KR970071630A - 가교기를 갖는 고분자 화합물의 제조 방법 - Google Patents

가교기를 갖는 고분자 화합물의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970071630A
KR970071630A KR1019970015410A KR19970015410A KR970071630A KR 970071630 A KR970071630 A KR 970071630A KR 1019970015410 A KR1019970015410 A KR 1019970015410A KR 19970015410 A KR19970015410 A KR 19970015410A KR 970071630 A KR970071630 A KR 970071630A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
formula
represented
carbon atoms
repeating unit
Prior art date
Application number
KR1019970015410A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100227986B1 (ko
Inventor
오사무 와따나베
도모요시 후리하따
시게히로 나구라
도시노부 이시하라
쯔기오 야마오까
사또시 와따나베
요시후미 다께야마
Original Assignee
카나가와 치히로
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 카나가와 치히로, 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 카나가와 치히로
Publication of KR970071630A publication Critical patent/KR970071630A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100227986B1 publication Critical patent/KR100227986B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F224/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a heterocyclic ring containing oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F232/00—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
    • C08F232/08—Copolymers of cyclic compounds containing no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having condensed rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F32/00—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system
    • C08F32/08—Homopolymers and copolymers of cyclic compounds having no unsaturated aliphatic radicals in a side chain, and having one or more carbon-to-carbon double bonds in a carbocyclic ring system having two condensed rings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

〔해결수단〕
하기 일반식(1)로 표시되는 반복 단위를 갖고 중량 평균 분자량이 1,000~500,000인 것을 특징으로 하는 폴리히드록시스티렌 유도체,
(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기, R2는 산 불안정기를 나타낸다. R3, R4, R6, R7은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기를 나타내며, R5는 산소 원자를 개재하여도 좋은 탄소수1~18의 2가 탄화 수소기를 나타낸다. p, r은 정수, q는 0 또는 정수이고, 0＜p/(p+q+r)≤0.8, 0≤q/(p+q+r)≤0.8, p+q+r=1을 만족하는 수이다.)
〔효과〕
본 발명의 고분자 화합물을 베이스 수지로서 사용한 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료는 고에너지선에 감응하고, 감도, 해상성, 플라즈마에칭 내성이 우수하고, 레지스트 패턴의 내열성도 우수하며, 패턴이 오버행상으로 되기 어렵고, 칫수 제어성이 우수하다.

Description

가교기를 갖는 고분자 화합물의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (8)

