TW202033747A - 用於蝕刻氮化矽膜的組成物及使用該組成物的蝕刻方法 - Google Patents

用於蝕刻氮化矽膜的組成物及使用該組成物的蝕刻方法 Download PDF

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Abstract

本發明是關於用於蝕刻氮化矽膜的組成物，所述組成物包括無機酸、環氧樹脂類矽化合物、以及水，本發明的組成物具有能夠使下方金屬膜的損傷和氧化矽膜的蝕刻最小化的同時，選擇性去除氮化矽膜的效果。

Description

用於蝕刻氮化矽膜的組成物及使用該組成物的蝕刻方法
本發明是關於相對於氧化矽膜選擇性蝕刻氮化矽膜的組成物。
氧化矽膜和氮化矽膜是在半導體製程中所使用之代表性的絕緣膜，它們可以各自單獨使用或氧化矽膜和氮化矽膜交替層疊使用。
此外，所述氧化矽膜和氮化矽膜還作為用於形成金屬配線如導電圖案的硬遮罩。
通常半導體濕式製程中為了去除氮化矽膜使用磷酸，但是為了防止對氧化矽膜的選擇比不高和選擇比改變的情況，需要持續供給純水。
但，在這製程中只要純水的量有一點變化，都會導致氮化矽膜去除不良的問題。此外，磷酸本身是強酸而具有腐蝕性，在操作方面嚴苛。
作為現有技術，已知的有在磷酸中混合氫氟酸或硝酸等製造的蝕刻用組成物，但這反而會導致降低氮化矽膜和氧化矽膜的選擇比的負面結果，尤其，在磷酸中混合氫氟酸時具有由於製程配置數目增加而氮化矽膜和氧化矽膜的選擇比大幅變化的缺點。
這種現象是由於氫氟酸在製程中發生蒸發而氫氟酸的濃度發生變化。
因此，需要一種能夠相對於氧化矽膜選擇性蝕刻氮化矽膜，同時隨著製程配置的裕度穩定的蝕刻用組成物。
本發明的目的在於，提供一種在將氧化矽膜的蝕刻最小化的同時能夠蝕刻氮化矽膜的蝕刻用組成物，即相對於氧化矽膜能夠選擇性地蝕刻氮化矽膜的蝕刻用組成物。
此外，本發明的另一目的在於，提供一種不會引發氧化矽膜表面顆粒產生和氮化矽膜的去除不良等問題的蝕刻用組成物。
為了達到上述目的，本發明的蝕刻用組成物包括無機酸、環氧樹脂(epoxy)類矽化合物、以及水。
根據本發明的一較佳具體例，所述環氧樹脂類矽化合物是分子結構內包含環氧鍵的化合物，其係選自由γ-環氧丙氧基甲基三甲氧基矽烷(gamma-Glycidoxymetyltrimethoxysilane)、γ-環氧丙氧基乙基三甲氧基矽烷(gamma-Glycidoxyethyltrimethoxysilane)、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(gamma-Glycidoxypropyltrimethoxysilane)、γ-環氧丙氧基甲基三乙氧基矽烷(gamma-Glycidoxymetyltriethoxysilane)、γ-環氧丙氧基甲基三丙氧基矽烷(gamma-Glycidoxymetyltriprothoxysilane)、γ-環氧丙氧基乙基三乙氧基矽烷(gamma-Glycidoxyethyltriethoxysilane)、γ-環氧丙氧基乙基三丙氧基矽烷(gamma-Glycidoxyethyltriprothoxysilane)、γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷(gamma-Glycidoxypropyltriethoxysilane)、γ-環氧丙氧基丙基三丙氧基矽烷(gamma-Glycidoxypropyltriprothoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)甲基三甲氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)metyltrimethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)etyltrimethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)丙基三甲氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)甲基三乙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)metyltriethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)甲基三丙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)metyltriprothoxysilane)、β(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)etyltriethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)乙基三丙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)etyltriproethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)丙基三乙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)propyltriethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)基三丙氧 基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)propyltriprothoxysilane)所組成的群組中的一種以上。
