TWI523066B

TWI523066B - Substrate processing methods

Info

Publication number: TWI523066B
Application number: TW100117590A
Authority: TW
Inventors: Atsushi Miyanari
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2010-06-10
Filing date: 2011-05-19
Publication date: 2016-02-21
Also published as: TW201220350A; JP5671265B2; JP2011258841A

Description

基板之加工方法

本發明係有關一種基板之加工方法，更詳細而言，係有關一種在半導體晶圓等基板黏貼上支撐體之基板之加工方法。

薄型半導體矽晶片，例如，藉由將高純度矽單結晶切薄作成矽晶圓後，利用光阻劑在矽晶圓表面形成指定之電路圖案，其次，在所得到之半導體晶圓之裡面施以研削加工之後，對研削至指定之厚度之半導體晶圓施以切割加工而晶片化，而被製造出來。在此類之製造工程，因為薄板化之矽晶圓本身脆弱且容易破損，所以有必要對此予以補強。再者，也有必要防止由於例如研削加工所產生之研磨屑等會污染在矽晶圓表面所形成之電路圖案之情事。於是，作為防止矽晶圓破損、保護矽晶圓表面之電路圖案之方法，習知有：對矽晶圓在用黏接劑層暫時留存支撐體之狀態下予以研削加工，其後，剝離支撐體之手法(例如，參照專利文獻1、及專利文獻2)，以及，在矽晶圓表面之電路圖案面黏貼上具備黏接劑層之黏貼片之狀態下進行研削加工，其後，剝離黏貼片之手法(例如，參照專利文獻3、及專利文獻4)等。

此外，習知為了良好地保持研削加工結束後矽晶圓之平坦度，而在對矽晶圓塗布黏接劑後，在黏貼至保持板之前，以跨及矽晶圓外周部附近全周使矽晶圓內部之塗布厚度變得更薄之方式部分地除去黏接劑之手法(例如，專利文獻5)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平7-224270號公報(1995年8月22日公開)

[專利文獻2]日本專利特開平9-157628號公報(1997年6月17日公開)

[專利文獻3]日本專利特開2003-173993號公報(2003年6月20日公開)

[專利文獻4]日本專利特開2001-279208號公報(2001年10月10日公開)

[專利文獻5]日本專利特開2001-189292號公報(2001年7月10日公開)

近年，對於電子機器小型化、薄型化、以及高功能化之期待增加。其中，作為例如System in Package(SiP)之電極(bump)與電路基板之配線方法方面，取代從前主流之wire‧bonding技術，而著眼於貫通電極形成技術。貫通電極形成技術，係一種採用層積形成貫通電極之晶片，在晶片之裡面形成凸塊(bump)之手法之技術。適用該貫通電極形成技術上，有必要在研削至指定厚度之半導體晶圓形成貫通電極，製造具備貫通電極之晶片。因此，有必要經過包含高溫過程以及高真空過程等多數工程。

在利用黏接劑使矽晶圓與支撐板貼合之狀態下將矽晶圓研削並薄板化，其後，經過高溫過程以及高真空過程等工程之從前之加工方法，會出現或是在經過高溫過程以及高真空過程等工程之後會在黏接劑層引起發泡，因此造成污染真空室等之場合；或是在經過高溫過程以及高真空過程等工程後從矽晶圓剝離支撐板時，黏接劑層之溶解變得困難之場合。

於是，本發明有鑑於上述問題點，其目的在於提供一種可以讓經過高溫過程以及高真空過程等之工程之後所產生之起因於黏接劑層之不良情形使之減低之基板之加工方法。

關於本發明之基板之加工方法，為解決上述課題包含在支撐板中介黏接劑層將基板黏貼上之黏貼工程，與對於被黏貼在該支撐板之該基板施以加熱處理以及真空處理之中之至少一方之加工工程等之基板之加工方法，其構成係進而包含在上述黏貼工程之後在上述加工工程之前，除去從上述基板之周緣部突出之部分之上述黏接劑層之除去工程。

