KR101703718B1 - Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device - Google Patents

Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

본 발명은 내용제성 및 내열투명성이 뛰어난 경화막이 얻어지고, 높은 감도를 가짐과 함께, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 작은 감광성 수지 조성물, 경화막 및 그 제조 방법, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 감광성 수지 조성물은 (A) 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1), 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2), 및, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)를 함유하는 중합체, (B) 광산(光酸) 발생제, 및, (C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.
The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured film and a process for producing the same, an organic EL display device, and a process for producing the same, which can provide a cured film excellent in solvent resistance and heat resistance and transparency, , And a liquid crystal display device.
(A) a structure represented by the formula (Ia) for producing a carboxy group by an acid or a structure represented by the formula (Ib) for producing a phenolic hydroxyl group by an acid, (A2) having a structure represented by the formula (IIb) that generates a phenolic hydroxyl group by an acid, and a monomer unit (a3) having a structure represented by the formula A polymer containing a monomer unit (a3) having an epoxy group and / or an oxetanyl group, (B) a photoacid generator, and (C) a solvent.

Description

감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, CURED FILM, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, an organic EL display device, and a liquid crystal display device,

본 발명은, 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a method for forming a cured film, a cured film, an organic EL display device, and a liquid crystal display device.

유기 EL 표시 장치나, 액정 표시 장치 등에는, 패턴 형성된 층간절연막이 마련되어 있다. 이 층간절연막의 형성에는, 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고, 게다가 충분한 평탄성이 얻어진다는 것에서, 감광성 수지 조성물이 널리 사용되고 있다.In an organic EL display device, a liquid crystal display device, or the like, a patterned interlayer insulating film is provided. In forming the interlayer insulating film, the number of steps for obtaining a desired pattern shape is small, and furthermore, a sufficient level of flatness is obtained, so that a photosensitive resin composition is widely used.

상기 표시 장치에 있어서의 층간절연막에는, 절연성, 내용제성, 내열성, 및, 산화인듐주석(ITO) 스퍼터 적성이 뛰어난 경화막의 물성에 더하여, 높은 투명성이 요망되고 있다. 이 때문에, 투명성이 뛰어난 아크릴계 수지를 막 형성 성분으로서 사용하는 것이 시도되고 있다.The interlayer insulating film in the display device is required to have high transparency in addition to physical properties of a cured film excellent in insulating property, solvent resistance, heat resistance, and indium tin oxide (ITO) sputter suitability. For this reason, it has been attempted to use an acrylic resin having excellent transparency as a film forming component.

이와 같은 감광성 수지 조성물로서, 예를 들면, 특허문헌 1에는, (A) (a)불포화 카르복시산 또는 불포화 카르복시산무수물, (b)에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물 및 (c)다른 라디칼 중합성 화합물의 공중합체인 알칼리 수용액에 가용인 수지 및 (B) 감방사선성(感放射線性) 산 생성 화합물을 갖는 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.As such a photosensitive resin composition, for example, Patent Document 1 discloses a composition comprising (A) an unsaturated carboxylic acid or unsaturated carboxylic acid anhydride, (b) a radically polymerizable compound having an epoxy group, and (c) A resin soluble in an aqueous chain alkaline solution and (B) a radiation-sensitive (radiation-sensitive) acid-generating compound.

또한, 특허문헌 2에는, (A) 아세탈 구조 및/또는 케탈 구조, 및 에폭시 구조를 갖고, 겔투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량이 2000 이상인 고분자량체, 및 (B) 방사선의 조사에 의해 pKa가 4.0 이하의 산을 발생하는 화합물을 함유하는 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있다.Patent Document 2 discloses a resin composition comprising (A) a high molecular weight substance having an acetal structure and / or a ketal structure and an epoxy structure, and having a weight average molecular weight of 2000 or more in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography, and (B) A compound capable of generating an acid having a pKa of 4.0 or less has been proposed.

또한, 특허문헌 3에는, (A) 산해리성기를 갖는 하기 일반식(1)으로 표시되는 구성 단위와 카르복시기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 갖는 구성 단위를 함유하고, 알칼리 불용성 혹은 알칼리 난용성이며, 또한, 당해 산해리성기가 해리했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지, (B) 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 적어도 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 기재되어 있다.Patent Document 3 discloses a resin composition containing (A) a structural unit represented by the following general formula (1) having an acid-dissociable group and a structural unit having a functional group capable of reacting with a carboxyl group to form a covalent bond, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, characterized in that the positive photosensitive resin composition contains at least one compound selected from the group consisting of .

Figure 112010066116678-pat00001
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일반식(1)에 있어서, R1은, 수소 원자, 메틸기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타낸다. R2 및 R3은, 각각 독립하여, 수소 원자, 직쇄상 혹은 분기상 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다. 단, R2 및 R3의 적어도 하나는, 직쇄상 혹은 분기상 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. R4는, 치환되어 있어도 좋은, 직쇄상 혹은 분기상 알킬기, 시클로알킬기, 또는 아랄킬기를 나타낸다. R2 또는 R3과, R4가 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다.In the general formula (1), R 1 represents a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom or a cyano group. R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, or a cycloalkyl group. Provided that at least one of R 2 and R 3 represents a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group. R 4 represents a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group or an aralkyl group which may be substituted. R 2 or R 3 and R 4 may be connected to form a cyclic ether.

일본 특개평5-165214호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-165214 일본 특개2004-264623호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-264623 일본 특개2009-98616호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-98616

상기 특허문헌 1에 기재된 감광성 수지 조성물은, 감도, 해상성, 경시(經時) 안정성이 충분하지 않고 고품질의 액정 표시 소자를 제조하기 위해서는 만족할 수 있는 것은 아니고, 또한, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 크다는 문제가 있었다.The photosensitive resin composition described in Patent Document 1 is not satisfactory in producing a liquid crystal display device of high quality without sufficient sensitivity, resolution and stability over time, and is not satisfactory in terms of pattern shape There has been a problem in that the change is large.

또한, 상기 특허문헌 2 및 3에 기재된 감광성 수지 조성물에는, 감도가 낮다는 문제, 및/또는, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 크다는 문제가 있었다.In addition, the photosensitive resin compositions described in Patent Documents 2 and 3 have a problem of low sensitivity and / or a large change in pattern shape due to a change in exposure amount.

본 발명의 목적은, 내용제성 및 내열투명성이 뛰어난 경화막이 얻어지고, 높은 감도를 가짐과 함께, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 작은(「노광 래티튜드가 넓은」이라고도 한다) 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 및 그 제조 방법, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치를 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition which has a cured film excellent in solvent resistance and heat resistance and transparency, has a high sensitivity, has a small change in pattern shape with respect to a change in exposure amount (also referred to as "wide exposure latitude" A cured film using the photosensitive resin composition, a manufacturing method thereof, an organic EL display device, and a liquid crystal display device.

본 발명의 상기 과제는, 이하의 <1>, <10>, <11>, <13> 또는 <14>에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시 태양인 <2>∼<9> 및 <12>와 함께 이하에 기재한다.The above object of the present invention is solved by the means described in the following <1>, <10>, <11>, <13> or <14>. Are described below together with <2> to <9> and <12> which are preferred embodiments.

<1> (A) 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1), 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2), 및, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)를 함유하는 중합체, (B) 광산(光酸) 발생제, 및, (C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,(A) a monomer unit (a1) having a structure represented by the formula (Ia) for producing a carboxy group by an acid or a structure represented by the formula (Ib) for producing a phenolic hydroxyl group by an acid, A monomer unit (a2) having a structure represented by the formula (IIa) for producing a carboxy group or a structure represented by the formula (IIb) for producing a phenolic hydroxyl group by an acid, and a monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group A photosensitive resin composition comprising a polymer containing a unit (a3), (B) a photoacid generator, and (C) a solvent,

Figure 112010066116678-pat00002
Figure 112010066116678-pat00002

(식 중, R1은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 알킬기를 나타내고, R3은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R4는 제3급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 아릴기를 나타내고, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 개소를 나타낸다. 또한, R1과 R2는 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다(단, 6원환 구조를 제외한다))(Wherein, R 1 represents an alkyl group or a cycloalkyl group independently, R 2 are, each independently, an alkyl group, R 3 represents a tertiary alkyl group or a 2-tetrahydropyranyl, R 4 is the Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aryl group, and the broken line portion represents a bonding site to another structure. Further, R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, R 2 may be connected to form a cyclic ether (except for a 6-membered ring structure))

<2> 상기 모노머 단위(a1)가 식(Ⅲ)으로 표시되는 모노머 단위이며, 상기 모노머 단위(a2)가 식(IV)으로 표시되는 모노머 단위인, 상기 <1>에 기재된 감광성 수지 조성물,<2> The photosensitive resin composition according to <1>, wherein the monomer unit (a1) is a monomer unit represented by the formula (III) and the monomer unit (a2) is a monomer unit represented by the formula (IV)

Figure 112010066116678-pat00003
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(식 중, R5는 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R7은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)(Wherein R 5 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 7 represents a tertiary alkyl group or a 2-tetrahydropyranyl group, and R 8 represents a hydrogen atom or a methyl group )

<3> 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인, 상기 <1> 또는 <2>에 기재된 감광성 수지 조성물,<3> The photosensitive resin composition according to <1> or <2>, which is a chemically amplified positive-working photosensitive resin composition,

<4> 상기 모노머 단위(a3)가, 지환 에폭시기를 갖는 모노머 단위, 및/또는, 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인, 상기 <1>∼<3>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<4> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <3>, wherein the monomer unit (a3) is a monomer unit having an alicyclic epoxy group and / or a oxetanyl group,

<5> 상기 (A) 중합체에 있어서의 상기 모노머 단위(a3)가, 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종에 유래하는 모노머 단위인, 상기 <1>∼<4>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,(5) The positive resist composition as described in any one of (1) to (3) above, wherein the monomer unit (a3) in the polymer (A) is at least one monomer selected from the group consisting of 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 1] to [4], wherein the monomer unit derived from at least one member selected from the group consisting of methyl (meth) acrylate and methyl methacrylate Photosensitive resin composition,

<6> 상기 (B) 광산 발생제가, 옥심설포네이트 잔기를 갖는 화합물인, 상기 <1>∼<5>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<6> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein the photoacid generator (B) is a compound having an oxime sulfonate residue,

<7> 상기 (B) 광산 발생제가, 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)으로 표시되는 화합물인, 상기 <1>∼<6>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,The photoacid generator according to any one of <1> to <6>, wherein the photoacid generator (B) is a compound represented by formula (OS-3), formula (OS- Photosensitive resin composition,

Figure 112010066116678-pat00004
Figure 112010066116678-pat00004

(식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다)Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, each of R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents 0 to 6 Lt; / RTI &gt;

<8> (D) 산화 방지제를 더 함유하는, 상기 <1>∼<7>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<8> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <7>, further containing (D) an antioxidant,

<9> (E) 가교제를 더 함유하는, 상기 <1>∼<8>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<9> The photosensitive resin composition according to any one of <1> to <8>, further containing (E) a crosslinking agent,

<10> (1) 상기 <1>∼<9>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정, (2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정, (3) 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정, (4) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및, (5) 열경화하는 포스트베이킹 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법,(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition, (3) a step of removing the solvent from the coated photosensitive resin composition, (4) a step of applying the photosensitive resin composition described in any one of (4) a developing step of developing with an aqueous developer, and (5) a post-baking step of thermally curing,

<11> 상기 <10>에 기재된 방법에 의해 형성된 경화막,<11> A cured film formed by the method according to <10>

<12> 층간절연막인 상기 <11>에 기재된 경화막,<12> The cured film according to <11> which is an interlayer insulating film,

<13> 상기 <11> 또는 <12>에 기재된 경화막을 구비하는, 유기 EL 표시 장치,&Lt; 13 > An organic EL display device comprising the cured film according to < 11 > or < 12 &

<14> 상기 <11> 또는 <12>에 기재된 경화막을 구비하는, 액정 표시 장치.<14> A liquid crystal display device comprising the cured film according to <11> or <12>.

본 발명에 의하면, 내용제성 및 내열투명성이 뛰어난 경화막이 얻어지고, 높은 감도를 가짐과 함께, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 작은 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 및 그 제조 방법, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, a curable film excellent in solvent resistance and heat resistance transparency can be obtained, a photosensitive resin composition having high sensitivity and little change in pattern shape with respect to change in exposure amount, a cured film using the photosensitive resin composition, Method, an organic EL display device, and a liquid crystal display device.

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 바톰 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
도 2는 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 층간절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
Fig. 1 shows a configuration diagram of an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarization film 4.
2 is a conceptual diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device. Sectional view of an active matrix substrate in a liquid crystal display device and has a cured film 17 as an interlayer insulating film.

(감광성 수지 조성물)(Photosensitive resin composition)

이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A) 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1), 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2), 및, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)를 함유하는 중합체, (B) 광산 발생제, 및, (C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.The photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) a monomer unit (a1) having a structure represented by formula (Ia) for producing a carboxy group by an acid or a structure represented by formula (Ib) for producing a phenolic hydroxyl group by an acid ), A monomer unit (a2) having a structure represented by the formula (IIa) for producing a carboxy group by an acid or a structure represented by the formula (IIb) for producing a phenolic hydroxyl group by an acid, and an epoxy group and / (B) a photo acid generator, and (C) a solvent.

Figure 112010066116678-pat00005
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(식 중, R1은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 알킬기를 나타내고, R3은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R4는 제3급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 아릴기를 나타내고, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 개소를 나타낸다. 또한, R1과 R2는 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다(단, 6원환 구조를 제외한다))(Wherein, R 1 represents an alkyl group or a cycloalkyl group independently, R 2 are, each independently, an alkyl group, R 3 represents a tertiary alkyl group or a 2-tetrahydropyranyl, R 4 is the Ar 1 and Ar 2 each independently represent an aryl group, and the broken line portion represents a bonding site to another structure. Further, R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, R 2 may be connected to form a cyclic ether (except for a 6-membered ring structure))

이하, 이들 (A)∼(C)로 표시되는 각 성분을 각각, 「(A) 성분」∼「(C) 성분」이라고도 한다.Hereinafter, each of the components represented by (A) to (C) is also referred to as "(A) component" to "(C) component".

또한, (A) 중합체에 있어서, 상기 모노머 단위(a1)가 식(Ⅲ)으로 표시되는 모노머 단위인 것이 바람직하고, 또한, 상기 모노머 단위(a2)가 식(IV)으로 표시되는 모노머 단위인 것이 바람직하다.In the polymer (A), it is preferable that the monomer unit (a1) is a monomer unit represented by the formula (III), and the monomer unit (a2) is a monomer unit represented by the formula desirable.

Figure 112010066116678-pat00006
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식 중, R5는 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R7은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In the formula, R 5 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 7 represents a tertiary alkyl group or a 2-tetrahydropyranyl group, and R 8 represents a hydrogen atom or a methyl group.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 포지티브형 감광성 수지 조성물이다.The photosensitive resin composition of the present invention is a positive photosensitive resin composition.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention is preferably a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemically amplified positive photosensitive resin composition).

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 활성 광선에 감응하는 광산 발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 함유하지 않는 쪽이 바람직하다. 1,2-퀴논디아지드 화합물은, 축차형 광화학 반응에 의해 카르복시기를 생성하지만, 그 양자 수율은 반드시 1 이하이다.It is preferable that the photosensitive resin composition of the present invention does not contain a 1,2-quinonediazide compound as a photoacid generator sensitive to an actinic ray. The 1,2-quinonediazide compound generates a carboxy group by a sequential photochemical reaction, but its quantum yield is necessarily 1 or less.

이것에 대해 본 발명에서 사용하는 (B) 광산 발생제는, 활성 광선에 감응하여 생성하는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대해 촉매로서 작용하므로, 1개의 광양자의 작용으로 생성한 산이, 다수의 탈보호 반응에 기여하여, 양자 수율은 1을 초과하며, 예를 들면, 10의 몇 승과 같은 큰 값이 되어, 이른바 화학 증폭의 결과로서, 고감도가 얻어진다.On the other hand, the photoacid generator (B) used in the present invention acts as a catalyst for deprotection of an acid-protected acid generated in response to an actinic ray, Contributing to the deprotection reaction, the quantum yield exceeds 1, for example, becomes a large value such as several powers of 10, and high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 내용제성의 관점에서, 상기 (A) 중합체가 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 함유하는 것이 바람직하고, 또한, 후술하는 (E) 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, it is preferable that the polymer (A) contains a monomer unit having an alicyclic epoxy group and / or an oxetanyl group from the viewpoint of the solvent resistance, and the crosslinking agent (E) .

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A)∼(C) 성분을 함유함으로써, 높은 감도를 가짐과 함께, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 작은, 즉, 노광량에 대한 래티튜드가 넓은 감광성 수지 조성물이 된다. 또한, 내용제성 및 내열투명성이 뛰어난 경화막이 얻어지는 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.By containing the components (A) to (C), the photosensitive resin composition of the present invention can provide a photosensitive resin composition having a high sensitivity and a small change in pattern shape to a change in the exposure amount, . Further, it is possible to provide a photosensitive resin composition which can obtain a cured film excellent in solvent resistance and heat-resistant transparency.

이하, 감광성 수지 조성물을 구성하는 (A)∼(C) 성분에 대해 설명한다.Hereinafter, components (A) to (C) constituting the photosensitive resin composition will be described.

또, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하여 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면 「알킬기」란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes those having a substituent and having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

또한, 본 발명에 사용하는 공중합체가 함유하는 모노머 단위를 도입하는 방법은, 중합법이어도 좋고, 고분자 반응법이어도 좋다. 중합법에서는, 소정의 관능기를 함유하는 모노머를 미리 합성한 후에, 이들 모노머를 공중합한다. 고분자 반응법에서는, 중합 반응을 행한 후에, 얻어진 공중합체의 모노머 단위에 함유되는 반응성기를 이용하여 필요한 관능기를 모노머 단위 중에 도입한다. 여기서, 관능기로서는, 페놀성 수산기 또는 카르복시기를 보호함과 동시에 강산의 존재 하에서 분해하고 이들을 유리(遊離)하기 위한 보호기, 에폭시기 또는 옥세타닐기 등의 가교성기, 페놀성 수산기나 카르복시기와 같은 알칼리 가용성기(산성기) 등을 예시할 수 있다.The method of introducing the monomer unit contained in the copolymer used in the present invention may be a polymerization method or a polymer reaction method. In the polymerization method, monomers containing a predetermined functional group are synthesized in advance, and then these monomers are copolymerized. In the polymer reaction method, a necessary functional group is introduced into the monomer unit using a reactive group contained in the monomer unit of the obtained copolymer after the polymerization reaction. Examples of the functional group include a protecting group for protecting the phenolic hydroxyl group or the carboxyl group and decomposing in the presence of strong acid and liberating them, a crosslinkable group such as an epoxy group or an oxetanyl group, an alkali soluble group such as a phenolic hydroxyl group or a carboxy group (Acidic group), and the like.

상기 모노머 단위(1)∼(3)의 상기 (A) 중합체에의 도입은, 중합법이어도 고분자 반응법이어도 좋고, 이들 두 방법을 병용해도 좋다.The introduction of the monomer units (1) to (3) into the polymer (A) may be carried out by a polymerization method or a polymer reaction method, or both of these methods may be used in combination.

중합법에서는, 예를 들면, 식(Ia) 또는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물, 식(Ⅱa) 또는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물, 및, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 혼합하고 부가 중합하여, 목적으로 하는 (A) 중합체를 얻을 수 있다.In the polymerization method, for example, an ethylenically unsaturated compound having a structure represented by formula (Ia) or (Ib), an ethylenically unsaturated compound having a structure represented by formula (IIa) or formula (IIb) An ethylenically unsaturated compound having an epoxy group or an oxetanyl group is mixed and subjected to addition polymerization to obtain a desired polymer (A).

고분자 반응법에서는, 메타크릴산2-히드록시에틸을 공중합한 공중합체에 에피클로로히드린을 반응시켜 에폭시기를 도입하는 것을 예시할 수 있다. 이와 같이, 반응성기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 공중합한 후에, 측쇄에 남은 반응성기를 활용하여, 고분자 반응에 의해, 식(Ia), 식(Ib), 식(Ⅱa) 및/또는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조나 가교성기와 같은 관능기를 측쇄에 도입할 수 있다.In the polymer reaction method, epichlorohydrin may be reacted with a copolymer obtained by copolymerizing 2-hydroxyethyl methacrylate to introduce an epoxy group. (Ia), (Ib), (IIa) and / or (IIb) can be obtained by copolymerizing the ethylenically unsaturated compound having a reactive group with a reactive group remaining in the side chain, A functional group such as a structure or a crosslinkable group to be displayed can be introduced into the side chain.

(A) 중합체(A) Polymer

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기 (A) 중합체를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains the polymer (A).

