RU2010149242A - METHOD FOR MAKING A PHOTOMASTER FOR CONTACT PHOTOLITHOGRAPHY WITH SUBMICRON AND NANOMETER DESIGN STANDARDS - Google Patents

METHOD FOR MAKING A PHOTOMASTER FOR CONTACT PHOTOLITHOGRAPHY WITH SUBMICRON AND NANOMETER DESIGN STANDARDS Download PDF

Info

Publication number
RU2010149242A
RU2010149242A RU2010149242/07A RU2010149242A RU2010149242A RU 2010149242 A RU2010149242 A RU 2010149242A RU 2010149242/07 A RU2010149242/07 A RU 2010149242/07A RU 2010149242 A RU2010149242 A RU 2010149242A RU 2010149242 A RU2010149242 A RU 2010149242A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photolithography
photomask
ultraviolet
photoresist
transparent
Prior art date
Application number
RU2010149242/07A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2470336C2 (en
Inventor
Валерий Павлович Бокарев (RU)
Валерий Павлович Бокарев
Евгений Сергеевич Горнев (RU)
Евгений Сергеевич Горнев
Геннадий Николаевич Галанов (RU)
Геннадий Николаевич Галанов
Александр Алексеевич Голубский (RU)
Александр Алексеевич Голубский
Original Assignee
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") (RU)
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") (RU), Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") filed Critical Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") (RU)
Priority to RU2010149242/07A priority Critical patent/RU2470336C2/en
Publication of RU2010149242A publication Critical patent/RU2010149242A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2470336C2 publication Critical patent/RU2470336C2/en

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, отличающийся тем, что изготавливают фотошаблон для проекционной фотолитографии с увеличенными в N раз размерами по сравнению с размерами на изготавливаемом фотошаблоне для контактной фотолитографии и с использованием этого фотошаблона для проекционной фотолитографии и установок для проекционной фотолитографии, уменьшающих переносимый рисунок в N раз, переносят изображение на специальные круглые пластины, изготовленные из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, имеющие линейные размеры, соответствующие линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с использованием данных установок для проекционной фотолитографии, и из этих специальных круглых пластинах изготавливают фотошаблоны для контактной фотолитографии, для чего проводят экспонирование фоторезистивного слоя, нанесенного на поглощающий ультрафиолетовое излучение слой, нанесенный на поверхность специальных круглых пластин, изготовленных из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, проявление фоторезистивного слоя, анизотропное высокоселективное травление поглощающего ультрафиолетовое излучение слоя через полученную фоторезистивную маску, обрезку пластин до необходимых размеров и очистку поверхности полученного фотошаблона для контактной фотолитографии от остатков фоторезистивной маски и других загрязнений. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве прозрачного для ультрафиолетового излучения материала при изготовлении специальных к� 1. A method of manufacturing photomasks for contact photolithography with submicron and nanometer design standards, characterized in that they produce a photomask for projection photolithography with an increase in N times the size of the manufactured photomask for contact photolithography and using this photomask for projection photolithography and installations for projection photolithography, reducing the transferred pattern by N times, transfer the image to special round plates, made They are made of a material that is transparent to ultraviolet radiation and has linear dimensions that correspond to the linear dimensions of silicon wafers used in the manufacture of integrated circuits using these projection photolithography plants, and photo-resistive layer masks are made from these special circular wafers, for which the photoresist layer is exposed, deposited on an ultraviolet absorbing layer, deposited on the surface of special round plates, made ennyh of a transparent material to ultraviolet radiation, developing the photoresist layer, a highly selective anisotropic etching of the absorbing layer of ultraviolet light through the resulting photoresist mask trim plate to the required size and surface cleaning obtained mask for contact photolithography mask of photoresist residues and other contaminants. ! 2. The method according to claim 1, characterized in that as a material transparent to ultraviolet radiation in the manufacture of special

Claims (3)

