RU2470336C2 - Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules - Google Patents
Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules Download PDFInfo
- Publication number
- RU2470336C2 RU2470336C2 RU2010149242/07A RU2010149242A RU2470336C2 RU 2470336 C2 RU2470336 C2 RU 2470336C2 RU 2010149242/07 A RU2010149242/07 A RU 2010149242/07A RU 2010149242 A RU2010149242 A RU 2010149242A RU 2470336 C2 RU2470336 C2 RU 2470336C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photomask
- photolithography
- contact
- image
- projection photolithography
- Prior art date
Links
Abstract
Description
Изобретение относится к области микроэлектроники, а точнее к способам изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов для технологии изготовления акустоэлектронных устройств на поверхностных и объемных акустических волнах. The invention relates to the field of microelectronics, and more specifically to methods of manufacturing photomasks for contact photolithography with submicron and nanometer design standards, and can be used in the manufacture of photomasks for the manufacture of acoustoelectronic devices on surface and volume acoustic waves.
Известен способ изготовления рабочих фотошаблонов для проекционной и контактной фотолитографии с использованием для переноса изображения на квадратные шаблонные заготовки лазерных генераторов изображения. К основным недостаткам данного способа относится ограничение в размерах переносимого рисунка из-за наличия дифракционных эффектов при сопоставимости линейных размеров переносимого изображения с длиной волны эксимерного лазера. Так как современные лазерные генераторы изображения работают на длине волны не менее 193 нм, то получение на шаблонных заготовках рисунка с подобными либо меньшими критическими размерами без искажений становится проблематичным. При этом неровность края переносимого изображения, как правило, находится на уровне 40 нм [1].A known method of manufacturing working photomasks for projection and contact photolithography using for transferring images to square template blanks of laser image generators. The main disadvantages of this method include the limitation in the size of the transferred pattern due to the presence of diffraction effects when the linear dimensions of the transferred image are comparable with the wavelength of the excimer laser. Since modern laser image generators operate at a wavelength of at least 193 nm, obtaining patterned blanks with similar or smaller critical dimensions without distortion becomes problematic. Moreover, the roughness of the edge of the transferred image, as a rule, is at the level of 40 nm [1].
Известен также способ изготовления фотошаблонов с использованием для переноса изображения на квадратные шаблонные заготовки электронно-лучевых генераторов изображений, обеспечивающий перенос изображения с нанометровыми проектными нормами [2]. К недостаткам этого способа относится плохое воспроизведение наноразмерных элементов из-за эффекта близости, ограничивающего разрешающую способность электронно-лучевой литографии и обусловленного рассеянием электронов в слое резиста вследствие их малой массы, приводящего к размытости изображения, которое при формировании пучком электронов 11 нм элемента сопоставимо с размером самого элемента, наличия погрешностей сшивки изображения, находящихся на уровне 20-50 нм, а также наличия искажений, вызванных сферической и хроматической аберрациями и астигматизмом, которые невозможно полностью скорректировать электро- и магнитооптическими системами [3]. Поэтому изготовленные по данному способу фотошаблоны для контактной фотолитографии с субмикронными проектными нормами также имеют заметную неровность края перенесенного изображения. Кроме того, применение электронно-лучевых генераторов изображений с наноразмерным диаметром электронного пучка делает изготовление такого фотошаблона для контактной фотолитографии слишком дорогостоящим, из-за низкой производительности электронно-лучевых генераторов изображений и ограниченного времени жизни фотошаблона для контактной фотолитографии, которое часто не превышает 100 процессов переноса изображения [2].There is also a method of manufacturing photomasks using for transferring images to square template blanks of electron-beam image generators, which provides image transfer with nanometer design standards [2]. The disadvantages of this method include the poor reproduction of nanoscale elements due to the proximity effect, which limits the resolution of electron beam lithography and is caused by the scattering of electrons in the resist layer due to their low mass, which leads to blurring of the image, which, when an electron beam is formed by an 11 nm element, is comparable to the size the element itself, the presence of errors in image cross-linking, located at the level of 20-50 nm, as well as the presence of distortions caused by spherical and chromatic aberres and astigmatism, which cannot be completely corrected by electro- and magneto-optical systems [3]. Therefore, the photomasks made by this method for contact photolithography with submicron design standards also have a noticeable unevenness in the edge of the transferred image. In addition, the use of electron-beam image generators with a nanoscale diameter of the electron beam makes the manufacture of such a photomask for contact photolithography too expensive, due to the low productivity of the electron-beam image generators and the limited lifetime of the photomask for contact photolithography, which often does not exceed 100 transfer processes images [2].