본 발명의 감광성 수지 조성물이 함유하는 (A) 중합체는,The polymer (A) contained in the photosensitive resin composition of the present invention,

산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1),(A1) having a structure represented by the formula (Ia) for producing a carboxy group by an acid or a structure represented by the formula (Ib) for producing a phenolic hydroxyl group by an acid,

산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2), 및,A monomer unit (a2) having a structure represented by the formula (IIa) for producing a carboxy group by an acid or a structure represented by the formula (IIb) for producing a phenolic hydroxyl group by an acid,

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3),(A3) having an epoxy group and / or an oxetanyl group,

를 함유한다.Lt; / RTI &gt;

(A) 중합체는, 알칼리 불용성이며, 또한, 식(Ia) 또는 식(Ib), 및, 식(Ⅱa) 또는 식(Ⅱb)의 각각에 있어서의 산분해성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다. 여기서, 본 발명에 있어서 산분해성기란, 산의 존재 하에서 분해하여, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 생성하는 것이 가능한 관능기를 나타낸다.The polymer (A) is an alkali-insoluble resin and is a resin which becomes alkali-soluble when the acid-decomposable groups in each of the formula (Ia) or the formula (Ib) and the formula (IIa) or the formula . Herein, the acid-decomposable group in the present invention refers to a functional group capable of decomposing in the presence of an acid to form a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group.

또한, 본 발명에 있어서의 「알칼리 가용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께3㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가, 0.005㎛/초 이상인 것을 말하고, 「알칼리 불용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께3㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가, 0.005㎛/초 미만인 것을 말한다."Alkali solubility" in the present invention means that the solution of the compound (resin) is coated on a substrate and the coating film (thickness: 3 μm) of the compound (resin) formed by heating at 90 ° C. for 2 minutes is 23 Means that the dissolution rate of the compound (resin) in an aqueous solution of 0.4% tetramethylammonium hydroxide at 0 占 폚 is 0.005 占 퐉 / sec or more. The term "alkali insoluble" means that the solution of the compound Refers to a dissolution rate of a coating film (thickness 3 占 퐉) of the compound (resin) formed by heating for minutes in an aqueous solution of 0.4% tetramethylammonium hydroxide at 23 占 폚 of less than 0.005 占 퐉 / second.

상기 (A) 중합체는, 상기 (A) 중합체 전체를 알칼리 불용성으로 유지하는 한, 산성기의 도입을 배제하는 것은 아니고, 후술하는 카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위(a4) 등을 갖고 있어도 좋다.The polymer (A) does not exclude the introduction of an acidic group, but may contain a monomer unit having a carboxyl group, a carboxylic acid anhydride residue and / or a phenolic hydroxyl group (a4 ) Or the like.

상기 (A) 중합체는, 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다.The polymer (A) is preferably an acrylic polymer.

본 발명에 있어서의 「아크릴계 중합체」는, 부가 중합형의 수지이며, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를 함유하는 중합체이며, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위 이외의 모노머 단위, 예를 들면, 스티렌류에 유래하는 모노머 단위나 비닐 화합물에 유래하는 모노머 단위 등을 갖고 있어도 좋다.The "acrylic polymer" in the present invention is a polymer of addition polymerization type and is a polymer containing a monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof, and is a polymer obtained by copolymerizing (meth) acrylic acid and / A monomer unit other than a monomer unit, for example, a monomer unit derived from a styrene or a monomer unit derived from a vinyl compound.

상기 (A) 중합체는, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를, 중합체에 있어서의 전 모노머 단위에 대해, 50몰% 이상인 것이 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위만으로 이루어지는 중합체인 것이 특히 바람직하다.The polymer (A) preferably has a monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or an ester thereof in an amount of 50 mol% or more, more preferably 80 mol% or more with respect to all monomer units in the polymer, (Meth) acrylic acid and / or an ester thereof.

또, 「(메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위」를 「아크릴계 모노머 단위」라고도 한다. 또한, (메타)아크릴산은, 메타크릴산 및/또는 아크릴산을 의미하는 것으로 한다.The "monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester" is also referred to as "acrylic monomer unit". Further, (meth) acrylic acid means methacrylic acid and / or acrylic acid.

<모노머 단위(a1)><Monomer unit (a1)>

상기 (A) 중합체는, 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1)를 함유한다. 식 중, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 개소를 나타낸다.The polymer (A) contains a monomer unit (a1) having a structure represented by the formula (Ia) for producing a carboxy group by an acid or a structure represented by the formula (Ib) for producing a phenolic hydroxyl group by an acid . In the formula, the broken line represents a bonding site with another structure.

Figure 112010066116678-pat00007
Figure 112010066116678-pat00007

식(Ia) 및 식(Ib) 중, R1은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.In the formulas (Ia) and (Ib), R 1 independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group.

R1에 있어서의 알킬기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 좋다.The alkyl group for R &lt; 1 &gt; may be linear or branched.

R1에 있어서의 알킬기의 바람직한 탄소수로서는, 1∼20인 것이 바람직하고, 1∼10인 것이 보다 바람직하고, 1∼7인 것이 더욱 바람직하다.The preferable number of carbon atoms of the alkyl group in R 1 is preferably 1 to 20, more preferably 1 to 10, and even more preferably 1 to 7.

R1에 있어서의 시클로알킬기의 바람직한 탄소수로서는, 3∼20인 것이 바람직하고, 3∼10인 것이 보다 바람직하고, 5∼7인 것이 더욱 바람직하다.The preferable number of carbon atoms of the cycloalkyl group in R 1 is preferably 3 to 20, more preferably 3 to 10, and still more preferably 5 to 7.

또, 이들 탄소수는, 치환기를 갖는 경우, 치환기의 탄소수도 포함된다.When these carbon atoms have a substituent, they include the carbon number of the substituent.

R1에 있어서의 알킬기는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The alkyl group for R 1 may be, for example, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group and n-decyl group.

R1에 있어서의 시클로알킬기로서는, 예를 들면, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.Examples of the cycloalkyl group for R 1 include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group and an isobornyl group.

또한, R1에 있어서의 알킬기 및 시클로알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.The alkyl group and cycloalkyl group in R 1 may have a substituent.

상기 알킬기 및 시클로알킬기에 있어서의 치환기로서는, 탄소수 1∼10의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등), 탄소수 3∼10의 시클로알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 시아노기, 니트로기, 히드록시기, 탄소수 1∼10의 알콕시기 등을 예시할 수 있고, 이들의 치환기는, 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.Examples of the substituent in the alkyl group and the cycloalkyl group include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group), a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, A halogen atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom), a cyano group, a nitro group, a hydroxy group, and an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms. These substituents may be further substituted by the above substituents.

또한, R1에 있어서의 알킬기 또는 시클로알킬기로서는, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수가 3∼10의 시클로알킬기, 또는, 탄소수가 7∼11의 아랄킬기가 바람직하고, 탄소수가 1∼6의 알킬기, 탄소수가 3∼6의 시클로알킬기, 또는, 벤질기가 보다 바람직하고, 에틸기 또는 시클로헥실기인 것이 더욱 바람직하고, 에틸기인 것이 특히 바람직하다.The alkyl group or cycloalkyl group in R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 11 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms , A cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms, or a benzyl group, more preferably an ethyl group or a cyclohexyl group, and particularly preferably an ethyl group.

식(Ia) 및 식(Ib) 중, R2는 알킬기를 나타낸다.In the formulas (Ia) and (Ib), R 2 represents an alkyl group.

R2에 있어서의 알킬기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 좋다.The alkyl group for R 2 may be linear or branched.

R2에 있어서의 알킬기의 바람직한 탄소수로서는, 1∼20인 것이 바람직하고, 1∼10인 것이 보다 바람직하고, 1∼7인 것이 더욱 바람직하다.The preferable number of carbon atoms of the alkyl group in R 2 is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 10, and even more preferably from 1 to 7.

또, 이들 탄소수는, 치환기를 갖는 경우, 치환기의 탄소수도 포함된다.When these carbon atoms have a substituent, they include the carbon number of the substituent.

또한, R2에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1∼6의 알킬기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.As the alkyl group for R 2 , an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is preferable, and a methyl group is particularly preferable.

또한, 식(Ia) 및 식(Ib) 중, R1과 R2는 연결하여 환상 에테르 구조를 형성해도 좋다(단, 6원환 구조를 제외한다). 환상 에테르 구조로서는, 4원환, 5원환, 7원환, 또는, 8원환 구조가 바람직하고, 5원환 구조인 것이 특히 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서, 6원환 구조의 경우는, 탈보호의 활성화 에너지가 높기 때문에, 모노머 단위(a1)에는 포함되지 않는 것으로 하고 있다.In the formulas (Ia) and (Ib), R 1 and R 2 may be connected to form a cyclic ether structure (except for a 6-membered ring structure). The cyclic ether structure is preferably a 4-membered ring, 5-membered ring, 7-membered ring, or 8-membered ring structure, particularly preferably a 5-membered ring structure. In the present invention, the 6-membered ring structure is not included in the monomer unit (a1) because the activation energy of deprotection is high.

식(Ib) 중, Ar1은, 2가의 방향족기를 나타내고, 방향환 위에 OCH(OR1)(R2)를 갖고 있다.In formula (Ib), Ar 1 represents a divalent aromatic group and has OCH (OR 1 ) (R 2 ) on the aromatic ring.

Ar1에 있어서의 2가의 방향족기로서는, 특별히 제한은 없고, 페닐렌기, 치환 페닐렌기, 나프틸렌기, 및, 치환 나프틸렌기 등을 예시할 수 있고, 페닐렌기, 또는, 치환 페닐렌기인 것이 바람직하고, 페닐렌기인 것이 보다 바람직하고, 1,4-페닐렌기인 것이 더욱 바람직하다.The bivalent aromatic group in Ar 1 is not particularly limited and examples thereof include a phenylene group, a substituted phenylene group, a naphthylene group, and a substituted naphthylene group, and examples thereof include a phenylene group or a substituted phenylene group More preferably a phenylene group, still more preferably a 1,4-phenylene group.

또한, Ar1에 있어서의 2가의 방향족기는, 방향환 위에 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는, 탄소수 1∼10의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등), 탄소수 3∼10의 시클로알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 시아노기, 니트로기, 히드록시기, 탄소수 1∼10의 알콕시기 등을 예시할 수 있고, 이들의 치환기는, 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.The divalent aromatic group in Ar 1 may have a substituent on the aromatic ring. Examples of the substituent include alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms (such as methyl, ethyl, propyl and butyl), cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms , A halogen atom (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group, and an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms. May be further substituted by the substituent.

본 발명에 있어서의 모노머 단위(a1)에서는, 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 보호된 구조인 상기 식(Ia) 및/또는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 함유한다.The monomer unit (a1) in the present invention contains the structure represented by the formula (Ia) and / or the formula (Ib), which is a structure in which a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group is protected.

카르복시기가 보호됨으로써 상기 식(Ia)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위를 형성할 수 있는 카르복시산 모노머로서는, 카르복시기가 보호됨으로써 모노머 단위(a1)가 될 수 있는 것이면 사용할 수 있고, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-메틸-p-카르복시스티렌 등의 모노카르복시산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복시산을 들 수 있다. 또한, 모노머 단위(a1)로서는, 이들 카르복시기가 보호된 카르복시산 유래의 모노머 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.The carboxylic acid monomer capable of forming a monomer unit having the structure represented by the formula (Ia) by protecting the carboxyl group can be used as long as it can be a monomer unit (a1) by protecting the carboxyl group. Examples of the carboxylic acid monomer include acrylic acid, Monocarboxylic acids such as methacrylic acid, crotonic acid, and? -Methyl-p-carboxystyrene; And dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid. The monomer unit (a1) is preferably a monomer unit derived from a carboxylic acid in which these carboxyl groups are protected.

페놀성 수산기가 보호됨으로써 상기 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위를 형성할 수 있는 페놀성 수산기를 갖는 모노머로서는, 페놀성 수산기가 보호됨으로써 모노머 단위(a1)가 될 수 있는 것이면 사용할 수 있고, 예를 들면, p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As the monomer having a phenolic hydroxyl group capable of forming a monomer unit having the structure represented by the formula (Ib) by protecting the phenolic hydroxyl group, there can be used a monomer having a phenolic hydroxyl group which can be a monomer unit (a1) For example, hydroxystyrenes such as p-hydroxystyrene and? -Methyl-p-hydroxystyrene, compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2008-40183, compounds disclosed in Japanese Patent No. 2888454 Hydroxybenzoic acid derivative as described in paragraphs 0007 to 0010 of the above-mentioned, an addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, an addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate, .

이들 중에서도, α-메틸-p-히드록시스티렌, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물이 보다 바람직하다.Of these, α-methyl-p-hydroxystyrene, compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-40183, 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, Addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, and addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferable.

이들 구조 중에서, 모노머 단위(a1)로서 특히 바람직한 것은, 식(Ⅲ)으로 표시되는 모노머 단위이다.Of these structures, particularly preferred as the monomer unit (a1) is a monomer unit represented by the formula (III).

Figure 112010066116678-pat00008
Figure 112010066116678-pat00008

식(Ⅲ) 중, R5는 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R5의 바람직한 태양은, 식(Ia) 및 식(Ib)에 있어서의 R1의 바람직한 태양과 같다.In the formula (III), R 5 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, and preferred embodiments of R 5 are the same as those of R 1 in formulas (Ia) and (Ib).

또한, 식(Ⅲ) 중, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In the formula (III), R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group.

식(Ⅲ)으로 표시되는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 바람직한 구체예로서는, 예를 들면, 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-에톡시에틸아크릴레이트, 1-메톡시에틸메타크릴레이트, 1-메톡시에틸아크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸아크릴레이트, 1-이소부톡시에틸메타크릴레이트, 1-이소부톡시에틸아크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸아크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸메타크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸아크릴레이트, 1-시클로헥실옥시에틸메타크릴레이트, 1-시클로헥실옥시에틸아크릴레이트, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸아크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸아크릴레이트 등을 들 수 있고, 특히 바람직한 것으로서는, 1-에톡시에틸메타크릴레이트 및 1-에톡시에틸아크릴레이트이다. 이들 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific preferred examples of the radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit represented by the formula (III) include 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl Methoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, Propyl methacrylate, 1-n-propyl methacrylate, 1-n-propyl methacrylate, 1- 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl acrylate, 1- Benzyloxyethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate, and the like, Particularly preferred are 1-ethoxyethyl methacrylate and 1-ethoxyethyl acrylate. These monomer units may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(a1)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판의 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 하기에 나타내는 바와 같이 (메타)아크릴산을 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르 화합물과 반응시킴으로써 합성할 수 있다.As the radically polymerizable monomer used for forming the monomer unit (a1), a commercially available one may be used, or a compound synthesized by a known method may be used. For example, it can be synthesized by reacting (meth) acrylic acid with a vinyl ether compound in the presence of an acid catalyst as shown below.

Figure 112010066116678-pat00009
Figure 112010066116678-pat00009

여기서, R5 및 R6은 각각, 식(Ⅲ)에 있어서의 R5 및 R6에 대응한다.Here, R 5 and R 6 each correspond to R 5 and R 6 in the formula (III).

또한, 모노머 단위(a1)는, 보호되는 카르복시기 또는 페놀성 수산기 함유 모노머를 후술하는 모노머 단위(a2)∼(a5)나 그 전구체와 중합한 후에, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 비닐에테르 화합물과 반응시킴으로써도 형성할 수 있다. 또, 이와 같이 하여 형성되는 바람직한 모노머 단위의 구체예는, 상기 라디칼 중합성 단량체의 바람직한 구체예 유래의 모노머 단위와 같다.The monomer unit (a1) is obtained by polymerizing a protected carboxyl group or a phenolic hydroxyl group-containing monomer with a monomer unit (a2) to (a5) described below or a precursor thereof and then reacting the carboxyl group or the phenolic hydroxyl group with a vinyl ether compound Can also be formed. Specific examples of the preferable monomer unit thus formed are the same as the monomer units derived from the preferred specific examples of the radical polymerizable monomer.

모노머 단위(a1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다.As specific preferred examples of the monomer unit (a1), the following monomer units can be exemplified.

Figure 112010066116678-pat00010
Figure 112010066116678-pat00010

상기 (A) 중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, 모노머 단위(a1)의 함유량은, 10∼80몰%가 바람직하고, 15∼70몰%가 더욱 바람직하고, 20∼60몰%가 특히 바람직하다. 모노머 단위(a2)와 함께, 모노머 단위(a1)를 상기 비율로 함유시킴으로써, 고감도이고 노광 래티튜드가 넓은 감광성 수지 조성물이 얻어진다.The content of the monomer unit (a1) in the total monomer units constituting the polymer (A) is preferably 10 to 80 mol%, more preferably 15 to 70 mol%, and particularly preferably 20 to 60 mol% . By containing the monomer unit (a1) together with the monomer unit (a2) in the above ratio, a photosensitive resin composition having high sensitivity and a large exposure latitude can be obtained.

<모노머 단위(a2)>&Lt; Monomer unit (a2) >

상기 (A) 중합체는, 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2)를 함유한다.The polymer (A) contains a monomer unit (a2) having a structure represented by the formula (IIa) for producing a carboxy group by an acid or a structure represented by the formula (IIb) for producing a phenolic hydroxyl group by an acid .

Figure 112010066116678-pat00011
Figure 112010066116678-pat00011

상기 식(Ⅱa) 및 식(Ⅱb) 중, R3은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R4는 제3급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, Ar2는 2가의 방향족기를 나타내고, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 개소를 나타낸다.In the formulas (IIa) and (IIb), R 3 represents a tertiary alkyl group or a 2-tetrahydropyranyl group, and R 4 represents a tertiary alkyl group, a tert-butoxycarbonyl group or a 2-tetrahydropyranyl group , Ar 2 represents a divalent aromatic group, and the broken line represents a bonding site with another structure.

R3 및 R4에 있어서의 제3급 알킬기로서는, 탄소수가 4∼20의 것이 바람직하고, 탄소수가 4∼14의 것이 보다 바람직하고, 탄소수가 4∼8의 것이 더욱 바람직하다.The tertiary alkyl group for R 3 and R 4 preferably has 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 14 carbon atoms, and more preferably 4 to 8 carbon atoms.

R3에 있어서의 제3급 알킬기 및 2-테트라히드로피라닐기, R4에 있어서의 제3급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기, Ar2에 있어서의 2가의 방향족기는, 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는, 탄소수 1∼10의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등), 탄소수 3∼10의 시클로알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 시아노기, 니트로기, 히드록시기, 탄소수 1∼10의 알콕시기 등을 예시할 수 있다. 이들의 치환기는, 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.The tertiary alkyl group and the 2-tetrahydropyranyl group in R 3 , the tertiary alkyl group in R 4 , the tert-butoxycarbonyl group or the 2-tetrahydropyranyl group, and the bivalent aromatic group in Ar 2 , (Such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group or a butyl group), a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, A chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom), a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group, and an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms. These substituents may be further substituted by the above substituents.

또한, R3 및 R4에 있어서의 제3급 알킬기로서는, 이하에 나타내는 식(V)으로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 보다 바람직하다.The tertiary alkyl group in R 3 and R 4 is more preferably at least one selected from the group consisting of the groups represented by the following formula (V).

-C(R9R10R11) (V) -C (R 9 R 10 R 11 ) (V)

식 중, R9, R10 및 R11은 각각 독립적으로, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 3∼12의 시클로알킬기, 탄소수 6∼12의 아릴기 또는 탄소수 7∼12의 아랄킬기를 나타내고, 또한, R9, R10 및 R11의 어느 둘이 서로 결합하여 그들이 결합하고 있는 탄소 원자와 일체로 되어 환을 형성하고 있어도 좋다.In the formulas, R 9 , R 10 and R 11 each independently represent an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, , R 9 , R 10 and R 11 may be bonded to each other to form a ring with the carbon atom to which they are bonded.

식(V)에 있어서의 R9, R10 및 R11의 탄소수 1∼12의 알킬기는, 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 좋고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 9 , R 10 and R 11 in the formula (V) may be straight chain or branched chain, and examples thereof include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, texyl group (2,3-dimethyl-2-butyl group), n -Hexyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, and n-decyl group.

탄소수 3∼12의 시클로알킬기로서는, 예를 들면, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.Examples of the cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group and an isobornyl group.

탄소수 6∼12의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 들 수 있다.Examples of the aryl group having 6 to 12 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a cumenyl group, and a 1-naphthyl group.

탄소수 7∼12의 아랄킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있다.Examples of the aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms include benzyl group,? -Methylbenzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group and the like.

