan genoemde thermisch isolerende laag, (j) graveren (etching) van de sacrificial laag, (k) depositie van een stralingsabsorberende laag op de thermisch isolerende laag.
- 11. Gebruik van een stralinq8gevoelige detector volgens een der conclusies 1 t/m 9, daardoor gekenmerkt dat een elektrisch veld tussen de gevoelige arm en het referen- tie element wordt aangelegd en geregeld zodanig dat de elektrische capaciteit ertussen constant blijft terwijl het stralingsabsorberende membraan door een straling is bestraald.
- 12. Infraroodgevoelige detector volgens een der conclusies 1 t/m 9.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BE9401046A BE1008927A3 (nl) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | Stralingsgevoelige detector. |
EP95870123A EP0716293A1 (en) | 1994-11-18 | 1995-11-16 | Radiation-sensitive detector |
US08/560,027 US5623147A (en) | 1994-11-18 | 1995-11-17 | Radiation-sensitive detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
BE9401046A BE1008927A3 (nl) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | Stralingsgevoelige detector. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BE1008927A3 true BE1008927A3 (nl) | 1996-10-01 |
Family
ID=3888485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BE9401046A BE1008927A3 (nl) | 1994-11-18 | 1994-11-18 | Stralingsgevoelige detector. |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5623147A (nl) |
EP (1) | EP0716293A1 (nl) |
BE (1) | BE1008927A3 (nl) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5844238A (en) * | 1996-03-27 | 1998-12-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Infrared imager using room temperature capacitance sensor |
US5811807A (en) * | 1996-07-19 | 1998-09-22 | Ail Systems, Inc. | Uncooled background limited detector and method |
DE19718732C2 (de) * | 1997-05-02 | 2000-05-11 | Horst Bleckmann | Detektor für Infrarotstrahlung |
ATE251302T1 (de) * | 1997-07-21 | 2003-10-15 | Euratom | Lichtintensität-sensorelement und verfahren zur lichtstrahlen-modulation und vorrichtung die ein solches sensorelement verwendet |
WO2000040938A1 (en) * | 1999-01-08 | 2000-07-13 | Sarnoff Corporation | Optical detectors using nulling for high linearity and large dynamic range |
US6469301B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-10-22 | Nikon Corporation | Radiation detectors including thermal-type displaceable element with increased responsiveness |
WO2001009579A1 (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Xactix, Inc. | Thermal isolation using vertical structures |
JP2001267592A (ja) | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 半導体装置の製造方法、背面入射型受光装置の製造方法、半導体装置、及び背面入射型受光装置 |
US6828557B2 (en) * | 2000-06-08 | 2004-12-07 | Nikon Corporation | Radiation-detection devices |
JP4945861B2 (ja) * | 2000-09-05 | 2012-06-06 | 株式会社ニコン | 熱型変位素子及びこれを用いた放射検出装置 |
US6737648B2 (en) | 2000-11-22 | 2004-05-18 | Carnegie Mellon University | Micromachined infrared sensitive pixel and infrared imager including same |
US7977635B2 (en) * | 2008-08-08 | 2011-07-12 | Oliver Edwards | Radiant energy imager using null switching |
DE102015216463A1 (de) | 2015-08-28 | 2017-03-02 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer Sensor zur Erfassung von elektromagnetischer Strahlung |
DE102015216464A1 (de) | 2015-08-28 | 2017-03-02 | Robert Bosch Gmbh | Thermischer Sensor zur Erfassung von elektromagnetischer Strahlung |
DE102016214296A1 (de) | 2016-08-03 | 2018-02-08 | Robert Bosch Gmbh | Pyroelektrischer Sensor zur Erfassung von elektromagnetischer Strahlung |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1125974A (fr) * | 1955-05-06 | 1956-11-12 | Détecteur de rayons infra-rouges à <bilame> compensé | |
US4695715A (en) * | 1985-12-12 | 1987-09-22 | Northrop Corporation | Infrared imaging array employing metal tabs as connecting means |
US4894544A (en) * | 1987-07-10 | 1990-01-16 | U.S. Philips Corp. | Arrays of infrared detector elements |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3415712A (en) * | 1963-10-31 | 1968-12-10 | Gen Electric | Bimaterial thermosensitive element |