  1. 중량 평균 분자량이 1,000내지 500,000인 하기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 고분자 화합물의 페놀성 수산기의 일부의 수소 원자에 그의 총 페놀성 수산기 1몰에 대하여 p1몰의 하기 화학식(2a)또는 (3a)로 표시되는 알케닐에테르 화합물 및 상기 총 페놀성 수산기 1몰에 대하여 q1몰의 화학식(4a)로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 특징으로 하는 하기 화학식(5a)또는 (5b)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 제조 방법.
    식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기이고, R2는 탄소수 1 내지 8의 지쇄, 분지쇄 또는 환상 알킬기이며, X는 0 또는 양의 정수이고, y는 양수 정수이되, x+y≤5를 만족하는 수이며, p1 및 p2는 양수이고, q1 및 q2는 0 또는 양수이되, 0＜p1/(p1+p2+q1+q2)≤0.8, 0≤(p1+p2+q1+q2)≤0.8, 0≤(p2+p2+q1+q2)≤0.8, p1+p2+q1+q2=1을 만족하는 수이지만, q1과 q2가 동시에 0이 되는 일은 없다.
    식 중, R8a는 수소 원자 또는 탄소수 1내지 7의 직쇄, 분지쇄 또는 환상 알킬기이고, R9는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄, 분지쇄 또는 환상 알킬기이지만, R8a과 R9는 환을 형성하여도 되고, 환을 형성하는 경우에는 R8a는 탄소수 1내지 7의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기이고, R9는 탄소수 1 내지 8의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기이며, R13은 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기이고, A는 c가의 탄소수 1 내지 50의 지방족 또는 지환식 포화 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 또는 헤테로환기이고, 이들 기 각각은 헤테로 원자를 가질 수 있으며, 또한 그의 탄소 원자에 결합하는 수소 원자의 일부가 수산기, 카르복실기, 카르보닐기 또는 불소 원자에 의해 치환되어도 좋으며, B는 -CO-O-, -NHCO-O- 또는 -NHCONH-이고, c는 2 내지 8의 정수이며, d는 0 또는 1 내지 10의 정수이다.
    식 중, R4a는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 7의 직쇄, 분지쇄 또는 환상 알킬기이고, R5는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄, 분자쇄 또는 환상 알킬기이며, R6은 탄소수 1내지 18의 헤테로 원자를 가질 수 있는 1가의 탄화수소기이고, R4a와 R5, R4a와 R6, R5와 R6은 환을 형성하여도 되고, 환을 형성하는 경우에는4a는 탄소수 1내지 7의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기이고, R5와 R6은 탄소수 1 내지 8의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기이다.
    식 중, R1및 R2는 상기한 바와 같은 의미를 나타내며, R4는 수소 원자또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄, 분지쇄 또는 환상 알킬기이고, R5및 R6은 상기한 바와 같은 의미를 나타내지만, R4와 R5, R4와 R6, R5와 R6은 환율 형성하여도 되고, 환율 형성하는 경우에는 R4, R5및 R6은 각각 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기이고, x및 y는 상기한 바와 같은 의미를 나타내고, m은 0 또는 양의 정수이고, n은 양의 정수이도, m+n=y이며, p1, p2, q1및 q2는 상기한 바와 같은 의미를 나타내고, Q는 하기 화학식(i)또는 (ii)로 표시되는 기이다.
    식 중, R8및 R9는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄, 분지쇄 또는 환상 알킬기이거나, 또는 R5과 R9가 환을 형성하여도 되고, 환을 형성하는 경우에는 R8및 R9는 탄소수 1 내지 8의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기이고, R13은 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌기이고, d는 0 또는 1 내지 10의 정수이며, A는 c가의 탄소수 1 내지 50의 지방족 또는 지환식 포화 탄화수소기, 방향족 탄화수소기 또는 헤테로환기이고, 이들 기는 헤테로 원자를 가질 수 있고, 또한 그의 탄소 원자에 결합하는 수소 원자의 일부가 수산기, 카르복실기, 카르보닐기 도는 불소 원자에 의해 치환되어도 좋으며, B는 -CO-O-, -NHCO-O- 또는 -NHCONH-이고, c는 2 내지 8, c는 1 내지 7의 정수이다.
  2. 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000인 하기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 페놀성 수산기의 일부의 수소 원자를 그의 총 페놀성 수산기 1몰에 대하여 p1몰의 하기 화학식(2b) 또는 (3b)로 표시되는 할로겐화 알킬에테르 화합물 및 상기 총 페놀성 수산기 1몰에 대하여 q1몰의 하기 화학식(4b)로 표시되는 화합물과 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식(5a) 또는 (5b)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 제조 방법.
    식 중, R1, R2, x, y, p2, q1 및 q2는 각각 상기한 바와 같은 의미를 갖는다.
    식 중, R8, R9, R13, A, B, c 및 d는 각각 상기한 바와 같은 의미를 갖고, Z는 할로겐 원자이다.
    식 중, R4, R5, R6및 Z는 각각 상기한 바와 같은 의미를 갖는다.
    식 중, R1, R2, R4, R5, R6, Q, x, y, m, n, p1, p2, q1 및 q2는 각각 상기한 바와 같은 의미를 갖는다.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 총 페놀성수산기 1몰에 대하여 q2몰의 하기 화학식(7)로 표시되는 기, tert-알킬기, 트리알킬실릴기 또는 케토알킬기를 도입하여 하기 화학식(6c) 또는 (6d)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물의 제조 방법.
    식 중, R7은 수소 원자 또는 탄소수 4 내지 12의 3급 알킬기이고, a는 0 내지 6의 정수이다.
    식 중, R3은 상기 화학식(7)로 표시되는 기, tert-알킬기, 트리알킬실릴기 또는 케토알킬기이고, R1, R2, R4, R5, R6, R7, Q, x, y, m, n p1, p2 및 p2는 각각 상기한 바와 같은 의미를 나타낸다.
  4. 제3항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 총 페놀성 수산기 1몰에 대하여 q2몰의 하기 화학식(7)을 도입하여 하기 화학식(6a) 또는 (6b)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물의 제조 방법.
    식 중, R7및 a는 각각 상기한 바와 같은 의미를 갖는다.
    식 중, R1, R2, R4, R5, R6, R7, Q, x, y, m, n p1, p2 및 p2는 각각 상기한 바와 같은 의미를 갖는다.
  5. 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000인 하기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 고분자 화합물의 페놀성 수산기의 일부의 수소 원자에 그의 총 페놀성 수산기 1몰에 대하여 p1몰에 대하여 p1몰의 하기 화학식(2a) 또는 (3a)로 표시되는 알케닐에테르 화합물 또는 하기 화학식(2b) 또는 (3b)로 표시되는 할로겐화 알킬에테르 화합물을 반응시키는 것을 특징으로 하는 하기 화학식(8a) 또는 (8b)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 제조 방법.
    식 중, R1, R2, x, y, p1, p2, q2 및 q2는 각각 상기한 바와 같은 의미를 나타낸다.
    식 중, R8a, R9, R13, A, B, c 및 d는 각각 상기한 바와 같은 의미를 나타낸다.
    식 중, R8, R9, R13, A, B, Z, c 및 d는 각각 상기한 바와 같은 의미를 나타낸다.
    식 중, R1, R2, x, y, p1, p2, q1 및 q2는 각각 상기한 바와 같은 의미를 나타낸다.
  6. 제5항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 총 페놀성 수산기 1몰에 대하여 q1몰의 화학식(9)로 표시되는 기를 도입하여 상기 화학식(5a) 또는 (5b)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물의 제조 방법.
    식 중, R4, R5및 R은 각각 상기한 바와 같은 의미를 나타낸다.
  7. 제5항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 총 페놀성 수산기 1몰에 대하여 q1몰의 상기 화학식(7)로 표시되는 기, tert-알킬기, 트리알킬실릴기 또는 케토알킬기를 도입하여 하기 화학식(5c) 또는 (5d)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물의 제조방법.
    식 중, R1, R2, R3, Q, x, y, m, n, p1, p2, q1 및 q2는 각각 상기한 바와 같은 의미를 갖는다.
  8. 제6항에 있어서, 상기 화학식(1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물의 총 페놀성 수산기 1몰에 대하여 q2몰의 상기 화학식(7)로 표시되는 기, tert-알킬기, 트리알킬실릴기 또는 케토알킬기를 도입하여 상기 화학식(6c) 또는 (6d)로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물을 수득하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970015410A 1996-04-24 1997-04-24 가교기를 갖는 고분자 화합물의 제조 방법 KR100227986B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-127930 1996-04-24
JP12793096 1996-04-24
JP96-329228 1996-11-25
JP32922896 1996-11-25
JP11039697A JP3528512B2 (ja) 1996-04-24 1997-04-11 架橋基を有する高分子化合物の製造方法
JP97-110396 1997-04-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970071630A true KR970071630A (ko) 1997-11-07
KR100227986B1 KR100227986B1 (ko) 1999-11-01