В то же время технические характеристики акустоэлектронных устройств, содержащих периодические структуры, например встречно-штыревые преобразователи (ВШП), зависят как от точности воспроизведения периода и ширины штырей по всей длине ВШП, так и от степени неровности края переносимого изображения. При переходе к субмикронному уровню периода ВШП погрешность в размерах элементов на уровне 20-50 нм оказывает значительное влияние на рабочие характеристики акустоэлектронных устройств. Поэтому с переходом на субмикронный уровень элементов фотошаблона для контактной фотолитографии базовая технология изготовления фотошаблонов не гарантирует получения необходимых рабочих характеристик изготавливаемых акустоэлектронных устройств.At the same time, the technical characteristics of acoustoelectronic devices containing periodic structures, for example interdigital transducers (IDT), depend both on the accuracy of the reproduction of the period and the width of the pins along the entire length of the IDT, and on the degree of unevenness of the edge of the transferred image. Upon transition to the submicron level of the IDT period, an error in the size of elements at the level of 20–50 nm has a significant effect on the performance of acoustoelectronic devices. Therefore, with the transition to the submicron level of photomask elements for contact photolithography, the basic technology for producing photomasks does not guarantee the necessary performance characteristics of manufactured acoustoelectronic devices.
В технологии микроэлектроники, с переходом к субмикронному уровню интегральных схем, перешли к проекционной фотолитографии, для которой фотошаблоны изготавливаются в увеличенном масштабе от 4х до 10х, что резко упрощает и удешевляет процесс их изготовления, а также увеличивает точность воспроизведения субмикронных элементов. При этом отсутствие физического контакта фотошаблона с рабочими пластинами при переносе изображения увеличивает время жизни фотошаблона для проекционной фотолитографии, по сравнению со временем жизни фотошаблона для контактной фотолитографии, на несколько порядков.In the technology of microelectronics, with the transition to the submicron level of integrated circuits, we switched to projection photolithography, for which photo masks are produced on an enlarged scale from 4x to 10x, which greatly simplifies and cheapens the manufacturing process, and also increases the accuracy of reproducing submicron elements. At the same time, the absence of physical contact between the photomask and the working plates during image transfer increases the lifetime of the photomask for projection photolithography, by several orders of magnitude, compared with the lifetime of the photomask for contact photolithography.
Однако применение современной проекционной фотолитографии для переноса субмикронного изображения при изготовлении акустоэлектронных устройств неприемлемо из-за небольших линейных размеров пьезокристаллических пластин, из которых изготавливают акустоэлектронные устройства, так как диаметр пьезокристаллических пластин, применяемых при изготовлении устройств на ПАВ, как правило, не превосходит 100 мм, а в отдельных случаях используются нестандартные прямоугольные пластины с линейными размерами менее 10 мм, а современные степперы и сканеры для проекционной фотолитографии, способные переносить на рабочие пластины топологию с проектными нормами уровня 0,35 мкм и менее, рассчитаны на использование круглых кремниевых пластин с диаметром 150-300 мм.However, the use of modern projection photolithography for the transfer of submicron images in the manufacture of acoustoelectronic devices is unacceptable due to the small linear dimensions of the piezoelectric crystal plates from which acoustoelectronic devices are made, since the diameter of the piezoelectric crystals used in the manufacture of surfactant devices, as a rule, does not exceed 100 mm, and in some cases, non-standard rectangular plates with linear dimensions less than 10 mm are used, and modern steppers and sk ners for projection photolithography, capable of withstanding working on the topology of the plate with design rules of 0.35 micron level or less, calculated on the use of round silicon wafers with a diameter of 150-300 mm.
Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является достижение технического результата, заключающегося в увеличении точности воспроизведения субмикронных топологических размеров при изготовлении фотошаблонов для контактной фотолитографии, в частности в уменьшении неровности края переносимого изображения, а также удешевление изготовления самих фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и наноразмерными проектными нормами.The problem to which this invention is directed is to achieve a technical result consisting in increasing the accuracy of reproducing submicron topological sizes in the manufacture of photomasks for contact photolithography, in particular in reducing the unevenness of the edge of the transferred image, as well as reducing the cost of manufacturing the photomasks themselves for contact photolithography with submicron and nanoscale design standards.