如以上方式，關於本發明之基板之加工方法，係能夠在支撐板中介黏接劑層黏貼上基板之黏貼工程、與施以加熱處理以及真空處理之中之至少一方之加工工程之期間，因為將從基板之周緣部突出之部分之黏接劑層除去，而使所謂來自黏接劑層之發泡、或黏接劑層之硬化等，起因於黏接劑層之不良情形之發生減低。

〈1.本發明之背景〉

首先，針對到使本發明完成為止之背景加以說明。

本發明人等，檢討了黏接劑層發生發泡、或黏接劑層之溶解變得困難等不適情況之原因，考慮到這些不良情形可能起因於從基板之周緣部突出之部分之黏接劑層。於是發現，在經過高溫過程以及高真空過程等工程之前，除去了從基板之周緣部突出之部分之黏接劑層後，能夠減低黏接劑層之發泡或黏接劑層溶解之阻礙。

針對會在黏接劑層引起發泡、或黏接劑層之溶解變得困難等不良情形發生之機構，參照圖2並加以說明。

圖2係顯示從前在矽晶圓加工下各工程之狀態之、矽晶圓之端部附近之剖面圖。圖2，係顯示從將矽晶圓黏貼上支撐板後到施以真空電漿處理後之狀態。圖2(a)，係顯示在支撐板之玻璃板12中介黏接劑層13黏貼上矽晶圓11之狀態。如圖2(a)所示，中介黏接劑層13將矽晶圓11黏貼上玻璃板12之後，形成黏接劑層13之周緣部從矽晶圓11之周緣部突出之型態。因此，矽晶圓11之端部係在黏接劑層13上被保護著。這是因為，在研削矽晶圓11時，矽晶圓11之端部未受到黏接劑層13保護時，在矽晶圓11之端部容易產生破裂或缺陷等破損的緣故。因此，要使矽晶圓11之端部結實地固定於黏接劑層13。圖2(b)係顯示對圖2(a)之矽晶圓11施以研削處理之後之狀態。之後，如圖2(c)所示，被研削加工之矽晶圓11，為了形成貫通電極，會經過伴隨加熱處理之高溫過程、或被施以電漿處理之高真空過程。此時，也對黏接劑層13之從矽晶圓11之周緣部突出之部分(以下，簡稱突出部)15施以各處理。結果，例如圖2(d)所示，得到從被施以加熱處理或真空電漿處理之突出部分15引起之發泡或變質。或者，由上述各處理導致突出部分15之黏接劑層13變質之場合也是有的。例如，因變質導致突出部分15之黏接劑層13硬化。必須在進行切割矽晶圓11之前將黏接劑層13溶解後將玻璃板12從矽晶圓11剝離，但是，由於黏接劑層13硬化，導致黏接劑層13不易被溶解，結果，變成玻璃板12剝離不易。

在此類之狀況下，本發明人等，成功地藉由除去從基板周緣部突出之部分之黏接劑層，減低由黏接劑層之發泡、及變質所導致之溶解黏接劑層之阻害，達到使本發明完成。

針對關於本發明之基板之加工方法之一實施型態，以下，詳細地加以說明。

〈2.關於本發明之基板之加工方法〉

本發明之基板之加工方法，包含在支撐板中介黏接劑層將基板黏貼上之黏貼工程，與對於被黏貼在支撐板之基板施以加熱處理以及真空處理之中之至少一方之加工工程之基板之加工方法，其構成進而包含在黏貼工程之後在加工工程之前，除去從基板之周緣部突出之部分之黏接劑層之除去工程。更詳細而言，此構成係在黏貼工程後之加工工程之前，進而包含利用研削將基板薄板化之薄化工程，薄化工程則在除去工程之前或者之後被進行。

本實施型態中，用作晶圓支撐系統(wafer support systems)，舉出利用黏接劑暫時地黏貼於支撐板之玻璃板(支撐板)之對矽晶圓(基板)之加工為例參照圖1加以說明，但是，並不受限定於此。