所述無機酸是選自由硫酸、硝酸、磷酸及它們的混合物所組成之群組的任意一種，所述無機酸為磷酸，所述蝕刻用組成物還可以包含硫酸作為添加劑。
所述環氧樹脂類矽化合物的含量以總混合物為基準為0.005wt%至5wt%。
所述蝕刻用組成物以組成物總重量為基準，還可以包含氟化合物0.01wt%至1wt%，氟化合物可以選自氟化氫、氟化銨、氟化氫銨及它們之中兩種以上的混合物所組成的群組。
所述矽化合物在120℃至190℃的溫度下對氧化矽膜蝕刻的防止有效，在160℃對氮化矽膜的蝕刻速度是對氧化矽膜的蝕刻速度的200倍以上。
根據本發明的蝕刻用組成物不僅具有相對於氧化矽膜的氮化矽膜的蝕刻選擇比高的特徵，還能夠調節氧化矽膜的蝕刻速度，對多晶矽等下方膜的選擇比也優異，因此能夠廣泛適用於半導體製程，且能夠改善氧化矽膜表面的顆粒吸附和氮化矽膜的去除不良等問題。
此外，本發明的蝕刻用組成物能夠實現高蝕刻和高選擇比，因此還可適用於單片式(sheet-fed)設備。
下面詳細說明本發明。
在沒有其他定義的情況下，本說明中所使用的所有技術用語和科學用語均具有與本發明所屬技術領域中具有通常知識者所一般理解的含義相同的含義。通常本說明書中使用的命名法是在本技術領域中熟知且通常使用的方法。
本說明書全文中某部分「包括」某構成要素，在沒有特別相反記載的情況下，不表示排除另一構成要素而是表示還可以包含其他構成要素。
本發明的一實施方式是關於一種包括磷酸、環氧樹脂(epoxy)類矽化合物和水，從而能夠在抑制下方金屬膜等的損傷和氧化矽膜的蝕刻的同時，可以選擇性地蝕刻氮化矽膜的蝕刻用組成物。
更具體地，在關於半導體工程中的動態隨機存取記憶體(DRAM)和快閃記憶體(NAND Flash Memory)製程中，能夠選擇性地濕式蝕刻氮化矽膜的組成物，蝕刻選擇比為200以上的選擇性氮化矽膜蝕刻組成物。
本說明書中，蝕刻量和蝕刻速度分別是蝕刻前後薄膜厚度減少量和減少速度。
本說明書中，蝕刻選擇比(氮化矽膜的蝕刻速度/氧化矽膜的蝕刻速度)是氮化矽膜的蝕刻速度與氧化矽膜的蝕刻速度之比。
下面說明本發明的具體實施方式。但這些實施方式僅是示例性說明，本發明不限於此。
本發明之蝕刻氮化矽膜的組成物包括無機酸、具有環氧樹脂(epoxy)結構的矽類化合物、以及水。
所述無機酸是選自由硫酸、硝酸、磷酸及它們的混合物所組成的群組中的任意一種。較佳地，所述無機酸為磷酸，所述蝕刻用組成物還可以包含硫酸作為添加劑。
磷酸是能夠確保氮化矽膜的蝕刻選擇比和蝕刻速度最好的無機酸，與其他無機酸混合使用時能夠調節氮化矽膜和氧化矽膜的選擇比。
所述組成物中無機酸含量較佳為80wt%至90wt%。不足80wt%時，會有對氮化物膜的蝕刻速度降低的問題；超過90wt%時，無法獲得相對於氧化物膜的氮化物膜的高選擇比。
環氧樹脂(epoxy)類矽化合物可以是選自由γ-環氧丙氧基甲基三甲氧基矽烷(gamma-Glycidoxymetyltrimethoxysilane)、γ-環氧丙氧基乙基三甲氧基矽烷(gamma-Glycidoxyethyltrimethoxysilane)、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(gamma-Glycidoxypropyltrimethoxysilane)、γ-環氧丙氧基甲基三乙氧基矽烷(gamma-Glycidoxymetyltriethoxysilane)、γ-環氧丙氧基甲基三丙氧基矽烷(gamma-Glycidoxymetyltriprothoxysilane)、γ-環氧丙氧基乙基三乙氧基矽烷(gaamma-Glycidoxyethyltriethoxysilane)、γ-環氧丙氧基乙基三丙氧基矽烷(gamma-Glycidoxyethyltriprothoxysilane)、γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷 (gamma-Glycidoxypropyltriethoxysilane)、γ-環氧丙氧基丙基三丙氧基矽烷(gamma-Glycidoxypropyltriprothoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)甲基三甲氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)metyltrimethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)etyltrimethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)丙基三甲氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)甲基三乙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)metyltriethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)甲基三丙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)metyltriprothoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)etyltriethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)乙基三丙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)etyltriproethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)丙基三乙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)propyltriethoxysilane)、β-(3,4-環氧環己基)丙基三丙氧基矽烷(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)propyltriprothoxysilane)或它們之中兩種以上的混合物所組成的群組中的任意一種。
環氧樹脂類矽化合物的含量沒有特別限定，但以總混合物為基準可以為0.005wt%至5wt%。不足0.001wt%時，對氧化矽膜的蝕刻防止效果降低；超過10wt%時，對氮化矽膜和氧化矽膜的選擇比提高的幅度降低，發生氮化矽膜的蝕刻不良，或發生氧化矽膜表面殘留顆粒的問題。
所述蝕刻用組成物以組成物總重量為基準，還可以包含氟化合物0.01至1wt%，氟化合物可以選自由氟化氫、氟化銨、氟化氫銨或它們之中兩種以上的混合物所組成的群組。
所述氟化合物以不足0.01wt%的量添加時，氮化矽膜的蝕刻速度變小使得氮化矽膜的去除變難；超過1wt%時，氮化矽膜的時刻速度變高但是氧化矽膜的時刻速度也變高，而存在選擇比變壞的問題。
所述矽化合物在120℃至190℃溫度下對氧化膜的蝕刻防止有效，在160℃對氮化矽膜的蝕刻速度為對氧化矽膜的蝕刻速度的200倍以上。
下面說明本發明的較佳的實施例和比較例。但是下面這些實施例僅是本發明較佳的實施例，本發明不限定於下面這些實施例。
實施例1至11
按照表1、表2所記載的組成成分及組成比例，將物料投入安裝有磁攪拌棒的各個實驗用燒杯中，在常溫下以500rpm的速度攪拌10分鐘，製備了組成物。
比較例1至比較例4
按照表1所記載的組成成分和組成比例，按照與實施例相同的方法製備組成物。
Figure 109103738-A0202-12-0006-1
Figure 109103738-A0202-12-0007-2
A-1：磷酸
B-1：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷
B-2：γ-環氧丙氧基乙基三乙氧基矽烷
B-3：γ-環氧丙氧基甲基三甲氧基矽烷
B-4：γ-環氧丙氧基丙基三丙氧基矽烷
B-5：β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷
B-6：β-(3,4-環氧環己基)丙基三甲氧基矽烷
B-7：正矽酸四乙酯(tetraethlyortho silicate)
B-8：氨基丙基三乙氧基矽烷
C-1：去離子水
D-1：氟化銨(NH4F)
D-2：氟酸
特性測定(氧化矽膜及氮化矽膜的蝕刻速度測定)
為了測定上述實施例及比較例所製備之蝕刻用組成物的性能，利用CVD方法按照半導體製造過程相同地進行蒸鍍，分別準備了氮化矽膜和氧化矽膜晶圓。
開始蝕刻之前，利用掃描電子顯微鏡和橢圓計測定了蝕刻之前的厚度。
之後，在以500rpm的速度攪拌的石英材質的攪拌槽中，以160℃維持的蝕刻用組成物中浸漬氧化矽膜和氮化矽膜的晶圓的試樣進行蝕刻製程，蝕刻完成後利用超純水洗滌，接著利用乾燥設備將殘留蝕刻用組成物和水分進行完全乾燥。
乾燥的晶圓的試片利用掃描電子顯微鏡和橢圓計測定蝕刻後的薄膜的厚度。
通過蝕刻前後的薄膜厚度，測定了蝕刻速度。
參照上述表1可以知道，實施例1至9之蝕刻用組成物相比氧化矽膜具有優異的氮化矽膜選擇性蝕刻速度，可以知道這是通過對氧化矽膜的蝕刻速度抑制來實現的。
從這一結果可以確認，本發明的蝕刻用組成物包含環氧樹脂(epoxy)類矽化合物，提高氮化矽膜的蝕刻速度、蝕刻選擇比及蝕刻穩定性，從而提供一種能夠提高蝕刻製程效率的蝕刻用組成物。
參照上述表2可以確認，實施例10至11中同時使用環氧樹脂類矽化合物的氧化矽膜蝕刻抑制劑和氟化合物的氮化矽膜蝕刻增加劑所製造的蝕刻用組成物，由於氟化合物的添加而氮化矽膜的蝕刻速度更加顯著增加，但氧化矽膜的蝕刻速度幾乎沒有變化。
相比沒有使用氟化合物的實施例3，通過氟化合物的作用氮化矽膜的蝕刻速度幾乎增加2倍以上，通過氧化矽膜蝕刻抑制劑的作用，氧化膜的蝕刻速度幾乎沒有變化，由此獲得選擇比大幅提高的效果。
從而，本發明的蝕刻溶液用於氮化矽膜的蝕刻製程能夠實現高蝕刻和高選擇比，因此還能夠適用於單片式設備。
特性測定(氧化矽膜的顆粒及異常生長的測定)
蝕刻用組成物內所產生的反應副產物析出會增加實施蝕刻製程的膜的厚度。這種現象稱為異常生長。且蝕刻用組成物內生成的反應副產物會生成顆粒。發生上述異常生長和顆粒時，後續製程中會發生多種不良。
上述比較例1至4和實施例1至11中蝕刻的氧化矽膜表面用電子顯微鏡(SEM)掃描檢查顆粒發生與否，蝕刻的氧化矽膜的垂直截面用電子顯微鏡(SEM)拍攝檢查異常生長與否，將結果示於下列表3。
Figure 109103738-A0202-12-0008-3
Figure 109103738-A0202-12-0009-4
對比實施例1至11和比較例，如上述表3中所示，根據本發明之蝕刻用組成物實施例1至11中均未發生顆粒和異常生長。
相反地，比較例1中發生異常生長，比較例2至4中同時發生顆粒及異常生長。
綜上，根據本發明之蝕刻用組成物能夠使得蝕刻製程中可能會發生的顆粒和異常生長最小化，從而減少不良發生。