Поставленная задача решается в способе изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, отличающимся тем, что изготавливают фотошаблон для проекционной фотолитографии с увеличенными в N раз размерами по сравнению с размерами на изготавливаемом фотошаблоне для контактной фотолитографии и с использованием этого фотошаблона для проекционной фотолитографии и установок для проекционной фотолитографии, уменьшающих переносимый рисунок в N раз, переносят изображение на пластины, изготовленные из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, имеющие линейные размеры, соответствующие линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с использованием данных установок для проекционной фотолитографии, и из этих пластин изготавливают фотошаблоны для контактной фотолитографии, для чего проводят экспонирование фоторезистивного слоя, нанесенного на поглощающий ультрафиолетовое излучение слой, нанесенный на поверхность пластин, изготовленных из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, проявление фоторезистивного слоя, анизотропное высокоселективное травление поглощающего ультрафиолетовое излучение слоя через полученную фоторезистивную маску, обрезку пластин до необходимых размеров и очистку поверхности полученного фотошаблона для контактной фотолитографии от остатков фоторезистивной маски и других загрязнений. При этом в качестве прозрачного для ультрафиолетового излучения материала при изготовлении пластин применяют материалы из группы: оптическое стекло, кварцевое стекло, лейкосапфир, кварц, кристаллы искусственных гранатов либо кристаллы фторидов щелочно-земельных металлов, а в качестве поглощающего ультрафиолетовое излучение вещества на поверхность этих пластин наносят вещества из группы: хром, ванадий, титан, тантал, вольфрам и другие поглощающие ультрафиолетовое излучение вещества, устойчивые к стандартным жидкостным отмывкам поверхности.The problem is solved in the method of manufacturing photomasks for contact photolithography with submicron and nanometer design standards, characterized in that they produce a photomask for projection photolithography with an increase in N times the size of the manufactured photomask for contact photolithography and using this photomask for projection photolithography and installations for projection photolithography, reducing the transferred pattern by N times, transfer the image to the plates, made of a material transparent to ultraviolet radiation, having linear dimensions corresponding to the linear dimensions of silicon wafers used in the manufacture of integrated circuits using these installations for projection photolithography, and from these plates are made photomasks for contact photolithography, for which the exposure of the photoresist layer deposited on ultraviolet absorbing layer deposited on the surface of plates made of transparent to ultraviolet year-long radiation of the material, the manifestation of the photoresistive layer, anisotropic highly selective etching of the absorbing ultraviolet radiation layer through the obtained photoresistive mask, cutting the plates to the required sizes and cleaning the surface of the resulting photomask for contact photolithography from the remains of the photoresistive mask and other contaminants. In this case, materials from the group of optical glass, quartz glass, leucosapphire, quartz, crystals of artificial garnets or crystals of alkaline-earth metal fluorides are used as plates that are transparent to ultraviolet radiation, and the surface of these plates is coated with ultraviolet radiation. substances from the group: chromium, vanadium, titanium, tantalum, tungsten and other ultraviolet absorbing substances that are resistant to standard liquid washes henna.
Таким образом, отличительными признаками изобретения являются применение в качестве шаблонных заготовок при изготовлении фотошаблона для контактной фотолитографии с субмикронными или нанометровыми проектными нормами прозрачных для ультрафиолетового излучения пластин, линейные размеры которых соответствуют линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с аналогичными изготавливаемому фотошаблону для контактной фотолитографии проектными нормами, и перенос изображения на эти шаблонные заготовки с использованием изготовленного фотошаблона для проекционной печати с увеличенными в N раз размерами рисунка и современных установок для проекционной фотолитографии, уменьшающих переносимый рисунок в N раз.Thus, the distinguishing features of the invention are the use of transparent for ultraviolet radiation transparent plates, the linear dimensions of which correspond to the linear dimensions of silicon wafers used in the manufacture of integrated circuits similar to the manufactured photo template for contact contact, as template blanks in the manufacture of a photomask for contact photolithography with submicron or nanometer design standards photolithography design standards, and image transfer to these template blanks Sheets using the fabricated photomask for projection printing with an enlarged N times the size of the pattern and modern installations for projection photolithography, reducing the transferred pattern by N times.
