ATE298929T1 - Herstellungsverfahren für eine diode zur integration mit einem halbleiterbauelement und herstellungsverfahren für ein transistor- bauelement mit einer integrierten diode - Google Patents

Herstellungsverfahren für eine diode zur integration mit einem halbleiterbauelement und herstellungsverfahren für ein transistor- bauelement mit einer integrierten diode

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ATE298929T1
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diode
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integration
semiconductor device
layer
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AT99402846T
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Jean-Michel Reynes
Ivana Deram
Evgueniy Stefanov
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Freescale Semiconductor Inc
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