AT233062B - Verfahren und Vorrichtung zum Aufschmelzen einer oder mehrerer Elektroden auf einen Halbleiterkörper - Google Patents

Description

   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Verfahren und Vorrichtung zum Aufschmelzen einer oder mehrerer
Elektroden auf einen Halbleiterkörper 
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufschmelzen einer oder mehrerer Elektroden auf einen Halbleiterkörper unter Verwendung einer Legierform, deren Wärmekapazität gross in bezug auf die
Wärmekapazität des Halbleiterkörpers ist sowie auf eine zur Durchführung dieses Verfahrens bestimmte
Vorrichtung. 



   Bei der Herstellung von Elektroden   auf'Halbleiterkörpernwird bekanntlich ein Legierungsverfahren an-   gewendet, das gegebenenfalls mit einem Diffusionsverfahren verbunden ist. Das Elektrodenmaterial wird meistens in Form von Kügelchen von etwa 0, 1 bis 1 mm Durchmesser oder auch weniger in eine Schablone gelegt, welche sich auf einer Scheibe des   Halbleitergrundmaterials   befindet, so dass die Kügelchen das Halbleitermaterial berühren. Die Schablone dient dazu, eine seitliche Bewegung der Kügelchen oder auch des anders geformten Elektrodenmaterials zu verhindern. Es ist auch bekannt, die Schablone mit den eingelegten Kügelchen mit einer Scheibe des Halbleitergrundmaterials zu bedecken, so dass der von dieser Scheibe gebildete Halbleiterkörper der Halbleiteranordnung die Kügelchen berührt. 



   Der Halbleiterkörper wird durch eine Halterung fixiert, das Ganze dann in einem Ofen unter Schutzgas einer so hohen Temperatur ausgesetzt, dass die Kügelchen in den Halbleiterkörper   einlegieren.   Als   Halbleiterkörper wird beispielsweise eine Germanium- oder Siliciumscheibe von einigen und einer   Dicke von der Grössenordnung   100 J. l. verwendet.   Es wird auch streifenförmiges Germanium und Silicium verwendet, auf das mehrere Elektroden gleichzeitig auflegiert werden. Nach dem Legierungsvorgang werden die Streifen in Stücke gebrochen, deren jedes dann das Ausgangserzeugnis für eine der herzustellenden Halbleiteranordnungen bildet.

   Die Kügelchen zur Bildung der Elektroden, also das Elektrodenmaterial, bestehen je nach Verwendungszweck der fertigen Halbleiteranordnungen bekanntlich aus ganz verschieden zusammengesetzten Legierungen. 



   Da die elektrischen Eigenschaften der Elektroden im wesentlichen Masse die gute Funktion der fertigen Halbleiteranordnungen bedingen, sind Legierungen der verschiedensten Art untersucht worden, wobei sich herausgestellt hat, dass gerade einige der günstigsten Legierungen in flüssigem Zustand den Halbleiterkörper schlecht benetzen. Infolgedessen werden die Elektroden sehr ungleichmässig auflegiert, was bei der Produktion entsprechenden Anfall fehlerhafter Halbleiteranordnungen zur Folge hat. Besonders störend wird diese Schwierigkeit bei grossflächigen Elektroden, wie sie fur Leistungsdioden oder auch manche Leistungstransistoren notwendig sind. 



   Es ist ein Verfahren zur Aufbringung des Elektrodenmaterials auf den   Halbleiterkörper bekannt. bei   dem aus einer Folie des Elektrodenmaterials ein Scheibchen herausgestanzt und so fest auf den Halbleiterkörper gedrückt wird, dass es an ihm haften bleibt. Der Nachteil dieses Verfahrens liegt darin, dass nicht jedes Elektrodenmaterial genügend fest auf dem Halbleiterkörper liegt, so dass das Verfahren nur für wenige Elektrodenmaterial-Legierungen anwendbar ist. Um ein sicheres Anhaften zu erreichen, muss das Elektrodenmaterial mit so grossem Druck auf den Halbleiterkörper gebracht werden, dass dieAnwendung des Verfahrens nur bei relativ dicken Halbleiterkörpern möglich ist, da dünne Halbleiterkörper unter dem Druck zerbrechen.

