AT515147A1 - Method and device for treating objects with a liquid - Google Patents

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AT515147A1
AT515147A1 ATA946/2013A AT9462013A AT515147A1 AT 515147 A1 AT515147 A1 AT 515147A1 AT 9462013 A AT9462013 A AT 9462013A AT 515147 A1 AT515147 A1 AT 515147A1
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Jörg Ing Hofer-Moser
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Abstract

Beim Behandeln eines Halbleiter-Wafers (8) wird ein BehandlungsMedium, insbesondere eine Ätz- oder Reinigungflüssigkeit aus einer Düse (11) auf den Halbleiter-Wafer (8) aufgebracht. Dabei wird die Temperatur, die Konzentration und/oder die in der Zeiteinheit aufgebrachte Menge an Medium in Abhängigkeit von dem Ort (7), in dem das Medium auf den Halbleiter-Wafer (8) aufgebracht wird, geregelt. So wird ein gleichmäßiges Behandeln des Halbleiter-Wafers (8) erreicht, da Ungleichmäßigkeiten im Halbleiter-Wafer (8) ausgeglichen werden können.When treating a semiconductor wafer (8), a treatment medium, in particular an etching or cleaning liquid from a nozzle (11) is applied to the semiconductor wafer (8). In this case, the temperature, the concentration and / or the amount of medium applied in the time unit are regulated as a function of the location (7) in which the medium is applied to the semiconductor wafer (8). Thus, uniform treatment of the semiconductor wafer (8) is achieved since nonuniformities in the semiconductor wafer (8) can be compensated.

Description

Di« Erfindung betrifft ein verfahren run Behandeln von Gegenständen mit einer Flüssigkeit, und. weiters eine Vorrichtung, mit welcher das erfindangsgemäBe Verfahren durchgeführt werden kann.The invention relates to a method of treating objects with a liquid, and. Furthermore, a device with which the method according to the invention can be carried out.

Beim Behandeln von Gegenständen mit einer Flüssigkeit stellt eich das problem., dass die Temperatur, die honsentratioη und/oder die Menge an Flüssigkeit, die auf die ru behandelnde Fläche des Gegenstandes aufgebracht wird, je nach den jeweils herrschenden Gegebenheiten geändert werden nines. Dabei kenn es erforderlich sein, die Temperatur, die Kontentration nnd/oder die Menge an Flüssigkeit während dos BehändeIns der Flache des Gegenstandes ru ändern, um diese entsprechend ton Unterschreden in der Beruhter und/oder dem Aufbau des Gegenstandes ru ändern..When treating objects with a liquid, there is a problem that the temperature, honsentration, and / or the amount of liquid applied to the surface of the article to be treated are changed depending on the prevailing circumstances. In doing so, it may be necessary to change the temperature, the concentration and / or the amount of liquid during dosages of the surface of the object, in order to change them accordingly to the tone of the bowl and / or the structure of the object.

Dieses Problem, stellt sich herspielsweise beim Ätzen von Halbleiter-Wafern and beim Reinigen non geatzten Halbleiter-GaferemThis problem arises, for example, in the etching of semiconductor wafers and in the cleaning of non-etched semiconductor gafters

Das Bitzen von Halbleiter-Gafein mir Äczmeäien (Jitsfiüssi'gkoiten) erfolgt in der Regel dadurch, dass ein Ätzmediam auf den auf einer Hälterung ungeordneten und durch die Halterung ln Drehung versetzten Halbleiter-dafer aufgebracht wird.The biting of semiconductor gafes to mezzanines (Jitsfiüssi'gkoiten) is usually carried out by applying an etching medium to the semiconductor dafer, which is disordered on a support and rotated by the support.

Die derzeit verwendeten Einrichtungen zum. Ätzen von Halbleiter-Wafern sind hinsichtlich der Regelung der Temperatur der htzfiüssigkeit zu träge, um die Temperatur während des Prozesses schnell so ändern oder schnell auszutsgein.The currently used facilities for. Etching semiconductor wafers are too slow to control the temperature of the liquid to quickly change or quickly degrade the temperature during the process.

Durch die im Stand der Technik verwendeten, trägen (Abs-) Vorrichtungen ist es ausschließlich 'möglich., die Temperatur der Ätsflüssigkeit stabil zu halten,. Ein aktiver Einfluss auf die Gleichmäßigkeit der Temperatur ist im Stand der Technik nicht möglich. Dadurch ergibt sich keine gleichmäßige Temperatcrverteilung am Haibleitor-dafer, was die Gleichmäßigkeit des Ergebnisses des Ätzens verschlechtert.It is exclusively possible to keep the temperature of the fluid steady by means of inert devices used in the prior art. An active influence on the uniformity of the temperature is not possible in the prior art. As a result, there is no uniform distribution of temperature on the half-board dafer, which deteriorates the uniformity of the result of the etching.

Des Walteren ergibt sieh das Problem, dass im derzeitigen Stand der Technik: am Beginn des dtsrorganger (Einschaltvorgang; auf die tu behandelnde Fläche. des Gegenstandes {Ha.Ibleiter~Wa.fer} auf gebracht ee Atzmediun kälter ist als dies für erneu, ordnungsgemäßen. Bearbeitungsrorgang erforderlich ist.Walter's problem is that in the current state of the art: at the beginning of the process (switch-on, on the surface to be treated) of the article {Ha.Ibleiter ~ Wa.fer} is brought to a colder than that for renewed, proper Machining aisle is required.

Erst mach einiger reit sind alle mediuxrführendeu Teile im thermischen Gleichgemicht,First, do some riding, all mediator parts are in thermal equilibrium,

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine sum Ausfuhren des Verfahrens geeignete Vorrichtung voraus ein lagen, mit der mehrend des Behände Ins des Gegenstandes (s, B, Wafer.) die Temperatur und/oder die Kon a ent ration und/oder die Menge der Flüssigkeit beliebig geändert werden kann, um Unterschiede in der Struktur des zu behandelnden Gegenstandes, insbesondere Glsichmäßigkeitsunterschiede, in der Oberfläche e ine s. Ha 1 bleit e r:-Wafer:s, a u s::u.g.Ieichen,The invention is based on the object, a method and a sum exports of the method suitable device ahead a lay, with the mehrend of the hands ins of the object (s, B, Wafer.) The temperature and / or Kon a ration and / or the amount of liquid can be arbitrarily changed to reflect differences in the structure of the object to be treated, in particular differences in brightness, in the surface e ine s. Ha 1 bleit e r: -Wafer: s, a u s :: u.g.Ieichen,

Gelöst, nxrd dense Aufgabe erfindungsgemäß: mit einem Verfahren, das die Merkmale von Anspruch 1 aufweist, .Soweit die Vorrichtung betroffen ist, wird die der Erfindung ougrundeliegende Aufgabe mit einet Vorrichtung gelöst, weiche die Merkmale des unabhängigen, auf die Vorrichtung gerichteten An spru.chs au f w e i s t.Solved, nxrd dense object of the invention: with a method having the features of claim 1., As far as the device is concerned, the underlying object of the invention is achieved with a device, the features of the independent, directed to the device An spru. chs au fweis t.

Bevorzugte und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche ,Preferred and advantageous embodiments of the invention are subject of the dependent claims,

Durch das erfindungsgem.aSe Verfahren wird in seinen Ausfilhrungstormcn erreicht, dass die .Gleichmäßigkeit des Ergebnisses der Behandlung dos Gogeustand.es, insbesondere die Gleichmäßigkeit Uber die Oberfläche des Haibleirer-däfers verbessert wird, weil es möglich ist, die Temperatur und./oder die KonzepträtIon und/öder die Menge des auf den Gegenstand aufgebrachtem Eehandlungsmedinm anzupassen, Sb ergibt sieb eine Verringerung von Ausschuss, da eine Steigerung der Qualität erreicht wird.By the method according to the invention, it is achieved in its Ausfilhrungstormcn that the .Gleichmäßigkeit the result of the treatment dos Gogeustand.es, in particular the uniformity over the surface of the Haableirer-beetle is improved because it is possible, the temperature and ./oder Conception and / or adjust the amount of treatment agent applied to the article, Sb results in a reduction of rejects since an increase in quality is achieved.

Des Weiteren erlaubt es die Erfindung in vorteilhafter Weite kleinere Strukturen tu behandeln.Furthermore, the invention allows for advantageously treating smaller structures.

