TW202311315A - 抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法 - Google Patents

抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202311315A
TW202311315A TW111129190A TW111129190A TW202311315A TW 202311315 A TW202311315 A TW 202311315A TW 111129190 A TW111129190 A TW 111129190A TW 111129190 A TW111129190 A TW 111129190A TW 202311315 A TW202311315 A TW 202311315A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
hydrocarbon group
formula
carbons
carbon atoms
Prior art date
Application number
TW111129190A
Other languages
English (en)
Inventor
中村広夢
市川幸司
Original Assignee
日商住友化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商住友化學股份有限公司 filed Critical 日商住友化學股份有限公司
Publication of TW202311315A publication Critical patent/TW202311315A/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/04Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
    • C08F212/14Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring substituted by heteroatoms or groups containing heteroatoms
    • C08F212/22Oxygen
    • C08F212/24Phenols or alcohols
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/04Acids; Metal salts or ammonium salts thereof
    • C08F220/06Acrylic acid; Methacrylic acid; Metal salts or ammonium salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/281Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing only one oxygen, e.g. furfuryl (meth)acrylate or 2-methoxyethyl (meth)acrylate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • C08F220/26Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/28Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • C08F220/282Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety and containing two or more oxygen atoms
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0384Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the main chain of the photopolymer
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

本發明的目的在於提供一種可製造缺陷少且具有良好的CD均勻性的抗蝕劑圖案的抗蝕劑組成物。一種抗蝕劑組成物,含有:(A1)樹脂,包含式(I)所表示的結構單元及式(II)所表示的結構單元、且不具有酸不穩定基;(A2)樹脂,具有酸不穩定基;以及酸產生劑。
Figure 111129190-A0101-11-0001-1
[式中,R 1及R 2分別表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的烷基。X 1及X 2分別表示單鍵或*-CO-O-。L 1表示單鍵或可具有取代基的烴基,該基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。環W表示可具有取代基的烴環。mi及mk表示1~4的整數。L 2表示單鍵或可具有取代基的烴基,該基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。]

Description

抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
本發明是有關於一種抗蝕劑組成物及使用該抗蝕劑組成物的抗蝕劑圖案的製造方法等。
於專利文獻1中記載有一種含有僅包含下述結構單元的樹脂、具有酸不穩定基的樹脂、以及酸產生劑的抗蝕劑組成物。
Figure 02_image003
另外,於專利文獻1中亦記載有一種含有具有下述結構單元的樹脂、具有酸不穩定基的樹脂、以及酸產生劑的抗蝕劑組成物。
Figure 02_image005
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-304537號公報
[發明所欲解決之課題]
課題在於提供一種相較於由所述抗蝕劑組成物所形成的抗蝕劑圖案,形成缺陷更少、且CD均勻性(critical dimension uniformity,CDU)更良好的抗蝕劑圖案的抗蝕劑組成物。 [解決課題之手段]
本發明包含以下發明。 〔1〕一種抗蝕劑組成物,含有: (A1)包含式(I)所表示的結構單元及式(II)所表示的結構單元、且不具有酸不穩定基的樹脂; (A2)具有酸不穩定基的樹脂;以及 酸產生劑。
Figure 02_image007
[式(I)中, R 1表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 X 1表示單鍵或*-CO-O-。*表示與R 1所鍵結的碳原子的鍵結部位。 L 1表示單鍵或可具有取代基的碳數1~28的烴基,該烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。 環W表示可具有取代基的碳數3~18的烴環。 mi表示1~4的任一整數。]
Figure 02_image009
[式(II)中, R 2表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 X 2表示單鍵或*-CO-O-。*表示與R 2所鍵結的碳原子的鍵結部位。 L 2表示單鍵或可具有取代基的碳數1~28的烴基,該烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。 mk表示1~4的任一整數。] 〔2〕如〔1〕所述的抗蝕劑組成物,其中環W為由式(w1-1)~式(w1-3)、式(w1-6)、式(w1-15)、式(w1-22)及式(w1-23)的任一者表示的環。
Figure 02_image011
[式(w1-1)~式(w1-3)、式(w1-6)、式(w1-15)、式(w1-22)及式(w1-23)中, 該環可具有取代基。鍵結部位為任意的位置。] 〔3〕如〔1〕或〔2〕所述的抗蝕劑組成物,其中L 1為單鍵、可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基(該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)或可具有取代基的碳數1~4的鏈式烴基與可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基組合而成的基(該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)。 〔4〕如〔1〕至〔3〕中任一項所述的抗蝕劑組成物,其中L 2為可具有取代基的碳數1~9的鏈式烴基(該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)或可具有取代基的碳數3~16的環狀烴基(該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)。 〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一項所述的抗蝕劑組成物,其中具有酸不穩定基的樹脂包含選自由式(a1-0)所表示的結構單元、式(a1-1)所表示的結構單元及式(a1-2)所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種。
Figure 02_image013
[式(a1-0)、式(a1-1)及式(a1-2)中, L a01、L a1及L a2分別獨立地表示-O-或*-O-(CH 2) k1-CO-O-,k1表示1~7的任一整數,*表示與-CO-的鍵結部位。 R a01、R a4及R a5分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 R a02、R a03及R a04分別獨立地表示碳數1~8的烷基、碳數3~18的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或將該些組合而成的基。 R a6及R a7分別獨立地表示碳數1~8的烷基、碳數2~8的烯基、碳數3~18的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或藉由將該些組合而形成的基。 m1表示0~14的任一整數。 n1表示0~10的任一整數。 n1'表示0~3的任一整數。] 〔6〕如〔1〕至〔5〕中任一項所述的抗蝕劑組成物,其中具有酸不穩定基的樹脂包含式(a2-A)所表示的結構單元。
Figure 02_image015
[式(a2-A)中, R a50表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 R a51表示鹵素原子、羥基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~12的烷氧基烷基、碳數2~12的烷氧基烷氧基、碳數2~4的烷基羰基(alkylcarbonyl group)、碳數2~4的烷基羰氧基(alkylcarbonyloxy group)、丙烯醯氧基(acryloyloxy group)或甲基丙烯醯氧基(methacryloyloxy group)。 A a50表示單鍵或*-X a51-(A a52-X a52) nb-,*表示與-R a50所鍵結的碳原子的鍵結部位。 A a52表示碳數1~6的烷二基(alkanediyl group)。 X a51及X a52分別獨立地表示-O-、-CO-O-或-O-CO-。 nb表示0或1。 mb表示0~4的任一整數。於mb為2以上的任一整數的情況下,多個R a51相互可相同亦可不同。] 〔7〕如〔1〕至〔6〕中任一項所述的抗蝕劑組成物,其中酸產生劑包含式(B1)所表示的鹽。
Figure 02_image017
[式(B1)中, Q b1及Q b2分別獨立地表示氫原子、氟原子、碳數1~6的烷基或碳數1~6的全氟烷基。 L b1表示碳數1~24的二價飽和烴基,該二價飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該二價飽和烴基中包含的氫原子可被氟原子或羥基取代。 Y表示可具有取代基的甲基或可具有取代基的碳數3~24的脂環式烴基,該脂環式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。 Z1 +表示有機陽離子。] 〔8〕如〔1〕至〔7〕中任一項所述的抗蝕劑組成物,更含有產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽。 〔9〕一種抗蝕劑圖案的製造方法,包括: (1)將如〔1〕至〔8〕中任一項所述的抗蝕劑組成物塗佈於基板上的步驟; (2)使塗佈後的組成物乾燥而形成組成物層的步驟; (3)對組成物層進行曝光的步驟; (4)將曝光後的組成物層加熱的步驟;以及 (5)將加熱後的組成物層顯影的步驟。 [發明的效果]
藉由使用本發明的抗蝕劑組成物,可以缺陷少、且良好的CD均勻性(CDU)製造抗蝕劑圖案。
本說明書中,所謂「(甲基)丙烯酸系單體」是指「丙烯酸系單體及甲基丙烯酸系單體的至少一種」。「(甲基)丙烯酸酯」及「(甲基)丙烯酸」等的表述亦表示相同的含義。另外,本說明書中記載的基中,關於可取得直鏈結構與分支結構兩者的基,可為其任一者。於烴基等中包含的-CH 2-被-O-、-S-、-CO-或-SO 2-取代的情況下,設為於各基中適用相同的例子。所謂「組合而成的基」是指使兩種以上的例示的基鍵結而成的基,該些基的價數可根據鍵結形態而適宜變更。所謂「源自」或「衍生」是指該分子中包含的聚合性C=C鍵藉由聚合而成為-C-C-基(單鍵)。於存在立體異構物的情況下,包含全部的立體異構物。 本說明書中,所謂「抗蝕劑組成物的固體成分」是指自抗蝕劑組成物的總量中去除後述的溶劑(E)後的成分的合計。
<抗蝕劑組成物> 本發明的抗蝕劑組成物含有 樹脂(以下有時稱為「樹脂(A)」)、及 酸產生劑(以下有時稱為「酸產生劑(B)」)。 本發明的抗蝕劑組成物較佳為含有產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽等淬滅劑(以下有時稱為「淬滅劑(C)」),且較佳為含有溶劑(以下有時稱為「溶劑(E)」)。
〈樹脂(A)〉 樹脂(A)含有: (A1)包含式(I)所表示的結構單元及式(II)所表示的結構單元、且不具有酸不穩定基的樹脂(以下有時稱為「樹脂(A1)」);以及 (A2)具有酸不穩定基的樹脂(以下有時稱為「樹脂(A2)」)。 本說明書中,所謂「酸不穩定基」是指具有脫離基,且藉由與酸的接觸而脫離基脫離從而形成親水性基(例如,羥基或羧基)的基。 另外,如後述般,樹脂(A)亦可包含樹脂(A1)及樹脂(A2)以外的樹脂。
〈樹脂(A1)〉 樹脂(A1)包含式(I)所表示的結構單元(以下有時稱為「結構單元(I)」)。
Figure 02_image019
[式(I)中, R 1表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 X 1表示單鍵或*-CO-O-。*表示與R 1所鍵結的碳原子的鍵結部位。 L 1表示單鍵或可具有取代基的碳數1~28的烴基,該烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。 環W表示可具有取代基的碳數3~18的環狀烴環。 mi表示1~4的任一整數。]
作為R 1中的鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。 作為R 1中的可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基,可列舉:三氟甲基、二氟甲基、甲基、全氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、乙基、全氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、丁基、全氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5-九氟戊基、戊基、己基及全氟己基。 R 1較佳為氫原子或碳數1~4的烷基,更佳為氫原子或碳數1~3的烷基,進而佳為氫原子、甲基或乙基,進而更佳為氫原子或甲基。 作為L 1中的烴基,可列舉:鏈式烴基、單環式或多環式(包含螺環、縮合環或橋聯環等)的脂環式烴基、芳香族烴基等環狀烴基,亦可為將該些基中的兩種以上組合而成的基(例如由脂環式烴基或芳香族烴基與鏈式烴基形成的烴基)。 作為鏈式烴基,可列舉烷二基等二價的鏈式烴基等。 作為烷二基,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基、十三烷-1,13-二基、十四烷-1,14-二基、十五烷-1,15-二基、十六烷-1,16-二基及十七烷-1,17-二基等直鏈狀烷二基及 乙烷-1,1-二基、丙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丙烷-2,2-二基、戊烷-2,4-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支狀烷二基。 鏈式烴基的碳數較佳為1~18,更佳為1~12,進而佳為1~10,進一步更佳為1~9,進一步進而佳為1~8,進而更佳為1~6,進一步進而更佳為1~5,特佳為1~4。
作為單環式或多環式的脂環式烴基,可列舉以下的脂環式烴基等。鍵結部位可設為任意的位置。
Figure 02_image021
例如可列舉環烷二基等二價的脂環式烴基等。 具體而言,可列舉:環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等單環式的脂環式烴基及 降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基、金剛烷-2,6-二基、十氫萘二基、雙環[3.3.0]辛烷二基、螺環己烷-1,2'-環戊烷-二基、螺金剛烷-2,3'-環戊烷-二基等環烷二基、具有以螺而分別與降冰片基或金剛烷基鍵結的環烷二基的螺環等多環式的脂環式烴基。 脂環式烴基的碳數較佳為3~20,更佳為3~18,進而佳為3~16,進而更佳為3~12。 作為芳香族烴基,可列舉伸芳基等二價的芳香族烴基等。 具體而言,可列舉:伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸聯苯基、伸菲基等芳香族烴基。 芳香族烴基的碳數較佳為6~20,更佳為6~18,進而佳為6~14,進而更佳為6~10。
作為將兩種以上組合而成的基,可列舉:將脂環式烴基與鏈式烴基組合而成的基、將芳香族烴基與鏈式烴基組合而成的基、將脂環式烴基與芳香族烴基組合而成的基、將脂環式烴基與鏈式烴基及芳香族烴基組合而成的基等。於組合中,脂環式烴基、芳香族烴基、鏈式烴基亦可分別組合兩種以上。另外,任一基亦可鍵結於X 1。 作為將脂環式烴基與鏈式烴基組合而成的基,例如可列舉:於鏈式烴基上鍵結有脂環式烴基的基(例如,*-鏈式烴基-脂環式烴基-等)、於脂環式烴基上鍵結有鏈式烴基的基(例如,*-脂環式烴基-鏈式烴基-等)、於鏈式烴基上鍵結有脂環式烴基與鏈式烴基的基(例如,*-鏈式烴基-脂環式烴基-鏈式烴基-等)、於脂環式烴基上鍵結有鏈式烴基與脂環式烴基的基(例如,*-脂環式烴基-鏈式烴基-脂環式烴基-等)、於鏈式烴基上鍵結有脂環式烴基與鏈式烴基與脂環式烴基的基(例如,*-鏈式烴基-脂環式烴基-鏈式烴基-脂環式烴基-等)、於脂環式烴基上鍵結有鏈式烴基與脂環式烴基與鏈式烴基的基(例如,*-脂環式烴基-鏈式烴基-脂環式烴基-鏈式烴基-等)等。 作為將芳香族烴基與鏈式烴基組合而成的基,例如可列舉:於鏈式烴基上鍵結有芳香族烴基的基(例如,*-鏈式烴基-芳香族烴基-等)、於芳香族烴基上鍵結有鏈式烴基的基(例如,*-芳香族烴基-鏈式烴基-等)、於鏈式烴基上鍵結有芳香族烴基與鏈式烴基的基(例如,*-鏈式烴基-芳香族烴基-鏈式烴基-等)等。 作為將脂環式烴基與芳香族烴基組合而成的基,可列舉:於脂環式烴基上鍵結有芳香族烴基的基(例如,*-脂環式烴基-芳香族烴基-等)、於芳香族烴基上鍵結有脂環式烴基的基(例如,*-芳香族烴基-脂環式烴基-等)、縮合有脂環式烴基與芳香族烴基的基(例如,以下的基(鍵結部位為任意的位置)等)等。
Figure 02_image023
作為將脂環式烴基與鏈式烴基及芳香族烴基組合而成的基,可列舉:於脂環式烴基上鍵結有芳香族烴基與鏈式烴基的基(例如,*-脂環式烴基-芳香族烴基-鏈式烴基-等)、於芳香族烴基上鍵結有脂環式烴基與鏈式烴基的基(例如,*-芳香族烴基-脂環式烴基-鏈式烴基-等)等。 *表示與X 1的鍵結部位。 L 1中的碳數1~28的烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。
於L 1中的碳數1~28的烴基中包含的-CH 2-被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-的情況下,將取代之前的碳數設為該烴基的碳數。 作為烴基中包含的-CH 2-被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-的基,可列舉:羥基(甲基中包含的-CH 2-被取代為-O-的基)、羧基(乙基中包含的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、硫醇基(甲基中包含的-CH 2-被取代為-S-的基)、烷氧基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-O-的基)、烷硫基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-S-的基)、烷氧基羰基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、烷基磺醯基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-SO 2-的基)、烷基羰基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-CO-的基)、烷基羰氧基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-CO-O-的基)、氧基(亞甲基中包含的-CH 2-被取代為-O-的基)、羰基(亞甲基中包含的-CH 2-被取代為-CO-的基)、硫基(亞甲基中包含的-CH 2-被取代為-S-的基)、磺醯基(亞甲基中包含的-CH 2-被取代為-SO 2-的基)、烷二基氧基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-O-的基)、烷二基氧基羰基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、烷二基羰基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-CO-的基)、烷二基羰氧基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-CO-O-的基)、烷二基磺醯基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-SO 2-的基)、烷二基硫基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-S-的基)、環烷氧基、環烷基烷氧基、烷氧基羰氧基、芳香族烴基-羰氧基、芳香族烴基-羰基、芳香族烴基-氧基、將該些基中的兩種以上組合而成的基等。 作為烷氧基,可列舉碳數1~17的烷氧基,例如可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊基氧基、己基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、十一烷基氧基等。烷氧基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷硫基,可列舉碳數1~17的烷硫基,例如可列舉:甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、十一烷硫基等。烷硫基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 烷氧基羰基、烷基羰基及烷基羰氧基表示羰基或羰氧基與所述烷基或烷氧基鍵結而成的基。 作為烷氧基羰基,可列舉碳數2~17的烷氧基羰基,例如可列舉:甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等。作為烷基羰基,可列舉碳數2~18的烷基羰基,例如可列舉:乙醯基、丙醯基及丁醯基等。作為烷基羰氧基,可列舉碳數2~17的烷基羰氧基,例如可列舉:乙醯基氧基、丙醯基氧基、丁醯基氧基等。烷氧基羰基的碳數較佳為2~11,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷基羰基的碳數較佳為2~12,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷基羰氧基的碳數較佳為2~11,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。 作為烷基磺醯基,可列舉碳數1~17的烷基磺醯基,例如可列舉:甲基磺醯基、乙基磺醯基、丙基磺醯基、丁基磺醯基、戊基磺醯基、己基磺醯基、辛基磺醯基、2-乙基己基磺醯基、壬基磺醯基、癸基磺醯基、十一烷基磺醯基等。烷基磺醯基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷二基氧基,可列舉碳數1~17的烷二基氧基,例如可列舉:亞甲基氧基、伸乙基氧基、丙二基氧基、丁二基氧基、戊二基氧基等。烷二基氧基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷二基氧基羰基,可列舉碳數2~17的烷二基氧基羰基,例如可列舉:亞甲基氧基羰基、伸乙基氧基羰基、丙二基氧基羰基、丁二基氧基羰基等。作為烷二基羰基,可列舉碳數2~18的烷二基羰基,例如可列舉:亞甲基羰基、伸乙基羰基、丙二基羰基、丁二基羰基、戊二基羰基等。作為烷二基羰氧基,可列舉碳數2~17的烷二基羰氧基,例如可列舉:亞甲基羰氧基、伸乙基羰氧基、丙二基羰氧基、丁二基羰氧基等。烷二基氧基羰基的碳數較佳為2~11,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷二基羰基的碳數較佳為2~12,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷二基羰氧基的碳數較佳為2~11,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。 作為烷二基硫基,可列舉碳數1~17的烷二基硫基,例如可列舉:亞甲基硫基、伸乙基硫基、丙二基硫基等。烷二基硫基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷二基磺醯基,可列舉碳數1~17的烷二基磺醯基,例如可列舉:亞甲基磺醯基、伸乙基磺醯基、伸丙基磺醯基等。烷二基磺醯基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。
作為環烷氧基,可列舉碳數3~17的環烷氧基,例如可列舉環己基氧基等。作為環烷基烷氧基,可列舉碳數4~17的環烷基烷氧基,例如可列舉環己基甲氧基等。作為烷氧基羰氧基,可列舉碳數2~16的烷氧基羰氧基,例如可列舉丁氧基羰氧基等。作為芳香族烴基-羰氧基,可列舉碳數7~17的芳香族烴基-羰氧基,例如可列舉苯甲醯基氧基等。作為芳香族烴基-羰基,可列舉碳數7~17的芳香族烴基-羰基,例如可列舉苯甲醯基等。作為芳香族烴基-氧基,可列舉碳數6~16的芳香族烴基-氧基,例如可列舉苯基氧基等。
另外,作為脂環式烴基中包含的-CH 2-被-O-、-S-、-CO-或-SO 2-取代的基,可列舉以下的基等。以下所表示的基的-O-或-CO-可被取代為-S-或-SO 2-。鍵結部位可設為任意的位置。
Figure 02_image025
作為組合而成的基中包含的-CH 2-被-O-、-S-、-CO-或-SO 2-取代的基,亦可列舉以下的基等。鍵結部位可設為任意的位置。
Figure 02_image027