又，本說明書之「支撐板」，係在研削矽晶圓時，用以保護而藉由使矽晶圓貼合，使因研削所薄板化之矽晶圓不產生龜裂或彎曲而暫時地被採用之支撐板。

此外，本說明書之「從基板周緣部突出之部分」，係指從基板周緣部伸出之部分，跨越基板周緣部全部而伸出之場合，該伸出之部分全部，就是「突出之部分」。又，「從基板周緣部突出之部分」，也能表現為「在被黏貼於支撐板之基板之露出面之法線方向之投影，一部份是接在基板周緣部之、不與基板重複之部分」。

圖1係顯示各工程下之玻璃板、矽晶圓以及黏接劑層之狀態之，矽晶圓端部附近之剖面圖。按工程順序以(a)~(e)顯示。

[黏貼工程]

黏貼工程，係中介黏接劑層將矽晶圓黏貼上玻璃板之工程。

黏貼工程中，首先，在矽晶圓之電路形成面塗布黏接劑。塗布係可舉出採用例如旋轉器(spinner)之方法。作為黏接劑，係能夠採用對於非極性溶劑顯示溶解性之黏接化合物、或者對於高極性溶劑顯示溶解性之黏接化合物。藉由採用該等黏接化合物，黏接劑層，可以利用非極性溶劑或者高極性溶劑加以溶解，從矽晶圓將玻璃板剝離。

作為顯示非極性溶劑溶解性之黏接化合物，可舉例如碳氫化合物(hydrocarbon)樹脂。作為碳氫化合物樹脂，可舉例如具有由環烯烴(cycloolefin)所誘導之構成單位之樹脂、萜烯樹脂(terpene resin)等，但是，並不受限定於此。此外，作為具有由環烯烴所誘導之構成單位之樹脂可例舉環烯烴系聚合物(以下，有簡稱「樹脂(A)」)，但是並不受限定於此。

作為樹脂(A)，係由聚合包含環烯烴系單體(a1)之單體(monomer)成分而構成之樹脂。具體而言，包含環烯烴系單體(a1)之單體成分之開環(共)聚合體(ring-opening copolymerization)、使包含環烯烴系單體(a1)之單體成分加成(共)聚合之樹脂等。

作為構成樹脂(A)之單體成分所包含之環烯烴系單體(a1)，可舉例如降冰片烯(norbornene)、降冰片二烯(norborna-diene)等之二環體，二環戊二烯(dicyclopentadiene)、二羥基戊二烯(dihydroxypentadien)等之三環體，四環十二碳烯(tetracyclododecene)等之四環體、環戊二烯(cyclopentadiene)三量體等之五環體、四環戊二烯(tetracyclopentadiene)等之七環體、或者該等多環體之烷基(甲基、乙基、丙基、丁基等)置換體、鏈烯基(乙烯基等)置換體、亞烷基(亞乙基等)置換體、芳基(苯基、甲苯基、萘基等)置換體等。即使在該等之中，也如下記一般式(I)所示之，以降冰片烯、四環十二碳烯、或者從該等之烷基置換體所構成之群所選擇之降冰片烯系單體特佳。

[化學式1]

(化學式(I)中，R₁~R₂係各自獨立並且氫原子或碳數1~5之烷基，n為0或1。)

構成樹脂(A)之單體成分，亦可含有能和環烯烴系單體(a1)共聚合之其他單體，例如，最好是下記一般式(II)所示之也含有鏈烯單體(alkene monomer；a2)者。作為鏈烯單體(a2)，例如，可舉出乙烯、α-烯烴(α-olefin)等。鏈烯單體(a2)，可以是直鏈狀，或是分歧狀。

[化學式2]

(化學式(II)中，R₃~R₆係各自獨立並且氫原子或碳數1~5之烷基。)

構成樹脂(A)之單體成分，最好是其50質量百分比以上為環烯烴系單體(a1)，而60質量百分比以上為環烯烴系單體(a1)更好。環烯烴系單體(a1)為單體成分全體之50質量百分比以上時，會使高溫環境下的黏接強度較佳。