Des Weiterer entfallt bei dem ertindungsgemaSen Verfahren ein ständiges Äufbeiten der Flüssigkeit auf die benötiate Texrperatur, st dass Energie eixxgsspart werden kann»Furthermore, the process according to the invention eliminates a constant working-up of the liquid to the required temperature, so that energy can be released eixxgsspart »

In einer Ausführungsform der Erfindung wird durch induktives dufteiten des Medium (Flüssigkeit;, das zur Behandlung des Gegenstandes verwendet wird, die Möglichkeit eröffnet, kleine Hei eslenente tu verwenden, so dass tu temperierende Massen verringert werden. Durch Indufctionsheitung wird ein Änfheiten lediglich an der Haterialcberfläche erreicht, so dass Wärme durch Konvektion übertragen werden .kann, Dies: ergibt ein rasches Reagieren, auf beim. Aus fuhren des Verfahrens erforderliche Änderungen der Temperatur des Medium..In one embodiment of the invention, inductive fragrance of the medium (liquid used to treat the article opens up the possibility of using small heating elements, so that temperature-controlling masses are reduced, by means of which a change occurs only at the surface of the material Thus, heat can be transferred by convection. This results in a rapid response to changes in the temperature of the medium required by the process.

Da das tum. Behandeln eingesetzte Medium (Flüssigkeit; allenfalls gekühlt werden muss. Kann ein Klinler verwendet werden, der beispielsweise mit Peltier-Elementen arbeitet. Diese Peltier-Elemente können sowohl hei.tend als auch kühlend eingesetzt werden, sodass die Dynamik' der ertinäungsgemäßen Verfahrensweise und Vorrichtung verbessert ist.Since the tum. Treated medium (liquid, if necessary, must be cooled) Can be used with a clincher working with Peltier elements for example These Peltier elements can be used both hot and cooling, thus improving the dynamics of the process and device is.

Des Weiteren erlaubt es die Erfindung in Äasführungsformen durch einen Durchflussregier, die Menge an in der ßsiteinbeit der mufforingeeinriehtung, insbesondere deren Düse, tagetehrte Menge an Medium (Flüssigkeit; tu regeln, also den Durchfluss des Medium: tu ändern. Dies ergibt die Möglichkeit, bei kleinem: Durchfluss das Medium über einen längeren Seitraum tu erwärmen und bei hohem Durchfluss das Medium über einen kürzeren Sei träum, tu erwärmen. Durch Koppelung' dieser Prinzipien mit der örtlichen Lage der Aufbrlngeeinrichtung, insbesondere deren Düae, relativ tu dexa, tu behände Indexxi Gegenstand ergibt sieh eine vorteilhalx teFurthermore, the invention allows, in the form of a flow regulator, the amount of medium (liquid, tu) which regulates the amount of medium (liquid; tu) present in the plastic material, in particular the nozzle Small: Flow heat the medium over a longer side space and heat the medium over a shorter period of time at a high flow rate by coupling these principles with the local location of the applicator, in particular its nozzle, relative to the indexxi object gives you a vorteilhalx te

Arbeitsweise beirr: Behandeln von Gegenständen mit einen Medium seiner Flüssigkeit;) , insbesondere beim Äbten und/oder Reinigen von :Häibleiter"-'ua:fern. srt di nt einen eriasgbt die Erfindung in Äusfbh run es formen eine Tempereturmanipuiat ton von auf die Fläche des Gegens tandes auf getragenem Medium ; Flüssigkeit), wobei das Medium erwärmt oder gekühlt werden kann.Operation birr: Treatment of objects with a medium of its liquid;), in particular when abbessing and / or cleaning: Häibleiter "- 'et al. Thus, in the invention, the invention forms a temperament manipulation of medium carried on the surface of the object; Liquid), wherein the medium can be heated or cooled.

Durch Regeln dem Durchflussmenge des auf die tu behandelnden Fracne auf getragenen Medium {Flüssigkeit) f insbesondere bei. naioseitar-Brnsniagen, ergibt sieb eine zusätzlich mögliche Manipulation,, um aio V'erfahrensbedingungen an die ;3.e.ge.b:enhe.i.t..eh anzupassen.By regulating the flow rate of the fluid (f) carried on the fluid to be treated, especially at. naioseitar-Brnsniagen, gives an additional possible manipulation, in order to adapt aio V'erfahrbedingungen to the; 3.e.ge.b: enhe.i.t..eh.

Bevorzugt erfolgt im Rahmen der Erfindung das Bufwärmen des für die Behandlung eingesetzten Medium (Flüssigkeit) durch konvektive Wärmeübertragung einer durch Induktion b.rvdärrntan, oevorzagt cbegiisch inerten.,. Oberfläche,- die vor; dem Medium (Flüssigkeit .für die Ban and lung) dm strömt wird. Insbesondere ist dabei die Verwendung einer Einrichtung sum Erwärmen in Form eines Durch.laufe.rhitsets .bevorzugt,· da die Übertragung· Überwiegend durch .Konvektion anstatt durch Marmel ei tung oder Wärmestrahlung erfolgt. So ergibt sich eine besonders effektive Wärmeübertragung, die ein schnelles Erwärmen des· Medium {der Flüssigkeit), die für die Behandlung· eingesetzt wird, erlaubt.Preferably, in the context of the invention, the buf heating of the medium used for the treatment (liquid) by convective heat transfer of an induced by induction b.rvdärrntan, ceviisch cited inert.,. Surface, - the front; the medium (liquid. For the Ban and ment) dm is flowing. In particular, the use of a means of heating in the form of a flow sequence is preferred, since the transmission is predominantly by convection instead of jam or heat radiation. This results in a particularly effective heat transfer, which allows rapid heating of the medium of the liquid used for the treatment.

Bei dem erfindungsgemäßeu Verfahren werden Erwärmen, Kühlen und Regeln der Durchflussmenge mit Einrichtungen ausgeführt, die der Leitung zum Befuhren des Behändlungs-Medium zur nur b ru s.g eei n r i an tun g, inseesö-ncere deren böse, zugeördnet sind. weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus aer naetvsiehen bescnreibnng bevorzugter BusführungsfcmiSpiels an Band der Zeichnungen, Es neigt big-1 schematisch eine vorrichtmng zum Durchführen des V a r f a h re ns der E r f i. n da ng, dig. 2 im Schnitt einen Temperatur-Sensor, der rar Erfassen der Temperatur in Bereich der äufbringeernrichfung emqeseczt warnen Kann, heg. 2 dan Temperater-Sensor in auseinandergezoqenerIn the method according to the invention, heating, cooling and regulating the flow rate are carried out by means which are conveyed to the line for guiding the handling medium to the burner only, in the presence of which it is harmful. Further details and features of the invention will become apparent from the detailed description of the preferred embodiment of the present invention. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS, BRIEF DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT OF THE INVENTION n there, dig. 2 on average a temperature sensor, which can scarcely detect the temperature in the area of the outer annealer direction, heg. 2 dan tempera ture sensor in divergent

Darsceilarg, dig·,, i in Schritt, eine andere mustührangsform eines T empe r a t u. r - San s.o r s, tagt r scnemazu.scn an .Schnitt erne Einrichtung tun Erwärrten der Flüssigkeit, Füg, 6 eine Einreiheiΐ der Einrichtung non Erg, 5,Darsceilarg, i "in step, another form of a temp. r - San s.o r s, arrange r scnemazu.scn .Connect erne device do heating of the liquid, joining, 6 one-tieriΐ of the device non erg, 5,

Tig. 1 eine weitere Einzelheit der .Einrichtung non Eigt 5, dig* 8 aie Einrichtung: von Fig, 5 in Scnfagsnsioht, teilweise geschnitten, dig- D in Schnitt eine Einrichtung zun· Kühlern dig. 10 eine Einrichtung zum Hegeln der Durchflussmenge und dig, 11 eine Anordnung rum Manipulieren, der Durchf lussmenge, dig- 12 eine abgeänderte äusführungsform einer Vorrichtung gerneE der Erfindung und dig, 13 Kombinat Ionen non Einrichtungen, der erfinäungsgamäßenTig. 1 shows a further detail of the device 5, dig * 8 the device: of FIG. 5 in front of a scnfnsnsioht, partially cut, dig in section a device for cooling dig. Fig. 10 shows a device for controlling the flow rate and dig, Fig. 11 An arrangement for manipulating, the flow rate, a modified device embodiment of a device according to the invention and dig, 13 combination ion non-devices, the erfinäungsgamäßen

Vorrichtung.Contraption.

Eine in Fig. 1 gezeigte Vorrichtung 1 gemäß der Erfindung, die zum äusführen des Verfahrens der Erfindung geeignet ist, umfasst einen Träger .19: f'-eteck") , auf den ein Baibieiter-Waier ® aufgelegt ist. Der Träger 19 kann auf beliebige Art und Heise ausgeführt und mit einem. Antrieb (nicht gezeigt} gekoppelt sein, der den Träger 19 in Drehung (Pfeil 20) versetzt!A device 1 according to the invention shown in Fig. 1 and suitable for carrying out the method of the invention comprises a carrier 19: f'-eteck "on which a Baibieiter® Waier® is placed. The carrier 19 can be executed in any way and Heise and with a. Drive (not shown) coupled, which puts the carrier 19 in rotation (arrow 20)!