Family

ID=27311723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970015410A KR100227986B1 (ko) 1996-04-24 1997-04-24 가교기를 갖는 고분자 화합물의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP3528512B2 (ko)
KR (1) KR100227986B1 (ko)
TW (1) TW385315B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573887B1 (ko) * 1998-09-24 2006-04-26 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 포지티브 레지스트 조성물

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3656237B2 (ja) * 1996-07-17 2005-06-08 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3353292B2 (ja) 1999-03-29 2002-12-03 日本電気株式会社 化学増幅系レジスト
CN1698016A (zh) 2003-05-20 2005-11-16 东京应化工业株式会社 化学放大型正性光致抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法
KR100865063B1 (ko) * 2003-05-22 2008-10-23 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 화학증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 레지스트패턴 형성방법
JP4440600B2 (ja) * 2003-10-31 2010-03-24 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物
TWI260467B (en) * 2004-01-30 2006-08-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Positive resist composition and method of forming resist pattern
US8715918B2 (en) 2007-09-25 2014-05-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Thick film resists
TWI717543B (zh) 2016-08-09 2021-02-01 德商馬克專利公司 光阻組合物及其用途

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100573887B1 (ko) * 1998-09-24 2006-04-26 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 포지티브 레지스트 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
JP3528512B2 (ja) 2004-05-17
TW385315B (en) 2000-03-21
JPH10204125A (ja) 1998-08-04
KR100227986B1 (ko) 1999-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970071135A (ko) 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
TWI228203B (en) Chemical amplification positive resist material and method for forming pattern
EP1060206B1 (en) Modified polycyclic polymers
KR970007489A (ko) 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
KR970071630A (ko) 가교기를 갖는 고분자 화합물의 제조 방법
JP2001174995A5 (ko)
KR960008428A (ko) 화학적으로 증폭된 방사선-민감성 조성물
JP2000187330A5 (ko)
JP2001312055A5 (ko)
TWI256525B (en) Photo resist material and method for pattern formation
KR980002109A (ko) 감광성 폴리이미드 전구체 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법
KR927003647A (ko) 시클로덱스트린유도체 및 시클로덱스트린 고정화 폴리머의 제조방법
EP1122275A3 (en) Aliphatic polyester, method for manufacturing aliphatic polyester, and method for recycling cellulose
JP2002169295A5 (ko)
KR970071137A (ko) 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR970027119A (ko) 아세탈기를 함유하는 알콕시-스틸렌 중합체와 그의 제조방법 및 알콕시-스틸렌 중합체를 주요 구성성분으로 하는 화학증폭형 포토레지스트 재료
KR930021602A (ko) 시클릭 카보네이트 화합물류, 이들 화합물의 제조방법 및 이들 화합물을 사용한 포지티브 포토레지스트 조성물
JP2001318464A5 (ko)
JP2002202608A5 (ko)
JP2004101642A5 (ko)
EP1126320A3 (en) Chemically amplified resist composition containing low molecular weight additives
KR970071129A (ko) 디 또는 트리페닐모노테르펜 탄화수소 유도체, 용해 제어제 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
JP2003192665A5 (ko)
EP1149825A3 (en) Ester compounds, polymers, resist compositions and patterning process
KR920006801A (ko) 광감성 중합체 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120724

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130719

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150716

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160721

Year of fee payment: 18

EXPY Expiration of term