KR20150073976A - Glass laminate and manufacturing method therefor, and support base with silicone resin layer - Google Patents

Glass laminate and manufacturing method therefor, and support base with silicone resin layer Download PDF

Info

Publication number
KR20150073976A
KR20150073976A KR1020157009424A KR20157009424A KR20150073976A KR 20150073976 A KR20150073976 A KR 20150073976A KR 1020157009424 A KR1020157009424 A KR 1020157009424A KR 20157009424 A KR20157009424 A KR 20157009424A KR 20150073976 A KR20150073976 A KR 20150073976A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin layer
glass substrate
silicone resin
glass
substrate
Prior art date
Application number
KR1020157009424A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
다케오미 미야코
마사루 야마우치
히로토시 데루이
Original Assignee
아사히 가라스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아사히 가라스 가부시키가이샤 filed Critical 아사히 가라스 가부시키가이샤
Publication of KR20150073976A publication Critical patent/KR20150073976A/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04Interconnection of layers
    • B32B7/06Interconnection of layers permitting easy separation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10018Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising only one glass sheet
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/283Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02Physical, chemical or physicochemical properties

Landscapes

  • Laminated Bodies (AREA)
  • Joining Of Glass To Other Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 지지 기재의 층과 실리콘 수지층과 유리 기판의 층을 이 순서로 구비하고, 지지 기재의 층과 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도보다 높은 유리 적층체로서, 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 실리콘 수지층이 실리콘 오일을 포함하고, 실리콘 수지층의 실리콘 수지 및 실리콘 오일 중 어느 한쪽이 방향족기를 갖고, 다른 쪽이 방향족기를 실질적으로 갖지 않는 유리 적층체에 관한 것이다.The present invention provides a semiconductor device comprising a support substrate layer, a silicon resin layer, and a glass substrate layer in this order, wherein the peel strength of the interface between the support substrate layer and the silicon resin layer is higher than the peel strength of the interface between the silicon resin layer and the glass substrate A glass laminate, wherein the silicone resin of the silicone resin layer is a crosslinked organopolysiloxane, the silicone resin layer contains a silicone oil, and either one of the silicone resin and the silicone oil of the silicone resin layer has an aromatic group, To a glass laminate substantially free of aromatic groups.

Description

유리 적층체 및 그 제조 방법, 및 실리콘 수지층 부착 지지 기재{GLASS LAMINATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SUPPORT BASE WITH SILICONE RESIN LAYER}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a glass laminate, a glass laminate, a method of manufacturing the same, and a substrate having a silicon resin layer,

본 발명은 유리 적층체 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 실리콘 오일이 포함되는 실리콘 수지층을 갖는 유리 적층체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a glass laminate and a method of manufacturing the same, and more particularly to a glass laminate having a silicone resin layer containing a silicone oil and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명은 실리콘 수지층 부착 지지 기재에 관한 것으로, 특히 유리 기판이 그 표면에 박리 가능하게 적층되는 실리콘 수지층 부착 지지 기재 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention also relates to a supporting substrate having a silicon resin layer, and more particularly to a supporting substrate having a silicon resin layer on which a glass substrate is laminated so as to be peelable, and a method of manufacturing the same.

최근, 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등의 디바이스(전자 기기)의 박형화, 경량화가 진행되고 있고, 이들 디바이스에 이용하는 유리 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 유리 기판의 강도가 부족하면, 디바이스의 제조 공정에 있어서 유리 기판의 핸들링성이 저하된다.In recent years, thinner and lighter devices (electronic devices) such as a solar cell (PV), a liquid crystal panel (LCD), and an organic EL panel (OLED) have been made thinner and thinner glass substrates used in these devices are being developed. If the strength of the glass substrate is insufficient due to the thinning, the handling property of the glass substrate in the manufacturing process of the device is deteriorated.

따라서, 종래부터 최종 두께보다도 두꺼운 유리 기판 상에 디바이스용 부재(예를 들어 박막 트랜지스터)를 형성한 후, 유리 기판을 화학 에칭 처리에 의해 박판화하는 방법이 널리 채택되고 있다.Therefore, conventionally, a method of thinning a glass substrate by chemical etching after forming a device member (for example, a thin film transistor) on a glass substrate thicker than the final thickness has been widely adopted.

그러나, 이 방법에서는 예를 들어 1매의 유리 기판의 두께를 0.7mm 내지 0.2mm나 0.1mm로 박판화하는 경우, 원래의 유리 기판의 재료의 대부분을 에칭액으로 깎아내게 되므로, 생산성이나 원재료의 사용 효율이라는 관점에서는 바람직하지 않다. 또한, 상기 화학 에칭에 의한 유리 기판의 박판화 방법에 있어서는, 유리 기판 표면에 미세한 흠집이 존재하는 경우, 에칭 처리에 의해 흠집을 기점으로 하여 미세한 오목부(에치 피트)가 형성되어 광학적인 결함이 되는 경우가 있었다.However, in this method, for example, when the thickness of one glass substrate is reduced to 0.7 mm to 0.2 mm or 0.1 mm, most of the original glass substrate is etched with an etchant, so productivity and efficiency of use of raw materials It is not preferable. Further, in the method of thinning a glass substrate by the chemical etching, when fine scratches are present on the surface of the glass substrate, fine recesses (etch pits) are formed starting from the scratches by the etching treatment to become optical defects There was a case.

최근에는 상기 과제에 대응하기 위해서 박판 유리 기판과 보강판을 적층한 유리 적층체를 준비하고, 유리 적층체의 박판 유리 기판 상에 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재를 형성한 후, 박판 유리 기판으로부터 지지판을 분리하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어 특허문헌 1 또는 특허문헌 2 참조). 보강판은 지지판과, 해당 지지판 상에 고정된 실리콘 수지층을 갖고, 실리콘 수지층과 박판 유리 기판이 박리 가능하게 밀착된다. 유리 적층체의 실리콘 수지층과 박판 유리 기판의 계면이 박리되고, 박판 유리 기판으로부터 분리된 보강판은 새로운 박판 유리 기판과 적층되고, 유리 적층체로서 재이용하는 것이 가능하다.In recent years, in order to cope with the above problem, a glass laminate in which a thin plate glass substrate and a reinforcing plate are laminated is prepared, an electronic device member such as a display device is formed on a thin plate glass substrate of a glass laminate, A method of separating a support plate has been proposed (for example, refer to Patent Document 1 or Patent Document 2). The reinforcing plate has a support plate and a silicone resin layer fixed on the support plate, and the silicon resin layer and the thin plate glass substrate are brought into close contact with each other in a peelable manner. The interface between the silicon resin layer of the glass laminate and the thin plate glass substrate is peeled off and the reinforcing plate separated from the thin plate glass substrate is laminated with a new thin plate glass substrate and can be reused as a glass laminate.

또한, 특허문헌 2(특히 실시예 7)에 있어서는 실리콘 오일로서 디메틸폴리실록산을 포함하는 실리콘 수지층을 사용한 형태가 구체적으로 개시되어 있다.Further, in Patent Document 2 (particularly Example 7), a form using a silicone resin layer containing dimethylpolysiloxane as a silicone oil is specifically disclosed.

국제 공개 제2007/018028호International Publication No. 2007/018028 국제 공개 제2011/142280호International Publication No. 2011/142280

특허문헌 1 및 2에 기재된 유리 적층체에 관하여 최근에 더욱 높은 내열성이 요구되게 되었다. 유리 적층체의 유리 기판 상에 형성되는 전자 디바이스용 부재의 고기능화나 복잡화에 수반하여 전자 디바이스용 부재를 형성할 때의 온도가 더욱 고온이 됨과 함께, 그 고온에 노출되는 시간도 장시간을 필요로 하는 경우가 적지 않다. 또한, 사용되는 유리 기판도 보다 박막화되고 있어 그 취급성이 어려워지고 있었다.With respect to the glass laminate described in Patent Documents 1 and 2, higher heat resistance has recently been required. As the electronic device member formed on the glass substrate of the glass laminate becomes more sophisticated and complicated, the temperature for forming the electronic device member becomes higher and the time for exposure to the higher temperature is also required to be longer There are a few cases. In addition, the glass substrate to be used is becoming thinner, and handling thereof becomes difficult.

특허문헌 1 및 2에 기재된 유리 적층체는 대기 중 300℃, 1시간의 처리에 견딜 수 있다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 특허문헌 1 및 2를 참조하여 보다 두께가 얇은 유리 기판을 사용한 유리 적층체에 대하여 350℃, 1시간의 처리를 행한 경우, 유리 기판을 실리콘 수지층 표면으로부터 박리할 때에 유리 기판이 수지층 표면으로부터 박리되지 않고 그 일부가 파괴되거나 수지층의 수지 일부가 유리 기판 상에 잔존하거나 하여 결과적으로 전자 디바이스의 생산성 저하를 초래하는 경우가 있었다.The glass laminate described in Patent Documents 1 and 2 can withstand treatment at 300 ° C for 1 hour in air. However, according to the examination by the present inventors, referring to Patent Documents 1 and 2, when a glass laminate using a thinner glass substrate is subjected to the treatment at 350 DEG C for 1 hour, the glass substrate is peeled from the surface of the silicon resin layer The glass substrate is not peeled off from the surface of the resin layer and a part of the glass substrate is broken or a part of the resin of the resin layer remains on the glass substrate, resulting in a decrease in the productivity of the electronic device.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 고온 가열 처리 조건 후에도 유리 기판과 실리콘 수지층의 박리 강도의 상승이 억제되고, 용이하게 유리 기판을 박리할 수 있는 유리 적층체 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems and provides a glass laminate capable of easily peeling off a glass substrate while suppressing an increase in peel strength between the glass substrate and the silicone resin layer even after high- .

또한, 본 발명은 해당 유리 적층체의 제조에 사용되는 실리콘 수지층 부착 지지 기재를 제공하는 것도 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a supporting base material with a silicone resin layer used in the production of the glass laminate.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 행한 결과, 본 발명을 완성하였다.Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems and have completed the present invention.

즉, 본 발명의 제1 형태는 지지 기재의 층과 실리콘 수지층과 유리 기판의 층을 이 순서로 구비하고, 지지 기재의 층과 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도보다 높은 유리 적층체로서, 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 실리콘 수지층이 실리콘 오일을 포함하고, 실리콘 수지층에 포함되는 실리콘 수지 및 실리콘 오일 중 어느 한쪽이 방향족기를 갖고, 다른 쪽이 방향족기를 실질적으로 갖지 않는 유리 적층체이다.That is, a first aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: providing a support substrate layer, a silicon resin layer, and a glass substrate layer in this order; Wherein the silicone resin of the silicone resin layer is a crosslinked product of a crosslinkable organopolysiloxane and the silicone resin layer contains a silicone oil and the silicone resin contained in the silicone resin layer and the silicone oil One of which has an aromatic group and the other of which does not substantially contain an aromatic group.

제1 형태에 있어서, 실리콘 오일이 페닐기를 갖고, 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기 중 페닐기의 함유율이 5 내지 50몰%인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the silicone oil has a phenyl group and the content of the phenyl group in the total organic groups bonded to the silicon atom in the silicone oil is 5 to 50 mol%.

제1 형태에 있어서, 실리콘 수지층 중에 있어서의 실리콘 오일의 함유량이 실리콘 수지 100질량부에 대하여 6 내지 20질량부인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the content of the silicone oil in the silicone resin layer is 6 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the silicone resin.

제1 형태에 있어서, 실리콘 오일의 25℃에 있어서의 점도가 100 내지 6000cP인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the viscosity of the silicone oil at 25 캜 is 100 to 6000 cP.

제1 형태에 있어서, 실리콘 수지층의 두께가 2 내지 100㎛인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the thickness of the silicone resin layer is 2 to 100 mu m.

제1 형태에 있어서, 지지 기재가 유리판인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the supporting substrate is a glass plate.

본 발명의 제2 형태는 지지 기재의 편면에 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층을 형성하고, 지지 기재면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜 실리콘 수지층을 형성하고, 계속해서 실리콘 수지층의 표면에 유리 기판을 적층하는 것을 특징으로 하는 제1 형태의 유리 적층체를 제조하는 방법이다.In a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane and a silicone oil on one side of a supporting substrate; crosslinking the crosslinkable organopolysiloxane on the supporting substrate surface to form a silicone resin layer; And a glass substrate is laminated on the surface of the resin layer.

본 발명의 제3 형태는 지지 기재와 지지 기재면 상에 형성된 박리성 표면을 갖는 실리콘 수지층을 갖는 실리콘 수지층 부착 지지 기재로서, 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 실리콘 수지층이 실리콘 오일을 포함하고, 실리콘 수지층에 포함되는 실리콘 수지 및 실리콘 오일 중 어느 한쪽이 방향족기를 갖고, 다른 쪽이 방향족기를 실질적으로 갖지 않는 실리콘 수지층 부착 지지 기재이다.A third aspect of the present invention is a silicon resin layer-attached supporting substrate having a supporting substrate and a silicone resin layer having a releasable surface formed on the supporting substrate surface, wherein the silicone resin of the silicone resin layer is a crosslinked organopolysiloxane , The silicone resin layer comprises a silicone oil, and either the silicone resin or the silicone oil contained in the silicone resin layer has an aromatic group and the other silicone resin layer does not substantially contain an aromatic group.

제3 형태에 있어서, 실리콘 오일이 페닐기를 갖고, 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기 중 페닐기의 함유율이 5 내지 50몰%인 것이 바람직하고, 5 내지 30몰%인 것이 더욱 바람직하다.In the third aspect, the silicone oil has a phenyl group, and the content of the phenyl group in the total organic groups bonded to silicon atoms in the silicone oil is preferably 5 to 50 mol%, more preferably 5 to 30 mol%.

제3 형태에 있어서, 실리콘 수지층 중에 있어서의 실리콘 오일의 함유량이 실리콘 수지 100질량부에 대하여 6 내지 20질량부인 것이 바람직하다.In the third aspect, it is preferable that the content of the silicone oil in the silicone resin layer is 6 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the silicone resin.

제3 형태에 있어서, 실리콘 오일의 25℃에 있어서의 점도가 100 내지 6000cP인 것이 바람직하다.In the third aspect, it is preferable that the viscosity of the silicone oil at 25 캜 is 100 to 6000 cP.

본 발명에 따르면, 고온 가열 처리 조건 후에도 유리 기판과 실리콘 수지층의 박리 강도의 상승이 억제되고, 용이하게 유리 기판을 박리할 수 있는 유리 적층체 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a glass laminate capable of easily peeling off a glass substrate while suppressing an increase in peel strength between the glass substrate and the silicone resin layer even after high-temperature heat treatment conditions, and a method for manufacturing the same.

또한, 본 발명에 따르면 해당 유리 적층체의 제조에 사용되는 실리콘 수지층 부착 지지 기재를 제공할 수도 있다.Further, according to the present invention, it is also possible to provide a silicon resin layer-adhered support substrate used in the production of the glass laminate.

도 1은 본 발명에 관한 유리 적층체의 일 실시 형태의 모식적 단면도이다.
도 2의 (A) 내지 (D)는 본 발명에 관한 부재 부착 유리 기판의 제조 방법의 일 실시 형태를 공정 순으로 나타내는 모식적 단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a glass laminate according to the present invention.
2 (A) to 2 (D) are schematic cross-sectional views showing one embodiment of a manufacturing method of a glass substrate with a member according to the present invention, in the order of steps.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다. Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications and substitutions may be made to the following embodiments without departing from the scope of the present invention. Can be added.

본 발명의 유리 적층체는 지지 기재의 층과 실리콘 수지층과 유리 기판의 층을 이 순서로 구비한다. 즉, 지지 기재의 층과 유리 기판의 층의 사이에 실리콘 수지층을 갖고, 따라서 실리콘 수지층은 한쪽 측이 지지 기재의 층에 접하고, 다른 쪽 측이 유리 기판의 층에 접하고 있다.The glass laminate of the present invention has a layer of a supporting substrate, a layer of a silicone resin and a layer of a glass substrate in this order. That is, a silicon resin layer is provided between the layer of the supporting substrate and the layer of the glass substrate, and thus the silicon resin layer is in contact with the layer of the supporting substrate on one side and the layer of the glass substrate on the other side.

본 발명의 유리 적층체의 특징점의 하나는 실리콘 수지층에는 실리콘 오일이 포함되고, 실리콘 수지층의 실리콘 수지 및 실리콘 오일 중 어느 한쪽만이 방향족기를 갖고, 다른 쪽이 방향족기를 실질적으로 갖지 않는 점을 들 수 있다. 실리콘 수지 또는 실리콘 오일 중 어느 한쪽에만 방향족기를 도입함으로써 양자의 상용성이 저하된다. 결과적으로 실리콘 오일이 실리콘 수지층 표면에 단시간에 블리드 아웃하기 쉬워지고, 실리콘 수지층 형성 후부터 유리 기판을 적층할 때까지의 시간이 짧아도 유리 기판에 대하여 양호한 박리성을 나타내는 실리콘 수지층이 얻어지기 쉽고, 결과적으로 고온 가열 후이어도 유리 기판과 실리콘 수지층의 박리 강도의 상승을 억제할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 소정의 실리콘 오일을 사용하면 실리콘 수지층 표면의 투명성이 보다 담보됨과 함께 박리되는 유리 기판 표면의 투명성도 보다 우수한 것이 된다.One of the characteristic features of the glass laminate of the present invention is that the silicone resin layer contains silicone oil and only either one of the silicone resin and silicone oil of the silicone resin layer has an aromatic group and the other has substantially no aromatic group . The incorporation of an aromatic group into either the silicone resin or the silicone oil lowers the compatibility of both. As a result, the silicone oil tends to bleed out on the surface of the silicone resin layer in a short time, and even if the time from the formation of the silicone resin layer to the lamination of the glass substrate is short, a silicone resin layer showing good releasability to the glass substrate is easily obtained As a result, even after the high-temperature heating, the increase in the peeling strength between the glass substrate and the silicon resin layer can be suppressed. Further, when a predetermined silicone oil is used as described later, the transparency of the surface of the silicone resin layer is further ensured, and the transparency of the surface of the glass substrate peeled is also excellent.

또한, 본 발명의 실리콘 수지층은 양호한 박리성을 나타내므로, 유리 기판의 두께를 얇게 하여도 고온 가열 후의 박리시에 유리 기판이 깨지기 어렵다는 특징을 갖는다.Further, since the silicone resin layer of the present invention exhibits good releasability, even if the thickness of the glass substrate is made thin, it is difficult to break the glass substrate at the time of peeling after high temperature heating.