L 1中的烴基可具有一個或多個取代基。作為該取代基,可列舉:鹵素原子、碳數1~4的鹵代烷基或碳數1~12的烷基(該烷基中包含的-CH 2-可被-O-或-CO-取代)等。 作為鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。 所謂碳數1~4的鹵代烷基,可列舉:碳數1~4的氟化烷基、碳數1~4的氯化烷基、碳數1~4的溴化烷基、碳數1~4的碘化烷基等。作為鹵代烷基,可列舉:碳數1~4的全氟烷基(三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、九氟丁基等)、2,2,2-三氟乙基、3,3,3-三氟丙基、4,4,4-三氟丁基、及3,3,4,4,4-五氟丁基、氯甲基、溴甲基、碘甲基等。鹵代烷基的碳數較佳為1~3,更佳為1或2。 作為碳數1~12的烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。烷基的碳數較佳為1~9,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 於烷基中包含的-CH 2-被取代為-O-或-CO-的情況下,將取代之前的碳數設為該烷基的總碳數。作為進行了取代的基,可列舉:羥基(甲基中包含的-CH 2-被取代為-O-的基)、羧基(乙基中包含的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、烷氧基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-O-的基)、烷氧基羰基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、烷基羰基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-CO-的基)、烷基羰氧基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-CO-O-的基)等。 作為烷氧基,可列舉碳數1~11的烷氧基,例如可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊基氧基、己基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、十一烷基氧基等。烷氧基的碳數較佳為1~9,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷氧基羰基,可列舉碳數2~11的烷氧基羰基,例如可列舉:甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等,作為烷基羰基,可列舉碳數2~12的烷基羰基,例如可列舉:乙醯基、丙醯基及丁醯基等,作為烷基羰氧基,可列舉碳數2~11的烷基羰氧基,例如可列舉:乙醯基氧基、丙醯基氧基、丁醯基氧基等。烷氧基羰基的碳數較佳為2~9,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷基羰基的碳數較佳為2~10,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷基羰氧基的碳數較佳為2~9,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。 作為L 1中的烴基可具有的取代基,較佳為鹵素原子、碳數1~3的鹵代烷基或碳數1~6的烷基(該烷基中包含的-CH 2-可被-O-或-CO-取代),更佳為氟原子、碘原子、碳數1~3的全氟烷基或碳數1~4的烷基(該烷基中包含的-CH 2-可被-O-或-CO-取代),進而佳為氟原子、碘原子、三氟甲基、甲基、羥基或甲氧基。 L 1較佳為單鍵、可具有取代基的碳數1~12的鏈式烴基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)、可具有取代基的碳數3~20的環狀烴基(其中,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-CO-或-SO 2-)或可具有取代基的碳數1~8的鏈式烴基與可具有取代基的碳數3~20的環狀烴基組合而成的基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-),更佳為單鍵、可具有取代基的碳數1~8的鏈式烴基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)、可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基(其中,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-CO-或-SO 2-)或可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基與可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基組合而成的基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-),進而佳為單鍵、可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)或可具有取代基的碳數1~4的鏈式烴基與可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基組合而成的基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-),進而更佳為單鍵。 另外,L 1亦較佳為單鍵、*-L 12-或*-L 12-X 13-L 13-(L 12表示可具有取代基的碳數1~8的鏈式烴基、可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基或可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基與可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基組合而成的基,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-CO-或-SO 2-,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。*表示與X 1的鍵結部位。X 13表示**-CO-O-、**-O-CO-、**-O-CO-O-或**-O-,**表示與L 12的鍵結部位。L 13表示單鍵或可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)。 鏈式烴基與環狀烴基的組合可列舉:*-鏈式烴基-脂環式烴基或芳香族烴基-、*-脂環式烴基或芳香族烴基-鏈式烴基-、*-鏈式烴基-脂環式烴基或芳香族烴基-鏈式烴基-等。*表示與X 1的鍵結部位。 作為各基可具有的取代基,可列舉與作為L 1可具有的取代基所列舉的基相同的基。 作為L 12中的環狀烴基,可列舉脂環式烴基、芳香族烴基或使該些縮合而成的基等,可列舉與L 1中例示的基相同的基。 作為L 12及L 13中的鏈式烴基,可列舉與L 1中例示的基相同的基。 L 12較佳為可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基(該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)、可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基(該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-CO-或-SO 2-)或可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基與可具有取代基的碳數1~4的鏈式烴基組合而成的基(該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-CO-或-SO 2-,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-),更佳為可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基(該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)或可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基與可具有取代基的碳數1~4的鏈式烴基組合而成的基(該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-),進而佳為可具有取代基的碳數1~5的鏈式烴基(該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)或可具有取代基的碳數3~12的環狀烴基與可具有取代基的碳數1~3的鏈式烴基組合而成的基(該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)。 L 13較佳為單鍵或可具有取代基的碳數1~4的鏈式烴基,更佳為單鍵或碳數1~3的鏈式烴基,進而佳為單鍵、亞甲基或伸乙基,進而更佳為單鍵或亞甲基。
所謂環W中的烴環,表示脂環式烴環及芳香族烴環。 脂環式烴環可為單環式、多環式及螺環的任一種,亦可為飽和及不飽和的任一種。作為脂環式烴環,可列舉:環丙烷環、環丁烷環、環戊烷環、環己烷環、環辛烷環、環壬烷環、環癸烷環、環十二烷環等單環式的脂環式烴環、降冰片烷環、降冰片烯環、金剛烷環、雙環[3.3.0]辛烷環等多環式的脂環式烴環。脂環式烴環的碳數較佳為3~16,更佳為3~12,進而佳為3~10,進一步更佳為5~10,進一步進而佳為5或6,進而更佳為6。 作為單環式或多環式的脂環式烴環,可列舉以下的脂環式烴環等。鍵結部位可設為任意的位置。
Figure 02_image029
作為芳香族烴環,可列舉:苯環、萘環、伸聯苯環、菲環、聯萘環等芳香族烴環。芳香族烴環的碳數較佳為6~14,更佳為6~10,進而佳為6。
環W中的烴環可具有一個或多個取代基。作為該取代基,可列舉:鹵素原子、碳數1~4的鹵代烷基或碳數1~12的烷基(該烷基中包含的-CH 2-可被-O-或-CO-取代)等。 作為鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。 所謂碳數1~4的鹵代烷基,可列舉:碳數1~4的氟化烷基、碳數1~4的氯化烷基、碳數1~4的溴化烷基、碳數1~4的碘化烷基等。作為鹵代烷基,可列舉:碳數1~4的全氟烷基(三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、九氟丁基等)、2,2,2-三氟乙基、3,3,3-三氟丙基、4,4,4-三氟丁基、及3,3,4,4,4-五氟丁基、氯甲基、溴甲基、碘甲基等。鹵代烷基的碳數較佳為1~3,更佳為1或2。 作為碳數1~12的烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。烷基的碳數較佳為1~9,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 於烷基中包含的-CH 2-被取代為-O-或-CO-的情況下,將取代之前的碳數設為該烷基的總碳數。作為進行了取代的基,可列舉:羥基(甲基中包含的-CH 2-被取代為-O-的基)、羧基(乙基中包含的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、烷氧基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-O-的基)、烷氧基羰基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、烷基羰基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-CO-的基)、烷基羰氧基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-CO-O-的基)等。 作為烷氧基,可列舉碳數1~11的烷氧基,例如可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊基氧基、己基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、十一烷基氧基等。烷氧基的碳數較佳為1~9,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷氧基羰基,可列舉碳數2~11的烷氧基羰基,例如可列舉:甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等,作為烷基羰基,可列舉碳數2~12的烷基羰基,例如可列舉:乙醯基、丙醯基及丁醯基等,作為烷基羰氧基,可列舉碳數2~11的烷基羰氧基,例如可列舉:乙醯基氧基、丙醯基氧基、丁醯基氧基等。烷氧基羰基的碳數較佳為2~9,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷基羰基的碳數較佳為2~10,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷基羰氧基的碳數較佳為2~9,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。 作為環W中的烴環可具有的取代基,較佳為鹵素原子、碳數1~3的鹵代烷基或碳數1~6的烷基(該烷基中包含的-CH 2-可被-O-或-CO-取代),更佳為氟原子、碘原子、碳數1~3的全氟烷基或碳數1~4的烷基(該烷基中包含的-CH 2-可被-O-或-CO-取代),進而佳為氟原子、碘原子、三氟甲基、甲基、羥基或甲氧基。 更具體而言,環W可列舉式(w1-1)~式(w1-25)的任一者所表示的環等。 其中,環W較佳為可具有取代基的碳數3~12的脂環式烴環或可具有取代基的碳數6~10的芳香族烴環,且較佳為式(w1-1)~式(w1-3)、式(w1-6)、式(w1-15)、式(w1-22)及式(w1-23)的任一者所表示的環,更佳為式(w1-2)、式(w1-3)或式(w1-22)所表示的環,進而佳為式(w1-2)或式(w1-22)所表示的環(可具有取代基的環己烷環或可具有取代基的苯環),進而更佳為式(w1-2)所表示的環(可具有取代基的環己烷環)。
Figure 02_image031
[式(w1-1)~式(w1-25)中, 該環可具有取代基。鍵結部位為任意的位置。] mi較佳為1~3的任一整數,更佳為1或2。
作為結構單元(I),可列舉以下的結構單元等。
Figure 02_image033
Figure 02_image035
於所述結構單元中,相當於R 1的甲基被取代為氫原子、鹵素原子、鹵代烷基或其他烷基的結構單元及相當於R 1的氫原子被取代為鹵素原子、鹵代烷基或烷基的結構單元亦可作為結構單元(I)的具體例來列舉。
結構單元(I)是自式(I')所表示的化合物(以下,有時稱為「化合物(I')」)衍生。
Figure 02_image037
[式(I')中,R 1、X 1、L 1、W及mi表示與所述相同的含義。] 化合物(I')可為市售品,亦可為利用公知的方法而製造者。
樹脂(A1)包含式(II)所表示的結構單元(以下有時稱為「結構單元(II)」)。
Figure 02_image039
[式(II)中, R 2表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 X 2表示單鍵或*-CO-O-。*表示與R 2所鍵結的碳原子的鍵結部位。 L 2表示單鍵或可具有取代基的碳數1~28的烴基,該烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。 mk表示1~4的任一整數。]
作為R 2中的鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。 作為R 2中的可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基,可列舉:三氟甲基、二氟甲基、甲基、全氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、乙基、全氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、丁基、全氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5-九氟戊基、戊基、己基及全氟己基。 R 2較佳為氫原子或碳數1~4的烷基,更佳為氫原子或碳數1~3的烷基,進而佳為氫原子、甲基或乙基,進而更佳為氫原子或甲基。 作為L 2中的烴基,可列舉:鏈式烴基、單環式或多環式(包含螺環、縮合環或橋聯環等)的脂環式烴基、芳香族烴基等環狀烴基,亦可為將該些基中的兩種以上組合而成的基(例如由脂環式烴基或芳香族烴基與鏈式烴基形成的烴基)。 作為鏈式烴基,可列舉:烷二基、烷三基、烷四基、烷五基等二價~五價的鏈式烴基等。 作為烷二基,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基、十三烷-1,13-二基、十四烷-1,14-二基、十五烷-1,15-二基、十六烷-1,16-二基及十七烷-1,17-二基等直鏈狀烷二基及 乙烷-1,1-二基、丙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丙烷-2,2-二基、戊烷-2,4-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支狀烷二基。 作為烷三基,可列舉:甲烷三基、乙烷三基、丙烷三基、丁烷三基、戊烷三基、己烷三基、庚烷三基、辛烷三基、壬烷三基、癸烷三基、十一烷三基、十二烷三基、十三烷三基、十四烷三基、十五烷三基、十六烷三基及十七烷三基等。 作為烷四基,可列舉:甲烷四基、乙烷四基、丙烷四基、丁烷四基、戊烷四基、己烷四基、庚烷四基、辛烷四基、壬烷四基、癸烷四基、十一烷四基、十二烷四基、十三烷四基、十四烷四基、十五烷四基、十六烷四基及十七烷四基等。 另外,亦可列舉於鍵結部位對所述基的氫原子的一個以上進行取代而成的基等。 鏈式烴基的碳數較佳為1~18,更佳為1~12,進而佳為1~10,進一步更佳為1~9,進一步進而佳為1~8,進而更佳為1~6,進一步進而更佳為1~5,特佳為1~4。
作為單環式或多環式的脂環式烴基,可列舉以下的脂環式烴基等。鍵結部位可設為任意的位置。
Figure 02_image041
例如可列舉:環烷二基、環烷三基、環烷四基、環烷五基等二價~五價的脂環式烴基等。 具體而言,可列舉:環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基、環丙烷三基、環丁烷三基、環戊烷三基、環己烷三基、環庚烷三基、環辛烷三基、環癸烷三基、環丙烷四基、環丁烷四基、環戊烷四基、環己烷四基、環庚烷四基、環辛烷四基、環癸烷四基等單環式的脂環式烴基及 降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基、金剛烷-2,6-二基、十氫萘二基、雙環[3.3.0]辛烷二基、降冰片烷三基、金剛烷三基、十氫萘三基、雙環[3.3.0]辛烷三基、降冰片烷四基、金剛烷四基、十氫萘四基、雙環[3.3.0]辛烷四基、螺環己烷-1,2'-環戊烷-二基、螺金剛烷-2,3'-環戊烷-二基等環烷二基、具有以螺而分別與降冰片基或金剛烷基鍵結的環烷二基的螺環等多環式的脂環式烴基。 另外,亦可列舉於鍵結部位對所述基的氫原子的一個以上進行取代而成的基等。 脂環式烴基的碳數較佳為3~20,更佳為3~18,進而佳為3~16,進而更佳為3~12。 作為芳香族烴基,可列舉:伸芳基、芳三基、芳四基、芳五基等二價~五價的芳香族烴基等。 具體而言,可列舉:伸苯基、伸萘基、伸蒽基、伸聯苯基、伸菲基、苯三基、萘三基、蒽三基、伸聯苯三基、菲三基、苯四基、萘四基、蒽四基、伸聯苯四基、菲四基等芳香族烴基。 另外,亦可列舉於鍵結部位對所述基的氫原子的一個以上進行取代而成的基等。 芳香族烴基的碳數較佳為6~20,更佳為6~18,進而佳為6~14,進而更佳為6~10。
作為將兩種以上組合而成的基,可列舉:將脂環式烴基與鏈式烴基組合而成的基、將芳香族烴基與鏈式烴基組合而成的基、將脂環式烴基與芳香族烴基組合而成的基、將脂環式烴基與鏈式烴基及芳香族烴基組合而成的基等。於組合中,脂環式烴基、芳香族烴基、鏈式烴基亦可分別組合兩種以上。另外,任一基亦可鍵結於X 2。 作為將脂環式烴基與鏈式烴基組合而成的基,例如可列舉:於鏈式烴基上鍵結有一個以上的脂環式烴基的基(例如,*-鏈式烴基-(脂環式烴基-) m1等)、於脂環式烴基上鍵結有一個以上的鏈式烴基的基(例如,*-脂環式烴基-(鏈式烴基-) m1等)、於鏈式烴基上鍵結有一個以上的脂環式烴基與鏈式烴基的基(例如,*-鏈式烴基-(脂環式烴基-鏈式烴基-) m1、*-鏈式烴基-脂環式烴基-(鏈式烴基-) m1等)、於脂環式烴基上鍵結有一個以上的鏈式烴基與脂環式烴基的基(例如,*-脂環式烴基-(鏈式烴基-脂環式烴基-) m1、*-脂環式烴基-鏈式烴基-(脂環式烴基-) m1等)、於鏈式烴基上鍵結有一個以上的脂環式烴基與鏈式烴基及脂環式烴基的基(例如,*-鏈式烴基-脂環式烴基-(鏈式烴基-脂環式烴基-) m1、*-鏈式烴基-脂環式烴基-鏈式烴基-(脂環式烴基-) m1等)、於脂環式烴基上鍵結有一個以上的鏈式烴基與脂環式烴基及鏈式烴基的基(例如,*-脂環式烴基-(鏈式烴基-脂環式烴基-鏈式烴基-) m1、*-脂環式烴基-鏈式烴基-脂環式烴基-(鏈式烴基-) m1等)等。 作為將芳香族烴基與鏈式烴基組合而成的基,例如可列舉:於鏈式烴基上鍵結有一個以上的芳香族烴基的基(例如,*-鏈式烴基-(芳香族烴基-) m1等)、於芳香族烴基上鍵結有一個以上的鏈式烴基的基(例如,*-芳香族烴基-(鏈式烴基-) m1等)、於鏈式烴基上鍵結有一個以上的芳香族烴基與鏈式烴基的基(例如,*-鏈式烴基-(芳香族烴基-鏈式烴基-) m1、*-鏈式烴基-芳香族烴基-(鏈式烴基-) m1等)等。 作為將脂環式烴基與芳香族烴基組合而成的基,可列舉:於脂環式烴基上鍵結有一個以上的芳香族烴基的基(例如,*-脂環式烴基-(芳香族烴基-) m1等)、於芳香族烴基上鍵結有一個以上的脂環式烴基的基(例如,*-芳香族烴基-(脂環式烴基-) m1等)、縮合有脂環式烴基與芳香族烴基的基(例如,以下的基(鍵結部位為任意的位置)等)等。
Figure 02_image043
作為將脂環式烴基與鏈式烴基及芳香族烴基組合而成的基,可列舉:於脂環式烴基上鍵結有一個以上的芳香族烴基與鏈式烴基的基(例如,*-脂環式烴基-芳香族烴基-(鏈式烴基-) m1等)、於芳香族烴基上鍵結有一個以上的脂環式烴基與鏈式烴基的基(例如,*-芳香族烴基-脂環式烴基-(鏈式烴基-) m1等)等。 *表示與X 2的鍵結部位。 L 2中的碳數1~28的烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。
於L 2中的碳數1~28的烴基中包含的-CH 2-被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-的情況下,將取代之前的碳數設為該烴基的碳數。 作為烴基中包含的-CH 2-被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-的基,可列舉:羥基(甲基中包含的-CH 2-被取代為-O-的基)、羧基(乙基中包含的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、硫醇基(甲基中包含的-CH 2-被取代為-S-的基)、烷氧基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-O-的基)、烷硫基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-S-的基)、烷氧基羰基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、烷基磺醯基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-SO 2-的基)、烷基羰基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-CO-的基)、烷基羰氧基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-CO-O-的基)、氧基(亞甲基中包含的-CH 2-被取代為-O-的基)、羰基(亞甲基中包含的-CH 2-被取代為-CO-的基)、硫基(亞甲基中包含的-CH 2-被取代為-S-的基)、磺醯基(亞甲基中包含的-CH 2-被取代為-SO 2-的基)、烷二基氧基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-O-的基)、烷二基氧基羰基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、烷二基羰基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-CO-的基)、烷二基羰氧基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-CO-O-的基)、烷二基磺醯基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-SO 2-的基)、烷二基硫基(烷二基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-S-的基)、環烷氧基、環烷基烷氧基、烷氧基羰氧基、芳香族烴基-羰氧基、芳香族烴基-羰基、芳香族烴基-氧基、將該些基中的兩種以上組合而成的基等。另外,亦可列舉於鍵結部位對該些基的氫原子的一個以上進行取代而成的基等。 作為烷氧基,可列舉碳數1~17的烷氧基,例如可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊基氧基、己基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、十一烷基氧基等。烷氧基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷硫基,可列舉碳數1~17的烷硫基,例如可列舉:甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、十一烷硫基等。烷硫基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 烷氧基羰基、烷基羰基及烷基羰氧基表示羰基或羰氧基與所述烷基或烷氧基鍵結而成的基。 作為烷氧基羰基,可列舉碳數2~17的烷氧基羰基,例如可列舉:甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等。作為烷基羰基,可列舉碳數2~18的烷基羰基,例如可列舉:乙醯基、丙醯基及丁醯基等。作為烷基羰氧基,可列舉碳數2~17的烷基羰氧基,例如可列舉:乙醯基氧基、丙醯基氧基、丁醯基氧基等。烷氧基羰基的碳數較佳為2~11,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷基羰基的碳數較佳為2~12,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷基羰氧基的碳數較佳為2~11,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。 作為烷基磺醯基,可列舉碳數1~17的烷基磺醯基,例如可列舉:甲基磺醯基、乙基磺醯基、丙基磺醯基、丁基磺醯基、戊基磺醯基、己基磺醯基、辛基磺醯基、2-乙基己基磺醯基、壬基磺醯基、癸基磺醯基、十一烷基磺醯基等。烷基磺醯基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷二基氧基,可列舉碳數1~17的烷二基氧基,例如可列舉:亞甲基氧基、伸乙基氧基、丙二基氧基、丁二基氧基、戊二基氧基等。烷二基氧基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷二基氧基羰基,可列舉碳數2~17的烷二基氧基羰基,例如可列舉:亞甲基氧基羰基、伸乙基氧基羰基、丙二基氧基羰基、丁二基氧基羰基等。作為烷二基羰基,可列舉碳數2~18的烷二基羰基,例如可列舉:亞甲基羰基、伸乙基羰基、丙二基羰基、丁二基羰基、戊二基羰基等。作為烷二基羰氧基,可列舉碳數2~17的烷二基羰氧基,例如可列舉:亞甲基羰氧基、伸乙基羰氧基、丙二基羰氧基、丁二基羰氧基等。烷二基氧基羰基的碳數較佳為2~11,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷二基羰基的碳數較佳為2~12,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷二基羰氧基的碳數較佳為2~11,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。 作為烷二基硫基,可列舉碳數1~17的烷二基硫基,例如可列舉:亞甲基硫基、伸乙基硫基、丙二基硫基等。烷二基硫基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷二基磺醯基,可列舉碳數1~17的烷二基磺醯基,例如可列舉:亞甲基磺醯基、伸乙基磺醯基、伸丙基磺醯基等。烷二基磺醯基的碳數較佳為1~11,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。
作為環烷氧基,可列舉碳數3~17的環烷氧基,例如可列舉環己基氧基等。作為環烷基烷氧基,可列舉碳數4~17的環烷基烷氧基,例如可列舉環己基甲氧基等。作為烷氧基羰氧基,可列舉碳數2~16的烷氧基羰氧基,例如可列舉丁氧基羰氧基等。作為芳香族烴基-羰氧基,可列舉碳數7~17的芳香族烴基-羰氧基,例如可列舉苯甲醯基氧基等。作為芳香族烴基-羰基,可列舉碳數7~17的芳香族烴基-羰基,例如可列舉苯甲醯基等。作為芳香族烴基-氧基,可列舉碳數6~16的芳香族烴基-氧基,例如可列舉苯基氧基等。
