ATE24632T1 - Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen und auf diese weise hergestellte halbleiterbauelemente. - Google Patents

Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen und auf diese weise hergestellte halbleiterbauelemente.

Info

Publication number
ATE24632T1
ATE24632T1 AT83900009T AT83900009T ATE24632T1 AT E24632 T1 ATE24632 T1 AT E24632T1 AT 83900009 T AT83900009 T AT 83900009T AT 83900009 T AT83900009 T AT 83900009T AT E24632 T1 ATE24632 T1 AT E24632T1
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
semiconductor devices
way
manufactured
manufacturing
manufacturing semiconductor
Prior art date
Application number
AT83900009T
Other languages
English (en)
Inventor
Louis Frisson
Robert Janssens
Mia Honore
Robert Pierre Mertens
Overstraeten Roger Van
Original Assignee
Belge Etat
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from LU83831A external-priority patent/LU83831A1/fr
Application filed by Belge Etat filed Critical Belge Etat
Application granted granted Critical
Publication of ATE24632T1 publication Critical patent/ATE24632T1/de

Links

AT83900009T 1981-12-10 1982-12-09 Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen und auf diese weise hergestellte halbleiterbauelemente. ATE24632T1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LU83831A LU83831A1 (fr) 1981-12-10 1981-12-10 Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs et dispositifs semi-conducteurs ainsi obtenus
EP83900009A EP0108065B1 (de) 1981-12-10 1982-12-09 Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen und auf diese weise hergestellte halbleiterbauelemente
PCT/BE1982/000024 WO1983002200A1 (en) 1981-12-10 1982-12-09 Method for manufacturing semi-conducting devices and semi-conducting devices thus obtained

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ATE24632T1 true ATE24632T1 (de) 1987-01-15

Family

ID=26090991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT83900009T ATE24632T1 (de) 1981-12-10 1982-12-09 Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen und auf diese weise hergestellte halbleiterbauelemente.

Country Status (1)

Country Link
AT (1) ATE24632T1 (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3689735D1 (de) Verfahren und Gerät zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen.
DE3381215D1 (de) Integrierte halbleiterschaltungen und verfahren zur herstellung.
DE3888885D1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung.
DE3482943D1 (de) Katheter und verfahren zur herstellung.
DE3650323D1 (de) VLSI-Chip und Verfahren zur Herstellung.
DE3685124D1 (de) Integriertes halbleiterschaltungsbauelement und verfahren zu seiner herstellung.
ATE49952T1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von glasplatten.
DE3587830D1 (de) Apparat zur Herstellung von Halbleiteranordnungen.
DE3686976D1 (de) Bipolares halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung.
DE68924132D1 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zur dessen Herstellung.
DE3763116D1 (de) Photographisches element und verfahren.
DE3586666D1 (de) Karte mit ic-baustein und verfahren zur herstellung derselben.
DE3679087D1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu seiner herstellung.
DE3580206D1 (de) Bipolarer transistor und verfahren zu seiner herstellung.
DE3853220D1 (de) Verfahren und Gerät zur Herstellung von Produkten.
DE3587780D1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung.
DE3784162D1 (de) Funktioneller film und verfahren zur herstellung.
DE3668254D1 (de) Chip-widerstand und verfahren zur herstellung.
DE3751206D1 (de) Dünnschicht-Elektrolumineszentenvorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben.
DE3581417D1 (de) Lateraler bipolarer transistor und verfahren zu seiner herstellung.
DE3682959D1 (de) Bipolarer transistor mit heterouebergang und verfahren zu seiner herstellung.
DE3581999D1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von gepressten formkoerpern.
DE3578270D1 (de) Feldeffekt-transistor-anordnung und verfahren zu deren herstellung.
DE3887480D1 (de) Chipkondensator und Verfahren zur Herstellung.
DE68914927D1 (de) Halbleiteranordnung vom mit Plastik umhüllten Typ und Verfahren zur Herstellung derselben.

Legal Events

Date Code Title Description
RER Ceased as to paragraph 5 lit. 3 law introducing patent treaties