Указанная совокупность отличительных признаков позволяет достичь технического результата, заключающегося в увеличении точности воспроизведения субмикронных топологических размеров при изготовлении шаблонов для контактной фотолитографии, в частности уменьшения неровности края переносимого изображения, а также удешевления изготовления самих фотошаблонов.The specified set of distinctive features allows to achieve a technical result, which consists in increasing the accuracy of reproducing submicron topological dimensions in the manufacture of templates for contact photolithography, in particular, reducing the unevenness of the edge of the transferred image, as well as reducing the cost of manufacturing the photomasks themselves.
Применение таких пластин в качестве фотошаблонных заготовок при изготовлении фотошаблона для контактной фотолитографии позволяет использовать для переноса на них субмикронного и нанометрового изображения современные фотолитографические установки проекционной фотолитографии, например 193-нм иммерсионный сканер - степпер Nikon NSR-610C, позволяющий переносить на рабочие пластины изображение с проектными нормами до 35 нм.The use of such plates as photomask blanks in the manufacture of a photomask for contact photolithography makes it possible to use modern photolithographic installations of projection photolithography to transfer submicron and nanometer images to them, for example, a 193-nm immersion scanner - Nikon NSR-610C stepper, which allows you to transfer the image with design norms up to 35 nm.
Использование предлагаемого изобретения позволяет в N раз уменьшить неровность края на изготовленном фотошаблоне для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, по сравнению с неровностью края изображения на изготовленном рабочем фотошаблоне для проекционной фотолитографии, и сократить финансовые затраты на изготовление фотошаблона для контактной фотолитографии из-за формирования первичного изображения на рабочем фотошаблоне для проекционной фотолитографии в укрупненном в N раз масштабе и возможности многократного воспроизведения топологии рабочего фотошаблона для проекционной фотолитографии на пластинах, используемых в качестве фотошаблонных заготовок для контактной фотолитографии. Учитывая, что время жизни рабочего фотошаблона для контактной фотолитографии часто не превышает 100 процессов переноса изображения, предлагаемый способ дает существенное удешевление из-за возможности изготовления серии рабочих фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами без применения электронно-лучевых генераторов изображения.Using the present invention allows to reduce the roughness of the edge on the manufactured photomask for contact photolithography with submicron and nanometer design standards by N times, compared with the unevenness of the edge of the image on the manufactured photomask for projection photolithography, and reduce the financial cost of producing a photomask for contact photolithography due to the formation of the primary image on the working photomask for projection photolithography in a scaled up to N times scale and possible NOSTA repeated reproduction topology working mask for projection photolithography on wafers used as photomask blanks for contact photolithography. Considering that the lifetime of a working photomask for contact photolithography often does not exceed 100 image transfer processes, the proposed method provides a significant reduction in cost due to the possibility of manufacturing a series of working photomasks for contact photolithography with submicron and nanometer design standards without the use of electron beam image generators.
Пример реализации способа.An example implementation of the method.
На кварцевую квадратную фотошаблонную заготовку размером 152×152×6,35 мм по базовой технологии осаждается слой хрома толщиной 15 нм, на который наносится пленка высокоразрешающего позитивного электронорезиста ЭРП-40 толщиной 90 нм. Пленка электронорезиста экспонируется на лазерном генераторе изображений ЭМ-5389 для получения заданной топологии с минимальными линейными размерами 2 мкм. После жидкостного проявления и плазменной зачистки топологического рисунка проводится анизотропное высокоселективное травление пленки хрома через сформированную маску и очистку поверхности с удалением остатков электронорезистивной маски.Using a basic technology, a 15 nm thick chromium layer is deposited onto a quartz square photomask blank of size 152 × 152 × 6.35 mm, on which a 90 nm thick high-resolution positive electron-resistor ERP-40 film is deposited. The electron-resist film is exposed on an EM-5389 laser image generator to obtain a given topology with a minimum linear size of 2 microns. After liquid development and plasma cleaning of the topological pattern, an anisotropic highly selective etching of the chromium film is carried out through the formed mask and the surface is cleaned with the remnants of the electron-resistive mask removed.
