RU2010149242A - METHOD FOR MAKING A PHOTOMASTER FOR CONTACT PHOTOLITHOGRAPHY WITH SUBMICRON AND NANOMETER DESIGN STANDARDS - Google Patents
METHOD FOR MAKING A PHOTOMASTER FOR CONTACT PHOTOLITHOGRAPHY WITH SUBMICRON AND NANOMETER DESIGN STANDARDS Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010149242A RU2010149242A RU2010149242/07A RU2010149242A RU2010149242A RU 2010149242 A RU2010149242 A RU 2010149242A RU 2010149242/07 A RU2010149242/07 A RU 2010149242/07A RU 2010149242 A RU2010149242 A RU 2010149242A RU 2010149242 A RU2010149242 A RU 2010149242A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photolithography
- photomask
- ultraviolet
- photoresist
- transparent
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления фотошаблонов для контактной фотолитографии с субмикронными и нанометровыми проектными нормами, отличающийся тем, что изготавливают фотошаблон для проекционной фотолитографии с увеличенными в N раз размерами по сравнению с размерами на изготавливаемом фотошаблоне для контактной фотолитографии и с использованием этого фотошаблона для проекционной фотолитографии и установок для проекционной фотолитографии, уменьшающих переносимый рисунок в N раз, переносят изображение на специальные круглые пластины, изготовленные из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, имеющие линейные размеры, соответствующие линейным размерам кремниевых пластин, применяемых при изготовлении интегральных схем с использованием данных установок для проекционной фотолитографии, и из этих специальных круглых пластинах изготавливают фотошаблоны для контактной фотолитографии, для чего проводят экспонирование фоторезистивного слоя, нанесенного на поглощающий ультрафиолетовое излучение слой, нанесенный на поверхность специальных круглых пластин, изготовленных из прозрачного для ультрафиолетового излучения материала, проявление фоторезистивного слоя, анизотропное высокоселективное травление поглощающего ультрафиолетовое излучение слоя через полученную фоторезистивную маску, обрезку пластин до необходимых размеров и очистку поверхности полученного фотошаблона для контактной фотолитографии от остатков фоторезистивной маски и других загрязнений. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве прозрачного для ультрафиолетового излучения материала при изготовлении специальных к� 1. A method of manufacturing photomasks for contact photolithography with submicron and nanometer design standards, characterized in that they produce a photomask for projection photolithography with an increase in N times the size of the manufactured photomask for contact photolithography and using this photomask for projection photolithography and installations for projection photolithography, reducing the transferred pattern by N times, transfer the image to special round plates, made They are made of a material that is transparent to ultraviolet radiation and has linear dimensions that correspond to the linear dimensions of silicon wafers used in the manufacture of integrated circuits using these projection photolithography plants, and photo-resistive layer masks are made from these special circular wafers, for which the photoresist layer is exposed, deposited on an ultraviolet absorbing layer, deposited on the surface of special round plates, made ennyh of a transparent material to ultraviolet radiation, developing the photoresist layer, a highly selective anisotropic etching of the absorbing layer of ultraviolet light through the resulting photoresist mask trim plate to the required size and surface cleaning obtained mask for contact photolithography mask of photoresist residues and other contaminants. ! 2. The method according to claim 1, characterized in that as a material transparent to ultraviolet radiation in the manufacture of special
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010149242/07A RU2470336C2 (en) | 2010-12-02 | 2010-12-02 | Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010149242/07A RU2470336C2 (en) | 2010-12-02 | 2010-12-02 | Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2010149242A true RU2010149242A (en) | 2012-06-10 |
RU2470336C2 RU2470336C2 (en) | 2012-12-20 |
Family
ID=46679558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010149242/07A RU2470336C2 (en) | 2010-12-02 | 2010-12-02 | Method of producing contact photomask with submicron and nanometric design rules |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2470336C2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111769816B (en) * | 2020-07-06 | 2023-04-28 | 中国科学院微电子研究所 | Surface acoustic wave filter and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU1353142C (en) * | 1985-07-11 | 1993-03-07 | Организация П/Я М-5222 | Method of obtaining gage picture |
SU1834530A1 (en) * | 1991-05-23 | 1995-05-20 | Внедренческое научно-производственное предприятие "ЭКСО" | Method of forming microimages |
JP3276954B2 (en) * | 1998-07-31 | 2002-04-22 | ホーヤ株式会社 | Photomask blank, photomask, method for producing them, and method for forming fine pattern |
JP2004126486A (en) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Fujitsu Ltd | Device and method for correcting pattern size |
JP3746497B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-02-15 | 松下電器産業株式会社 | Photo mask |
RU2305346C2 (en) * | 2004-11-29 | 2007-08-27 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова) | Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives) |
JP4538021B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-09-08 | 株式会社東芝 | Optical proximity correction method |
-
2010
- 2010-12-02 RU RU2010149242/07A patent/RU2470336C2/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2470336C2 (en) | 2012-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI592737B (en) | Photolithography masks, methods of fabricating the same and wafer manufacturing processes | |
JP6806274B2 (en) | How to make photomasks, photomask blanks, and photomasks | |
TWI570522B (en) | Pellicle structure and method for forming the same and pellicle-mask structure | |
KR101303795B1 (en) | EUV pellicle and manufacturing method of the same | |
KR20130088565A (en) | Euv pellicle uging graphene and manufacturing method of the same | |
JP6486388B2 (en) | Monolithic mesh supported EUV film | |
TW201142492A (en) | Pellicle for lithography and manufacturing method for pellicle layer | |
JP2002131883A (en) | Method for manufacturing photomask, and photomask | |
WO2017041438A1 (en) | Optical mask plate and exposure system | |
JP6261004B2 (en) | EUV pellicle, EUV assembly using the same, and method of assembling the same | |
KR100849714B1 (en) | Structure and method for manufacturing pellicle of photo-mask | |
TWI459442B (en) | Imaging devices, methods of forming same, and methods of forming semiconductor device structures | |
CN104656369A (en) | Optical Mask And Method For Manufacturing Substrate Using Optical Mask | |
TW201142482A (en) | Method of processing substrate, method of manufacturing euv mask and euv mask | |
RU2010149242A (en) | METHOD FOR MAKING A PHOTOMASTER FOR CONTACT PHOTOLITHOGRAPHY WITH SUBMICRON AND NANOMETER DESIGN STANDARDS | |
KR20160088209A (en) | Photolithography Method | |
TWI569090B (en) | Phase shift mask and resist pattern forming method using the phase shift mask | |
JP5644290B2 (en) | Photomask manufacturing method | |
JP6728919B2 (en) | Photomask and method of manufacturing photomask | |
KR101143628B1 (en) | Pellicle, Photomask comprising pellicle, and Method for fabricating photomask | |
CN103676459B (en) | Light shield apparatus | |
US7452820B2 (en) | Radiation-resistant zone plates and method of manufacturing thereof | |
RU2011133792A (en) | METHOD FOR PRODUCING A STAMP FOR NANOIMPRINT OF LITHOGRAPHY | |
KR20110114299A (en) | Pellicle for phase shift mask, the phase shift mask attached the pellicle, and method of fabricating the phase shift mask attached the pellicle | |
JP2013246340A (en) | Photomask and method of manufacturing the same, and pattern exposure method |