도 1은 본 발명에 관한 유리 적층체의 일례의 모식적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an example of a glass laminate according to the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이 유리 적층체(10)는 지지 기재(12)의 층과 유리 기판(16)의 층과 이들 사이에 실리콘 수지층(14)이 존재하는 적층체이다. 실리콘 수지층(14)은 그 한쪽 면이 지지 기재(12)의 층에 접함과 함께, 그 다른 쪽 면이 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 접하고 있다. 바꾸어 말하면, 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 접하고 있다.As shown in Fig. 1, the glass laminate 10 is a laminate in which a layer of the supporting substrate 12, a layer of the glass substrate 16, and a silicon resin layer 14 are present therebetween. One side of the silicon resin layer 14 is in contact with the layer of the supporting substrate 12 and the other side of the silicon resin layer 14 is in contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16. [ In other words, the silicon resin layer 14 is in contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16.

지지 기재(12)의 층 및 실리콘 수지층(14)을 포함하는 2층 부분은 액정 패널 등의 전자 디바이스용 부재를 제조하는 부재 형성 공정에 있어서 유리 기판(16)을 보강한다. 또한, 유리 적층체(10)의 제조를 위해서 미리 제조되는 지지 기재(12)의 층 및 실리콘 수지층(14)을 포함하는 2층 부분을 실리콘 수지층 부착 지지 기재(18)라고 한다. The two-layer portion including the layer of the supporting substrate 12 and the silicon resin layer 14 reinforces the glass substrate 16 in the member forming process for manufacturing the electronic device member such as the liquid crystal panel. The two-layer portion including the layer of the supporting substrate 12 and the silicon resin layer 14 previously prepared for the production of the glass laminate 10 is referred to as the supporting substrate 18 with the silicone resin layer.

이 유리 적층체(10)는 후술하는 부재 형성 공정까지 사용된다. 즉, 이 유리 적층체(10)는 그 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 표면 상에 액정 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재가 형성될 때까지 사용된다. 그 후, 전자 디바이스용 부재가 형성된 유리 적층체는 실리콘 수지층 부착 지지 기재(18)와 부재 부착 유리 기판으로 분리되고, 실리콘 수지층 부착 지지 기재(18)는 전자 디바이스를 구성하는 부분으로 되지는 않는다. 실리콘 수지층 부착 지지 기재(18)는 새로운 유리 기판(16)과 적층되고, 새로운 유리 적층체(10)로서 재이용할 수 있다.This glass laminate 10 is used until the member forming process described later. That is, this glass laminate 10 is used on the surface of the second main surface 16b of the glass substrate 16 until a member for an electronic device such as a liquid crystal display device is formed. Thereafter, the glass laminate on which the electronic device member is formed is separated into the supporting base material 18 with the silicone resin layer and the glass substrate with the member, and the supporting base material 18 with the silicone resin layer is not a part constituting the electronic device Do not. The supporting base material 18 with the silicone resin layer can be laminated with the new glass substrate 16 and reused as a new glass laminate 10. [

지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면은 박리 강도(x)를 갖고, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면에 박리 강도(x)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면이 박리된다. 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면은 박리 강도(y)를 갖고, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면에 박리 강도(y)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면이 박리된다.The interface between the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 has a peeling strength x and a stress in the peeling direction exceeding the peeling strength x is applied to the interface between the supporting substrate 12 and the silicon resin layer 14 The interface between the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14 is peeled off. The interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 has a peel strength y and a stress in the peeling direction exceeding the peel strength y is exerted on the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 The interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 is peeled off.

유리 적층체(10)(후술하는 전자 디바이스용 부재 부착 적층체도 의미함)에 있어서는 상기 박리 강도(x)는 상기 박리 강도(y)보다도 높다. 따라서, 유리 적층체(10)에 지지 기재(12)와 유리 기판(16)을 떼는 방향의 응력이 가해지면, 본 발명의 유리 적층체(10)는 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면에서 박리되어 유리 기판(16)과 실리콘 수지층 부착 지지 기재(18)로 분리한다. In the glass laminate 10 (also referred to as a laminate with electronic device members described later), the peel strength x is higher than the peel strength y. The glass laminate 10 of the present invention can be obtained by forming the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 together with the glass substrate 16 by applying stress to the glass laminate 10 in the direction in which the supporting substrate 12 and the glass substrate 16 are separated from each other. ) To separate the glass substrate 16 and the silicon resin layer-adhered supporting substrate 18.

박리 강도(x)는 박리 강도(y)와 비교하여 충분히 높은 것이 바람직하다. 박리 강도(x)를 높이는 것은 지지 기재(12)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이고, 또한 가열 처리 후에 있어서 유리 기판(16)에 대해서보다도 상대적으로 높은 부착력을 유지할 수 있음을 의미한다.The peel strength (x) is preferably sufficiently high as compared with the peel strength (y). Raising the peel strength x means that the adhesion force of the silicone resin layer 14 to the support substrate 12 can be increased and a relatively high adhesion force to the glass substrate 16 can be maintained after the heat treatment .

지지 기재(12)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이기 위해서는 후술하는 바와 같이 가교성 오르가노폴리실록산을 지지 기재(12) 상에서 가교 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성하는 것이 바람직하다. 가교 경화시의 접착력으로 지지 기재(12)에 대하여 높은 결합력으로 결합한 실리콘 수지층(14)을 형성할 수 있다.In order to increase the adhesion of the silicone resin layer 14 to the supporting substrate 12, it is preferable that the silicone resin layer 14 is formed by crosslinking and curing the crosslinkable organopolysiloxane on the supporting substrate 12 as described later. The silicone resin layer 14 bonded to the supporting substrate 12 with high bonding force can be formed by the adhesive force at the time of crosslinking curing.

한편, 가교 경화 후의 가교성 오르가노폴리실록산의 경화물 유리 기판(16)에 대한 결합력은 상기 가교 경화시에 발생하는 결합력보다도 낮은 것이 일반적이다. 따라서, 지지 기재(12) 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성하고, 그 후 실리콘 수지층(14)의 면에 유리 기판(16)을 적층하여 유리 적층체(10)를 제조하는 것이 바람직하다.On the other hand, the bonding force of the crosslinkable organopolysiloxane to the cured glass substrate 16 after crosslinking curing is generally lower than the bonding force generated at the time of crosslinking curing. The crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked and cured on the supporting substrate 12 to form the silicone resin layer 14 and thereafter the glass substrate 16 is laminated on the surface of the silicone resin layer 14 to form a glass laminate 10).

이하에서 먼저 유리 적층체(10)를 구성하는 각 층(지지 기재(12), 유리 기판(16), 실리콘 수지층(14))에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후 유리 적층체 및 부재 부착 유리 기판의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each layer (supporting substrate 12, glass substrate 16, and silicone resin layer 14) constituting the glass laminate 10 will be described in detail, and then the glass laminate and the glass with members A method of manufacturing a substrate will be described in detail.

[지지 기재][Supporting substrate]

지지 기재(12)는 유리 기판(16)을 지지하여 보강하고, 후술하는 부재 형성 공정(전자 디바이스용 부재를 제조하는 공정)에 있어서 전자 디바이스용 부재의 제조시에 유리 기판(16)의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지한다.The supporting substrate 12 supports and reinforces the glass substrate 16 and is capable of deforming and deforming the glass substrate 16 at the time of manufacturing the electronic device member in the member forming process (the process for manufacturing the electronic device member) It prevents scratches, breakage, and the like.

지지 기재(12)로서는 예를 들어 유리판, 플라스틱판, SUS판 등의 금속판 등이 이용된다. 통상 부재 형성 공정이 열처리를 수반하기 때문에 지지 기재(12)는 유리 기판(16)과의 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 유리 기판(16)과 동일 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하고, 지지 기재(12)는 유리판인 것이 바람직하다. 특히, 지지 기재(12)는 유리 기판(16)과 동일한 유리 재료를 포함하는 유리판인 것이 바람직하다.As the supporting substrate 12, for example, a metal plate such as a glass plate, a plastic plate, an SUS plate, or the like is used. It is preferable that the supporting substrate 12 is formed of a material having a small difference in coefficient of linear expansion from the glass substrate 16 and is formed of the same material as that of the glass substrate 16 And the supporting substrate 12 is preferably a glass plate. In particular, the supporting substrate 12 is preferably a glass plate containing the same glass material as the glass substrate 16.

지지 기재(12)의 두께는 유리 기판(16)보다도 두꺼워도 되고, 얇아도 된다. 바람직하게는 유리 기판(16)의 두께, 실리콘 수지층(14)의 두께 및 유리 적층체(10)의 두께에 기초하여 지지 기재(12)의 두께가 선택된다. 예를 들어 현행의 부재 형성 공정이 두께 0.5mm의 기판을 처리하도록 설계된 것으로서, 유리 기판(16)의 두께와 실리콘 수지층(14)의 두께의 합이 0.1mm인 경우, 지지 기재(12)의 두께를 0.4mm로 한다. 지지 기재(12)의 두께는 통상의 경우, 0.2 내지 5.0mm인 것이 바람직하다.The thickness of the supporting substrate 12 may be thicker than that of the glass substrate 16, or it may be thin. The thickness of the supporting substrate 12 is preferably selected based on the thickness of the glass substrate 16, the thickness of the silicon resin layer 14, and the thickness of the glass laminate 10. [ For example, the present member forming process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm. When the sum of the thickness of the glass substrate 16 and the thickness of the silicon resin layer 14 is 0.1 mm, The thickness is 0.4 mm. The thickness of the supporting substrate 12 is usually 0.2 to 5.0 mm.

지지 기재(12)가 유리판인 경우, 유리판의 두께는, 취급하기 쉽고, 깨지기 어려운 등의 이유로 0.08mm 이상인 것이 바람직하다. 또한, 유리판의 두께는 전자 디바이스용 부재 형성 후에 박리할 때에 깨지지 않고 적절하게 휘는 강성이 요망되는 이유로 1.0mm 이하인 것이 바람직하다.When the supporting substrate 12 is a glass plate, the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more for ease of handling and difficulty in breaking. It is preferable that the thickness of the glass plate is 1.0 mm or less for the reason that the rigidity required to bend properly and not break when peeling off after formation of the electronic device member is desired.

지지 기재(12)와 유리 기판(16)의 25 내지 300℃에 있어서의 평균 선팽창 계수의 차는 바람직하게는 500×10-7/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 300×10-7/℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 200×10-7/℃ 이하이다. 차가 지나치게 크면, 부재 형성 공정에 있어서의 가열 냉각시에 유리 적층체(10)가 심하게 휘거나 지지 기재(12)와 유리 기판(16)이 박리할 가능성이 있다. 지지 기재(12)의 재료가 유리 기판(16)의 재료와 동일한 경우, 이러한 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다.The difference in average coefficient of linear expansion between the support substrate 12 and the glass substrate 16 at 25 to 300 占 폚 is preferably 500 占10-7 / 占 폚 or less, more preferably 300 占10-7 / 占 폚 or less , More preferably 200 x 10 < -7 > / DEG C or less. If the car is excessively large, there is a possibility that the glass laminate 10 is significantly bent and the supporting substrate 12 and the glass substrate 16 are peeled off during the heating and cooling in the member forming step. When the material of the supporting substrate 12 is the same as the material of the glass substrate 16, occurrence of such a problem can be suppressed.

[유리 기판][Glass Substrate]

유리 기판(16)은 제1 주면(16a)이 실리콘 수지층(14)과 접하고, 실리콘 수지층(14)측과는 반대측의 제2 주면(16b)에 전자 디바이스용 부재가 설치된다.The glass substrate 16 is provided with the electronic device member on the second main surface 16b on the side opposite to the side of the silicon resin layer 14 with the first main surface 16a contacting with the silicon resin layer 14. [

유리 기판(16)의 종류는 일반적인 것이어도 되고, 예를 들어 LCD, OLED와 같은 표시 장치용 유리 기판 등을 들 수 있다. 유리 기판(16)은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한 열수축률이 낮다. 열수축률의 지표로서는 JIS R 3102(1995년 개정)에 규정되어 있는 선팽창 계수가 이용된다.The type of the glass substrate 16 may be a general one, and examples thereof include glass substrates for display devices such as LCDs and OLEDs. The glass substrate 16 is excellent in chemical resistance and moisture permeability, and has a low heat shrinkage rate. The coefficient of thermal expansion specified in JIS R 3102 (revised in 1995) is used as an index of the heat shrinkage ratio.

유리 기판(16)의 선팽창 계수가 크면, 부재 형성 공정은 가열 처리를 수반하는 경우가 많으므로 여러 가지 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어 유리 기판(16) 상에 TFT를 형성하는 경우, 가열하에서 TFT가 형성된 유리 기판(16)을 냉각하면, 유리 기판(16)의 열수축에 의해 TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.If the coefficient of linear expansion of the glass substrate 16 is large, the member forming process often involves heat treatment, and thus various problems are likely to occur. For example, when the TFT is formed on the glass substrate 16, if the glass substrate 16 on which the TFT is formed under heating is cooled, the positional deviation of the TFT may be excessive due to heat shrinkage of the glass substrate 16. [

유리 기판(16)은 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법, 푸르콜법, 러버스법 등이 이용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판(16)은 일단 판상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단으로 잡아늘여 얇게 하는 방법(리드로우법)으로 성형하여 얻어진다.The glass substrate 16 is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate. Such a forming method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down-draw method, a fur co-ling method, a lub bus method, and the like are used. In particular, the glass substrate 16 having a small thickness can be obtained by heating the glass molded into a plate shape at a moldable temperature, thinning it by means of drawing or the like (lead-down method).

유리 기판(16)의 유리 종류는 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리 붕규산 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90질량%인 유리가 바람직하다.The kind of glass of the glass substrate 16 is not particularly limited, but is preferably an alkali-free borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, or other oxide-based glass mainly containing silicon oxide. As the oxide-based glass, glass having a silicon oxide content of 40 to 90 mass% in terms of an oxide is preferable.

유리 기판(16)의 유리로서는 전자 디바이스용 부재의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채택된다. 예를 들어 액정 패널용 유리 기판은 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 미치기 쉬운 점에서, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)를 포함한다(단, 통상 알칼리 토금속 성분은 포함된다). 이와 같이 유리 기판(16)의 유리는 적용되는 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.As the glass for the glass substrate 16, glass suitable for the kind of the electronic device member and its manufacturing process is adopted. For example, a glass substrate for a liquid crystal panel includes a glass (alkali-free glass) substantially free from an alkali metal component in that the elution of the alkali metal component tends to affect the liquid crystal (note that the alkali- . Thus, the glass of the glass substrate 16 is appropriately selected based on the kind of the applied device and the manufacturing process thereof.

유리 기판(16)의 두께는 유리 기판(16)의 박형화 및/또는 경량화의 관점에서 0.3mm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.15mm 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.10mm 이하이다. 0.3mm 이하인 경우, 유리 기판(16)에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.15mm 이하인 경우, 유리 기판(16)을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다.The thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.3 mm or less, more preferably 0.15 mm or less, and still more preferably 0.10 mm or less from the viewpoints of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate 16. [ When the thickness is 0.3 mm or less, it is possible to impart good flexibility to the glass substrate 16. When the thickness is 0.15 mm or less, the glass substrate 16 can be rolled up.

또한, 유리 기판(16)의 두께는 유리 기판(16)의 제조가 용이한 점, 유리 기판(16)의 취급이 용이한 점 등의 이유로 0.03mm 이상인 것이 바람직하다.The thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.03 mm or more for ease of manufacture of the glass substrate 16 and ease of handling of the glass substrate 16. [

또한, 유리 기판(16)은 2층 이상을 포함하고 있어도 되며, 이 경우 각각의 층을 형성하는 재료는 동종 재료이어도 좋고, 이종 재료이어도 된다. 또한, 이 경우 「유리 기판(16)의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.Further, the glass substrate 16 may include two or more layers, and in this case, the materials for forming the respective layers may be the same type or different materials. In this case, " the thickness of the glass substrate 16 " means the total thickness of all the layers.

[실리콘 수지층] [Silicone resin layer]

실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 분리하는 조작이 행하여질 때까지 유리 기판(16)의 위치 어긋남을 방지함과 함께, 유리 기판(16) 등이 분리 조작에 의해 파손되는 것을 방지한다. 실리콘 수지층(14)의 유리 기판(16)과 접하는 표면(실리콘 수지층의 제1 주면)(14a)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 박리 가능하게 밀착한다. 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 약한 결합력으로 결합하고 있고, 그 계면의 박리 강도(y)는 실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 사이의 계면의 박리 강도(x)보다도 낮다.The silicon resin layer 14 prevents the positional deviation of the glass substrate 16 until the operation of separating the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 is performed, Thereby preventing damage to the semiconductor device. A surface 14a of the silicon resin layer 14 which is in contact with the glass substrate 16 (the first main surface of the silicon resin layer) is in close contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16 in a peelable manner. The peeling strength y of the interface between the silicon resin layer 14 and the supporting substrate 12 is set so that the peeling strength y of the interface between the silicon resin layer 14 and the supporting substrate 12 (X) of the interface between the substrate and the substrate.

즉, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 분리할 때에는 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)과 실리콘 수지층(14)의 계면에서 박리하고, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면에서는 박리되기 어렵다. 이 때문에 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)과 밀착되지만, 유리 기판(16)을 용이하게 박리할 수 있는 표면 특성을 갖는다. 즉, 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 대하여 어느 정도의 결합력으로 결합하여 유리 기판(16)의 위치 어긋남 등을 방지하고 있음과 동시에, 유리 기판(16)을 박리할 때에는 유리 기판(16)을 파괴하지 않고, 용이하게 박리할 수 있을 정도의 결합력으로 결합하고 있다. 본 발명에서는 이 실리콘 수지층(14) 표면의 용이하게 박리될 수 있는 성질을 박리성이라고 한다. 한편, 지지 기재(12)의 제1 주면과 실리콘 수지층(14)은 상대적으로 박리하기 어려운 결합력으로 결합하고 있다.That is, when separating the glass substrate 16 and the supporting substrate 12, the glass substrate 16 is separated from the interface between the first main surface 16a of the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14, It is difficult to peel off from the interface of the layer 14. Therefore, the silicon resin layer 14 is in close contact with the first main surface 16a of the glass substrate 16, but has a surface characteristic capable of easily separating the glass substrate 16. That is, the silicon resin layer 14 is bonded to the first main surface 16a of the glass substrate 16 with a certain degree of bonding force to prevent displacement of the glass substrate 16, and the glass substrate 16 The glass substrate 16 is bonded to the glass substrate 16 with a bonding force so that the glass substrate 16 can easily be peeled off. In the present invention, the property that the surface of the silicone resin layer 14 can easily be peeled off is referred to as peelability. On the other hand, the first main surface of the supporting substrate 12 and the silicon resin layer 14 are bonded with a bonding force that is relatively difficult to peel off.

또한, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면의 결합력은 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 면(제2 주면(16b)) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하기 전후에 변화하여도 된다(즉, 박리 강도(x)나 박리 강도(y)가 변화하여도 된다). 그러나, 전자 디바이스용 부재를 형성한 후에도 박리 강도(y)는 박리 강도(x)보다도 낮다.The bonding force of the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 is formed by forming the electronic device member on the surface (the second main surface 16b) of the glass substrate 16 of the glass laminate 10 (I.e., the peel strength (x) or the peel strength (y) may be changed). However, even after forming the member for electronic devices, the peel strength (y) is lower than the peel strength (x).