   Ausserdem ist das Verfahren für kleine Elektroden, bei denen also die Haftfläche 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 
 EMI2.1 
 

 <Desc/Clms Page number 3> 

 !sieht der Vorrichtung entsprechend Fig. l, wobei zum Zwecke der besseren Übersichtlichkeit in den Fig. 2 bis 4 weniger wichtige Einzelheiten fortgelassen sind. 



   Die Fig.   5-7   zeigen Einzelheiten der Platten in zwei verschiedenen Seitenansichten (Fig. 5 und 6) und Draufsicht (Fig. 7). Die Fig. 8 und 9 zeigen Einzelheiten der Legierform und der sie haltenden Gewin- dehülse in zwei verschiedenen Längsschnitten. Die Fig. 10 ist eine Seitenansicht des Stempels. Die Fig. 11 eine andere Seitenansicht, teilweise im Schnitt. Die Fig. 12-14 zeigen eine Legierform für mehrere
Halbleiterkörper in Draufsicht (Fig. 12) und in zwei verschiedenen Seitenansichten im Schnitt (Fig. 13 und
14). Die Fig. 15 zeigt eine besondere Ausführungsform des Stempels im Schnitt. 



   Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung besteht, vgl. Fig. l-4, aus ei- ner Grundplatte 1 und einer Deckplatte 2, die zwischen sich in ringförmigen Vertiefungen 3 und 4 unter
Zwischenlage von Dichtungsringen 5 und 6 ein zylindrisches Glasrohr 7 halten. Grundplatte 1 und Deck- platte 2werden durch die Bolzen 8   mit den dazugehörigen Schraubenmuttern   9 zusammengehalten. Grund- platte 1, Deckplatte 2 und Glasrohr 7 schliessen das Volumen 10 ein, in dem mit Hilfe des Gaseinlasses 11 und des Gasauslasses 12 die gewünschte Schutzgasatmosphäre, z. B. aus Stickstoff oder aus Stickstoff mit
Wasserstoff, aufrechterhalten werden kann. Die Deckplatte 2 trägt einen Aufsatz 13, in den die Halte- rung 14 eingeschraubt ist. Diese Halterung 14 besteht aus einem Anschlussrohr 15, an das eine (nicht ge- zeichnete) Vakuum-Pumpe angeschlossen wird.

   An ihrem unteren Ende trägt die Halterung 14 eine Ge- windehülse 16. Anschlussrohr 15 und Gewindehülse 16 bestehen aus einem hitzebeständigen Material,   z. B.   



   Chrom-Nickelstahl. Diese Gewindehülse ist von dem Heizkörper 17 mit der Heizwicklung 18 umgeben. 



   Die Anschlussdrähte der Heizwicklung sind, mit Durchführungen bekannter Bauart, beispielsweise durch die Deckplatte 2 nach draussen geführt. Diese Durchführungen sind nicht gezeichnet. In die Gewindehül- se 16 ist die Legierform 19 eingeschraubt. Diese Legierform 19 besteht beispielsweise aus hochreinem
Graphit oder aus Stahl ; die Einzelheiten ihrer Form werden weiter unten beschrieben. In der Legierform
19 ist eine Öffnung vorgesehen, in der ein Thermoelement 20 angebracht ist, dessen Anschlussdrähte 21 zu dem schematisch angedeuteten Messinstrument 22 führen. Mit Hilfe des Thermoelementes wird die
Temperatur der Legierform gemessen. Es kann dazu dienen, eine Temperaturregelung für die Legierform
19 in bekannter Weise zu steuern. Durch den von der nicht gezeichneten Vakuumpumpe erzeugten Un- terdruck wird der Halbleiterkörper 23 an der Legierform gehalten. 



   Die Grundplatte 1 ist mittels der Streben 24 an dem Sockel 25 befestigt, der seinerseits an das Fun- dament 26 geschraubt ist. In der Grundplatte 1 ist eine gerade Schwalbenschwanzfuhrung 27, die über die ganze Grundplatte von 28 bis 29 führt, vorgesehen. In der Mitte ist in ihr eine rechteckig geformte Vertiefung 30, in die der ebenfalls rechteckig geformte Stempel 31, dessen Form in Einzelheiten weiter unten erläutert wird, beweglich eingesetzt ist. Dieser Stempel 31 sitzt auf einem Stab 32, der durch eine Öffnung 33 beweglich durch die Grundplatte 1 gefuhrt ist. Dieser Stab 32 ist an seinem unteren Ende verdickt und wird von der   Hulse   34 geführt. Gegen Verdrehung um seine Achse ist er durch einen Stift 35, der sich in einer Aussparung 36 der Hülse 34 bewegen kann, gesichert.

