JP7271691B2 - シリコン窒化膜エッチング組成物 - Google Patents
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Description
前記ケイ素化合物は、120乃至190℃の温度でシリコン酸化膜に対するエッチングを妨げるのに効果的であり、160℃でシリコン窒化膜に対するエッチング速度が、シリコン酸化膜に対するエッチング速度よりも200倍以上であることができる。
他に定義されない限り、本明細書で使用されたすべての技術的及び科学的用語は、本発明の属する技術分野における熟練した専門家によって通常理解されるのと同じ意味を持つ。一般的に、本明細書で使用された命名法は、本技術分野でよく知られており、通常使用されるものである。
本明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
以下、本発明の好適な実施例及び比較例を説明する。ところが、下記の実施例は本発明の好適な一実施例に過ぎず、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
表1、表2に記載された組成成分及び組成割合で、マグネチックバーが設置されているそれぞれの実験用ビーカーに投与した後、常温で10分間500rpmの速度で攪拌して組成物を製造した。
表1に記載された組成成分及び組成割合で実施例と同様の方法によって組成物を製造した。
B-1:ガンマ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
B-2:ガンマ-グリシドキシエチルトリエトキシシラン
B-3:ガンマ-グリシドキシメチルトリメトキシシラン
B-4:ガンマ-グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン
B-5:ベータ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン
B-6:ベータ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメトキシシラン
B-7:テトラエチルオルソシリケート(Tetra ethly Ortho silicate)
B-8:アミノプロピルトリエトキシ-シラン
C-1:脱イオン水
D-1:フッ化アンモニウム(NH4F)
D-2:フッ酸
前記実施例及び比較例で製造されたエッチング組成物の性能を測定するために、CVD方法を用いて、半導体製造過程と同様に蒸着してシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜ウェハ―をそれぞれ準備した。
エッチング前後の薄膜厚さによってエッチング速度を測定した。
エッチング組成物内から発生した反応副産物は、析出してエッチング工程が行われた膜質の厚さを増加させることができる。このような現象を異常成長という。また、エッチング組成物内から生成された反応副産物は、パーティクルを生成することができる。上述した異常成長及びパーティクルが発生する場合、後続の工程で様々な不良が発生し得る。
Claims (4)
- リン酸、エポキシ(Epoxy)系ケイ素化合物、及び水を含むシリコン窒化膜エッチング組成物において、
前記リン酸80乃至90重量%;
前記エポキシ(Epoxy)系ケイ素化合物は、ガンマ-グリシドキシメチルトリメトキシシラン(gamma-Glycidoxymethyltrimethoxysilane)、ガンマ-グリシドキシエチルトリメトキシシラン(gamma-Glycidoxyethyltrimethoxysilane)、ガンマ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(gamma-Glycidoxypropyltrimethoxysilane)、ガンマ-グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン(gamma-Glycidoxypropyltriprothoxysilane)、ベータ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)etyltrimethoxysilane)、ベータ-(3,4-エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメトキシシラン(beta-(3,4-Epoxycyclohexyl)propyltrimethoxysilane)、またはこれらの2種以上の混合物よりなる群から選ばれるものであり、前記エポキシ系ケイ素化合物は、120乃至190℃の温度でシリコン酸化膜に対するエッチングを妨げるものであって、0.005乃至5重量%;
フッ素化合物0.01乃至1重量%;及び
残部の水;からなることを特徴とする、シリコン窒化膜エッチング組成物。 - 前記フッ素化合物は、フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化水素アンモニウム又はこれらの2種以上の混合物よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項1に記載のシリコン窒化膜エッチング組成物。
- 上記の組成物は、160℃でシリコン窒化膜に対するエッチング速度が、シリコン酸化膜
に対するエッチング速度よりも200倍以上であることを特徴とする、請求項1に記載の
シリコン窒化膜エッチング組成物。 - 前記シリコン窒化膜に対するエッチング速度が、シリコン酸化膜に対するエッチング速度
よりも1000倍以上であることを特徴とする、請求項3に記載のシリコン窒化膜エッ
チング組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190025511A KR102031251B1 (ko) | 2019-03-06 | 2019-03-06 | 실리콘질화막 식각 조성물 |
KR10-2019-0025511 | 2019-03-06 | ||
PCT/KR2020/001801 WO2020180016A1 (ko) | 2019-03-06 | 2020-02-10 | 실리콘질화막 식각 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022520655A JP2022520655A (ja) | 2022-03-31 |
JP7271691B2 true JP7271691B2 (ja) | 2023-05-11 |
Family
ID=68210208
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021547825A Active JP7271691B2 (ja) | 2019-03-06 | 2020-02-10 | シリコン窒化膜エッチング組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11555150B2 (ja) |
JP (1) | JP7271691B2 (ja) |
KR (1) | KR102031251B1 (ja) |
CN (1) | CN113518817B (ja) |
TW (1) | TWI740368B (ja) |