실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층이란 약한 접착력이나 반데발스 힘에 기인하는 결합력으로 결합하고 있다고 생각된다. 실리콘 수지층(14)을 형성한 후 그 표면에 유리 기판(16)을 적층하는 경우, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지가 접착력을 나타내지 않을 만큼 충분히 가교하고 있는 경우에는 반데발스 힘에 기인하는 결합력으로 결합하고 있다고 생각된다. 그러나, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지는 어느 정도의 약한 접착력을 갖는 경우가 적지 않다. 가령 접착성이 매우 낮은 경우라도 유리 적층체(10) 제조 후 그 적층체 상에 전자 디바이스용 부재를 형성할 때에는 가열 조작 등에 의해 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지는 유리 기판(16) 면에 접착하고, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층의 사이의 결합력은 상승된다고 생각된다. It is considered that the layer of the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are bonded by the bonding force resulting from the weak adhesive force or the Van der Waals force. In the case where the glass substrate 16 is laminated on the surface of the silicon resin layer 14 after the silicon resin layer 14 is formed, if the silicone resin of the silicone resin layer 14 is sufficiently crosslinked so as not to exhibit the adhesive force, It is believed that they are bonded by bonding force. However, the silicone resin of the silicone resin layer 14 often has a weak adhesive strength to some extent. Even when the adhesive property is very low, when the electronic device member is formed on the laminate after the production of the glass laminate 10, the silicone resin of the silicone resin layer 14 is heated on the glass substrate 16 surface And it is considered that the bonding force between the silicon resin layer 14 and the layer of the glass substrate 16 is increased.

경우에 따라 적층 전의 실리콘 수지층(14)의 표면이나 적층 전의 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 양자 간의 결합력을 약화시키는 처리를 행하여 적층할 수도 있다. 적층하는 면에 비접착성 처리 등을 행하고, 그 후 적층함으로써, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층의 계면의 결합력을 약화시키고, 박리 강도(y)를 낮게 할 수 있다. The bonding strength between the surface of the silicon resin layer 14 before lamination and the first main surface 16a of the glass substrate 16 before lamination may be weakened as the case may be. The bonding strength between the interface of the silicon resin layer 14 and the layer of the glass substrate 16 can be weakened and the peeling strength y can be lowered by performing non-adhesive treatment or the like on the surface to be laminated and then laminating it.

또한, 실리콘 수지층(14)은 접착력이나 점착력 등의 강한 결합력으로 지지 기재(12) 표면에 결합되어 있다. 예를 들어 전술한 바와 같이 가교성 오르가노폴리실록산을 지지 기재(12) 표면에서 가교 경화시킴으로써, 가교물인 실리콘 수지를 지지 기재(12) 표면에 접착하여 높은 결합력을 얻을 수 있다. 또한, 지지 기재(12) 표면과 실리콘 수지층(14)의 사이에 강한 결합력을 발생시키는 처리(예를 들어 커플링제를 사용한 처리)를 실시하여 지지 기재(12) 표면과 실리콘 수지층(14)의 사이의 결합력을 높일 수 있다.Further, the silicone resin layer 14 is bonded to the surface of the supporting substrate 12 with a strong bonding force such as an adhesive force or an adhesive force. For example, as described above, the cross-linking organopolysiloxane is crosslinked and cured at the surface of the support substrate 12, whereby the silicone resin, which is a cross-linked product, is adhered to the surface of the support substrate 12 to obtain a high bonding force. The surface of the supporting substrate 12 and the surface of the silicon resin layer 14 are subjected to a treatment (for example, a treatment using a coupling agent) that generates a strong bonding force between the surface of the supporting substrate 12 and the silicone resin layer 14, Can be increased.

실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 층이 높은 결합력으로 결합하고 있는 것은 양자의 계면의 박리 강도(x)가 높은 것을 의미한다.The reason why the silicone resin layer 14 and the layer of the supporting substrate 12 are bonded with a high bonding force means that the peel strength x of the interface is high.

실리콘 수지층(14)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 2 내지 100㎛인 것이 바람직하고, 3 내지 50㎛인 것이 보다 바람직하고, 7 내지 20㎛인 것이 더욱 바람직하다. 실리콘 수지층(14)의 두께가 이러한 범위이면, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 사이에 기포나 이물이 개재하는 경우가 있어도 유리 기판(16)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 실리콘 수지층(14)의 두께가 지나치게 두꺼우면, 형성하는 데도 시간 및 재료를 필요로 하기 때문에 경제적이지 않고, 내열성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 실리콘 수지층(14)의 두께가 지나치게 얇으면, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 밀착성이 저하되는 경우가 있다.The thickness of the silicone resin layer 14 is not particularly limited, but is preferably 2 to 100 占 퐉, more preferably 3 to 50 占 퐉, and further preferably 7 to 20 占 퐉. When the thickness of the silicon resin layer 14 is within this range, the occurrence of distortion defects in the glass substrate 16 can be suppressed even when bubbles or foreign matter intervene between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 . If the thickness of the silicone resin layer 14 is excessively large, it is not economical because the time and materials are required to be formed, and the heat resistance may be lowered. If the thickness of the silicon resin layer 14 is too small, the adhesion between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 may be deteriorated.

또한, 실리콘 수지층(14)은 2층 이상을 포함하고 있어도 된다. 이 경우 「실리콘 수지층(14)의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.Further, the silicon resin layer 14 may include two or more layers. In this case, the " thickness of the silicone resin layer 14 " means the total thickness of all the layers.

또한, 실리콘 수지층(14)이 2층 이상을 포함하는 경우에는 각각의 층을 형성하는 수지가 다른 가교 실리콘 수지를 포함하여도 된다.When the silicone resin layer 14 includes two or more layers, the resin forming each layer may include another crosslinked silicone resin.

실리콘 수지층(14)에 포함되는 실리콘 수지는 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 실리콘 수지는 3차원 그물눈 구조를 형성하고 있다.The silicone resin contained in the silicone resin layer 14 is a crosslinked organopolysiloxane, and the silicone resin forms a three-dimensional mesh structure.

가교성 오르가노폴리실록산의 종류는 특별히 제한되지 않고, 소정의 가교 반응을 개재하여 가교 경화하고, 실리콘 수지를 구성하는 가교물(경화물)이 되면 특별히 그 구조는 한정되지 않고, 소정의 가교성을 갖고 있으면 된다. 가교의 형식은 특별히 제한되지 않고, 가교성 오르가노폴리실록산 중에 포함되는 가교성 기의 종류에 따라 적절히 공지의 형식을 채택할 수 있다. 예를 들어 히드로실릴화 반응, 축합 반응 또는 가열 처리, 고에너지선 처리 혹은 라디칼 중합 개시제에 의한 라디칼 반응 등을 들 수 있다.The kind of the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited and the structure thereof is not particularly limited as long as it is crosslinked and cured via a predetermined crosslinking reaction to form a crosslinked product (cured product) constituting the silicone resin. You need it. The type of crosslinking is not particularly limited, and a known type can be appropriately adopted depending on the type of crosslinkable group contained in the crosslinkable organopolysiloxane. For example, a hydrosilylation reaction, a condensation reaction or a heat treatment, a high energy ray treatment, or a radical reaction with a radical polymerization initiator.

보다 구체적으로는 가교성 오르가노폴리실록산이 알케닐기 또는 알키닐기 등의 라디칼 반응성 기를 갖는 경우, 상기 라디칼 반응을 개재한 라디칼 반응성 기끼리의 반응에 의해 가교하여 경화물(가교 실리콘 수지)이 된다.More specifically, when the crosslinkable organopolysiloxane has a radical reactive group such as an alkenyl group or an alkynyl group, the crosslinking organopolysiloxane is crosslinked by a reaction between the radical reactive groups via the radical reaction to form a cured product (crosslinked silicone resin).

또한, 가교성 오르가노폴리실록산이 실라놀기를 갖는 경우, 실라놀기끼리의 축합 반응에 의해 가교하여 경화물이 된다.Further, when the crosslinkable organopolysiloxane has a silanol group, the silanol groups are crosslinked by the condensation reaction to form a cured product.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산이 규소 원자에 결합한 알케닐기(비닐기 등)를 갖는 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노알케닐폴리실록산) 및 규소 원자에 결합한 수소 원자(히드로실릴기)를 갖는 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노히드로겐폴리실록산)을 포함하는 경우, 히드로실릴화 촉매(예를 들어 백금계 촉매)의 존재하, 히드로실릴화 반응에 의해 가교하여 경화물이 된다.The organopolysiloxane having a hydrogen atom (hydrosilyl group) bonded to a silicon atom and an organopolysiloxane having an alkenyl group (e.g., vinyl group) bonded to a silicon atom (i.e., an organoalkenyl polysiloxane) in which the crosslinkable organopolysiloxane is bonded to a silicon atom (I.e., organohydrogenpolysiloxane), it is crosslinked by a hydrosilylation reaction in the presence of a hydrosilylation catalyst (for example, a platinum catalyst) to form a cured product.

그 중에서도 실리콘 수지층(14)의 형성이 용이하고, 유리 기판의 박리성이 보다 우수한 점에서, 가교성 오르가노폴리실록산이 양쪽 말단 및/또는 측쇄에 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산(이후, 적절히 오르가노폴리실록산 A라고도 칭함)과, 양쪽 말단 및/또는 측쇄에 히드로실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산(이후, 적절히 오르가노폴리실록산 B라고도 칭함)을 포함하는 형태가 바람직하다.Among them, an organopolysiloxane having an alkenyl group at both terminals and / or side chains of a crosslinkable organopolysiloxane (hereinafter referred to as " organopolysiloxane " Organopolysiloxane A ") and an organopolysiloxane having a hydrosilyl group at both ends and / or side chains (hereinafter referred to as organopolysiloxane B suitably).

또한, 알케닐기로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 비닐기(에테닐기), 알릴기(2-프로페닐기), 부테닐기, 펜테닐기, 헥시닐기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 내열성이 우수한 점으로부터 비닐기가 바람직하다.Examples of the alkenyl group include, but are not limited to, a vinyl group (ethynyl group), an allyl group (2-propenyl group), a butenyl group, a pentenyl group and a hexynyl group. Among them, A vinyl group is preferable.

또한, 오르가노폴리실록산 A에 포함되는 알케닐기 이외의 기 및 오르가노폴리실록산 B에 포함되는 히드로실릴기 이외의 기로서는 알킬기(특히, 탄소수 4 이하의 알킬기)를 들 수 있다.Examples of the group other than the alkenyl group contained in the organopolysiloxane A and the group other than the hydrosilyl group contained in the organopolysiloxane B include an alkyl group (particularly an alkyl group having 4 or less carbon atoms).

오르가노폴리실록산 A 중에 있어서의 알케닐기의 위치는 특별히 제한되지 않지만, 오르가노폴리실록산 A가 직쇄상인 경우, 알케닐기는 하기에 나타내는 M 단위 및 D 단위 중 어느 하나에 존재하여도 되고, M 단위와 D 단위의 양쪽에 존재하고 있어도 된다. 경화 속도의 점에서 적어도 M 단위에 존재하고 있는 것이 바람직하고, 2개의 M 단위의 양쪽에 존재하고 있는 것이 바람직하다.Although the position of the alkenyl group in the organopolysiloxane A is not particularly limited, when the organopolysiloxane A is linear, the alkenyl group may be present in any of the M units and D units shown below, May be present on both sides of the D unit. It is preferable that at least in the M unit in terms of the curing rate, it is preferable that the M units exist on both sides of the two M units.

또한, M 단위 및 D 단위란 오르가노폴리실록산의 기본 구성 단위의 예이고, M 단위란 유기기가 3개 결합한 1관능성의 실록산 단위, D 단위란 유기기가 2개 결합한 2관능성의 실록산 단위이다. 실록산 단위에 있어서 실록산 결합은 2개의 규소 원자가 1개의 산소 원자를 개재하여 결합한 결합인 점에서, 실록산 결합에 있어서의 규소 원자 1개당 산소 원자는 1/2개라고 간주하고, 식 중 O1/2이라고 표현된다.The M unit and the D unit are examples of basic constituent units of the organopolysiloxane, and the M unit is a monofunctional siloxane unit in which three organic groups are combined, and a D unit is a bifunctional siloxane unit in which two organic groups are combined. In the siloxane unit, the siloxane bond is regarded as a bond in which two silicon atoms are bonded through one oxygen atom, and therefore the oxygen atom per one silicon atom in the siloxane bond is regarded as 1/2, and O < 1/2 & .

Figure pct00001
Figure pct00001

오르가노폴리실록산 A 중에 있어서의 알케닐기의 수는 특별히 제한되지 않지만, 1분자 중에 1 내지 3개가 바람직하고, 2개가 보다 바람직하다.The number of alkenyl groups in the organopolysiloxane A is not particularly limited, but is preferably 1 to 3, and more preferably 2 in one molecule.

오르가노폴리실록산 B 중에 있어서의 히드로실릴기의 위치는 특별히 제한되지 않지만, 오르가노폴리실록산 A가 직쇄상인 경우, 히드로실릴기는 M 단위 및 D 단위 중 어느 하나에 존재하여도 되고, M 단위와 D 단위의 양쪽에 존재하고 있어도 된다. 경화 속도의 점에서 적어도 D 단위에 존재하고 있는 것이 바람직하다.Although the position of the hydrosilyl group in the organopolysiloxane B is not particularly limited, when the organopolysiloxane A is linear, the hydrosilyl group may be present either in the M unit or the D unit, and the M unit and the D unit Or the like. It is preferable that the curing agent exists at least in the D unit in terms of the curing rate.

오르가노폴리실록산 B 중에 있어서의 히드로실릴기의 수는 특별히 제한되지 않지만, 1분자 중에 적어도 3개 갖는 것이 바람직하고, 3개가 보다 바람직하다.The number of hydrosilyl groups in the organopolysiloxane B is not particularly limited, but it is preferably at least three, and more preferably three, in one molecule.

오르가노폴리실록산 A와 오르가노폴리실록산 B의 혼합 비율은 특별히 제한되지 않지만, 오르가노폴리실록산 B 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자와 오르가노폴리실록산 A 중의 전체 알케닐기의 몰비(수소 원자/알케닐기)가 0.7 내지 1.05가 되도록 조정하는 것이 바람직하다. 그 중에서도 0.8 내지 1.0이 되도록 혼합 비율을 조정하는 것이 바람직하다.Although the mixing ratio of the organopolysiloxane A and the organopolysiloxane B is not particularly limited, the molar ratio (hydrogen atom / alkenyl group) of the hydrogen atoms bonded to the silicon atom in the organopolysiloxane B and the total alkenyl groups in the organopolysiloxane A is 0.7 to 1.05. ≪ / RTI > Among them, it is preferable to adjust the mixing ratio to be 0.8 to 1.0.

히드로실릴화 촉매로서는 백금족 금속계 촉매를 이용하는 것이 바람직하다. 백금족 금속계 촉매로서는 백금계, 팔라듐계, 로듐계 등의 촉매를 들 수 있고, 특히 백금계 촉매로서 이용하는 것이 경제성, 반응성의 점에서 바람직하다. 백금족 금속계 촉매로서는 공지의 것을 이용할 수 있다. 구체적으로는 백금 미분말, 백금흑, 염화제1백금산, 염화제2백금산 등의 염화백금산, 4염화백금, 염화백금산의 알코올 화합물, 알데히드 화합물, 혹은 백금의 올레핀 착체, 알케닐실록산 착체, 카르보닐 착체 등을 들 수 있다.As the hydrosilylation catalyst, it is preferable to use a platinum group metal catalyst. As the platinum group metal catalyst, a catalyst such as a platinum group, a palladium group or a rhodium group can be used, and it is particularly preferable to use it as a platinum catalyst from the viewpoints of economical efficiency and reactivity. As the platinum group metal catalyst, known catalysts can be used. Specific examples thereof include chloroplatinic acid, platinum tetrachloride, an alcohol compound of chloroplatinic acid, an aldehyde compound, or an olefin complex of platinum, an alkenylsiloxane complex, a carbonyl complex, etc., such as platinum fine powder, platinum black, platinic chloride, platinic chloride, .

히드로실릴화 촉매의 사용량으로서는 오르가노폴리실록산 A와 오르가노폴리실록산 B의 합계 질량 100질량부에 대하여 0.1 내지 20질량부가 바람직하고, 1 내지 10질량부가 보다 바람직하다.The hydrosilylation catalyst is used in an amount of preferably 0.1 to 20 parts by mass, more preferably 1 to 10 parts by mass per 100 parts by mass of the total mass of the organopolysiloxane A and the organopolysiloxane B.

가교성 오르가노폴리실록산의 중량 평균 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 취급성이 우수함과 함께 성막성도 우수하고, 고온 처리 조건하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제되는 점에서, GPC(겔 투과 크로마토그래피) 측정에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 1,000 내지 5,000,000이 바람직하고, 2,000 내지 3,000,000이 보다 바람직하다.The weight-average molecular weight of the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited, but it is excellent in handleability, excellent in film-forming property, and further inhibited from decomposition of the silicone resin under high-temperature treatment conditions, so that GPC (gel permeation chromatography) The weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by the measurement is preferably 1,000 to 5,000,000, more preferably 2,000 to 3,000,000.

가교성 오르가노폴리실록산의 점도는 10 내지 5000mPa·s가 바람직하고, 15 내지 3000mPa·s가 보다 바람직하다. 또한, 특별히 언급이 없는 경우, 본 명세서에 기재된 점도의 값은 25℃에서 측정한 값이다.The viscosity of the crosslinkable organopolysiloxane is preferably 10 to 5000 mPa · s, and more preferably 15 to 3000 mPa · s. In addition, unless otherwise noted, the values of viscosity described herein are values measured at 25 占 폚.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산의 구체적으로 시판되고 있는 상품명 또는 형식 번호로서는, 방향족기를 갖지 않는 가교성 오르가노폴리실록산으로서 KNS-320A, KS-847(모두 신에츠실리콘사 제조), TPR6700(모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 재팬 고도가이샤 제조), 비닐실리콘 「8500」(아라카와가가쿠고교사 제조)과 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라카와가가쿠고교사 제조)의 조합, 비닐실리콘 「11364」(아라카와가가쿠고교사 제조)와 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라카와가가쿠고교사 제조)의 조합, 비닐실리콘 「11365」(아라카와가가쿠고교사 제조)와 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라카와가가쿠고교사 제조)의 조합 등을 들 수 있다.Examples of commercially available trade name or type number of the crosslinkable organopolysiloxane include KNS-320A, KS-847 (all manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) and TPR6700 (Momentive Performance Material A combination of vinyl silicone " 8500 " (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) and methylhydrogenpolysiloxane " 12031 " (manufactured by Arakawa Kagaku Kogyo Co., (Manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) and methylhydrogenpolysiloxane " 12031 " (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) And the like.