Dem Träger 12 ist eine Einrichtung zum Aufbringen eines Behänd i:cuvg:S'~MeEurumg cm usispiei 'einer Beuandiungsfiüssiqkei.t, zugeordnet, die eine Düse 11 umfasst, die über eine Einrichtung 13 starr rnd.t Aktoren 12 verbunden ist. Die Aktoren· 12 erlauben es, die Düse 11 der Äufbringeeinrichtüng über die Einrichtung 13 relativ zur Fläche des tu behandelnden Gegenstandes, im Äusführungsbei.spiel ein Halbleiter-barer 8, zu bewegen. DieThe carrier 12 is associated with a device for applying a device of a handling fluid, which comprises a nozzle 11, which is connected rigidly to a device 13 by means of a device 13. The actuators 12 allow the nozzle 11 of the applicator device to be moved, via the device 13, relative to the surface of the object to be treated, in the case of a semiconductor bar 8. The

Bewegung smog! icrrkei ten in Richtung X und .Richtung· X sind, in Fig, I durch Pfeile 5 und 6 symbolisiert.Move smog! icrrkei th in the direction X and. Direction · X are symbolized in Fig, I by arrows 5 and 6.

Der Düse 11 wird Behandiungsf inssigkeit; ^ beim dt sen non Haibieiter-bafern ein Atzmehiurn über eine Leitung 17 tugeführe. Der Leitung 1.7 sind ungeordnet eine Einrichtung i zur Durchslussmengenregeiung, eine: Kühleinrichtenq 7 und eine Einrichtung 2 zum Erwärmen der Flüssigkeit,The nozzle 11 becomes treatment fluid; In the case of the non-Haibieiter bafern, an Atzmehiurn is led over a pipe. The line 1.7 is disorderly a device i for Durchslussmengegegeiung, a: Kühlseinrichtq 7 and a device 2 for heating the liquid,

Die aktuelle Lege der Düse 11· und damit der Ort 7 des rluesigreit sauft rages werden durch Inkrementalgeber 1.4, die den Aktoren 12 zugeordnet sind, erfasst. Die Inkrementalgeber li geben Daten betreffend die aktuelle Lage der Auf t.ra.gd:üc.e 11 relativ nur Fläche dee defers 8 an einen Regelkreis 10 ab,The current location of the nozzle 11 · and thus the location 7 of rluesigreit sauft rages are detected by incremental encoder 1.4, which are associated with the actuators 12. The incremental encoders li output data relating to the current position of the t.ra.gd: uc.e 11 relatively only surface dee defers 8 to a control circuit 10,

Der Leitung 17 zum Euführen rgn Benandiunge'-Flüssigkeit ist unrnrcrernar vor aex Düse il ein Temperatur-Sensor 9 zugeordnet, der an den Kegelkreis 10 Daten betreffend die von ihm erfasste Temperatur der Flüssigkeit abgibt. Die an den Regelkreis: IQ vom Temperatur-Sensor 9 abgegebenen Temperaturpararmatsr IS und die von der. Inkrementalgebern 14 abgegebenen Posifciouspara.m.eter 15 werden dom Regelkreis 10 als Regelaigcf ithmus den der Leitung 17 zugeoraneten Exnrrcntungen 4 für die Dnrchflussmengenregelung, der Ernrientung zum Fühlen 3 und der Einrichtung· 2 zum Erwärmer; aufgegeben.The line 17 for feeding rn Benandiunge 'liquid is unrnrcrernar before aex nozzle il associated with a temperature sensor 9, which outputs to the bevel circle 10 data concerning the temperature of the liquid detected by him. The temperature parameters IS sent to the control circuit: IQ by the temperature sensor 9 and those of the. Incremental encoders 14 delivered Posifciouspara.m.eter 15 are dom rule 10 as Regelaigcf ithmus the line 17 zugeoraneten Tonnurungen 4 for the Nchchmengenmengeregelung, the Ernrientung for Feeling 3 and the device · 2 to the heater; given up.

Auf diese Art und bei so ist eine hoch dynamische positionsgskoppelte Temperaturführend und Mengenregelung möglich, die den Dorteil einer thermischen Optimierung aller med 1. umf uhr e nde n T e il e urniu s s t,In this way and in such a way, a highly dynamic position-coupled temperature-carrying and quantity control is possible, which is the Dorteil a thermal optimization of all med. 1 st e u n e T e il urniu s t

Dis in Fig, 1 gefelgte Vorrichtung I zur Temperatur- und/oder Durchfiussmanipuaation von der Düse 11 zugeführter Flüssigkeit arbeitet in Abhängigkeit von der page der Düse 11 der .Änfbringeeinricbtunq relativ rum behandelnden Gegenstand, im Beispiel dem Halbleiter-Wafer 8. So ist eine Verbesserung derThe liquid supplied to the nozzle 11 in FIG. 1 for temperature and / or flow manipulation functions as a function of the side of the nozzle 11 of the thin-shelled article, in the example of the semiconductor wafer 8. Such is an improvement of the

Oberflächenregeimshigkeit 'beirr; Reinigen und bei nssschemischnür und tenperatursbhängigem Ätzen, beispielsweise eon Wafer-Obe r f1ä c hen, er re i cht.Surface roughness' bark; It cleans and, in the case of wet-chemical and temperature-dependent etching, for example on the wafer surface, it rinses.

Besonders vorteilhaft; ist es, wenn im Rahmen der Erfindung als Einrichtung 2 sue Erwärmen eine Einrichtung verwendet wird, die auf Xnduktimersbasis arbeitet und die durch die Einrichtung 2 strömende Flüssigkeit durch Konvektion ervarsit,Especially advantageous; it is when in the context of the invention as means 2 sue heating a device is used, which operates on Xnduktimersbasis and the liquid flowing through the device 2 by convection ervarsit,

Ein Temperatur-Sensor 9, der mit der erfindunasgemahen Vorrichtung sum Ausfuhren des erfinäungsgemähen Verfahrens rum Erfassen der Temperatur der auf den 'Gegenstand aufgebrachten Behandl/unesflüsaigheit beennders gee.igh.et ist,, wird nachstehend an Kana der Fig, 2 und 3 erläuterteA temperature sensor 9 which, with the device according to the invention, is exports of the method according to the invention, detecting the temperature of the treatment applied to the object, is explained below at Kana of FIGS. 2 and 3

Der in den Fig, 2 und 3 gezeigter Temperatur-Sensor 3 erlaubt ein schnelles Erfassen der Temperatur von Medien, wobei die .Meeren, insbesondere cnesiisch hochreaktive Gase, chemische hcchreaktive Flüssigkeiten oder chemisch hochreaktive, fliessende Werkstoffe sein können. Der Temperatur-Sensor 9 ist sc aufgebaut, dass der in seinen Körper 39 eintretende hieoieA.sf vom hPfeii 31) durch einen im Strömung sw eg vorgesehenen Körper 15 in awei Teilströme aufgeteilt wird. Ein Teilström strömt durch einen im Wesentlichen geraden Kanal 33 und ein zweiter Teilstrom durch einen gewinkelten, zwei Abschnitte: 34 und 35 umfassenden Kanal. Der durch die Fanaiahsennitte 34 und 35 strömende Teilstrom trifft unter einem spitzen Winkel, von beispielsweise 45 w auf einen scheibenförmigen Körper 36 und strömt dann durch den Abschnitt 35 aus dem Körper 30 des Temperatur-Sensors 9 wieder heraus (Pfeil 32b.The temperature sensor 3 shown in FIGS. 2 and 3 permits rapid detection of the temperature of media, the gases, in particular cnesiologically highly reactive gases, being chemically reactive liquids or chemically highly reactive, flowing materials. The temperature sensor 9 is constructed so that the hieoieA.sf entering the body 39 from the hPfeii 31) is divided into two partial streams by a body 15 provided in the flow swg. A partial flow flows through a substantially straight channel 33 and a second partial flow through an angled channel comprising two sections: 34 and 35. The partial flow flowing through the fan arms 34 and 35 strikes an disc-shaped body 36 at an acute angle, for example 45 w, and then flows out through the section 35 out of the body 30 of the temperature sensor 9 (arrow 32 b).

Durch das Auf teilen in die Teil ströme ergibt sich eb.ne Verminderung des Druckes im Bereich des Eingangs in den Temper s t ur-3anser 9.By dividing into the partial flows, eb.ne results in a reduction of the pressure in the region of the input to the temperature sensor 3.