   Mittels eines Hebels 37 kann der Stab 32 und somit der Stempel 31 in Richtung der Pfeile 38 auf und ab bewegt werden. Diese Bewegung wird durch die Schraube 39 im Zusammenwirken mit den beiden verstellbaren Anschlägen 40 und 41 nach unten und oben begrenzt. 



   Die Schwalbenschwanzführung 27 ist auch in dem Stempel 31 angebracht. Der untere Anschlag 41 ist so eingestellt, dass bei völlig herabgesenktem Stempel 31 die Schwalbenschwanzführung in der Grundplatte 1 und die in dem Stempel 31 fluchten, so dass ein entsprechend geformtes Materialstück von 28 über den Stempel 31 nach 29 in der Schwalbenschwanzführung 27 geschoben werden kann. Ein gegen die Kraft der beiden Federn 42 nach unten beweglicher Anschlag 43 sorgt, wie weiter unten beschrieben, für eine Sperrung der Schwalbenschwanzführung 27. 



   In Fig. 3, die eine teilweise Seitenansicht der Vorrichtung entsprechend Fig. l darstellt, ist eine Platte 44, auf der das Elektrodenmaterial 45 angeordnet ist, eingezeichnet, so dass erkennbar wird, wie diese Platten in der Schwalbenschwanzführung beweglich sind. Das Glasrohr 7 hat eine Aussparung 46, so dass die Platte 44 mitsamt dem Elektrodenmaterial 45 unter dem Rand des   Glasrohres   7 hindurchgeschoben werden kann. In der Fig. 3 ist das Elektrodenmaterial 45 und der Spalt zwischen der Platte 44 und dem Glasrohr 7 zur grösseren Deutlichkeit stark vergrössert gezeichnet. In Wirklichkeit ist dieser Spalt so schmal, dass durch ihn praktisch kein Schutzgas aus dem Inneren 10 der Vorrichtung nach aussen strömt. 



  (Die Platte 44 ist in den Fig. l, 2 und 4 nicht gezeichnet. Einzelheiten der Platte zeigen die Fig. 5 bis 7. )
In der Draufsicht nach Fig. 4 der Vorrichtung entsprechend Fig. 1 sind verschiedene Einzelheiten der grösseren Deutlichkeit halber fortgelassen. 

 <Desc/Clms Page number 4> 

 



   Die Fig.   5-7   zeigen in Seitenansicht (Fig. 5, 6) und Draufsicht, die Platte 44. Die abgeschrägten Flächen 47 sind der Form der Schwalbenschwanzführung 27 angepasst, auf ihrer Oberseite hat die Platte 44 eine Vertiefung 48, in der zwei Nieten 49 angeordnet sind. Diese Nieten verhindern, dass sich ein in die Vertiefung 48 eingelegter, nicht gezeichneter Halbleiterkörper (vgl. weiter unten) verschiebt. Ihr Abstand voneinander entspricht der Länge des Halbleiterkörpers und die Breite der Vertiefung 48 der Breite des Halbleiterkörpers. 



   In die Vertiefung 48 der Platte 44 kann auch das Elektrodenmaterial eingelegt werden, indem eine Glimmerplatte in die Vertiefung gelegt wird, deren Abmessungen denen des Halbleiterkörpers 23   entspre-   chen, so dass sie in der Vertiefung 48 durch die Nieten 49 genauso festgehalten wird, wie der Halbleiterkörper. Die Glimmerplatte enthält   Löcher,   in die in bekannter Weise das Elektrodenmaterial beispielsweise in Form von Kügelchen eingelegt wird (vgl. weiter unten). 
 EMI4.1 
 ten 44 so in die Schwalbenschwanzführung 27 geschoben werden, dass sie dicht aneinander geschoben den Anschlag berühren, gerade eine der Platten sich auf dem Stempel 31 befindet. 