另外,作為脂環式烴基中包含的-CH 2-被-O-、-S-、-CO-或-SO 2-取代的基,可列舉以下的基等。以下所表示的基的-O-或-CO-可被取代為-S-或-SO 2-。鍵結部位可設為任意的位置。
Figure 02_image045
作為組合而成的基中包含的-CH 2-被-O-、-S-、-CO-或-SO 2-取代的基,亦可列舉以下的基等。鍵結部位可設為任意的位置。
Figure 02_image047
L 2中的烴基可具有一個或多個取代基。作為該取代基,可列舉:鹵素原子、碳數1~4的鹵代烷基或碳數1~12的烷基(該烷基中包含的-CH 2-可被-O-或-CO-取代)等。 作為鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。 所謂碳數1~4的鹵代烷基,可列舉:碳數1~4的氟化烷基、碳數1~4的氯化烷基、碳數1~4的溴化烷基、碳數1~4的碘化烷基等。作為鹵代烷基,可列舉:碳數1~4的全氟烷基(三氟甲基、五氟乙基、七氟丙基、九氟丁基等)、2,2,2-三氟乙基、3,3,3-三氟丙基、4,4,4-三氟丁基、及3,3,4,4,4-五氟丁基、氯甲基、溴甲基、碘甲基等。鹵代烷基的碳數較佳為1~3,更佳為1或2。 作為碳數1~12的烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。烷基的碳數較佳為1~9,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 於烷基中包含的-CH 2-被取代為-O-或-CO-的情況下,將取代之前的碳數設為該烷基的總碳數。作為進行了取代的基,可列舉:羥基(甲基中包含的-CH 2-被取代為-O-的基)、羧基(乙基中包含的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、烷氧基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-O-的基)、烷氧基羰基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-O-CO-的基)、烷基羰基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-被取代為-CO-的基)、烷基羰氧基(烷基中包含的任意位置的-CH 2-CH 2-被取代為-CO-O-的基)等。 作為烷氧基,可列舉碳數1~11的烷氧基,例如可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊基氧基、己基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、癸基氧基、十一烷基氧基等。烷氧基的碳數較佳為1~9,更佳為1~6,進而佳為1~4,進而更佳為1~3。 作為烷氧基羰基,可列舉碳數2~11的烷氧基羰基,例如可列舉:甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等,作為烷基羰基,可列舉碳數2~12的烷基羰基,例如可列舉:乙醯基、丙醯基及丁醯基等,作為烷基羰氧基,可列舉碳數2~11的烷基羰氧基,例如可列舉:乙醯基氧基、丙醯基氧基、丁醯基氧基等。烷氧基羰基的碳數較佳為2~9,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷基羰基的碳數較佳為2~10,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。烷基羰氧基的碳數較佳為2~9,更佳為2~6,進而佳為2~4,進而更佳為2或3。 作為L 2中的烴基可具有的取代基,較佳為鹵素原子、碳數1~3的鹵代烷基或碳數1~6的烷基(該烷基中包含的-CH 2-可被-O-或-CO-取代),更佳為氟原子、碘原子、碳數1~3的全氟烷基或碳數1~4的烷基(該烷基中包含的-CH 2-可被-O-或-CO-取代),進而佳為氟原子、碘原子、三氟甲基、甲基、羥基或甲氧基。
L 2較佳為單鍵、可具有取代基的碳數1~12的鏈式烴基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)、可具有取代基的碳數3~20的環狀烴基(其中,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-CO-或-SO 2-)或可具有取代基的碳數1~8的鏈式烴基與可具有取代基的碳數3~20的環狀烴基組合而成的基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-),更佳為可具有取代基的碳數1~10的鏈式烴基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)、可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基(其中,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-CO-或-SO 2-)或可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基與可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基組合而成的基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-),進而佳為可具有取代基的碳數1~9的鏈式烴基(其中,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)或可具有取代基的碳數3~16的環狀烴基(其中,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-),進而更佳為碳數1~6的鏈式烴基。 另外,L 2亦較佳為*-L 22(-)mk或*-L 22(-X 23-L 23-)mk(L 22表示可具有取代基的碳數1~10的鏈式烴基、可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基或可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基與可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基組合而成的基,該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-CO-或-SO 2-,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。*表示與X 2的鍵結部位。X 23表示**-CO-O-、**-O-CO-、**-O-CO-O-或**-O-,**表示與L 22的鍵結部位。L 23表示單鍵或可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)。 鏈式烴基與環狀烴基的組合可列舉:*-鏈式烴基-脂環式烴基或芳香族烴基-、*-脂環式烴基或芳香族烴基-鏈式烴基-、*-鏈式烴基-脂環式烴基或芳香族烴基-鏈式烴基-等。*表示與X 2的鍵結部位。 作為各基可具有的取代基,可列舉與作為L 2可具有的取代基所列舉的基相同的基。 作為L 22中的環狀烴基,可列舉脂環式烴基、芳香族烴基或使該些縮合而成的基等,可列舉與L 2中例示的基相同的基。 作為L 22及L 23中的鏈式烴基,可列舉與L 2中例示的基相同的基。 L 22較佳為可具有取代基的碳數1~9的鏈式烴基(該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)、可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基(該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-CO-或-SO 2-)或可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基與可具有取代基的碳數1~4的鏈式烴基組合而成的基(該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-CO-或-SO 2-,該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-),更佳為可具有取代基的碳數1~9的鏈式烴基(該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)或可具有取代基的碳數3~16的環狀烴基(該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-),進而佳為可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基(該鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)或可具有取代基的碳數3~12的環狀烴基(該環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)。 L 23較佳為單鍵或可具有取代基的碳數1~4的鏈式烴基,更佳為單鍵或碳數1~3的鏈式烴基,進而佳為單鍵、亞甲基或伸乙基,進而更佳為單鍵或亞甲基。 mk較佳為1~3的任一整數,更佳為1或2。
作為結構單元(II),例如可列舉以下的結構單元及後述的結構單元(a2)等。
Figure 02_image049
於所述結構單元中,相當於R 2的甲基被取代為氫原子、鹵素原子、鹵代烷基或其他烷基的結構單元及相當於R 2的氫原子被取代為鹵素原子、鹵代烷基或烷基的結構單元亦可作為結構單元(II)的具體例來列舉。
結構單元(II)是自式(II')所表示的化合物(以下,有時稱為「化合物(II')」)衍生。
Figure 02_image051
[式(II')中,R 2、X 2、L 2及mk表示與所述相同的含義。] 化合物(II')可為市售品,亦可為利用公知的方法而製造者。
相對於樹脂(A1)的所有結構單元,樹脂(A1)中的結構單元(I)的含有率較佳為5莫耳%以上,更佳為10莫耳%以上,進而佳為20莫耳%以上,進一步更佳為25莫耳%以上,進一步進而佳為30莫耳%以上。另外,較佳為95莫耳%以下,更佳為90莫耳%以下,進而佳為80莫耳%以下,進一步更佳為75莫耳%以下,進一步進而佳為70莫耳%以下。另外,較佳為5莫耳%~95莫耳%,更佳為10莫耳%~90莫耳%,進而佳為20莫耳%~80莫耳%,進一步更佳為25莫耳%~75莫耳%,進一步進而佳為30莫耳%~70莫耳%。 相對於樹脂(A1)的所有結構單元,樹脂(A1)中的結構單元(II)的含有率較佳為5莫耳%以上,更佳為10莫耳%以上,進而佳為20莫耳%以上,進一步更佳為25莫耳%以上,進一步進而佳為30莫耳%以上。另外,較佳為95莫耳%以下,更佳為90莫耳%以下,進而佳為80莫耳%以下,進一步更佳為75莫耳%以下,進一步進而佳為70莫耳%以下。另外,較佳為5莫耳%~95莫耳%,更佳為10莫耳%~90莫耳%,進而佳為20莫耳%~80莫耳%,進一步更佳為25莫耳%~75莫耳%,進一步進而佳為30莫耳%~70莫耳%。 樹脂(A1)中,相對於樹脂(A1)的所有結構單元的合計,結構單元(I)及結構單元(II)的合計含有率較佳為20莫耳%以上,更佳為30莫耳%以上,進而佳為40莫耳%以上,進一步更佳為50莫耳%以上,進一步進而佳為60莫耳%以上。另外,可列舉100莫耳%以下。具體而言,較佳為20莫耳%~100莫耳%,更佳為30莫耳%~100莫耳%,進而佳為40莫耳%~100莫耳%,進一步更佳為50莫耳%~100莫耳%,進一步進而佳為60莫耳%~100莫耳%。
若結構單元(I)及結構單元(II)的含有率處於所述範圍內,則可製造優異的CD均勻性(CDU)的抗蝕劑圖案,並且特別是可製造缺陷產生少的抗蝕劑圖案。
樹脂(A1)除包含結構單元(I)及結構單元(II)以外,亦可更包含具有酸不穩定基的結構單元(以下有時稱為「結構單元(a1)」)。作為結構單元(a1)以外的結構單元,可列舉:不具有酸不穩定基的結構單元(以下有時稱為「結構單元(s)」)、結構單元(a1)及結構單元(s)以外的結構單元(例如,後述的具有鹵素原子的結構單元(以下有時稱為「結構單元(a4)」)、後述的具有非脫離烴基的結構單元(以下有時稱為「結構單元(a5)」))及其他的源自該領域中公知的單體的結構單元等。 於樹脂(A1)中包含結構單元(I)及結構單元(II)以外的結構單元的情況下,相對於樹脂(A1)的所有結構單元的合計,其含有率較佳為80莫耳%以下,更佳為70莫耳%以下,進而佳為60莫耳%以下,進一步更佳為50莫耳%以下,進一步進而佳為40莫耳%以下。
構成樹脂(A1)的各結構單元(I)及結構單元(II)可將衍生出各結構單元的單體分別組合僅一種或兩種以上,進而任意地將衍生出不具有酸不穩定基的結構單元的單體的一種以上組合,並藉由公知的聚合法(例如自由基聚合法)進行製造。 樹脂(A1)不包含具有酸不穩定基的結構單元。 樹脂(A1)的重量平均分子量較佳為5,000以上(更佳為6,000以上,進而佳為7,000以上)且80,000以下(更佳為50,000以下,進而佳為30,000以下)。重量平均分子量為藉由凝膠滲透層析法分析並作為標準聚苯乙烯基準的換算值來求出者,該分析的詳細的分析條件於本申請案的實施例中詳細敘述。
〈樹脂(A2)〉 樹脂(A2)為包含結構單元(a1)的樹脂。樹脂(A2)較佳為更包含結構單元(a1)以外的結構單元。作為結構單元(a1)以外的結構單元,可列舉:結構單元(s)、結構單元(a4)、結構單元(a5)及其他的源自該領域中公知的單體的結構單元等。
〈結構單元(a1)〉 結構單元(a1)是自具有酸不穩定基的單體(以下有時稱為「單體(a1)」)導出。 樹脂(A)中包含的酸不穩定基較佳為式(1)所表示的基(以下,亦記為基(1))及/或式(2)所表示的基(以下,亦記為基(2))。
Figure 02_image053
[式(1)中,R a1、R a2及R a3分別獨立地表示碳數1~8的烷基、碳數2~8的烯基、碳數3~20的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或將該些組合而成的基,或者R a1及R a2相互鍵結並與該些所鍵結的碳原子一同形成碳數3~20的非芳香族烴環。 ma及na分別獨立地表示0或1,ma及na的至少一者表示1。 *表示鍵結部位。]
Figure 02_image055
[式(2)中,R a1'及R a2'分別獨立地表示氫原子或碳數1~12的烴基,R a3'表示碳數1~20的烴基,或者R a2'及R a3'相互鍵結並與該些所鍵結的碳原子及X一同形成碳數3~20的雜環,該烴基及該雜環中包含的-CH 2-可被-O-或-S-取代。 X表示氧原子或硫原子。 na'表示0或1。 *表示鍵結部位。]
作為R a1、R a2及R a3中的烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基等。 作為R a1、R a2及R a3中的烯基,可列舉:乙烯基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基、第三丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、異辛烯基、壬烯基。 R a1、R a2及R a3中的脂環式烴基可為單環式及多環式的任一種。作為單環式的脂環式烴基,可列舉:環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基。作為多環式的脂環式烴基,可列舉:十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基(*表示鍵結部位)等。R a1、R a2及R a3中的脂環式烴基的碳數較佳為3~16。
Figure 02_image057
作為R a1、R a2及R a3中的芳香族烴基,可列舉:苯基、萘基、蒽基、聯苯基、菲基等芳基。 作為組合而成的基,可列舉:將所述烷基與脂環式烴基組合而成的基(例如,甲基環己基、二甲基環己基、甲基降冰片基、環己基甲基、金剛烷基甲基、金剛烷基二甲基、降冰片基乙基等烷基環烷基或環烷基烷基)、苄基等芳烷基、具有烷基的芳香族烴基(對甲基苯基、對第三丁基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等)、具有脂環式烴基的芳香族烴基(對環己基苯基、對金剛烷基苯基等)、苯基環己基等芳基-環烷基等。 較佳為ma為0,na為1。 作為R a1及R a2相互鍵結而形成非芳香族烴環時的-C(R a1)(R a2)(R a3),可列舉下述環。非芳香族烴環較佳為碳數3~12。*表示與-O-的鍵結部位。
Figure 02_image059
作為R a1'、R a2'及R a3'中的烴基,可列舉:烷基、脂環式烴基、芳香族烴基及藉由將該些組合而形成的基等。 烷基、脂環式烴基、芳香族烴基及組合而成的基可列舉與R a1、R a2及R a3中列舉的基相同者。 於R a2'及R a3'相互鍵結並與該些所鍵結的碳原子及X一同形成雜環的情況下,作為-C(R a1')(R a2')-X-R a3',可列舉下述環。*表示鍵結部位。
Figure 02_image061
R a1'及R a2'中,較佳為至少一個為氫原子。 na'較佳為0。
作為基(1),可列舉以下的基。 式(1)中R a1、R a2及R a3為烷基、ma=0、na=1的基。作為該基,較佳為第三丁氧基羰基。 式(1)中,R a1、R a2與該些所鍵結的碳原子一起形成金剛烷基、R a3為烷基、ma=0、na=1的基。 式(1)中,R a1及R a2分別獨立地為烷基、R a3為金剛烷基、ma=0、na=1的基。 作為基(1),具體而言可列舉以下的基。*表示鍵結部位。
Figure 02_image063
作為基(2)的具體例,可列舉以下的基。*表示鍵結部位。
Figure 02_image065
單體(a1)較佳為具有酸不穩定基與乙烯性不飽和鍵的單體,更佳為具有酸不穩定基的(甲基)丙烯酸系單體。
具有酸不穩定基的(甲基)丙烯酸系單體中,較佳為可列舉具有碳數5~20的脂環式烴基者。若將具有如下結構單元的樹脂(A)用於抗蝕劑組成物,則可提高抗蝕劑圖案的解析度,所述結構單元源自具有如脂環式烴基般的大體積結構的單體(a1)。
作為源自具有基(1)的(甲基)丙烯酸系單體的結構單元,可列舉式(a1-0)所表示的結構單元(以下,有時稱為「結構單元(a1-0)」)、式(a1-1)所表示的結構單元(以下,有時稱為「結構單元(a1-1)」)或式(a1-2)所表示的結構單元(以下,有時稱為「結構單元(a1-2)」)。較佳為選自由結構單元(a1-0)、結構單元(a1-1)及結構單元(a1-2)所組成的群組中的至少一種或兩種結構單元,更佳為選自由結構單元(a1-1)及結構單元(a1-2)所組成的群組中的至少一種或兩種結構單元。該些可單獨使用,亦可併用兩種以上。
Figure 02_image067
[式(a1-0)、式(a1-1)及式(a1-2)中, L a01、L a1及L a2分別獨立地表示-O-或*-O-(CH 2) k1-CO-O-,k1表示1~7的任一整數,*表示與-CO-的鍵結部位。 R a01、R a4及R a5分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 R a02、R a03及R a04分別獨立地表示碳數1~8的烷基、碳數3~18的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或將該些組合而成的基。 R a6及R a7分別獨立地表示碳數1~8的烷基、碳數2~8的烯基、碳數3~18的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或藉由將該些組合而形成的基。 m1表示0~14的任一整數。 n1表示0~10的任一整數。 n1'表示0~3的任一整數。]
R a01、R a4及R a5較佳為氫原子或甲基,更佳為甲基。 L a01、L a1及L a2較佳為氧原子或*-O-(CH 2) k01-CO-O-(其中,k01較佳為1~4的任一整數,更佳為1),更佳為氧原子。 作為R a02、R a03、R a04、R a6及R a7中的烷基、烯基、脂環式烴基、芳香族烴基及將該些組合而成的基,可列舉與基(1)的R a1、R a2及R a3中列舉的基相同的基。 R a02、R a03、及R a04中的烷基較佳為碳數1~6的烷基,更佳為甲基或乙基,進而佳為甲基。 R a6及R a7中的烷基較佳為碳數1~6的烷基,更佳為甲基、乙基、異丙基或第三丁基,進而佳為乙基、異丙基或第三丁基。 R a6及R a7中的烯基較佳為碳數2~6的烯基,更佳為乙烯基、丙烯基、異丙烯基或丁烯基。 R a02、R a03、R a04、R a6及R a7中的脂環式烴基的碳數較佳為5~12,更佳為5~10。 R a02、R a03、R a04、R a6及R a7中的芳香族烴基的碳數較佳為6~12,更佳為6~10。 關於將烷基與脂環式烴基組合而成的基,組合該些烷基與脂環式烴基的合計碳數較佳為18以下。 關於將烷基與芳香族烴基組合而成的基,組合該些烷基與芳香族烴基的合計碳數較佳為18以下。 R a02及R a03較佳為碳數1~6的烷基或碳數6~12的芳香族烴基,更佳為甲基、乙基、苯基或萘基。 R a04較佳為碳數1~6的烷基或碳數5~12的脂環式烴基,更佳為甲基、乙基、環己基或金剛烷基。 R a6及R a7分別獨立地較佳為碳數1~6的烷基、碳數2~6的烯基或碳數6~12的芳香族烴基,更佳為甲基、乙基、異丙基、第三丁基、乙烯基、苯基或萘基,進而佳為乙基、異丙基、第三丁基、乙烯基或苯基。 m1較佳為0~3的任一整數,更佳為0或1。 n1較佳為0~3的任一整數,更佳為0或1。 n1'較佳為0或1。
作為結構單元(a1-0),例如可列舉式(a1-0-1)~式(a1-0-18)的任一者所表示的結構單元及將相當於結構單元(a1-0)中的R a01的甲基取代為氫原子、鹵素原子、鹵代烷基(具有鹵素原子的烷基)或其他烷基的結構單元,較佳為式(a1-0-1)~式(a1-0-10)、式(a1-0-13)、式(a1-0-14)的任一者所表示的結構單元。
Figure 02_image069
作為結構單元(a1-1),例如可列舉源自日本專利特開2010-204646號公報中所記載的單體的結構單元。其中,較佳為式(a1-1-1)~式(a1-1-7)的任一者所表示的結構單元及將相當於結構單元(a1-1)中的R a4的甲基取代為氫原子、鹵素原子、鹵代烷基或其他烷基的結構單元,更佳為式(a1-1-1)~式(a1-1-4)的任一者所表示的結構單元。
Figure 02_image071
作為結構單元(a1-2),可列舉式(a1-2-1)~式(a1-2-14)的任一者所表示的結構單元及將相當於結構單元(a1-2)中的R a5的甲基取代為氫原子、鹵素原子、鹵代烷基或其他烷基的結構單元,較佳為式(a1-2-2)、式(a1-2-5)、式(a1-2-6)及式(a1-2-10)~式(a1-2-14)的任一者所表示的結構單元。
Figure 02_image073
於樹脂(A2)包含結構單元(a1-0)及/或結構單元(a1-1)及/或結構單元(a1-2)的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,該些的合計含有率可列舉10莫耳%以上,較佳為15莫耳%以上,更佳為20莫耳%以上,進而佳為25莫耳%以上,進而更佳為30莫耳%以上。另外,可列舉95莫耳%以下,較佳為90莫耳%以下,更佳為85莫耳%以下,進而佳為70莫耳%以下。具體而言,可列舉10莫耳%~95莫耳%,較佳為15莫耳%~90莫耳%,更佳為20莫耳%~85莫耳%,進而佳為25莫耳%~70莫耳%,進而更佳為30莫耳%~70莫耳%。 於樹脂(A2)包含結構單元(a1-0)的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,其含有率可列舉5莫耳%以上,較佳為10莫耳%以上。另外,可列舉80莫耳%以下,較佳為75莫耳%以下,更佳為70莫耳%以下。具體而言,可列舉5莫耳%~80莫耳%,較佳為5莫耳%~75莫耳%,更佳為10莫耳%~70莫耳%。 於樹脂(A2)包含結構單元(a1-1)及/或結構單元(a1-2)的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,該些的合計含有率可列舉10莫耳%以上,較佳為15莫耳%以上,更佳為20莫耳%以上。另外,可列舉90莫耳%以下,較佳為85莫耳%以下,更佳為80莫耳%以下,進而佳為75莫耳%以下,進一步更佳為70莫耳%以下。具體而言,可列舉10莫耳%~90莫耳%,較佳為15莫耳%~85莫耳%,更佳為20莫耳%~80莫耳%,進而佳為20莫耳%~75莫耳%,進而更佳為20莫耳%~70莫耳%。
作為結構單元(a1)中具有基(2)的結構單元,可列舉式(a1-4)所表示的結構單元(以下,有時稱為「結構單元(a1-4)」)。
Figure 02_image075
[式(a1-4)中, R a32表示氫原子、鹵素原子、或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 R a33表示鹵素原子、羥基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~12的烷氧基烷基、碳數2~12的烷氧基烷氧基、碳數2~4的烷基羰基、碳數2~4的烷基羰氧基、丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基。 A a30表示單鍵或*-X a31-(A a32-X a32) nc-,*表示與-R a32所鍵結的碳原子的鍵結部位。 A a32表示碳數1~6的烷二基。 X a31及X a32分別獨立地表示-O-、-CO-O-或-O-CO-。 nc表示0或1。 la表示0~4的任一整數。於la為2以上的任一整數的情況下,多個R a33相互可相同亦可不同。 R a34及R a35分別獨立地表示氫原子或碳數1~12的烴基,R a36表示碳數1~20的烴基,或者R a35及R a36相互鍵結並與該些所鍵結的-C-O-一同形成碳數2~20的二價烴基,該烴基及該二價烴基中包含的-CH 2-可被-O-或-S-取代。]
作為R a32及R a33中的鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子及溴原子等。 作為R a32中的可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基,可列舉:三氟甲基、二氟甲基、甲基、全氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、乙基、全氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、丁基、全氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5-九氟戊基、戊基、己基及全氟己基。 R a32較佳為氫原子或碳數1~4的烷基,更佳為氫原子、甲基或乙基,進而佳為氫原子或甲基。 作為R a33中的烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基。烷基較佳為碳數1~4的烷基,更佳為甲基或乙基,進而佳為甲基。 作為R a33中的烷氧基,可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、戊基氧基、己基氧基。烷氧基較佳為碳數1~4的烷氧基,更佳為甲氧基或乙氧基,進而佳為甲氧基。 作為R a33中的烷氧基烷基,可列舉:甲氧基甲基、乙氧基乙基、丙氧基甲基、異丙氧基甲基、丁氧基甲基、第二丁氧基甲基、第三丁氧基甲基。烷氧基烷基較佳為碳數2~8的烷氧基烷基,更佳為甲氧基甲基或乙氧基乙基,進而佳為甲氧基甲基。 作為R a33中的烷氧基烷氧基,可列舉:甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基甲氧基、乙氧基乙氧基、丙氧基甲氧基、異丙氧基甲氧基、丁氧基甲氧基、第二丁氧基甲氧基、第三丁氧基甲氧基。烷氧基烷氧基較佳為碳數2~8的烷氧基烷氧基,更佳為甲氧基乙氧基或乙氧基乙氧基。 作為R a33中的烷基羰基,可列舉:乙醯基、丙醯基及丁醯基等。烷基羰基較佳為碳數2~3的烷基羰基,更佳為乙醯基。 作為R a33中的烷基羰氧基,可列舉:乙醯基氧基、丙醯基氧基及丁醯基氧基。烷基羰氧基較佳為碳數2~3的烷基羰氧基,更佳為乙醯基氧基。 R a33較佳為鹵素原子、羥基、碳數1~4的烷基、碳數1~4的烷氧基或碳數2~8的烷氧基烷氧基,更佳為氟原子、碘原子、羥基、甲基、甲氧基、乙氧基、乙氧基乙氧基或乙氧基甲氧基,進而佳為氟原子、碘原子、羥基、甲基、甲氧基或乙氧基乙氧基。
作為*-X a31-(A a32-X a32) nc-,可列舉:*-O-、*-CO-O-、*-O-CO-、*-CO-O-A a32-CO-O-、*-O-CO-A a32-O-、*-O-A a32-CO-O-、*-CO-O-A a32-O-CO-、*-O-CO-A a32-O-CO-。其中,較佳為*-CO-O-、*-CO-O-A a32-CO-O-或*-O-A a32-CO-O-。
作為A a32中的烷二基,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基及2-甲基丁烷-1,4-二基等。 A a32較佳為亞甲基或伸乙基。