又，樹脂(A)，例如，使上述化學式(I)所示之環烯烴系單體(a1)與上述化學式(II)所示之鏈烯單體(a2)所構成之單體成分聚合而成之樹脂，雖是不具有極性基之樹脂，但在抑制高溫下發生氣體方面較佳。

針對聚合單體成分時之聚合方法或聚合條件等，並無特別限制，只要依照常法適當設定即可。

能夠用作樹脂(A)之市售商品，例如，可舉出Polyplastics(股)公司製之「TOPAS」、三井化學(股)公司製之「APEL」、日本Zeon(股)公司製之「ZEONOR」或「ZEONEX」、JSR(股)公司製之「ARTON」等。

樹脂(A)之玻璃轉移點(Tg)，最好是在60℃以上。特別是，樹脂(A)之玻璃轉移點(Tg)在70℃以上尤佳。樹脂(A)之玻璃轉移點在60℃以上時，能夠讓黏接劑組成物被暴露於高溫環境時抑制黏接層軟化。

萜烯系樹脂(以下，簡稱「樹脂(B)」)方面，例如，可舉出萜烯樹脂、萜烯苯酚(terpenephenol)樹脂、變性萜烯樹脂、氫化萜烯樹脂、氫化萜烯苯酚樹脂(hydrogenated terpenephenol reisn)等。該等之中，也以氫化商烯樹脂較佳。

樹脂(B)之軟化點在80~160℃是重要的。樹脂(B)之軟化點低於80℃時，會造成黏接劑組成物被暴露於高溫環境時軟化，產生黏接不良。另一方面，樹脂(B)之軟化點超過160℃時，則使剝離黏接劑組成物時之剝離速度變慢。

樹脂(B)之分子量在300~3,000是重要的。前述樹脂(B)之分子量低於300時，耐熱性變得不充分，在高溫環境下脫氣量會變多。另一方面，樹脂(B)之分子量超過3,000時，會使剝離黏接劑組成物時之剝離速度變慢。又，本發明之樹脂(B)之分子量，係意指按凝膠‧滲透‧色層分析法(GPC)被測定之聚苯乙烯換算之分子量。

樹脂(A)以及樹脂(B)可以是分別單獨採用，或是混合採用。混合採用之場合，樹脂(A)與樹脂(B)之配合比，係(A)：(B)=80：20~55：45(質量比)。樹脂(A)比該範圍還要過多時(換言之，樹脂(B)比該範圍還過少時)，剝離黏接劑組成物時之剝離速度會變慢；另一方面，樹脂(A)比該範圍還要過少時(換言之，樹脂(B)比該範圍還過多時)，會造成黏接劑組成物被暴露於高溫環境時軟化，產生黏接不良。

此外，作為對高極性溶劑顯示溶解性之黏接化合物，例如，可舉出膠原蛋白縮氨酸(collagen peptide)、纖維素(cellulose)、聚乙烯醇(PVA)、澱粉等，但是，並不受限定於此。

膠原蛋白縮氨酸，係能夠藉由使從聚縮氨酸鏈會合成螺旋狀之膠原蛋白分子利用加熱而變性，並藉由將螺旋的一部份解開後明膠化之物加水分解而生成。膠原蛋白分子方面，可適於使用由哺乳類而來之膠原蛋白分子及由魚類而來之膠原蛋白分子。此外，膠原蛋白分子方面，係能採用一般市售之物，但是，以被生成之膠原蛋白縮氨酸之極性溶媒所相對之溶解速度在100~300nm/sec如此的膠原蛋白分子較佳；而以200nm/sec之膠原蛋白分子尤佳。

黏接劑層之厚度，因應矽晶圓表面所形成之電路凹凸而決定即可。又，黏接劑之塗布量，最好是在施以研削加工之後述之薄化工程，以形成矽晶圓之端部會被固定於黏接劑層上之狀態之方式被調節。