실리콘 수지층(14)에는 실리콘 오일이 포함된다. 실리콘 오일은 상기 가교성 오르가노폴리실록산과 달리 가교성 오르가노폴리실록산과는 반응하지 않는 가교성을 갖지 않는 비가교성(비반응성)의 오르가노폴리실록산이다.The silicone resin layer 14 includes silicone oil. Silicone oil is a non-crosslinkable (non-reactive) organopolysiloxane which does not react with the crosslinkable organopolysiloxane unlike the crosslinkable organopolysiloxane.

실리콘 오일의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 디메틸폴리실록산, 메틸페닐폴리실록산, 디페닐폴리실록산 등의 스트레이트 실리콘 오일, 스트레이트 실리콘 오일의 측쇄 또는 말단에 폴리에테르기, 할로겐기 등을 도입한 변성 실리콘 오일이 예시된다.Examples of the silicone oil include, but are not limited to, straight silicone oils such as dimethylpolysiloxane, methylphenylpolysiloxane and diphenylpolysiloxane, and modified silicone oils obtained by introducing polyether groups, halogen groups, or the like into the side chains or terminals of straight silicone oil.

또한, 실리콘 오일의 구체적으로 시판되고 있는 상품명 또는 형식 번호로서는, 방향족기(예를 들어 페닐기)를 갖는 실리콘 오일로서 KTSF433(모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 재팬 고도가이샤 제조), KF-50, KF-53, KF-54(신에츠가가쿠고교사 제조), SH550(도레이다우코닝사 제조) 등을 들 수 있다.KF-50, KF-53, KF-50, KF-53, and KF-53 as a silicone oil having an aromatic group (for example, phenyl group) are commercially available, KF-54 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and SH550 (manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd.).

방향족기를 갖지 않은 실리콘 오일로서는 SH200(도레이다우코닝사 제조), KNS-330(신에츠가가쿠사 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the silicone oil not having an aromatic group include SH200 (manufactured by Toray Dow Corning) and KNS-330 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

실리콘 오일의 점도는 특별히 제한되지 않지만, 실리콘 수지층(14) 표면에 블리드 아웃하기 쉽고 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점 및 박리된 유리 기판(16)의 투명성이 보다 우수한 점에서 100 내지 6000cP가 바람직하고, 100 내지 3000cP가 보다 바람직하고, 125 내지 1000cP가 더욱 바람직하다.The viscosity of the silicone oil is not particularly limited. However, the viscosity of the silicone oil is not particularly limited, but the viscosity of the silicone resin layer 14 can be easily bleed out and the releasability of the glass substrate 16 is more excellent and the transparency of the peeled glass substrate 16 is excellent To 6000 cP, more preferably 100 to 3000 cP, and even more preferably 125 to 1000 cP.

실리콘 수지층(14) 중에 있어서의 실리콘 오일의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 유리 기판(16)의 박리성이 우수함과 함께 박리된 유리 기판의 투명성이 보다 우수한 점에서 실리콘 수지 100질량부에 대하여 6 내지 20질량부가 바람직하고, 6 내지 15질량부가 보다 바람직하고, 8 내지 15질량부가 더욱 바람직하다.The content of the silicone oil in the silicone resin layer 14 is not particularly limited. However, from the viewpoint of the excellent releasability of the glass substrate 16 and the better transparency of the glass substrate that has been peeled off, To 20 parts by mass, more preferably from 6 to 15 parts by mass, still more preferably from 8 to 15 parts by mass.

전술한 실리콘 수지층(14)을 구성하는 실리콘 수지와 실리콘 수지층(14)에 포함되는 실리콘 오일 중 어느 한쪽은 방향족기를 갖고, 다른 쪽은 방향족기를 실질적으로 갖지 않는다. 바꾸어 말하면, 실리콘 수지 및 실리콘 오일 중 어느 한쪽만이 방향족기를 갖는다. 전술한 바와 같이 이러한 형태라면 실리콘 수지와 실리콘 오일의 상용성이 좋지 않기 때문에 결과적으로 실리콘 오일이 실리콘 수지층(14) 표면에 블리드 아웃하기 쉬워지고, 고온 가열 처리 후에도 유리 기판(16)의 박리를 하기 쉬워진다.Either the silicone resin constituting the silicone resin layer 14 or the silicone oil contained in the silicone resin layer 14 described above has an aromatic group and the other has substantially no aromatic group. In other words, only either one of the silicone resin and the silicone oil has an aromatic group. As described above, in such a form, the compatibility of the silicone resin with the silicone oil is not good. As a result, the silicone oil tends to bleed out to the surface of the silicone resin layer 14, and the peeling of the glass substrate 16 It becomes easier to do.

또한, 실리콘 수지 또는 실리콘 오일이 방향족기를 실질적으로 갖지 않는다란, 본 발명의 효과에 영향이 없는 범위라면 방향족기를 가져도 되는 취지를 의도하고 있고, 보다 구체적으로는 실리콘 수지 또는 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기 중 방향족기의 함유율이 1몰% 미만인 것을 의도하고 있다.The fact that the silicone resin or the silicone oil does not substantially contain an aromatic group means that an aromatic group may be present so far as it does not affect the effect of the present invention. More specifically, It is intended that the content of aromatic groups in the combined organic groups is less than 1 mol%.

실리콘 수지 또는 실리콘 오일이 방향족기를 갖는다란 상기 함유율 이상으로 방향족기가 포함되는 것을 의도한다.The silicone resin or silicone oil having an aromatic group is intended to include an aromatic group at a content higher than the above content.

방향족기의 종류는 특별히 제한되지 않고, 1가의 방향족기(예를 들어 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소환기) 등을 들 수 있다. 그 중에서도 실리콘 수지 또는 실리콘 오일의 제조가 용이한 점에서 방향족 탄화수소기가 바람직하고, 특히 페닐기가 바람직하다.The type of the aromatic group is not particularly limited, and a monovalent aromatic group (for example, an aromatic hydrocarbon group or an aromatic heterocyclic group) and the like can be given. Of these, an aromatic hydrocarbon group is preferable in view of easy production of a silicone resin or a silicone oil, and a phenyl group is particularly preferable.

상기 형태로서는 보다 구체적으로는 실리콘 오일이 방향족기를 갖고, 실리콘 수지가 방향족기를 실질적으로 갖지 않는 경우(형태 A), 실리콘 수지가 방향족기를 갖고, 실리콘 오일이 방향족기를 실질적으로 갖지 않는 경우(형태 B)의 2개의 패턴이 있다. 그 중에서도 실리콘 수지층(14)의 제조가 보다 용이하고, 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점에서 형태 A의 경우가 바람직하다.More specifically, when the silicone oil has an aromatic group, the silicone resin has substantially no aromatic group (Form A), the silicone resin has an aromatic group, and the silicone oil has substantially no aromatic group (Form B) There are two patterns. Among these, the case of the form A is preferable in that the production of the silicone resin layer 14 is easier and the releasability of the glass substrate 16 is better.

형태 A의 경우, 실리콘 오일에 포함되는 방향족기는 페닐기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 고온 가열 처리 후의 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수함과 함께 박리된 유리 기판(16)의 투명성이 보다 우수한 점에서, 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기 중 방향족기(특히 페닐기)의 함유율이 5 내지 50몰%인 것이 바람직하고, 5 내지 30몰%인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 30몰%인 것이 더욱 바람직하다.In the case of Form A, it is preferable that the aromatic group contained in the silicone oil is a phenyl group. Among them, the releasability of the glass substrate 16 after the high-temperature heat treatment is more excellent and the transparency of the separated glass substrate 16 is more excellent , The content of the aromatic group (particularly phenyl group) in the total organic groups bonded to the silicon atom in the silicone oil is preferably 5 to 50 mol%, more preferably 5 to 30 mol%, and most preferably 10 to 30 mol% More preferable.

또한, 형태 A의 경우, 실리콘 오일 중에 있어서의 방향족기의 결합 위치는 특별히 제한되지 않고, 양쪽 말단 및/또는 측쇄를 들 수 있다. 또한, 실리콘 오일에 포함되는 페닐기 이외의 기로서는 예를 들어 알킬기(예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기 등)를 들 수 있다.In the case of form A, the bonding position of the aromatic group in the silicone oil is not particularly limited, and both ends and / or side chains may be mentioned. Examples of the group other than the phenyl group contained in the silicone oil include an alkyl group (e.g., a methyl group, an ethyl group, a propyl group, etc.).

한편, 형태 B의 경우, 실리콘 수지에 포함되는 방향족기는 페닐기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 고온 가열 처리 후의 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점에서, 실리콘 수지 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기 중 방향족기(특히 페닐기)의 함유율이 5 내지 90몰%인 것이 바람직하고, 30 내지 90몰%인 것이 보다 바람직하다. 또한, 형태 B의 경우, 실리콘 수지에 포함되는 페닐기 이외의 기로서는 예를 들어 알킬기(예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기 등)를 들 수 있다.On the other hand, in the case of Form B, it is preferable that the aromatic group contained in the silicone resin is a phenyl group, and in particular, from the viewpoint that the releasability of the glass substrate 16 after high- The content of the aromatic group (particularly phenyl group) is preferably 5 to 90 mol%, more preferably 30 to 90 mol%. In the case of Form B, examples of the group other than the phenyl group contained in the silicone resin include alkyl groups (e.g., methyl group, ethyl group, and propyl group).

또한, 방향족기를 갖는 실리콘 오일로서는 실리콘 수지와의 상용성의 관계가 우수한 점에서, 예를 들어 메틸페닐실리콘 오일을 바람직하게 들 수 있다.As the silicone oil having an aromatic group, methylphenyl silicone oil is preferably used, for example, in view of excellent compatibility with the silicone resin.

또한, 방향족기를 갖는 실리콘 수지로서는 예를 들어 페닐기를 갖는 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시킨 실리콘 수지를 들 수 있다.Examples of the silicone resin having an aromatic group include silicone resins obtained by crosslinking a crosslinkable organopolysiloxane having a phenyl group.

[유리 적층체 및 그 제조 방법][Glass laminate and manufacturing method thereof]

본 발명의 유리 적층체(10)는 전술한 바와 같이 지지 기재(12)와 유리 기판(16)과 이들 사이에 실리콘 수지층(14)이 존재하는 적층체이다.The glass laminate 10 of the present invention is a laminate having the supporting substrate 12, the glass substrate 16, and the silicon resin layer 14 therebetween as described above.

본 발명의 유리 적층체(10)의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 박리 강도(x)가 박리 강도(y)보다도 높은 적층체를 얻기 위해서, 지지 기재(12) 표면 상에서 소정의 가교성 오르가노폴리실록산을 가교 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성하는 방법이 바람직하다. 즉, 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜 실리콘 수지층(14)(가교 실리콘 수지)을 형성하고, 계속해서 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면에 유리 기판(16)을 적층하여 유리 적층체(10)를 제조하는 방법이다.The method for producing the glass laminate 10 of the present invention is not particularly limited. However, in order to obtain a laminate having a peel strength (x) higher than the peel strength (y), a predetermined cross- A method of crosslinking and curing the polysiloxane to form the silicone resin layer 14 is preferred. That is, a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane and a silicone oil is formed on the surface of the supporting substrate 12, and a crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked on the surface of the supporting substrate 12 to form a silicone resin layer 14 And then the glass substrate 16 is laminated on the silicone resin surface of the silicon resin layer 14 to produce the glass laminate 10. [

가교성 오르가노폴리실록산을 지지 기재(12) 표면에서 경화시키면, 경화 반응시의 지지 기재(12) 표면과의 상호 작용에 의해 접착하고, 실리콘 수지와 지지 기재(12) 표면의 박리 강도는 높아진다고 생각된다. 따라서, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)가 동일한 재질을 포함하는 것이어도 실리콘 수지층(14)과 양자 간의 박리 강도에 차를 둘 수 있다.When the crosslinkable organopolysiloxane is cured on the surface of the supporting substrate 12, the crosslinking organopolysiloxane is bonded by the interaction with the surface of the supporting substrate 12 during the curing reaction, and the peeling strength of the surface of the silicone resin and the supporting substrate 12 is increased do. Therefore, even when the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 include the same material, the peeling strength between the silicon resin layer 14 and the both can be made different.

이하, 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜 실리콘 수지층(14)을 형성하는 공정을 수지층 형성 공정, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면에 유리 기판(16)을 적층하여 유리 적층체(10)로 하는 공정을 적층 공정이라고 하고, 각 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane and a silicone oil is formed on the surface of the supporting substrate 12, and the crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked on the surface of the supporting substrate 12 to form the silicone resin layer 14 The resin layer forming step and the step of laminating the glass substrate 16 on the silicone resin surface of the silicone resin layer 14 to form the glass laminate 10 will be referred to as a lamination step and the procedure of each step will be described in detail .

(수지층 형성 공정)(Resin layer forming step)

수지층 형성 공정에서는 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜 실리콘 수지층(14)을 형성한다. In the resin layer forming step, a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane and a silicone oil is formed on the surface of the supporting substrate 12, and the crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked on the surface of the supporting substrate 12 to form the silicone resin layer 14, .

지지 기재(12) 상에 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층을 형성하기 위해서는, 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 용매에 용해시킨 코팅용 조성물을 사용하고, 이 조성물을 지지 기재(12) 상에 도포하여 용액의 층을 형성하고, 계속해서 용매를 제거하여 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층으로 하는 것이 바람직하다. 조성물 중에 있어서의 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일의 농도의 조정 등에 의해, 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층의 두께를 제어할 수 있다.In order to form a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane and a silicone oil on the supporting substrate 12, a coating composition in which a crosslinkable organopolysiloxane and a silicone oil are dissolved in a solvent is used, 12) to form a layer of a solution, and then the solvent is removed to form a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane and a silicone oil. The thickness of the layer containing the crosslinkable organopolysiloxane and the silicone oil can be controlled by adjusting the concentration of the crosslinkable organopolysiloxane and the silicone oil in the composition.

용매로서는 작업 환경하에서 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 용이하게 용해할 수 있고, 또한 용이하게 휘발 제거시킬 수 있는 용매라면 특별히 한정되는 것은 아니다. 구체적으로는 예를 들어 아세트산부틸, 헵탄, 2-헵타논, 1-메톡시-2-프로판올아세테이트, 톨루엔, 크실렌, THF, 클로로포름 등을 예시할 수 있다.The solvent is not particularly limited as long as it is a solvent capable of easily dissolving the crosslinkable organopolysiloxane and the silicone oil under the working environment and capable of easily removing volatilization. Specific examples thereof include butyl acetate, heptane, 2-heptanone, 1-methoxy-2-propanol acetate, toluene, xylene, THF, chloroform and the like.

지지 기재(12) 표면 상에 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 조성물을 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다.The method of applying the composition containing the crosslinkable organopolysiloxane and the silicone oil on the surface of the support substrate 12 is not particularly limited and a known method can be used. For example, a spray coat method, a die coat method, a spin coat method, a dip coat method, a roll coat method, a bar coat method, a screen printing method, and a gravure coat method.

그 후, 필요에 따라 용매를 제거하기 위한 건조 처리가 실시되어도 된다. 건조 처리의 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 감압 조건하에서 용매를 제거하는 방법이나 가교성 오르가노폴리실록산의 경화가 진행되지 않도록 하는 온도에서 가열하는 방법 등을 들 수 있다.Thereafter, a drying treatment for removing the solvent may be carried out if necessary. The method of the drying treatment is not particularly limited, and examples thereof include a method of removing the solvent under reduced pressure or a method of heating at a temperature at which curing of the crosslinkable organopolysiloxane does not proceed.

계속해서, 지지 기재(12) 상의 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜 실리콘 수지층(14)을 형성한다. 보다 구체적으로는 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이 해당 공정에서는 지지 기재(12)의 적어도 편면의 표면 상에 실리콘 수지층(14)이 형성된다. Subsequently, the crosslinkable organopolysiloxane on the supporting substrate 12 is crosslinked to form the silicone resin layer 14. [ More specifically, as shown in Fig. 2A, the silicon resin layer 14 is formed on the surface of at least one surface of the supporting substrate 12 in this step.

경화(가교)의 방법은 전술한 바와 같이 가교성 오르가노폴리실록산의 가교 형식에 따라 적절히 최적의 방법이 선택되고, 예를 들어 가열 처리나 노광 처리를 들 수 있다. 그 중에서도 가교성 오르가노폴리실록산이 히드로실릴화 반응, 축합 반응, 라디칼 반응에 의해 가교하는 경우, 유리 기판(16)에 대한 밀착성 및 내열 성이 우수한 실리콘 수지가 얻어지는 점에서 열경화에 의해 실리콘 수지층(14)을 제조하는 것이 바람직하다.As the method of curing (crosslinking), an optimum method is appropriately selected according to the crosslinking type of the crosslinkable organopolysiloxane as described above, and examples thereof include a heat treatment and an exposure treatment. In particular, when a crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked by a hydrosilylation reaction, a condensation reaction or a radical reaction, a silicone resin having excellent adhesion to the glass substrate 16 and heat resistance can be obtained, (14).

이하, 열경화의 형태에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the form of thermosetting will be described in detail.

가교성 오르가노폴리실록산을 열경화시키는 온도 조건은 실리콘 수지층(14)의 내열성을 향상시키고, 유리 기판(16)과 적층 후의 박리 강도(y)를 상기와 같이 제어할 수 있는 범위 내에서 특별히 제한되지 않지만, 150 내지 300℃가 바람직하고, 180 내지 250℃가 보다 바람직하다. 또한, 가열 시간은 통상, 10 내지 120분이 바람직하고, 30 내지 60분이 보다 바람직하다. 열경화의 온도가 지나치게 낮으면 내열성이나 실리콘 수지층(14)의 평탄성이 저하되고, 한편 온도가 너무 높으면 박리 강도(y)가 너무 낮아지고, 모두 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 밀착성이 약해지는 경우가 있다.The temperature condition for thermally curing the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited within the range in which the heat resistance of the silicone resin layer 14 is improved and the peeling strength y after lamination with the glass substrate 16 can be controlled as described above However, it is preferably 150 to 300 占 폚, more preferably 180 to 250 占 폚. The heating time is usually 10 to 120 minutes, and more preferably 30 to 60 minutes. When the temperature is too low, the heat resistance and the flatness of the silicon resin layer 14 are deteriorated. On the other hand, if the temperature is too high, the peeling strength y becomes too low and both the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14 May be weakened.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산은 프리큐어(예비 경화)를 행한 후, 후 경화(본 경화)를 행하여 경화시켜도 된다. 프리큐어를 행함으로써 내열성이 보다 우수한 실리콘 수지층(14)을 얻을 수 있다. 프리큐어는 용매의 제거에 이어서 행하는 것이 바람직하고, 이 경우 층으로부터 용매를 제거하여 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층을 형성하는 공정과 프리큐어를 행하는 공정은 특별히 구별되지 않는다.Further, the crosslinkable organopolysiloxane may be cured by pre-curing (pre-curing) followed by post-curing (final curing). Precured silicone resin layer 14 having better heat resistance can be obtained. Precure is preferably performed following removal of the solvent. In this case, the step of forming the layer containing the crosslinkable organopolysiloxane and the silicone oil by removing the solvent from the layer and the step of performing the pre-cure are not particularly distinguished.