   Die Fig. 8 und 9 zeigen Einzelheiten der Legierform 19, vgl.   Fig. 1.   Die Bohrung 51 dient zur Aufnahme des Thermoelementes 20. Drei Kanäle 52 verbinden das Innere des Anschlussrohres 15 mit einer Rinne 53, deren Form der des Halbleiterkörpers 23 entspricht. Durch diese drei Kanäle 52 wird wegen des in ihnen herrschenden Unterdruckes bei laufender Vakuumpumpe (vgl. oben) der Halbleiterkörper 23 in der Rinne 53 festgehalten. An ihrem unteren Ende sind die Kanäle 52 durch eine Rille 54 verbunden, die für einen eventuell nötigen Druckausgleich sorgt. 



   Die Fig. 10 und 11 zeigen in zwei Seitenansichten den Stempel 31, mit einer auf ihm befindlichen Platte 44. In der Vertiefung 48 liegt die Glimmerplatte 55, in deren Bohrungen das Elektrodenmaterial 45 angeordnet ist. Die Dicke der Glimmerplatte und die Grösse der   Elektrodenmaterial- Kügelchen   45 ist stark übertrieben gezeichnet ; in Wirklichkeit passen statt der gezeichneten drei Paare von Elektrodenmaterial-Kügelchen 45 wesentlich mehr solcher Paare auf die Glimmerplatte. Je eine Kugel der Paare bildet   z. B.   nach dem Legieren die Emitterelektrode eines Transistors, die andere   z. B.   die Basiselektrode, so dass mehrere Transistoren in einem Arbeitsgang hergestellt werden.

   (Der Halbleiterkörper 23 ist natürlich nach dem Legieren in Stücke zu brechen, von denen jedes zwei Elektroden hat.)
Die Fig.   12-14   zeigen eine andere Ausführungsform der Legierform, bei der gleichzeitig drei Halbleiterkörper 23 gehalten werden können. Für eine solche Legierform ist dann die Platte 44 grösser auszuführen, so dass auch auf ihr drei Halbleiterkörper bzw. drei Glimmerplatten mit Elektrodenmaterial angeordnet werden können. 



   In der Fig. 15 ist eine Ausführungsform des Stempels 31 gezeichnet, bei der er durch die Schraubenfeder 56 federnd auf dem Stab 32 gehalten wird. Wird dieser Stempel bei Betätigung des Hebels 37 (Fig. l) gegen die Legierform gedrückt, so dass bei entsprechender Einstellung des Anschlages 40 die Schraubenfeder 56 zusammengedrückt wird, so bestimmt die Spannung der Feder 56 den Andruck des Elektrodenmaterials 45 an den Halbleiterkörper 23. 



   Es folgt nun eine Beschreibung der Wirkungsweise der Vorrichtung. 



   Von 28 her werden Platten 44 in die Schwalbenschwanzführung eingeschoben, die abwechselnd mit einem Halbleiterkörper 23 und einer Glimmerplatte 55 mit Elektrodenmaterial 45 beschickt sind. Diese
Platten werden dicht aneinander geschoben, bis sie den Anschlag 43 berühren. Die Legierform 19 sei zunächst leer,   d. h.   es befindet sich kein   Halbleiterkörper   23 in ihr. In die Vorrichtung wird dann Schutzgas eingeleitet. Die Heizung der Legierform wird nunmehr in Betrieb gesetzt, bis die Legierform die notwendige Legiertemperatur für Germanium,   z. B. 600 - 7000C   erreicht hat. Auf dem Stempel 31 befindet sich gerade eine Platte 44 mit einem Halbleiterkörper 23.

   Dann wird die Vakuumpumpe angeschaltet und durch Betätigung des Hebels 37 der   Halbleiterkörper 23   in die Rinne 53 gehoben, wo er durch den von der Vakuumpumpe hervorgerufenen Unterdruck festgehalten wird und wegen seiner vergleichsweise sehr kleinen Wärmekapazität gegenüber der der Legierform sehr schnell die Temperatur der Legierform annimmt. Der Stempel wird wieder in seine untere Ruhelage zurückgebracht, der Anschlag 43 wird nach unten herausgezogen und die Platten werden in der Schwalbenschwanzführung in Richtung von 28 nach 29 weitergeschoben, bei 29 wird eine Platte entnommen, die Federn 42 ziehen den Anschlag 43 wieder in seine Ruhelage und die restlichen Platten werden in der Schwalbenschwanzführung wieder bis an den Anschlag 43 bewegt. Nunmehr befindet sich auf dem Stempel 31 eine Platte, die mit Elektrodenmaterial beschickt ist.