US5265470A (en) * | 1987-11-09 | 1993-11-30 | California Institute Of Technology | Tunnel effect measuring systems and particle detectors |
-
1994
- 1994-11-18 BE BE9401046A patent/BE1008927A3/nl not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-11-16 EP EP95870123A patent/EP0716293A1/en not_active Ceased
- 1995-11-17 US US08/560,027 patent/US5623147A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1125974A (fr) * | 1955-05-06 | 1956-11-12 | Détecteur de rayons infra-rouges à <bilame> compensé | |
US4695715A (en) * | 1985-12-12 | 1987-09-22 | Northrop Corporation | Infrared imaging array employing metal tabs as connecting means |
US4894544A (en) * | 1987-07-10 | 1990-01-16 | U.S. Philips Corp. | Arrays of infrared detector elements |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
ANONYMOUS: "LES MICRORELAIS ELECTROSTATIQUES SUR SILICIUM: UN PAS DE PLUS VERS L'INTEGRATION", MESURES REGULATION AUTOMATISME, vol. 45, no. 4, PARIS FR, pages 29 - 33 * |
MECHANICAL ENGINEERING (INC CIME)., vol. 94, no. 9, NEW YORK US, pages 42 - 43 * |
W. LANG E.A.: "A THIN FILM BOLOMETER USING POROUS SILICON TECHNOLOGY", SENSORS AND ACTUATORS A, vol. 43, no. 1/3, LAUSANNE CH, pages 185 - 187, XP000454108 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0716293A1 (en) | 1996-06-12 |
US5623147A (en) | 1997-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
BE1008927A3 (nl) | Stralingsgevoelige detector. | |
JP4130736B2 (ja) | 熱アクチュエータを備えたマイクロデバイス | |
US20060158484A1 (en) | Thermal actuator for a MEMS device | |
AU6711000A (en) | Micro-bridge structure | |
US6805839B2 (en) | Response microcantilever thermal detector | |
Xie et al. | A low power cantilever-based metal oxide semiconductor gas sensor | |
Chung et al. | Thermal and gas-sensing properties of planar-type micro gas sensor | |
Wasisto et al. | Vertical silicon nanowire array‐patterned microcantilever resonators for enhanced detection of cigarette smoke aerosols | |
JP4041063B2 (ja) | ナノワイヤフィラメント | |
Mathew et al. | Optimization of a nano-cantilever biosensor for reduced self-heating effects and improved performance metrics | |
Huxtable et al. | Thermal contact conductance of adhered microcantilevers | |
Hildenbrand et al. | Fast transient temperature operating micromachined emitter for mid-infrared optical gas sensing systems: design, fabrication, characterization and optimization | |
Admassu et al. | Estimation of the mechanical stiffness constant of MEMS-based parallel-plate micro-actuators | |
Bagga et al. | Fabrication of coplanar microheater platform for LPG sensing applications | |
US7541585B2 (en) | Radiant-energy-measuring device with two positions | |
Afsharipour et al. | Study of the shielding effect of a vertical moving shutter micromachined field mill for measuring dc electric field | |
US7842923B2 (en) | Thermal actuator for an infrared sensor | |
US8207500B2 (en) | Micromechanical sensor having a variable capacitor and method for detecting electromagnetic radiation using same | |
Lee et al. | A characterization of the thermal parameters of thermally driven polysilicon microbridge actuators using electrical impedance analysis | |
US8128282B2 (en) | Microsystem component with a device deformable under the effect of temperature changes | |
US20210380400A1 (en) | Micro-Electromechanical Systems Including Printed Circuit Boards and Pre-Fabricated Polymer Films | |
RU2812235C1 (ru) | Болометрический приемник с полимерным теплоизолятором | |
EP4332053A1 (en) | Arrangement of carbon nanotubes and a method for manufacturing the arrangement | |
Kovalgin et al. | Low-power, antifuse-based silicon chemical sensor on a suspended membrane | |
Aslam et al. | Fabrication of thin film microheater for gas sensors on polyimide membrane |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RE | Patent lapsed |
Owner name: INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM V.Z.W Effective date: 19961130 |