A a30較佳為單鍵、*-CO-O-或*-CO-O-A a32-CO-O-,更佳為單鍵、*-CO-O-或*-CO-O-CH 2-CO-O-,進而佳為單鍵或*-CO-O-。
la較佳為0、1或2,更佳為0或1,進而佳為0。 作為R a34、R a35及R a36中的烴基,可列舉:烷基、脂環式烴基、芳香族烴基及將該些組合而成的基。 作為烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基等。 脂環式烴基可為單環式及多環式的任一種。作為單環式的脂環式烴基,可列舉:環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基。作為多環式的脂環式烴基,可列舉:十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基(*表示鍵結部位)等。
Figure 02_image077
作為芳香族烴基,可列舉:苯基、萘基、蒽基、聯苯基、菲基等芳基。 作為組合而成的基,可列舉:將所述烷基與脂環式烴基組合而成的基(例如,甲基環己基、二甲基環己基、甲基降冰片基、環己基甲基、金剛烷基甲基、金剛烷基二甲基、降冰片基乙基等烷基環烷基或環烷基烷基)、苄基等芳烷基、具有烷基的芳香族烴基(對甲基苯基、對第三丁基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等)、具有脂環式烴基的芳香族烴基(對環己基苯基、對金剛烷基苯基等)、苯基環己基等芳基-環烷基等。特別是作為R a36,可列舉:碳數1~18的烷基、碳數3~18的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或藉由將該些組合而形成的基。
R a34較佳為氫原子。 R a35較佳為氫原子、碳數1~12的烷基或碳數3~12的脂環式烴基,更佳為甲基或乙基。 R a36中的烴基較佳為碳數1~18的烷基、碳數3~18的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或藉由將該些組合而形成的基,更佳為碳數1~18的烷基、碳數3~18的脂環式烴基或碳數7~18的芳烷基。R a36中的烷基及脂環式烴基較佳為未被取代。R a36中的芳香族烴基較佳為具有碳數6~10的芳氧基的芳香環。 結構單元(a1-4)中的-OC(R a34)(R a35)-O-R a36與酸(例如對甲苯磺酸)接觸而脫離,形成羥基。 -OC(R a34)(R a35)-O-R a36較佳為鍵結於苯環的鄰位或對位,更佳為鍵結於對位。
作為結構單元(a1-4),例如可列舉源自日本專利特開2010-204646號公報中所記載的單體的結構單元。較佳為可列舉式(a1-4-1)~式(a1-4-24)分別所表示的結構單元及將相當於R a32的氫原子取代為鹵素原子、鹵代烷基或烷基的結構單元,更佳為可列舉式(a1-4-1)~式(a1-4-5)、式(a1-4-10)、式(a1-4-13)、式(a1-4-14)、式(a1-4-19)、式(a1-4-20)分別所表示的結構單元。
Figure 02_image079
於樹脂(A2)包含結構單元(a1-4)的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元的合計,其含有率較佳為3莫耳%~80莫耳%,更佳為5莫耳%~75莫耳%,進而佳為7莫耳%~70莫耳%,進而更佳為7莫耳%~65莫耳%,特佳為10莫耳%~60莫耳%。
作為源自具有基(2)的(甲基)丙烯酸系單體的結構單元,亦可列舉式(a1-5)所表示的結構單元(以下有時稱為「結構單元(a1-5)」)。
Figure 02_image081
式(a1-5)中, R a8表示可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基、氫原子或鹵素原子。 Z a1表示單鍵或*-(CH 2) h3-CO-L 54-,h3表示1~4的任一整數,*表示與L 51的鍵結部位。 L 51、L 52、L 53及L 54分別獨立地表示-O-或-S-。 s1表示1~3的任一整數。 s1'表示0~3的任一整數。
作為鹵素原子,可列舉氟原子及氯原子,較佳為氟原子。 作為可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、氟甲基及三氟甲基。 式(a1-5)中,R a8較佳為氫原子、甲基或三氟甲基。 L 51較佳為氧原子。 L 52及L 53中,較佳為一者為-O-,另一者為-S-。 s1較佳為1。 s1'較佳為0~2的任一整數。 Z a1較佳為單鍵或*-CH 2-CO-O-。
作為結構單元(a1-5),例如可列舉源自日本專利特開2010-61117號公報中所記載的單體的結構單元。其中,較佳為式(a1-5-1)~式(a1-5-4)分別所表示的結構單元,更佳為式(a1-5-1)或式(a1-5-2)所表示的結構單元。
Figure 02_image083
於樹脂(A2)包含結構單元(a1-5)的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,其含有率較佳為1莫耳%~50莫耳%,更佳為3莫耳%~45莫耳%,進而佳為5莫耳%~40莫耳%,進而更佳為5莫耳%~30莫耳%。
另外,作為結構單元(a1),亦可列舉以下的結構單元。
Figure 02_image085
於樹脂(A2)包含所述(a1-3-1)~(a1-3-7)般的結構單元的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,其含有率較佳為10莫耳%~95莫耳%,更佳為15莫耳%~90莫耳%,進而佳為20莫耳%~85莫耳%,進而更佳為20莫耳%~70莫耳%,特佳為20莫耳%~60莫耳%。
另外,作為結構單元(a1),亦可列舉以下的結構單元。
Figure 02_image087
於樹脂(A2)包含所述(a1-6-1)~(a1-6-3)般的結構單元的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,其含有率較佳為10莫耳%~60莫耳%,更佳為15莫耳%~55莫耳%,進而佳為20莫耳%~50莫耳%,進而更佳為20莫耳%~45莫耳%,特佳為20莫耳%~40莫耳%。
〈結構單元(s)〉 結構單元(s)是自不具有酸不穩定基的單體(以下有時稱為「單體(s)」)導出。導出結構單元(s)的單體可使用抗蝕劑領域中公知的不具有酸不穩定基的單體。 作為結構單元(s),較佳為具有羥基或內酯環。若將包含具有羥基且不具有酸不穩定基的結構單元(以下有時稱為「結構單元(a2)」)及/或具有內酯環且不具有酸不穩定基的結構單元(以下有時稱為「結構單元(a3)」)的樹脂用於本發明的抗蝕劑組成物,則可提高抗蝕劑圖案的解析度及與基板的密接性。
〈結構單元(a2)〉 結構單元(a2)具有的羥基可為醇性羥基,亦可為酚性羥基。 於由本發明的抗蝕劑組成物製造抗蝕劑圖案時,於使用KrF準分子雷射(248 nm)、電子束或EUV(超紫外光)等高能量射線作為曝光光源的情況下,作為結構單元(a2),較佳為具有酚性羥基的結構單元(a2),更佳為使用後述的結構單元(a2-A)。另外,於使用ArF準分子雷射(193 nm)等的情況下,作為結構單元(a2),較佳為具有醇性羥基的結構單元(a2),更佳為使用後述的結構單元(a2-1)。作為結構單元(a2),可單獨包含一種,亦可包含兩種以上。
作為結構單元(a2)中具有酚性羥基的結構單元,可列舉式(a2-A)所表示的結構單元(以下有時稱為「結構單元(a2-A)」)。
Figure 02_image089
[式(a2-A)中, R a50表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 R a51表示鹵素原子、羥基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~12的烷氧基烷基、碳數2~12的烷氧基烷氧基、碳數2~4的烷基羰基、碳數2~4的烷基羰氧基、丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基。 A a50表示單鍵或*-X a51-(A a52-X a52) nb-,*表示與-R a50所鍵結的碳原子的鍵結部位。 A a52表示碳數1~6的烷二基。 X a51及X a52分別獨立地表示-O-、-CO-O-或-O-CO-。 nb表示0或1。 mb表示0~4的任一整數。於mb為2以上的任一整數的情況下,多個R a51相互可相同亦可不同。]
作為R a50及R a51中的鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子及溴原子等。 作為R a50中的可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基,可列舉:三氟甲基、二氟甲基、甲基、全氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、乙基、全氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、丁基、全氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5-九氟戊基、戊基、己基及全氟己基。 R a50較佳為氫原子或碳數1~4的烷基,更佳為氫原子、甲基或乙基,進而佳為氫原子或甲基。 作為R a51中的烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基。烷基較佳為碳數1~4的烷基,更佳為甲基或乙基,進而佳為甲基。 作為R a51中的烷氧基,可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、第三丁氧基。烷氧基較佳為碳數1~4的烷氧基,更佳為甲氧基或乙氧基,進而佳為甲氧基。 作為R a51中的烷氧基烷基,可列舉:甲氧基甲基、乙氧基乙基、丙氧基甲基、異丙氧基甲基、丁氧基甲基、第二丁氧基甲基、第三丁氧基甲基。烷氧基烷基較佳為碳數2~8的烷氧基烷基,更佳為甲氧基甲基或乙氧基乙基,進而佳為甲氧基甲基。 作為R a51中的烷氧基烷氧基,可列舉:甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基甲氧基、乙氧基乙氧基、丙氧基甲氧基、異丙氧基甲氧基、丁氧基甲氧基、第二丁氧基甲氧基、第三丁氧基甲氧基。烷氧基烷氧基較佳為碳數2~8的烷氧基烷氧基,更佳為甲氧基乙氧基或乙氧基乙氧基。 作為R a51中的烷基羰基,可列舉:乙醯基、丙醯基及丁醯基等。烷基羰基較佳為碳數2~3的烷基羰基,更佳為乙醯基。 作為R a51中的烷基羰氧基,可列舉:乙醯基氧基、丙醯基氧基及丁醯基氧基。烷基羰氧基較佳為碳數2~3的烷基羰氧基,更佳為乙醯基氧基。 R a51較佳為鹵素原子、羥基、碳數1~4的烷基、碳數1~4的烷氧基或碳數2~8的烷氧基烷氧基,更佳為氟原子、碘原子、羥基、甲基、甲氧基、乙氧基、乙氧基乙氧基或乙氧基甲氧基,進而佳為氟原子、碘原子、羥基、甲基、甲氧基或乙氧基乙氧基。
作為*-X a51-(A a52-X a52) nb-,可列舉:*-O-、*-CO-O-、*-O-CO-、*-CO-O-A a52-CO-O-、*-O-CO-A a52-O-、*-O-A a52-CO-O-、*-CO-O-A a52-O-CO-、*-O-CO-A a52-O-CO-。其中,較佳為*-CO-O-、*-CO-O-A a52-CO-O-或*-O-A a52-CO-O-。
作為A a52中的烷二基,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基及2-甲基丁烷-1,4-二基等。 A a52較佳為亞甲基或伸乙基。
A a50較佳為單鍵、*-CO-O-或*-CO-O-A a52-CO-O-,更佳為單鍵、*-CO-O-或*-CO-O-CH 2-CO-O-,進而佳為單鍵或*-CO-O-。
mb較佳為0、1或2,更佳為0或1,進而佳為0。 羥基較佳為至少一個鍵結於苯環的間位或對位,更佳為鍵結於間位。於苯基具有兩個以上的羥基的情況下,較佳為兩個羥基分別鍵結於間位與對位。
作為結構單元(a2-A),可列舉源自日本專利特開2010-204634號公報、日本專利特開2012-12577號公報中所記載的單體的結構單元。
作為結構單元(a2-A),可列舉式(a2-2-1)~式(a2-2-24)所表示的結構單元及式(a2-2-1)~式(a2-2-24)所表示的結構單元中將相當於結構單元(a2-A)中的R a50的甲基取代為氫原子、鹵素原子、鹵代烷基或其他烷基的結構單元。結構單元(a2-A)較佳為式(a2-2-1)~式(a2-2-4)所表示的結構單元、式(a2-2-6)所表示的結構單元、式(a2-2-8)所表示的結構單元、式(a2-2-12)~式(a2-2-18)所表示的結構單元及式(a2-2-1)~式(a2-2-4)所表示的結構單元、式(a2-2-6)所表示的結構單元、式(a2-2-8)所表示的結構單元、式(a2-2-12)~式(a2-2-18)所表示的結構單元中將相當於結構單元(a2-A)中的R a50的甲基取代為氫原子的結構單元,更佳為式(a2-2-3)所表示的結構單元、式(a2-2-4)所表示的結構單元、式(a2-2-8)所表示的結構單元、式(a2-2-12)~式(a2-2-14)所表示的結構單元、式(a2-2-18)所表示的結構單元及式(a2-2-3)所表示的結構單元、式(a2-2-4)所表示的結構單元、式(a2-2-8)所表示的結構單元、式(a2-2-12)~式(a2-2-14)所表示的結構單元、式(a2-2-18)所表示的結構單元中將相當於結構單元(a2-A)中的R a50的甲基取代為氫原子的結構單元,進而佳為式(a2-2-3)所表示的結構單元、式(a2-2-4)所表示的結構單元、式(a2-2-8)所表示的結構單元及式(a2-2-3)所表示的結構單元、式(a2-2-4)所表示的結構單元、式(a2-2-8)所表示的結構單元中將相當於結構單元(a2-A)中的R a50的甲基取代為氫原子的結構單元。
Figure 02_image091
相對於所有結構單元,樹脂(A2)中包含結構單元(a2-A)時的結構單元(a2-A)的含有率較佳為5莫耳%以上,更佳為10莫耳%以上,進而佳為15莫耳%以上,進一步更佳為20莫耳%以上。另外,較佳為80莫耳%以下,更佳為70莫耳%以下,進而佳為65莫耳%以下。具體而言,較佳為5莫耳%~80莫耳%,更佳為10莫耳%~70莫耳%,進而佳為15莫耳%~65莫耳%,進而更佳為20莫耳%~65莫耳%。 結構單元(a2-A)例如可藉由於使用結構單元(a1-4)進行聚合後,利用對甲苯磺酸等酸進行處理而包含於樹脂(A2)中。另外,可藉由於使用乙醯氧基苯乙烯等進行聚合後,利用四甲基氫氧化銨等鹼進行處理,而使結構單元(a2-A)包含於樹脂(A2)中。
作為結構單元(a2)中具有醇性羥基的結構單元,可列舉式(a2-1)所表示的結構單元(以下有時稱為「結構單元(a2-1)」)。
Figure 02_image093
式(a2-1)中, L a3表示-O-或*-O-(CH 2) k2-CO-O-, k2表示1~7的任一整數。*表示與-CO-的鍵結部位。 R a14表示氫原子或甲基。 R a15及R a16分別獨立地表示氫原子、甲基或羥基。 o1表示0~10的任一整數。
式(a2-1)中,L a3較佳為-O-、-O-(CH 2) f1-CO-O-(所述f1表示1~4的任一整數),更佳為-O-。 R a14較佳為甲基。 R a15較佳為氫原子。 R a16較佳為氫原子或羥基。 o1較佳為0~3的任一整數,更佳為0或1。
作為結構單元(a2-1),例如可列舉源自日本專利特開2010-204646號公報中所記載的單體的結構單元。較佳為式(a2-1-1)~式(a2-1-6)的任一者所表示的結構單元,更佳為式(a2-1-1)~式(a2-1-4)的任一者所表示的結構單元,進而佳為式(a2-1-1)或式(a2-1-3)所表示的結構單元。
Figure 02_image095
於樹脂(A2)包含結構單元(a2-1)的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,其含有率可列舉1莫耳%以上,較佳為2莫耳%以上。另外,可列舉45莫耳%以下,較佳為40莫耳%以下,更佳為35莫耳%以下,進而佳為20莫耳%以下,進一步更佳為10莫耳%以下。具體而言,可列舉1莫耳%~45莫耳%,較佳為1莫耳%~40莫耳%,更佳為1莫耳%~35莫耳%,進而佳為1莫耳%~20莫耳%,進而更佳為1莫耳%~10莫耳%。
〈結構單元(a3)〉 結構單元(a3)具有的內酯環可為β-丙內酯環、γ-丁內酯環、δ-戊內酯環般的單環,亦可為單環式的內酯環與其他環的稠環。較佳為可列舉γ-丁內酯環、金剛烷內酯環、或包含γ-丁內酯環結構的橋聯環(例如下式(a3-2)所表示的結構單元)。
結構單元(a3)較佳為式(a3-1)、式(a3-2)、式(a3-3)或式(a3-4)所表示的結構單元。可單獨含有該些的一種,亦可含有兩種以上。
Figure 02_image097
[式(a3-1)、式(a3-2)、式(a3-3)及式(a3-4)中, L a4、L a5及L a6分別獨立地表示-O-或*-O-(CH 2) k3-CO-O-(k3表示1~7的任一整數)所表示的基。 L a7表示-O-、*-O-L a8-O-、*-O-L a8-CO-O-、*-O-L a8-CO-O-L a9-CO-O-或*-O-L a8-O-CO-L a9-O-。 L a8及L a9分別獨立地表示碳數1~6的烷二基。 *表示與羰基的鍵結部位。 R a18、R a19及R a20分別獨立地表示氫原子或甲基。 R a24表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 X a3表示-CH 2-或氧原子。 R a21表示碳數1~4的脂肪族烴基。 R a22、R a23及R a25分別獨立地表示羧基、氰基或碳數1~4的脂肪族烴基。 p1表示0~5的任一整數。 q1表示0~3的任一整數。 r1表示0~3的任一整數。 w1表示0~8的任一整數。 於p1、q1、r1及/或w1為2以上時,多個R a21、R a22、R a23及/或R a25相互可相同亦可不同。]
作為R a21、R a22、R a23及R a25中的脂肪族烴基,可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基及第三丁基等烷基。 作為R a24中的鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。 作為R a24中的烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基及己基等,較佳為可列舉碳數1~4的烷基,更佳為可列舉甲基或乙基。 作為R a24中的具有鹵素原子的烷基,可列舉:三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基、全氟己基、三氯甲基、三溴甲基、三碘甲基等。
作為L a8及L a9中的烷二基,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基及2-甲基丁烷-1,4-二基等。
式(a3-1)~式(a3-3)中,L a4~L a6分別獨立地較佳為-O-或*-O-(CH 2) k3-CO-O-中k3為1~4的任一整數的基,更佳為-O-及*-O-CH 2-CO-O-,進而佳為氧原子。 R a18~R a21較佳為甲基。 R a22及R a23分別獨立地較佳為羧基、氰基或甲基。 p1、q1及r1分別獨立地較佳為0~2的任一整數,更佳為0或1。
式(a3-4)中,R a24較佳為氫原子或碳數1~4的烷基,更佳為氫原子、甲基或乙基,進而佳為氫原子或甲基。 R a25較佳為羧基、氰基或甲基。 L a7較佳為-O-或*-O-L a8-CO-O-,更佳為-O-、-O-CH 2-CO-O-或-O-C 2H 4-CO-O-。 w1較佳為0~2的任一整數,更佳為0或1。 特別是式(a3-4)較佳為式(a3-4)'。
Figure 02_image099
(式中,R a24、L a7表示與所述相同的含義)
作為結構單元(a3),可列舉源自日本專利特開2010-204646號公報中所記載的單體、日本專利特開2000-122294號公報中所記載的單體、日本專利特開2012-41274號公報中所記載的單體的結構單元。作為結構單元(a3),較佳為式(a3-1-1)、式(a3-1-2)、式(a3-2-1)、式(a3-2-2)、式(a3-3-1)、式(a3-3-2)及式(a3-4-1)~式(a3-4-12)的任一者所表示的結構單元及所述結構單元中將相當於式(a3-1)~式(a3-4)中的R a18、R a19、R a20及R a24的甲基取代為氫原子的結構單元。
Figure 02_image101
於樹脂(A2)包含結構單元(a3)的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,其合計含有率可列舉1莫耳%以上,較佳為3莫耳%以上,更佳為5莫耳%以上,進而佳為10莫耳%以上。另外,可列舉70莫耳%以下,較佳為65莫耳%以下,更佳為60莫耳%以下。具體而言,可列舉1莫耳%~70莫耳%,較佳為3莫耳%~65莫耳%,更佳為5莫耳%~60莫耳%。 另外,相對於樹脂(A)的所有結構單元,結構單元(a3-1)、結構單元(a3-2)、結構單元(a3-3)或結構單元(a3-4)的含有率分別較佳為1莫耳%以上,更佳為3莫耳%以上,進而佳為5莫耳%以上。另外,較佳為60莫耳%以下,更佳為55莫耳%以下,進而佳為50莫耳%以下。具體而言,較佳為1莫耳%~60莫耳%,更佳為3莫耳%~55莫耳%,進而佳為5莫耳%~50莫耳%。
〈結構單元(a4)〉 作為結構單元(a4),可列舉以下的結構單元。
Figure 02_image103
[式(a4)中, R 41表示氫原子或甲基。 R 42表示碳數1~24的具有鹵素原子的飽和烴基,該飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。] R 42所表示的飽和烴基可列舉鏈式飽和烴基及單環或多環的脂環式飽和烴基、以及藉由將該些組合而形成的基等。
作為鏈式飽和烴基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基及十八烷基。 作為單環或多環的脂環式飽和烴基,可列舉:環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基;十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基(*表示鍵結部位)等多環式的脂環式飽和烴基。
Figure 02_image105
作為藉由組合而形成的基,可列舉藉由將一個以上的烷基或一個以上的烷二基、與一個以上的脂環式飽和烴基組合而形成的基,可列舉:-烷二基-脂環式飽和烴基、-脂環式飽和烴基-烷基、-烷二基-脂環式飽和烴基-烷基等。
作為結構單元(a4),較佳為具有氟原子的結構單元,可列舉式(a4-0)所表示的結構單元、式(a4-1)所表示的結構單元及式(a4-4)所表示的結構單元。
Figure 02_image107
[式(a4-0)中, R 54表示氫原子或甲基。 L 4a表示單鍵或碳數1~4的烷二基。 L 3a表示碳數1~8的全氟烷二基或碳數3~12的全氟環烷二基。 R 64表示氫原子或氟原子。]
作為L 4a中的烷二基,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基等直鏈狀烷二基、乙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基及2-甲基丙烷-1,2-二基等分支狀烷二基。
作為L 3a中的全氟烷二基,可列舉:二氟亞甲基、全氟伸乙基、全氟乙基氟亞甲基、全氟丙烷-1,3-二基、全氟丙烷-1,2-二基、全氟丙烷-2,2-二基、全氟丁烷-1,4-二基、全氟丁烷-2,2-二基、全氟丁烷-1,2-二基、全氟戊烷-1,5-二基、全氟戊烷-2,2-二基、全氟戊烷-3,3-二基、全氟己烷-1,6-二基、全氟己烷-2,2-二基、全氟己烷-3,3-二基、全氟庚烷-1,7-二基、全氟庚烷-2,2-二基、全氟庚烷-3,4-二基、全氟庚烷-4,4-二基、全氟辛烷-1,8-二基、全氟辛烷-2,2-二基、全氟辛烷-3,3-二基、全氟辛烷-4,4-二基等。 作為L 3a中的全氟環烷二基,可列舉:全氟環己二基、全氟環戊二基、全氟環庚二基、全氟金剛烷二基等。
L 4a較佳為單鍵、亞甲基或伸乙基,更佳為單鍵、亞甲基。 L 3a較佳為碳數1~6的全氟烷二基,更佳為碳數1~3的全氟烷二基。
作為結構單元(a4-0),可列舉以下所示的結構單元及下述結構單元中的將相當於結構單元(a4-0)中的R 54的甲基取代為氫原子的結構單元。
Figure 02_image109
作為結構單元(a4),可列舉式(a4-1)所表示的結構單元。
Figure 02_image111
[式(a4-1)中, R a41表示氫原子或甲基。 R a42表示可具有取代基的碳數1~20的飽和烴基,該飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。 A a41表示可具有取代基的碳數1~6的烷二基或式(a-g1)所表示的基。其中,A a41及R a42中至少一者具有鹵素原子(較佳為氟原子)作為取代基。
Figure 02_image113
〔式(a-g1)中, s表示0或1。 A a42及A a44分別獨立地表示可具有取代基的碳數1~5的二價飽和烴基。 A a43表示單鍵或可具有取代基的碳數1~5的二價飽和烴基。 X a41及X a42分別獨立地表示-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-。 其中,A a42、A a43、A a44、X a41及X a42的碳數的合計為7以下。〕 *為鍵結部位,右側的*為與-O-CO-R a42的鍵結部位。]
作為R a42中的飽和烴基,可列舉鏈式飽和烴基及單環或多環的脂環式飽和烴基、以及藉由將該些組合而形成的基等。
作為鏈式飽和烴基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基及十八烷基等。 作為單環或多環的脂環式飽和烴基,可列舉:環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基;十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基(*表示鍵結部位)等多環式的脂環式飽和烴基。
Figure 02_image115
作為藉由組合而形成的基,可列舉藉由將一個以上的烷基或一個以上的烷二基、與一個以上的脂環式飽和烴基組合而形成的基,可列舉:-烷二基-脂環式飽和烴基、-脂環式飽和烴基-烷基、-烷二基-脂環式飽和烴基-烷基等。
作為R a42所具有的取代基,可列舉選自由鹵素原子及式(a-g3)所表示的基所組成的群組中的至少一種。作為鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子及碘原子,較佳為氟原子。
Figure 02_image117
[式(a-g3)中, X a43表示氧原子、羰基、*-O-CO-或*-CO-O-。 A a45表示可具有鹵素原子的碳數1~17的飽和烴基。 *表示與R a42的鍵結部位。] 其中,於R a42-X a43-A a45中R a42不具有鹵素原子的情況下,A a45表示具有至少一個鹵素原子的碳數1~17的飽和烴基。
作為A a45中的飽和烴基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基及十八烷基等烷基; 環戊基、環己基、環庚基、環辛基等單環式的脂環式烴基;以及十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基(*表示鍵結部位)等多環式的脂環式烴基。
Figure 02_image119
作為藉由組合而形成的基,可列舉藉由將一個以上的烷基或一個以上的烷二基、與一個以上的脂環式烴基組合而形成的基,可列舉:-烷二基-脂環式烴基、-脂環式烴基-烷基、-烷二基-脂環式烴基-烷基等。
R a42較佳為可具有鹵素原子的飽和烴基,更佳為具有鹵素原子的烷基及/或具有式(a-g3)所表示的基的飽和烴基。 於R a42為具有鹵素原子的飽和烴基的情況下,較佳為具有氟原子的飽和烴基,更佳為全氟烷基或全氟環烷基,進而佳為碳數為1~6的全氟烷基,特佳為碳數1~3的全氟烷基。作為全氟烷基,可列舉:全氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基及全氟辛基等。作為全氟環烷基,可列舉全氟環己基等。 於R a42為具有式(a-g3)所表示的基的飽和烴基的情況下,包括式(a-g3)所表示的基中包含的碳數在內,R a42的總碳數較佳為15以下,更佳為12以下。於具有式(a-g3)所表示的基作為取代基的情況下,其個數較佳為一個。
於R a42為具有式(a-g3)所表示的基的飽和烴基的情況下,R a42進而佳為式(a-g2)所表示的基。
Figure 02_image121
[式(a-g2)中, A a46表示可具有鹵素原子的碳數1~17的二價飽和烴基。 X a44表示**-O-CO-或**-CO-O-(**表示與A a46的鍵結部位)。 A a47表示可具有鹵素原子的碳數1~17的飽和烴基。 其中,A a46、A a47及X a44的碳數的合計為18以下,A a46及A a47中,至少一者具有至少一個鹵素原子。 *表示與羰基的鍵結部位。]