   Durch Betätigung des Hebels 37 wird der Stempel gehoben und so das Elektrodenmaterial auf den erhitzten   Halbleiterkörper 23   gebracht, wo es einlegiert. Dann wird die Vakuumpumpe ab- 

 <Desc/Clms Page number 5> 

 geschaltet und der Stempel in seine untere Ruhelage gebracht. Da der Halbleiterkörper 23 nach dem Ab- schalten der Vakuumpumpe nicht mehr an der Legierform 19 festgehalten wird, bleibt er mitsamt dem auflegierten Elektrodenmaterial 45 in der Vertiefung 48 der am Stempel 31 befindlichen Platte 44 liegen und kühlt sehr rasch ab. Dann werden bei 28 neue, beschickte Platten 44 eingeschoben und die Platten- kolonne in Richtung von 28 nach 29 um eine Plattenlänge weiter bewegt. Jetzt befindet sich also auf dem
Stempel 31 wieder eine Platte mit einem Halbleiterkörper 23 und der beschriebene Vorgang kann wieder- holt werden.

   Die in Fig. 3 gezeichnete Aussparung 46 des Glasrohres 7 ist über der Schwalbenschwanzfüh- rung auf der 29 zugewendeten Seite so ausgebildet, dass durch sie eine Platte 44 mit Elektrodenmaterial und Halbleiterkörper hindurchgeht. Da der Halbleiterkörper 23 relativ dünn ist, strömt durch diese Öff- nung, auch sofern sie nicht durch einen gerade in ihr befindlichen Halbleiterkörper nahezu verschlossen wird, praktisch nur sehr wenig Schutzgas aus. 



   Aus dem oben stehenden ist erkennbar, wie in kontinuierlicher Arbeitsweise bei 28 abwechselnd mit
Elektrodenmaterial 45 und Halbleiterkörpern 23 beschickte Platten 44 eingebracht werden, während bei
29 abwechselnd leere und mit einem fertig legierten Halbleiterkörper beschickte Platten 44 anfallen. 



   In dem vorstehenden wurde das Beispiel einer Ausführungsform einer Vorrichtung gemäss der Erfindung beschrieben, es bleibt dem Fachmann überlassen, verschiedene naheliegende Änderungen vorzunehmen.

Claims (1)

1. So wird z. B. in der beschriebenen Ausführungsform die Abdichtung der von der Schwalbenschwanzführung und den Aussparungen 46 gebildeten Öffnungen im wesentlichen durch die Platten 44 selbst erreicht. An diesen Stellen können jedoch Gasschleusen in bekannter Ausführungsform verwendet werden. Die Führung der Platten kann beispielsweise auf andere Weise als durch eine Schwalbenschwanzführung erfolgen. Es kann ferner auch der Stempel beheizt werden, so dass die in die Legierform eingebrachten Halbleiterkör- per bzw. das Elektrodenmaterial vorgewärmt werden. Es ist auch möglich, auf einen beweglichen Stem- pel zu verzichten und die Legierform beweglich auszubilden.

   Ferner können die Platten 44 gleichzeitig mit Elektrodenmaterial und Halbleiterkörpern beschickt werden und so Elektrodenmaterial und Halblei- terkörpergleichzeitig in die Legierform eingebracht werden. Ferner kann sich z. B. nach dem Aufbringen des Elektrodenmaterials auf den erhitzten Halbleiterkörper in der gleichen Legierform ein an sich bekannter Legierungs- oder Diffusionsprozess anschliessen ; dabei kann die Temperatur der Legierform einen vorgegebenen Verlauf ausführen. Wegen der geringen Wärmekapazität der Halbleiterkörper im Vergleich zu der der Legierform nehmen die Halbleiterkörper nach dem Einbringen in die Legierform sehr rasch deren Temperatur an. Auch kühlen sie sich nach dem Abnehmen sehr rasch ab, da der Stempel eine Temperatur hat, die weit unterhalb der Legiertemperatur liegt.