또한, R9, R10 및 R11은 서로 결합하여, 그들이 결합하고 있는 탄소 원자와 일체로 되어 환을 형성할 수 있다. R9와 R10, R9와 R11, 또는, R10과 R11이 결합한 경우의 환 구조로서는, 예를 들면, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기, 및, 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.Further, R 9 , R 10 and R 11 may bond to each other to form a ring together with the carbon atom to which they are bonded. Examples of the ring structure when R 9 and R 10 , R 9 and R 11 , or R 10 and R 11 are bonded include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a tetrahydrofuran An adamantyl group, and a tetrahydropyranyl group.

또한, 식(Ⅱa)에 있어서의 R3은, 탄소수 4∼12의 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8의 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기인 것이 보다 바람직하고, t-부틸기 또는 2-테트라히드로피라닐기인 것이 더욱 바람직하고, t-부틸기가 특히 바람직하다.In the formula (IIa), R 3 is preferably a tertiary alkyl group having 4 to 12 carbon atoms or a 2-tetrahydropyranyl group, more preferably a tertiary alkyl group having 4 to 8 carbon atoms or a 2-tetrahydropyranyl More preferably a t-butyl group or a 2-tetrahydropyranyl group, and a t-butyl group is particularly preferable.

또한, 식(Ⅱb)에 있어서의 R4는, 탄소수 4∼12의 제3급 알킬기, 2-테트라히드로피라닐기, tert-부톡시카르보닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼12의 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기인 것이 보다 바람직하고, t-부틸기 또는 2-테트라히드로피라닐기인 것이 더욱 바람직하고, 2-테트라히드로피라닐기가 특히 바람직하다.R 4 in the formula (IIb) is preferably a tertiary alkyl group having 4 to 12 carbon atoms, a 2-tetrahydropyranyl group, a tert-butoxycarbonyl group, a tertiary alkyl group having 4 to 12 carbon atoms, More preferably a 2-tetrahydropyranyl group, still more preferably a t-butyl group or a 2-tetrahydropyranyl group, and particularly preferably a 2-tetrahydropyranyl group.

식(Ⅱb) 중, Ar2는, 2가의 방향족기를 나타내고, 방향환 위에 OCH(OR1)(R2)를 갖고 있다.In the formula (IIb), Ar 2 represents a divalent aromatic group and has OCH (OR 1 ) (R 2 ) on the aromatic ring.

식(Ⅱb)에 있어서의 Ar2의 바람직한 태양은, 상기 식(Ⅱa)에 있어서의 Ar1의 바람직한 태양과 같다.A preferable embodiment of Ar 2 in the formula (IIb) is the same as the preferred embodiment of Ar 1 in the formula (IIa).

본 발명에 있어서의 모노머 단위(a2)에서는, 상기 식(Ⅱa)으로 표시되는 보호된 카르복시기, 및/또는, 상기 식(Ⅱb)으로 표시되는 보호된 페놀성 수산기를 함유한다.The monomer unit (a2) in the present invention contains a protected carboxyl group represented by the formula (IIa) and / or a protected phenolic hydroxyl group represented by the formula (IIb).

카르복시기가 보호됨으로써 상기 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위를 형성할 수 있는 카르복시산 모노머로서는, 카르복시기가 보호됨으로써 모노머 단위(a2)가 될 수 있는 것이면 사용할 수 있고, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-메틸-p-카르복시스티렌 등의 모노카르복시산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복시산을 들 수 있다. 또한, 모노머 단위(a2)로서는, 이들 카르복시기가 보호된 카르복시산 유래의 모노머 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid monomer capable of forming a monomer unit having a structure represented by the formula (IIa) by protecting the carboxyl group include those capable of forming a monomer unit (a2) by protecting the carboxyl group, and examples thereof include acrylic acid, Monocarboxylic acids such as methacrylic acid, crotonic acid, and? -Methyl-p-carboxystyrene; And dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid. The monomer unit (a2) is preferably a monomer unit derived from a carboxylic acid protected with these carboxyl groups.

페놀성 수산기가 보호됨으로써 상기 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위를 형성할 수 있는 페놀성 수산기를 갖는 모노머로서는, 페놀성 수산기가 보호됨으로써 모노머 단위(a2)가 될 수 있는 것이면 사용할 수 있고, 예를 들면 p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As the monomer having a phenolic hydroxyl group capable of forming a monomer unit having the structure represented by the above formula (IIb) by protecting the phenolic hydroxyl group, there can be used a monomer having a phenolic hydroxyl group which can be a monomer unit (a2) And examples thereof include hydroxystyrenes such as p-hydroxystyrene and? -Methyl-p-hydroxystyrene, compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2008-40183, compounds described in Japanese Patent No. 2888454 4-hydroxybenzoic acid derivative as described in paragraphs 0007 to 0010, an addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, an addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate, .

이들 중에서도, α-메틸-p-히드록시스티렌, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물이 보다 바람직하다.Of these, α-methyl-p-hydroxystyrene, compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-40183, 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, Addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, and addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferable.

이들 구조 중에서, 모노머 단위(a2)로서 특히 바람직한 것은, 하기식(IV)으로 표시되는 모노머 단위이다.Of these structures, particularly preferable as the monomer unit (a2) is a monomer unit represented by the following formula (IV).

Figure 112010066116678-pat00012
Figure 112010066116678-pat00012

식(IV) 중, R7은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In the formula (IV), R 7 represents a tertiary alkyl group or a 2-tetrahydropyranyl group, and R 8 represents a hydrogen atom or a methyl group.

또, 식(IV) 중, R7의 바람직한 태양은, 식(Ⅱa)에 있어서의 R3의 바람직한 태양과 같다.In formula (IV), preferred examples of R 7 are the same as those of R 3 in formula (IIa).

식(IV)으로 표시되는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 바람직한 구체예로서는, 예를 들면, 메타크릴산tert-부틸, 아크릴산tert-부틸, 메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일, 아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일, 메타크릴산2-메틸-2-아다만틸, 아크릴산2-메틸-2-아다만틸, 메타크릴산1-메틸시클로헥실, 아크릴산1-메틸시클로헥실 등을 들 수 있고, 특히 메타크릴산tert-부틸, 아크릴산tert-부틸이 바람직하다. 이들 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific preferred examples of the radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit represented by the formula (IV) include, for example, tert-butyl methacrylate, tert-butyl acrylate, tetrahydro- Methyl-2-adamantyl methacrylate, 2-methyl-2-adamantyl acrylate, 1-methylcyclohexyl methacrylate, acrylic acid 1-methylcyclohexyl, and the like. Of these, tert-butyl methacrylate and tert-butyl acrylate are particularly preferable. These monomer units may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(a2)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다.As specific preferred examples of the monomer unit (a2), the following monomer units can be exemplified.

Figure 112010066116678-pat00013
Figure 112010066116678-pat00013

상기 (A) 중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, 모노머 단위(a2)의 함유량은, 5∼60몰%가 바람직하고, 10∼50몰%가 더욱 바람직하고, 10∼40몰%가 특히 바람직하다. 모노머 단위(a1)와 함께, 모노머 단위(a2)를 상기 비율로 함유시킴으로써, 고감도이고 노광 래티튜드가 넓은 감광성 수지 조성물이 얻어진다.The content of the monomer unit (a2) in the total monomer units constituting the polymer (A) is preferably from 5 to 60 mol%, more preferably from 10 to 50 mol%, and particularly preferably from 10 to 40 mol% . By containing the monomer unit (a2) together with the monomer unit (a1) in the above ratio, a photosensitive resin composition having high sensitivity and a large exposure latitude can be obtained.

<에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)><Monomer Unit (a3) Having an Epoxy Group and / or Oxetanyl Group>

상기 (A) 중합체는, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)를 함유한다.The polymer (A) contains a monomer unit (a3) having an epoxy group and / or an oxetanyl group.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)로서는, 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인 것이 바람직하고, 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인 것이 보다 바람직하다.The monomer unit (a3) having an epoxy group and / or an oxetanyl group is preferably a monomer unit having an alicyclic epoxy group and / or an oxetanyl group, and more preferably a monomer unit having an oxetanyl group.

지환 에폭시기는, 지방족환과 에폭시환이 축합환을 형성하고 있는 기이며, 구체적으로는 예를 들면, 3,4-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로펜틸기 등을 바람직하게 들 수 있다.The alicyclic epoxy group is a group in which an aliphatic ring and an epoxy ring form a condensed ring, and specific examples thereof include 3,4-epoxycyclohexyl group, 2,3-epoxycyclohexyl group, 2,3-epoxycyclopentyl group And the like.

옥세타닐기를 갖는 기로서는, 옥세탄환을 갖고 있으면, 특별히 제한은 없지만, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기가 바람직하게 예시할 수 있다.The group having an oxetanyl group is not particularly limited as long as it has an oxetanyl ring, but a (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group can be preferably exemplified.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위는, 하나의 모노머 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 하나 갖고 있으면 좋고, 하나 이상의 에폭시기 및 하나 이상의 옥세타닐기, 둘 이상의 에폭시기, 또는, 둘 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 좋고, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 하나∼셋 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 하나 또는 둘 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 하나 갖는 것이 더욱 바람직하다.The monomer unit having an epoxy group and / or oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one monomer unit, and may contain at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, two or more epoxy groups, And it is preferable to have one to three epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, more preferably one or two epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, more preferably epoxy group or oxetanyl group, More preferably has one aryl group.

에폭시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제4168443호 공보의 단락0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.Specific examples of the radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit having an epoxy group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl? -Ethyl acrylate, glycidyl? -N-propyl acrylate Epoxycyclohexyl methacrylate, glycidyl acrylate, glycidyl? -N-butyl acrylate,? -Epoxybutyl acrylate,? -Epoxybutyl methacrylate, Epoxy heptyl,? -Ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, and Japanese Patent No. 4168443 Compounds containing an alicyclic epoxy skeleton described in Nos. 0031 to 0035, and the like.

옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 예를 들면, 일본 특개2001-330953호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomer used to form the monomer unit having an oxetanyl group include (meth) acrylic acid esters having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953 .

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 메타크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.Examples of the radically polymerizable monomer used for forming a monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group are monomers containing a methacrylate ester structure and monomers containing an acrylic ester structure.

이들 모노머 중에서, 더욱 바람직한 것으로서는, 일본 특허 제4168443호 공보의 단락0034∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본 특개2001-330953호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이며, 특히 바람직한 것으로서는 일본 특개2001-330953호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이다. 이들 중에서도 바람직한 것은, 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이며, 가장 바람직한 것은 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Of these monomers, compounds having an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443 and compounds having an oxetanyl group described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A-2001-330953 (Meth) acrylic acid ester, and particularly preferred is a (meth) acrylic acid ester having an oxetanyl group as described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-330953. Among these, preferred are acrylic esters such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, methyl (3-ethyloxetan-3-yl) (3-ethyloxetan-3-yl) methyl, and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These monomer units may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(a3)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다.As specific preferred examples of the monomer unit (a3), the following monomer units can be exemplified.

Figure 112010066116678-pat00014
Figure 112010066116678-pat00014

상기 (A) 중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)의 함유율은, 10∼80몰%가 바람직하고, 15∼70몰%가 더욱 바람직하고, 20∼65몰%가 특히 바람직하다. 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 상기 비율로 함유시킴으로써, 경화막의 물성이 양호하게 된다.The content of the monomer unit (a3) having an epoxy group and / or an oxetanyl group is preferably from 10 to 80 mol%, more preferably from 15 to 70 mol%, and most preferably from 10 to 70 mol%, of all the monomer units constituting the polymer (A) And particularly preferably from 20 to 65 mol%. By containing the monomer unit having an epoxy group and / or an oxetanyl group in the above ratio, the physical properties of the cured film become good.

<카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위(a4)><Monomer Unit (a4) Having Carboxyl Group, Carboxylic Acid Anhydride Residue and / or Phenolic Hydroxyl Group>

상기 (A) 중합체는, 상기 (A) 중합체가 알칼리 가용성으로 되지 않는 범위에서, 카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 함유하는 것이 바람직하고, 카르복시기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 함유하는 것이 보다 바람직하다.The polymer (A) preferably contains a monomer unit having a carboxyl group, a carboxylic acid anhydride residue and / or a phenolic hydroxyl group within the range that the polymer (A) does not become alkali soluble, and the carboxyl group and / or the phenolic hydroxyl group Is more preferable.

카르복시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복시산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복시산을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Examples of the radically polymerizable monomers used for forming the monomer unit having a carboxyl group include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; Dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, and itaconic acid are preferable.

또한, 카르복시산무수물 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 무수말레산, 무수이타콘산 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As the radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit having a carboxylic acid anhydride residue, for example, maleic anhydride, itaconic anhydride and the like are preferably used.

페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Examples of the radical polymerizable monomer used for forming the monomer unit having a phenolic hydroxyl group include hydroxystyrenes such as p-hydroxystyrene and? -Methyl-p-hydroxystyrene, 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, 4 - addition reaction product of hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate, and the like are preferably used.

이들 중에서도, 메타크릴산, 아크릴산, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물이 더욱 바람직하고, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물이 특히 바람직하다. 이들 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Of these, methacrylic acid, acrylic acid, compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-40183, 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, Addition reaction products of benzoic acid and glycidyl methacrylate, and addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferred, and compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-40183, 4-hydroxybenzoic acid derivative as described in paragraphs 0007 to 0010 of the Japanese Patent No. 2888454, addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate Is particularly preferable. These monomer units may be used alone or in combination of two or more.

모노머 단위(a4)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다.As specific preferred examples of the monomer unit (a4), the following monomer units can be exemplified.

Figure 112010066116678-pat00015
Figure 112010066116678-pat00015

상기 (A) 중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, 카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위(a4)를 함유시키는 경우에 있어서의 (a4) 성분의 함유율은, 1∼25몰%가 바람직하고, 2∼25몰%가 더욱 바람직하고, 3∼20몰%가 특히 바람직하다. 카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 상기 비율로 함유시킴으로써, 고감도가 얻어지고, 또한, 현상성도 양호하게 된다.When the monomer unit (a4) having a carboxyl group, a carboxylic acid anhydride residue and / or a phenolic hydroxyl group is contained among all the monomer units constituting the polymer (A), the content of the component (a4) is 1 to 25 mol %, More preferably 2 to 25 mol%, and particularly preferably 3 to 20 mol%. By containing a monomer unit having a carboxyl group, a carboxylic acid anhydride residue and / or a phenolic hydroxyl group at the above ratio, a high sensitivity can be obtained and also the developing property can be improved.

<그 밖의 모노머 단위(a5)>&Lt; Other monomer unit (a5) >

상기 (A) 중합체는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서, 상기 (a1)∼(a4) 이외의 모노머 단위(a5)(이하, 「(a5) 성분」 또는 「그 밖의 모노머 단위(a5)」라고도 한다)를 함유해도 좋다.The polymer (A) may further contain monomer units (a5) other than the above (a1) to (a4) (hereinafter referred to as "component (a5)" or "other monomer units (a5 ) &Quot;).

(a5) 성분을 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 일본 특개2004-264623호 공보의 단락0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다(단, 상기 (a1)∼(a4)의 모노머 단위를 제외한다).Examples of the radically polymerizable monomer used for forming the component (a5) include the compounds described in paragraphs 0021 to 0024 of JP-A-2004-264623 (provided that (a1) to (a4) &Lt; / RTI &gt; except for the monomer units of &lt; RTI ID =

이들 중에서도, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산시클로헥실, 아크릴산시클로헥실과 같은 지환 구조 함유의 (메타)아크릴산에스테르류, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, 스티렌 등을 바람직한 예시할 수 있다. 이들 중에서도, (메타)아크릴산2-히드록시에틸을 보다 바람직하게 예시할 수 있다.Among them, (meth) acrylic esters containing an alicyclic structure such as dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate and cyclohexyl acrylate, methyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl Styrene and the like can be preferably exemplified. Of these, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is more preferably exemplified.

이들의 (a5) 성분은, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These (a5) components may be used singly or in combination of two or more.

상기 (A) 중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, (a5) 성분을 함유시키는 경우에 있어서의 (a5) 성분의 함유율은, 1∼50몰%가 바람직하고, 5∼40몰%가 더욱 바람직하고, 5∼30몰%가 특히 바람직하다.The content of the component (a5) in the case where the component (a5) is contained in the total monomer units constituting the polymer (A) is preferably 1 to 50 mol%, more preferably 5 to 40 mol% , And particularly preferably from 5 to 30 mol%.

상기 (A) 중합체의 중량평균 분자량은, 1,000∼100,000인 것이 바람직하고, 2,000∼50,000인 것이 보다 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 중량평균 분자량은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight of the polymer (A) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 50,000. The weight average molecular weight in the present invention is preferably a polystyrene reduced weight average molecular weight determined by gel permeation chromatography (GPC).

또한, 상기 (A) 중합체의 합성법에 대해서도, 다양한 방법이 알려져 있지만, 일례를 들면, 적어도 모노머 단위(a1), 모노머 단위(a2) 및 모노머 단위(a3)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 함유하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합함으로써 합성할 수 있다.Various methods are also known for the synthesis of the polymer (A). For example, there are known methods for synthesizing the polymer (A), and examples thereof include a radical polymerizable monomer (a2) used for forming at least a monomer unit (a1), a monomer unit Can be synthesized by polymerization of a radical polymerizable monomer mixture containing a radical polymerization initiator in an organic solvent.

이하, 본 발명에서 사용되는 상기 (A) 중합체로서, 바람직한 것을 예시하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Preferable examples of the polymer (A) used in the present invention are illustrated below, but the present invention is not limited thereto.

또, 하기에 예시한 상기 (A) 중합체의 중량평균 분자량은, 2,000∼50,000인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight of the polymer (A) shown below is preferably 2,000 to 50,000.

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산글리시딜 공중합체1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / glycidyl methacrylate copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 공중합체1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산글리시딜/메타크릴산/스티렌 공중합체1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid / styrene copolymer

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 공중합체Methyl methacrylate tetrahydrofuran-2-yl / methacrylic acid tert-butyl / glycidyl methacrylate / methacrylic acid copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 공중합체1-ethoxyethyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate / glycidyl methacrylate / methacrylic acid copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸 공중합체1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/메타크릴산 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / methacrylic acid copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy- coalescence

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl)

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2- Hydroxyethyl copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산메틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methyl methacrylate coalescence

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate / 3,4-epoxycyclohexylmethyl 4-hydroxybenzoate (3-methacryloyloxypropyl) Ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate / 3,4-epoxycyclohexylmethyl 4-hydroxybenzoate (3-methacryloyloxypropyl) Ester / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체(3-methacryloyloxypropyl) ester copolymer of 1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate / 4-hydroxybenzoic acid

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl acrylate 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxy Ethyl copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 공중합체Ethyl methacrylate / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 공중합체Butyl methacrylate / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid copolymer

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 공중합체Methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid copolymer

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산/스티렌 공중합체Methyl methacrylate / methacrylic acid / styrene copolymer (3-ethyloxetan-3-yl) methyl methacrylate tetrahydrofuran-2-yl / methacrylic acid tert-

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxy Propyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체(3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester copolymer of 1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate /

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산2-메틸-2-아다만틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyl Oxypropyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산1-메틸-1-시클로헥실/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체(3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy) methacrylic acid 1-methyl-1-cyclohexyl methacrylate / Propyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르 공중합체(2-methacryloyloxyethyl) ester copolymer of 1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoate

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(6-메타크릴로일옥시헥실)에스테르 공중합체(6-methacryloyloxyhexyl) ester copolymer of 1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoate

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산메틸 공중합체Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid Methyl acrylate copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxyethyl) 1-oxypropyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxyethyl) 1-oxypropyl) ester / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체(3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester copolymer of 1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate /

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸 공중합체Ethyl methacrylate / 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체(Methacryloyloxy) ethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 공중합체Methyl (meth) acrylate / methacrylic acid / 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate / tert-butyl methacrylate /

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl methacrylate / ) Ester / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1 - (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate / tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate / 3,4-epoxycyclohexylmethyl 4-hydroxybenzoic acid 1-oxypropyl) ester / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3 (ethylcyclohexyloxy) ethyl methacrylate / tetrahydro- - methacryloyloxypropyl) ester / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-에톡시에틸에테르/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 공중합체Ethoxyethyl ether of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / tert-butyl methacrylate / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid Copolymer

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-에톡시에틸에테르/α-메틸-p-히드록시스티렌의 tert-부톡시카르보닐기 보호체/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 공중합체Ethoxyethyl ether of? -Hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / tert-butoxycarbonyl protecting group of? -Methyl-p-hydroxystyrene / methacrylic acid Cetane-3-yl) methyl / methacrylic acid copolymer

4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 1-에톡시에틸에테르/메타크릴산4-히드록시페닐의 tert-부틸기 보호체/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 공중합체Ethoxyethyl ether of 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester / protected tert-butyl group of 4-hydroxyphenyl methacrylate / methacrylic acid (3-ethyloxetane- 3-yl) methyl / methacrylic acid copolymer

(A) 중합체는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.The polymer (A) may be used singly or in combination of two or more.

