AT290674B - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere mit zerstörungsfreiem Lawinendurchbruch - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere mit zerstörungsfreiem Lawinendurchbruch

Info

Publication number
AT290674B
AT290674B AT681668A AT681668A AT290674B AT 290674 B AT290674 B AT 290674B AT 681668 A AT681668 A AT 681668A AT 681668 A AT681668 A AT 681668A AT 290674 B AT290674 B AT 290674B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
producing
avalanche breakdown
semiconductor arrangement
destructive avalanche
destructive
Prior art date
Application number
AT681668A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Ckd Praha
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ckd Praha filed Critical Ckd Praha
Application granted granted Critical
Publication of AT290674B publication Critical patent/AT290674B/de

Links

Classifications

    • H10P95/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
AT681668A 1967-07-14 1968-07-15 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere mit zerstörungsfreiem Lawinendurchbruch AT290674B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS514867 1967-07-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT290674B true AT290674B (de) 1971-06-11

Family

ID=5395817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT681668A AT290674B (de) 1967-07-14 1968-07-15 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere mit zerstörungsfreiem Lawinendurchbruch

Country Status (4)

Country Link
AT (1) AT290674B (de)
DE (1) DE1764644A1 (de)
FR (1) FR1572033A (de)
GB (1) GB1209092A (de)

Also Published As

Publication number Publication date
FR1572033A (de) 1969-06-20
DE1764644A1 (de) 1971-09-30
GB1209092A (en) 1970-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH427044A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers mit einem geschützten pn-Übergang
AT261004B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH513514A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH533907A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
AT318001B (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleitervorrichtung
CH505470A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und gemäss diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung
AT285937B (de) Verfahren zur Herstellung einer Oxymethylenpolymerzusammensetzung
DE1648934B2 (de) Vorrichtung zur schrittweisen foerderung einer anzahl von auffanggefaessen durch mindestens eine fuellstation
CH512144A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH530714A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
AT256273B (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Bauelementes mit wenigstens einer Sperrschicht
AT299311B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
CH502001A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, die wenigstens eine Zenerdiode enthält
AT339963B (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einem halbleiterkorper mit mindestens einem feldeffekttransistor mit isolierter torelektrode
AT307504B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
CH520405A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
AT256940B (de) Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen, kristallinen Schicht, insbesondere Halbleiterschicht
DE1639146B2 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrolumineszenten halbleiterdiode mit p-n-uebergang
CH544158A (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Vorrichtung, insbesondere einer Halbleitervorrichtung
CH519790A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
CH474858A (de) Verfahren zur Herstellung einer planaren doppeldiffundierten Halbleiteranordnung
AT290674B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere mit zerstörungsfreiem Lawinendurchbruch
CH470759A (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
CH427041A (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, insbesondere von Tunneldioden
CH474158A (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
ELJ Ceased due to non-payment of the annual fee