A a46中的飽和烴基的碳數較佳為1~6,更佳為1~3。 A a47中的飽和烴基的碳數較佳為4~15,更佳為5~12,A a47進而佳為環己基或金剛烷基。
式(a-g2)所表示的基的較佳的結構為以下的結構(*為與羰基的鍵結部位)。
Figure 02_image123
作為A a41中的烷二基,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基等直鏈狀烷二基;丙烷-1,2-二基、丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、1-甲基丁烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支狀烷二基。 作為A a41中表示的烷二基中的取代基,可列舉羥基及碳數1~6的烷氧基等。 A a41較佳為碳數1~4的烷二基,更佳為碳數2~4的烷二基,進而佳為伸乙基。
作為式(a-g1)所表示的基中的A a42、A a43及A a44表示的二價飽和烴基,可列舉直鏈或分支的烷二基及單環或多環的二價脂環式飽和烴基、以及藉由將烷二基及二價脂環式飽和烴基組合而形成的二價飽和烴基等。具體而言,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、1-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基等。 作為A a42、A a43及A a44表示的二價飽和烴基的取代基,可列舉羥基及碳數1~6的烷氧基等。 s較佳為0。
式(a-g1)所表示的基中,作為X a42為-O-、-CO-、-CO-O-或-O-CO-的基,可列舉以下的基等。以下的示例中,*及**分別表示鍵結部位,**為與-O-CO-R a42的鍵結部位。
Figure 02_image125
作為式(a4-1)所表示的結構單元,可列舉以下所示的結構單元及下述結構單元中的將相當於式(a4-1)所表示的結構單元中的R a41的甲基取代為氫原子的結構單元。
Figure 02_image127
作為式(a4-1)所表示的結構單元,可列舉式(a4-2)所表示的結構單元及式(a4-3)所表示的結構單元。
Figure 02_image129
[式(a4-2)中, R f5表示氫原子或甲基。 L 44表示碳數1~6的烷二基,該烷二基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。 R f6表示碳數1~20的具有氟原子的飽和烴基。 其中,L 44及R f6的合計碳數的上限為21。]
L 44中的碳數1~6的烷二基可列舉與A a41中例示者相同的基。 R f6中的飽和烴基可列舉與R 42中例示者相同的基。 作為L 44中的烷二基,較佳為碳數2~4的烷二基,更佳為伸乙基。
作為式(a4-2)所表示的結構單元,例如可列舉式(a4-1-1)~式(a4-1-11)分別所表示的結構單元。將相當於結構單元(a4-2)中的R f5的甲基取代為氫原子的結構單元亦可列舉為式(a4-2)所表示的結構單元。
Figure 02_image131
[式(a4-3)中, R f7表示氫原子或甲基。 L 5表示碳數1~6的烷二基。 A f13表示可具有氟原子的碳數1~18的二價飽和烴基。 X f12表示*-O-CO-或*-CO-O-(*表示與A f13的鍵結部位)。 A f14表示可具有氟原子的碳數1~17的飽和烴基。 其中,A f13及A f14的至少一者具有氟原子,L 5、A f13及A f14的合計碳數的上限為20。]
作為L 5中的烷二基,可列舉與A a41中的烷二基中例示者相同的基。
作為A f13中的可具有氟原子的二價飽和烴基,較佳為可具有氟原子的二價鏈式飽和烴基及可具有氟原子的二價脂環式飽和烴基,更佳為全氟烷二基。 作為可具有氟原子的二價鏈式飽和烴基,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙二基、丁二基及戊二基等烷二基;二氟亞甲基、全氟伸乙基、全氟丙二基、全氟丁二基及全氟戊二基等全氟烷二基等。 可具有氟原子的二價脂環式飽和烴基可為單環式及多環式的任一種。作為單環式的基,可列舉環己二基及全氟環己二基等。作為多環式的基,可列舉:金剛烷二基、降冰片烷二基、全氟金剛烷二基等。
A f14中的飽和烴基及可具有氟原子的飽和烴基可列舉與R a42中例示者相同的基。其中,較佳為:三氟甲基、二氟甲基、甲基、全氟乙基、2,2,2-三氟乙基、1,1,2,2-四氟乙基、乙基、全氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、丙基、全氟丁基、1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基、丁基、全氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5-九氟戊基、戊基、己基、全氟己基、庚基、全氟庚基、辛基及全氟辛基等氟化烷基、環丙基甲基、環丙基、環丁基甲基、環戊基、環己基、全氟環己基、金剛烷基、金剛烷基甲基、金剛烷基二甲基、降冰片基、降冰片基甲基、全氟金剛烷基、全氟金剛烷基甲基等。
式(a4-3)中,L 5較佳為伸乙基。 A f13中的二價飽和烴基較佳為包含碳數1~6的二價鏈式飽和烴基及碳數3~12的二價脂環式飽和烴基的基,進而佳為碳數2~3的二價鏈式飽和烴基。 A f14中的飽和烴基較佳為包含碳數3~12的鏈式飽和烴基及碳數3~12的脂環式飽和烴基的基,進而佳為包含碳數3~10的鏈式飽和烴基及碳數3~10的脂環式飽和烴基的基。其中,A f14較佳為包含碳數3~12的脂環式飽和烴基的基,更佳為環丙基甲基、環戊基、環己基、降冰片基及金剛烷基。
作為式(a4-3)所表示的結構單元,例如可列舉式(a4-1'-1)~式(a4-1'-11)分別所表示的結構單元。將相當於結構單元(a4-3)中的R f7的甲基取代為氫原子的結構單元亦可列舉為式(a4-3)所表示的結構單元。
作為結構單元(a4),亦可列舉式(a4-4)所表示的結構單元。
Figure 02_image133
[式(a4-4)中, R f21表示氫原子或甲基。 A f21表示-(CH 2) j1-、-(CH 2) j2-O-(CH 2) j3-或-(CH 2) j4-CO-O-(CH 2) j5-。 j1~j5分別獨立地表示1~6的任一整數。 R f22表示具有氟原子的碳數1~10的飽和烴基。]
R f22中的飽和烴基可列舉與R a42所表示的飽和烴基相同者。R f22較佳為具有氟原子的碳數1~10的烷基或具有氟原子的碳數1~10的脂環式飽和烴基,更佳為具有氟原子的碳數1~10的烷基,進而佳為具有氟原子的碳數1~6的烷基。
式(a4-4)中,作為A f21,較佳為-(CH 2) j1-,更佳為伸乙基或亞甲基,進而佳為亞甲基。
作為式(a4-4)所表示的結構單元,例如可列舉以下的結構單元及由以下式子所表示的結構單元中,將相當於結構單元(a4-4)中的R f21的甲基取代為氫原子的結構單元。
Figure 02_image135
於樹脂(A2)包含結構單元(a4)的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,其含有率較佳為1莫耳%~20莫耳%,更佳為2莫耳%~15莫耳%,進而佳為3莫耳%~10莫耳%。
〈結構單元(a5)〉 作為結構單元(a5)具有的非脫離烴基,可列舉具有直鏈、分支或環狀的烴基的基。其中,結構單元(a5)較佳為具有脂環式烴基的基。 作為結構單元(a5),例如可列舉式(a5-1)所表示的結構單元。
Figure 02_image137
[式(a5-1)中, R 51表示氫原子或甲基。 R 52表示碳數3~18的脂環式烴基,該脂環式烴基中包含的氫原子可被碳數1~8的脂肪族烴基取代。 L 55表示單鍵或碳數1~18的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。]
作為R 52中的脂環式烴基,可為單環式及多環式的任一種。作為單環式的脂環式烴基,例如可列舉:環丙基、環丁基、環戊基及環己基。作為多環式的脂環式烴基,例如可列舉金剛烷基及降冰片基等。 碳數1~8的脂肪族烴基例如可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基及2-乙基己基等烷基。 作為具有取代基的脂環式烴基,可列舉3-甲基金剛烷基等。 R 52較佳為未被取代的碳數3~18的脂環式烴基,更佳為金剛烷基、降冰片基或環己基。
作為L 55中的二價飽和烴基,可列舉二價鏈式飽和烴基及二價脂環式飽和烴基,較佳為二價鏈式飽和烴基。 作為二價鏈式飽和烴基,例如可列舉:亞甲基、伸乙基、丙二基、丁二基及戊二基等烷二基。 二價脂環式飽和烴基可為單環式及多環式的任一種。作為單環式的脂環式飽和烴基,可列舉環戊二基及環己二基等環烷二基。作為多環式的二價脂環式飽和烴基,可列舉金剛烷二基及降冰片烷二基等。
作為L 55表示的二價飽和烴基中包含的-CH 2-被-O-或-CO-取代的基,例如可列舉式(L1-1)~式(L1-4)所表示的基。下述式中,*及**各自表示鍵結部位,*表示與氧原子的鍵結部位。
Figure 02_image139
式(L1-1)中, X x1表示*-O-CO-或*-CO-O-(*表示與L x1的鍵結部位)。 L x1表示碳數1~16的二價脂肪族飽和烴基。 L x2表示單鍵或碳數1~15的二價脂肪族飽和烴基。 其中,L x1及L x2的合計碳數為16以下。 式(L1-2)中, L x3表示碳數1~17的二價脂肪族飽和烴基。 L x4表示單鍵或碳數1~16的二價脂肪族飽和烴基。 其中,L x3及L x4的合計碳數為17以下。 式(L1-3)中, L x5表示碳數1~15的二價脂肪族飽和烴基。 L x6及L x7分別獨立地表示單鍵或碳數1~14的二價脂肪族飽和烴基。 其中,L x5、L x6及L x7的合計碳數為15以下。 式(L1-4)中, L x8及L x9表示單鍵或碳數1~12的二價脂肪族飽和烴基。 W x1表示碳數3~15的二價脂環式飽和烴基。 其中,L x8、L x9及W x1的合計碳數為15以下。
L x1較佳為碳數1~8的二價脂肪族飽和烴基,更佳為亞甲基或伸乙基。 L x2較佳為單鍵或碳數1~8的二價脂肪族飽和烴基,更佳為單鍵。 L x3較佳為碳數1~8的二價脂肪族飽和烴基。 L x4較佳為單鍵或碳數1~8的二價脂肪族飽和烴基。 L x5較佳為碳數1~8的二價脂肪族飽和烴基,更佳為亞甲基或伸乙基。 L x6較佳為單鍵或碳數1~8的二價脂肪族飽和烴基,更佳為亞甲基或伸乙基。 L x7較佳為單鍵或碳數1~8的二價脂肪族飽和烴基。 L x8較佳為單鍵或碳數1~8的二價脂肪族飽和烴基,更佳為單鍵或亞甲基。 L x9較佳為單鍵或碳數1~8的二價脂肪族飽和烴基,更佳為單鍵或亞甲基。 W x1較佳為碳數3~10的二價脂環式飽和烴基,更佳為環己二基或金剛烷二基。
作為式(L1-1)所表示的基,例如可列舉以下所示的二價基。
Figure 02_image141
作為式(L1-2)所表示的基,例如可列舉以下所示的二價基。
Figure 02_image143
作為式(L1-3)所表示的基,例如可列舉以下所示的二價基。
Figure 02_image145
作為式(L1-4)所表示的基,例如可列舉以下所示的二價基。
Figure 02_image147
L 55較佳為單鍵或式(L1-1)所表示的基。
作為結構單元(a5-1),可列舉以下所示的結構單元及下述結構單元中的將相當於結構單元(a5-1)中的R 51的甲基取代為氫原子的結構單元。
Figure 02_image149
於樹脂(A2)具有結構單元(a5)的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,其含有率較佳為1莫耳%~30莫耳%,更佳為2莫耳%~20莫耳%,進而佳為3莫耳%~15莫耳%。
〈結構單元(a6)〉 結構單元(a6)為具有-SO 2-基的結構單元,較佳為於側鏈具有-SO 2-基。 具有-SO 2-基的結構單元可含有具有-SO 2-基的直鏈狀結構,亦可含有具有-SO 2-基的分支狀結構,抑或可含有具有-SO 2-基的環狀結構(單環及多環結構)。較佳為含有具有-SO 2-基的環狀結構的結構單元,更佳為具有包含-SO 2-O-的環狀結構(磺內酯環)的結構單元。
作為磺內酯環,可列舉:下述式(T 1-1)、式(T 1-2)、式(T 1-3)及式(T 1-4)所表示的環。鍵結部位可設為任意的位置。磺內酯環可為單環式,但較佳為多環式。多環式的磺內酯環是指包含-SO 2-O-作為構成環的原子團的橋聯環,可列舉式(T 1-1)及式(T 1-2)所表示的環。磺內酯環如式(T 1-2)所表示的環般,作為構成環的原子團,除包含-SO 2-O-以外亦可更包含雜原子。作為雜原子,可列舉:氧原子、硫原子或氮原子,較佳為氧原子。
Figure 02_image151
磺內酯環可具有取代基,作為取代基,可列舉:可具有鹵素原子或羥基的碳數1~12的烷基、鹵素原子、羥基、氰基、碳數1~12的烷氧基、碳數6~12的芳基、碳數7~12的芳烷基、縮水甘油氧基、碳數2~12的烷氧基羰基及碳數2~4的烷基羰基等。
作為鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。 作為烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基及癸基,較佳為碳數1~6的烷基,更佳為甲基。 作為具有鹵素原子的烷基,可列舉:三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基、全氟己基、三氯甲基、三溴甲基及三碘甲基,較佳為可列舉三氟甲基。 作為具有羥基的烷基,可列舉羥基甲基及2-羥基乙基等的羥基烷基。 作為烷氧基,可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊基氧基、己基氧基、庚基氧基、辛基氧基、癸基氧基及十二烷基氧基。 作為芳基,可列舉:苯基、萘基、蒽基、對甲基苯基、對第三丁基苯基、對金剛烷基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、聯苯基、菲基、2,6-二乙基苯基及2-甲基-6-乙基苯基。 作為芳烷基,可列舉:苄基、苯乙基、苯基丙基、萘基甲基及萘基乙基。 作為烷氧基羰基,可列舉甲氧基羰基、乙氧基羰基等將烷氧基與羰基鍵結而成的基,較佳為可列舉碳數6以下的烷氧基羰基,更佳為可列舉甲氧基羰基。 作為烷基羰基,可列舉:乙醯基、丙醯基及丁醯基。 就容易製造導出結構單元(a6)的單體的觀點而言,較佳為不具有取代基的磺內酯環。
作為磺內酯環,較佳為以下的式(T1')所表示的環。
Figure 02_image153
[式(T1')中, X 11表示氧原子、硫原子或亞甲基。 R 41表示可具有鹵素原子或羥基的碳數1~12的烷基、鹵素原子、羥基、氰基、碳數1~12的烷氧基、碳數6~12的芳基、碳數7~12的芳烷基、縮水甘油氧基、碳數2~12的烷氧基羰基或碳數2~4的烷基羰基。 ma表示0~9的任一整數。於ma為2以上時,多個R 41可相同亦可不同。 鍵結部位為任意的位置。]
X 11較佳為氧原子或亞甲基,更佳為亞甲基。 作為R 41,可列舉與所述磺內酯環的取代基相同者,較佳為可具有鹵素原子或羥基的碳數1~12的烷基。
ma較佳為0或1,更佳為0。
作為式(T1')所表示的環,可列舉以下的環。鍵結部位為任意的位置。
Figure 02_image155
具有磺內酯環的結構單元較佳為具有下述基。下述基中的*表示鍵結部位。
Figure 02_image157
具有-SO 2-基的結構單元較佳為更具有源自聚合性基的基。作為聚合性基,可列舉:乙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、丙烯醯氧基、甲基丙烯醯氧基、丙烯醯基胺基、甲基丙烯醯基胺基、丙烯醯基硫基、甲基丙烯醯基硫基等。 其中,導出結構單元(a6)的單體較佳為具有乙烯性不飽和鍵的單體,更佳為(甲基)丙烯酸系單體。
結構單元(a6)較佳為式(Ix)所表示的結構單元。
Figure 02_image159
[式(Ix)中,R x表示可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基、氫原子或鹵素原子。 A xx表示氧原子、-N(R c)-或硫原子。 A x表示單鍵或碳數1~18的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-CO-或-N(R d)-。 X 11、R 41及ma表示與所述相同的含義。 R c及R d相互獨立地表示氫原子或碳數1~6的烷基。]
作為R x中的鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。 作為R x中的烷基,例如可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基及正己基等,較佳為碳數1~4的烷基,更佳為甲基或乙基。 作為R x中的具有鹵素原子的烷基,例如可列舉:三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基、全氟己基、三氯甲基、三溴甲基及三碘甲基等。 R x較佳為氫原子或碳數1~4的烷基,更佳為氫原子、甲基或乙基,進而佳為氫原子或甲基。 作為A x中的二價飽和烴基,可列舉:直鏈狀烷二基、分支狀烷二基、單環式或多環式的二價脂環式飽和烴基,亦可為將該些基中的兩種以上組合而成者。 具體而言,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基、十三烷-1,13-二基、十四烷-1,14-二基、十五烷-1,15-二基、十六烷-1,16-二基、十七烷-1,17-二基、乙烷-1,1-二基、丙烷-1,1-二基及丙烷-2,2-二基等直鏈狀烷二基; 丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支狀烷二基; 環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等環烷二基即單環式的二價脂環式飽和烴基; 降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基、金剛烷-2,6-二基等多環式的二價脂環式飽和烴基等。
作為結構單元(a6),可列舉以下的結構單元。
Figure 02_image161
其中,較佳為式(a6-1)、式(a6-2)、式(a6-6)、式(a6-7)、式(a6-8)及式(a6-12)所表示的結構單元,更佳為式(a6-1)、式(a6-2)、式(a6-7)及式(a6-8)所表示的結構單元。 於樹脂(A2)具有結構單元(a6)的情況下,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,其含有率較佳為1莫耳%~50莫耳%,更佳為2莫耳%~40莫耳%,進而佳為3莫耳%~30莫耳%。
<結構單元(II)> 樹脂(A2)可更含有藉由曝光而分解並產生酸的結構單元(以下,有時稱為「結構單元(II)」)。作為結構單元(II),具體而言可列舉日本專利特開2016-79235號公報中記載的結構單元,較佳為側鏈具有磺酸酯基或羧酸酯基與有機陽離子的結構單元或者側鏈具有鋶基與有機陰離子的結構單元。
側鏈具有磺酸酯基或羧酸酯基與有機陽離子的結構單元較佳為式(II-2-A')所表示的結構單元。
Figure 02_image163
[式(II-2-A')中, X III3表示碳數1~18的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-或-CO-,該飽和烴基中包含的氫原子可被鹵素原子、可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基或羥基取代。 A x1表示碳數1~8的烷二基,該烷二基中包含的氫原子可被氟原子或碳數1~6的全氟烷基取代。 RA -表示磺酸酯基或羧酸酯基。 R III3表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 ZA +表示有機陽離子。]
作為R III3所表示的鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。 作為R III3所表示的可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基,可列舉與R a8所表示的可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基相同者。 作為A x1所表示的碳數1~8的烷二基,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、乙烷-1,1-二基、丙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丙烷-2,2-二基、戊烷-2,4-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等。 作為於A x1中可被取代的碳數1~6的全氟烷基,可列舉:三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基、全氟己基等。
作為X III3所表示的碳數1~18的二價飽和烴基,可列舉直鏈或分支狀烷二基、單環式或多環式的二價脂環飽和烴基,亦可為該些的組合。 具體而言,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基等直鏈狀烷二基;丁烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支狀烷二基; 環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等環烷二基等二價的單環式脂環式飽和烴基; 降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基、金剛烷-2,6-二基等二價的多環式脂環式飽和烴基等。
作為飽和烴基中包含的-CH 2-被-O-、-S-或-CO-取代者,例如可列舉式(X1)~式(X53)所表示的二價基。其中,飽和烴基中包含的-CH 2-被-O-、-S-或-CO-取代之前的碳數分別為17以下。下述式中,*及**表示鍵結部位,*表示與A x1的鍵結部位。
Figure 02_image165
X 3表示碳數1~16的二價的飽和烴基。 X 4表示碳數1~15的二價的飽和烴基。 X 5表示碳數1~13的二價的飽和烴基。 X 6表示碳數1~14的二價的飽和烴基。 X 7表示碳數1~14的三價的飽和烴基。 X 8表示碳數1~13的二價的飽和烴基。
作為ZA +所表示的有機陽離子,可列舉:有機鎓陽離子、有機鋶陽離子、有機錪陽離子、有機銨陽離子、苯並噻唑鎓陽離子及有機鏻陽離子等。該些中,較佳為有機鋶陽離子及有機錪陽離子,更佳為芳基鋶陽離子。具體而言,可列舉後述的式(b2-1)~式(b2-4)的任一者所表示的陽離子(以下,有時對應於式編號而稱為「陽離子(b2-1)」等)。
式(II-2-A')所表示的結構單元較佳為式(II-2-A)所表示的結構單元。
Figure 02_image167
[式(II-2-A)中, R III3、X III3及ZA +表示與所述相同的含義。 z表示0~6的任一整數。 R III2及R III4分別獨立地表示氫原子、氟原子或碳數1~6的全氟烷基,於z為2以上時,多個R III2及R III4相互可相同,亦可不同。 Q a及Q b分別獨立地表示氟原子或碳數1~6的全氟烷基。]
作為R III2、R III4、Q a及Q b所表示的碳數1~6的全氟烷基,可列舉與後述的Q b1所表示的碳數1~6的全氟烷基相同者。
式(II-2-A)所表示的結構單元較佳為式(II-2-A-1)所表示的結構單元。
Figure 02_image169
[式(II-2-A-1)中, R III2、R III3、R III4、Q a、Q b、z及ZA +表示與所述相同的含義。 R III5表示碳數1~12的飽和烴基。 X I2表示碳數1~11的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-或-CO-,該飽和烴基中包含的氫原子可被鹵素原子或羥基取代。]
作為R III5所表示的碳數1~12的飽和烴基,可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基及十二烷基等直鏈或分支的烷基。 作為X I2所表示的二價飽和烴基,可列舉與X III3所表示的二價飽和烴基相同者。
作為式(II-2-A-1)所表示的結構單元,較佳為式(II-2-A-2)所表示的結構單元。
Figure 02_image171
[式(II-2-A-2)中, R III3、R III5及ZA +表示與所述相同的含義。 m及n分別獨立地表示1或2。]
作為式(II-2-A')所表示的結構單元,例如可列舉以下的結構單元、將相當於R III3的甲基的基取代為氫原子、鹵素原子(例如,氟原子)或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基(例如,三氟甲基等)等的結構單元及國際公開第2012/050015號記載的結構單元。ZA +表示有機陽離子。
Figure 02_image173
側鏈具有鋶基與有機陰離子的結構單元較佳為式(II-1-1)所表示的結構單元。
Figure 02_image175
[式(II-1-1)中, A II1表示單鍵或二價連結基。 R II1表示碳數6~18的二價芳香族烴基。 R II2及R II3分別獨立地表示碳數1~18的烴基,R II2及R II3可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一同形成環。 R II4表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基。 A -表示有機陰離子。] 作為R II1所表示的碳數6~18的二價芳香族烴基,可列舉伸苯基及伸萘基等。 作為R II2及R II3所表示的烴基,可列舉:烷基、脂環式烴基、芳香族烴基及藉由將該些組合而形成的基等。 烷基及脂環式烴基可列舉與所述相同者。 作為芳香族烴基,可列舉:苯基、萘基、蒽基、聯苯基、菲基等芳基。 作為組合而成的基,可列舉:將所述烷基與脂環式烴基組合而成的基、苄基等芳烷基、具有烷基的芳香族烴基(對甲基苯基、對第三丁基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等)、具有脂環式烴基的芳香族烴基(對環己基苯基、對金剛烷基苯基等)、苯基環己基等芳基-環烷基等。 作為R II4所表示的鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。 作為R II4所表示的可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基,可列舉與R a8所表示的可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基相同者。 作為A II1所表示的二價連結基,例如可列舉碳數1~18的二價飽和烴基,該二價飽和烴基中包含的-CH 2-可被-O-、-S-或-CO-取代。具體而言,可列舉與X III3所表示的碳數1~18的二價飽和烴基相同者。
作為式(II-1-1)中的包含陽離子的結構單元,可列舉以下所表示的結構單元、將相當於R II4的甲基的基取代為氫原子、鹵素原子(例如,氟原子)或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基(例如,三氟甲基等)等的結構單元等。
Figure 02_image177
作為A -所表示的有機陰離子,可列舉:磺酸根陰離子、磺醯基醯亞胺陰離子、磺醯基甲基化物陰離子及羧酸根陰離子等。A -所表示的有機陰離子較佳為磺酸根陰離子,作為磺酸根陰離子,可列舉與後述的式(B1)所表示的鹽中包含的陰離子相同者。
作為磺醯基醯亞胺陰離子,可列舉以下者。
Figure 02_image179
作為磺醯基甲基化物陰離子,可列舉以下者。
Figure 02_image181
作為羧酸根陰離子,可列舉以下者。
Figure 02_image183
作為式(II-1-1)所表示的結構單元,可列舉以下所表示的結構單元等。
Figure 02_image185
樹脂(A2)中,相對於樹脂(A2)的所有結構單元,含有結構單元(II)時的結構單元(II)的含有率較佳為1莫耳%~20莫耳%,更佳為2莫耳%~15莫耳%,進而佳為3莫耳%~10莫耳%。
樹脂(A2)較佳為包含結構單元(a1)與結構單元(s)的樹脂,即單體(a1)與單體(s)的共聚物。 結構單元(a1)較佳為選自由結構單元(a1-0)、結構單元(a1-1)及結構單元(a1-2)(較佳為具有環己基、或環戊基的該結構單元)所組成的群組中的至少一種,更佳為至少兩種,進而佳為選自由結構單元(a1-1)及結構單元(a1-2)所組成的群組中的至少兩種。 結構單元(s)較佳為選自由結構單元(a2)及結構單元(a3)所組成的群組中的至少一種。結構單元(a2)較佳為式(a2-1)所表示的結構單元或式(a2-A)所表示的結構單元。結構單元(a3)較佳為選自由式(a3-1)所表示的結構單元、式(a3-2)所表示的結構單元及式(a3-4)所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種。