상기 (A) 중합체에 있어서의 식(I)으로 표시되는 모노머 단위(a1)의 함유 몰량은, 식(Ⅱ)으로 표시되는 모노머 단위(a2)의 함유 몰량보다 많은 것이 바람직하다.The molar amount of the monomer unit (a1) represented by the formula (I) in the polymer (A) is preferably larger than the molar amount of the monomer unit (a2) represented by the formula (II).

상기 (A) 중합체에 있어서의 식(I)으로 표시되는 모노머 단위(a1)와, 식(Ⅱ)으로 표시되는 모노머 단위(a2)와의 함유비는, 몰비로, 모노머 단위(a1):모노머 단위(a2)=100:200∼100:5인 것이 바람직하고, 100:100∼100:10인 것이 보다 바람직하고, 100:90∼100:20인 것이 더욱 바람직하다.The content ratio of the monomer unit (a1) represented by the formula (I) and the monomer unit (a2) represented by the formula (II) in the polymer (A) (a2) is preferably 100: 200 to 100: 5, more preferably 100: 100 to 100: 10, and even more preferably 100: 90 to 100: 20.

또한, 상기 (A) 중합체에 있어서의 식(I)으로 표시되는 모노머 단위(a1)와, 식(Ⅱ)으로 표시되는 모노머 단위(a2)와, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)와의 함유비는, 몰비로, 모노머 단위(a1):모노머 단위(a2):모노머 단위(a3)=100:(5∼200):(10∼200)인 것이 바람직하고, 100:(10∼100):(50∼150)인 것이 보다 바람직하고, 100:(20∼90):(50∼150)인 것이 더욱 바람직하다.The monomer unit (a1) represented by the formula (I), the monomer unit (a2) represented by the formula (II) and the monomer unit having an epoxy group and / or oxetanyl group in the polymer (A) (a1): monomer unit (a2): monomer unit (a3) = 100: (5 to 200) :( 10 to 200) More preferably 100: (20 to 90) :( 50 to 150).

본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 상기 (A) 중합체의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대해, 20∼99중량%인 것이 바람직하고, 40∼97중량%인 것이 보다 바람직하고, 60∼95중량%인 것이 더욱 바람직하다. 함유량이 이 범위이면, 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호하게 된다. 또, 감광성 수지 조성물의 고형분량이란, 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다.The content of the polymer (A) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 20 to 99% by weight, more preferably 40 to 97% by weight, and more preferably 60 to 95% by weight based on the total solid content of the photosensitive resin composition %. When the content is within this range, pattern formation property upon development becomes good. The solid content of the photosensitive resin composition means an amount excluding volatile components such as a solvent.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중에서는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 (A) 중합체 이외의 수지를 병용해도 좋다. 단, (A) 중합체 이외의 수지의 함유량은, 현상성의 관점에서 (A) 중합체의 함유량보다 적은 쪽이 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, resins other than the polymer (A) may be used in combination within the range not hindering the effect of the present invention. However, the content of the resin other than the polymer (A) is preferably smaller than the content of the polymer (A) from the viewpoint of developability.

(B) 광산 발생제(B)

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (B) 광산 발생제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (B) a photoacid generator.

본 발명에서 사용되는 광산 발생제(「(B) 성분」이라고도 한다)로서는, 파장 300nm 이상, 바람직하게는 파장 300∼450nm의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300nm 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도, 증감제와 병용함으로써 파장 300nm 이상의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생하는 화합물이면, 증감제와 조합하여 바람직하게 사용할 수 있다.As the photoacid generator (also referred to as "component (B)") used in the present invention, a compound which generates an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or longer, preferably 300-450 nm is preferable, . In the case of a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid upon exposure to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by using in combination with a sensitizer can be preferably used in combination with a sensitizer.

본 발명에서 사용되는 광산 발생제로서는, pKa가 4 이하의 산을 발생하는 광산 발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하의 산을 발생하는 광산 발생제가 보다 바람직하다.As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less is preferable, and a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less is more preferable.

광산 발생제의 예로서, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 설포늄염이나 요오도늄염, 제4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드설포네이트 화합물, 및, 옥심설포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 절연성의 관점에서, 옥심설포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazine, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imide sulfonate compounds, and oxime sulfonate compounds have. Of these, oxime sulfonate compounds are preferably used from the viewpoint of insulating properties. These photoacid generators may be used alone or in combination of two or more.

이들의 구체예로서는, 이하를 예시할 수 있다.Specific examples thereof include the following.

트리클로로메틸-s-트리아진류로서, 2-(3-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 또는, 2-(4-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등; As trichloromethyl-s-triazines, 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -S-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) Triazine, 2-piperonyl-bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan- (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, or 2- (4-methylphenyl) ethenyl] -bis Naphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine;

디아릴요오도늄염류로서, 디페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트, 또는, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄p-톨루엔설포네이트 등; As the diaryl iodonium salts, diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluoromethane sulfonate, 4-methoxy (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, phenyl 4- (2'-hydroxy-1'- -Tetradecaoxy) phenyliodonium hexafluoroantimonate or phenyl-4- (2'-hydroxy-1'-tetradecarboxy) phenyl iodonium p-toluenesulfonate;

트리아릴설포늄염류로서, 트리페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 또는, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트 등; As the triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenyl Sulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, or 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate; and the like;

제4급 암모늄염류로서, 테트라메틸암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트 등; Examples of the quaternary ammonium salts include tetramethylammonium butyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) (P-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammonium hexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate, and the like can be used. ;

디아조메탄 유도체로서, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(t-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄 등; Diazomethane derivatives such as bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (t-butylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane and the like;

이미드설포네이트 유도체로서, 트리플루오로메틸설포닐옥시비시클로[2.2.1]-헵토-5-엔-디카르복시이미드, 숙신이미드트리플루오로메틸설포네이트, 프탈이미드트리플루오로메틸설포네이트, N-히드록시나프탈이미드메탄설포네이트, N-히드록시-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드프로판설포네이트 등; As the imide sulfonate derivative, trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] -hept-5-ene-dicarboxyimide, succinimide trifluoromethylsulfonate, phthalimide trifluoromethylsulfone N-hydroxynaphthalimide methanesulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimidopropane sulfonate and the like;

옥심설포네이트 화합물로서, 이하에 나타내는 화합물.As the oxime sulfonate compound, the following compounds.

옥심설포네이트 화합물, 즉, 옥심설포네이트 잔기를 갖는 화합물로서는, 식(2)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물이 바람직하게 예시할 수 있다.As the oxime sulfonate compound, that is, the compound having an oxime sulfonate moiety, a compound containing an oxime sulfonate moiety represented by the formula (2) can be preferably exemplified.

Figure 112010066116678-pat00016
Figure 112010066116678-pat00016

식(2) 중, R5는, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 어느 기도 치환되어도 좋고, R5에 있어서의 알킬기는 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 환상이어도 좋다. 허용되는 치환기는, 이하에 설명한다.In the formula (2), R 5 represents an alkyl group or an aryl group. The alkyl group in R &lt; 5 &gt; may be linear, branched or cyclic. The permissible substituents are described below.

R5의 알킬기로서는, 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬기가 바람직하다.As the alkyl group for R 5 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable.

R5의 알킬기는, 탄소수 6∼11의 아릴기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 또는, 시클로알킬기(7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교식(有橋式) 지환기를 포함하는, 바람직하게는 비시클로알킬기 등)로 치환되어도 좋다.The alkyl group of R 5 is preferably an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a cycloalkyl group (including bridged alicyclic groups such as a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group) Preferably a bicycloalkyl group, etc.).

R5의 아릴기로서는, 탄소수 6∼11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다. R5의 아릴기는, 저급 알킬기, 알콕시기 혹은 할로겐 원자로 치환되어도 좋다.As the aryl group for R 5, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R 5 may be substituted with a lower alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.

식(2)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 상기 화합물은, 하기식(3)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate residue represented by the formula (2) is more preferably an oxime sulfonate compound represented by the following formula (3).

Figure 112010066116678-pat00017
Figure 112010066116678-pat00017

식(3) 중, R5는, 식(2)에 있어서의 R5와 동의(同義)이며, X는, 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자를 나타내고, m은, 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다.In the formula (3), R 5 has the same meaning as R 5 in the formula (2), X represents an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, m represents an integer of 0 to 3 , and when m is 2 or 3, plural Xs may be the same or different.

X로 표시되는 알킬기로서는, 탄소 원자수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.As the alkyl group represented by X, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.

X로 표시되는 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.The alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

X로 표시되는 할로겐 원자로서는, 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

m은, 0 또는 1이 바람직하다.m is preferably 0 or 1.

식(3) 중, m이 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토 위치이며, R5가 탄소수 1∼10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기, 또는 p-톨릴기인 화합물이 특히 바람직하다.In the formula (3), m is 1, X is a methyl group, X is a substituted position in an ortho position, R 5 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a 7,7-dimethyl-2-oxonorbornylmethyl group , Or a p-tolyl group.

옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물(i), 화합물(ii), 화합물(iii), 화합물(iv) 등을 들 수 있고, 1종 단독으로 사용하거나, 또는, 2종류 이상을 병용할 수 있다. 화합물(i)∼(iv)는, 시판품으로서, 입수할 수 있다. 또한, 다른 종류의 (B) 광산 발생제와 조합하여 사용할 수도 있다.Specific examples of the oxime sulfonate compound include the following compounds (i), (ii), (iii), (iv) and the like, and they can be used singly or in combination of two or more kinds. have. The compounds (i) to (iv) are commercially available. It may also be used in combination with other types of (B) photoacid generators.

Figure 112010066116678-pat00018
Figure 112010066116678-pat00018

광산 발생제로서는, 식(Ⅱ)으로 표시되는 광산 발생제인 것도 바람직하다.As the photoacid generator, a photoacid generator represented by the formula (II) is also preferable.

Figure 112010066116678-pat00019
Figure 112010066116678-pat00019

식(Ⅱ) 중, R4A는, 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, L은 0∼5의 정수를 나타낸다. R3A는, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타내고, W는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기를 나타내는 것이다.In formula (II), R 4A represents a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a cyano group or a nitro group, and L represents an integer of 0 to 5 . R 3A is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, A phenyl group, a naphthyl group which may be substituted with W, or an anthranyl group which may be substituted with W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, An alkoxy group, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식(Ⅱ)에 있어서의 R3A로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 p-톨릴기인 것이 특히 바람직하다.Examples of R 3A in the formula (II) include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl, n-octyl, N-butyl group, p-tolyl group, 4-chlorophenyl group or pentafluorophenyl group is preferable, and methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group or p-tolyl group is particularly preferable.

R4A로 표시되는 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자가 바람직하다.As the halogen atom represented by R 4A , a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom is preferable.

R4A로 표시되는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기로서는, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.The alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A is preferably a methyl group or an ethyl group.

R4A로 표시되는 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기로서는, 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A , a methoxy group or an ethoxy group is preferable.

L로서는, 0∼2가 바람직하고, 0∼1이 특히 바람직하다.L is preferably 0 to 2, and particularly preferably 0 to 1.

식(Ⅱ)으로 표시되는 광산 발생제에 포함되는 화합물의 바람직한 태양으로서는, R3A가 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-톨릴기를 나타내고, R4A가 수소 원자 또는 메톡시기를 나타내고, L이 0∼1의 태양이다.Preferred examples of the compound included in the photoacid generator represented by the formula (II) include a compound wherein R 3A represents a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group or a 4-tolyly group, R 4A represents a hydrogen atom or a methoxy group And L is a number of 0 to 1.

이하, 식(Ⅱ)으로 표시되는 광산 발생제에 포함되는 화합물의 특히 바람직한 예를 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, particularly preferred examples of the compound included in the photoacid generator represented by the formula (II) are shown, but the present invention is not limited thereto.

α-(메틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=메틸기, R4A=수소 원자)? - (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = methyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(에틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=에틸기, R4A=수소 원자)? - (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = ethyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(n-프로필설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=n-프로필기, R4A=수소 원자)? - (n-propylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = n-propyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(n-부틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=n-부틸기, R4A=수소 원자)? - (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = n-butyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(4-톨루엔설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=4-톨릴기, R4A=수소 원자)? - (4-toluenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = 4-tolyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-〔(메틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=메틸기, R4A=메톡시기)? - [(methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = methyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(에틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=에틸기, R4A=메톡시기)? - [(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = ethyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(n-프로필설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=n-프로필기, R4A=메톡시기)methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = n-propyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(n-부틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=n-부틸기, R4A=메톡시기)? - [(n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = n-butyl group, R 4A =

α-〔(4-톨루엔설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=4-톨릴기, R4A=메톡시기)? - [(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = 4-tolyl group, R 4A =

상기 식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서는, 식(OS-1)으로 표시되는 화합물인 것도 바람직하다.The compound containing an oxime sulfonate residue represented by the above formula (4) is also preferably a compound represented by the formula (OS-1).

Figure 112010066116678-pat00020
Figure 112010066116678-pat00020

상기 식(OS-1) 중, R1은, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 설파모일기, 설포기, 시아노기, 아릴기, 또는, 헤테로아릴기를 나타낸다. R2는, 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.In the formula (OS-1), R 1 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, Lt; / RTI &gt; R 2 represents an alkyl group or an aryl group.

X는 -O-, -S-, -NH-, -NR5-, -CH2-, -CR6H-, 또는, -CR6R7-를 나타내고, R5∼R7은 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.X is -O-, -S-, -NH-, -NR 5 -, -CH 2 -, -CR 6 H-, or, -CR 6 R 7 - represents a, R 5 ~R 7 is an alkyl group, or , And an aryl group.

R21∼R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 설포기, 시아노기, 또는, 아릴기를 나타낸다. R21∼R24 중 둘은, 각각 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group or an aryl group . Two of R 21 to R 24 may be bonded to each other to form a ring.

R21∼R24로서는, 수소 원자, 할로겐 원자, 및, 알킬기가 바람직하고, 또한, R21∼R24 중 적어도 둘이 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 태양도 또한, 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, R21∼R24가 모두 수소 원자인 태양이 감도의 관점에서 바람직하다.As R 21 to R 24 , a hydrogen atom, a halogen atom and an alkyl group are preferable, and at least two of R 21 to R 24 are bonded to each other to form an aryl group. Among them, the case where all of R 21 to R 24 are hydrogen atoms is preferable from the viewpoint of sensitivity.

상술한 관능기는, 모두, 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.Each of the above-mentioned functional groups may further have a substituent.

상기 식(OS-1)으로 표시되는 화합물은, 하기식(OS-2)으로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound represented by the above formula (OS-1) is more preferably a compound represented by the following formula (OS-2).

Figure 112010066116678-pat00021
Figure 112010066116678-pat00021

상기 식(OS-2) 중, R1, R2, R21∼R24는, 각각 식(OS-1)에 있어서의 것과 동의이며, 바람직한 예도 또한 같다.In the formula (OS-2), R 1 , R 2 and R 21 to R 24 are the same as those in the formula (OS-1), and preferred examples are also the same.

이들 중에서도, 식(OS-1) 및 식(OS-2)에 있어서의 R1이 시아노기, 또는, 아릴기인 태양이 보다 바람직하고, 식(OS-2)으로 표시되고, R1이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 태양이 가장 바람직하다.Of these, formula (OS-1) and the equation is R 1 in (OS-2) a cyano group, or, more preferably an aryl group sun, and is represented by the expression (OS-2), R 1 is a cyano group , A phenyl group or a naphthyl group is most preferable.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심이나 벤조티아졸환의 입체 구조(E,Z 등)에 대해서는 각각, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 좋다.In the oxime sulfonate compound, the stereostructure (E, Z, etc.) of the oxime or benzothiazole ring may be either one or a mixture thereof.

이하에, 본 발명에 호적(好適)하게 사용할 수 있는 식(OS-1)으로 표시되는 화합물의 구체예(예시 화합물b-1∼b-34)를 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 또, Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내고, Bn은 벤질기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.Specific examples (Exemplary Compounds b-1 to b-34) of a compound represented by the formula (OS-1) which can be suitably used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto . Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bn represents a benzyl group, and Ph represents a phenyl group.

Figure 112010066116678-pat00022
Figure 112010066116678-pat00022

Figure 112010066116678-pat00023
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Figure 112010066116678-pat00024
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Figure 112010066116678-pat00025
Figure 112010066116678-pat00025

상기 화합물 중에서도, 감도와 안정성과의 양립의 관점에서, b-9, b-16, b-31, b-33이 바람직하다.Of these compounds, b-9, b-16, b-31 and b-33 are preferred from the viewpoint of compatibility between sensitivity and stability.

상기 식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서는, 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 바람직하다.The oxime sulfonate residue-containing compound represented by the formula (4) is preferably an oxime sulfonate compound represented by the formula (OS-3), the formula (OS-4) or the formula (OS-5).

Figure 112010066116678-pat00026
Figure 112010066116678-pat00026

(식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다)Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, each of R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents 0 to 6 Lt; / RTI &gt;

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group for R 1 may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1에 있어서의 알킬기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R1에 있어서의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group for R 1 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, N-decyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, benzyl group, phenoxyethyl group, methylthioethyl group, phenylthioethyl group, ethoxycarbonylethyl group, A phenoxycarbonylethyl group, and a dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Of these, preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- An n-dodecyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorohexyl group, and a benzyl group are preferable.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 아릴기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30의 아릴기가 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the aryl group in R 1 is preferably an aryl group having 6 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1에 있어서의 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 알콕시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the aryl group in R 1 may have include halogen atoms, alkyl groups, alkyloxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, alkyloxycarbonyl groups, aryloxycarbonyl groups, aminocarbonyl groups, An alkoxy group, an alkoxy group, an alkoxy group, an alkoxy group,

R1에 있어서의 아릴기로서는, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기, p-메틸티오페닐기, p-페닐티오페닐기, p-에톡시카르보닐페닐기, p-페녹시카르보닐페닐기, p-디메틸아미노카르보닐페닐기를 들 수 있다.Examples of the aryl group for R 1 include a phenyl group, a p-methylphenyl group, a p-chlorophenyl group, a pentachlorophenyl group, a pentafluorophenyl group, an o-methoxyphenyl group, Phenylthiophenyl group, p-ethoxycarbonylphenyl group, p-phenoxycarbonylphenyl group, and p-dimethylaminocarbonylphenyl group.

이들 중에서도, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.Among them, a phenyl group, p-methylphenyl group, p-chlorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentafluorophenyl group, o-methoxyphenyl group and p-phenoxyphenyl group are preferable.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 헤테로아릴기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 4∼30의 헤테로아릴기가 바람직하다.Among the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 is preferably a heteroaryl group having 4 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R1에 있어서의 헤테로아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 알콕시설포닐기를 들 수 있다.The substituent which R 1 may have as a heteroaryl group may be a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an aminocarbonyl group, A sulfonyl group, and an alkoxysulfonyl group.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 헤테로아릴기는, 적어도 하나의 환이 복소방향환이면 좋고, 예를 들면, 복소방향환과 벤젠환이 축환하여 있어도 좋다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the heteroaryl group for R 1 may be at least one of the rings may be a heteroaromatic ring. For example, the heteroaromatic ring and the benzene ring may be coordinated.

R1에 있어서의 헤테로아릴기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환, 이미다졸환, 푸란환, 벤조티오펜환, 벤조티아졸환, 및, 벤조이미다졸환으로 이루어지는 군에서 선택된 환에서 하나의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.Examples of the heteroaryl group for R 1 include a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a furan ring, a benzothiophene ring, a benzothiazole ring, and a benzoimidazole ring which may have a substituent A group in which one hydrogen atom is removed from the ring selected in the group.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R2는, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중, 하나 또는 둘이 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 하나가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 하나가 알킬기이며, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.Of the formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 2 present in two or more of the compounds are preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, And it is particularly preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R2에 있어서의 알킬기 또는 아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group or aryl group in R 2 may have a substituent.

R2에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 상기 R1에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 같은 기를 예시할 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group or the aryl group in R 2 may have include a group such as the substituent which the alkyl group or aryl group in R 1 may have.

R2에 있어서의 알킬기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼12의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.The alkyl group in R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms in total which may have a substituent and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in total which may have a substituent.

R2에 있어서의 알킬기로서 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 알릴기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 퍼플루오로헥실기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group for R 2 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, A perfluorohexyl group, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a methoxymethyl group, a benzyl group, a phenoxyethyl group, a methylthioethyl group, a naphthyl group, a naphthyl group, , A phenylthioethyl group, an ethoxycarbonylethyl group, a phenoxycarbonylethyl group, and a dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기, 알릴기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 더욱 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Among them, a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i-butyl group, an s- , A benzyl group is preferable and a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n- butyl group, Propyl group, n-butyl group and n-hexyl group are more preferable, and methyl group is particularly preferable.