1. Способ изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, отличающийся тем, что изготавливают фотошаблон для проекционной фотолитографии с увеличенными в N раз размерами по сравнению с размерами на изготавливаемом фотошаблоне для контактной фотолитографии и с использованием этого фотошаблона для проекционной фотолитографии и установок для проекционной фотолитографии, уменьшающих переносимый рисунок в N раз, переносят изображение на специальные круглые пластины, изготовленные из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, имеющие линейные размеры, соответствующие линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с использованием данных установок для проекционной фотолитографии, и из этих специальных круглых пластинах изготавливают фотошаблоны для контактной фотолитографии, для чего проводят экспонирование фоторезистивного слоя, нанесенного на поглощающий ультрафиолетовое излучение слой, нанесенный на поверхность специальных круглых пластин, изготовленных из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, проявление фоторезистивного слоя, анизотропное высокоселективное травление поглощающего ультрафиолетовое излучение слоя через полученную фоторезистивную маску, обрезку пластин до необходимых размеров и очистку поверхности полученного фотошаблона для контактной фотолитографии от остатков фоторезистивной маски и других загрязнений.1. A method of manufacturing photomasks for contact photolithography with submicron and nanometer design standards, characterized in that they produce a photomask for projection photolithography with an increase in N times the size of the manufactured photomask for contact photolithography and using this photomask for projection photolithography and installations for projection photolithography, reducing the transferred pattern by N times, transfer the image to special round plates, made They are made of a material that is transparent to ultraviolet radiation and has linear dimensions that correspond to the linear dimensions of silicon wafers used in the manufacture of integrated circuits using these projection photolithography plants, and photo-resistive layer masks are made from these special circular wafers, for which the photoresist layer is exposed, deposited on an ultraviolet absorbing layer, deposited on the surface of special round plates, made ennyh of a transparent material to ultraviolet radiation, developing the photoresist layer, a highly selective anisotropic etching of the absorbing layer of ultraviolet light through the resulting photoresist mask trim plate to the required size and surface cleaning obtained mask for contact photolithography mask of photoresist residues and other contaminants. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве прозрачного для ультрафиолетового излучения материала при изготовлении специальных круглых пластин применяют материалы из группы: оптическое стекло, кварцевое стекло, лейкосапфир, кварц, кристаллы искусственных гранатов и кристаллы фторидов щелочно-земельных металлов.2. The method according to claim 1, characterized in that, as a material transparent to ultraviolet radiation, in the manufacture of special round plates, materials from the group are used: optical glass, quartz glass, leucosapphire, quartz, artificial garnet crystals and alkaline earth metal fluoride crystals. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве поглощающего ультрафиолетовое излучение вещества на поверхность специальных круглых пластин наносят вещества из группы: хром, ванадий, титан, тантал, вольфрам и другие поглощающие ультрафиолетовое излучение вещества, устойчивые к стандартным жидкостным отмывкам поверхности. 3. The method according to claim 1, characterized in that, as an ultraviolet absorbing substance, substances from the group of chromium, vanadium, titanium, tantalum, tungsten and other ultraviolet absorbing substances that are resistant to standard liquid surface washings are applied to the surface of special round plates .
RU2010149242/07A 2010-12-02 2010-12-02 Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules RU2470336C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010149242/07A RU2470336C2 (en) 2010-12-02 2010-12-02 Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010149242/07A RU2470336C2 (en) 2010-12-02 2010-12-02 Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010149242A true RU2010149242A (en) 2012-06-10
RU2470336C2 RU2470336C2 (en) 2012-12-20

Family

ID=46679558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010149242/07A RU2470336C2 (en) 2010-12-02 2010-12-02 Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2470336C2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111769816B (en) * 2020-07-06 2023-04-28 中国科学院微电子研究所 Surface acoustic wave filter and method for manufacturing the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU1353142C (en) * 1985-07-11 1993-03-07 Организация П/Я М-5222 Method of obtaining gage picture
SU1834530A1 (en) * 1991-05-23 1995-05-20 Внедренческое научно-производственное предприятие "ЭКСО" Method of forming microimages
JP3276954B2 (en) * 1998-07-31 2002-04-22 ホーヤ株式会社 Photomask blank, photomask, method for producing them, and method for forming fine pattern
JP2004126486A (en) * 2002-07-31 2004-04-22 Fujitsu Ltd Device and method for correcting pattern size
JP3746497B2 (en) * 2003-06-24 2006-02-15 松下電器産業株式会社 Photo mask
RU2305346C2 (en) * 2004-11-29 2007-08-27 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова) Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives)
JP4538021B2 (en) * 2007-05-31 2010-09-08 株式会社東芝 Optical proximity correction method

Also Published As

Publication number Publication date
RU2470336C2 (en) 2012-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI592737B (en) Photolithography masks, methods of fabricating the same and wafer manufacturing processes
JP6806274B2 (en) How to make photomasks, photomask blanks, and photomasks
TWI570522B (en) Pellicle structure and method for forming the same and pellicle-mask structure
KR101303795B1 (en) EUV pellicle and manufacturing method of the same
KR20130088565A (en) Euv pellicle uging graphene and manufacturing method of the same
JP6486388B2 (en) Monolithic mesh supported EUV film
TW201142492A (en) Pellicle for lithography and manufacturing method for pellicle layer
JP2002131883A (en) Method for manufacturing photomask, and photomask
WO2017041438A1 (en) Optical mask plate and exposure system
JP6261004B2 (en) EUV pellicle, EUV assembly using the same, and method of assembling the same
KR100849714B1 (en) Structure and method for manufacturing pellicle of photo-mask
TWI459442B (en) Imaging devices, methods of forming same, and methods of forming semiconductor device structures
CN104656369A (en) Optical Mask And Method For Manufacturing Substrate Using Optical Mask
TW201142482A (en) Method of processing substrate, method of manufacturing euv mask and euv mask
RU2010149242A (en) METHOD FOR MAKING A PHOTOMASTER FOR CONTACT PHOTOLITHOGRAPHY WITH SUBMICRON AND NANOMETER DESIGN STANDARDS
KR20160088209A (en) Photolithography Method
TWI569090B (en) Phase shift mask and resist pattern forming method using the phase shift mask
JP5644290B2 (en) Photomask manufacturing method
JP6728919B2 (en) Photomask and method of manufacturing photomask
KR101143628B1 (en) Pellicle, Photomask comprising pellicle, and Method for fabricating photomask
CN103676459B (en) Light shield apparatus
US7452820B2 (en) Radiation-resistant zone plates and method of manufacturing thereof
RU2011133792A (en) METHOD FOR PRODUCING A STAMP FOR NANOIMPRINT OF LITHOGRAPHY
KR20110114299A (en) Pellicle for phase shift mask, the phase shift mask attached the pellicle, and method of fabricating the phase shift mask attached the pellicle
JP2013246340A (en) Photomask and method of manufacturing the same, and pattern exposure method