Der scheibenförmige: Körper 36 wird vom Oberteil 3? desThe disk-shaped: body 36 is from the top 3? of

Temperatur "-Sensors S durch Schrauben 38 und 33 über eins Pachtung 40 an eins Dicetfiachs 41 des Körpers 30 des Temperatur-'-Senscrs 3 gedrückt, so dass, sich ein hermetisch geschlossenes System ergibt.Temperature "sensor S is pressed by screws 38 and 33 over a lease 40 to a dicing belt 41 of the body 30 of the temperature sensor 3, resulting in a hermetically sealed system.

Die mediumberührenden Teile des Temperatur-Sensors 9 sind bevorzugt aus chemrebeständigen Werkstoffen, weder beispielsweise der scheibenfbrmJ.ge Körper 36 corrngswerse aus (golykristnilinem) Diamant, Glaskohlenstoff, Saphir oder Silizium-Karbid, gegebenen fad. Is mit CVD-Beschichtung (Chemical Vapour Deposition}, die· Dichtung 400 vertue sue ise aus öerti uorkaütschuk {.FF KM}' , und. der Kerner 30 des Temper atu r~ Sensors 9, bevorzugt aus Pcdypetraf lurcäthyleh fPTFEi, bestehen.The wetted parts of the temperature sensor 9 are preferably made of chemically resistant materials, neither, for example, the ScheibfbrmJ.ge body 36 corrngswerse from (golykristnilinem) diamond, glassy carbon, sapphire or silicon carbide, given fad. Is with CVD (Chemical Vapor Deposition) coating, which consists of sealants 304 from oil filters (.FF KM), and the core 30 of the temperature sensor 9, preferably from Pcdpetraf lurcäthyleh fPTFEi.

Das Erfassen der Temperatur im Temperatur-Sensor 9 erfolgt Ober einen Temperatur-Fühler 42, der beispielsweise ein Platin-DünnscMoht-Messwiderstand ist. Der Temperatur-Fühler 42 ist vorzugsweise mit Hilfe eines wärmeleitenden Klebers 13 (Tweikomponsnten-Epoxy-Harz)mlt dem scheibenförmigen Körper 36 verklebt, so dass ein guter Wärmeübergang gegeben ist. Von dem Temperatur-Fühler 42 führe eine Leitung 46 weg, welche die com Temperatur-Fühler 42 erfassten Daten 16 über die in Fig. 1 gezeigte Leitung an den Regelkreis 1.0 ererbe.The temperature is detected in the temperature sensor 9 via a temperature sensor 42, which is, for example, a platinum thin-resistance measuring resistor. The temperature sensor 42 is preferably adhesively bonded to the disc-shaped body 36 by means of a thermally conductive adhesive 13 (twee-complex epoxy resin) so that a good heat transfer is achieved. From the temperature sensor 42 lead away a line 46, which the com temperature sensor 42 detected data 16 inherited via the line shown in Fig. 1 to the control loop 1.0.

Sine andere Ausfahrungsform: eines Teiaperatar-Sensors 9 ist in Fig, 4 gezeigt und wird nachstehend beschrieben.Another version of a partial egg-jet sensor 9 is shown in FIG. 4 and will be described below.

Bei dieser Ausführungsform eines Temperatur-Sensors 9 werden durch ein im Strömungskanal 11 vorgesehenes '.Hindernis 51 turbulente Sröxaungen erzwungen, die in der in Fig > 6 gezeigtem busführnngform des Temperatur-Sensors 9 einen schnellen Temperatur&ustausch zwischen Scheibe 36. und: Medium ergibt. So wie bei der in Fig. 2 und 2a gezeigten busführnngsform wird die scheibe 3t Durch eien Qöerteil 37 des Temperatur-Sensors unter Dwisohenfügen einer Dichtung 4P an die bufiagefräche 41 im Körper 30 des Temperatur-Sensors 9 gedrückt. Die in Fig, 6 gezeigte Ansführang:storm eines Tempereter-Sensors 9 erlaubt ebenso wie die Äosführungsferm 'von Fig. 2 und 2a einen raschen Tempersturaasta/usch zwischen durch den Temperatur-Sensor § strömendem Medien und dem Temper at er·--Fühler 42, wie· dies durch den Pfeil S3 angedeutet ist. uer Temperatur-Sensor 9 kann auch mehrfach remanent ausuebildet η· sein. Hierzu sind mehrere Temperatur-Fühler 42 auf der Scheibe tu sss Temperatur-Sensors 9 aufgeklebt, deren Temperatersignale mittels eines überprüfungsprogramms (Software Algorithmus) verglichen wercieig um allenfalls auftretende tPmpera tdr a budcc hungere durch Ai terser schein ungen auf zu zeigen, anbei diese Tempepaturunf ersch.fäde eine gewisse Differenz nicht üoerschreiten seilen, Eis; übersteigen der Mindest-Temperaturdifferens wird cor einem. Überprüfungssystem, durch ein Signal angeseigt. Ein. Verändern der Temperaturdifferenz kann optisch oder akustisch angeseigt werden. Wenn mehrere Temperatur-FUhier 42 auf der Scheibe 36 angeordnet werden, ist ein mehrpoliges Kabel 46 für das Weiterleiten der Daten, welche die Temperatur-Fühler 42 erfassen, ru verwenden.In this embodiment of a temperature sensor 9, turbulent extraneous forces are imposed by an obstacle 51 provided in the flow channel 11, which in the embodiment shown in FIG. 6 shows the temperature sensor sensor bus 9 a fast temperature exchange between disk 36 and: medium. As in the bus guide embodiment shown in Figs. 2 and 2a, the disc 3t is pressed by a lower part 37 of the temperature sensor while sealing a seal 4P to the buffing face 41 in the body 30 of the temperature sensor 9. The Ansführang: storm of a Tempereter sensor 9 shown as well as the Äosführungsferm 'of Fig. 2 and 2a allows a rapid Tempersturaasta / usch between flowing through the temperature sensor § media and the Temperat er · - sensor 42nd as indicated by the arrow S3. Temperature sensor 9 can also be repeatedly remanently formed. For this purpose, a plurality of temperature sensors 42 are glued to the disk tu sss temperature sensor 9, whose Temperatersignale by means of a verifungsprogramms (software algorithm) wercieig to possibly occurring tPmpera tdr a budcc hunger by Ai terser appearances to show attached to this Tempepaturunf ersch if there were some difference, do not go over ice, ice; exceed the minimum temperature difference becomes a cor. Verification system, slandered by a signal. One. Changing the temperature difference can be commented visually or acoustically. When multiple temperature fans 42 are placed on the disc 36, a multipolar cable 46 is used to route the data that the temperature probes 42 detect.

Eine auf Induktiensbäsis arbeitende Einrichtung 2 rum Erwärmen ton durch die Leitung 17 zur Düse 11 strömender Flüssigkeit wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Fig.. 5 bis 8 beschrieben:An induction bäsisende device 2 rum warming sound through the line 17 to the nozzle 11 flowing liquid will be described below with reference to FIGS .. 5 to 8:

Die in gen Fig, 5 bis 6 gezeigte Einrichtung: 2 zum Erwärmen eines flüssigen oder gasförmigen, strömenden Medium besitzt ein hohltylInderferriages: Heizelement 60, das von dem Medium, das über Anschlüsse 61, 62 zuscrömt iPfeil 63} und abströmt (Pfeil 641, an seiner Innen·" und seiner Außenseite amstrornt wird. Das Heizelement 60, das beispielsweise ans Glaskohienstoff besteht, wird durch alternierende· magnetische Felder, insbesondere an seiner Außenseite erwärmt ("Sxin-Ef fek.t"} „ Die Frequenz des Magnetfeldes bahn sich beispielsweise im Bereich won 100 kHz bis 1 MHz bewegen. Das Magnetfeld wird von einer Spule 65 erzeugt. Die Spule 65 ist durch einen Schlauch 66, vom Heizelement 60 und νοϊΰ durchszrbmenden Medium .getrennt. Das Übertragen von Energie geht somit herührungslos vor sich, was einen beträchtlichen vor teil gegenüber her körtmli eben Heizelementen, die einen elektrisch.en Kontakt benötigen und somit gegenüber dem tu eenanmerncer Meaium abgeäxehtei werden müssen, bedeutet . Der i:::: et. i. ci ut; s f i. s l tti 11 e i s sines η η en s chi s u cne s 6-8 hermetisch tot Ree ktorraum 69 und über ein Dichtsysrem mit Körper 79, Dichtung '71, Klemmring 72 und Dressier! 73 abgefcrennt. Der Pressteil 73 dient tum Einbringen von Hess-Sensoren 74 ;ρτ löo, PT 1060) und o i c n e r ne 11 s "· S e n s o r e n ’/3 ;. B, TCO Termai Cut Off}, da xetztixcne niagneciscne Energie im axialen Zentrum nur mehr m.mrmar ist, so dass uro Sensoren wegen starken eiektrömaguetischen Felder beschädigt werden können und einen gut«n ouyang znm. nesseren Oberwachnng des Heizelementes bieten. Dies für einen siGherheitsreievanten Betrieb vorteilhaft.The device shown in FIGS. 5 to 6: 2 for heating a liquid or gaseous, flowing medium has a hollow-tyl indifferent: heating element 60, which flows from the medium, which flows over connections 61, 62 and arrow 641, to The heating element 60, which for example is made of glassy carbon, is heated by alternating magnetic fields, in particular on its outside ("Sxin-Ef fek.t"} "The frequency of the magnetic field The magnetic field is generated by a coil 65. The coil 65 is separated by a tube 66, by the heating element 60 and by medium to be scanned. The transmission of energy thus takes place without contact. which is a considerable part of ago against körtmli just heating elements that need a elektric.en contact and thus against the tu eenanmerncer Me aium abäxehtei, means. The i :::: et. i. ci ut; s f i. s litti 11 e s sine η η s s chi s u cne s 6-8 hermetically dead ree ctor space 69 and via a density sys- tem with body 79, seal '71, clamping ring 72 and temperament! 73 abgefcrennt. The pressing member 73 is used for introducing Hess sensors 74, ρτ loo, PT 1060) and o i c ne r e 11 s "· s e n s o r e n '/ 3; B, TCO Termai Cut Off), since there is no longer any magnetic energy in the axial center, so uro sensors can be damaged due to strong electronomaguetic fields and a good nanowing. To provide better Oberwachnng of the heating element. This is advantageous for a safety-friendly operation.

Die Sensomen 74 und 76 sind vorzugsweise mittig ungeordnet und in wärmeleitendem Merkstoff 76 eingebetet, wobei von gen Sensoren v4, /5 Kabeln 77 abgehen. Ein aufgeweiteter nunenscniaucn so wxrq mit Hilfe einer Verschraubung 73 auf den Körper 70 vercross: und bildet einen hermetisch ahnedämmten Bereich vom Keak. terra um 69 zum ÄuEenbereich,The sensomes 74 and 76 are preferably centered disorderly and embedded in thermally conductive agent 76, which depart from gen sensors v4, / 5 cables 77. An expanded nuncncnc so wxrq by means of a screw 73 on the body 70 vercross: and forms a hermetically lame area of the Keak. terra at 69 to the outer area,

Die Einrichtung 2 ist bezüglich ihrer Mitteiebene spiegeü.symmetrisch, somit gilt für den Äusi&ss 62 dasselbe wie für den Einlass bi, Auslass hi und Einlass 61 können πο-ch mit einem: Einschrauber versehen sein. Dm das Heizelement SO auf exnem gleichförmigen, konzentrIschen hbstand zu dem xunensenrauen Et und zu gern, nutensciuLanch 66 zu halten, wird ein, Äostandsrxug 79 (Fig. 10 und 11) eingesetzt. Ein besonderer vorfei.·. ist asr geringe Abstand, da sich so ein schneller öäremubergarg vom Heizelement 60 auf das Medium., das durch die Einrichtung 2 strömt., ergibt. bas ernströmenae Medium wird in einen äußeren 80 und in einen innerer· Strömungsbereich Bi geteilt, sc dass das Heizelement 60 vollständig umstrdmc wird.The device 2 is symmetrical with regard to its central plane, so that the same applies to the outlet 62 as to the inlet bi, outlet hi and inlet 61 may be provided with a screwdriver. To maintain the heating element SO on an even, uniform, concentric distance to the xenon gray Et and to be happy to hold the grooving ranch 66, a standoff 79 (Figures 10 and 11) is employed. A special proposal. Asr is a small distance, as there is a rapid Öäremubergarg from the heating element 60 on the medium., Which flows through the device 2 results. baserstromae medium is divided into an outer 80 and an inner flow area Bi, that the heating element 60 is completely umstrdmc.

Die S.irrrichcnng 3 ist so aus.ge'leg.t, dass alle Bauteile aus - derkstofDen mit eins geringer thermischer Trägheit bestehen. i'; :Fid- S ist die Einrichtung 2 gezeigt, wobei die Spule 65, die vorzugsweise aus einem htaich-Kupfer-Rohr besteht, teilweise geschnitten in Schrä.gansrcho dargestsllr, ist. Geneigt ist m iig. 8 auch der Eintritt 02 für eine Kühltlüssigkeit und der Austritt S3 für eine E'ühif lüssigkeit, mit der die Spule 60 gekühlt wird-The siren 3 is designed to ensure that all components have a low thermal inertia. i '; : Fid-S, the device 2 is shown, wherein the coil 65, which preferably consists of a htaich copper tube, partially cut in Schrä.gansrcho dargestsllr is. Tilted is moderate. 8 also the inlet 02 for a cooling liquid and the outlet S3 for a E'ühif lüssigkeit with which the coil 60 is cooled-

Der beschriebene Aufbau der Einrichtung 2 bietet, weiters die Möglich, m Irmehbereich, beispielsweise durch Diffusion aurtretenoe korrosive Gase (t. S, Eluorwasserstoff), durch Sticks tot t, der über einen Spülte, ng an g 81 Eintritt und durch den Epürausgang 85 wieder austritt, wegtuspülen new. auszublassn.The described construction of the device 2 offers, furthermore, the possibility, in the field of influence, for example by diffusion of corrosive gases (t, S, eluent hydrogen), by sticks dead t, via a flush, ng to g 81 entrance and through the exit 85 again exit, wash away new. auszublassn.

Eine 'Einrichtung 3 rum Kühlen wird nachstehend an Hand von Big. 9 erläutert:Cooling is done by Big. 9 explains:

Die in Fig, 9 geneigte Einrichtung 3 tum Kühlen ton. flüssigen: Medien besitzt zwei über einander- und zusinder parallel ausgeriohtete Platten 90, Der Raum zwischen den Platten. 90 ist durch eine Rseddiohtung 91. abgedichtet, wobei die Dichtung 91 die Platten 90 voneinander im Abstand .hält. Der Abstand, der Platten 2 voneinander wird mit vorteil so gewählt, dass ein guter Wärmeübergang auf das zu kühlendem Medium möglich ist, was durch Erreichen einer turbulenten Strömen unterstützt wird. Die Platten 90 können aus Saphir, Diamant, Glaskohiensteff oder aus Siliziumkarbid, gegebenenfalls mit einer darauf abgeschiedenen Gi.iiziuPi~-Karfciä“Seh:icht (SiCb , gefertigt sein,: nie flatten z uno 2 werden zwischen einem Oberteil 92 und einem Unterteil 93 der Einrichtung 3, die durch. Schrauben 94 zusammengehsIren werden, gehalten. Ein Rohrstück 95 wird in eineThe inclined in Fig, 9 device 3 tum ton cool. liquid: media has two over each other and zusupp parallel aligned plates 90, the space between the plates. 90 is sealed by a seal 91. The seal 91 keeps the plates 90 spaced from each other. The distance between the plates 2 from each other is advantageously chosen so that a good heat transfer to the medium to be cooled is possible, which is supported by reaching a turbulent flows. The plates 90 may be made of sapphire, diamond, glassware, or silicon carbide, optionally with a Gi.iiziuPi ~ -Karfciä "vision (SiCb) deposited thereon: never flattened between a top 92 and a bottom 93 the device 3, which are zusammengehsirare by screws 94. A pipe section 95 is in a

Orrnung der oberen Platte 92 elngseehraubt und fluchtet mit einen Loch 9b in der oberen Platte 90 und ist gegenüber der Platte 30 durch eine Ringdichtung {s, B, O-Eing) abgedichtet.Ornnung the upper plate 92 screwed and aligned with a hole 9b in the upper plate 90 and is compared to the plate 30 by a ring seal {s, B, O-Eing) sealed.