R2에 있어서의 아릴기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30의 아릴기인 것이 바람직하다.The aryl group in R 2 is preferably an aryl group having a total of 6 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R2에 있어서의 아릴기로서 구체적으로는, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기, p-메틸티오페닐기, p-페닐티오페닐기, p-에톡시카르보닐페닐기, p-페녹시카르보닐페닐기, p-디메틸아미노카르보닐페닐기를 들 수 있다.Specific examples of the aryl group for R 2 include a phenyl group, a p-methylphenyl group, an o-chlorophenyl group, a p-chlorophenyl group, an o-methoxyphenyl group, Thiophenyl group, p-ethoxycarbonylphenyl group, p-phenoxycarbonylphenyl group, and p-dimethylaminocarbonylphenyl group.

이들 중에서도, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.Among them, a phenyl group, a p-methylphenyl group, an o-chlorophenyl group, a p-chlorophenyl group, an o-methoxyphenyl group and a p-phenoxyphenyl group are preferable.

R2에 있어서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom in R 2 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

이들 중에서도, 염소 원자, 브롬 원자가 바람직하다.Of these, a chlorine atom and a bromine atom are preferable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, X는 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), X represents O or S, and is preferably O.

식(OS-3)∼(OS-5)에 있어서, X를 환원(環員)으로서 포함하는 환은, 5원환 또는 6원환이다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as a ring member is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, n은 1 또는 2를 나타내고, X가 O인 경우, n은 1인 것이 바람직하고, 또한, X가 S인 경우, n은 2인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1. When X is S, n is 2 desirable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알킬기 및 알킬옥시기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group and alkyloxy group in R 6 may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 6 is preferably an alkyl group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R6에 있어서의 알킬기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R6에 있어서의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group for R 6 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- N-decyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, benzyl group, phenoxyethyl group, methylthioethyl group, phenylthioethyl group, ethoxycarbonylethyl group, A phenoxycarbonylethyl group, and a dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Of these, preferred are a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an s- An n-dodecyl group, a trifluoromethyl group, a perfluoropropyl group, a perfluorohexyl group, and a benzyl group are preferable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알킬옥시기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬옥시기인 것이 바람직하다.Of the above formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyloxy group in R 6 is preferably an alkyloxy group having 1 to 30 total carbon atoms which may have a substituent.

R6에 있어서의 알킬옥시기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyloxy group of R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group.

R6에 있어서의 알킬옥시기로서는, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 에톡시에틸옥시기, 메틸티오에틸옥시기, 페닐티오에틸옥시기, 에톡시카르보닐에틸옥시기, 페녹시카르보닐에틸옥시기, 디메틸아미노카르보닐에틸옥시기를 들 수 있다.Examples of the alkyloxy group for R 6 include a methyloxy group, an ethyloxy group, a butyloxy group, a hexyloxy group, a phenoxyethyloxy group, a trichloromethyloxy group, an ethoxyethyloxy group, a methylthioethyloxy group, A phenylthioethyloxy group, an ethoxycarbonylethyloxy group, a phenoxycarbonylethyloxy group, and a dimethylaminocarbonylethyloxy group.

이들 중에서도, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 또는, 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.Of these, methyloxy, ethyloxy, butyloxy, hexyloxy, phenoxyethyloxy, trichloromethyloxy or ethoxyethyloxy groups are preferred.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 아미노설포닐기로서는, 메틸아미노설포닐기, 디메틸아미노설포닐기, 페닐아미노설포닐기, 메틸페닐아미노설포닐기, 아미노설포닐기를 들 수 있다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the aminosulfonyl group for R 6 include a methylaminosulfonyl group, a dimethylaminosulfonyl group, a phenylaminosulfonyl group, a methylphenylaminosulfonyl group, .

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알콕시설포닐기로서는, 메톡시설포닐기, 에톡시설포닐기, 프로필옥시설포닐기, 부틸옥시설포닐기를 들 수 있다.Of the above-mentioned formulas (OS-3) to (OS-5), examples of the alkoxysulfonyl group for R 6 include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propyloxysulfonyl group and a butyloxysulfonyl group.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, m은 0∼6의 정수를 나타내고, 0∼2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하고, 0인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), m represents an integer of 0 to 6, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1, Do.

또한, 상기 식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물은, 하기식(OS-6)∼(OS-11)의 어느 하나로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 특히 바람직하다.The oximesulfonate residue-containing compound represented by the formula (4) is particularly preferably an oxime sulfonate compound represented by any of the following formulas (OS-6) to (OS-11).

Figure 112010066116678-pat00027
Figure 112010066116678-pat00027

(식(OS-6)∼(OS-11) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7은, 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, R8은 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, R10은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R 7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, R 8 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, R 10 represents a hydrogen atom or a lower alkyl group, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, Methyl group)

식(OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R1은, 상기 식(OS-3)∼(OS-5)에 있어서의 R1과 동의이며, 바람직한 태양도 같다.Expression (OS-6) ~ R 1 in (OS-11) is, and R 1 and agreed in the formula (OS-3) ~ (OS -5), as a preferred aspect.

식(OS-6)에 있어서의 R7은, 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 7 in the formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom and is preferably a hydrogen atom.

식(OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R8은, 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼8의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.R 8 in formulas (OS-6) to (OS-11) represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, More preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, still more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, particularly preferably a methyl group, and is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom or a phenyl group, .

식(OS-8) 및 식(OS-9)에 있어서의 R9는, 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 9 in formulas (OS-8) and (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

식(OS-8)∼(OS-11)에 있어서의 R10은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 10 in formulas (OS-8) to (OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group and is preferably a hydrogen atom.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심의 입체 구조(E,Z)에 대해서는, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 좋다.In the oxime sulfonate compound, either or both of the stereostructure (E, Z) of oxime may be used.

상기 식(OS-3)∼식(OS-5)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 예시 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은, 이들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the oxime sulfonate compounds represented by the above formulas (OS-3) to (OS-5) include the following exemplified compounds, but the present invention is not limited thereto.

Figure 112010066116678-pat00028
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Figure 112010066116678-pat00029
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Figure 112010066116678-pat00030
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Figure 112010066116678-pat00031
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Figure 112010066116678-pat00033
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Figure 112010066116678-pat00034
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본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (B) 성분인 광산 발생제는, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.1∼10중량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of the present invention, the photoacid generator as the component (B) is preferably used in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A) Do.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (B) 광산 발생제와의 조합에 있어서, 그 분해를 촉진시키기 위해서, 증감제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a sensitizer in combination with the photoacid generator (B) in order to accelerate the decomposition thereof.

증감제는, 활성 광선 또는 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기(勵起) 상태가 된 증감제는, 광산 발생제와 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 생긴다. 이것에 의해 광산 발생제는 화학 변화를 일으켜 분해하여, 산을 생성한다.The sensitizer absorbs an actinic ray or radiation to become an electron-excited state. The sensitizer in the electron-excited state comes into contact with the photoacid generator to generate electron transfer, energy transfer, heat generation, and the like. As a result, the photoacid generator decomposes by causing a chemical change to generate an acid.

바람직한 증감제의 예로서는, 이하의 화합물류에 속하여 있고, 또한 350nm∼450nm역의 어느 곳에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.Examples of preferred sensitizers include compounds having an absorption wavelength anywhere in the range of 350 nm to 450 nm belonging to the following compounds.

다핵방향족류(예를 들면, 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 3,7-디메톡시안트라센, 9,10-디프로필옥시안트라센), 크산텐류(예를 들면, 플루오레세인, 에오신, 에리트로신, 로다민B, 로즈벵갈), 크산톤류(예를 들면, 크산톤, 티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤), 시아닌류(예를 들면 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 멜로시아닌류(예를 들면, 멜로시아닌, 카르보멜로시아닌), 로다시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면, 티오닌, 메틸렌 블루, 톨루이딘 블루), 아크리딘류(예를 들면, 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면, 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면, 안트라퀴논), 스쿠알륨류(예를 들면, 스쿠알륨), 스티릴류, 베이스스티릴류(예를 들면, 2-[2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐]벤조옥사졸), 쿠마린류(예를 들면, 7-디에틸아미노4-메틸쿠마린, 7-히드록시4-메틸쿠마린, 2,3,6,7-테트라히드로-9-메틸-1H,5H,11H-[1]벤조피라노[6,7,8-ij]퀴놀리진-11-논).Polynuclear aromatic compounds such as pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10- Anthracene, xanthone, xanthone, thioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, and the like), xanthone Thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, thiocarbons, (For example, thionine, methylene blue, toluidine blue), acridines (e.g., acridine orange, chloroflavin, acriflavine), acridones -Butyl-2-chloroacridone), anthraquinones (e.g., anthraquinone), squaryliums (e.g., squalium), styryls, (For example, 2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] benzoxazole), coumarins (for example, 7-diethylamino 4-methylcoumarin, Methylcoumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H- [1] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolizine-11-pne).

이들 증감제 중에서도, 다핵방향족류, 아크리돈류, 스티릴류, 베이스스티릴류, 쿠마린류가 바람직하고, 다핵방향족류가 보다 바람직하다. 다핵방향족류 중에서도 안트라센 유도체가 가장 바람직하다.Among these sensitizers, polynuclear aromatic compounds, acridones, styryls, base styryls and coumarins are preferable, and polynuclear aromatic compounds are more preferable. Of the polynuclear aromatics, anthracene derivatives are most preferred.

(C) 용제(C) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (C) 용제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention contains (C) a solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필수 성분인 상기 (A) 및 (B) 성분, 바람직한 성분인 후술하는 (D) 성분 및/또는 (E) 성분, 및, 또한 후술하는 임의 성분을, (C) 용제에 용해한 용액으로서 제조되는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention can be produced by mixing the components (A) and (B) as essential components, the component (D) and / or the component (E) It is preferably prepared as a solution in a solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (C) 용제로서는, 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As the solvent (C) used in the photosensitive resin composition of the present invention, known solvents can be used, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers Propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (C) 용제로서는, 예를 들면,As the solvent (C) used in the photosensitive resin composition of the present invention, for example,

(가)에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; (A) ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether and ethylene glycol monobutyl ether;

(나)에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르 등의 에틸렌글리콜디알킬에테르류; (B) ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and ethylene glycol dipropyl ether;

(다)에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (C) ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate and ethylene glycol monobutyl ether acetate;

(라)프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (D) propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether and propylene glycol monobutyl ether;

(마)프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류; (E) propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;

(바)프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (F) propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate and propylene glycol monobutyl ether acetate;

(사)디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류; (G) diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether and diethylene glycol ethyl methyl ether;

(아)디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (A) diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate and diethylene glycol monobutyl ether acetate;

(자)디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류; Dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether and dipropylene glycol monobutyl ether;

(차)디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류; (Carboxy) dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether and dipropylene glycol ethyl methyl ether;

(카)디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (K) dipropylene glycol monoalkyl ether acetates such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate and dipropylene glycol monobutyl ether acetate;

(타)젖산메틸, 젖산에틸, 젖산n-프로필, 젖산이소프로필, 젖산n-부틸, 젖산이소부틸, 젖산n-아밀, 젖산이소아밀 등의 젖산에스테르류; (L) Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, isobutyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate, and lactic acid /

(파)아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산n-아밀, 아세트산이소아밀, 아세트산n-헥실, 아세트산2-에틸헥실, 프로피온산에틸, 프로피온산n-프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소부틸, 부티르산메틸, 부티르산에틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산n-부틸, 부티르산이소부틸 등의 지방족 카르복시산에스테르류; (Par) n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, n-hexyl acetate, 2-ethylhexyl acetic acid, ethyl propionate, n-propyl propionate, isopropyl propionate, n- Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate and isobutyl butyrate;

(하)히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸부티르산에틸, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부티레이트, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피르브산메틸, 피르브산에틸 등의 다른 에스테르류; (Lower) ethyl acetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxypropionate, Methyl-3-methoxybutyl butyrate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, and ethyl pyruvate;

(거)메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 4-헵탄온, 시클로헥산온 등의 케톤류; (Er) ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone and cyclohexanone;

(너)N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; Amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone;

(더)γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.(More) lactones such as? -Butyrolactone.

또한, 이들 용제에 또한 필요에 따라, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아니솔, 아세트산벤질, 벤조산에틸, 옥살산디에틸, 말레산디에틸, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 용제를 첨가할 수도 있다.These solvents may also contain, if necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, caprylic acid, Solvents such as octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate and propylene carbonate may also be added.

이들 용제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These solvents may be used singly or in combination of two or more kinds.

본 발명에 사용할 수 있는 용제는, 1종 단독, 또는, 2종을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류와 디에틸렌글리콜디알킬에테르류를 병용하는 것이 더욱 바람직하다.The solvent which can be used in the present invention is preferably one type alone or in combination of two types, more preferably two kinds of solvents, more preferably propylene glycol monoalkyl ether acetates and diethylene glycol dialkyl ethers It is more preferable to use them in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (C) 용제의 함유량은, (A) 성분 100중량부당, 50∼3,000중량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼1,500중량부인 것이 더욱 바람직하다.The content of the solvent (C) in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 to 3,000 parts by weight, more preferably 100 to 2,000 parts by weight, and most preferably 150 to 1,500 parts by weight per 100 parts by weight of the component (A) More preferable.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, (A) 성분, (B) 성분, 및, (C) 성분 이외에, 필요에 따라, 임의 성분으로서, 이하에 기술하는 (D) 산화 방지제, (E) 가교제, (F) 밀착 개량제, (G) 염기성 화합물, (H) 계면활성제, (I) 가소제, 및, (J) 열라디칼 발생제, 및, 열산 발생제, 자외선 흡수제, 증점제, 및, 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의 공지의 첨가제를 가할 수 있다.(D) an antioxidant, (E) a cross-linking agent, (C) an antioxidant, and (C) an antioxidant as described below as optional components, in addition to the components (A) F) a contact modifier, (G) a basic compound, (H) a surfactant, (I) a plasticizer, and (J) a thermal radical generator and a thermal acid generator, an ultraviolet absorber, a thickener, A known additive such as an inhibitor may be added.

(D) 산화 방지제(D) Antioxidants

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (D) 산화 방지제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains (D) an antioxidant.

(D) 산화 방지제로서는, 공지의 산화 방지제를 함유할 수 있다. (D) 산화 방지제를 첨가함으로써, 경화막의 착색을 방지할 수 있고, 또한, 분해에 의한 막두께 감소를 저감할 수 있고, 또한, 내열투명성이 뛰어나다는 이점이 있다.As the antioxidant (D), a known antioxidant may be contained. (D) the addition of an antioxidant can prevent coloring of the cured film, reduce the film thickness reduction due to decomposition, and have an advantage of excellent heat-resistant transparency.

이와 같은 산화 방지제로서는, 예를 들면, 인계 산화 방지제, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제, 아스코르브산류, 황산아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록시아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 경화막의 착색, 막두께 감소의 관점에서 특히 페놀계 산화 방지제가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하고 사용해도 좋다.Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenol antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrite, sulfite, thiosulfate, And a hydroxyamine derivative. Among them, a phenol-based antioxidant is particularly preferable from the viewpoint of coloring of the cured film and reduction of the film thickness. These may be used alone, or two or more kinds may be mixed and used.

페놀계 산화 방지제의 시판품으로서는, 예를 들면, 아데카스탑AO-60((주)ADEKA제), 아데카스탑AO-80((주)ADEKA제), 이르가녹스1098(치바재팬(주)제)을 들 수 있다.Examples of commercially available phenolic antioxidants include ADEKA STOP AO-60 (manufactured by ADEKA), ADEKA STOP AO-80 (manufactured by ADEKA), Irganox 1098 (manufactured by Chiba Japan Co., ).

(D) 산화 방지제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대해, 0.1∼6중량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5중량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼4중량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써, 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고, 또한, 패턴 형성시의 감도도 양호하게 된다.The content of the antioxidant (D) is preferably 0.1 to 6% by weight, more preferably 0.2 to 5% by weight, and particularly preferably 0.5 to 4% by weight based on the total solid content of the photosensitive resin composition. When the content is in this range, sufficient transparency of the formed film can be obtained and sensitivity at the time of pattern formation can be improved.

또한, 산화 방지제 이외의 첨가제로서, "고분자 첨가제의 신전개((주)닛칸고교신분샤)"에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 좋다.As the additives other than the antioxidant, various ultraviolet absorbers, metal deactivators, and the like described in "New developments of the polymer additive (Nikken Kogyo Shinbashi Co., Ltd.") may be added to the photosensitive resin composition of the present invention.

(E) 가교제(E) Crosslinking agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라, (E) 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a crosslinking agent (E), if necessary.

(E) 가교제로서는, 예를 들면, 이하에 기술하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가할 수 있다. (E) 가교제를 첨가함으로써, 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.As the crosslinking agent (E), for example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule described below, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, and a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond may be added. By adding the crosslinking agent (E), the cured film can be made into a stronger film.

<분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물>&Lt; Compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule &

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Specific examples of the compound having two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and aliphatic epoxy resin.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 수지로서는, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055(이상, DIC(주)제) 등이, 비스페놀F형 에폭시 수지로서는, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLON830, EPICLON835(이상, DIC(주)제), LCE-21, RE-602S(이상, 니뽄가야쿠(주)제) 등이, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서는, JER152, JER154, JER157S70(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLONN-740, EPICLONN-740, EPICLONN-770, EPICLONN-775(이상, DIC(주)제) 등이, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서는, EPICLONN-660, EPICLONN-665, EPICLONN-670, EPICLONN-673, EPICLONN-680, EPICLONN-690, EPICLONN-695(이상, DIC(주)제), EOCN-1020(이상, 니뽄가야쿠(주)제) 등이, 지방족 에폭시 수지로서는, ADEKARESINEP-4080S, 동(同)EP-4085S, 동EP-4088S(이상, (주)ADEKA제), 세록사이드 2021P, 세록사이드 2081, 세록사이드 2083, 세록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEADPB3600, 동PB4700(이상, 다이셀가가쿠고교(주)제) 등을 들 수 있다. 그 밖에도, ADEKARESINEP-4000S, 동EP-4003S, 동EP-4010S, 동EP-4011S(이상, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These are available as commercial products. Examples of the bisphenol A epoxy resin include epoxy resins such as JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 (Manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON 830, EPICLON 835 (manufactured by DIC Co., Ltd.), and the like, as the bisphenol F type epoxy resin, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010 JER152, JER154, JER157S70 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)), phenol novolak type epoxy resin (trade name, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) Examples of the cresol novolak epoxy resin include EPICLONN-640, EPICLONN-665, EPICLONN-670, EPICLONN-770 (manufactured by DIC Corporation) EPICLONN-690, EPICLONN-690, EPICLONN-695 (manufactured by DIC Corporation) and EOCN-1020 (manufactured by NIPPON KAYAKU CO., LTD.). Examples of the aliphatic epoxy resin include ADEKARESINEP- EP-4085S, EP-408 8S (manufactured by ADEKA), Selenoxide 2021P, Selenoxide 2081, Selenoxide 2083, Selenoxide 2085, EHPE 3150, EPOLEADPB3600, and PB4700 (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) . In addition, ADEKARESINEP-4000S, EP-4003S, EP-4010S and EP-4011S (manufactured by ADEKA), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD- , EPPN-502 (manufactured by ADEKA Co., Ltd.), and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서 바람직한 것으로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지를 들 수 있다. 특히 비스페놀A형 에폭시 수지가 바람직하다.Among these, preferred are bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin and phenol novolak type epoxy resin. Particularly, a bisphenol A type epoxy resin is preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 아론옥세탄OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도아고세이(주)제)를 사용할 수 있다.As specific examples of the compound having two or more oxetanyl groups in the molecule, Aromoxetane OXT-121, OXT-221, OX-SQ and PNOX (all manufactured by Doago Kosai Co., Ltd.) can be used.

또한, 옥세타닐기를 함유하는 화합물은, 단독으로 또는 에폭시기를 함유하는 화합물과 혼합하여 사용할 수 있다.The oxetanyl group-containing compound may be used alone or in combination with a compound containing an epoxy group.

분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 감광성 수지 조성물에의 첨가량은 (A) 성분의 총량을 100중량부로 했을 때, 1∼50중량부가 바람직하고, 3∼30중량부가 보다 바람직하다.The amount of the compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule to be added to the photosensitive resin composition is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 3 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total amount of the component (A) .

