AT226768B - Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen

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  Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen 
 EMI1.1 
 

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   Bei Anwendung eines mechanischen Schneidverfahrens ist es zur mechanischen Festigung besonders günstig, wenn das Ausgangssystem vor dem Zerteilen in eine als Stützmaterial dienende Masse, insbeson- dere in einen Kunststoff, eingebettet wird. 



   Dieses Material kann, vor der Weiterbehandlung des abgetrennten Miniaturhalbleiterbauelements, durch geeignete Lösungsmittel wieder entfernt werden. Durch entsprechende Dimensionierung der Elektro- denanschlüsse am Ausgangssystem erhält man nach diesem Fertigungsverfahren ein fertig kontaktier- tes System, das mit seinen Anschlüssen direkt in ein dafür vorgesehenes Gehäuse eingelötet oder einge- schweisst werden kann. Ein solches System, wie es in Fig. 3 als Ausführungsbeispiel dargestellt ist, hat ausserdem noch den Vorteil, dass die Kapazitäten der Elektrodenzuführungen auf ein Minimum reduziert sind. 



   Es ist aber auch möglich, dass das vom Ausgangssystem abgeschnittene und in Fig. 2 dargestellte
Halbleiterbauelement mit dem Stützmaterial,   z. B.   dem Kunststoff, weiterverarbeitet wird. Es ist   z. B.   der Einbau in gedruckte Schaltungen möglich. Zu diesem Zweck wird das Halbleiterbauelement,   z. B.   der Transistor, nach den für solche gedruckte Schaltungen vorgegebenen Normmassen geformt. 



   Das nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellte Halbleiterbauelement, insbesondere das
Transistorsystem, kann auch nach dem Ätzen und Abdecken der Schneidflächen in bekannter Weise in ein Gehäuse eingebaut werden, das neben dem Transistorsystem auch noch Bestandteile der gedruckten Schaltung beinhaltet. Es kann also das Transistorsystem mit andern Bauelementen, also z. B. Widerständen und Dioden zusammen, in ein vakuumdichtes Gehäuse eingebaut werden. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit mehreren Elektroden,   z. B.   von Transistoren,   dadurch gekennzeichnet, dass zunächst ein Ausgangssystem   mit einer der gewünschten Elektrodenzahl entsprechenden Zahl von Elektroden - das sind diejenigen metallisch leitenden Teile, die sich unmittelbar an die halbleitende Zone   anschliessen-hergestellt wird,   das sich in einer Richtung etwa geradlinig erstreckt, und dass danach das Ausgangssystem durch mindestens einen durch alle Elektroden verlaufenden Schnitt etwa senkrecht zu der Längsrichtung des Ausgangssystems in mehrere Halbleiterbauelemente zerteilt wird.

Claims (1)

  1. 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass das Ausgangssystem vor seinem Zerteilen in eine Masse, insbesondere in Kunststoff, eingebettet wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass eine Einbettungsmasse verwendet wird, die als an sich bekannte Schutzumhüllung auf dem abgeschnittenen Halbleiterbauelement verbleibt.
    4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Schnittflächen in an sich bekannter Weise geätzt und mit einer Schutzschicht versehen werden.
AT557860A 1959-08-26 1960-07-20 Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen AT226768B (de)

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