Claims (11)

  1. 一種用於蝕刻氮化矽膜的組成物，包括無機酸、環氧樹脂類矽化合物、及水。
  2. 如請求項1之組成物，進一步包括氟化合物。
  3. 如請求項1之組成物，包括80wt%至90wt%的所述無機酸、0.005wt%至5wt%的所述環氧樹脂類矽化合物、以及餘量的所述水。
  4. 如請求項2之組成物，包括80wt%至90wt%的所述無機酸、0.005wt%至5wt%的所述環氧樹脂類矽化合物、0.01至1wt%的所述氟化合物、以及餘量的所述水。
  5. 如請求項1或2之組成物，其中，所述環氧樹脂類矽化合物是選自由γ-環氧丙氧基甲基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基甲基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基甲基三丙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基乙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基乙基三丙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三丙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)甲基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)甲基三乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)甲基三丙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三丙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)丙基三乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)丙基三丙氧基矽烷、或它們之中兩種以上的混合物所組成的群組。
  6. 如請求項1或2之組成物，其中，所述無機酸是選自由硫酸、硝酸、磷酸、或它們之中兩種以上的混合物所組成的群組。
  7. 如請求項6之組成物，其中，所述無機酸是磷酸和硫酸。
  8. 如請求項4之組成物，其中，所述氟化合物是選自氟化氫、氟化銨、氟化氫銨、或它們之中二種以上的混合物所組成的群組。
  9. 如請求項1或2之組成物，其中，所述環氧樹脂類矽化合物在120℃至190℃的溫度下防止對氧化矽膜的蝕刻。
  10. 如請求項9之組成物，其中，所述組成物在160℃對氮化矽膜的蝕刻速度為對氧化矽膜的蝕刻速度的200倍以上。
  11. 如請求項10之組成物，其中，對所述氮化矽膜的蝕刻速度為對所述氧化矽膜的蝕刻速度的1000倍以上。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102031251B1 (ko) * 2019-03-06 2019-10-11 영창케미칼 주식회사 실리콘질화막 식각 조성물
CN111925803B (zh) * 2020-08-14 2021-10-01 上海新阳半导体材料股份有限公司 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用
CN115894077B (zh) * 2022-10-10 2023-07-25 湖北兴福电子材料股份有限公司 3d nand结构片的选择性蚀刻液