WO (1) | WO2020180016A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102031251B1 (ko) * | 2019-03-06 | 2019-10-11 | 영창케미칼 주식회사 | 실리콘질화막 식각 조성물 |
CN111925803B (zh) * | 2020-08-14 | 2021-10-01 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用 |
CN115894077B (zh) * | 2022-10-10 | 2023-07-25 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 3d nand结构片的选择性蚀刻液 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012099550A (ja) | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Sanyo Chem Ind Ltd | 窒化ケイ素用エッチング液 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6605365B1 (en) * | 1996-11-04 | 2003-08-12 | The Boeing Company | Pigmented alkoxyzirconium sol |
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US7695890B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-04-13 | Brewer Science Inc. | Negative photoresist for silicon KOH etch without silicon nitride |
US7709178B2 (en) * | 2007-04-17 | 2010-05-04 | Brewer Science Inc. | Alkaline-resistant negative photoresist for silicon wet-etch without silicon nitride |
KR101674680B1 (ko) * | 2009-09-21 | 2016-11-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
JP2014103179A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Fujifilm Corp | 半導体基板のエッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
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CN106133876A (zh) * | 2014-03-26 | 2016-11-16 | 东丽株式会社 | 半导体器件的制造方法及半导体器件 |
EP3040445B1 (de) * | 2014-12-30 | 2019-02-06 | Ewald Dörken Ag | Passivierungszusammensetzung aufweisend eine silanmodifizierte Silikatverbindung |
KR102415960B1 (ko) * | 2016-02-05 | 2022-07-01 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 및 이를 이용하는 반도체 소자 및 tft 어레이 기판의 제조방법 |
CN107345137A (zh) * | 2016-05-04 | 2017-11-14 | Oci有限公司 | 能够抑制颗粒出现的蚀刻溶液 |
KR102507051B1 (ko) * | 2016-05-04 | 2023-03-07 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 용액 |
TW201802231A (zh) * | 2016-07-04 | 2018-01-16 | Oci有限公司 | 氮化矽膜蝕刻溶液 |
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KR101907637B1 (ko) * | 2018-02-09 | 2018-12-05 | 엘티씨에이엠 주식회사 | 실리콘질화막의 고선택비 식각 조성물 |
KR102343436B1 (ko) * | 2018-07-11 | 2021-12-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각용 조성물 및 이를 이용한 실리콘 질화막 식각 방법 |
KR102031251B1 (ko) | 2019-03-06 | 2019-10-11 | 영창케미칼 주식회사 | 실리콘질화막 식각 조성물 |
-
2019
- 2019-03-06 KR KR1020190025511A patent/KR102031251B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-02-06 TW TW109103738A patent/TWI740368B/zh active
- 2020-02-10 WO PCT/KR2020/001801 patent/WO2020180016A1/ko active Application Filing
- 2020-02-10 CN CN202080018653.6A patent/CN113518817B/zh active Active
- 2020-02-10 JP JP2021547825A patent/JP7271691B2/ja active Active
- 2020-02-10 US US17/430,480 patent/US11555150B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012099550A (ja) | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Sanyo Chem Ind Ltd | 窒化ケイ素用エッチング液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220127530A1 (en) | 2022-04-28 |
TWI740368B (zh) | 2021-09-21 |
US11555150B2 (en) | 2023-01-17 |
WO2020180016A1 (ko) | 2020-09-10 |
JP2022520655A (ja) | 2022-03-31 |
CN113518817B (zh) | 2022-08-16 |
CN113518817A (zh) | 2021-10-19 |
KR102031251B1 (ko) | 2019-10-11 |
TW202033747A (zh) | 2020-09-16 |
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