(적층 공정)(Lamination step)

적층 공정은 상기 수지층 형성 공정에서 얻어진 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면 상에 유리 기판(16)을 적층하고, 지지 기재(12)의 층과 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층을 이 순서로 구비하는 유리 적층체(10)를 얻는 공정이다. 보다 구체적으로는 도 2의 (B)에 도시한 바와 같이 실리콘 수지층(14)의 지지 기재(12)측과는 반대측의 표면(실리콘 수지층의 제1 주면)(14a)과, 제1 주면(16a) 및 제2 주면(16b)을 갖는 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)을 적층면으로 하여 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)을 적층하고, 유리 적층체(10)를 얻는다.In the laminating step, the glass substrate 16 is laminated on the silicon resin surface of the silicon resin layer 14 obtained in the resin layer forming step, and the layer of the supporting substrate 12, the silicon resin layer 14, Of the glass laminate 10 in this order. More specifically, as shown in Fig. 2 (B), the surface (the first main surface of the silicone resin layer) 14a of the silicon resin layer 14 opposite to the supporting substrate 12 side, The silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 are laminated with the first main surface 16a of the glass substrate 16 having the second main surface 16a and the second main surface 16b as a lamination surface, ).

유리 기판(16)을 실리콘 수지층(14) 상에 적층하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방법을 채택할 수 있다.A method of laminating the glass substrate 16 on the silicon resin layer 14 is not particularly limited, and a known method can be adopted.

예를 들어 상압 환경하에서 실리콘 수지층(14)의 표면 상에 유리 기판(16)을 포개는 방법을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라 실리콘 수지층(14)의 표면 상에 유리 기판(16)을 포갠 후, 롤이나 프레스를 이용하여 실리콘 수지층(14)에 유리 기판(16)을 압착시켜도 된다. 롤 또는 프레스에 의한 압착에 의해 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 층의 사이에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되므로 바람직하다.For example, a method of superimposing the glass substrate 16 on the surface of the silicon resin layer 14 under an atmospheric pressure environment. If necessary, the glass substrate 16 may be placed on the surface of the silicon resin layer 14, and then the glass substrate 16 may be pressed onto the silicon resin layer 14 using a roll or press. The bubbles mixed in between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 are relatively easily removed by pressing by roll or press.

진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의해 압착하면, 기포의 혼입의 억제나 양호한 밀착의 확보가 행하여지므로 보다 바람직하다. 진공하에서 압착함으로써 미소한 기포가 잔존한 경우에도 가열에 의해 기포가 성장하는 일이 없고, 유리 기판(16)의 왜곡 결함으로 이어지기 어렵다는 이점도 있다.The vacuum lamination method or the vacuum press method is more preferable because it suppresses mixing of bubbles and secures good adhesion. There is an advantage that bubbles do not grow due to heating even when minute bubbles remain due to squeezing under vacuum, and it is difficult to lead to distortion defects of the glass substrate 16.

유리 기판(16)을 적층할 때에는 실리콘 수지층(14)에 접촉하는 유리 기판(16)의 표면을 충분히 세정하고, 클린도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 클린도가 높을수록 유리 기판(16)의 평탄성은 양호해지므로 바람직하다.When the glass substrate 16 is laminated, it is preferable to thoroughly clean the surface of the glass substrate 16 which contacts the silicon resin layer 14, and to laminate in an environment with high cleanliness. The higher the cleanliness, the better the flatness of the glass substrate 16 is.

또한, 유리 기판(16)을 적층한 후, 필요에 따라 프리어닐 처리(가열 처리)를 행하여도 된다. 해당 프리어닐 처리를 행함으로써, 적층된 유리 기판(16)의 실리콘 수지층(14)에 대한 밀착성이 향상되고, 적절한 박리 강도(y)로 할 수 있고, 후술하는 부재 형성 공정시에 전자 디바이스용 부재의 위치 어긋남 등이 발생하기 어려워지고, 전자 디바이스의 생산성이 향상된다.After the glass substrate 16 is laminated, a pre-annealing treatment (heat treatment) may be performed if necessary. The adhesion to the silicon resin layer 14 of the laminated glass substrate 16 is improved and the appropriate peeling strength y can be obtained by performing the pre-annealing process, The positional deviation of the member is less likely to occur, and the productivity of the electronic device is improved.

프리어닐 처리의 조건은 사용되는 실리콘 수지층(14)의 종류에 따라 적절히 최적의 조건이 선택되지만, 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 사이의 박리 강도(y)를 보다 적절한 것으로 하는 점에서, 300℃ 이상(바람직하게는 300 내지 400℃)에서 5분간 이상(바람직하게는 5 내지 30분간) 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다.Optimum conditions are appropriately selected according to the type of the silicon resin layer 14 to be used, but the peel strength (y) between the glass substrate 16 and the silicon resin layer 14 is more suitable It is preferable to carry out heat treatment at 300 占 폚 or higher (preferably 300 to 400 占 폚) for 5 minutes or longer (preferably 5 to 30 minutes).

또한, 실리콘 수지층(14)의 형성은 상기 방법에 한정되는 것은 아니다.The formation of the silicone resin layer 14 is not limited to the above method.

예를 들어 실리콘 수지 표면에 대한 밀착성이 유리 기판(16)보다도 높은 재질의 지지 기재(12)를 이용하는 경우에는, 가교성 오르가노폴리실록산을 어떠한 박리성 표면 상에서 경화하여 실리콘 수지의 필름을 제조하고, 이 필름을 유리 기판(16)과 지지 기재(12)의 사이에 개재시켜 동시에 적층할 수 있다.For example, when the support base material 12 having a higher adhesion to the surface of the silicone resin than the glass substrate 16 is used, a crosslinkable organopolysiloxane is cured on any releasable surface to produce a film of silicone resin, The film can be laminated at the same time with the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 interposed therebetween.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산의 경화에 의한 접착성이 유리 기판(16)에 대하여 충분히 낮고 또한 그 접착성이 지지 기재(12)에 대하여 충분히 높은 경우에는 유리 기판(16)과 지지 기재(12)의 사이에 가교성 오르가노폴리실록산을 경화시켜 실리콘 수지층(14)을 형성할 수 있다.When the adhesion of the crosslinkable organopolysiloxane by curing is sufficiently low with respect to the glass substrate 16 and the adhesiveness thereof is sufficiently high with respect to the supporting substrate 12, the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 The silicone resin layer 14 can be formed by curing the crosslinkable organopolysiloxane.

또한, 지지 기재(12)가 유리 기판(16)과 마찬가지의 유리 재료를 포함하는 경우라도, 지지 기재(12) 표면의 접착성을 높이는 처리를 실시하여 실리콘 수지층(14)에 대한 박리 강도를 높일 수도 있다. 예를 들어 실란 커플링제와 같은 화학적으로 고정력을 향상시키는 화학적 방법(프라이머 처리)이나, 플레임(화염) 처리와 같이 표면 활성기를 증가시키는 물리적 방법, 샌드 블라스트 처리와 같이 표면의 조도를 증가시킴으로써 걸림을 증가시키는 기계적 처리 방법 등이 예시된다. Even in the case where the supporting substrate 12 includes the same glass material as the glass substrate 16, a treatment for increasing the adhesiveness of the surface of the supporting substrate 12 is carried out to improve the peeling strength to the silicon resin layer 14 . For example, a chemical method (primer treatment) such as a silane coupling agent, a physical method of increasing the surface activation period such as a flame (flame treatment), and an increase in surface roughness such as a sand blast treatment, And a mechanical treatment method for increasing the mechanical strength.

(유리 적층체)(Glass laminate)

본 발명의 유리 적층체(10)는 다양한 용도로 사용할 수 있고, 예를 들어 후술하는 표시 장치용 패널, PV, 박막 2차 전지, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품을 제조하는 용도 등을 들 수 있다. 또한, 해당 용도에서는 유리 적층체(10)가 고온 조건(예를 들어 350℃ 이상)에서 노출되는(예를 들어 1시간 이상) 경우가 많다.The glass laminate 10 of the present invention can be used for various purposes, for example, for the purpose of producing electronic components such as display panel, PV, thin-film secondary battery, semiconductor wafer with a circuit formed on the surface, etc. . Further, in the intended use, the glass laminate 10 is often exposed (for example, 1 hour or more) at a high temperature condition (for example, 350 ° C or more).

여기서, 표시 장치용 패널이란 LCD, OLED, 전자 페이퍼, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널, 양자 도트 LED 패널, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 셔터 패널 등이 포함된다.Here, the panel for a display device includes an LCD, an OLED, an electronic paper, a plasma display panel, a field emission panel, a quantum dot LED panel, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel and the like.

[부재 부착 유리 기판 및 그 제조 방법][Member-attached glass substrate and its manufacturing method]

본 발명에 있어서는 전술한 적층체를 이용하여 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 포함하는 부재 부착 유리 기판(전자 디바이스용 부재 부착 유리 기판)이 제조된다.In the present invention, a member-attached glass substrate (a glass substrate with a member for an electronic device) including a glass substrate and a member for an electronic device is produced by using the above-described laminate.

해당 부재 부착 유리 기판의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 전자 디바이스의 생산성이 우수한 점에서 상기 유리 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여 전자 디바이스용 부재 부착 적층체를 제조하고, 얻어진 전자 디바이스용 부재 부착 적층체로부터 실리콘 수지층의 유리 기판측 계면을 박리면으로 하여 부재 부착 유리 기판과 실리콘 수지층 부착 지지 기재로 분리하는 방법이 바람직하다.The production method of the glass substrate with the member is not particularly limited, but the electronic device member is formed on the glass substrate in the glass laminate so as to produce an electronic device laminate, It is preferable that the glass substrate side surface of the silicon resin layer is peeled off from the member-mounting laminate for electronic devices to separate the glass substrate with the member and the supporting substrate with the silicon resin layer.

이하, 상기 유리 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여 전자 디바이스용 부재 부착 적층체를 제조하는 공정을 부재 형성 공정, 전자 디바이스용 부재 부착 적층체로부터 실리콘 수지층의 유리 기판측 계면을 박리면으로 하여 부재 부착 유리 기판과 실리콘 수지층 부착 지지 기재로 분리하는 공정을 분리 공정이라고 한다.Hereinafter, the step of forming the electronic device member on the glass substrate in the glass laminate to produce the laminate of electronic device member laminate is referred to as a member forming step, a step of forming a glass substrate side surface of the silicon resin layer The step of separating the glass substrate with the member and the supporting substrate with the silicon resin layer is referred to as a separation step.

이하에 각 공정에서 사용되는 재료 및 수순에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, materials and procedures used in each step will be described in detail.

(부재 형성 공정)(Member forming process)

부재 형성 공정은 상기 적층 공정에 있어서 얻어진 유리 적층체(10) 중의 유리 기판(16) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하는 공정이다. 보다 구체적으로는 도 2의 (C)에 도시한 바와 같이 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)(노출 표면) 상에 전자 디바이스용 부재(20)를 형성하고, 전자 디바이스용 부재 부착 적층체(22)를 얻는다.The member forming step is a step of forming an electronic device member on the glass substrate 16 in the glass laminate 10 obtained in the laminating step. More specifically, as shown in Fig. 2C, the electronic device member 20 is formed on the second main surface 16b (exposed surface) of the glass substrate 16, (22).

먼저, 본 공정에서 사용되는 전자 디바이스용 부재(20)에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후속 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.First, the electronic device member 20 used in this process will be described in detail and the procedure of the subsequent process will be described in detail.

(전자 디바이스용 부재(기능성 소자))(Member for electronic device (functional element))

전자 디바이스용 부재(20)는 유리 적층체(10) 중의 유리 기판(16) 상에 형성되어 전자 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재이다. 보다 구체적으로는 전자 디바이스용 부재(20)로서는 표시 장치용 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 또는 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품 등에 이용되는 부재(예를 들어 표시 장치용 부재, 태양 전지용 부재, 박막 2차 전지용 부재, 전자 부품용 회로)를 들 수 있다.The member 20 for the electronic device is a member formed on the glass substrate 16 in the glass laminate 10 and constituting at least a part of the electronic device. More specifically, the member 20 for an electronic device may be a member used for a display device panel, a solar cell, a thin-film secondary battery, or an electronic component such as a semiconductor wafer on which a circuit is formed (for example, Member for a battery, member for a thin film secondary battery, circuit for an electronic part).

예를 들어 태양 전지용 부재로서는, 실리콘형에서는 정극의 산화주석 등 투명 전극, p층/i층/n층으로 표시되는 실리콘층 및 부극의 금속 등을 들 수 있고, 그 밖에 화합물형, 색소 증감형, 양자 도트형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.For example, as a member for a solar cell, a transparent electrode such as tin oxide of a positive electrode in a silicon type, a silicon layer and a metal of a negative electrode which are represented by p layer / i layer / n layer, and the like, , A quantum dot type, and the like.

또한, 박막 2차 전지용 부재로서는, 리튬 이온형에서는 정극 및 부극의 금속 또는 금속 산화물 등의 투명 전극, 전해질층의 리튬 화합물, 집전층의 금속, 밀봉층으로서의 수지 등을 들 수 있고, 그 밖에 니켈 수소형, 중합체형, 세라믹스 전해질형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.Examples of the member for a thin film secondary battery include a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode in a lithium ion type, a lithium compound in an electrolyte layer, a metal in a current collecting layer, a resin as a sealing layer, Various kinds of members corresponding to a small size, a polymer type, a ceramics electrolyte type, and the like.

또한, 전자 부품용 회로로서는, CCD나 CMOS에서는 도전부의 금속, 절연부의 산화규소나 질화규소 등을 들 수 있고, 그 밖에 압력 센서·가속도 센서 등 각종 센서나 리지드 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 리지드 플렉시블 프린트 기판 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.As a circuit for an electronic component, a metal of a conductive part, a silicon oxide of an insulating part, silicon nitride, or the like can be cited in CCD or CMOS, and various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed board, a flexible printed board, Various members corresponding to substrates and the like.

(공정의 수순)(Process procedure)

전술한 전자 디바이스용 부재 부착 적층체(22)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 전자 디바이스용 부재의 구성 부재의 종류에 따라 종래 공지의 방법으로 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 표면 상에 전자 디바이스용 부재(20)를 형성한다.The method of manufacturing the above-described electronic device-mounting member laminate 22 is not particularly limited, and the method of manufacturing the electronic device-mounting member laminate 22 may be appropriately selected depending on the type of constituent members of the electronic device member, And the member 20 for an electronic device is formed on the surface of the second main surface 16b.

또한, 전자 디바이스용 부재(20)는 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 최종적으로 형성되는 부재의 전부(이하, 「전체 부재」라고 함)가 아니라 전체 부재의 일부(이하, 「부분 부재」라고 함)이어도 된다. 실리콘 수지층(14)으로부터 박리된 부분 부재 부착 유리 기판을 그 후의 공정에서 전체 부재 부착 유리 기판(후술하는 전자 디바이스에 상당)으로 할 수도 있다.The electronic device member 20 is not limited to all of the members finally formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 (hereinafter, referred to as "Quot; partial member "). The glass substrate with a partial member peeled off from the silicon resin layer 14 may be replaced with a glass substrate with an entire member (corresponding to an electronic device described later) in the subsequent steps.

또한, 실리콘 수지층(14)으로부터 박리된 전체 부재 부착 유리 기판에는 그 박리면(제1 주면(16a))에 다른 전자 디바이스용 부재가 형성되어도 된다. 또한, 전체 부재 부착 적층체를 조립하고, 그 후 전체 부재 부착 적층체로부터 지지 기재(12)를 박리하여 전자 디바이스를 제조할 수도 있다. 또한, 전체 부재 부착 적층체를 2장 이용하여 조립하고, 그 후 전체 부재 부착 적층체로부터 2매의 지지 기재(12)를 박리하여 2매의 유리 기판을 갖는 부재 부착 유리 기판을 제조할 수도 있다.Further, another electronic device member may be formed on the peeling surface (first main surface 16a) of the glass substrate with the entire member peeled off from the silicon resin layer 14. [ Alternatively, the electronic device may be manufactured by assembling the whole-member-attached laminate and thereafter peeling the supporting substrate 12 from the laminate with the whole member. Further, it is also possible to manufacture a glass substrate with a member having two glass substrates by assembling the two glass substrates together by using two sheets of the whole member-stacked laminate, and then peeling the two sheets of support substrates 12 from the stack of all the members .

예를 들어 OLED를 제조하는 경우를 예로 들면 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 실리콘 수지층(14)측과는 반대측의 표면 상(유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 해당)에 유기 EL 구조체를 형성하기 위해서, 투명 전극을 형성하거나, 또한 투명 전극을 형성한 면 상에 홀 주입층·홀 수송층·발광층·전자 수송층 등을 증착하거나, 이면 전극을 형성하거나, 밀봉판을 이용하여 밀봉하거나 등의 각종 층 형성이나 처리가 행하여진다. 이들 층 형성이나 처리로서 구체적으로는 예를 들어 성막 처리, 증착 처리, 밀봉판의 접착 처리 등을 들 수 있다.For example, in the case of manufacturing an OLED, for example, the surface of the glass laminate 10 opposite to the side of the silicon resin layer 14 of the glass substrate 16 (the second main surface 16b of the glass substrate 16) A hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, or the like is deposited on a surface on which a transparent electrode is formed, or a back electrode is formed on the surface on which a transparent electrode is formed, Sealing with a plate, or the like. Specific examples of such layer formation and treatment include film forming treatment, vapor deposition treatment, and adhesion treatment of a sealing plate.

또한, 예를 들어 TFT-LCD를 제조하는 경우에는 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 상에 레지스트액을 이용하여 CVD법 및 스퍼터법 등, 일반적인 성막법에 의해 형성되는 금속막 및 금속 산화막 등에 패턴 형성하여 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 TFT 형성 공정과, 별도의 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 상에 레지스트액을 패턴 형성에 이용하여 컬러 필터(CF)를 형성하는 CF 형성 공정과, TFT 형성 공정에서 얻어진 TFT 부착 적층체와 CF 형성 공정에서 얻어진 CF 부착 적층체를 적층하는 접합 공정 등의 각종 공정을 갖는다.In the case of manufacturing a TFT-LCD, for example, a TFT-LCD can be manufactured by a general film-forming method such as a CVD method and a sputtering method using a resist solution on a second main surface 16b of the glass substrate 16 of the glass laminate 10 A TFT forming step of forming a thin film transistor (TFT) by patterning a metal film and a metal oxide film formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 of the glass laminate 10, And a bonding step of laminating the CF stacked body obtained in the CF stacking step and the TFT stacked body obtained in the TFT forming step, and the like.