構成樹脂(A2)的各結構單元可僅使用一種或將兩種以上組合而使用,可使用導出該些結構單元的單體,藉由公知的聚合法(例如自由基聚合法)進行製造。樹脂(A2)具有的各結構單元的含有率可藉由聚合中使用的單體的使用量來調整。 樹脂(A2)的重量平均分子量較佳為2,000以上(更佳為2,500以上,進而佳為3,000以上)且50,000以下(更佳為30,000以下,進而佳為15,000以下)。於本說明書中,重量平均分子量為利用凝膠滲透層析法並利用實施例中記載的條件求出的值。
樹脂(A)中的樹脂(A1)及樹脂(A2)的含有比率(質量比)例如為0.01:10~5:10,較佳為0.05:10~3:10,更佳為0.1:10~2:10,進而佳為0.2:10~1:10。
〈樹脂(A1)及樹脂(A2)以外的樹脂〉 本發明的抗蝕劑組成物中,亦可含有所述樹脂(A1)及樹脂(A2)以外的樹脂、例如具有選自源自所述酸不穩定單體(a1)的結構單元、源自酸穩定單體的結構單元、源自該領域中所使用的公知的單體的結構單元中的至少一種的樹脂。 作為樹脂(A)以外的樹脂,例如可列舉含有結構單元(a4)及/或結構單元(a5)的樹脂(以下,有時稱為「樹脂(X)」)等。
作為樹脂(X)可更具有的結構單元,可列舉結構單元(a2)、結構單元(a3)及源自其他公知的單體的結構單元。其中,樹脂(X)較佳為僅包含結構單元(a4)及/或結構單元(a5)的樹脂,更佳為僅包含結構單元(a4)的樹脂。 於樹脂(X)包含結構單元(a4)的情況下,樹脂(X)中,相對於樹脂(X)的所有結構單元的合計,結構單元(a4)的含有率可列舉20莫耳%以上,較佳為30莫耳%以上,更佳為40莫耳%以上,進而佳為45莫耳%以上。另外,可列舉100莫耳%以下,較佳為80莫耳%以下,更佳為70莫耳%以下,進而佳為60莫耳%以下,進一步更佳為55莫耳%以下。具體而言,可列舉20莫耳%~100莫耳%,較佳為20莫耳%~80莫耳%,更佳為30莫耳%~70莫耳%,進而佳為40莫耳%~60莫耳%,進一步更佳為45莫耳%~55莫耳%。於樹脂(X)包含結構單元(a5)的情況下,相對於樹脂(X)的所有結構單元的合計,結構單元(a5)的含有率可列舉20莫耳%以上,較佳為30莫耳%以上,更佳為40莫耳%以上,進而佳為45莫耳%以上。另外,可列舉100莫耳%以下,較佳為80莫耳%以下,更佳為70莫耳%以下,進而佳為60莫耳%以下,進一步更佳為55莫耳%以下。具體而言,可列舉20莫耳%~100莫耳%,較佳為20莫耳%~80莫耳%,更佳為30莫耳%~70莫耳%,進而佳為40莫耳%~60莫耳%,進一步更佳為45莫耳%~55莫耳%。另外,於樹脂(X)包含結構單元(a4)及結構單元(a5)的情況下,相對於樹脂(X)的所有結構單元的合計,結構單元(a4)及結構單元(a5)的合計含有率可列舉40莫耳%以上,較佳為60莫耳%以上,更佳為70莫耳%以上,進而佳為80莫耳%以上。另外,可列舉100莫耳%以下。具體而言,可列舉40莫耳%~100莫耳%,較佳為60莫耳%~100莫耳%,更佳為70莫耳%~100莫耳%,進而佳為80莫耳%~100莫耳%。 構成樹脂(X)的各結構單元可僅使用一種或將兩種以上組合而使用,可使用衍生出該些結構單元的單體,藉由公知的聚合法(例如自由基聚合法)進行製造。樹脂(X)具有的各結構單元的含有率可藉由聚合中使用的單體的使用量來調整。 樹脂(X)的重量平均分子量較佳為6,000以上(更佳為7,000以上)且80,000以下(更佳為60,000以下)。樹脂(X)的重量平均分子量的測定手段與樹脂(A)的情況相同。 於抗蝕劑組成物包含樹脂(X)的情況下,相對於樹脂(A)100質量份,其含量較佳為1質量份~60質量份,更佳為1質量份~50質量份,進而佳為1質量份~40質量份,進一步更佳為1質量份~30質量份,進一步進而佳為1質量份~8質量份。
於本發明的抗蝕劑組成物包含樹脂(A1)及樹脂(A2)以外的樹脂的情況下,相對於本發明的抗蝕劑組成物中包含的樹脂(A)的合計量,該些的含有率通常為0.1質量%~50質量%,較佳為0.5質量%~30質量%,更佳為1質量%~20質量%。
相對於抗蝕劑組成物的固體成分,抗蝕劑組成物中的樹脂(A)的含有率較佳為80質量%以上且99質量%以下,更佳為90質量%以上且99質量%以下。另外,於包含樹脂(A)以外的樹脂的情況下,相對於抗蝕劑組成物的固體成分,樹脂(A)與樹脂(A)以外的樹脂的合計含有率較佳為80質量%以上且99質量%以下,更佳為90質量%以上且99質量%以下。抗蝕劑組成物的固體成分及樹脂相對於其的含有率可藉由液相層析法或氣相層析法等公知的分析手段進行測定。
<酸產生劑(B)> 酸產生劑(B)可使用非離子系或離子系的任一種。作為非離子系酸產生劑,可列舉:磺酸酯類(例如2-硝基苄基酯、芳香族磺酸酯、肟磺酸酯、N-磺醯氧基醯亞胺、磺醯氧基酮、重氮萘醌4-磺酸酯)、碸類(例如二碸、酮碸、磺醯基重氮甲烷)等。作為離子系酸產生劑,代表性者為包含鎓陽離子的鎓鹽(例如重氮鎓鹽、鏻鹽、鋶鹽、錪鹽)。作為鎓鹽的陰離子,可列舉:磺酸根陰離子、磺醯基醯亞胺陰離子、磺醯基甲基化物陰離子等。
作為酸產生劑(B),可使用日本專利特開昭63-26653號、日本專利特開昭55-164824號、日本專利特開昭62-69263號、日本專利特開昭63-146038號、日本專利特開昭63-163452號、日本專利特開昭62-153853號、日本專利特開昭63-146029號、美國專利第3,779,778號、美國專利第3,849,137號、德國專利第3914407號、歐洲專利第126,712號等中記載的藉由放射線而產生酸的化合物。另外,亦可使用藉由公知的方法而製造的化合物。酸產生劑(B)可將兩種以上組合而使用。
酸產生劑(B)較佳為式(B1)所表示的鹽(以下有時稱為「酸產生劑(B1)」)。
Figure 02_image187
[式(B1)中, Q b1及Q b2分別獨立地表示氫原子、氟原子、碳數1~6的烷基或碳數1~6的全氟烷基。 L b1表示碳數1~24的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該飽和烴基中包含的氫原子可被氟原子或羥基取代。 Y表示可具有取代基的甲基或可具有取代基的碳數3~24的脂環式烴基,該脂環式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。 Z1 +表示有機陽離子。]
作為Q b1及Q b2中的全氟烷基,可列舉:三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟異丙基、全氟丁基、全氟第二丁基、全氟第三丁基、全氟戊基及全氟己基等。 作為Q b1及Q b2中的烷基,可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基等。 Q b1及Q b2較佳為於至少一者包含氟原子或全氟烷基,更佳為至少一者為氟原子或全氟烷基,進而佳為分別獨立地為氟原子或三氟甲基,進而更佳為均為氟原子。
作為L b1中的二價飽和烴基,可列舉:直鏈狀烷二基、分支狀烷二基、單環式或多環式的二價脂環式飽和烴基,亦可為藉由將該些基中的兩種以上組合而形成的基。 具體而言,可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丁烷-1,4-二基、戊烷-1,5-二基、己烷-1,6-二基、庚烷-1,7-二基、辛烷-1,8-二基、壬烷-1,9-二基、癸烷-1,10-二基、十一烷-1,11-二基、十二烷-1,12-二基、十三烷-1,13-二基、十四烷-1,14-二基、十五烷-1,15-二基、十六烷-1,16-二基及十七烷-1,17-二基等直鏈狀烷二基; 乙烷-1,1-二基、丙烷-1,1-二基、丙烷-1,2-二基、丙烷-2,2-二基、戊烷-2,4-二基、2-甲基丙烷-1,3-二基、2-甲基丙烷-1,2-二基、戊烷-1,4-二基、2-甲基丁烷-1,4-二基等分支狀烷二基; 環丁烷-1,3-二基、環戊烷-1,3-二基、環己烷-1,4-二基、環辛烷-1,5-二基等環烷二基即單環式的二價脂環式飽和烴基; 降冰片烷-1,4-二基、降冰片烷-2,5-二基、金剛烷-1,5-二基、金剛烷-2,6-二基等多環式的二價脂環式飽和烴基等。
作為L b1所表示的二價飽和烴基中包含的-CH 2-被-O-或-CO-取代的基,例如可列舉式(b1-1)~式(b1-3)的任一者所表示的基。再者,式(b1-1)~式(b1-3)所表示的基及作為該些的具體例的式(b1-4)~式(b1-11)所表示的基中,*及**表示鍵結部位,*表示與-Y的鍵結部位。
Figure 02_image189
[式(b1-1)中, L b2表示單鍵或碳數1~22的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L b3表示單鍵或碳數1~22的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基,該飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。 其中,L b2與L b3的碳數合計為22以下。 式(b1-2)中, L b4表示單鍵或碳數1~22的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L b5表示單鍵或碳數1~22的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基,該飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。 其中,L b4與L b5的碳數合計為22以下。 式(b1-3)中, L b6表示單鍵或碳數1~23的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。 L b7表示單鍵或碳數1~23的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基,該飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。 其中,L b6與L b7的碳數合計為23以下。]
關於式(b1-1)~式(b1-3)所表示的基,於飽和烴基中包含的-CH 2-被取代為-O-或-CO-的情況下,將取代之前的碳數設為該飽和烴基的碳數。 作為二價飽和烴基,可列舉與L b1的二價飽和烴基相同者。
L b2較佳為單鍵、亞甲基、-CH(CF 3)-、-C(CF 3) 2-。 L b3較佳為碳數1~4的二價飽和烴基。 L b4較佳為碳數1~8的二價飽和烴基,該二價飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子,較佳為亞甲基、-CH(CF 3)-、-C(CF 3) 2-。 L b5較佳為單鍵或碳數1~8的二價飽和烴基。 L b6較佳為單鍵或碳數1~4的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L b7較佳為單鍵或碳數1~18的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基,該二價飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。
作為L b1所表示的二價飽和烴基中包含的-CH 2-被-O-或-CO-取代的基,較佳為式(b1-1)或式(b1-3)所表示的基。 作為式(b1-1)所表示的基,可列舉式(b1-4)~式(b1-8)分別所表示的基。
Figure 02_image191
[式(b1-4)中, L b8表示單鍵或碳數1~22的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。 式(b1-5)中, L b9表示碳數1~20的二價飽和烴基,該二價飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。 L b10表示單鍵或碳數1~19的二價飽和烴基,該二價飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。 其中,L b9及L b10的合計碳數為20以下。 式(b1-6)中, L b11表示碳數1~21的二價飽和烴基。 L b12表示單鍵或碳數1~20的二價飽和烴基,該二價飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。 其中,L b11及L b12的合計碳數為21以下。 式(b1-7)中, L b13表示碳數1~19的二價飽和烴基。 L b14表示單鍵或碳數1~18的二價飽和烴基,該二價飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。 L b15表示單鍵或碳數1~18的二價飽和烴基,該二價飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。 其中,L b13~L b15的合計碳數為19以下。 式(b1-8)中, L b16表示碳數1~18的二價飽和烴基,該二價飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-。 L b17表示碳數1~18的二價飽和烴基。 L b18表示單鍵或碳數1~17的二價飽和烴基,該二價飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子或羥基。 其中,L b16~L b18的合計碳數為19以下。] L b8較佳為碳數1~4的二價飽和烴基。 L b9較佳為碳數1~8的二價飽和烴基。 L b10較佳為單鍵或碳數1~19的二價飽和烴基,更佳為單鍵或碳數1~8的二價飽和烴基。 L b11較佳為碳數1~8的二價飽和烴基。 L b12較佳為單鍵或碳數1~8的二價飽和烴基。 L b13較佳為碳數1~12的二價飽和烴基。 L b14較佳為單鍵或碳數1~6的二價飽和烴基。 L b15較佳為單鍵或碳數1~18的二價飽和烴基,更佳為單鍵或碳數1~8的二價飽和烴基。 L b16較佳為碳數1~12的二價飽和烴基。 L b17較佳為碳數1~6的二價飽和烴基。 L b18較佳為單鍵或碳數1~17的二價飽和烴基,更佳為單鍵或碳數1~4的二價飽和烴基。
作為式(b1-3)所表示的基,可列舉式(b1-9)~式(b1-11)分別所表示的基。
Figure 02_image193
[式(b1-9)中, L b19表示單鍵或碳數1~23的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L b20表示單鍵或碳數1~23的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子、羥基或烷基羰氧基。該烷基羰氧基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該烷基羰氧基中包含的氫原子可被取代為羥基。 其中,L b19及L b20的合計碳數為23以下。 式(b1-10)中, L b21表示單鍵或碳數1~21的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L b22表示單鍵或碳數1~21的二價飽和烴基。 L b23表示單鍵或碳數1~21的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子、羥基或烷基羰氧基。該烷基羰氧基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該烷基羰氧基中包含的氫原子可被取代為羥基。 其中,L b21、L b22及L b23的合計碳數為21以下。 式(b1-11)中, L b24表示單鍵或碳數1~20的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子。 L b25表示碳數1~21的二價飽和烴基。 L b26表示單鍵或碳數1~20的二價飽和烴基,該飽和烴基中包含的氫原子可被取代為氟原子、羥基或烷基羰氧基。該烷基羰氧基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,該烷基羰氧基中包含的氫原子可被取代為羥基。 其中,L b24、L b25及L b26的合計碳數為21以下。]
再者,關於式(b1-9)所表示的基至式(b1-11)所表示的基,於飽和烴基中包含的氫原子被取代為烷基羰氧基的情況下,將取代之前的碳數設為該飽和烴基的碳數。 作為烷基羰氧基,可列舉:乙醯基氧基、丙醯基氧基、丁醯基氧基、環己基羰氧基、金剛烷基羰氧基等。
作為式(b1-4)所表示的基,可列舉以下者。
Figure 02_image195
作為式(b1-5)所表示的基,可列舉以下者。
Figure 02_image197
作為式(b1-6)所表示的基,可列舉以下者。
Figure 02_image199
作為式(b1-7)所表示的基,可列舉以下者。
Figure 02_image201
作為式(b1-8)所表示的基,可列舉以下者。
Figure 02_image203
作為式(b1-2)所表示的基,可列舉以下者。
Figure 02_image205
作為式(b1-9)所表示的基,可列舉以下者。
Figure 02_image207
作為式(b1-10)所表示的基,可列舉以下者。
Figure 02_image209
作為式(b1-11)所表示的基,可列舉以下者。
Figure 02_image211
作為Y所表示的脂環式烴基中包含的-CH 2-未被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-的脂環式烴基,可列舉式(Y1)~式(Y11)、式(Y36)~式(Y38)所表示的基。 於Y所表示的脂環式烴基中包含的-CH 2-被-O-、-S-、-SO 2-或-CO-取代的情況下,其個數可為一個,亦可為兩個以上。作為此種基,可列舉式(Y12)~式(Y35)、式(Y39)~式(Y43)所表示的基。式(Y12)~式(Y35)、式(Y39)~式(Y43)所表示的基的-O-或-CO-可被取代為-S-或-SO 2-。*表示與L b1的鍵結部位。
Figure 02_image213
作為Y所表示的脂環式烴基,較佳為式(Y1)~式(Y20)、式(Y26)、式(Y27)、式(Y30)、式(Y31)、式(Y39)~式(Y43)的任一者所表示的基,更佳為式(Y11)、式(Y15)、式(Y16)、式(Y20)、式(Y26)、式(Y27)、式(Y30)、式(Y31)、式(Y39)、式(Y40)、式(Y42)或式(Y43)所表示的基,進而佳為式(Y11)、式(Y15)、式(Y20)、式(Y26)、式(Y27)、式(Y30)、式(Y31)、式(Y39)、式(Y40)、式(Y42)或式(Y43)所表示的基。 於Y所表示的脂環式烴基為式(Y28)~式(Y35)、式(Y39)、式(Y40)、式(Y42)、式(Y43)等具有氧原子的螺環的情況下,兩個氧原子間的烷二基較佳為具有一個以上的氟原子。另外,縮酮結構中包含的烷二基中與氧原子鄰接的亞甲基中,較佳為未取代有氟原子。
作為Y所表示的甲基的取代基,可列舉:鹵素原子、羥基、碳數3~16的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基、縮水甘油氧基、-(CH 2) ja-CO-O-R b1基或-(CH 2) ja-O-CO-R b1基(式中,R b1表示碳數1~16的烷基、碳數3~16的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或將該些組合而成的基。ja表示0~4的任一整數。該烷基及該脂環式烴基中包含的-CH 2-可被-O-、-SO 2-或-CO-取代,該烷基、該脂環式烴基及該芳香族烴基中包含的氫原子可被取代為羥基或氟原子)等。 作為Y所表示的脂環式烴基的取代基,可列舉:鹵素原子、羥基、可被羥基取代的碳數1~16的烷基(該烷基中包含的-CH 2-可被-O-或-CO-取代)、碳數3~16的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基、碳數7~21的芳烷基、縮水甘油氧基、-(CH 2) ja-CO-O-R b1基或-(CH 2) ja-O-CO-R b1基(式中,R b1表示碳數1~16的烷基、碳數3~16的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或將該些組合而成的基。ja表示0~4的任一整數。該烷基及該脂環式烴基中包含的-CH 2-可被-O-、-SO 2-或-CO-取代,該烷基、該脂環式烴基及該芳香族烴基中包含的氫原子可被取代為羥基或氟原子)等。
作為鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。 作為脂環式烴基,例如可列舉:環戊基、環己基、甲基環己基、二甲基環己基、環庚基、環辛基、降冰片基、金剛烷基等。脂環式烴基可具有鏈式烴基,可列舉甲基環己基、二甲基環己基等。脂環式烴基的碳數較佳為3~12,更佳為3~10。 作為芳香族烴基,例如可列舉:苯基、萘基、蒽基、聯苯基、菲基等芳基等。芳香族烴基可具有鏈式烴基或脂環式烴基,作為具有鏈式烴基的芳香族烴基,可列舉:甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、對乙基苯基、對第三丁基苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等,作為具有脂環式烴基的芳香族烴基,可列舉對環己基苯基、對金剛烷基苯基等。芳香族烴基的碳數較佳為6~14,更佳為6~10。 作為烷基,例如可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。烷基的碳數較佳為1~12,更佳為1~6,進而佳為1~4。 作為被羥基取代的烷基,可列舉羥基甲基、羥基乙基等羥基烷基。 作為芳烷基,可列舉:苄基、苯乙基、苯基丙基、萘基甲基及萘基乙基等。 作為烷基中包含的-CH 2-被-O-、-SO 2-或-CO-等取代的基,可列舉:烷氧基、烷基磺醯基、烷氧基羰基、烷基羰基、烷基羰氧基或將該些組合而成的基等。 作為烷氧基,可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊基氧基、己基氧基、庚基氧基、辛基氧基、癸基氧基及十二烷基氧基等。烷氧基的碳數較佳為1~12,更佳為1~6,進而佳為1~4。 作為烷氧基羰基,例如可列舉:甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等。烷氧基羰基的碳數較佳為2~12,更佳為2~6,進而佳為2~4。 作為烷基羰基,例如可列舉:乙醯基、丙醯基及丁醯基等。烷基羰基的碳數較佳為2~12,更佳為2~6,進而佳為2~4。 作為烷基磺醯基,例如可列舉:甲基磺醯基、乙基磺醯基、丙基磺醯基等。烷基磺醯基的碳數較佳為1~12,更佳為1~6,進而佳為1~4。 作為烷基羰氧基,例如可列舉:乙醯基氧基、丙醯基氧基、丁醯基氧基等。烷基羰氧基的碳數較佳為2~12,更佳為2~6,進而佳為2~4。 作為組合而成的基,例如可列舉:將烷氧基與烷基組合而成的基、將烷氧基與烷氧基組合而成的基、將烷氧基與烷基羰基組合而成的基、將烷氧基與烷基羰氧基組合而成的基等。 作為將烷氧基與烷基組合而成的基,例如可列舉:甲氧基甲基、甲氧基乙基、乙氧基乙基、乙氧基甲基等烷氧基烷基等。烷氧基烷基的碳數較佳為2~12,更佳為2~6,進而佳為2~4。 作為將烷氧基與烷氧基組合而成的基,可列舉:甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基甲氧基、乙氧基乙氧基等烷氧基烷氧基等。烷氧基烷氧基的碳數較佳為2~12,更佳為2~6,進而佳為2~4。 作為將烷氧基與烷基羰基組合而成的基,可列舉:甲氧基乙醯基、甲氧基丙醯基、乙氧基乙醯基、乙氧基丙醯基等烷氧基烷基羰基等。烷氧基烷基羰基的碳數較佳為3~13,更佳為3~7,進而佳為3~5。 作為將烷氧基與烷基羰氧基組合而成的基,可列舉:甲氧基乙醯基氧基、甲氧基丙醯基氧基、乙氧基乙醯基氧基、乙氧基丙醯基氧基等烷氧基烷基羰氧基等。烷氧基烷基羰氧基的碳數較佳為3~13,更佳為3~7,進而佳為3~5。 作為脂環式烴基中包含的-CH 2-被-O-、-SO 2-或-CO-等取代的基,可列舉式(Y12)~式(Y35)、式(Y39)~式(Y43)所表示的基等。
Y較佳為可具有取代基的碳數3~24的脂環式烴基,更佳為可具有取代基的碳數3~20的脂環式烴基,進而佳為可具有取代基的碳數3~18的脂環式烴基,進而更佳為可具有取代基的金剛烷基或可具有取代基的降冰片基,構成該脂環式烴基、金剛烷基或降冰片基的-CH 2-亦可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-。具體而言可列舉以下者。
Figure 02_image215
Figure 02_image217
其中,Y較佳為金剛烷基、羥基金剛烷基、氧代金剛烷基、降冰片烷內酯基或式(Y42)、式(Y100)~式(Y114)、式(Y134)~式(Y139)所表示的基,特佳為羥基金剛烷基、氧代金剛烷基、包含該些的基或式(Y42)、式(Y100)~式(Y114)、式(Y134)~式(Y139)所表示的基。
作為式(B1)所表示的鹽中的陰離子,較佳為式(B1-A-1)~式(B1-A-65)所表示的陰離子〔以下,有時對應於式編號而稱為「陰離子(B1-A-1)」等〕,更佳為式(B1-A-1)~式(B1-A-4)、式(B1-A-9)、式(B1-A-10)、式(B1-A-24)~式(B1-A-33)、式(B1-A-36)~式(B1-A-40)、式(B1-A-47)~式(B1-A-65)的任一者所表示的陰離子。
Figure 02_image219
Figure 02_image221
Figure 02_image223
此處R i2~R i7相互獨立地例如為碳數1~4的烷基,較佳為甲基或乙基。R i8例如為碳數1~12的鏈式烴基,較佳為碳數1~4的烷基、碳數5~12的脂環式烴基或藉由將該些組合而形成的基,更佳為甲基、乙基、環己基或金剛烷基。L A41為單鍵或碳數1~4的烷二基。Q b1及Q b2表示與所述相同的含義。 作為式(B1)所表示的鹽中的陰離子,具體而言可列舉日本專利特開2010-204646號公報中所記載的陰離子。
作為式(B1)所表示的鹽中的陰離子,較佳為可列舉式(B1a-1)~式(B1a-43)分別所表示的陰離子。
Figure 02_image225
Figure 02_image227
其中,較佳為式(B1a-1)~式(B1a-4)、式(B1a-7)~式(B1a-11)、式(B1a-14)~式(B1a-30)及式(B1a-35)~式(B1a-41)的任一者所表示的陰離子。
作為Z1 +的有機陽離子,可列舉:有機鎓陽離子、有機鋶陽離子、有機錪陽離子、有機銨陽離子、苯並噻唑鎓陽離子及有機鏻陽離子等。該些中,較佳為有機鋶陽離子及有機錪陽離子,更佳為芳基鋶陽離子。具體而言,可列舉式(b2-1)~式(b2-4)的任一者所表示的陽離子(以下,有時對應於式編號而稱為「陽離子(b2-1)」等)。
Figure 02_image229
式(b2-1)~式(b2-4)中, R b4~R b6分別獨立地表示碳數1~30的鏈式烴基、碳數3~36的脂環式烴基或碳數6~36的芳香族烴基,該鏈式烴基中包含的氫原子可被羥基、碳數1~12的烷氧基、碳數3~12的脂環式烴基或碳數6~18的芳香族烴基取代,該脂環式烴基中包含的氫原子可被鹵素原子、碳數1~18的脂肪族烴基、碳數2~4的烷基羰基或縮水甘油氧基取代,該芳香族烴基中包含的氫原子可被鹵素原子、羥基、碳數1~18的脂肪族烴基、碳數1~12的氟化烷基或碳數1~12的烷氧基取代。 R b4與R b5可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環,該環中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-或-CO-。 R b7及R b8分別獨立地表示鹵素原子、羥基、碳數1~12的脂肪族烴基、碳數1~12的氟化烷基或碳數1~12的烷氧基。 m2及n2分別獨立地表示0~5的任一整數。 於m2為2以上時,多個R b7可相同亦可不同,於n2為2以上時,多個R b8可相同亦可不同。 R b9及R b10分別獨立地表示碳數1~36的鏈式烴基或碳數3~36的脂環式烴基。 R b9與R b10可相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成環,該環中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-或-CO-。 R b11表示氫原子、碳數1~36的鏈式烴基、碳數3~36的脂環式烴基或碳數6~18的芳香族烴基。 R b12表示碳數1~12的鏈式烴基、碳數3~18的脂環式烴基或碳數6~18的芳香族烴基,該鏈式烴基中包含的氫原子可被碳數6~18的芳香族烴基取代,該芳香族烴基中包含的氫原子可被碳數1~12的烷氧基或碳數1~12的烷基羰氧基取代。 R b11與R b12可相互鍵結並包含該些所鍵結的-CH-CO-而形成環,該環中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-或-CO-。 R b13~R b18分別獨立地表示鹵素原子、羥基、碳數1~12的脂肪族烴基、碳數1~12的氟化烷基或碳數1~12的烷氧基。 R b13與R b14可相互鍵結並與該些所鍵結的苯環一起形成包含硫原子的環,該環中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-或-CO-。 L b31表示硫原子或氧原子。 o2、p2、s2、及t2分別獨立地表示0~5的任一整數。 q2及r2分別獨立地表示0~4的任一整數。 u2表示0或1。 於o2為2以上時,多個R b13相同或不同,於p2為2以上時,多個R b14相同或不同,於q2為2以上時,多個R b15相同或不同,於r2為2以上時,多個R b16相同或不同,於s2為2以上時,多個R b17相同或不同,於t2為2以上時,多個R b18相同或不同。 於u2為0時,較佳為o2、p2、q2及r2中的任一個為1以上,R b13~R b16中的至少一個為鹵素原子,於u2為1時,較佳為o2、p2、s2、t2、q2及r2中的任一個為1以上,R b13~R b18中的至少一個為鹵素原子。 進而,於u2為0時,r2較佳為1以上,進而佳為1。另外,於u2為0、且r2為1以上時,R b16較佳為鹵素原子。