Das Rohr stück PS dient als Einlass für das tu kühlende Medien .(Pfeil 97). in die untere Platte 2 ist ebenfalls ein Rührstück 9b eingeschraubt, das mit einet Öffnung PS in der unteren Platts kommuniziert und gegenüber der Platte 90 durch, erne Ringdichtanq Ö· b· O-Ping) abgedichtet ist. Durch das Rohrstück PS kann das Medium, nachdem es den 'Raum twisehen den Platten 90 durchstromf tat, aus der Einrichtung 3 "Rieder austrefen {Pfeil Pb] , Den Platten sind beidseitig Peltiereiemsnte 100 so tugeerdnet,· dass vom Medium estrogens Warme über die Eel tier elements an einen Kühlkörcer 191 * der an der Oberseite und an der Unterseite ungeordnet ist, abgegeben, wird.. Die Kahlelaments 101 weisen jeweils einen Einlass 102 und einen Auslass 103 auf, so dass sie von einem Khhl.medium durchströmt werden können.The pipe piece of PS serves as the inlet for the cooling medium (arrow 97). In the lower plate 2, a stirring piece 9b is also screwed in, which communicates with an opening PS in the lower plate and is sealed from the plate 90 by a ring sealing seal Ö · b · O-Ping). Through the pipe piece PS the medium, after having passed the space 90 through the plates 90, can emerge from the device 3 "Rieder {arrow Pb]. The plates are mutually earthed on both sides Peltieriemsnte 100 · that the medium estrogens warm over the The balding 101 each have an inlet 102 and an outlet 103, so that they can be traversed by a Khhl.medium.

In Big, 9 iss noch angedeutet.., dass dis 1' -'releaente durch wärmeleitenden Kleber 10s In gut wärmeleitende Verbindung· tu den Kühlkörpern 101 gebracht werden.In Big, 9 iss still hinted .. that dis 1 '-'releaente be brought by heat-conductive adhesive 10s In good heat conducting connection · tu the heat sinks 101.

Die in Finn 3 geneigte Vorrichtung kann nach Ompolen der Peitierelemente 100 grundsätalich auch rum Erwärmen eines durch dis Einrichtung 3 strömenden. Medium eingesetzt werden.The device tilted in the direction of Finn 3 can, after omniprene of the peiting elements 100, also cause heating of a device 3 flowing through the device 3. Medium be used.

Sine Einrichtung 4 cur Durchslussmsngenregerung wird nachstehend an Hand von. Fig, 10 erläutert:Sine establishment 4 curling liquidation is below on hand of. Fig. 10 explains:

Die Einrichtung .4 cum Regeln des Durchflusses eines Medina: umfasst eine Membran 110, die auf einer Seite einen nadeifermigen, sich, ve.r j üngenden Vorsprung auf weist., dessen. Abstand sum Venfiisltr 111 der mit einem Körper 112 einteilig verbunden Ist, mit Hilfe einer Stellvorrichtung 113, 114 VeränAeft wefdan kann. Die Stellvorrichtung umfasst vorrugsweiss einen Schrittmotor 113', dessen Spindel. 114 einen Antrieb für das Membran 110 darstel.it. Die Spindel 114 dreht sich nicht und wird mittels einer ine inter 113 eingebauten/ sich drehenden Hülse nur linear bewegt, In den Eingang 115 ward Medien, eingeleitet und tritt über den Ausgang 116 nieder aus. Die Körper 1X7 und IIS dienen lediglich zun Pose ti orderen. des Schrittmotor s 113 und nun; Ab dichten der Membran 110/ wozu nicht geneigte Verschraubungen vorgesehen sind- Sin Sensor 11S erfasst den Abstand der Membran liü beer deren Spiel vorn Ventilsitz 111, welche Daten der Regelung engeführt werden.The device .4 cum regulating the flow of a medina: comprises a membrane 110 which has on one side a needle-like, protruding, protruding projection. Distance sum Venlisltr 111 which is integrally connected to a body 112 is, with the help of an adjusting device 113, 114 changes wefdan can. The adjusting device comprises vorrugsweiss a stepper motor 113 ', the spindle. 114 a drive for the membrane 110 darstel.it. The spindle 114 does not rotate and is moved linearly by means of a sleeve 113 inserted / rotating only. Media 115 has been introduced into the inlet 115 and exits via the outlet 116. The bodies 1X7 and IIS serve only to pose. the stepper motor 113 and now; From dense of the membrane 110 / for which not inclined glands are provided- Sin sensor 11S detects the distance of the diaphragm liü beer whose game before the valve seat 111, which data of the control are introduced.

Sine in Figl 11 achem.ati.sch dargestelite Ausbührungsform der Durchfiussvaarbpnlation 1 ermittelt den Durchfluss mit Hilfe eines Durchfluss-Sensors 121 (beispielsweise ein DltraeC:halldurc:hilcss---Een5orI , Die dabei erfassten derbe werden über eine Signulieitung 112 einer Steuerung 123 zugeführt/ welche über eine weitere Steuerieitung 121 den Aktor 113, 114 CSchrittmötori des Durehflusareglers 129 betreiht/ der wiederum seine aktuelle Lage durch eine Pcsiticnskontrolle über eine Kontrolileitung 125 aa die Steuerung weitergibt, Der Durchfluss des Medium.: über Einlass 127 und durch Auslass 128 kann über eine Hauptateuerleztung 126 men außen vorgegeben werden.Sine in Figl 11 achem.ati.sch Dargestelite embodiment of the Durchfiussvaarbpnlation 1 determines the flow with the aid of a flow sensor 121 (for example, a DltraeC: Halldurc: hilcss --- Een5orI, The thereby recorded are fed via a Signulieitung 112 a controller 123 / which via another control line 121 the Aktor 113, 114 CSchrittmötori the Durehflusareglers 129 betreiht / in turn passes its current position by a Pcsiticnskontrolle a control line 125 aa the control, the flow of medium .: via inlet 127 and through outlet 128 can over a Hauptateuerleztung 126 men be specified externally.

Dm ein rasches Regeln dar Temperatur des Medium/ bezogen aut dis Position der Düse 11 relativ zum Wafer 8, tu erlauben, ist es erforderlich ein vorher bekanntes zeitlich-, Örtliches TemperaturprefiJ. zu erstellen, damit die 'jeweils benötigte Temperatur des Medium eingehalten werden kann. Hierzu wird vorteilhaft eine Kühleinrichtung. verwendet, die örtliche Temperaturdifferenten ausgleicht und dabei die aktuelle Einstellung des Systems und des tu behandelnden Medium ist berücksichtigt, um etwaige Stcrfaktoren, Wärmesenken usw, tu vermeide.?; -To permit rapid control of the temperature of the medium / relative to the position of the nozzle 11 relative to the wafer 8, tu, it is necessary to have a previously known temporal, local temperature. so that the required temperature of the medium can be maintained. For this purpose, a cooling device is advantageous. which compensates for localized temperature differentials while taking into account the current setting of the system and the medium being treated, in order to avoid any possible interference factors, heat sinks, etc. -

Die in Fig. 12 dargestelite, abgeänderta Ausführungeform einer erfihhungsgemäßen Vorrichtung 130 ist eine Erweiterung der Vorrichtung 1 gemäß Fig. 1. Auch die Vorrichtung 130 umfasst Einrichtungen 134 zum Kegeln der Temperatur und Einrichtungen d zum. Regeln der Durchf 1 ussmenge des durch die Düse 11 auf den Wafer 8 auf gebrachtem Behandlungs-Medium (Behanäiungafiüsslg keif},The embodiment of an inventive device 130 shown in FIG. 12 is an extension of the device 1 according to FIG. 1. The device 130 also includes devices 134 for coning the temperature and devices d for. Controlling the rate of flow of the treatment medium (wetting agent) on the wafer 8 through the nozzle 11,

Zusätzlich umfasst die Vorrichtung 1.30 gemäß Big, 12 Einrichtungen, nie reichen die Konzentration des Behandlungs-Kodier; ·Bestlüssigkeiz) in. Abhängigkeit ?on der lege: der Düse 11 und damit des Ortes 7, in dem Behandlungs-Medium auf den Wafer 8 aufgebracht wird, geändert werden kann,In addition, according to Big, the device 1.30 comprises 12 devices, never reaching the concentration of the treatment code; In the dependency of the location: the nozzle 11 and thus of the location 7, in which treatment medium is applied to the wafer 8, can be changed,

Die hierzu vorgesehene Vorrichtung umfasst einen Sensor 133, der die Konzentrat Ion. des Behandlungs-Medium erfasst. Beispielsweise ist der Konzentratiohssensor 133 een gängiges pH-Messgeräs oder ein Spektrometer, mit dem Konzentrshion der jeweils verwendeten Behandlo.ngsfiüssigkeit bestimmt werden kann.The device provided for this purpose comprises a sensor 133 which contains the concentrate ion. of the treatment medium. By way of example, the concentration sensor 133 is a common pH measuring device or a spectrometer with which the concentration of the particular treatment liquid used can be determined.