   Das Andrücken des Elektrodenmaterials dauert nur sehr kurze Zeit, so dass der gesamte Legiervorgang nur wenige Sekunden in Anspruch nimmt.

   Der Vorteil des beschriebenen Verfahrens besteht somit in einem sehr schnellen Verlauf des Auflegierens des Elektrodenmaterials auf den Halbleiterkörper, was für die Massenfertigung erwünscht ist.

   Ausserdem wird dadurch der Einfluss von im Schutzgas enthaltenen Verunreinigungen sehr gering. Das Verfahren zeigt eine sehr gute Reproduzierbarkeit und daraus resultiert ein geringer Ausschuss wegen fehlerhaft auflegierter Elektroden.

   PATENT ANSPRÜCHE : 1. Verfahren zum Aufschmelzen einer oder mehrerer Elektroden auf einen Halbleiterkörper unter Verwendung einer Legierform, deren Wärmekapazität gross in bezug auf die Wärmekapazität des Halbleiterkörpers ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Legierform (19) auf die Legiertemperatur erhitzt wird, und dann der oder die Halbleiterkörper (23) und das aufzuschmelzende Elektrodenmaterial (45) gleichzeitig oder nacheinander in die erhitzte Legierform (19) eingebracht werden, wobei das Elektrodenmaterial (45) auf den oder die Halbleiterkörper (23) gegebenenfalls unter Druck aufgebracht wird.

   2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur der Legierform (19) so gewählt wird, dass nach dem Aufschmelzen des Elektrodenmaterials (45) auf den Halbleiterkörper (23) ein an sich bekannter Legierungs- oder Diffusionsprozess stattfindet.

   3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der oder die Halbleiterkörper (23) durch Unterdruck in dem erhitzten Teil der Legierform (19) gehalten werden.

   4. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Legierform (19) zur Aufnahme des Halbleiterkörpers (23) und einen Stempel (31) zur Aufnahme des Elektrodenmaterials (45), wobei Stempel (31) und Legierform (19) relativ zueinander beweglich sind.

   5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens für die Legierform (19) ein <Desc/Clms Page number 6> Heizkörper (17) vorgesehen ist.

   6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Legierform (19) Kanäle besitzt, die zum Halbleiterkörper führen und in denen ein Unterdruck erzeugt werden kann, durch den der Halbleiterkörper gehalten wird.

   7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass Legierform (19) und Stempel (31) in einem Gefäss (7) angeordnet sind, und dass eine Einrichtung vorgesehen ist, um eine Schutzgasatmosphäre in dessen Inneren zu erzeugen und aufrecht zu halten.

   8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Einrichtung vorgesehen ist, um die Schutzgasatmosphäre im Inneren der Vorrichtung auch beim von aussen erfolgenden Einbringen der Halbleiterkörper (23) und des Elektrodenmaterials (45) in das Innere der Vorrichtung aufrecht zu halten.

   9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass bewegliche Platten (44), auf denen die Halbleiterkörper (23) und/oder das Elektrodenmaterial (45) angeordnet sind, vorgesehen sind, die in einer Führung dem Stempel (31) zugeführt werden, der seinerseits die Halbleiterkörper und das Elektrodenmaterial in die Legierform bringt.

   10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Gefäss (7) Aussparungen (46) besitzt, durch welche die Platten (44) mit darauf angeordneten Halbleiterkörpern (23) und/oder Elektrodenmaterial (45) von aussen, ohne dass dabei wesentliche Mengen von Schutzgas ausströmen, in das Innere der Vorrichtung gebracht werden können, wobei die Aussparungen (46) im wesentlichen durch die Platten (44) selbst abgedichtet werden.

   11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Stempel (31) selbst einen Teil der Führung bildet, durch die die Platten (44) auf den Stempel (31) und von ihm herunter geführt werden.

   12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Abmessungen von Stempel (31) und Platten (44) so aufeinander abgestimmt sind, dass der Stempel (31) jeweils gerade eine Platte (44) aufnehmen kann.