所謂脂肪族烴基,表示鏈式烴基及脂環式烴基。 作為鏈式烴基,可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、辛基及2-乙基己基等的烷基。 特別是R b9~R b12的鏈式烴基較佳為碳數1~12。 作為脂環式烴基,可為單環式或多環式的任一種,作為單環式的脂環式烴基,可列舉:環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、環癸基等環烷基。作為多環式的脂環式烴基,可列舉:十氫萘基、金剛烷基、降冰片基及下述基等。
Figure 02_image231
特別是R b9~R b12的脂環式烴基較佳為碳數3~18,更佳為碳數4~12。
作為氫原子被脂肪族烴基取代的脂環式烴基,可列舉:甲基環己基、二甲基環己基、2-甲基金剛烷-2-基、2-乙基金剛烷-2-基、2-異丙基金剛烷-2-基、甲基降冰片基、異冰片基等。關於氫原子被脂肪族烴基取代的脂環式烴基,脂環式烴基與脂肪族烴基的合計碳數較佳為20以下。
所謂氟化烷基,表示具有氟原子的碳數1~12的烷基,可列舉:氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、全氟丁基等。氟化烷基的碳數較佳為1~9,更佳為1~6,進而佳為1~4。
作為芳香族烴基,可列舉:苯基、聯苯基、萘基、菲基等芳基。芳香族烴基可具有鏈式烴基或脂環式烴基,可列舉具有鏈式烴基的芳香族烴基(甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、對乙基苯基、對第三丁基苯基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等)及具有脂環式烴基的芳香族烴基(對環己基苯基、對金剛烷基苯基等)等。 再者,於芳香族烴基具有鏈式烴基或脂環式烴基的情況下,較佳為碳數1~18的鏈式烴基及碳數3~18的脂環式烴基。 作為氫原子被烷氧基取代的芳香族烴基,可列舉對甲氧基苯基等。 作為氫原子被芳香族烴基取代的鏈式烴基,可列舉:苄基、苯乙基、苯基丙基、三苯甲基(trityl)、萘基甲基、萘基乙基等芳烷基。
作為烷氧基,可列舉:甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊基氧基、己基氧基、庚基氧基、辛基氧基、癸基氧基及十二烷基氧基等。 作為烷基羰基,可列舉:乙醯基、丙醯基及丁醯基等。 作為鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。 作為烷基羰氧基,可列舉:甲基羰氧基、乙基羰氧基、丙基羰氧基、異丙基羰氧基、丁基羰氧基、第二丁基羰氧基、第三丁基羰氧基、戊基羰氧基、己基羰氧基、辛基羰氧基及2-乙基己基羰氧基等。
R b4與R b5相互鍵結並與該些所鍵結的硫原子一起形成的環可為單環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及不飽和的任一種環。該環可列舉碳數3~18的環,較佳為碳數4~18的環。另外,包含硫原子的環可列舉3員環~12員環,較佳為3員環~7員環,例如可列舉下述環。*表示鍵結部位。
Figure 02_image233
R b9與R b10一起形成的環可為單環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及不飽和的任一種環。該環可列舉3員環~12員環,較佳為3員環~7員環。例如可列舉:硫雜環戊烷-1-環(四氫噻吩環)、硫雜環己烷-1-環、1,4-氧代硫雜環己烷-4-環等。 R b11與R b12一起形成的環可為單環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及不飽和的任一種環。該環可列舉3員環~12員環,較佳為3員環~7員環。可列舉:氧代環庚烷環、氧代環己烷環、氧代降冰片烷環、氧代金剛烷環等。
陽離子(b2-1)~陽離子(b2-4)中,較佳為陽離子(b2-1)。 作為陽離子(b2-1),可列舉以下的陽離子。
Figure 02_image235
作為陽離子(b2-2),可列舉以下的陽離子。
Figure 02_image237
作為陽離子(b2-3),可列舉以下的陽離子。
Figure 02_image239
作為陽離子(b2-4),可列舉以下的陽離子。
Figure 02_image241
酸產生劑(B)為所述陰離子及所述有機陽離子的組合,該些可任意地組合。作為酸產生劑(B),較佳為可列舉式(B1a-1)~式(B1a-4)、式(B1a-7)~式(B1a-11)、式(B1a-14)~式(B1a-30)及式(B1a-35)~式(B1a-41)的任一者所表示的陰離子與陽離子(b2-1)、陽離子(b2-2)、陽離子(b2-3)或陽離子(b2-4)的組合。
作為酸產生劑(B),較佳為可列舉式(B1-1)~式(B1-60)分別所表示者。其中較佳為包含芳基鋶陽離子者,尤佳為式(B1-1)~式(B1-3)、式(B1-5)~式(B1-7)、式(B1-11)~式(B1-14)、式(B1-20)~式(B1-26)、式(B1-29)、式(B1-31)~式(B1-60)所表示者。
Figure 02_image243
Figure 02_image245
Figure 02_image247
於本發明的抗蝕劑組成物中,相對於所述的樹脂(A)100質量份,酸產生劑的含有率較佳為1質量份以上且50質量份以下,更佳為3質量份以上且50質量份以下,進而佳為10質量份以上且45質量份以下。
<溶劑(E)> 於抗蝕劑組成物中,溶劑(E)的含有率通常為90質量%以上且99.9質量%以下,較佳為92質量%以上且99質量%以下,更佳為94質量%以上且99質量%以下。溶劑(E)的含有率例如可藉由液相層析法或氣相層析法等公知的分析手段進行測定。 作為溶劑(E),可列舉:乙基賽璐蘇乙酸酯、甲基賽璐蘇乙酸酯及丙二醇單甲醚乙酸酯等二醇醚酯類;丙二醇單甲醚等二醇醚類;乳酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯及丙酮酸乙酯等酯類;丙酮、甲基異丁基酮、2-庚酮及環己酮等酮類;γ-丁內酯等環狀酯類等。可單獨使用溶劑(E)的一種,亦可使用兩種以上。
<淬滅劑(C)> 作為淬滅劑(C),可列舉鹼性的含氮有機化合物及產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽。於抗蝕劑組成物含有淬滅劑(C)的情況下,以抗蝕劑組成物的固體成分量為基準,淬滅劑(C)的含量較佳為0.01質量%~15質量%左右,更佳為0.01質量%~12質量%左右,進而佳為0.1質量%~10質量%左右,進一步更佳為0.1質量%~8質量%左右,進一步進而佳為0.1質量%~7質量%左右。 作為鹼性的含氮有機化合物,可列舉胺及銨鹽。作為胺,可列舉脂肪族胺及芳香族胺。作為脂肪族胺,可列舉一級胺、二級胺及三級胺。 作為胺,可列舉:1-萘基胺、2-萘基胺、苯胺、二異丙基苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺或4-甲基苯胺、4-硝基苯胺、N-甲基苯胺、N,N-二甲基苯胺、二苯基胺、己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、二丁胺、二戊胺、二己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、三乙胺、三甲胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三庚胺、三辛胺、三壬胺、三癸胺、甲基二丁胺、甲基二戊胺、甲基二己胺、甲基二環己胺、甲基二庚胺、甲基二辛胺、甲基二壬胺、甲基二癸胺、乙基二丁胺、乙基二戊胺、乙基二己胺、乙基二庚胺、乙基二辛胺、乙基二壬胺、乙基二癸胺、二環己基甲胺、三〔2-(2-甲氧基乙氧基)乙基〕胺、三異丙醇胺、乙二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、4,4'-二胺基-1,2-二苯基乙烷、4,4'-二胺基-3,3'-二甲基二苯基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二乙基二苯基甲烷、2,2'-亞甲基雙苯胺、咪唑、4-甲基咪唑、吡啶、4-甲基吡啶、1,2-二(2-吡啶基)乙烷、1,2-二(4-吡啶基)乙烷、1,2-二(2-吡啶基)乙烯、1,2-二(4-吡啶基)乙烯、1,3-二(4-吡啶基)丙烷、1,2-二(4-吡啶基氧基)乙烷、二(2-吡啶基)酮、4,4'-二吡啶基硫醚、4,4'-二吡啶基二硫醚、2,2'-二吡啶基胺、2,2'-二甲基吡啶胺、聯吡啶等,較佳為可列舉二異丙基苯胺等芳香族胺,更佳為可列舉2,6-二異丙基苯胺。 作為銨鹽,可列舉:四甲基氫氧化銨、四異丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、四己基氫氧化銨、四辛基氫氧化銨、苯基三甲基氫氧化銨、3-(三氟甲基)苯基三甲基氫氧化銨、四-正丁基水楊酸銨及膽鹼等。
產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽中的酸性度以酸解離常數(pKa)來表示。產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽為自該鹽所產生的酸的酸解離常數通常為-3<pKa的鹽,較佳為-1<pKa<7的鹽,更佳為0<pKa<5的鹽。 作為產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽,可列舉:下述式所表示的鹽、日本專利特開2015-147926號公報記載的式(D)所表示的鹽(以下,有時稱為「弱酸分子內鹽(D)」)、以及日本專利特開2012-229206號公報、日本專利特開2012-6908號公報、日本專利特開2012-72109號公報、日本專利特開2011-39502號公報及日本專利特開2011-191745號公報記載的鹽。較佳為產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的羧酸的鹽(具有羧酸根陰離子的鹽),更佳為弱酸分子內鹽(D),進而佳為弱酸分子內鹽(D)中包含取代有羧酸根陰離子的苯基的二苯基錪鹽。
Figure 02_image249
作為弱酸分子內鹽(D),較佳為具有鍵結有兩個苯基的錪陽離子、和於與錪陽離子鍵結的兩個苯基中的至少一個苯基進行取代的羧酸根陰離子的二苯基錪鹽,具體而言可列舉以下的式子所表示的鹽。
Figure 02_image251
[式(D)中, R D1及R D2分別獨立地表示碳數1~12的烴基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~7的醯基、碳數2~7的醯基氧基、碳數2~7的烷氧基羰基、硝基或鹵素原子。 m'及n'分別獨立地表示0~4的任一整數,於m'為2以上的情況下,多個R D1可相同亦可不同,於n'為2以上的情況下,多個R D2可相同亦可不同。] 作為R D1及R D2中的烴基,可列舉:鏈式烴基、脂環式烴基、芳香族烴基及藉由將該些組合而形成的基等。 作為鏈式烴基,可列舉:甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、壬基等烷基。 作為脂環式烴基,可為單環式及多環式的任一種,亦可為飽和及不飽和的任一種。可列舉:環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環壬基、環十二烷基等環烷基、降冰片基、金剛烷基等。 作為芳香族烴基,可列舉:苯基、1-萘基、2-萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙基苯基、4-丙基苯基、4-異丙基苯基、4-丁基苯基、4-第三丁基苯基、4-己基苯基、4-環己基苯基、蒽基、對金剛烷基苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、均三甲苯基、聯苯基、菲基、2,6-二乙基苯基、2-甲基-6-乙基苯基等芳基等。 作為藉由將該些組合而形成的基,可列舉:烷基-環烷基、環烷基-烷基、芳烷基(例如,苯基甲基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基-1-丙基、1-苯基-2-丙基、2-苯基-2-丙基、3-苯基-1-丙基、4-苯基-1-丁基、5-苯基-1-戊基、6-苯基-1-己基等)等。 作為烷氧基,可列舉甲氧基、乙氧基等。 作為醯基,可列舉:乙醯基、丙醯基、苯甲醯基、環己烷羰基等。 作為醯基氧基,可列舉於所述醯基鍵結有氧基(-O-)的基等。 作為烷氧基羰基,可列舉於所述烷氧基鍵結有羰基(-CO-)的基等。 作為鹵素原子,可列舉:氟原子、氯原子、溴原子等。 R D1及R D2較佳為分別獨立地為碳數1~8的烷基、碳數3~10的環烷基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~4的醯基、碳數2~4的醯基氧基、碳數2~4的烷氧基羰基、硝基或鹵素原子。 m'及n'較佳為分別獨立地為0~2的任一整數,更佳為0。於m'為2以上的情況下,多個R D1可相同亦可不同,於n'為2以上的情況下,多個R D2可相同亦可不同。
更具體而言,可列舉以下的鹽。
Figure 02_image253
〈其他成分〉 本發明的抗蝕劑組成物視需要亦可含有所述成分以外的成分(以下有時稱為「其他成分(F)」)。其他成分(F)並無特別限定,可利用抗蝕劑領域中公知的添加劑,例如增感劑、溶解抑制劑、界面活性劑、穩定劑、染料等。
<抗蝕劑組成物的製備> 本發明的抗蝕劑組成物可藉由混合樹脂(A)及酸產生劑(B)、以及視需要混合樹脂(A)以外的樹脂、溶劑(E)、淬滅劑(C)及其他成分(F)而製備。混合順序為任意,並無特別限定。混合時的溫度可自10℃~40℃,根據樹脂等的種類或樹脂等對溶劑(E)的溶解度等而選擇適當的溫度。混合時間可根據混合溫度,自0.5小時~24小時中選擇適當的時間。再者,混合手段亦無特別限制,可使用攪拌混合等。 於將各成分混合後,較佳為使用孔徑0.003 μm~0.2 μm左右的過濾器進行過濾。
〈抗蝕劑圖案的製造方法〉 本發明的抗蝕劑圖案的製造方法包括: (1)將本發明的抗蝕劑組成物塗佈於基板上的步驟; (2)使塗佈後的組成物乾燥而形成組成物層的步驟; (3)對組成物層進行曝光的步驟; (4)將曝光後的組成物層加熱的步驟;以及 (5)將加熱後的組成物層顯影的步驟。 將抗蝕劑組成物塗佈於基板上時,可藉由旋塗機等通常所使用的裝置來進行。作為基板,可列舉矽晶圓等無機基板、於表面形成有抗蝕劑膜等的有機基板等。於塗佈抗蝕劑組成物之前,可清洗基板,亦可於基板上形成抗反射膜等。 藉由將塗佈後的組成物乾燥而去除溶劑,形成組成物層。乾燥例如藉由使用加熱板等加熱裝置使溶劑蒸發(所謂的預烘烤)來進行,或者使用減壓裝置來進行。加熱溫度較佳為50℃~200℃,加熱時間較佳為10秒鐘~180秒鐘。另外,進行減壓乾燥時的壓力較佳為1 Pa~1.0×10 5Pa左右。 對於所獲得的組成物層,通常使用曝光機進行曝光。曝光機可為液浸曝光機。作為曝光光源,可使用KrF準分子雷射(波長248 nm)、ArF準分子雷射(波長193 nm)、F 2準分子雷射(波長157 nm)般的放射紫外區域的雷射光者;對來自固體雷射光源(YAG或半導體雷射等)的雷射光進行波長變換而放射遠紫外區域或真空紫外區域的高次諧波雷射光者;照射電子束、或超紫外光(EUV)者等各種曝光光源。再者,本說明書中,有時將照射該些放射線的情況總稱為「曝光」。曝光時,通常介隔相當於所要求的圖案的遮罩來進行曝光。於曝光光源為電子束的情況下,亦可不使用遮罩而藉由直接描繪來進行曝光。 為了促進酸不穩定基的脫保護反應,對曝光後的組成物層進行加熱處理(所謂的曝光後烘烤(post exposure bake))。加熱溫度通常為50℃~200℃左右,較佳為70℃~150℃左右。亦可進行調整加熱後的組成物的表面側存在的樹脂的親水性或疏水性的化學處理(矽烷基化)。另外,於進行顯影之前,亦可於曝光後的組成物層上反覆進行抗蝕劑組成物的塗佈、乾燥、曝光、加熱的步驟。 通常使用顯影裝置,並利用顯影液來對加熱後的組成物層進行顯影。作為顯影方法,可列舉:浸漬法、覆液法、噴霧法、動態分配(dynamic dispense)法等。顯影溫度例如較佳為5℃~60℃,顯影時間例如較佳為5秒鐘~300秒鐘。藉由如以下般選擇顯影液的種類,可製造正型抗蝕劑圖案或負型抗蝕劑圖案。 於由本發明的抗蝕劑組成物製造正型抗蝕劑圖案的情況下,作為顯影液,使用鹼性顯影液。鹼性顯影液只要為該領域中所使用的各種鹼性水溶液即可。例如,可列舉四甲基氫氧化銨或(2-羥基乙基)三甲基氫氧化銨(通稱膽鹼)的水溶液等。鹼性顯影液中亦可包含界面活性劑。 較佳為利用超純水對顯影後的抗蝕劑圖案進行清洗,繼而,將基板及圖案上所殘存的水去除。 於由本發明的抗蝕劑組成物製造負型抗蝕劑圖案的情況下,作為顯影液,使用包含有機溶劑的顯影液(以下有時稱為「有機系顯影液」)。 作為有機系顯影液中包含的有機溶劑,可列舉:2-己酮、2-庚酮等酮溶劑;丙二醇單甲醚乙酸酯等二醇醚酯溶劑;乙酸丁酯等酯溶劑;丙二醇單甲醚等二醇醚溶劑;N,N-二甲基乙醯胺等醯胺溶劑;苯甲醚等芳香族烴溶劑等。 有機系顯影液中,有機溶劑的含有率較佳為90質量%以上且100質量%以下,更佳為95質量%以上且100質量%以下,進而佳為實質上僅為有機溶劑。 其中,作為有機系顯影液,較佳為包含乙酸丁酯及/或2-庚酮的顯影液。有機系顯影液中,乙酸丁酯及2-庚酮的合計含有率較佳為50質量%以上且100質量%以下,更佳為90質量%以上且100質量%以下,進而佳為實質上僅為乙酸丁酯及/或2-庚酮。 有機系顯影液中亦可包含界面活性劑。另外,有機系顯影液中亦可包含微量的水分。 於顯影時,亦可藉由置換為種類與有機系顯影液不同的溶劑而停止顯影。 較佳為利用淋洗液對顯影後的抗蝕劑圖案進行清洗。作為淋洗液,只要為不溶解抗蝕劑圖案者則並無特別限制,可使用包含一般的有機溶劑的溶液,較佳為醇溶劑或酯溶劑。 於清洗後,較佳為將基板及圖案上所殘存的淋洗液去除。
〈用途〉 本發明的抗蝕劑組成物適合作為KrF準分子雷射曝光用的抗蝕劑組成物、ArF準分子雷射曝光用的抗蝕劑組成物、電子束(electron beam,EB)曝光用的抗蝕劑組成物或EUV曝光用的抗蝕劑組成物、特別是電子束(EB)曝光用的抗蝕劑組成物或EUV曝光用的抗蝕劑組成物,於半導體的微細加工中有用。 [實施例]
列舉實施例來對本發明進行更具體的說明。例中,表示含量或使用量的「%」及「份」只要無特別記載,則為質量基準。 化合物的結構是藉由MASS(LC:安捷倫(Agilent)製造的1100型、MASS:安捷倫(Agilent)製造的LC/MSD型或LC/MSD TOF型)而確認。 重量平均分子量為藉由凝膠滲透層析法、並於下述條件下求出的值。 裝置:HLC-8120GPC型(東曹公司製造) 管柱:TSK凝膠多孔(TSKgel Multipore)H XL-M × 3+保護管柱(guardcolumn)(東曹公司製造) 溶離液:四氫呋喃 流量:1.0 mL/min 檢測器:RI檢測器 管柱溫度:40℃ 注入量:100 μl 分子量標準:標準聚苯乙烯(東曹公司製造)
樹脂的合成 下述示出樹脂(A)的合成中使用的化合物(單體)。以下,將該些化合物對應於其式編號而稱為「單體(a1-1-3)」等。
Figure 02_image255
合成例1〔樹脂A1-1的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(II'-1),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(II'-1))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1 mol%及3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率97%獲得重量平均分子量為1.9×10 4的樹脂A1-1(共聚物)。該樹脂A1-1為具有以下結構單元者。
Figure 02_image257
合成例2〔樹脂A1-2的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(II'-1),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(II'-1))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而添加4.5 mol%的作為起始劑的2,2'-偶氮雙(異丁酸)二甲酯,於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率93%獲得重量平均分子量為1.9×10 4的樹脂A1-2(共聚物)。該樹脂A1-2為具有以下結構單元者。
Figure 02_image259
合成例3〔樹脂A1-3的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(II'-1),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(II'-1))成為40:60的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加0.9 mol%及2.7 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率96%獲得重量平均分子量為1.8×10 4的樹脂A1-3(共聚物)。該樹脂A1-3為具有以下結構單元者。
Figure 02_image261
合成例4〔樹脂A1-4的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(II'-1),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(II'-1))成為30:70的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加0.75 mol%及2.25 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率97%獲得重量平均分子量為2.0×10 4的樹脂A1-4(共聚物)。該樹脂A1-4為具有以下結構單元者。
Figure 02_image263
合成例5〔樹脂A1-5的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(II'-1),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(II'-1))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的1.5質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加2 mol%及6 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率97%獲得重量平均分子量為1.2×10 4的樹脂A1-5(共聚物)。該樹脂A1-5為具有以下結構單元者。
Figure 02_image265
合成例6〔樹脂A1-6的合成〕 作為單體,使用單體(I'-2)及單體(II'-1),以其莫耳比(單體(I'-2):單體(II'-1))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1 mol%及3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率94%獲得重量平均分子量為1.8×10 4的樹脂A1-6(共聚物)。該樹脂A1-6為具有以下結構單元者。
Figure 02_image267
合成例7〔樹脂A1-7的合成〕 作為單體,使用單體(I'-9)及單體(II'-1),以其莫耳比(單體(I'-9):單體(II'-1))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1 mol%及3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率88%獲得重量平均分子量為1.8×10 4的樹脂A1-7(共聚物)。該樹脂A1-7為具有以下結構單元者。
Figure 02_image269
合成例8〔樹脂A1-8的合成〕 作為單體,使用單體(I'-11)及單體(II'-1),以其莫耳比(單體(I'-11):單體(II'-1))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1 mol%及3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率90%獲得重量平均分子量為1.8×10 4的樹脂A1-8(共聚物)。該樹脂A1-8為具有以下結構單元者。
Figure 02_image271
合成例9〔樹脂A1-9的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(a2-1-1),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(a2-1-1))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1 mol%及3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率85%獲得重量平均分子量為1.6×10 4的樹脂A1-9(共聚物)。該樹脂A1-9為具有以下結構單元者。
Figure 02_image273
合成例10〔樹脂A1-10的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(II'-1a),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(II'-1a))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1 mol%及3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率92%獲得重量平均分子量為1.8×10 4的樹脂A1-10(共聚物)。該樹脂A1-10為具有以下結構單元者。
Figure 02_image275
合成例11〔樹脂A1-11的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(II'-10),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(II'-10))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1 mol%及3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率89%獲得重量平均分子量為1.7×10 4的樹脂A1-11(共聚物)。該樹脂A1-11為具有以下結構單元者。
Figure 02_image277
合成例12〔樹脂A1-12的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(a1-4-13),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(a1-4-13))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1 mol%及3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。之後,於聚合反應液中加入相對於所有單體量的合計質量而為2.0質量倍的對甲苯磺酸水溶液(2.5重量%),攪拌6小時後進行分液。將所獲得的有機層注入至大量的正庚烷中使樹脂析出,進行過濾、回收,藉此以產率79%獲得重量平均分子量為1.7×10 4的樹脂A1-12(共聚物)。該樹脂A1-12為具有以下結構單元者。
Figure 02_image279
合成例13〔樹脂A1-13的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(II'-9),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(II'-9))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1 mol%及3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率79%獲得重量平均分子量為1.8×10 4的樹脂A1-13(共聚物)。該樹脂A1-13為具有以下結構單元者。