TFT 형성 공정이나 CF 형성 공정에서는 주지의 포토리소그래피 기술이나 에칭 기술 등을 이용하여 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 TFT나 CF를 형성한다. 이때, 패턴 형성용 코팅액으로서 레지스트액이 이용된다.In the TFT forming step and the CF forming step, TFTs or CFs are formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 by well-known photolithography or etching techniques. At this time, a resist solution is used as the coating liquid for pattern formation.

또한, TFT나 CF를 형성하기 전에 필요에 따라 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)을 세정하여도 된다. 세정 방법으로서는 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정을 이용할 수 있다.Further, the second main surface 16b of the glass substrate 16 may be cleaned before forming the TFT or CF, if necessary. As the cleaning method, well-known dry cleaning or wet cleaning can be used.

접합 공정에서는 TFT 부착 적층체의 박막 트랜지스터 형성면과, CF 부착 적층체의 컬러 필터 형성면을 대향시켜 밀봉제(예를 들어 셀 형성용 자외선 경화형 밀봉제)를 이용하여 접합한다. 그 후, TFT 부착 적층체와 CF 부착 적층체로 형성된 셀 내에 액정재를 주입한다. 액정재를 주입하는 방법으로서는 예를 들어 감압 주입법, 적하 주입법이 있다.In the bonding step, the thin film transistor forming surface of the TFT-attached laminate and the color filter forming surface of the CF-adhered laminate are bonded to each other by using an encapsulant (for example, ultraviolet curable encapsulant for cell formation). Thereafter, the liquid crystal material is injected into the cells formed by the laminate of the TFT-attached laminate and the CF laminate. As a method of injecting the liquid crystal material, for example, there are a reduced pressure injection method and a dropping injection method.

(분리 공정)(Separation step)

분리 공정은 도 2의 (D)에 도시한 바와 같이 상기 부재 형성 공정에서 얻어진 전자 디바이스용 부재 부착 적층체(22)로부터 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면을 박리면으로 하여 전자 디바이스용 부재(20)가 적층한 유리 기판(16)(부재 부착 유리 기판)과 지지 기재(12)로 분리하여 전자 디바이스용 부재(20) 및 유리 기판(16)을 포함하는 부재 부착 유리 기판(24)을 얻는 공정이다.2 (D), the interface between the silicon resin layer 14 and the glass substrate 16 is peeled off from the laminate 22 for electronic device member assembly obtained in the member forming step An electronic device member 20 and a glass substrate 16 which are separated from each other by a glass substrate 16 (member-attached glass substrate) on which the electronic device member 20 is laminated and a supporting substrate 12, (24).

박리시의 유리 기판(16) 상의 전자 디바이스용 부재(20)가 필요한 전체 구성 부재의 형성의 일부인 경우에는 분리 후, 나머지 구성 부재를 유리 기판(16) 상에 형성할 수도 있다.If the electronic device member 20 on the glass substrate 16 at the time of peeling is a part of the formation of all necessary constituent members, the remaining constituent members may be formed on the glass substrate 16 after the detachment.

유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 박리하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는 예를 들어 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 계면에 예리한 칼날 형상의 것을 삽입하고, 박리의 계기를 부여한 후에 물과 압축 공기의 혼합 유체를 분사하거나 하여 박리할 수 있다. 바람직하게는 전자 디바이스용 부재 부착 적층체(22)의 지지 기재(12)가 상측, 전자 디바이스용 부재(20)측이 하측이 되도록 정반 상에 설치하고, 전자 디바이스용 부재(20)측을 정반 상에 진공 흡착하고(양면에 지지 기재가 적층되어 있는 경우에는 순차 행함), 이 상태에서 먼저 칼날을 유리 기판(16)-실리콘 수지층(14) 계면에 침입시킨다. 그리고, 그 후에 지지 기재(12)측을 복수의 진공 흡착 패드로 흡착하고, 칼날을 삽입한 개소 부근으로부터 순서대로 진공 흡착 패드를 상승시킨다. 그렇게 하면 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면이나 실리콘 수지층(14)의 응집 파괴면에 공기층이 형성되고, 그 공기층이 계면이나 응집 파괴면의 전체 면으로 퍼져 지지 기재(12)를 용이하게 박리할 수 있다.The method of peeling the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 is not particularly limited. Concretely, for example, a sharp blade-like shape is inserted into the interface between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14, and a mixed fluid of water and compressed air is sprayed after a moment of peeling is given . Preferably, the supporting member 12 of the member mounting laminate 22 for an electronic device is arranged on the upper side so that the side of the electronic device member 20 is on the lower side, (In the case where the supporting base material is laminated on both surfaces thereof), the blade is first infiltrated into the interface between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 14 in this state. Thereafter, the support substrate 12 side is adsorbed by a plurality of vacuum adsorption pads, and the vacuum adsorption pads are raised in order from the vicinity of the point where the blade is inserted. An air layer is formed on the interface between the silicone resin layer 14 and the glass substrate 16 and on the cohesive failure surface of the silicone resin layer 14 and the air layer spreads over the entire surface of the interface or the cohesive failure surface, ) Can easily be peeled off.

또한, 지지 기재(12)는 새로운 유리 기판과 적층하여 본 발명의 유리 적층체(10)를 제조할 수 있다.Further, the supporting substrate 12 can be laminated with a new glass substrate to produce the glass laminate 10 of the present invention.

또한, 전자 디바이스용 부재 부착 적층체(22)로부터 부재 부착 유리 기판(24)을 분리할 때에는 이오나이저에 의한 분사나 습도를 제어함으로써 실리콘 수지층(14)의 조각이 부재 부착 유리 기판(24)에 정전 흡착하는 것을 보다 억제할 수 있다.When the member-attached glass substrate 24 is separated from the electronic-device-unit-member laminate 22, the pieces of the silicone resin layer 14 are separated from the glass substrate 24 with the members by controlling the injection and humidity by the ionizer. It is possible to further suppress the electrostatic adsorption on the substrate.

전술한 부재 부착 유리 기판(24)의 제조 방법은 휴대 전화나 PDA와 같은 모바일 단말기에 사용되는 소형의 표시 장치의 제조에 적합하다. 표시 장치는 주로 LCD 또는 OLED이고, LCD로서는 TN형, STN형, FE형, TFT형, MIM형, IPS형, VA형 등을 포함한다. 기본적으로 패시브 구동형, 액티브 구동형의 어느 표시 장치의 경우에나 적용할 수 있다.The above-described method of manufacturing the member-attached glass substrate 24 is suitable for manufacturing a small-sized display device used in a mobile terminal such as a cellular phone or a PDA. The display device is mainly an LCD or an OLED, and the LCD includes TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type and the like. It can basically be applied to any of passive drive type and active drive type display devices.

상기 방법으로 제조된 부재 부착 유리 기판(24)으로서는 유리 기판과 표시 장치용 부재를 갖는 표시 장치용 패널, 유리 기판과 태양 전지용 부재를 갖는 태양 전지, 유리 기판과 박막 2차 전지용 부재를 갖는 박막 2차 전지, 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 부품 등을 들 수 있다. 표시 장치용 패널로서는 액정 패널, 유기 EL 패널, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널 등을 포함한다.As the member-attached glass substrate 24 manufactured by the above-described method, a panel for a display device having a glass substrate and a display device member, a solar cell having a glass substrate and a member for a solar cell, a thin film 2 having a glass substrate and a member for a thin- A secondary battery, an electronic component having a glass substrate and a member for an electronic device, and the like. The display panel includes a liquid crystal panel, an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel, and the like.

<실시예><Examples>

이하에 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.

이하의 실시예 1 내지 5, 비교예 1 내지 2에서는 유리 기판으로서 무알칼리 붕규산 유리를 포함하는 유리판(세로 200mm, 가로 200mm, 판 두께 0.2mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃, 아사히가라스사 제조 상품명 「AN100」)을 사용하였다. 지지 기재로서는 동일하게 무알칼리 붕규산 유리를 포함하는 유리판(세로 240mm, 가로 240mm, 판 두께 0.5mm, 선팽창 계수 38×10-7/℃, 아사히가라스사 제조 상품명 「AN100」)을 사용하였다.The following Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2, a glass plate containing an alkali-free borosilicate glass as a glass substrate (length 200mm, width 200mm, thickness 0.2mm, the linear expansion coefficient 38 × 10 -7 / ℃, Asahi Glass Trade name &quot; AN100 &quot;) was used. As the supporting substrate, a glass plate (240 mm in length, 240 mm in width, 0.5 mm in plate thickness, and a linear expansion coefficient of 38 x 10 &lt; -7 &gt; / ° C, trade name "AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) containing glass-

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

먼저 판 두께 0.5mm의 지지 기재를 순수 세정한 후, 또한 UV 세정하여 청정화하였다.First, the supporting substrate having a plate thickness of 0.5 mm was cleaned by pure washing, followed by UV cleaning.

이어서, 양쪽 말단에 비닐기를 갖는 오르가노알케닐폴리실록산(비닐실리콘, 아라카와가가쿠고교사 제조, 8500)과, 분자 내에 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산(아라카와가가쿠고교사 제조, 12031)을 배합하였다. 오르가노알케닐폴리실록산 중의 전체 비닐기와 메틸히드로겐폴리실록산 중의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰비는 1:1이 되도록 하였다. 백금계 촉매(아라카와가가쿠고교사 제조, CAT12070)는 수지분 100질량부에 대하여 5중량부 첨가하였다. 또한, 메틸페닐실리콘 오일(신에츠가가쿠고교사 제조, KF-50, 점도 100cP)과 헵탄을 첨가하여 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액을 제작하였다. 이 용액을 스핀 코터(회전수:300rpm, 15초)로 지지 기재의 제1 주면 상에 도포하여 미경화의 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층을 지지 기재 상에 형성하였다(도포 시공량 20g/m2).Subsequently, an organoalkenylpolysiloxane (vinyl silicone, manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd., 8500) having a vinyl group at both terminals and methylhydrogenpolysiloxane having a hydrosilyl group in the molecule (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd., 12031) Respectively. The molar ratio of the total vinyl groups in the organoalkenyl polysiloxane to the hydrogen atoms bonded to the silicon atoms in the methylhydrogenpolysiloxane was 1: 1. A platinum catalyst (CAT 12070 manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) was added in an amount of 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin. Further, methylphenyl silicone oil (KF-50, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., viscosity 100 cP) and heptane were added to prepare a solution containing a crosslinkable organopolysiloxane. This solution was applied on the first main surface of the supporting substrate with a spin coater (rotation speed: 300 rpm, 15 seconds) to form a layer containing uncured crosslinkable organopolysiloxane and silicone oil on the supporting substrate Amount 20 g / m 2 ).

또한, 메틸페닐실리콘 오일의 사용량은 오르가노알케닐폴리실록산과 메틸히드로겐폴리실록산의 합계 질량 100질량부에 대하여 8질량부로 하였다. 또한, 헵탄의 사용량은 오르가노알케닐폴리실록산과 메틸히드로겐폴리실록산의 합계 질량 100질량부에 대하여 100질량부로 하였다. 또한, 메틸페닐실리콘 오일에 포함되는 페닐기의 함유율은 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기에 대하여 5몰%였다.The methylphenyl silicone oil was used in an amount of 8 parts by mass based on 100 parts by mass of the total mass of the organoalkenyl polysiloxane and the methylhydrogen polysiloxane. The amount of heptane used was 100 parts by mass based on 100 parts by mass of the total mass of the organoalkenyl polysiloxane and the methylhydrogen polysiloxane. The phenyl group content in the methylphenyl silicone oil was 5 mol% based on the total organic groups bonded to silicon atoms in the silicone oil.

이어서, 230℃에 10분간 대기 중에서 가열 경화하여 지지 기재의 제1 주면에 두께 10㎛의 실리콘 수지층을 형성하였다. 또한, 이 형태에 있어서는 실리콘 수지층의 실리콘 수지는 방향족기를 갖지 않고, 실리콘 오일인 메틸페닐실리콘 오일이 방향족기(페닐기)를 갖는다. 또한, 실리콘 수지층은 투명하였다.Then, it was heated and cured in air at 230 캜 for 10 minutes to form a silicon resin layer having a thickness of 10 탆 on the first main surface of the supporting substrate. Further, in this embodiment, the silicone resin of the silicone resin layer does not have an aromatic group, and the methylphenyl silicone oil as the silicone oil has an aromatic group (phenyl group). Further, the silicone resin layer was transparent.

그 후, 유리 기판과, 지지 기재의 실리콘 수지층면을 실온하에서 진공 프레스에 의해 접합하고, 유리 적층체 A를 얻었다.Thereafter, the glass substrate and the silicone resin layer side of the supporting substrate were bonded together by a vacuum press at room temperature to obtain a glass laminate A.

얻어진 유리 적층체 A에 있어서는 지지 기재와 유리 기판은 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고 밀착하고 있고, 왜곡 형상 결점도 없고, 평활성도 양호하였다.In the obtained glass laminate A, the supporting substrate and the glass substrate were in close contact with each other without generating air bubbles in the silicone resin layer, no distorted defects were observed, and smoothness was good.

이어서, 유리 적층체 A를 질소 분위기하에서 350℃에서 60분간 가열 처리를 행하고, 실온까지 냉각한 결과, 유리 적층체 A의 지지 기재와 유리 기판의 분리나 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 인정되지 않았다.Subsequently, the glass laminate A was heat-treated at 350 ° C for 60 minutes in a nitrogen atmosphere, and then cooled to room temperature. As a result, it was found that changes in appearance such as separation of the support substrate of the glass laminate A and the glass substrate, Was not recognized.

그리고, 유리 적층체 A의 4군데 중 1군데의 코너부에 있어서의 유리 기판과 지지 실리콘 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입시켜 박리의 계기부를 형성하면서 유리 기판과 지지 기재 각각의 박리면이 아닌 면에 진공 흡착 패드를 흡착시키고, 서로 유리 기판과 지지 기재가 분리되는 방향으로 외력을 첨가하여 유리 기판과 지지 기재를 파손되는 일 없이 분리하였다. 여기서 칼날의 삽입은 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행하였다. 구체적으로는 형성한 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서 진공 흡착 패드를 인상하였다.Then, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the supporting silicon resin layer at the corner of one of the four places of the glass laminate A to form the instrument part for peeling, The vacuum adsorption pad was adsorbed to the surface of the glass substrate and the external surface of the glass substrate and the supporting substrate were separated from each other without breaking. Here, the insertion of the blade was carried out while spraying an antistatic fluid from the ionizer (manufactured by KYENS) to the interface. Specifically, the vacuum adsorption pad was pulled up while spraying the antistatic fluid continuously from the ionizer toward the formed gap.

또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되고, 해당 결과로부터 지지 기재의 층과 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도(x)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도(y)보다도 높은 것이 확인되었다. 또한, 박리된 유리 기판 표면은 투명하였다. The silicon resin layer is separated from the glass substrate together with the supporting substrate, and the peeling strength (x) between the supporting substrate layer and the silicon resin layer at the interface between the supporting substrate layer and the glass substrate is determined by the peeling strength (y) . In addition, the surface of the peeled glass substrate was transparent.

<실시예 2> &Lt; Example 2 >

메틸페닐실리콘 오일(신에츠가가쿠고교사 제조, KF-50, 점도 100cP) 대신에 메틸페닐실리콘 오일(신에츠가가쿠고교사 제조, KF-50, 점도 3000cp)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 B를 얻었다.Except that methylphenyl silicone oil (KF-50, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., viscosity 3000 cp) was used in place of methylphenyl silicone oil (KF-50 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., viscosity 100 cP) Whereby a glass laminate B was obtained.

또한, 사용한 메틸페닐실리콘 오일에 포함되는 페닐기의 함유율은 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기에 대하여 5몰%였다.The phenyl group content in the methylphenyl silicone oil used was 5 mol% based on the total organic groups bonded to silicon atoms in the silicone oil.

또한, 실리콘 수지층의 외관은 제조 직후에도 투명하고, 그 위에 유리 기판을 적층한 후에도 투명하였다.Further, the appearance of the silicone resin layer was transparent even after the preparation, and was transparent even after the glass substrate was laminated thereon.

얻어진 유리 적층체 B에 있어서는 지지 기재와 유리 기판은 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고 밀착하고 있고, 왜곡 형상 결점도 없고, 평활성도 양호하였다.In the obtained glass laminate B, the supporting substrate and the glass substrate were in close contact with each other without generating air bubbles in the silicone resin layer, no distorted defects were observed, and smoothness was good.

이어서, 유리 적층체 B를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 B의 지지 기재와 유리 기판의 분리나 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 보이지 않았다.Subsequently, the glass laminate B was subjected to the same heat treatment as in Example 1, and no change in appearance such as separation of the supporting substrate of the glass laminate B from the glass substrate and foaming or whitening of the silicone resin layer was observed.

그리고, 유리 적층체 B를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 해당 결과로부터 지지 기재의 층과 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도(x)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도(y)보다도 높은 것이 확인되었다. 또한, 박리된 유리 기판 표면은 투명하였다.Then, the glass laminate B was separated from the supporting substrate and the glass substrate by the same method as in Example 1. As a result, the glass substrate and the supporting substrate were separated without breakage. Further, the silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting substrate. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) between the support substrate layer and the silicon resin layer interface was higher than the peel strength (y) between the silicon resin layer and the glass substrate interface. In addition, the surface of the peeled glass substrate was transparent.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

메틸페닐실리콘 오일(신에츠가가쿠고교사 제조, KF-50, 점도 100cP) 대신에 메틸페닐실리콘 오일(신에츠가가쿠고교사 제조, KF-54, 점도 400cp)을 사용한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 C를 얻었다.Except that methylphenyl silicone oil (KF-54, viscosity 400 cp, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was used instead of methylphenyl silicone oil (KF-50 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., viscosity 100 cP) To obtain a glass laminate C.

또한, 사용한 메틸페닐실리콘 오일에 포함되는 페닐기의 함유율은 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기에 대하여 25몰%였다.The phenyl group content in the methylphenyl silicone oil used was 25 mol% based on the total organic groups bonded to silicon atoms in the silicone oil.

또한, 실리콘 수지층의 외관은 제조 직후 약간 백탁되어 있고, 그 위에 유리 기판을 적층한 후에는 투명해졌다.Further, the appearance of the silicone resin layer was slightly opaque immediately after the production, and after the glass substrate was laminated thereon, the appearance became transparent.

얻어진 유리 적층체 C에 있어서는 지지 기재와 유리 기판은 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고 밀착하고 있고, 왜곡 형상 결점도 없고, 평활성도 양호하였다.In the obtained glass laminate C, the supporting substrate and the glass substrate were in close contact with each other without generating air bubbles in the silicone resin layer, and had no distorted defects and had good smoothness.