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5728203A (en) * 1995-10-26 1998-03-17 Lord Corporation Aqueous protective and adhesion promoting composition
US6605365B1 (en) * 1996-11-04 2003-08-12 The Boeing Company Pigmented alkoxyzirconium sol
US6812990B1 (en) * 2000-04-26 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Method for making sol gel spacers for flat panel displays
US7695890B2 (en) * 2005-09-09 2010-04-13 Brewer Science Inc. Negative photoresist for silicon KOH etch without silicon nitride
US7709178B2 (en) * 2007-04-17 2010-05-04 Brewer Science Inc. Alkaline-resistant negative photoresist for silicon wet-etch without silicon nitride
KR101674680B1 (ko) * 2009-09-21 2016-11-10 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
JP2012099550A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Sanyo Chem Ind Ltd 窒化ケイ素用エッチング液
JP2014103179A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Fujifilm Corp 半導体基板のエッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法
DE102013215440A1 (de) * 2013-08-06 2015-02-12 Henkel Ag & Co. Kgaa Metallvorbehandlung mit sauren wasserhaltigen Zusammensetzungen umfassend Silane
CN106133876A (zh) * 2014-03-26 2016-11-16 东丽株式会社 半导体器件的制造方法及半导体器件
EP3040445B1 (de) * 2014-12-30 2019-02-06 Ewald Dörken Ag Passivierungszusammensetzung aufweisend eine silanmodifizierte Silikatverbindung
KR102415960B1 (ko) * 2016-02-05 2022-07-01 동우 화인켐 주식회사 실리콘 질화막 식각액 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자 및 tft 어레이 기판의 제조방법
CN107345137A (zh) * 2016-05-04 2017-11-14 Oci有限公司 能够抑制颗粒出现的蚀刻溶液
KR102507051B1 (ko) * 2016-05-04 2023-03-07 오씨아이 주식회사 실리콘 질화막 식각 용액
TW201802231A (zh) * 2016-07-04 2018-01-16 Oci有限公司 氮化矽膜蝕刻溶液
KR20180066764A (ko) * 2016-12-09 2018-06-19 동우 화인켐 주식회사 다중막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법
KR101907637B1 (ko) * 2018-02-09 2018-12-05 엘티씨에이엠 주식회사 실리콘질화막의 고선택비 식각 조성물
KR102343436B1 (ko) * 2018-07-11 2021-12-24 삼성에스디아이 주식회사 실리콘 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막 식각 방법
KR102031251B1 (ko) 2019-03-06 2019-10-11 영창케미칼 주식회사 실리콘질화막 식각 조성물

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