Im Einzelnen arbeitet die Vorrichtung 130 beim Einstellen, der Konzentration in Abhängigkeit von der Düse 11 wie folgt:More specifically, when adjusting the concentration in dependence on the nozzle 11, the device 130 operates as follows:

Die Komponenten des Behandlungs-Bledium werden über Leitungen 137 angeführt und die definierten Konzentrations- und Tempefatürwerfe in Mebiumqusller 1 i2 über eine Steuerleitung 138 u an die Steaerung/Regelnng 131 weitergegeben, Ein Software-Algorithmus setzt die über die Leitungen IBS zugeführten Temperaturwerte, die über die Leitung 140 zugeführten Konzentrationswerte und die Werte der Temperatur, die vom Temperatursensor 9 erfasst werden, in Steuersignale um. Diese Steuersignals werden über Steuerleibangen 139 an die Komponenten 134 sum Regein der Temperatur 134 und die Vorrichtung 1 zum Regeln der DurchfXussmenge weitergegeben» Die Medienstrome werden einer Misehvorrichtung 132 zugeführt, die insbesondere als statischer Mischer ausgebildet ist, und miteinander gemischt, wobei bei Verwenden eines statischen Mischers ein schnelles Durchmischen zum- Erreichen der gewünschten Temperatur und/oder Konzentration bei der vorgegebenen Menge erreicht werden kaum.The components of the treatment-Bledium be led via lines 137 and the defined concentration and tempeforgwerfe in Mebiumqusller 1 i2 passed via a control line 138 u to the Ablasserung / Regelnng 131, A software algorithm sets the supplied via the lines IBS temperature values, the over the line 140 supplied concentration values and the values of the temperature, which are detected by the temperature sensor 9, in control signals. This control signal is transmitted via control links 139 to the components 134 as a rule the temperature 134 and the device 1 for controlling the DurchfXussmenge »The media streams are fed to a Misehvorrichtung 132, which in particular as a static mixer, and mixed with each other, using a static Mischers a rapid mixing to reach the desired temperature and / or concentration at the given amount can be achieved hardly.

Dis in Fig, 12 lieben den Durnnfiussisengeur eglern 4, den Reglern irr dis Temperatur 134 und den Medienquelien 136 .eingezeiehneten Funkte 133 deuten an» dass auch Rehr als zwei dieser Fnmponenten vorgesehen sein können, la Fig, 13 sind verschiedene Kombinat.ionsmög1iohkeiten von Einrichtungen ears Erwärmen 2 und Einrichtungen 3 zum Kuhlen angedeutet, Weitere Möglichkeiten des Kombinierens der in Fig, 13 aufgezeigten Varianten sind die Einrichtungen 134 zum Einstellen der Temperatur durch Erwärmens und Kühlen des Medium sind denkbar, wobei auch die Variante ohne Einrichtung zum Kegeln der Temperatur 134 bei 141 sasgedentet ist. Kenn diese Variante, die bei 141 angedeutet ist « ur .gereizt wird, kann das Einstelien der Temperatur analog zum El ns teilen, der Konzentration ober Burchfiussregler erfolgen, ohne gesonderte Einrichtungen zum. Heizen und znm Kuhlen, wenn die Temperaturen in den Medienquellen 136 der Mediumtrome 13? hinreichend verscii.eden. hoch sind,The figures in Fig. 12 are of interest to the inverters 4, to the regulators irr the temperature 134 and to the media sources 136, which indicate that rehers may be provided as two of these components. Fig. 13 are various combinations of devices Other ways of combining the variants shown in FIG. 13 are the means 134 for adjusting the temperature by heating and cooling the medium are conceivable, including the variant without means for coning the temperature 134 at 141 is savored. If this variant, which is indicated at 141, is stimulated, the temperature settings can be divided analogously to those of the oil, the concentration being controlled by the flow regulator, without separate facilities for. Heating and cooling when the temperatures in the media sources 136 of the medium streams 13? sufficiently versed. are high,

Ensarmrisntassend kann ein Rustahrungsbeisplel der Erfindung wie folgt beschrieben werden:In the interests of relaxation, a description of the invention may be described as follows:

Beim Behandeln eines Halblaiter-Kafere 8 wird ein Behandlungs-Medium, insbesondere eine Ätz- oder Eeinigungflüssigkeit aus einer Düse 11 auf den Halhlaiier-Wafer 8 aufgebracht. Dabei wird die Temperatur, die Konzentration, und/oder die in der Zeiteinheit aufgebrachte Menge an Medium in Abhängigkeit von dem Ort 7, in dem das Medium auf den Halbleiter-Wafer 8 aufgebracht wird, geregelt. So wird ein gleichmäßiges Behandeln des Halbleiter-Wafers 8 erreicht, da Ungleichmäßigkeiten im. Halbleiter-Wafer 8 ausgeglichen werden können.When treating a half-length wafer 8, a treatment medium, in particular an etching or cleaning liquid, is applied from a nozzle 11 to the halide wafer 8. In this case, the temperature, the concentration, and / or the amount of medium applied in the time unit is regulated as a function of the location 7 in which the medium is applied to the semiconductor wafer 8. Thus, uniform treatment of the semiconductor wafer 8 is achieved because of unevenness in the. Semiconductor wafer 8 can be compensated.

Claims (28)

