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Sichtmelder
EMI1.1
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durch die nichtlineare Kennlinie, sehr steil, und T wird infolge des Spannungsabfalls an R schlagartig ausgesteuert, obwohl durch die stark unsymmetrische Auslegung eine grosse Stromgegenkopplung infolge des Emitterwiderstandes auftritt. Durch die unsymmetrische Auslegung Ikg 3 Ikl wird er- reicht, dass der Ausgangstransistor auch nach dem Verschwinden des positiven Eingangssignals ausgesteuert bleibt (Spannung an UR2 < UR4). Das Eingangssignal braucht kein definierter Impuls zu sein. Es genügt, dass der durch den Spannungsabfall am gemeinsamen Emitterwiderstand bestimmte Eingangsschwellwert überschritten wird.
Da im Normalzustand der Transistor Tl ausgesteuert ist, wird der Ansprechwert der Schaltung sehr temperaturstabil sein (infolge der Gleichstromstabilisation von Tl). 50 kann die Schaltung auch als Messgrössenanzeiger verwendet werden. Das eventuell benötigte L-Signal wird am Transistor T abgegriffen.
Zur Rückstellung wird die Taste K gedrückt und der Transistor T durch den positiven Impuls des Kondensators C gesperrt.
In Netzschutzschaltungen ist es oft erforderlich. die Anzeige auch an andere Kontrollstellen zu übertragen. Um aber eine grösstmögliche Sicherheit für die Anzeige auch bei Ausfall einer Lampe zu haben, wird vorgeschlagen. vier Glühlampen in einer nach Fig. 2 gezeigten Schaltung zu verwenden. Fasst man zwei Lampen jeweils zu einer Anzeige zusammen (siehe Fig. 2), kann man leicht feststellen. ob auch an der andern Kontrollstelle die Anzeige erfolgt ist.
PATENTANSPRÜCHE : 1. Sichtmelder,'insbesondere für Meldung des Schaltzustandes in Transistorschutzrelaisschaltungen. bestehend aus einer über einen gemeinsamen Emitterwiderstand gekoppelten Kippschaltung mit zwei Transistoren gleichen Leitungstyps und einer Anzeigeglühlampe im Kollektorkreis des Ausgangstransistors, dadurch gekennzeichnet, dass das Kollektorstromverhältnis bei annähernd gleicher Grosssignalverstärkung der Transistoren (T,, T ?,) 2 < Ik2/Ikl 5 ist und der Koppelwiderstand zwischen Kollektor des Transistors (T) und der Basis des Transistors (Tz) ein nichtlineares Element, beispielsweise eine. Diode (D) ist.
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Visual indicator
EMI1.1
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due to the non-linear characteristic, very steep, and T is suddenly controlled due to the voltage drop across R, although the highly asymmetrical design results in a large negative current feedback due to the emitter resistance. The asymmetrical design Ikg 3 Ikl ensures that the output transistor remains controlled even after the positive input signal has disappeared (voltage at UR2 <UR4). The input signal does not need to be a defined pulse. It is sufficient that the input threshold value determined by the voltage drop across the common emitter resistor is exceeded.
Since the transistor T1 is activated in the normal state, the response value of the circuit will be very temperature-stable (due to the direct current stabilization of T1). 50 the circuit can also be used as a measured variable indicator. The possibly required L signal is tapped at transistor T.
To reset the button K is pressed and the transistor T is blocked by the positive pulse of the capacitor C.
It is often required in network protection circuits. to transmit the report to other control bodies. However, in order to have the greatest possible security for the display even if a lamp fails, it is proposed. to use four incandescent lamps in a circuit shown in FIG. If you combine two lamps into one display (see Fig. 2), you can easily determine. whether the report was also made at the other control point.
PATENT CLAIMS: 1. Visual indicator, 'especially for reporting the switching status in transistor protection relay circuits. consisting of a flip-flop, coupled via a common emitter resistor, with two transistors of the same conductivity type and an indicator light bulb in the collector circuit of the output transistor, characterized in that the collector current ratio is 2 <Ik2 / Ikl 5 with approximately the same large-signal amplification of the transistors (T ,, T?,) the coupling resistance between the collector of the transistor (T) and the base of the transistor (Tz) a non-linear element, for example a. Diode (D) is.