<알콕시메틸기 함유 가교제><Crosslinking agent containing alkoxymethyl group>

알콕시메틸기 함유 가교제로서는, 알콕시메틸화멜라민, 알콕시메틸화벤조구아나민, 알콕시메틸화글리콜라우릴 및 알콕시메틸화요소 등이 바람직하다. 이들은, 각각 메틸올화멜라민, 메틸올화벤조구아나민, 메틸올화글리콜라우릴, 또는, 메틸올화요소의 메틸올기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻어진다. 이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있지만, 아웃가스(out-gas)의 발생량의 관점에서, 특히 메톡시메틸기가 바람직하다.As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycolauryl and alkoxymethylated elements are preferable. These are obtained by converting methylol melamine, methylol benzoguanamine, methylol fatty acid glycoluril, or the methylol group of methylol moiety into an alkoxymethyl group, respectively. The kind of the alkoxymethyl group is not particularly limited, and examples thereof include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, and a butoxymethyl group. From the viewpoint of the amount of out-gas generation, , And particularly preferably a methoxymethyl group.

이들 가교성 화합물 중, 알콕시메틸화멜라민, 알콕시메틸화벤조구아나민, 알콕시메틸화글리콜라우릴이 바람직한 가교성 화합물로서 들 수 있고, 투명성의 관점에서, 알콕시메틸화글리콜라우릴이 특히 바람직하다.Of these crosslinking compounds, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, and alkoxymethylated glycolyuril are preferable crosslinking compounds, and from the viewpoint of transparency, alkoxymethylated glycolauryl is particularly preferable.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제는, 시판품으로서 입수 가능하며, 예를 들면, 사이멜300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300(이상, 미쯔이사이아나미드(주)제), 니칼락MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, 니칼락MS-11, 니칼락MW-30HM, -100LM, -390, (이상, (주)산와케미컬제) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.These alkoxymethyl group-containing crosslinking agents are commercially available, for example, from Cymel 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123 , 1170, 1174, UFR65, 300 (manufactured by Mitsui Cyanamid Co.), Nigalak MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290 , Nicalac MS-11, Nicalac MW-30HM, -100 LM, -390 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.), and the like can be preferably used.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 알콕시메틸기 함유 가교제를 사용하는 경우의 알콕시메틸기 함유 가교제의 첨가량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.05∼50중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 범위에서 첨가함으로써, 현상시의 바람직한 알칼리 용해성과, 경화 후의 막의 뛰어난 내용제성이 얻어진다.When the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent is used in the photosensitive resin composition of the present invention, the amount of the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent to be added is preferably 0.05 to 50 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight per 100 parts by weight of the component (A) desirable. The addition in this range provides a favorable alkali solubility at the time of development and excellent solvent resistance of the film after curing.

<적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물>&Lt; Compounds having at least one ethylenically unsaturated double bond >

적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트 화합물을 호적하게 사용할 수 있다.As the compound having at least one ethylenic unsaturated double bond, a (meth) acrylate compound such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate or trifunctional or higher functional (meth) have.

단관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 카르비톨(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-2-히드록시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monofunctional (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl And 2- (meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate.

2관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the bifunctional (meth) acrylate include ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol (meth) acrylate, polypropylene glycol Di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene diacrylate, and bisphenoxyethanol fluorene diacrylate.

3관능 이상의 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리((메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of trifunctional or higher (meth) acrylates include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri ((meth) acryloyloxyethyl) phosphate, pentaerythritol tetra (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and the like.

이들의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물은, 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.These compounds having at least one ethylenic unsaturated double bond are used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 사용 비율은, (A) 성분 100중량부에 대해, 50중량부 이하인 것이 바람직하고, 30중량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 비율로 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유시킴으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 절연막의 내열성 및 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 가하는 경우에는, (J) 열라디칼 발생제를 첨가하는 것이 바람직하다.The proportion of the compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 50 parts by weight or less, more preferably 30 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the component (A) Do. By containing a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond in such a ratio, the heat resistance and surface hardness of the insulating film obtained from the photosensitive resin composition of the present invention can be improved. When a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond is added, (J) a heat radical generator is preferably added.

(F) 밀착 개량제(F) Adhesion improver

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (F) 밀착 개량제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (F) an adhesion improver.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 (F) 밀착 개량제는, 기재가 되는 무기물, 예를 들면, 실리콘, 산화실리콘, 질화실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막과의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는, 실란 커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 (F) 밀착 개량제로서의 실란 커플링제는, 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별히 한정하지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다.The (F) adhesion improver that can be used in the photosensitive resin composition of the present invention can be obtained by reacting an inorganic substance to be a base material, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, a metal such as gold, Thereby improving adhesion. Specific examples thereof include silane coupling agents and thiol compounds. The silane coupling agent as the (F) adhesion improver used in the present invention is intended to modify the interface and is not particularly limited, and a known silane coupling agent can be used.

바람직한 실란 커플링제로서는, 예를 들면, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다.Preferable silane coupling agents include, for example,? -Aminopropyltrimethoxysilane,? -Aminopropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane,? -Methacryloxypropylalkyldialkoxysilane,? -Chloropropyltrialkoxysilane,? -Mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl tri Alkoxysilane, and vinyltrialkoxysilane.

이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이나 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하다.Among these,? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane and? -Methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and? -Glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable.

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성의 향상에 유효함과 함께, 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.These may be used alone or in combination of two or more. These are effective for improving the adhesion with the substrate, and are also effective for adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (F) 밀착 개량제의 함유량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.1∼20중량부가 바람직하고, 0.5∼10중량부가 보다 바람직하다.The content of the (F) adhesion improver in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A).

(G) 염기성 화합물(G) Basic compound

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (G) 염기성 화합물을 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (G) a basic compound.

(G) 염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스트로 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄히드록시드, 카르복시산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다.As the basic compound (G), any of those used as a chemically amplified resist may be selected and used. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, quaternary ammonium salts of carboxylic acids, and the like.

지방족 아민으로서는, 예를 들면, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include aliphatic amines such as trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- , Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는, 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, and diphenylamine.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of heterocyclic amines include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, Benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8- 4-methyl morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene and the like.

제4급 암모늄히드록시드로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.Examples of quaternary ammonium hydroxides include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide. have.

카르복시산의 제4급 암모늄염으로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은, 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 좋지만, 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 복소환식 아민을 2종 병용하는 것이 더욱 바람직하다.The basic compounds usable in the present invention may be used singly or in combination of two or more kinds, but two or more kinds thereof are preferably used in combination, more preferably two kinds of them, and heterocyclic amines are substituted with 2 More preferably in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (G) 염기성 화합물의 함유량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.001∼1중량부인 것이 바람직하고, 0.005∼0.2중량부인 것이 보다 바람직하다.The content of the (G) basic compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.001 to 1 part by weight, more preferably 0.005 to 0.2 part by weight, per 100 parts by weight of the component (A).

(H) 계면활성제(H) Surfactant

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (H) 계면활성제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (H) a surfactant.

(H) 계면활성제로서는, 음이온계, 양이온계, 비이온계, 또는, 양성의 어느 것이라도 사용할 수 있지만, 바람직한 계면활성제는 비이온계 계면활성제이다.As the surfactant (H), any of anionic, cationic, nonionic or amphoteric surfactants can be used, but preferred surfactants are nonionic surfactants.

비이온계 계면활성제의 예로서는, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산디에스테르류, 실리콘계, 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 이하 상품명으로, KP(신에츠가가쿠고교(주)제), 폴리플로우(고에이샤가가쿠(주)제), 에프톱(JEMCO사제), 메가팩(DIC(주)제), 플로라도(스미토모-쓰리엠(주)제), 아사히가드, 서플론(아사히글래스(주)제), PolyFox(OMNOVA사제) 등의 각 시리즈를 들 수 있다.Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkyl phenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicones, and fluorine surfactants. (Trade names, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow (manufactured by Goeisha Chemical Co., Ltd.), F-top (manufactured by JEMCO), Megapack (manufactured by DIC Corporation) (Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and PolyFox (manufactured by OMNOVA Co., Ltd.), and the like.

또한, 계면활성제로서, 하기식(1)으로 표시되는 구성 단위A 및 구성 단위B를 함유하고, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 한 경우의 겔투과 크로마토그래피로 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.The surfactant preferably has a weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography when the surfactant contains the constituent unit A and the constituent unit B represented by the following formula (1) and tetrahydrofuran (THF) (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less can be mentioned as a preferable example.

Figure 112010066116678-pat00035
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(식(1) 중, R1 및 R3은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R4는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 중량 백분율이며, p는 10중량% 이상 80중량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20중량% 이상 90중량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다)(Wherein R 1 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 2 represents a straight chain alkylene group having 1 to 4 carbon atoms and R 4 represents a hydrogen atom or a C1- P represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q represent weight percentages indicating polymerization ratios, p represents a value of 10 to 80 wt%, q represents 20 wt% Or more and 90% or less by weight, r is an integer of 1 or more and 18 or less, and n is an integer of 1 or more and 10 or less)

상기 L은, 하기식(2)으로 표시되는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식(2)에 있어서의 R5는, 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성의 점에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다. p와 q와의 합(p+q)은, p+q=100, 즉, 100중량%인 것이 바람직하다.It is preferable that L is a branched alkylene group represented by the following formula (2). R 5 in the formula (2) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms in terms of compatibility and wettability to a surface to be coated, and an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms More preferable. It is preferable that the sum (p + q) of p and q is p + q = 100, that is, 100% by weight.

Figure 112010066116678-pat00036
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상기 공중합체의 중량평균 분자량(Mw)은, 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer is more preferably from 1,500 to 5,000.

이들 계면활성제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (H) 계면활성제의 첨가량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 10중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01∼10중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01∼1중량부인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the surfactant (H) added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10 parts by weight or less, more preferably 0.01 to 10 parts by weight, and even more preferably 0.01 to 1 part by weight based on 100 parts by weight of the component (A) It is more desirable to be negative.

(I) 가소제(I) a plasticizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (I) 가소제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (I) a plasticizer.

(I) 가소제로서는, 예를 들면, 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 타르타르산디부틸, 아디프산디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.Examples of the plasticizer (I) include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerine phthalate, dibutyl tartrate, dioctyl adipate and triacetyl glycerin.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (I) 가소제의 첨가량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.1∼30중량부인 것이 바람직하고, 1∼10중량부인 것이 보다 바람직하다.The amount of the plasticizer (I) added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.1 to 30 parts by weight, more preferably 1 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A).

(J) 열라디칼 발생제(J) Thermal radical generator

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (J) 열라디칼 발생제를 함유하고 있어도 좋고, 상술한 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 같은 에틸렌성 불포화 화합물을 함유하는 경우, (J) 열라디칼 발생제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention may contain (J) a thermal radical generator, and when it contains an ethylenically unsaturated compound such as a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond as described above, (J) a thermal radical It is preferable to contain the generator.

본 발명에 있어서의 열라디칼 발생제로서는, 공지의 열라디칼 발생제를 사용할 수 있다.As the thermal radical generator in the present invention, a known thermal radical generator may be used.

열라디칼 발생제는, 열의 에너지에 의해 라디칼을 발생하여, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼 발생제를 첨가함으로써, 얻어진 경화막이 보다 강인하게 되고, 내열성, 내용제성이 향상하는 경우가 있다.The thermal radical generator is a compound that generates radicals by heat energy to initiate or promote the polymerization reaction of the polymerizable compound. By adding a thermal radical generator, the resulting cured film becomes more tough, and heat resistance and solvent resistance are sometimes improved.

바람직한 열라디칼 발생제로서는, 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 보레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소할로겐 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물, 비벤질 화합물 등을 들 수 있다.Preferred thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbimidazole compounds, ketooxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, A compound having a bond, an azo-based compound, and a non-benzyl compound.

(J) 열라디칼 발생제는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.As the thermal radical generator (J), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (J) 열라디칼 발생제의 첨가량은, 막 물성 향상의 관점에서, (A) 중합체를 100중량부로 했을 때, 0.01∼50중량부가 바람직하고, 0.1∼20중량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 가장 바람직하다.The amount of the heat radical generator (J) to be added to the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by weight, more preferably 0.1 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polymer (A) More preferably 0.5 to 10 parts by weight.

(경화막의 형성 방법)(Method of forming a cured film)

다음으로, 본 발명의 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, a method of forming the cured film of the present invention will be described.

본 발명의 경화막의 형성 방법은, 이하의 (1)∼(5)의 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The method for forming a cured film of the present invention is characterized by including the following steps (1) to (5).

(1) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정(1) a coating step of applying the photosensitive resin composition of the present invention on a substrate

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition

(3) 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정(3) an exposure process for exposing by an actinic ray

(4) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) a development step of developing with an aqueous developer

(5) 열경화하는 포스트베이킹 공정(5) Post-baking process for thermosetting

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 도포 공정에서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하여 용제를 함유하는 습윤막으로 한다.(1), the photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate to form a wet film containing a solvent.

(2)의 용제 제거 공정에서는, 도포된 상기 막으로부터, 감압(배큠) 및/또는 가열에 의해, 용제를 제거하여 기판 위에 건조 도막을 형성시킨다.In the solvent removing step (2), the solvent is removed from the coated film by reduced pressure (vacuum) and / or heating to form a dried coating film on the substrate.

(3)의 노광 공정에서는, 얻어진 도막에 파장 300nm 이상 450nm 이하의 활성 광선을 조사한다. 이 공정에서는, (B) 광산 발생제가 분해하여 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해, (A) 중합체 중에 함유되는 식(Ia) 및/또는 식(Ib), 및, 식(Ⅱa) 및/또는 식(Ⅱb)으로 표시되는 모노머 단위 중의 산분해성기가 가수 분해되어, 카르복시기 및/또는 페놀성 수산기가 생성한다.In the exposure step of (3), an active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less is irradiated to the obtained coating film. In this step, (B) the photoacid generator is decomposed to generate acid. The acid-decomposable group in the monomer unit represented by the formula (Ia) and / or the formula (Ib) and the formula (IIa) and / or the formula (IIb) contained in the polymer (A) And decomposed to produce a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group.

산 촉매의 생성한 영역에 있어서, 상기 가수 분해 반응을 가속시키기 위해서, 필요에 따라, 노광 후 가열 처리 : Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고도 한다)를 행할 수 있다. PEB에 의해, 산분해성기로부터의 카르복시기 생성을 촉진시킬 수 있다.Post-exposure heat treatment: Post Exposure Bake (hereinafter, also referred to as &quot; PEB &quot;) can be performed as needed in order to accelerate the hydrolysis reaction in the region where the acid catalyst is formed. By PEB, the generation of carboxyl groups from the acid decomposable group can be promoted.

본 발명에 있어서의 식(Ia) 및/또는 식(Ib)으로 표시되는 모노머 단위 중의 산분해성기는, 산분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해하여, 카르복시기를 발생하기 때문에, 반드시 PEB를 행하지 않고, 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수도 있다. 또한, 본 발명에서는, 상대적으로 산분해의 활성화 에너지가 높은 산분해성기를 갖는 (Ⅱa) 및/또는 식(Ⅱb)으로 표시되는 모노머 단위를 병용하고 있기 때문에, 노광량 등의 변동에 대해 안정한 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.The acid decomposable group in the monomer unit represented by the formula (Ia) and / or the formula (Ib) in the present invention has a low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from an acid generator by exposure, Since a carboxyl group is generated, a positive image can be formed by development without necessarily performing PEB. Further, in the present invention, since monomer units represented by formula (IIa) and / or formula (IIb) having an acid-decomposable group having a relatively high acid decomposition activation energy are used in combination, stable photosensitive resin compositions Can be obtained.

또, 비교적 저온으로 PEB를 행함으로써, 가교 반응을 일으키지 않고, 산분해성기의 가수 분해를 촉진할 수도 있다. PEB를 행하는 경우의 온도는, 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 80℃ 이하가 특히 바람직하다.By performing PEB at a relatively low temperature, the hydrolysis of the acid decomposable group can be promoted without causing a crosslinking reaction. The temperature at which PEB is carried out is preferably 30 占 폚 to 130 占 폚, more preferably 40 占 폚 to 110 占 폚, and particularly preferably 50 占 폚 to 80 占 폚.

(4)의 현상 공정에서는, 유리(遊離)한 카르복시기를 갖는 중합체를, 알칼리성 현상액을 사용하여 현상한다. 알칼리성 현상액에 용해하기 쉬운 카르복시기를 갖는 수지 조성물을 함유하는 노광부 영역을 제거함으로써, 포지티브 화상이 형성한다.(4), the polymer having a liberated carboxyl group is developed using an alkaline developer. A positive image is formed by removing an exposed region containing a resin composition having a carboxyl group which is liable to dissolve in an alkaline developing solution.

(5)의 포스트베이킹 공정에 있어서, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써, 모노머 단위(a1) 및 모노머 단위(a2) 중의 산분해성기를 열분해하여 카르복시기를 생성시키고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 가교시킴으로써, 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은, 150℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180∼250℃로 가열하는 것이 보다 바람직하고, 200∼250℃로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 가열 시간은, 가열 온도 등에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 10∼90분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.(A1) and the monomer unit (a2) by thermal decomposition of the acid-decomposable group in the post-baking step of the step (5) by heating the obtained positive image to crosslink a carboxyl group with an epoxy group and / or an oxetanyl group, A cured film can be formed. This heating is preferably performed at a high temperature of 150 ° C or higher, more preferably 180 ° C to 250 ° C, and particularly preferably 200 ° C to 250 ° C. The heating time can be appropriately set according to the heating temperature and the like, but it is preferably within a range of 10 to 90 minutes.

포스트베이킹 공정 전에 활성 광선, 바람직하게는 자외선을, 현상 패턴에 전면 조사하는 공정을 가하면, 활성 광선조사에 의해 발생하는 산에 의해 가교 반응을 촉진할 수 있다.When a step of irradiating an entire surface of the development pattern with an actinic ray, preferably ultraviolet light, is carried out before the post-baking step, the cross-linking reaction can be promoted by an acid generated by actinic light irradiation.

다음으로, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, a method for forming a cured film using the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail.

<감광성 수지 조성물의 제조 방법>&Lt; Method of producing photosensitive resin composition >

(A)∼(C)의 필수 성분을 소정의 비율로 임의의 방법으로 혼합하여, 교반 용해하여 감광성 수지 조성물을 제조한다. 예를 들면, (A) 또는 (B) 성분을, 각각 미리 (C) 용제에 용해시킨 용액으로 한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합하고 수지 조성물을 제조할 수도 있다. 이상과 같이 제조한 조성물 용액은, 공경(孔徑) 0.2㎛의 필터 등을 사용하여 여과한 후에, 사용에 제공할 수도 있다.(A) to (C) are mixed in an arbitrary manner at a predetermined ratio, and dissolved by stirring to prepare a photosensitive resin composition. For example, it is also possible to prepare a solution in which the component (A) or (B) is dissolved in advance in the solvent (C), and then mix them in a predetermined ratio to prepare a resin composition. The composition solution prepared as described above may be used after being filtered using a filter having a pore diameter of 0.2 mu m or the like.

<도포 공정 및 용제 제거 공정><Coating Process and Solvent Removal Process>

수지 조성물을, 소정의 기판에 도포하고, 감압 및/또는 가열(프리베이킹)에 의해 용매를 제거함으로써, 원하는 건조 도막을 형성할 수 있다. 상기 기판으로서는, 예를 들면 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 편광판, 또한 필요에 따라 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 마련하고, 또한 투명 도전 회로층을 마련한 유리판 등을 예시할 수 있다. 기판에의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 슬릿 코팅법, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다. 그 중에서도 슬릿 코팅법이 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 여기서 대형 기판이란, 각 변이 1m 이상의 크기의 기판을 말한다.A desired dry film can be formed by applying the resin composition to a predetermined substrate and removing the solvent by reduced pressure and / or heating (prebaking). As the substrate, for example, in the production of a liquid crystal display element, a polarizing plate, a glass plate provided with a black matrix layer, a color filter layer and a transparent electroconductive circuit layer as required can be exemplified. The coating method on the substrate is not particularly limited, and for example, a slit coating method, a spraying method, a roll coating method, and a spin coating method can be used. Among them, the slit coating method is preferable from the viewpoint of being suitable for a large substrate. Here, a large substrate refers to a substrate having a size of 1 m or more on each side.

또한, (2) 용제 제거 공정의 가열 조건은, 미노광부에 있어서의 (A) 성분 중의 모노머 단위(a1) 및 모노머 단위(a2) 등에 있어서 산분해성기가 분해하여, (A) 성분을 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 다르지만, 바람직하게는 80∼130℃에서 30∼120초간 정도이다.The heating condition of the solvent removal step (2) is such that the acid decomposable group decomposes in the monomer unit (a1) and the monomer unit (a2) in the component (A) in the unexposed portion and the component (A) And it varies depending on the kind of each component and blending ratio, and is preferably about 80 to 130 DEG C for about 30 to 120 seconds.