이어서, 유리 적층체 C를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 C의 지지 기재와 유리 기판의 분리나 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 인정되지 않았다.Subsequently, the glass laminate C was subjected to the same heat treatment as in Example 1. As a result, no change in appearance such as separation of the supporting substrate of the glass laminate C from the glass substrate and foaming or whitening of the silicone resin layer was observed.

그리고, 유리 적층체 C를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 해당 결과로부터 지지 기재의 층과 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도(x)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도(y)보다도 높은 것이 확인되었다. 또한, 박리된 유리 기판 표면은 약간 백탁되어 있었다. Then, the glass laminate C was separated from the glass substrate and the supporting substrate by the same method as in Example 1. As a result, the glass substrate and the supporting substrate were separated without breakage. Further, the silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting substrate. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) between the support substrate layer and the silicon resin layer interface was higher than the peel strength (y) between the silicon resin layer and the glass substrate interface. In addition, the surface of the peeled glass substrate was slightly opaque.

<실시예 4> <Example 4>

메틸페닐실리콘 오일(신에츠가가쿠고교사 제조, KF-50, 점도 100cP) 대신에 메틸페닐실리콘 오일(도레이다우코닝사 제조, SH550, 점도 125cp)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 D를 얻었다.Except that methylphenyl silicone oil (SH550, viscosity 125 cp) was used in place of methylphenyl silicone oil (KF-50 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., viscosity 100 cP) .

또한, 사용한 메틸페닐실리콘 오일에 포함되는 페닐기의 함유율은 실리콘 오일중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기에 대하여 25몰%였다.The phenyl group content in the methylphenyl silicone oil used was 25 mol% based on the total organic groups bonded to the silicon atoms in the silicone oil.

또한, 실리콘 수지층의 외관은 제조 직후 약간 백탁되어 있고, 그 위에 유리 기판을 적층한 후에는 투명해졌다.Further, the appearance of the silicone resin layer was slightly opaque immediately after the production, and after the glass substrate was laminated thereon, the appearance became transparent.

얻어진 유리 적층체 D에 있어서는 지지 기재와 유리 기판은 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고 밀착하고 있고, 왜곡 형상 결점도 없고, 평활성도 양호하였다. In the obtained glass laminate D, the supporting substrate and the glass substrate were in close contact with each other without generating bubbles in the silicone resin layer, no distorted defects were observed, and smoothness was good.

이어서, 유리 적층체 E를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 D의 지지 기재와 유리 기판의 분리나 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 인정되지 않았다.Subsequently, the glass laminate E was subjected to the same heat treatment as in Example 1. As a result, no change in appearance such as separation of the supporting substrate of the glass laminate D from the glass substrate and foaming or whitening of the silicone resin layer was observed.

그리고, 유리 적층체 D를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 해당 결과로부터 지지 기재의 층과 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도(x)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도(y)보다도 높은 것이 확인되었다. 또한, 박리된 유리 기판 표면은 약간 백탁되어 있었다.Then, the glass laminate D was separated from the supporting substrate and the glass substrate by the same method as in Example 1. As a result, the glass substrate and the supporting substrate were separated without breakage. Further, the silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting substrate. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) between the support substrate layer and the silicon resin layer interface was higher than the peel strength (y) between the silicon resin layer and the glass substrate interface. In addition, the surface of the peeled glass substrate was slightly opaque.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

메틸페닐실리콘 오일(신에츠가가쿠고교사 제조, KF-50, 점도 100cP) 대신에 메틸페닐실리콘 오일(모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 재팬 고도가이샤 제조, TSF433, 점도 450cp)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 E를 얻었다.Except that methylphenyl silicone oil (TSF433, viscosity 450 cp, manufactured by Momentive Performance Materials Japan KK) was used instead of methylphenyl silicone oil (KF-50 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., viscosity 100 cP) To obtain a glass laminate E.

또한, 사용한 메틸페닐실리콘 오일에 포함되는 페닐기의 함유율은 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기에 대하여 25몰%였다.The phenyl group content in the methylphenyl silicone oil used was 25 mol% based on the total organic groups bonded to silicon atoms in the silicone oil.

또한, 실리콘 수지층의 외관은 제조 직후 약간 백탁되어 있고, 그 위에 유리 기판을 적층한 후에는 투명해졌다.Further, the appearance of the silicone resin layer was slightly opaque immediately after the production, and after the glass substrate was laminated thereon, the appearance became transparent.

얻어진 유리 적층체 E에 있어서는 지지 기재와 유리 기판은 실리콘 수지층과 기포를 발생 하지 않고 밀착하고 있고, 왜곡 형상 결점도 없고, 평활성도 양호하였다. In the obtained glass laminate E, the supporting substrate and the glass substrate were in close contact with each other without generating air bubbles in the silicone resin layer, and no distorted defects were observed, and the smoothness was good.

이어서, 유리 적층체 E를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 E의 지지 기재와 유리 기판의 분리나 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 인정되지 않았다.Subsequently, the glass laminate E was subjected to the same heat treatment as in Example 1. As a result, no change in appearance such as separation of the supporting substrate of the glass laminate E from the glass substrate and foaming or whitening of the silicone resin layer was observed.

그리고, 유리 적층체 E를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 해당 결과로부터 지지 기재의 층과 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도(x)가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도(y)보다도 높은 것이 확인되었다. 또한, 박리된 유리 기판 표면은 약간 백탁되어 있었다.Then, the glass laminate E was separated from the supporting substrate and the glass substrate by the same method as in Example 1. As a result, the glass substrate and the supporting substrate were separated without breakage. Further, the silicone resin layer was separated from the glass substrate together with the supporting substrate. From the results, it was confirmed that the peel strength (x) between the support substrate layer and the silicon resin layer interface was higher than the peel strength (y) between the silicon resin layer and the glass substrate interface. In addition, the surface of the peeled glass substrate was slightly opaque.

또한, 이하에 실시예 1 내지 5에서 사용한 실리콘 오일의 점도 및 페닐기 함유율에 대하여 정리하여 나타낸다.The viscosity and the phenyl group content of the silicone oil used in Examples 1 to 5 are summarized below.

Figure pct00002
Figure pct00002

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

메틸페닐실리콘 오일(신에츠가가쿠고교사 제조, KF-50, 점도 100cP)을 사용하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 X를 얻었다.A glass laminate X was obtained in the same manner as in Example 1 except that methylphenyl silicone oil (KF-50, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., viscosity 100 cP) was not used.

얻어진 유리 적층체 X를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 결과, 실리콘 수지층과 유리 기판이 박리되기 어렵고, 유리 기판이 깨지는 경우도 있었다.As a result of separating the glass substrate from the glass substrate by the same method as in Example 1, the obtained glass laminate X was difficult to peel off the silicon resin layer and the glass substrate, and the glass substrate was sometimes broken.

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

메틸페닐실리콘 오일(신에츠가가쿠고교사 제조, KF-50, 점도 100cP) 대신에 메틸실리콘 오일(도레이다우코닝사 제조, SH200, 점도 200cP) 0.5중량부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 Y를 얻었다. 또한, 본 형태는 선행 문헌(WO2011/142280호 팸플릿)의 실시예 7의 형태에 해당하고, 실리콘 수지 및 실리콘 오일의 어느 쪽에도 방향족기가 포함되어 있지 않다.Except that 0.5 part by weight of methyl silicone oil (SH200, manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd., viscosity 200 cP) was used in place of methylphenyl silicone oil (KF-50, viscosity 100 cP manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) S y was obtained. This embodiment corresponds to the embodiment 7 of the prior art (WO2011 / 142280 pamphlet), and neither the silicone resin nor the silicone oil contains an aromatic group.

얻어진 유리 적층체 Y를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 결과, 실리콘 수지층과 유리 기판이 박리하기 어렵고, 유리 기판이 깨지는 경우도 있었다.The resultant glass laminate Y was subjected to separation of the supporting substrate and the glass substrate by the same method as in Example 1. As a result, the silicone resin layer and the glass substrate were difficult to peel off and the glass substrate was sometimes broken.

실시예 1 내지 5에서는 고온 가열 처리를 실시한 후에도 두께가 얇은 유리 기판을 용이하게 박리할 수 있었다. 또한, 실시예 1 및 2에 있어서는 박리된 유리 기판의 표면(박리면)은 투명한 채였던 것에 반해, 실시예 3 내지 5에 있어서는 약간 백탁되어 있었다. 이는 실시예 3 내지 5에 있어서는 실리콘 수지층의 표면 블리드 아웃한 실리콘 오일의 일부가 유리 기판 상에 전사되었기 때문이라고 추측된다. 이 결과로부터 실시예 1 및 2에서 사용한 실리콘 오일의 경우, 박리된 유리 기판 표면의 청정성이 보다 우수한 것이 확인되었다.In Examples 1 to 5, even after the high-temperature heat treatment was performed, the glass substrate having a small thickness could be easily peeled off. In Examples 1 and 2, the surface (peeled surface) of the peeled glass substrate was transparent, whereas in Examples 3 to 5, the surface was slightly whitish. This is presumably because, in Examples 3 to 5, part of the silicone oil surface-bleeding out of the silicone resin layer was transferred onto the glass substrate. From these results, it was confirmed that the cleanliness of the surface of the peeled glass substrate was better in the case of the silicone oil used in Examples 1 and 2.

한편, 실리콘 오일을 사용하지 않은 비교예 1 및 실리콘 수지 및 실리콘 오일의 양쪽에 방향족기가 포함되지 않는 비교예 2에 있어서는 박리성이 나빴다.On the other hand, in Comparative Example 1 in which no silicone oil was used and in Comparative Example 2 in which no aromatic group was contained in both the silicone resin and silicone oil, the peelability was bad.

<실시예 6>&Lt; Example 6 >

본 예에서는 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 A를 이용하여 OLED를 제조한다.In this example, an OLED is manufactured using the glass laminate A obtained in Example 1.

먼저, 유리 적층체 A에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 플라즈마 CVD법에 의해 질화실리콘, 산화실리콘, 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 성막한다. 이어서, 이온 도핑 장치에 의해 저농도의 붕소를 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, 질소 분위기하 450℃ 60분간 가열 처리하여 탈수소 처리를 행한다. 이어서, 레이저 어닐 장치에 의해 아몰퍼스 실리콘층의 결정화 처리를 행한다. 이어서, 포토리소그래피법을 이용한 에칭 및 이온 도핑 장치로부터 저농도의 인을 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, N형 및 P형의 TFT 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 플라즈마 CVD법에 의해 산화실리콘막을 성막하여 게이트 절연막을 형성한 후에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 포토리소그래피법과 이온 도핑 장치에 의해 고농도의 붕소와 인을 N형, P형 각각의 원하는 에리어에 주입하고, 소스 에리어 및 드레인 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 플라즈마 CVD법에 의한 산화실리콘의 성막으로 층간 절연막을, 스퍼터링법에 의해 알루미늄의 성막 및 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 TFT 전극을 형성한다. 이어서, 수소 분위기하 450℃ 60분간 가열 처리하여 수소화 처리를 행한 후에 플라즈마 CVD법에 의한 질소 실리콘의 성막으로 패시베이션층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 평탄화층 및 콘택트 홀을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.First, a film of silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon is formed in this order on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate A by the plasma CVD method. Subsequently, boron at a low concentration is implanted into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and subjected to heat treatment at 450 캜 for 60 minutes in a nitrogen atmosphere to carry out a dehydrogenation treatment. Then, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Then, low-concentration phosphorus is injected into the amorphous silicon layer from an etching and ion doping apparatus using a photolithography method to form N-type and P-type TFT areas. Subsequently, a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, and then molybdenum is formed by a sputtering method, and a gate electrode is formed by etching using a photolithography method. Subsequently, boron and phosphorus at a high concentration are implanted into desired areas of N type and P type, respectively, by photolithography and ion doping apparatus to form a source area and a drain area. Subsequently, an interlayer insulating film is formed on the second main surface side of the glass substrate by the plasma CVD method by the silicon oxide film formation, and a TFT electrode is formed by the sputtering method by aluminum film formation and etching by photolithography. Subsequently, a heat treatment is performed in a hydrogen atmosphere at 450 DEG C for 60 minutes to perform a hydrogenation treatment, and then a passivation layer is formed by film formation of nitrogen silicon by a plasma CVD method. Subsequently, an ultraviolet curing resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.

계속해서, 증착법에 의해, 유리 기판의 제2 주면측에 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착체(Alq3)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3을 이 순서대로 성막한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화형의 접착층을 개재하여 또 한 장의 유리 기판을 접합하여 밀봉한다. 상기 수순에 의해 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 형성한다. 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 갖는 유리 적층체 A(이하, 패널 A라고 함)가 본 발명의 전자 디바이스용 부재 부착 적층체(지지 기재 부착 표시 장치용 패널)이다.Subsequently, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine was used as a hole injecting layer on the second main surface side of the glass substrate by the vapor deposition method and bis [(N-naphthyl) (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene-2-carboxylate was added to 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) Alq 3 was deposited in this order as an electron transporting layer. Next, aluminum was deposited by sputtering, and an aluminum film was formed by etching using photolithography Next, another glass substrate is bonded and sealed with an ultraviolet curable adhesive layer on the second main surface side of the glass substrate, and the organic EL structure is formed on the glass substrate by the above procedure. A glass laminate A having an organic EL structure on a glass substrate (hereinafter referred to as panel A) Of an electronic device mounting member for the laminated body (the supporting substrate attached to the display panel).

계속해서, 패널 A의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 후, 패널 A의 코너부의 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 패널 A의 지지 기재 표면을 진공 흡착 패드로 흡착한 후에 흡착 패드를 상승시킨다. 여기서 칼날의 삽입은 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성한 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서 진공 흡착 패드를 인상한다. 그 결과, 정반 상에 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판만을 남기고, 실리콘 수지층 부착 지지 기재를 박리할 수 있다.Subsequently, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner of the panel A after the sealing member side of the panel A was vacuum-adsorbed on the surface of the plate, Giving the occasion of exfoliation. After the surface of the support substrate of the panel A is adsorbed by the vacuum adsorption pad, the adsorption pad is raised. Here, the insertion of the blade is carried out while spraying an antistatic fluid on the interface from an ionizer (manufactured by KYENS). Subsequently, the vacuum adsorption pad is pulled up while ejecting the antistatic fluid from the ionizer toward the formed gap. As a result, only the glass substrate having the organic EL structure formed on the surface thereof can be left, and the supporting substrate with the silicon resin layer can be peeled off.

계속해서, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 분리한 유리 기판의 박리면을 청정화하고, 분리된 유리 기판을 레이저 커터 또는 스크라이브-브레이크법을 이용하여 절단하고, 복수의 셀로 분단한 후, 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판과 대향 기판을 조립하고, 모듈 형성 공정을 실시하여 OLED를 제작한다. 이렇게 하여 얻어지는 OLED는 특성상 문제는 발생하지 않는다.Subsequently, the cleavage surface of the glass substrate separated in the same manner as in Example 1 was cleaned, and the separated glass substrate was cut using a laser cutter or a scribe-break method, and after dividing into a plurality of cells, And a counter substrate are assembled, and a module forming process is performed to fabricate an OLED. The characteristics of the OLED thus obtained do not occur.

<실시예 7>&Lt; Example 7 >

본 예에서는 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 A를 이용하여 LCD를 제조한다.In this example, an LCD is manufactured using the glass laminate A obtained in Example 1.

먼저, 2매의 유리 적층체 A를 준비하여 한쪽 유리 적층체 A1에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 플라즈마 CVD법에 의해 질화실리콘, 산화실리콘, 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 성막한다. 이어서, 이온 도핑 장치에 의해 저농도의 붕소를 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, 질소 분위기하 450℃ 60분간 가열 처리하여 탈수소 처리를 행한다. 이어서, 레이저 어닐 장치에 의해 아몰퍼스 실리콘층의 결정화 처리를 행한다. 이어서, 포토리소그래피법을 이용한 에칭 및 이온 도핑 장치로부터 저농도의 인을 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, N형 및 P형의 TFT 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 플라즈마 CVD법에 의해 산화실리콘막을 성막하여 게이트 절연막을 형성한 후에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 포토리소그래피법과 이온 도핑 장치에 의해 고농도의 붕소와 인을 N형, P형 각각의 원하는 에리어에 주입하고, 소스 에리어 및 드레인 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 플라즈마 CVD법에 의한 산화실리콘의 성막으로 층간 절연막을, 스퍼터링법에 의해 알루미늄의 성막 및 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 TFT 전극을 형성한다. 이어서, 수소 분위기하 450℃ 60분간 가열 처리하여 수소화 처리를 행한 후에 플라즈마 CVD법에 의한 질소 실리콘의 성막으로 패시베이션층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 평탄화층 및 콘택트 홀을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.First, two glass laminate A are prepared, and a film of silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon is formed in this order on the second main surface of the glass substrate in one glass laminate A1 by the plasma CVD method. Subsequently, boron at a low concentration is implanted into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and subjected to heat treatment at 450 캜 for 60 minutes in a nitrogen atmosphere to carry out a dehydrogenation treatment. Then, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Then, low-concentration phosphorus is injected into the amorphous silicon layer from an etching and ion doping apparatus using a photolithography method to form N-type and P-type TFT areas. Subsequently, a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, and then molybdenum is formed by a sputtering method, and a gate electrode is formed by etching using a photolithography method. Subsequently, boron and phosphorus at a high concentration are implanted into desired areas of N type and P type, respectively, by photolithography and ion doping apparatus to form a source area and a drain area. Subsequently, an interlayer insulating film is formed on the second main surface side of the glass substrate by the plasma CVD method by the silicon oxide film formation, and a TFT electrode is formed by the sputtering method by aluminum film formation and etching by photolithography. Subsequently, a heat treatment is performed in a hydrogen atmosphere at 450 DEG C for 60 minutes to perform a hydrogenation treatment, and then a passivation layer is formed by film formation of nitrogen silicon by a plasma CVD method. Subsequently, an ultraviolet curing resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.

이어서, 다른 한쪽의 유리 적층체 A2를 대기 분위기하 450℃ 60분간 가열 처리한다. 이어서, 유리 적층체 A에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 스퍼터링법에 의해 크롬을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 차광층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 다이 코트법에 의해 컬러 레지스트를 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의해 컬러 필터층을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고, 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 다이 코트법에 의해 자외선 경화 수지액을 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의해 기둥 형상 스페이서를 형성한다. 이어서, 롤 코트법에 의해 폴리이미드 수지액을 도포하고, 열경화에 의해 배향층을 형성하고, 러빙을 행한다.Subsequently, the other glass laminate A2 is heat-treated at 450 DEG C for 60 minutes in an atmospheric atmosphere. Then, chromium is deposited on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate A by the sputtering method, and the light shielding layer is formed by etching by photolithography. Next, a color resist is applied to the second main surface side of the glass substrate by a die coating method, and a color filter layer is formed by photolithography and thermal curing. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method, and an opposite electrode is formed. Subsequently, an ultraviolet curable resin liquid is applied to the second main surface side of the glass substrate by a die coating method, and a columnar spacer is formed by photolithography and thermal curing. Then, a polyimide resin solution is applied by a roll coating method, an orientation layer is formed by thermal curing, and rubbing is performed.