Полученный фотошаблон имеет топологический рисунок с проектными нормами 2,0 мкм и неровностью края перенесенного изображения на уровне 40 нм. Этот фотошаблон используется в качестве рабочего фотошаблона для проекционной фотолитографии при переносе изображения с субмикронными проектными нормами на кварцевые пластины, изготовленные в виде пластин с линейными размерами, соответствующими линейным размерам кремниевых пластин диаметром 150±2 мм и толщиной 675±20 мкм, применяемых при изготовлении интегральных схем с проектными нормами уровня 0,35 мкм. Для этого на изготовленную из кварцевого стекла пластину диаметром 150 мм и толщиной 675±20 мкм по базовой технологии наносится слой хрома толщиной 0,1 мкм, поверх которого наносится слой высокоразрешающего химически стойкого позитивного фоторезиста AZ MiR 701 толщиной 0,8 мкм и осуществляется перенос изображения на эту пластину, используемую в качестве фотошаблонной заготовки для контактной фотолитографии, на установке проекционной фотолитографии PAS 5500/250C фирмы ASML с использованием изготовленного фотошаблона для проекционной фотолитографии. При этом переносимые топологические размеры уменьшаются в 5 раз в соответствии с техническими характеристиками установки PAS 5500/250C. Затем по базовой технологии производят жидкостное проявление фоторезиста и анизотропное селективное травление хрома через фоторезистивную маску в установке высокоплотной плазмы с реактором индукционного типа. После удаления остатков фоторезистивной маски и дополнительных химических очисток получается фотошаблон для контактной фотолитографии, с минимальными линейными размерами 0,4 мкм и неровностью края переносимого изображения на уровне 8 нм, в соответствии с уменьшением всех линейных размеров при переносе изображения в 5 раз.The resulting photomask has a topological pattern with design standards of 2.0 microns and an uneven edge of the transferred image at the level of 40 nm. This photomask is used as a working photomask for projection photolithography when transferring an image with submicron design standards to quartz wafers made in the form of wafers with linear dimensions corresponding to the linear dimensions of silicon wafers with a diameter of 150 ± 2 mm and a thickness of 675 ± 20 μm used in the manufacture of integral circuits with design standards of 0.35 microns. To do this, on a plate made of quartz glass with a diameter of 150 mm and a thickness of 675 ± 20 μm, a basic layer of chromium is applied with a thickness of 0.1 μm, on top of which a layer of high-resolution chemically stable positive photoresist AZ MiR 701 with a thickness of 0.8 μm is applied and image transfer is carried out on this plate, used as a photomask blank for contact photolithography, on a ASML PAS 5500 / 250C projection photolithography unit using a fabricated photomask for projection photolithography. At the same time, the portable topological dimensions are reduced by 5 times in accordance with the technical characteristics of the PAS 5500 / 250C installation. Then, by the basic technology, a liquid manifestation of the photoresist and anisotropic selective etching of chromium through a photoresist mask in a high-density plasma installation with an induction-type reactor are performed. After removing the remnants of the photoresist mask and additional chemical cleanings, we obtain a photomask for contact photolithography, with a minimum linear size of 0.4 μm and uneven edges of the transferred image at 8 nm, in accordance with the reduction of all linear dimensions during image transfer by 5 times.
ЛитератураLiterature
1. A.Buxbaum, M.Buie, В.Stoehr, W.Montgomery, S.Fuller, "Characterization of an integrated multibeam laser mask-pattern generation and dry-etch processing total solution", 21st Annual BACUS Symposium on Photomask Technology, Giang T.Dao, Brian J. Grenon, Editors, Proceedings of SPIE, Volume 4562, pp.338-352, SPIE, (2001).1. A.Buxbaum, M. Buie, B. Stoehr, W. Montgomery, S. Fuller, "Characterization of an integrated multibeam laser mask-pattern generation and dry-etch processing total solution", 21st Annual BACUS Symposium on Photomask Technology, Giang T. Dao, Brian J. Grenon, Editors, Proceedings of SPIE, Volume 4562, pp. 338-352, SPIE, (2001).
2. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. // Основы микроэлектроники. M.: Радио и Связь, 1991, 288 с.2. Avaev N.A., Naumov Yu.E., Frolkin V.T. // Fundamentals of microelectronics. M .: Radio and Communications, 1991, 288 p.