<노광 공정 및 현상 공정(패턴 형성 방법)>&Lt; Exposure step and development step (pattern formation method) >

노광 공정에서는, 도막을 마련한 기판에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해, 활성 광선을 조사한다. 노광 공정 후, 필요에 따라 가열 처리(PEB)를 행한 후, 현상 공정에서는, 알칼리성 현상액을 사용하여 노광부 영역을 제거하여 화상 패턴을 형성한다.In the exposure step, an active ray is irradiated onto a substrate provided with a coating film through a mask having a predetermined pattern. After the exposure process, a heating process (PEB) is carried out if necessary, and in the development process, an exposed area is removed by using an alkaline developer to form an image pattern.

활성 광선에 의한 노광에는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, LED광원, 엑시머 레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있고, g선(436nm), i선(365nm), h선(405nm) 등의 파장 300nm 이상 450nm 이하의 파장을 갖는 활성 광선이 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 장파장 커트 필터, 단파장 커트 필터, 밴드패쓰 필터와 같은 분광 필터를 통하여 조사광을 조정할 수도 있다.(436 nm), i-line (365 nm), h-line (405 nm), and the like can be used for the exposure by the active light beam, and a low pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, ultra high pressure mercury lamp, chemical lamp, LED light source, Of an active ray having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. If necessary, the irradiation light can be adjusted through a spectral filter such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, or a band pass filter.

현상 공정에서 사용하는 현상액에는, 염기성 화합물을 사용한다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.A basic compound is used for the developing solution used in the developing process. Examples of the basic compound include alkali metal hydroxide such as lithium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상액의 pH는, 바람직하게는 10.0∼14.0이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은, 바람직하게는 30∼180초간이며, 또한, 현상의 방법은 액성법(液盛法), 딥핑법 등의 어느 것이어도 좋다. 현상 후에는, 유수(流水) 세정을 30∼90초간 행하여, 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a liquid method, a dipping method, and the like. After the development, a desired pattern can be formed by conducting an aqueous (water) cleaning for 30 to 90 seconds.

<포스트베이킹 공정(가교 공정)>&Lt; Post baking step (crosslinking step) >

현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해, 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 사용하여, 소정의 온도, 예를 들면 180∼250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트 상이면 5∼60분간, 오븐이면 30∼90분간, 가열 처리를 함으로써, (A) 성분에 있어서의 산분해성기를 분해하여, 카르복시기를 발생시켜, (A) 성분 중의 에폭시기 및/또는 옥세타닐기인 가교성기와 반응하여, 가교시킴으로써, 내열성, 경도 등이 뛰어난 보호막이나 층간절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.For example, at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 DEG C, for a predetermined time, for example, in a hot plate state, by using a heating apparatus such as a hot plate or an oven to a pattern corresponding to the unexposed region, (A) is decomposed by decomposition of the acid-decomposable group in the component (A) by heating for 60 to 60 minutes in the case of an oven and 30 to 90 minutes in the case of an oven to react with a crosslinkable group which is an epoxy group and / By crosslinking, a protective film or an interlayer insulating film excellent in heat resistance, hardness and the like can be formed. In addition, transparency can be improved by performing the heat treatment in a nitrogen atmosphere.

또, 가열 처리에 앞서, 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의해 재노광한 후, 포스트베이킹하는 것(재노광/포스트베이킹)에 의해 미노광 부분에 존재하는 (B) 성분으로부터 산을 발생시켜, 가교 공정을 촉진하는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.Prior to the heat treatment, an acid is generated from the component (B) present in the unexposed portion by post-baking (re-exposure / post-baking) after re-exposure to the substrate on which the pattern is formed by an actinic ray , And to function as a catalyst promoting the crosslinking process.

즉, 본 발명의 경화막의 형성 방법은, 현상 공정과 포스트베이킹 공정 사이에, 활성 광선에 의해 재노광하는 재노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다.That is, the method of forming a cured film of the present invention preferably includes a re-exposure step of re-exposing by the actinic ray between the developing step and the post-baking step.

재노광 공정에 있어서의 노광은, 상기 노광 공정과 같은 수단에 의해 행하면 좋지만, 상기 재노광 공정에서는, 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대해, 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다. 재노광 공정의 바람직한 노광량으로서는, 100∼1,000mJ/cm2이다.The exposure in the re-exposure step may be performed by the same means as in the exposure step, but in the re-exposure step, it is preferable to perform the whole exposure on the side of the substrate where the film is formed by the photosensitive resin composition of the present invention. The preferable exposure amount of the re-exposure step is 100 to 1,000 mJ / cm &lt; 2 & gt ;.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해, 절연성이 뛰어나고, 고온으로 베이크된 경우에 있어서도 높은 투명성을 갖는 층간절연막이 얻어진다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간절연막은, 높은 투명성을 갖고, 경화막 물성이 뛰어나기 때문에, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도에 유용하다.By the photosensitive resin composition of the present invention, an interlayer insulating film having excellent transparency can be obtained even when it is baked at a high temperature with excellent insulating properties. The interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention is useful for an organic EL display device and a liquid crystal display device because it has high transparency and excellent physical properties of a cured film.

본 발명의 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로서는, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 평탄화막이나 층간절연막을 갖는 것 이외는 특별히 제한되지 않고, 다양한 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device and the liquid crystal display device of the present invention are not particularly limited except that they have a planarizing film or an interlayer insulating film formed using the photosensitive resin composition of the present invention and may be various known organic EL displays Device or a liquid crystal display device.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은, 상기 용도에 한정되지 않고 여러가지 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막이나 층간절연막 이외에도, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 위에 마련되는 마이크로렌즈 등에 호적하게 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition of the present invention and the cured film of the present invention are not limited to the above-mentioned use, and can be used for various purposes. For example, in addition to a planarizing film and an interlayer insulating film, a spacer for keeping the thickness of the liquid crystal layer in the liquid crystal display device constant, and a microlens provided on the color filter in the solid-state image pickup device can be used.

도 1은, 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 바톰 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 평탄화막(4)을 갖고 있다.1 is a conceptual diagram showing an example of an organic EL display device. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate in a bottom emission type organic EL display device, and has a planarization film 4.

유리 기판(6) 위에 바톰 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에, 여기서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이1.0㎛)이 절연막(3) 위에 형성되어 있다. 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A bottom gate type TFT 1 is formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 is formed so as to cover the TFT 1. A wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 after forming a contact hole (not shown) in the insulating film 3. The wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or in a subsequent step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화층(4)이 형성되어 있다.The planarization layer 4 is formed on the insulating film 3 so as to fill the irregularities formed by the wirings 2 in order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2.

평탄화막(4) 위에는, 바톰 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)이, 콘택트홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the planarizing film 4, a bottom emission type organic EL element is formed. That is, the first electrode 5 made of ITO is formed on the planarization film 4 by being connected to the wiring 2 through the contact hole 7. The first electrode 5 corresponds to the anode of the organic EL element.

제1 전극(5)의 주연(周緣)을 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있고, 이 절연막(8)을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.The insulating film 8 is formed so as to cover the periphery of the first electrode 5. By providing the insulating film 8, the first electrode 5 and the second electrode Can be prevented.

또한, 도 1에는 도시하지 않지만, 원하는 패턴 마스크를 통해, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련하고, 이어서, 기판 상방의 전면에 Al로 이루어지는 제2 전극을 형성하여, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합함으로써 밀봉하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.Although not shown in FIG. 1, a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially deposited by a desired pattern mask, and then a second electrode made of Al is formed on the entire upper surface of the substrate. And an ultraviolet curing type epoxy resin are used to form an organic EL display device in which an active matrix type organic EL display device in which a TFT 1 for driving each organic EL element is connected to each organic EL element is sealed.

도 2는, 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는, 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은, 편광 필름이 첩부(貼付)된 2매의 유리 기판(14,15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 위에 형성된 각 소자에는, 경화막(17) 중에 형성된 콘택트홀(18)을 통하여, 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 위에는, 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 마련되어 있다.2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of the liquid crystal display device 10 of the active matrix type. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back surface and the liquid crystal panel is a liquid crystal display panel in which all of the liquid crystal display panel 10 is disposed between two glass substrates 14, Elements of the TFT 16 corresponding to the pixel are disposed. In each element formed on the glass substrate, an ITO transparent electrode 19 for forming a pixel electrode is wired through a contact hole 18 formed in the cured film 17. On the ITO transparent electrode 19, an RGB color filter 22 in which a layer of the liquid crystal 20 and a black matrix are arranged is provided.

[실시예][Example]

다음으로, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은, 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

이하의 합성예에 있어서, 이하의 부호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the following Synthesis Examples, the following symbols respectively represent the following compounds.

tert-BMA : tert-부틸메타크릴레이트tert-BMA: tert-butyl methacrylate

V-65 : 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)V-65: 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile)

GMA : 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

EDM : 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르EDM: diethylene glycol ethyl methyl ether

<중합체A-1의 합성>&Lt; Synthesis of Polymer A-1 &

에틸비닐에테르 144.2중량부(2몰당량)에 페노티아진 0.5중량부를 첨가하고, 반응계 중을 10℃ 이하로 냉각하면서 메타크릴산 86.1중량부(1몰당량)를 적하 후, 실온(25℃)에서 4시간 교반했다. p-톨루엔설폰산피리디늄 5.0중량부를 첨가 후, 실온에서 2시간 교반하고, 하룻밤 실온 방치했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5중량부 및 황산나트륨 5중량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하여, 잔사(殘渣)의 황색 유상물을 감압 증류하여 비점(bp.) 43∼45℃/7mmHg 유분(留分)의 메타크릴산1-에톡시에틸 134.0중량부를 무색 유상물(油狀物)로서 얻었다.And 0.5 parts by weight of phenothiazine was added to 144.2 parts by weight (2 molar equivalents) of ethyl vinyl ether. 86.1 parts by weight (1 molar equivalent) of methacrylic acid was added dropwise while cooling the reaction system to 10 DEG C or lower, Lt; / RTI &gt; for 4 hours. 5.0 parts by weight of p-toluenesulfonic acid pyridinium was added, followed by stirring at room temperature for 2 hours, and the mixture was allowed to stand at room temperature overnight. 5 parts by weight of sodium hydrogencarbonate and 5 parts by weight of sodium sulfate were added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. The insoluble material was filtered and then concentrated under reduced pressure at 40 DEG C or lower to distill off the yellow oil- (bp.) 43 to 45 占 폚 / 7 mmHg of fraction (fraction) of 134.0 parts by weight of 1-ethoxyethyl methacrylate as a colorless oil.

얻어진 메타크릴산1-에톡시에틸(63.25중량부(0.4몰당량)), tert-BMA(42.66중량부(0.3몰당량)), GMA(42.65중량부(0.3몰당량)) 및 EDM(126.6중량부)의 혼합 용액을 질소 기류 하, 70℃로 가열했다. 이 혼합 용액을 교반하면서, 라디칼 중합 개시제 V-65(와코준야쿠고교(주)제, 4중량부) 및 EDM(100.0중량부)의 혼합 용액을 2.5시간 걸쳐 적하했다. 적하가 종료하고나서, 70℃에서 4시간 반응시킴으로써 중합체A-1의 EDM 용액(고형분 농도 : 40중량%)을 얻었다. 얻어진 중합체A-1의 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량평균 분자량은, 18,000이었다.(42.66 parts by weight (0.3 molar equivalents)) and EDM (126.6 parts by weight (0.3 molar equivalents)), tert-butyl methacrylate ) Was heated to 70 캜 under a nitrogen stream. While stirring the mixed solution, a mixed solution of radical polymerization initiator V-65 (4 parts by weight, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and EDM (100.0 parts by weight) was added dropwise over 2.5 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction was carried out at 70 DEG C for 4 hours to obtain an EDM solution of polymer A-1 (solid concentration: 40% by weight). The polymer A-1 thus obtained had a weight average molecular weight of 18,000 as determined by gel permeation chromatography (GPC).

<중합체A-2∼A-14, A'-15 및 A'-16의 합성><Synthesis of Polymers A-2 to A-14, A'-15 and A'-16>

사용한 각 모노머 및 그 사용량을 표 1에 기재된 것으로 변경한 이외는, 중합체A-1의 합성과 같이 하여, 중합체A-2∼A-14, A'-15, A'-16 및 A-17을 각각 합성했다.Polymers A-2 to A-14, A'-15, A'-16 and A-17 were synthesized in the same manner as in the synthesis of Polymer A-1 except that the respective monomers used and the amounts used were changed to those shown in Table 1. Respectively.

[표 1][Table 1]

Figure 112010066116678-pat00037
Figure 112010066116678-pat00037

또, 표 1에 기재된 공중합비는 몰비이며, 표 1 중의 약호는 이하와 같다.The copolymerization ratios shown in Table 1 are molar ratios, and the abbreviations in Table 1 are as follows.

MAEVE : 메타크릴산1-에톡시에틸MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate

t-BMA : tert-부틸메타크릴레이트t-BMA: tert-butyl methacrylate

GMA : 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

OXE-30 : 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(오사카유키가가쿠고교(주)제)OXE-30: Methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

OXE-10 : 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(오사카유키가가쿠고교(주)제)OXE-10: Acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (manufactured by Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.)

HEMA : 메타크릴산2-히드록시에틸HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate

M100 : 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸(다이셀가가쿠고교(주)제)M100: 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.)

A400 : 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸(다이셀가가쿠고교(주)제)A400: 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.)

MAA : 메타크릴산MAA: methacrylic acid

thpMA : 메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일thpMA: methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl

Ph-2 : 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르Ph-2: 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester

Ph-3 : 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르Ph-3: 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester

Ph-6 : 4-히드록시벤조산(6-메타크릴로일옥시헥실)에스테르Ph-6: 4-Hydroxybenzoic acid (6-methacryloyloxyhexyl) ester

Ph-3OH : 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르Ph-3OH: 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester

CHOEMA : 메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸CHOEMA: 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate

MATHF : 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일MATHF: tetrahydrofuran-2-yl methacrylate

P-Ph-3 : 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-에톡시에틸에테르P-Ph-3: 1-ethoxyethyl ether of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester

P-Ph-1 : 메타크릴산4-히드록시페닐의 테트라히드로피라닐에테르P-Ph-1: tetrahydropyranyl ether of 4-hydroxyphenyl methacrylate

St : 스티렌St: Styrene

C1 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트C1: Propylene glycol monomethyl ether acetate

C2 : 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르C2: diethylene glycol ethyl methyl ether

또, thpMA(메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일)는, 일본 특개평5-88367호 공보의 단락0018에 기재된 합성예1의 방법으로 합성했다.Further, thpMA (tetrahydro-2 H-pyran-2-yl methacrylate) was synthesized by the method of Synthesis Example 1 described in paragraph 0018 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-88367.

CHOEMA(메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸)도 같은 방법으로 합성했다. 또한, 이 다른 1-에톡시에틸에테르 보호, 테트라히드로피라닐에테르 보호도, 같은 방법으로 실시했다.CHOEMA (1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate) was also synthesized by the same method. The protection of other 1-ethoxyethyl ether and tetrahydropyranyl ether was also carried out in the same manner.

또한, Ph-2, Ph-3, Ph-6, 및, Ph-3OH는, 각각 이하의 방법으로 합성했다.Ph-2, Ph-3, Ph-6, and Ph-3OH were synthesized by the following methods, respectively.

<Ph-2(4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르)의 합성><Synthesis of Ph-2 (4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester]

4-히드록시벤조산(2-히드록시에틸)에스테르 21g의 아세토니트릴 100ml 용액에, 교반 하, N,N-디메틸아세트아미드 20ml를 가하고, 메타크릴산클로리드 20g을 더 가했다. 35℃에서 8시간, 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 빙수에 부어, 석출한 결정을 여취(濾取)하고, 아세트산에틸/n-헥산에서 재결정하여, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르를 얻었다.20 ml of N, N-dimethylacetamide was added to a solution of 21 g of 4-hydroxybenzoic acid (2-hydroxyethyl) ester in 100 ml of acetonitrile with stirring, and 20 g of methacrylic chloride was further added. The reaction mixture was poured into ice water and the precipitated crystals were collected by filtration and recrystallized from ethyl acetate / n-hexane to obtain 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyl Chloroyloxyethyl) ester.

Ph-3(4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르) 및 Ph-6(4-히드록시벤조산(6-메타크릴로일옥시헥실)에스테르)은, 상기 Ph-2와 같이 하여 합성했다.Ph-3 (4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester) and Ph-6 (4-hydroxybenzoic acid (6-methacryloyloxyhexyl) And synthesized together.

<Ph-3OH(4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르)의 합성><Synthesis of Ph-3OH (4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester]

p-히드록시벤조산 100g, 글리시딜메타크릴레이트 100g, 테트라부틸암모늄브로마이드 9.7g을 N-메틸피롤리돈250ml에 가하고, 90℃에서 6시간, 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 물/아세트산에틸 혼합 용매에 부어, 석출한 결정을 여취하고, 아세트산에틸/n-헥산에서 재결정하여, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르를 얻었다.100 g of p-hydroxybenzoic acid, 100 g of glycidyl methacrylate, and 9.7 g of tetrabutylammonium bromide were added to 250 ml of N-methylpyrrolidone and reacted at 90 DEG C for 6 hours while stirring. The reaction mixture was diluted with water / acetic acid Ethyl acetate mixed solvent. The precipitated crystals were collected by filtration and recrystallized from ethyl acetate / n-hexane to obtain 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester.

<MATHF(메타크릴산테트라히드로푸란-2-일)의 합성>&Lt; Synthesis of MATHF (tetrahydrofuran-2-yl methacrylate)

메타크릴산(86g, 1몰)을 15℃로 냉각해두고, 캠퍼설폰산(4.6g, 0.02몰)을 첨가했다. 그 용액에, 2,3-디히드로푸란(71g, 1몰, 1.0당량)을 적하했다. 1시간 교반한 후에, 포화 탄산수소나트륨 수용액(500ml)을 가하고, 아세트산에틸(500ml)로 추출하여, 황산마그네슘으로 건조 후, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하여, 잔사의 황색 유상물을 감압 증류하여 비점(bp.) 54∼56℃/3.5mmHg 유분의 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일(MATHF) 125g을 무색 유상물로서 얻었다(수율80%).Methacrylic acid (86 g, 1 mole) was cooled to 15 占 폚 and camphorsulfonic acid (4.6 g, 0.02 mole) was added. 2,3-dihydrofuran (71 g, 1 mole, 1.0 equivalent) was added dropwise to the solution. After stirring for 1 hour, a saturated aqueous solution of sodium hydrogencarbonate (500 ml) was added, extracted with ethyl acetate (500 ml) and dried over magnesium sulfate. The insoluble material was filtered off and concentrated under reduced pressure at 40 ° C or lower. Distilled under reduced pressure to obtain 125 g of a tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (MATHF) having a boiling point (bp.) Of 54 to 56 ° C / 3.5 mmHg as a colorless oil (yield: 80%).

(실시예1∼53 및 비교예1∼3)(Examples 1 to 53 and Comparative Examples 1 to 3)

(1) 감광성 수지 조성물 용액의 제조(1) Preparation of photosensitive resin composition solution

하기 표 2∼표 4에 나타내는 각 성분을 혼합하여 균일한 용액으로 한 후, 0.2㎛의 포어 사이즈(pore size)를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 사용하여 여과하여, 실시예1∼53 및 비교예1 및 2의 감광성 수지 조성물 용액을 각각 제조했다.The components shown in Tables 2 to 4 were mixed to prepare a homogeneous solution, which was then filtered using a polytetrafluoroethylene filter having a pore size of 0.2 mu m, The photosensitive resin composition solutions of Comparative Examples 1 and 2 were prepared.

[표 2][Table 2]

Figure 112010066116678-pat00038
Figure 112010066116678-pat00038

[표 3][Table 3]

Figure 112010066116678-pat00039
Figure 112010066116678-pat00039

[표 4][Table 4]

Figure 112010066116678-pat00040
Figure 112010066116678-pat00040

또, 표 2∼표 4 중의 약호는 이하와 같다.The abbreviations in Tables 2 to 4 are as follows.

B1 : CGI1397(치바재팬(주)제)B1: CGI1397 (manufactured by Chiba Japan Co., Ltd.)

B2 : CGI1325(치바재팬(주)제)B2: CGI1325 (manufactured by Chiba Japan Co., Ltd.)

B3 : PAI-1001(하기에 나타내는 구조, 미도리가가쿠(주)제) B3: PAI-1001 (the structure shown below, manufactured by Midori Kagaku Co., Ltd.)

B4 : DBA(9,10-디부톡시안트라센, 하기에 나타내는 구조, 가와사키가세이고교(주)제)B4: DBA (9,10-dibutoxyanthracene, structure shown below, manufactured by Kawasaki Chemical Industry Co., Ltd.)