其次，採用黏貼機，在黏接劑層被形成之矽晶圓黏貼上玻璃板。如圖1(a)所示，在中介黏接劑層3將矽晶圓1黏貼上玻璃板2之後，形成黏接劑層3之周緣部從矽晶圓1之周緣部突出之狀態。一般而言，會形成黏接劑層3之全周緣部從矽晶圓1之周緣部突出之狀態。亦即，形成矽晶圓1之全周緣部在比黏接劑層3之周緣部還要內側之狀態。藉此，即使在後述薄化工程下的研削，也能讓矽晶圓1之端部維持結實地被固定於黏接劑層3之狀態。

又，黏貼工程，如果是指在玻璃板2中介黏接劑層3黏貼上矽晶圓1之工程，則並不受限定於上述方法，例如，在玻璃板2塗布黏接劑，並將矽晶圓1之表面黏貼上此處之方法亦可。

[薄化工程]

薄化工程，係將中介黏接劑層3被黏貼上玻璃板2之矽晶圓1之裡面(露出面)用研磨機(grinder)加以研削，把矽晶圓1加工到指定厚度之工程。

圖1(b)係顯示研削矽晶圓1並予以薄板化後之狀態。如圖1(b)所示，即使在施以研削加工後，矽晶圓1之端部係受黏接劑層3保護著，更詳細而言，形成被埋入黏接劑層3之狀態。亦即，對矽晶圓1施以研削加工期間，矽晶圓1之端部也是利用黏接劑層3而被固定著，端部不搖晃地保持安定之狀態。藉此，能在研削加工時，防止在矽晶圓1之端部發生破裂或缺損。

[除去工程]

除去工程，係除去從矽晶圓1周緣部突出之部分之黏接劑層3之工程。在此，針對利用研削加工在薄板化矽晶圓1之後進行除去工程之場合加以說明。

作為除去突出之部分之黏接劑層3之方法方面，例如，可舉出將突出之部分之黏接劑層3利用溶劑予以溶解而除去之方法、採用切割器或刮刀等將突出之部分物理地切斷除去之方法、利用大氣壓下之灰化(ashing)將突出之部分之黏接劑層3除去之方法等。其中，從強度之觀點，以將突出之部分之黏接劑層3利用溶劑予以溶解而除去之方法較佳。

藉由用溶劑溶解黏接劑層3，將突出之部分之黏接劑層3溶解而除去之方法，被採用之溶劑只要得以溶解黏接劑層3則並不特別被限定，業者能因應黏接劑層3之組成而適當選擇。例如，黏接劑層3若是採用碳氫化合物系之黏接劑而形成者，溶劑方面能夠採用p-薄荷烷(p-menthane)、或d-檸檬烯(d-limonene)等之萜烯系溶劑；黏接劑層3若是採用丙烯基(acryl)系或者馬來醯亞胺(maleimide)系之黏接劑而形成者，溶劑方面能夠採用丙烯乙二醇單甲基醚醋酸鹽、環己酮(cyclohexanone)、2-庚酮(heptanone)、醋酸乙基、或甲基乙基酮等。

作為使突出之部分之黏接劑層3接觸溶劑之方法，例如，可舉出利用噴出溶劑，對突出之部分之黏接劑層3供給溶劑之方法，使中介黏接劑層3而被黏貼上玻璃板2之矽晶圓1浸漬於溶劑中之方法。