Patentansprüche: 1. Verfahren zum Behandeln von Gegenständen (8) mit einem Medium, insbesondere einer Flüssigkeit, gekennzeichnet durch die Schritte Aufbringen des Medium auf die zu behandelnde Fläche des Gegenstandes (8) mit Hilfe einer Aufbringeeinrichtung (11), die relativ zu dem zu behandelnden Gegenstand (8) über die zu behandelnde Fläche des Gegenstandes (8) bewegt wird, Regeln von Eigenschaften des auf den zu behandelnden Gegenstand aufzubringenden Medium in Abhängigkeit von der Lage der Aufbringeeinrichtung (11) relativ zu der zu behandelnden Fläche des Gegenstandes (8).Claims 1. A method for treating articles (8) with a medium, in particular a liquid, characterized by the steps of applying the medium to the surface of the article (8) to be treated by means of an applicator (11) relative to the article regulating the properties of the medium to be applied to the object to be treated as a function of the position of the applicator (11) relative to the surface of the object (8) to be treated , 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur des auf den zu behandelnden Gegenstand (8) aufzubringenden Medium geregelt wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the temperature of the applied to the object to be treated (8) medium is regulated. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Menge des in der Zeiteinheit auf den zu behandelnden Gegenstand (8) aufzubringenden Medium geregelt wird.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the amount of in the unit of time to be applied to the object to be treated (8) medium is regulated. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Konzentration des auf den zu behandelnden Gegenstand (8) aufzubringenden Medium geregelt wird.4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the concentration of the applied to the object to be treated (8) medium is regulated. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Halbleiter-Wafer (8) behandelt wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that a semiconductor wafer (8) is treated. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter-Wafer (8) geätzt wird.6. The method according to claim 5, characterized in that the semiconductor wafer (8) is etched. 7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiter-Wafer (8) gereinigt wird.7. The method according to claim 5, characterized in that the semiconductor wafer (8) is cleaned. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der zu behandelnde Gegenstand (8) während des Behandelns in Drehung (20) versetzt wird.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the object to be treated (8) during the treatment in rotation (20) is added. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Medium, insbesondere die Flüssigkeit, aus einer Düse (11) einer Aufbringeeinrichtung auf den Gegenstand (8) aufgebracht wird.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the medium, in particular the liquid, from a nozzle (11) of a Aufbringingeeinrichtung on the object (8) is applied. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufbringeeinrichtung, insbesondere deren Düse (11), relativ zum zu behandelnden Gegenstand (8) durch wenigstens einen Aktor (12) bewegt wird und dass die Lage der Aufbringeeinrichtung, insbesondere deren Düse (11), durch Inkrementalgeber (14) erfasst wird.10. The method according to claim 9, characterized in that the application device, in particular its nozzle (11), relative to the object to be treated (8) by at least one actuator (12) is moved and that the position of the application device, in particular its nozzle (11 ), by incremental encoder (14) is detected. 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur des Medium unmittelbar vor dem Aufbringen auf den zu behandelnden Gegenstand (8), insbesondere unmittelbar vor seinem Austritt aus der Düse (10) der Aufbringeeinrichtung, erfasst wird.11. The method according to any one of claims 1 to 10, characterized in that the temperature of the medium immediately before the application to the object to be treated (8), in particular immediately before its exit from the nozzle (10) of the applicator is detected. 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur mit Hilfe eines Temperatur-Sensor (9), welcher der Aufbringeeinrichtung, insbesondere deren Düse (11) , zugeordnet ist, erfasst wird.12. The method according to claim 11, characterized in that the temperature by means of a temperature sensor (9), which is assigned to the application device, in particular the nozzle (11), is detected. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Medium, insbesondere die Flüssigkeit, erwärmt oder gekühlt wird.13. The method according to any one of claims 1 to 12, characterized in that the medium, in particular the liquid, is heated or cooled. 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass zum Regeln der Temperatur Komponenten des auf den zu behandelnden Gegenstand (8) aufzubringenden Medium, insbesondere der Flüssigkeit, die voneinander verschiedene Temperaturen haben, gemischt werden.14. The method according to claim 13, characterized in that for controlling the temperature components of the applied to the object to be treated (8) medium, in particular the liquid having different temperatures from each other, are mixed. 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass zum Regeln der Konzentration des auf' den zu behandelnden Gegenstand aufzubringenden Medium, insbesondere der Flüssigkeit, die voneinander verschiedene Konzentrationen haben, gemischt werden.15. The method according to any one of claims 1 to 14, characterized in that for controlling the concentration of the applied to 'the object to be treated medium, in particular the liquid having mutually different concentrations are mixed. 16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die, insbesondere von Inkrementalgebern (14) erfasste Lage der Aufbringeeinrichtung und die, insbesondere vom Temperatur-Sensor (9) erfasste Temperatur des Medium einem Regelkreis (10) aufgegeben werden und dass der Regelkreis (10) die Temperatur des Medium, die Menge an Medium, die der Aufbringeeinrichtung in der Zeiteinheit zugeführt wird, und/oder die Konzentration des Medium regelt.16. The method according to any one of claims 1 to 15, characterized in that the, in particular of incremental encoders (14) detected position of the applying device and, in particular from the temperature sensor (9) detected temperature of the medium are fed to a control circuit (10) and in that the regulating circuit (10) regulates the temperature of the medium, the amount of medium which is supplied to the applicator in the unit of time, and / or the concentration of the medium. 17. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 16 mit einer Halterung (19) für den zu behandelnden Gegenstand (8), mit einer Einrichtung (11) zum Aufbringen des Medium auf den zu behandelnden Gegenstand (8), zu welcher Einrichtung eine Leitung (13) für das Medium führt, und mit einem Aktor (12) zum Bewegen der Aufbringeeinrichtung (11) relativ zu den zu behandelnden Gegenstand (8), gekennzeichnet durch wenigstens einen Sensor zum Erfassen von wenigstens einer Eigenschaft des Medium, wenigstens einen Inkrementalgeber (14), der zum Erfassen der Lage der Aufbringeeinrichtung dem Aktor zugeordnet ist, einen Regelkreis (10), der funktionell mit dem wenigstens einen Sensor und mit dem Inkrementalgeber (14) verbunden ist, und eine der Leitung (13)für das Medium zugeordnete Einrichtung (4) zum Regeln der in der Zeiteinheit durch die Leitung (13) strömende Menge an Medium, welche Einrichtung (4) mit dem Regelkreis (10) funktionell verbunden ist.17. An apparatus for performing the method according to one of claims 1 to 16 with a holder (19) for the object to be treated (8), with means (11) for applying the medium to the object to be treated (8), to which Device comprising a conduit (13) for the medium, and having an actuator (12) for moving the applicator (11) relative to the object to be treated (8), characterized by at least one sensor for detecting at least one property of the medium, at least an incremental encoder (14) associated with the actuator for detecting the position of the applicator; a control circuit (10) operatively connected to the at least one sensor and the incremental encoder (14) and one of the conduit (13) for the actuator Medium associated device (4) for controlling the time unit through the line (13) flowing amount of medium, which means (4) to the control circuit (10) is operatively connected. 18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Halterung für den zu behandelnden Gegenstand ein Träger nach Art eines Trägers (19) für Halbleiter-Wafer (8) ("chuck") ist, dem ein Antrieb zum Drehen (20) der Halterung (19) zugeordnet ist.Device according to claim 17, characterized in that the support for the object to be treated is a carrier (19) for semiconductor wafers (8) ("chuck") having a drive for rotating (20). associated with the holder (19). 19. Vorrichtung nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Aufbringeeinrichtung eine Düse (11) umfasst, aus der Medium auf die zu behandelnde Fläche des Gegenstandes (8) aufgebracht wird.19. The apparatus of claim 17 or 18, characterized in that the application device comprises a nozzle (11) is applied from the medium to the surface to be treated of the article (8). 20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass ein Sensor (9) vorgesehen ist, welcher der Aufbringeeinrichtung (11) an der Stelle des Austrittes des Medium aus ihr zugeordnet ist und welcher die Temperatur des Medium erfasst.20. Device according to one of claims 17 to 19, characterized in that a sensor (9) is provided, which is assigned to the application device (11) at the point of exit of the medium from it and which detects the temperature of the medium. 21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Leitung für das Medium Einrichtungen (2, 3) zum Erwärmen und Kühlen des Medium zugeordnet sind, welche Einrichtungen mit dem Regelkreis (10) funktionell verbunden sind.21. Device according to one of claims 17 to 20, characterized in that the conduit for the medium means (2, 3) are associated for heating and cooling of the medium, which means are functionally connected to the control loop (10). 22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass ein Sensor (133) zum Erfassen der Konzentration des Medium, insbesondere der Flüssigkeit,, vorgesehen ist.22. Device according to one of claims 17 to 21, characterized in that a sensor (133) for detecting the concentration of the medium, in particular the liquid ,, is provided. 23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass eine Mischvorrichtung (132) zum — - - » »· m m m Mischen von Teilströmen des Medium, welche Teilströme voneinander unterschiedliche Temperaturen und/oder Konzentrationen aufweisen, vorgesehen ist.23. Device according to one of claims 17 to 22, characterized in that a mixing device (132) for - - - »m m mixing partial streams of the medium, which partial streams have different temperatures and / or concentrations, is provided. 24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (2) zum Erwärmen des Medium, insbesondere der Flüssigkeit, eine das Medium durch Konvektion erwärmende Einrichtung, die auf Induktionsbasis arbeitet, ist.24. Device according to one of claims 17 to 23, characterized in that the means (2) for heating the medium, in particular the liquid, a convection-heating medium by means of the device, which operates on an induction basis. 25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (3) zum Kühlen des Medium wenigstens ein Peltier-Element (100) umfasst.25. Device according to one of claims 21 to 24, characterized in that the means (3) for cooling the medium comprises at least one Peltier element (100). 26. Temperatur-Sen,sor, insbesondere zur Verwendung beim Ausführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 16 bzw. in der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 25, gekennzeichnet durch ein Gehäuse (30), in dem ein Strömungskanal (33, 34, 35) für das Medium, dessen Temperatur zu erfassen ist, vorgesehen ist, dass der Strömungskanal (33) im Bereich eines Temperatur-Sensor in zwei Teilkanäle (34, 35) aufgeteilt ist, die sich nach dem Vorbeiströmen am Temperatur-Sensor (42) wieder vereinigen und dass der Temperatur-Sensor (42) auf einem scheibenförmigen Körper (36) im wäremleitenden Kontakt angeordnet ist.26. Temperature Sen sor, in particular for use in carrying out the method according to any one of claims 1 to 16 or in the device according to one of claims 17 to 25, characterized by a housing (30) in which a flow channel (33, 34, 35) is provided for the medium whose temperature is to be detected, that the flow channel (33) in the region of a temperature sensor in two sub-channels (34, 35) is divided, which after flowing past the temperature sensor ( 42) and that the temperature sensor (42) is arranged on a disk-shaped body (36) in heat-conducting contact. 27. Temperatur-Sensor, insbesondere zur Verwendung beim Ausführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 16 bzw. in der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass im Strömungskanal des Temperatur-Sensors ein Turbulenzen in dem durchströmenden Medium erzeugendes Hindernis (51) vorgesehen ist, wobei das Hindernis (51), bezogen auf die Strömungsrichtung des Medium, nach der Scheibe (36), auf welcher der Temperatur-Sensor (42) angeordnet ist, vorgesehen ist.27. Temperature sensor, in particular for use in carrying out the method according to one of claims 1 to 16 or in the device according to one of claims 17 to 25, characterized in that in the flow channel of the temperature sensor turbulence in the medium flowing through generating Obstacle (51) is provided, wherein the obstacle (51), based on the flow direction of the medium, after the disc (36) on which the temperature sensor (42) is arranged, is provided. 28. Durchflussregelung, insbesondere zur Verwendung beim Ausführen des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 16 bzw. in der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 17 bis 25, gekennzeichnet durch eine Membran (110), von der ein Vorsprung in Richtung auf einen Ventilsitz (111) absteht, und durch eine Stellvorrichtung (113) für das Bewegen des Vorsprunges der Membran (110) relativ zum Ventilsitz (111).28. Flow control, in particular for use in carrying out the method according to one of claims 1 to 16 or in the device according to one of claims 17 to 25, characterized by a membrane (110) from which a projection in the direction of a valve seat (111 ) and by an actuator (113) for moving the projection of the diaphragm (110) relative to the valve seat (111).
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