Figure 02_image281
合成例14〔樹脂AX1-1的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1),加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1.1 mol%及3.3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率98%獲得重量平均分子量為1.9×10 4的樹脂AX1-1(共聚物)。該樹脂AX1-1為具有以下結構單元者。
Figure 02_image283
合成例15〔樹脂AX1-2的合成〕 作為單體,使用單體(I'-1)及單體(ax),以其莫耳比(單體(I'-1):單體(ax))成為50:50的方式混合,加入所有單體量的2質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而各自添加1 mol%及3 mol%的作為起始劑的偶氮雙異丁腈及偶氮雙(2,4-二甲基戊腈),於75℃下將該些加熱約5小時。將所獲得的反應混合物注入至大量的正庚烷中而使樹脂沈澱,並對該樹脂進行過濾,從而以產率95%獲得重量平均分子量為1.9×10 4的樹脂AX1-2(共聚物)。該樹脂AX1-2為具有以下結構單元者。
Figure 02_image285
合成例16〔樹脂A2-1的合成〕 作為單體,使用單體(a1-4-2)、單體(a1-1-3)及單體(a1-2-6),以其莫耳比〔單體(a1-4-2):單體(a1-1-3):單體(a1-2-6)〕成為38:24:38的比例的方式混合,進而於該單體混合物中混合相對於所有單體的合計質量而為1.5質量倍的甲基異丁基酮。於所獲得的混合物中,以相對於所有單體的合計莫耳數而成為7 mol%的方式添加作為起始劑的偶氮雙異丁腈,於85℃下將其加熱約5小時,藉此進行聚合。之後,於聚合反應液中加入相對於所有單體量的合計質量而為2.0質量倍的對甲苯磺酸水溶液(2.5重量%),攪拌6小時後進行分液。將所獲得的有機層注入至大量的正庚烷中使樹脂析出,進行過濾、回收,藉此以產率78%獲得重量平均分子量為約5.3×10 3的樹脂A2-1(共聚物)。該樹脂A2-1為具有以下結構單元者。
Figure 02_image287
合成例17〔樹脂A2-2的合成〕 作為單體,使用單體(a1-4-2)及單體(a1-2-6),以其莫耳比〔單體(a1-4-2):單體(a1-2-6)〕成為38:62的比例的方式混合,進而於該單體混合物中混合相對於所有單體的合計質量而為1.5質量倍的甲基異丁基酮。於所獲得的混合物中,以相對於所有單體的合計莫耳數而成為7 mol%的方式添加作為起始劑的偶氮雙異丁腈,於85℃下將其加熱約5小時,藉此進行聚合。之後,於聚合反應液中加入相對於所有單體量的合計質量而為2.0質量倍的對甲苯磺酸水溶液(2.5重量%),攪拌6小時後進行分液。將所獲得的有機層注入至大量的正庚烷中使樹脂析出,進行過濾、回收,藉此以產率89%獲得重量平均分子量為約5.4×10 3的樹脂A2-2(共聚物)。該樹脂A2-2為具有以下結構單元者。
Figure 02_image289
合成例18〔樹脂A2-3的合成〕 作為單體,使用單體(a1-4-2)、單體(a1-2-6)及單體(I'-10),以其莫耳比〔單體(a1-4-2):單體(a1-2-6):單體(I'-10)〕成為44:44:12的比例的方式混合,進而於該單體混合物中加入所有單體量的2.5質量倍的丙二醇單甲醚乙酸酯而製成溶液。於該溶液中,相對於所有單體量而添加7.5 mol%的作為起始劑的2,2'-偶氮雙(異丁酸)二甲酯,於85℃下將該些加熱約5小時。之後,於聚合反應液中加入相對於所有單體量的合計質量而為2.0質量倍的對甲苯磺酸水溶液(2.5重量%),攪拌6小時後進行分液。將所獲得的有機層注入至大量的正庚烷中使樹脂析出,進行過濾、回收,藉此以產率76%獲得重量平均分子量為約6.3×10 3的樹脂A2-3(共聚物)。該樹脂A2-3為具有以下結構單元者。
Figure 02_image291
<抗蝕劑組成物的製備> 如表1所示,將以下的各成分混合,利用孔徑0.2 μm的氟樹脂製過濾器對所獲得的混合物進行過濾,藉此製備抗蝕劑組成物。 [表1]
抗蝕劑組成物 樹脂 酸產生劑(B) 淬滅劑(C) PB/PEB
組成物1 A1-1/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物2 A1-1/A2-2=0.3份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物3 A1-1/A2-2=0.7份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物4 A1-1/A2-1=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物5 A1-1/A2-3=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物6 A1-2/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物7 A1-3/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物8 A1-4/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物9 A1-5/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物10 A1-6/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物11 A1-7/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物12 A1-8/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物13 A1-9/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物14 A1-10/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物15 A1-11/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物16 A1-12/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
組成物17 A1-13/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
比較組成物1 AX1-1/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
比較組成物2 AX1-2/A2-2=0.5份/10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
比較組成物3 A2-2=10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
比較組成物4 A2-3=10份 B1-57=4.6份 C1=1.3份 130℃/120℃
<樹脂> A1-1~A1-13、A2-1~A2-3、AX1-1、AX1-2:樹脂A1-1~樹脂A1-13、樹脂A2-1~樹脂A2-3、樹脂AX1-1、樹脂AX1-2 <酸產生劑(B)> B1-57:式(B1-57)所表示的鹽(參考日本專利特開2020-015713號公報的實施例而合成)
Figure 02_image293
<淬滅劑(C)> C1:(參考日本專利特開2020-015713號公報的實施例而合成)
Figure 02_image295
<溶劑> 丙二醇單甲醚乙酸酯                         400份 丙二醇單甲醚                                   300份 γ-丁內酯                                           20份
(抗蝕劑組成物的電子束曝光評價) 對6吋的矽晶圓,於直接加熱板上,使用六甲基二矽氮烷於90℃下進行60秒處理。以組成物層的膜厚成為0.04 μm的方式將抗蝕劑組成物旋塗於該矽晶圓。之後,於直接加熱板上,於表1的「PB」一欄所示的溫度下預烘烤60秒鐘而形成組成物層。對晶圓上所形成的組成物層,使用電子束描繪機〔艾力奧尼庫斯(Elionix)(股)製造的「ELS-F125 125 keV」〕,使曝光量階段地發生變化,直接描繪接觸孔圖案(孔間距40 nm/孔徑17 nm)。 於曝光後,於加熱板上在表1的「PEB」一欄所示的溫度下進行60秒鐘曝光後烘烤,進而利用2.38質量%四甲基氫氧化銨水溶液進行60秒鐘的覆液顯影,藉此獲得抗蝕劑圖案。
於顯影後所獲得的抗蝕劑圖案中,將所形成的孔徑為17 nm的曝光量視為實效感度。
<CD均勻性(CDU)評價> 於實效感度中,對每一個孔測定24次以孔徑17 nm所形成的圖案的孔徑,將其平均值作為一個孔的平均孔徑。將對同一晶圓內的、以孔徑17 nm所形成的圖案的平均孔徑測定400個部位所得者作為母體,求出標準偏差。 將其結果示於表2。表內的數值表示標準偏差(nm)。
<缺陷評價> 以乾燥後的膜厚成為0.04 μm的方式將抗蝕劑組成物塗佈(旋塗)於12吋的矽製晶圓(基板)上。塗佈後,於直接加熱板上,於表1的PB欄所示的溫度下預烘烤(prebake,PB)60秒鐘而於晶圓上形成組成物層。 對以所述方式形成有組成物層的晶圓,於表1的PEB欄所示的溫度下進行60秒鐘曝光後烘烤,進而利用2.38質量%四甲基氫氧化銨水溶液進行60秒鐘的覆液顯影,藉此獲得抗蝕劑圖案。 之後,使用缺陷檢查裝置[KLA-2810;科磊(KLA-Tencor)製造]測定晶圓上的缺陷數。將結果示於表2。 [表2]
   抗蝕劑組成物 CDU 缺陷
實施例1 組成物1 2.45 53
實施例2 組成物2 2.46 123
實施例3 組成物3 2.48 38
實施例4 組成物4 2.49 32
實施例5 組成物5 2.38 45
實施例6 組成物6 2.42 48
實施例7 組成物7 2.45 78
實施例8 組成物8 2.46 102
實施例9 組成物9 2.44 90
實施例10 組成物10 2.47 182
實施例11 組成物11 2.52 324
實施例12 組成物12 2.54 254
實施例13 組成物13 2.55 58
實施例14 組成物14 2.43 68
實施例15 組成物15 2.48 135
實施例16 組成物16 2.52 102
實施例17 組成物17 2.58 335
比較例1 比較組成物1 2.58 2974
比較例2 比較組成物2 2.68 3017
比較例3 比較組成物3 2.50 4416
比較例4 比較組成物4 2.44 5180
與比較組成物1~比較組成物4進行比較,組成物1~組成物17中CD均勻性(CDU)評價良好,且缺陷少。 [產業上之可利用性]
本發明的抗蝕劑組成物的缺陷少,且CD均勻性(CDU)良好,於半導體的微細加工中有用。

Claims (9)

  1. 一種抗蝕劑組成物,含有: (A1)包含式(I)所表示的結構單元及式(II)所表示的結構單元、且不具有酸不穩定基的樹脂; (A2)具有酸不穩定基的樹脂;以及 酸產生劑,
    Figure 03_image297
    [式(I)中, R 1表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基; X 1表示單鍵或*-CO-O-;*表示與R 1所鍵結的碳原子的鍵結部位; L 1表示單鍵或可具有取代基的碳數1~28的烴基,所述烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-; 環W表示可具有取代基的碳數3~18的烴環; mi表示1~4的任一整數]
    Figure 03_image299
    [式(II)中, R 2表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基; X 2表示單鍵或*-CO-O-;*表示與R 2所鍵結的碳原子的鍵結部位; L 2表示單鍵或可具有取代基的碳數1~28的烴基,所述烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-; mk表示1~4的任一整數]。
  2. 如請求項1所述的抗蝕劑組成物,其中環W為由式(w1-1)~式(w1-3)、式(w1-6)、式(w1-15)、式(w1-22)及式(w1-23)的任一者表示的環,
    Figure 03_image301
    [式(w1-1)~式(w1-3)、式(w1-6)、式(w1-15)、式(w1-22)及式(w1-23)中, 所述環可具有取代基;鍵結部位為任意的位置]。
  3. 如請求項1所述的抗蝕劑組成物,其中L 1為單鍵、可具有取代基的碳數1~6的鏈式烴基(所述鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)或可具有取代基的碳數1~4的鏈式烴基與可具有取代基的碳數3~18的環狀烴基組合而成的基(所述鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,所述環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)。
  4. 如請求項1所述的抗蝕劑組成物,其中L 2為可具有取代基的碳數1~9的鏈式烴基(所述鏈式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)或可具有取代基的碳數3~16的環狀烴基(所述環狀烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-)。
  5. 如請求項1所述的抗蝕劑組成物,其中具有酸不穩定基的樹脂包含選自由式(a1-0)所表示的結構單元、式(a1-1)所表示的結構單元及式(a1-2)所表示的結構單元所組成的群組中的至少一種,
    Figure 03_image303
    [式(a1-0)、式(a1-1)及式(a1-2)中, L a01、L a1及L a2分別獨立地表示-O-或*-O-(CH 2) k1-CO-O-,k1表示1~7的任一整數,*表示與-CO-的鍵結部位; R a01、R a4及R a5分別獨立地表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基; R a02、R a03及R a04分別獨立地表示碳數1~8的烷基、碳數3~18的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或將該些組合而成的基; R a6及R a7分別獨立地表示碳數1~8的烷基、碳數2~8的烯基、碳數3~18的脂環式烴基、碳數6~18的芳香族烴基或藉由將該些組合而形成的基; m1表示0~14的任一整數; n1表示0~10的任一整數; n1'表示0~3的任一整數]。
  6. 如請求項1所述的抗蝕劑組成物,其中具有酸不穩定基的樹脂包含式(a2-A)所表示的結構單元,
    Figure 03_image305
    [式(a2-A)中, R a50表示氫原子、鹵素原子或可具有鹵素原子的碳數1~6的烷基; R a51表示鹵素原子、羥基、碳數1~6的烷基、碳數1~6的烷氧基、碳數2~12的烷氧基烷基、碳數2~12的烷氧基烷氧基、碳數2~4的烷基羰基、碳數2~4的烷基羰氧基、丙烯醯氧基或甲基丙烯醯氧基; A a50表示單鍵或*-X a51-(A a52-X a52) nb-,*表示與-R a50所鍵結的碳原子的鍵結部位; A a52表示碳數1~6的烷二基; X a51及X a52分別獨立地表示-O-、-CO-O-或-O-CO-; nb表示0或1; mb表示0~4的任一整數;於mb為2以上的任一整數的情況下,多個R a51相互可相同亦可不同]。
  7. 如請求項1所述的抗蝕劑組成物,其中酸產生劑包含式(B1)所表示的鹽,
    Figure 03_image307
    [式(B1)中, Q b1及Q b2分別獨立地表示氫原子、氟原子、碳數1~6的烷基或碳數1~6的全氟烷基; L b1表示碳數1~24的二價飽和烴基,所述二價飽和烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-或-CO-,所述二價飽和烴基中包含的氫原子可被氟原子或羥基取代; Y表示可具有取代基的甲基或可具有取代基的碳數3~24的脂環式烴基,所述脂環式烴基中包含的-CH 2-可被取代為-O-、-S-、-SO 2-或-CO-; Z1 +表示有機陽離子]。
  8. 如請求項1所述的抗蝕劑組成物,更含有產生較自酸產生劑所產生的酸而言酸性度更弱的酸的鹽。
  9. 一種抗蝕劑圖案的製造方法,包括: (1)將如請求項1至請求項8中任一項所述的抗蝕劑組成物塗佈於基板上的步驟; (2)使塗佈後的組成物乾燥而形成組成物層的步驟; (3)對組成物層進行曝光的步驟; (4)將曝光後的組成物層加熱的步驟;以及 (5)將加熱後的組成物層顯影的步驟。
TW111129190A 2021-08-06 2022-08-03 抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法 TW202311315A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-129697 2021-08-06
JP2021129697 2021-08-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202311315A true TW202311315A (zh) 2023-03-16

Family

ID=83050009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111129190A TW202311315A (zh) 2021-08-06 2022-08-03 抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230113512A1 (zh)
JP (1) JP2023024363A (zh)
KR (1) KR20230022125A (zh)
BE (1) BE1029606B1 (zh)
TW (1) TW202311315A (zh)

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2150691C2 (de) 1971-10-12 1982-09-09 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Lichtempfindliches Gemisch und Verwendung eines lichtempfindlichen Gemisches zur Herstellung einer Flachdruckplatte
US3779778A (en) 1972-02-09 1973-12-18 Minnesota Mining & Mfg Photosolubilizable compositions and elements
DE2922746A1 (de) 1979-06-05 1980-12-11 Basf Ag Positiv arbeitendes schichtuebertragungsmaterial
US5073476A (en) 1983-05-18 1991-12-17 Ciba-Geigy Corporation Curable composition and the use thereof
JPS62153853A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 Toshiba Corp 感光性組成物
JPS6269263A (ja) 1985-09-24 1987-03-30 Toshiba Corp 感光性組成物
JPS6326653A (ja) 1986-07-21 1988-02-04 Tosoh Corp フオトレジスト材
JPS63146038A (ja) 1986-12-10 1988-06-18 Toshiba Corp 感光性組成物
JPS63146029A (ja) 1986-12-10 1988-06-18 Toshiba Corp 感光性組成物
GB8630129D0 (en) 1986-12-17 1987-01-28 Ciba Geigy Ag Formation of image
DE3914407A1 (de) 1989-04-29 1990-10-31 Basf Ag Strahlungsempfindliche polymere und positiv arbeitendes aufzeichnungsmaterial
JP3763693B2 (ja) 1998-08-10 2006-04-05 株式会社東芝 感光性組成物及びパターン形成方法
JP4861767B2 (ja) 2005-07-26 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US8945808B2 (en) * 2006-04-28 2015-02-03 International Business Machines Corporation Self-topcoating resist for photolithography
JP5487784B2 (ja) 2008-08-07 2014-05-07 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
JP4748331B2 (ja) * 2008-12-02 2011-08-17 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
TW201033735A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Sumitomo Chemical Co Resist composition
JP5523854B2 (ja) 2009-02-06 2014-06-18 住友化学株式会社 化学増幅型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法
JP5223775B2 (ja) * 2009-05-25 2013-06-26 セントラル硝子株式会社 液浸レジスト用撥水性添加剤
JP5750242B2 (ja) 2009-07-14 2015-07-15 住友化学株式会社 レジスト組成物
US8460851B2 (en) 2010-01-14 2013-06-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt and photoresist composition containing the same
JP5807334B2 (ja) 2010-02-16 2015-11-10 住友化学株式会社 塩及び酸発生剤の製造方法
JP5691585B2 (ja) 2010-02-16 2015-04-01 住友化学株式会社 レジスト組成物
JP5505371B2 (ja) 2010-06-01 2014-05-28 信越化学工業株式会社 高分子化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法
JP5608009B2 (ja) 2010-08-12 2014-10-15 大阪有機化学工業株式会社 ホモアダマンタン誘導体、その製造方法及びフォトレジスト組成物
WO2012050015A1 (ja) 2010-10-13 2012-04-19 セントラル硝子株式会社 重合性含フッ素スルホン酸塩類、含フッ素スルホン酸塩樹脂、レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI525066B (zh) 2011-04-13 2016-03-11 住友化學股份有限公司 鹽、光阻組成物及製備光阻圖案之方法
JP6127832B2 (ja) * 2012-09-05 2017-05-17 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP6592896B2 (ja) 2014-01-10 2019-10-23 住友化学株式会社 樹脂及びレジスト組成物
JP6423681B2 (ja) 2014-10-14 2018-11-14 住友化学株式会社 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP6670601B2 (ja) * 2014-12-15 2020-03-25 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2020015713A (ja) 2018-07-11 2020-01-30 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023024363A (ja) 2023-02-16
KR20230022125A (ko) 2023-02-14
US20230113512A1 (en) 2023-04-13
BE1029606B1 (fr) 2023-08-02
BE1029606A1 (fr) 2023-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202028184A (zh) 鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP2019139233A (ja) 化合物、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TW202212314A (zh) 化合物、樹脂、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
TW202108567A (zh) 鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP7193021B2 (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022173127A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TW202114982A (zh) 鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
TW202115006A (zh) 鹽、淬滅劑、抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP2018135507A (ja) 重合性モノマー、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2018095854A (ja) 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7389671B2 (ja) 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TW202311315A (zh) 抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案的製造方法
JP2017207739A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2017207740A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7085872B2 (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TWI682239B (zh) 樹脂、光阻組合物及光阻圖案之製造方法
JP2023179382A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2023112680A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2024020171A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2023179380A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2023118096A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2022091717A (ja) 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2023058023A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2024020172A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP2020186376A (ja) 樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法