作為利用噴出溶劑，對突出之部分之黏接劑層3供給溶劑之方法，為了對突出之部分之黏接劑層3均一地供給溶劑，最好是邊使矽晶圓1旋轉，邊對突出之部分之黏接劑層3供給溶劑之方法。作為邊使矽晶圓1旋轉，邊供給溶劑之方法，例如有：將噴出溶劑之噴嘴配置於矽晶圓1中心部之正上方，將溶劑於矽晶圓1之中心位置滴下之後或者邊滴下，邊用旋轉器使被黏貼上玻璃板2之矽晶圓1高速旋轉並利用離心力使溶劑遍布於矽晶圓1之周緣部全體之方法。利用該方法，能夠對從矽晶圓1周緣部突出之任何部分之黏接劑層3都均一地供給溶劑。此外，作為另一方法，係藉由將噴出溶劑之噴嘴配置於矽晶圓1周緣部接近外側之正上方，邊將溶劑於矽晶圓1周緣部接近外側滴下，邊用旋轉器使被黏貼上玻璃板2之矽晶圓1旋轉，而使溶劑供給到矽晶圓1之全周緣部接近外側之方法。利用該方法，也能夠對從矽晶圓1周緣部突出之任何部分之黏接劑層3都均一地供給溶劑。又，將噴出溶劑之噴嘴配置於矽晶圓1周緣部接近外側之正上方之場合，對於所配置之噴嘴數並無限制，1個以上即可。

在伴隨矽晶圓旋轉及溶劑噴出之上述方法，矽晶圓1之旋轉速度、從噴嘴供給溶劑時之溶劑流量、及溶劑之供給時間，會因應形成黏接劑層之黏接劑組成、黏接劑層3之厚度、突出部分之黏接劑層3之大小(突出部分之從矽晶圓1周緣部開始的距離)、所使用之溶劑種類、以及除去程度等之不同而得以有所不同，該業者當能沒有困難地檢討及決定其最適條件。

在藉由用溶劑溶解黏接劑層3，而將突出之部分之黏接劑層3溶解後除去之方法之場合，最好是在除去了突出之部分之黏接劑層3之後，將被黏貼上玻璃板2之矽晶圓1予以乾燥。藉由經過乾燥工程，能夠將不要的溶劑、侵入並非除去對象部分之黏接劑層3之溶劑予以除去。

作為乾燥方法，可舉出藉由採用旋轉器等使矽晶圓1旋轉之甩脫乾燥、利用N₂等噴霧之吹風機(air blower)乾燥、用烘烤之乾燥、或用減壓之乾燥等。又，作為該等之乾燥方法，單獨地採用任一種方法之方法、或採用任意2個以上方法組合而使之乾燥之方法，哪一種都是可以的。

將包含乾燥工程之除去工程之一實施例說明於以下。本實施例中，將降冰片烯與乙烯用芳環烯金屬衍生物觸媒予以共聚合之環烯烴共聚物(Polyplastics(股)公司製「TOPAS(商品名)8007」、降冰片烯：乙烯=65：35(重量比)，玻璃轉移點：70℃，Mw：98,200，Mw/Mn：1.69，熱分解溫度：459℃)，使之溶解於p-薄荷烷，將該固形分濃度25重量百分比之黏接劑組成物用作黏接劑。中介利用該黏接劑被形成之厚度140μm之黏接劑層3而被黏貼上玻璃板2之矽晶圓1，針對黏接劑層3跨及矽晶圓1全周緣部而突出之矽晶圓1，將該突出之部分之黏接劑層3採用p-薄荷烷予以除去。首先，一邊從配置於矽晶圓1周緣部接近外側之正上方之溶劑噴出用之噴嘴以40ml/min之流量並且供給溶劑，一邊以1500rpm使矽晶圓1旋轉10分鐘。其次，停止供給溶劑，使矽晶圓1乾燥。乾燥，係將以100℃、160℃及220℃之烘烤按該順序各進行6分鐘，而且，該期間係在使矽晶圓1旋轉下實施。之後，將矽晶圓1移至冷卻板(cooling plate)，加固(pin up)後慢慢冷卻3分鐘。藉此，能夠僅除去從矽晶圓1突出之部分之黏接劑層3。

又，除去工程最好是在薄化工程之後進行，但是，也可以在薄化工程之前進行。該場合，為了在正進行薄化工程當中確保矽晶圓1的端部是結實地被固定於黏接劑層3之狀態，有必要以讓黏接劑層3之突出之部分以外不會被除去之方式進行除去黏接劑層3。因此，有必要嚴密地調節例如溶解黏接劑層3之溶劑之供給。