이어서, 디스펜서법에 의해 시일용 수지액을 프레임 형상에 묘화하고, 프레임 내에 디스펜서법에 의해 액정을 적하한 후에, 상기에서 화소 전극이 형성된 유리 적층체 A1을 이용하여 2매의 유리 적층체 A의 유리 기판의 제2 주면측끼리를 접합하고, 자외선 경화 및 열경화에 의해 LCD 패널을 얻는다.Subsequently, the sealing resin liquid was drawn in a frame shape by the dispenser method, liquid crystal was dropped by the dispenser method in the frame, and then the glass laminate A1 on which the pixel electrodes were formed was used to form two glass laminate A The second main surface side of the glass substrate is bonded to each other, and an LCD panel is obtained by ultraviolet curing and thermosetting.

계속해서, 유리 적층체 A1의 제2 주면을 정반에 진공 흡착시키고, 유리 적층체 A2의 코너부의 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 유리 기판의 제1 주면과 실리콘 수지층의 박리성 표면의 박리의 계기를 부여한다. 여기서 칼날의 삽입은 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성한 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서 진공 흡착 패드를 인상한다. 그리고, 유리 적층체 A2의 지지 기재의 제2 주면을 진공 흡착 패드로 흡착한 후에 흡착 패드를 상승시킨다. 그 결과, 정반 상에 유리 적층체 A1의 지지 기재가 부착된 LCD의 빈 셀만을 남기고, 실리콘 수지층 부착 지지 기재를 박리할 수 있다.Subsequently, a second main surface of the glass laminate A1 was vacuum-adsorbed on a surface plate, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner of the glass laminate A2, Giving an opportunity for peeling of the main surface and the peelable surface of the silicon resin layer. Here, the insertion of the blade is carried out while spraying an antistatic fluid on the interface from an ionizer (manufactured by KYENS). Subsequently, the vacuum adsorption pad is pulled up while ejecting the antistatic fluid from the ionizer toward the formed gap. Then, after the second main surface of the supporting substrate of the glass laminate A2 is adsorbed by the vacuum adsorption pad, the adsorption pad is raised. As a result, it is possible to peel off the supporting substrate with the silicon resin layer leaving only the empty cell of the LCD on which the supporting substrate of the glass laminate A1 is adhered on the surface of the plate.

이어서, 제1 주면에 컬러 필터가 형성된 유리 기판의 제2 주면을 정반에 진공 흡착시키고, 유리 적층체 A1의 코너부의 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 유리 기판의 제1 주면과 실리콘 수지층의 박리성 표면과의 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 유리 적층체 A1의 지지 기재의 제2 주면을 진공 흡착 패드로 흡착한 후에 흡착 패드를 상승시킨다. 그 결과, 정반 상에 LCD 셀만을 남기고, 실리콘 수지층이 고정된 지지 기재를 박리할 수 있다. 이렇게 하여 두께 0.1mm의 유리 기판으로 구성되는 복수의 LCD의 셀이 얻어진다.Subsequently, a second main surface of the glass substrate on which the color filter was formed on the first main surface was vacuum-adsorbed on the surface plate, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner of the glass laminate A1, Thereby giving a moment of peeling between the first main surface of the glass substrate and the peelable surface of the silicon resin layer. Then, after the second main surface of the supporting substrate of the glass laminate A1 is adsorbed by the vacuum adsorption pad, the adsorption pad is raised. As a result, the supporting substrate on which the silicon resin layer is fixed can be peeled off while leaving only the LCD cell on the surface of the substrate. Thus, a plurality of LCD cells constituted by a glass substrate having a thickness of 0.1 mm are obtained.

계속해서 절단하는 공정에 의해 복수의 LCD의 셀로 분단한다. 완성된 각각의 LCD 셀에 편광판을 점착하는 공정을 실시하고, 계속해서 모듈 형성 공정을 실시하여 LCD를 얻는다. 이렇게 하여 얻어지는 LCD는 특성상 문제는 발생하지 않는다.And then divided into cells of a plurality of LCDs by the subsequent cutting step. A process of adhering a polarizing plate to each completed LCD cell is performed, and then a module forming process is performed to obtain an LCD. The LCD thus obtained does not cause any problems.

<실시예 8>&Lt; Example 8 >

본 예에서는 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 A를 이용하여 OLED를 제조한다.In this example, an OLED is manufactured using the glass laminate A obtained in Example 1.

먼저, 유리 적층체 A에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 플라즈마 CVD법에 의해 유리 기판의 제2 주면측에 다시 질화규소를 성막하여 게이트 절연막을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 산화인듐갈륨아연을 성막하여 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 산화물 반도체층을 형성한다. 이어서, 플라즈마 CVD법에 의해 유리 기판의 제2 주면측에 다시 질화규소를 성막하여 채널 보호층을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하여 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다. 이어서, 대기 중에서 450℃에서 60분간 가열 처리를 행한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 또한 플라즈마 CVD법에 의해 질화규소를 성막하여 패시베이션층을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하여 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.First, molybdenum is deposited on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate A by the sputtering method, and the gate electrode is formed by etching by photolithography. Subsequently, a silicon nitride film is formed again on the second main surface side of the glass substrate by the plasma CVD method to form a gate insulating film. Subsequently, indium gallium zinc oxide is formed by a sputtering method and is etched by photolithography, . Subsequently, silicon nitride is deposited again on the second main surface side of the glass substrate by the plasma CVD method to form a channel protection layer, and subsequently, molybdenum is deposited by sputtering and is etched by photolithography to form a source electrode and a drain electrode . Subsequently, heat treatment is performed at 450 캜 for 60 minutes in the atmosphere. Subsequently, a silicon nitride film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a passivation layer. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method do.

계속해서, 증착법에 의해, 유리 기판의 제2 주면측에 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착체(Alq3)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3을 이 순서대로 성막한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화형의 접착층을 개재하여 한 장 더 유리 기판을 접합하여 밀봉한다. 상기 수순에 의해 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 형성한다. 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 갖는 유리 적층체 A(이하, 패널 A라고 함)가 본 발명의 전자 디바이스용 부재 부착 적층체(지지 기재 부착 표시 장치용 패널)이다.Subsequently, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine was used as a hole injecting layer on the second main surface side of the glass substrate by the vapor deposition method and bis [(N-naphthyl) (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene-2-carboxylate was added to 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) Alq 3 was deposited in this order as an electron transporting layer. Next, aluminum was deposited by sputtering, and an aluminum film was formed by etching using photolithography Next, another glass substrate is bonded and sealed on the second main surface side of the glass substrate with an ultraviolet curable adhesive layer interposed therebetween. The organic EL structure is formed on the glass substrate by the above procedure. A glass laminate A having an organic EL structure on a glass substrate (hereinafter referred to as panel A) An electronic device mounting member for the laminated body (the supporting substrate attached to the display panel).

계속해서, 패널 A의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 후, 패널 A의 코너부의 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 두께 0.1mm의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 패널 A의 지지 기재 표면을 진공 흡착 패드에서 흡착한 후에 흡착 패드를 상승시킨다. 여기서 칼날의 삽입은 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성한 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서 진공 흡착 패드를 인상한다. 그 결과, 정반 상에 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판만을 남기고, 실리콘 수지층 부착 지지 기재를 박리할 수 있다.Subsequently, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the silicone resin layer at the corner of the panel A after the sealing member side of the panel A was vacuum-adsorbed on the surface of the plate, Giving the occasion of exfoliation. After the surface of the supporting substrate of the panel A is adsorbed on the vacuum adsorption pad, the adsorption pad is raised. Here, the insertion of the blade is carried out while spraying an antistatic fluid on the interface from an ionizer (manufactured by KYENS). Subsequently, the vacuum adsorption pad is pulled up while ejecting the antistatic fluid from the ionizer toward the formed gap. As a result, only the glass substrate having the organic EL structure formed on the surface thereof can be left, and the supporting substrate with the silicon resin layer can be peeled off.

계속해서, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 분리한 유리 기판의 박리면을 청정화하고, 분리된 유리 기판을 레이저 커터 또는 스크라이브-브레이크법을 이용하여 절단하고, 복수의 셀로 분단한 후, 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판과 대향 기판을 조립하고, 모듈 형성 공정을 실시하여 OLED를 제작한다. 이렇게 하여 얻어지는 OLED는 특성상 문제는 발생하지 않는다.Subsequently, the cleavage surface of the glass substrate separated in the same manner as in Example 1 was cleaned, and the separated glass substrate was cut using a laser cutter or a scribe-break method, and after dividing into a plurality of cells, And a counter substrate are assembled, and a module forming process is performed to fabricate an OLED. The characteristics of the OLED thus obtained do not occur.

본 출원은 2012년 10월 17일 출원의 일본 특허 출원 2012-230092에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.This application is based on Japanese Patent Application No. 2012-230092 filed on October 17, 2012, the contents of which are incorporated herein by reference.

10 : 유리 적층체
12 : 지지 기재
14 : 실리콘 수지층
14a : 실리콘 수지층의 제1 주면
16 : 유리 기판
16a : 유리 기판의 제1 주면
16b : 유리 기판의 제2 주면
18 : 실리콘 수지층 부착 지지 기재
20 : 전자 디바이스용 부재
22 : 전자 디바이스용 부재 부착 적층체
24 : 부재 부착 유리 기판
10: Glass laminate
12: support substrate
14: Silicone resin layer
14a: a first main surface of the silicone resin layer
16: glass substrate
16a: a first main surface of the glass substrate
16b: a second main surface of the glass substrate
18: Supporting substrate with silicone resin layer
20: Member for electronic device
22: member attachment laminate for electronic device
24: Glass substrate with member

Claims (12)

지지 기재의 층과 실리콘 수지층과 유리 기판의 층을 이 순서로 구비하고, 상기 지지 기재의 층과 상기 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도가 상기 실리콘 수지층과 상기 유리 기판의 계면의 박리 강도보다 높은 유리 적층체로서,
상기 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고,
상기 실리콘 수지층이 실리콘 오일을 포함하고,
상기 실리콘 수지층에 포함되는 실리콘 수지 및 상기 실리콘 오일 중 어느 한쪽이 방향족기를 갖고, 다른 쪽이 방향족기를 실질적으로 갖지 않는 유리 적층체.
Wherein the support substrate layer, the silicon resin layer, and the glass substrate layer are provided in this order, and the peel strength of the interface between the support substrate layer and the silicon resin layer is higher than the peel strength of the interface between the silicon resin layer and the glass substrate As a high glass laminate,
Wherein the silicone resin of the silicone resin layer is a crosslinked organopolysiloxane,
Wherein the silicone resin layer comprises a silicone oil,
Wherein either one of the silicone resin and the silicone oil contained in the silicone resin layer has an aromatic group and the other does not substantially contain an aromatic group.
제1항에 있어서, 상기 실리콘 오일이 페닐기를 갖고,
상기 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기 중 페닐기의 함유율이 5 내지 50몰%인 유리 적층체.
The method of claim 1, wherein the silicone oil has a phenyl group,
Wherein the content of the phenyl group in the total organic groups bonded to silicon atoms in the silicone oil is 5 to 50 mol%.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 실리콘 수지층 중에 있어서의 상기 실리콘 오일의 함유량이 상기 실리콘 수지 100질량부에 대하여 6 내지 20질량부인 유리 적층체.The glass laminate according to claim 1 or 2, wherein the content of the silicone oil in the silicone resin layer is 6 to 20 parts by mass relative to 100 parts by mass of the silicone resin. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 오일의 25℃에 있어서의 점도가 100 내지 6000cP인 유리 적층체.The glass laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the silicone oil has a viscosity at 25 캜 of 100 to 6000 cP. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 수지층의 두께가 2 내지 100㎛인 유리 적층체.The glass laminate according to any one of claims 1 to 4, wherein the thickness of the silicon resin layer is 2 to 100 占 퐉. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 기재가 유리판인 유리 적층체.The glass laminate according to any one of claims 1 to 5, wherein the supporting substrate is a glass plate. 지지 기재의 편면에 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층을 형성하고, 상기 지지 기재면 상에서 상기 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜 실리콘 수지층을 형성하고, 계속해서 상기 실리콘 수지층의 표면에 유리 기판을 적층하는, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항 기재의 유리 적층체의 제조 방법.A step of forming a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane and a silicone oil on one side of the supporting substrate, crosslinking the crosslinkable organopolysiloxane on the supporting substrate surface to form a silicone resin layer, And the glass substrate is laminated on the glass substrate. [Claim 7] The method according to any one of claims 1 to 6, 지지 기재와 상기 지지 기재면 상에 형성된 박리성 표면을 갖는 실리콘 수지층을 갖는 실리콘 수지층 부착 지지 기재로서,
상기 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고,
상기 실리콘 수지층이 실리콘 오일을 포함하고,
상기 실리콘 수지층에 포함되는 실리콘 수지 및 상기 실리콘 오일 중 어느 한쪽이 방향족기를 갖고, 다른 쪽이 방향족기를 실질적으로 갖지 않는 실리콘 수지층 부착 지지 기재.
1. A silicon-resin-layer-attached supporting substrate having a supporting substrate and a silicone resin layer having a releasable surface formed on the supporting substrate surface,
Wherein the silicone resin of the silicone resin layer is a crosslinked organopolysiloxane,
Wherein the silicone resin layer comprises a silicone oil,
Wherein the silicone resin contained in the silicone resin layer and either one of the silicone oil have an aromatic group and the other does not substantially contain an aromatic group.
제8항에 있어서, 상기 실리콘 오일이 페닐기를 갖고,
상기 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기 중 페닐기의 함유율이 5 내지 50몰%인 실리콘 수지층 부착 지지 기재.
9. The method of claim 8, wherein the silicone oil has a phenyl group,
Wherein the content of the phenyl group in the total organic group bonded to the silicon atom in the silicone oil is 5 to 50 mol%.
제9항에 있어서, 상기 실리콘 오일 중의 규소 원자에 결합한 전체 유기기 중 페닐기의 함유율이 5 내지 30몰%인 실리콘 수지층 부착 지지 기재.The supporting substrate according to claim 9, wherein the content of the phenyl group in the total organic groups bonded to silicon atoms in the silicone oil is 5 to 30 mol%. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 수지층 중에 있어서의 상기 실리콘 오일의 함유량이 상기 실리콘 수지 100질량부에 대하여 6 내지 20질량부인 실리콘 수지층 부착 지지 기재.11. The support substrate according to any one of claims 8 to 10, wherein the content of the silicone oil in the silicone resin layer is 6 to 20 parts by mass based on 100 parts by mass of the silicone resin. 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 오일의 25℃에 있어서의 점도가 100 내지 6000cP인 실리콘 수지층 부착 지지 기재.
12. The silicone resin layer-supporting substrate according to any one of claims 8 to 11, wherein the silicone oil has a viscosity at 25 DEG C of 100 to 6000 cP.
KR1020157009424A 2012-10-17 2013-10-10 Glass laminate and manufacturing method therefor, and support base with silicone resin layer KR20150073976A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012230092 2012-10-17
JPJP-P-2012-230092 2012-10-17
PCT/JP2013/077678 WO2014061565A1 (en) 2012-10-17 2013-10-10 Glass laminate and manufacturing method therefor, and support base with silicone resin layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150073976A true KR20150073976A (en) 2015-07-01

Family

ID=50488132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157009424A KR20150073976A (en) 2012-10-17 2013-10-10 Glass laminate and manufacturing method therefor, and support base with silicone resin layer

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6194893B2 (en)
KR (1) KR20150073976A (en)
CN (1) CN104736340B (en)
TW (1) TWI613073B (en)
WO (1) WO2014061565A1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106163798B (en) * 2014-04-10 2019-05-10 Agc株式会社 Glass laminate and its manufacturing method, the manufacturing method of electronic device
KR20170102239A (en) * 2014-12-26 2017-09-08 아사히 가라스 가부시키가이샤 Glass laminate, method for producing electronic device, method for producing glass laminate, and glass plate package
JP6813023B2 (en) * 2016-04-05 2021-01-13 Agc株式会社 Glass plate structure
EP3588976A4 (en) * 2017-02-23 2020-12-30 AGC Inc. Glass plate construct
GB201820275D0 (en) * 2018-12-12 2019-01-30 Heliac Aps Improved coatings for glass
CN112174519B (en) * 2020-09-10 2022-12-06 河北光兴半导体技术有限公司 Composite glass plate and preparation method and application thereof
WO2024071351A1 (en) * 2022-09-30 2024-04-04 日東電工株式会社 Shaped objects

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101242951B (en) * 2005-08-09 2012-10-31 旭硝子株式会社 Thin sheet glass laminate and method for manufacturing display using thin sheet glass laminate
JPWO2008007622A1 (en) * 2006-07-12 2009-12-10 旭硝子株式会社 Glass substrate with protective glass, display device manufacturing method using glass substrate with protective glass, and silicone for release paper
US8927627B2 (en) * 2008-07-30 2015-01-06 Bluestar Silicones France Sas Silicone composition for coating a flexible support intended to form a crosslinked coating having increased attachment, mechanical strength and reactivity
JP5835214B2 (en) * 2010-05-11 2015-12-24 旭硝子株式会社 LAMINATE MANUFACTURING METHOD AND LAMINATE
JP5796449B2 (en) * 2011-10-12 2015-10-21 旭硝子株式会社 Manufacturing method of electronic device, manufacturing method of carrier substrate with resin layer

Also Published As

Publication number Publication date
TWI613073B (en) 2018-02-01
CN104736340A (en) 2015-06-24
CN104736340B (en) 2017-08-11
JPWO2014061565A1 (en) 2016-09-05
WO2014061565A1 (en) 2014-04-24
JP6194893B2 (en) 2017-09-13
TW201429709A (en) 2014-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6555254B2 (en) Glass laminate, method for producing the same, and method for producing electronic device
JP5924344B2 (en) LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE WITH ELECTRONIC DEVICE MEMBER
JP6194893B2 (en) GLASS LAMINATE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND SUPPORT SUBSTRATE WITH SILICONE RESIN LAYER
JP6252490B2 (en) GLASS LAMINATE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND SUPPORT SUBSTRATE WITH SILICONE RESIN LAYER
JP6561845B2 (en) Glass laminate and method for producing the same
KR20160119080A (en) Glass laminate
JP6610560B2 (en) Glass laminate, method for producing the same, and method for producing electronic device
US20170282500A1 (en) Glass laminate, method for producing electronic device, method for producing glass laminate, and glass plate package
WO2015146920A1 (en) Glass laminate
KR20170017729A (en) Glass laminate and method for producing same
WO2014050833A1 (en) Glass laminate and manufacturing method for same, and support substrate having silicone resin layer attached thereto and manufacturing method for same
TWI656967B (en) Glass laminated body, manufacturing method thereof, and manufacturing method of electronic device
KR20160039192A (en) Electronic device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application