3. Sematech Litho Forum.3. Sematech Litho Forum.
hhttp://www.sematech.org/meetings/announcements/8898/.hhttp: //www.sematech.org/meetings/announcements/8898/.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010149242/07A RU2470336C2 (en) | 2010-12-02 | 2010-12-02 | Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010149242/07A RU2470336C2 (en) | 2010-12-02 | 2010-12-02 | Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010149242A RU2010149242A (en) | 2012-06-10 |
| RU2470336C2 true RU2470336C2 (en) | 2012-12-20 |
Family
ID=46679558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010149242/07A RU2470336C2 (en) | 2010-12-02 | 2010-12-02 | Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2470336C2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111769816A (en) * | 2020-07-06 | 2020-10-13 | 中国科学院微电子研究所 | Surface acoustic wave filter and method for manufacturing the same |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU1353142C (en) * | 1985-07-11 | 1993-03-07 | Организация П/Я М-5222 | Method of obtaining gage picture |
| SU1834530A1 (en) * | 1991-05-23 | 1995-05-20 | Внедренческое научно-производственное предприятие "ЭКСО" | Method of forming microimages |
| US20050121628A1 (en) * | 2002-07-31 | 2005-06-09 | Fujitsu Limited | Pattern size correcting device and pattern size correcting method |
| US20050142463A1 (en) * | 1998-07-31 | 2005-06-30 | Hoya Corporation | Photomask blank, photomask, methods of manufacturing the same and methods of forming micropattern |
| EP1624338A2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, pattern formation method using photomask and mask data creation method for photomask |
| RU2305346C2 (en) * | 2004-11-29 | 2007-08-27 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова) | Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives) |
| US20080301621A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Kazuya Fukuhara | Mask pattern correcting method |
-
2010
- 2010-12-02 RU RU2010149242/07A patent/RU2470336C2/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU1353142C (en) * | 1985-07-11 | 1993-03-07 | Организация П/Я М-5222 | Method of obtaining gage picture |
| SU1834530A1 (en) * | 1991-05-23 | 1995-05-20 | Внедренческое научно-производственное предприятие "ЭКСО" | Method of forming microimages |
| US20050142463A1 (en) * | 1998-07-31 | 2005-06-30 | Hoya Corporation | Photomask blank, photomask, methods of manufacturing the same and methods of forming micropattern |
| US20050121628A1 (en) * | 2002-07-31 | 2005-06-09 | Fujitsu Limited | Pattern size correcting device and pattern size correcting method |
| EP1624338A2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, pattern formation method using photomask and mask data creation method for photomask |
| RU2305346C2 (en) * | 2004-11-29 | 2007-08-27 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова) | Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives) |
| US20080301621A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Kazuya Fukuhara | Mask pattern correcting method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111769816A (en) * | 2020-07-06 | 2020-10-13 | 中国科学院微电子研究所 | Surface acoustic wave filter and method for manufacturing the same |
| CN111769816B (en) * | 2020-07-06 | 2023-04-28 | 中国科学院微电子研究所 | Surface acoustic wave filter and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2010149242A (en) | 2012-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11086227B2 (en) | Method to mitigate defect printability for ID pattern | |
| US6803160B2 (en) | Multi-tone photomask and method for manufacturing the same | |
| US7078134B2 (en) | Photolithographic mask having a structure region covered by a thin protective coating of only a few atomic layers and methods for the fabrication of the mask including ALCVD to form the thin protective coating | |
| TWI772645B (en) | Blank photomask, method for manufacturing photomask, and photomask | |
| US8563227B2 (en) | Method and system for exposure of a phase shift mask | |
| US8492054B2 (en) | Mechanisms for patterning fine features | |
| US7421677B2 (en) | Illuminator controlled tone reversal printing | |
| TWI286795B (en) | Manufacturing method for semiconductor integrated circuit device | |
| JP4478568B2 (en) | Method of using an amorphous carbon layer for the production of an improved reticle | |
| US20240069431A1 (en) | Method of manufacturing photo masks | |
| RU2470336C2 (en) | Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules | |
| US20050048377A1 (en) | Mask for improving lithography performance by using multi-transmittance photomask | |
| US20090311615A1 (en) | Method of photolithographic patterning | |
| JP2003248296A (en) | Exposure mask and method of manufacturing the same, and method of forming transfer pattern | |
| RU2476917C1 (en) | Method of making die for nanoimprint lithography | |
| US20220390827A1 (en) | Lithography mask and methods | |
| TWI715971B (en) | Photomask and method for forming the same | |
| TW519583B (en) | Repair process of phase shifting mask | |
| JPH07234499A (en) | Phase shift mask and production of semiconductor device | |
| JP4539955B2 (en) | Phase shift mask, manufacturing method thereof, and exposure method | |
| Tarascon | Recent advances in mask making technology at AT&T | |
| KR20240031182A (en) | Method of manufacturing photo masks | |
| Levinson | Lithography: a look at what is ahead | |
| KR20090068898A (en) | Method of manufacturing a phase shift mask | |
| Hourd | Millennium maskmaking |