[加工工程]

加工工程，為了在薄板化矽晶圓1之後，進行用以在矽晶圓1形成貫通電極之裡面加工，對於中介黏接劑層3被黏貼上玻璃板2之矽晶圓1，施以伴隨加熱處理及真空處理之中之至少一方之加工之工程。在此，加熱處理，係意圖加熱100℃以上。此外，真空處理，係意圖進行減壓乾燥。任何一種處理，都會促使黏接劑層3發泡或變質。

伴隨加熱處理之加工方面，可舉例光刻(lithography)工程、洗淨工程、及回流(reflow)工程等。

伴隨真空處理之加工方面，可舉例電漿化學氣相層積法(電漿CVD)及蝕刻‧灰化等之真空電漿處理。

圖1(c)係顯示在研削矽晶圓1後將從矽晶圓1周緣部突出之部分之黏接劑層3除去之後之狀態。如圖1(c)所示，除去工程之後，黏接劑層3就未從矽晶圓1周緣部突出。因此，如圖1(d)所示方式例如在對矽晶圓1施以真空電漿處理時，直接接觸到電漿之黏接劑層3之部分變少。黏接劑層3之發泡或變質，係容易產生在直接接觸到電漿之部分。從而，藉由除去工程藉由去掉從矽晶圓1突出之黏接劑層3之部分，能夠抑制黏接劑層3之發泡或變質。此外，對矽晶圓1施以加熱處理之場合，也是因為沒有了加熱容易引起發泡或變質之黏接劑層3之突出之部分，所以能夠抑制黏接劑層3之發泡或變質。

從而，關於本發明之加工方法，係藉由經過除去工程，而實現使加熱處理或真空處理所引起之黏接劑層之不良減低。

本發明並不受限定於上述實施型態，在申請專利範圍所示之範圍內可以進行種種變更。亦即，針對申請專利範圍所示的範圍內進行適當變更的技術手段組合而得之實施型態，也被包含於本發明之技術範圍。

[產業上利用可能性]

本發明，係能夠適用於經過高溫過程或者高真空過程之半導體晶圓或者晶片之加工工程。

1．．．矽晶圓(基板)

2．．．玻璃板(支撐板)

3．．．黏接劑層

11．．．矽晶圓

12．．．玻璃板

13．．．黏接劑層

14．．．發泡

15．．．突出部分

圖1係顯示本發明一實施型態在各工程下各構成主要部分之狀態之剖面圖。

圖2係顯示從前的加工方法在各工程下各構成主要部分之狀態之剖面圖。

1．．．矽晶圓(基板)

2．．．玻璃板(支撐板)

3．．．黏接劑層

Claims

一種基板之加工方法，包含在支撐板中介黏接劑層將基板黏貼上之黏貼工程，與對於被黏貼在該支撐板之該基板施以加熱處理以及真空處理之至少一方的加工工程之基板之加工方法，其特徵為：進而包含在上述黏貼工程之後在上述加工工程之前，除去從上述基板之周緣部突出之部分之上述黏接劑層之除去工程，以及利用研削將上述基板薄板化之薄化工程；在上述黏貼工程，藉由將上述基板黏貼在上述支撐板，讓上述基板之全周緣部成為比上述黏接劑層之周緣部位於更內側；上述薄化工程，係於上述除去工程之前進行，在該薄化工程，利用上述研削，讓上述基板之端部成為被埋入上述黏接劑層。
如申請專利範圍第1項記載之基板之加工方法，其中上述除去工程中，係利用由溶劑所造成之上述黏接劑層之溶解，而除去上述突出之部分之上述黏接劑層。
如申請專利範圍第2項記載之基板之加工方法，其中上述除去工程中，係一邊使上述基板旋轉，一邊對上述突出之部分之上述黏接劑層供給上述溶劑。
如申請專利範圍第2或3項記載之基板之加工方法，其中上述除去工程中，係將上述突出之部分之上述黏接劑層除去了之後，予以乾燥。