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<광산 발생제B5의 합성>&Lt; Synthesis of Photoacid generator B5 >

1-1. 합성 중간체B5-A의 합성1-1. Synthesis of Synthetic Intermediate B5-A

2-아미노벤젠티올 : 31.3g(도쿄가세이고교(주)제)를 톨루엔 : 100mL(와코준야쿠고교(주)제)에 실온(25℃) 하 용해시켰다. 다음으로, 페닐아세틸클로리드 : 40.6g(도쿄가세이고교(주)제)을 적하하고, 실온 하 1시간, 이어서 100℃에서 2시간 교반하여 반응시켰다. 얻어진 반응액에 물 500mL를 넣어 석출한 염을 용해시켜, 톨루엔 유분을 추출, 추출액을 로터리 이베이퍼레이터로 농축시켜, 합성 중간체B5-A를 얻었다.(25 占 폚) was dissolved in 100 ml of toluene (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), 31.3 g of 2-aminobenzenethiol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.). Subsequently, 40.6 g of phenylacetyl chloride (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added dropwise, and the mixture was reacted by stirring at room temperature for 1 hour and then at 100 ° C for 2 hours. 500 mL of water was added to the obtained reaction solution to dissolve the precipitated salt, and the toluene oil was extracted. The extract was concentrated with a rotary evaporator to obtain a synthetic intermediate B5-A.

1-2. B5의 합성1-2. Synthesis of B5

상기와 같이 하여 얻어진 합성 중간체B5-A 2.25g을 테트라히드로푸란 : 10mL(와코준야쿠고교(주)제)에 혼합시킨 후, 빙욕(氷浴)에 담가 반응액을 5℃ 이하로 냉각했다. 다음으로, 테트라메틸암모늄히드록시드 : 4.37g(25중량% 메탄올 용액, Alfa Acer사제)을 적하하고, 빙욕 하 0.5시간 교반하여 반응시켰다. 또한, 아질산이소펜틸 : 7.03g을 내온 20℃ 이하로 유지하면서 적하하고, 적하 종료 후에 반응액을 실온까지 승온 후, 1시간 교반했다.2.25 g of the thus-obtained synthetic intermediate B5-A was mixed with 10 mL of tetrahydrofuran (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and then immersed in an ice bath to cool the reaction solution to 5 캜 or lower. Next, 4.37 g of tetramethylammonium hydroxide (25% by weight methanol solution, manufactured by Alfa Acer Co.) was added dropwise, and the mixture was reacted with stirring for 0.5 hour in an ice bath. Further, 7.03 g of isopentyl nitrite was added dropwise while keeping the internal temperature at 20 캜 or lower. After completion of dropwise addition, the reaction solution was heated to room temperature and stirred for 1 hour.

이어서, 반응액을 5℃ 이하로 냉각한 후, p-톨루엔설포닐클로리드(1.9g)(도쿄가세이고교(주)제)를 투입하고, 10℃ 이하를 유지하면서 1시간 교반했다. 그 후 물 80mL를 투입하고, 0℃에서 1시간 교반했다. 얻어진 석출물을 여과한 후, 이소프로필알코올(IPA) 60mL를 투입하고, 50℃로 가열하여 1시간 교반하여, 열시 여과, 건조시킴으로써, (B5 : 상기 구조) 1.8g을 얻었다.Subsequently, the reaction solution was cooled to 5 캜 or lower, p-toluenesulfonyl chloride (1.9 g, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added thereto, and the mixture was stirred for 1 hour while maintaining the temperature at 10 캜 or lower. Then, 80 mL of water was added, and the mixture was stirred at 0 ° C for 1 hour. The resultant precipitate was filtered, and 60 mL of isopropyl alcohol (IPA) was added. The mixture was heated to 50 캜 and stirred for 1 hour, filtered, and dried to obtain 1.8 g of (B5: the above structure).

얻어진 B5의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, 중DMSO((D3C)2S=O))은, δ=8.2∼8.17(m,1H), 8.03∼8.00(m,1H), 7.95∼7.9(m,2H), 7.6∼7.45(m,9H), 2.45(s,3H)이었다.The obtained 1 H-NMR spectrum of the obtained B5 (300 MHz, DMSO ((D 3 C) 2 S = O)) was found to be δ = 8.2-8.17 (m, 1H), 8.03-8.00 (m, 2H), 7.6-7.45 (m, 9H), 2.45 (s, 3H).

상기 1H-NMR 측정 결과로부터, 얻어진 B5는, 1종 단독의 기하 이성체인 것이 추정된다.From the 1 H-NMR measurement results, it is estimated that the obtained B5 is a single geometric isomer.

<B6의 합성><Synthesis of B6>

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열하여 2시간 반응시켰다. 빙랭 하, 반응액에 4NHCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산에틸(50mL)을 첨가하여 분액했다. 유기층에 탄산칼륨(19.2g)을 가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2NHCl 수용액(60mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixture was heated to 40 캜 for reaction for 2 hours. A 4N HCl aqueous solution (60 mL) was added dropwise to the reaction solution under ice-cooling, and ethyl acetate (50 mL) was added to separate the layers. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 占 폚 for 1 hour. 2N HCl aqueous solution (60 mL) was added to the mixture to separate the layers. The organic layer was concentrated, and the crystals were reslurried with diisopropyl ether Filtered and dried to obtain a ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50중량% 히드록시아민 수용액(8.0g)을 첨가하고, 가열 환류했다. 방랭 후, 물(50mL)을 가하고, 석출한 결정을 여과, 냉메탄올 세정 후, 건조하여 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3 g) and a 50 wt% aqueous solution of hydroxyamine (8.0 g) were added to the suspension of the obtained ketone compound (3.0 g) and methanol (30 mL), and the mixture was heated to reflux. After cooling, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시켜, 빙랭 하 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔설포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온으로 승온하여 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과 후, 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 B6(2.3g)을 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and the mixture was heated to room temperature and reacted for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered off and then slurry was rinsed with methanol (20 mL), followed by filtration and drying to obtain B6 (2.3 g).

또, B6의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, CDCl3)은, δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.4(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 2.4(s,3H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, 1 H-NMR spectrum of B6 (300MHz, CDCl 3) is, δ = 8.3 (d, 1H ), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d, 1H), 5.6 (q,

C1 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트C1: Propylene glycol monomethyl ether acetate

C2 : 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르C2: diethylene glycol ethyl methyl ether

D1 : 아데카스탑AO-60((주)ADEKA제)D1: ADEKA STOP AO-60 (manufactured by ADEKA Corporation)

E1 : JER-157S70(다관능 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 200∼220g/eq), 재팬에폭시레진(주)제)E1: JER-157S70 (polyfunctional novolac epoxy resin (epoxy equivalents: 200 to 220 g / eq), Japan Epoxy Resin Co., Ltd.)

E2 : 니칼락MW-100LM(산와케미컬(주)제)E2: Nikalkak MW-100LM (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)

계면활성제1 : 메가팩R-08(퍼플루오로알킬기 함유 비이온성 계면활성제, DIC(주)제)Surfactant 1: Megapack R-08 (a nonionic surfactant containing a perfluoroalkyl group, manufactured by DIC Corporation)

계면활성제2 : 하기 구조의 화합물W-3Surfactant 2: Compound W-3 having the following structure

염기성 화합물1 : 4-디메틸아미노피리딘Basic compound 1: 4-dimethylaminopyridine

염기성 화합물2 : 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨Basic compound 2: 1,5-Diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene

염기성 화합물3 : 트리페닐이미다졸Basic compound 3: Triphenylimidazole

밀착 개량제1 : KBM-403(신에츠가가쿠고교(주)제)Adhesion improving agent 1: KBM-403 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

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Figure 112010066116678-pat00043
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또한, 비교예3에서 사용한 조성물은, 일본 특개2004-264623호 공보의 실시예1에 기재된 조성물이다. 즉, 이하와 같이 제조한 조성물이다.The composition used in Comparative Example 3 is the composition described in Example 1 of JP-A-2004-264623. That is, the composition is prepared as follows.

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7중량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200중량부를 장입했다. 이어서 1-(시클로헥실옥시)에틸메타크릴레이트 40중량부, 스티렌 5중량부, 메타크릴산글리시딜 45중량부, 2-히드록시에틸메타크릴레이트 10중량부 및 α-메틸스티렌다이머 3중량부를 장입하고 질소 치환한 후, 서서히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 유지하여 공중합체를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체의 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 11,000이었다. 또한, 여기서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.6중량%이었다.A cooling tube and a stirrer, 7 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by weight of diethylene glycol ethyl methyl ether were charged. Subsequently, 40 parts by weight of 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate, 5 parts by weight of styrene, 45 parts by weight of glycidyl methacrylate, 10 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate, After charging the parts by weight and replacing with nitrogen, stirring was started slowly. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer. The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the obtained copolymer was 11,000. The solid content concentration of the obtained polymer solution was 31.6% by weight.

상기에서 합성한 공중합체를 함유하는 용액을, 공중합체 100중량부(고형분)에 상당하는 양, 및, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄설포네이트 5중량부를, 고형분 농도가 30중량%가 되도록 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르에 용해시킨 후, 구경0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 비교예3의 감광성 수지 조성물을 제조했다.The solution containing the copolymer synthesized above was dissolved in an amount corresponding to 100 parts by weight (solid content) of the copolymer and an amount of 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoro And 5 parts by weight of methane sulfonate were dissolved in diethylene glycol methyl ethyl ether to have a solid concentration of 30% by weight and then filtered through a membrane filter having a pore diameter of 0.2 탆 to prepare a photosensitive resin composition of Comparative Example 3.

(2)감도의 평가(2) Evaluation of sensitivity

실리콘산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 위에 감광성 수지 조성물 용액을 회전 도포한 후, 95℃에서 90초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이킹하여 막두께3㎛의 도막을 형성했다.The solution of the photosensitive resin composition was spin-coated on a silicon wafer having a silicon oxide film and then pre-baked on a hot plate at 95 캜 for 90 seconds to form a coating film having a film thickness of 3 탆.

다음으로, i선 스텝퍼(캐논(주)제 FPA-3000i5+)를 사용하여, 소정의 마스크를 통해 노광했다. 노광 후, 0.4중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 액성법으로 현상한 후, 초순수로 1분간 린스했다. 이들의 조작에 의해 10㎛의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 노광량(Eopt)을 감도로 했다. 감도는, 100mJ/cm2보다 저노광량의 경우에, 고감도라고 할 수 있다.Next, exposure was performed through a predetermined mask using an i-line stepper (FPA-3000i5 + manufactured by Canon Inc.). After the exposure, the resist film was developed by a liquid method at 23 캜 for 60 seconds with a 0.4% by weight tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, and rinsed with ultrapure water for 1 minute. With these operations, the optimum exposure amount (Eopt) at the time of resolving a line-and-space of 10 mu m at a ratio of 1: 1 was taken as sensitivity. The sensitivity can be said to be high sensitivity when the exposure amount is lower than 100 mJ / cm 2 .

(3) 노광량 의존성의 평가(3) Evaluation of exposure dose dependency

상기 최적 노광량(Eopt)에 대해, (Eopt-10%의 노광량으로 노광했을 때의 선폭)와 (Eopt+10%의 노광량으로 노광했을 때의 선폭)을 각각 구하여, {(Eopt-10%의 노광량으로 노광했을 때의 선폭)-(Eopt+10%의 노광량으로 노광했을 때의 선폭)}이, 1㎛ 미만의 경우를 「1」, 1㎛ 이상의 경우를 「2」로 했다. 「1」의 경우는, 노광량 의존성이 양호하다고 할 수 있다.(Eopt-10%) of the exposure amount (Eopt-10%) and Eopt (+ 10% of the exposure amount) were obtained for the optimum exposure amount Eopt (Line width when exposed at an exposure amount of Eopt + 10%)) was set to &quot; 1 &quot; when it was less than 1 mu m and &quot; 2 &quot; In the case of &quot; 1 &quot;, it can be said that the exposure amount dependency is good.

감도 및 노광량 의존성의 평가 결과를 표 5 및 표 6에 나타냈다.The evaluation results of sensitivity and exposure dose dependency are shown in Tables 5 and 6.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 모두 감도가 높고, 노광량 의존성이 양호함을 알 수 있다.It can be seen that the photosensitive resin composition of the present invention has high sensitivity and good exposure dose dependency.

[표 5][Table 5]

Figure 112010066116678-pat00045
Figure 112010066116678-pat00045

[표 6][Table 6]

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Figure 112010066116678-pat00046

(4) 내용제성의 평가(4) Evaluation of solvent resistance

실리콘산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 위에 감광성 수지 조성물 용액을 회전 도포한 후, 95℃에서 90초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이킹하여 막두께3㎛의 도막을 형성했다. 얻어진 도막에 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 200mJ/cm2(조도 : 20mW/cm2)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐으로 230℃에서 1시간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 막두께(T1)를 측정했다. 다음으로, 이 경화막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 25℃로 온도 제어된 N-메틸피롤리돈 중에 30분간 침지시킨 후, 당해 경화막의 막두께(t1)를 측정하고, 침지에 의한 막두께 변화율{|t1-T1|/T1}×100(%)을 산출했다. 또, 변화율이 3% 미만이면, 내용제성이 양호하다고 할 수 있다.The solution of the photosensitive resin composition was spin-coated on a silicon wafer having a silicon oxide film and then pre-baked on a hot plate at 95 캜 for 90 seconds to form a coating film having a film thickness of 3 탆. The obtained coating film was exposed with a PLA-501F exposure apparatus (ultra-high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Inc. so as to have a cumulative dose of 200 mJ / cm 2 (light intensity: 20 mW / cm 2 ) And heated for a time to obtain a cured film. The film thickness (T1) of the obtained cured film was measured. Next, the silicon wafer on which the cured film was formed was immersed in N-methylpyrrolidone controlled at 25 占 폚 for 30 minutes, and then the film thickness t1 of the cured film was measured, and the rate of film thickness change {| t1 -T1 | / T1} x 100 (%). If the rate of change is less than 3%, the solvent resistance is good.

내용제성의 평가 결과를 표 7에 나타낸다.Table 7 shows the evaluation results of the solvent resistance.

본 발명의 감광성 조성물은, 모두 양호한 내용제성을 나타내며, 지환 에폭시기를 함유하는 중합체를 사용한 경우, 옥세타닐기를 함유하는 수지를 사용한 경우, 또한, 가교제를 사용한 경우에 특히 양호하게 됨을 알 수 있다.All of the photosensitive compositions of the present invention exhibit good solvent resistance and are particularly good when a polymer containing an alicyclic epoxy group is used, when a resin containing an oxetanyl group is used, and when a crosslinking agent is used.

[표 7][Table 7]

Figure 112010066116678-pat00047
Figure 112010066116678-pat00047

(5) 내열투명성의 평가(5) Evaluation of heat resistance transparency

상기 (4) 내용제성의 평가에 있어서, 실리콘 웨이퍼 대신에 유리 기판「코닝1737(코닝사제)」을 사용한 것 이외는 (4)와 같이 하여 유리 기판 위에 경화막을 제작했다. 얻어진 경화막을 오븐으로 230℃에서 2시간 더 가열한 후, 광선 투과율을 분광광도계「150-20형 더블빔((주)히다치세이사쿠쇼제)」를 사용하여 400∼800nm의 범위의 파장에서 측정했다. 그 때의 최저 광선 투과율의 평가(내열투명성의 평가)를 표 8에 나타낸다. 이 값이 81% 이상이면, 내열투명성이 양호하다고 할 수 있다.(4) A cured film was formed on a glass substrate in the same manner as in (4) except that a glass substrate "Corning 1737 (manufactured by Corning)" was used instead of the silicon wafer in the evaluation of the solvent resistance. The obtained cured film was further heated in an oven at 230 DEG C for 2 hours and then the light transmittance was measured at a wavelength in the range of 400 to 800 nm using a spectrophotometer "150-20 type double beam (manufactured by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.)" . Evaluation of the lowest light transmittance (evaluation of heat resistance and transparency) at that time is shown in Table 8. When this value is 81% or more, it can be said that heat-resistant transparency is good.

본 발명의 감광성 조성물은, 모두 양호한 내열투명성을 나타내며, 특히, 광산 발생제B6을 사용한 경우, 및, 산화 방지제를 사용한 경우는 특히 양호하게 됨을 알 수 있다.All of the photosensitive compositions of the present invention exhibit good heat-resistant transparency. Particularly, when the photoacid generator B6 is used, and when an antioxidant is used, the photosensitive composition of the present invention is particularly satisfactory.

[표 8][Table 8]

Figure 112010066116678-pat00048
Figure 112010066116678-pat00048

(실시예54)(Example 54)

실시예51의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기 실시예51과 같은 평가를, 초고압 수은 램프 대신에 UV-LED 광원 노광기를 사용하여 실시한 바, 실시예51과 같은 결과가 얻어졌다.Using the photosensitive resin composition of Example 51, the same evaluation as in Example 51 was conducted using a UV-LED light source exposing apparatus instead of an ultra-high pressure mercury lamp, and the same results as in Example 51 were obtained.

(실시예55)(Example 55)

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 위에 바톰 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 다음으로, 이 절연막(3)에, 여기서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이1.0㎛)을 절연막(3) 위에 형성했다. 이 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A TFT 1 of a bottom gate type was formed on a glass substrate 6 and an insulating film 3 made of Si 3 N 4 was formed so as to cover the TFT 1. Next, a contact hole (not shown) is formed in the insulating film 3, and a wiring 2 (height 1.0 mu m) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3 did. This wiring 2 is for connecting the organic EL element formed between the TFTs 1 or a later step to the TFT 1. [

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화층(4)을 형성했다. 절연막(3) 위에의 평탄화막(4)의 형성은, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 스핀 도포하고, 핫플레이트 상에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후, 마스크 상에서 고압 수은등을 사용하여 i선(365nm)을 45mJ/cm2(조도20mW/cm2) 조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 그 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는, 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500nm, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2,000nm이었다.The planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 so as to fill the irregularities formed by the wirings 2 in order to planarize the irregularities formed by the formation of the wirings 2. The planarizing film 4 on the insulating film 3 was formed by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 7 on a substrate, prebaking on a hot plate (90 占 폚 for 2 minutes), using a high-pressure mercury lamp on the mask Irradiated with i-line (365 nm) at 45 mJ / cm 2 (illuminance of 20 mW / cm 2 ), developed with an alkali aqueous solution to form a pattern, and subjected to heat treatment at 230 ° C for 60 minutes. The coating property when the photosensitive resin composition was applied was good, and no wrinkles or cracks were observed in the cured film obtained after exposure, development and firing. The average step of the wiring 2 was 500 nm, and the thickness of the planarization film 4 was 2,000 nm.

다음으로, 얻어진 평탄화막(4) 위에, 바톰 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)을, 콘택트홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜 형성했다. 그 후, 레지스트를 도포, 프리베이킹하고, 원하는 패턴의 마스크를 통해 노광하여, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, ITO 에천트를 사용한 웨트에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후, 레지스트 박리액(모노에탄올아민과 디메틸설폭시드(DMSO)와의 혼합액)을 사용하여 그 레지스트 패턴을 박리했다. 이렇게 하여 얻어진 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Next, an organic EL device of a bottom emission type was formed on the obtained planarization film (4). First, a first electrode 5 made of ITO was formed on the flattening film 4 by connecting it to the wiring 2 through the contact hole 7. Thereafter, the resist was applied, pre-baked, exposed through a mask of a desired pattern, and developed. Using this resist pattern as a mask, patterning was carried out by wet etching using ITO etchant. Thereafter, the resist pattern was peeled off using a resist stripping solution (a mixture of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The first electrode 5 thus obtained corresponds to the anode of the organic EL element.

다음으로, 제1 전극(5)의 주연을 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막(8)에는, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기와 같은 방법으로 형성했다. 이 절연막(8)을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Next, an insulating film 8 having a shape covering the periphery of the first electrode 5 was formed. The insulating film 8 was formed using the photosensitive resin composition of Example 7 by the same method as described above. By providing the insulating film 8, it is possible to prevent a short circuit between the first electrode 5 and the second electrode formed in a subsequent step.

또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 통해, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련했다. 이어서, 기판 상방의 전면에 Al로 이루어지는 제2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 취출하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합함으로써 밀봉했다.Further, a hole transporting layer, an organic light emitting layer, and an electron transporting layer were sequentially deposited through a desired pattern mask in a vacuum vapor deposition apparatus. Then, a second electrode made of Al was formed on the entire upper surface of the substrate. The obtained substrate was taken out from the evaporator, and sealed by bonding using a sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속하여 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 통해 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.As described above, an active matrix type organic EL display device in which TFTs 1 for driving the organic EL elements are connected to each organic EL element was obtained. When the voltage was applied through the driving circuit, it was found that the organic EL display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

(실시예56)(Example 56)

실시예55에 있어서, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 실시예34의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 55 except that the photosensitive resin composition of Example 7 was changed to the photosensitive resin composition of Example 34. [ The organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예57)(Example 57)

실시예55에 있어서, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 실시예51의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 55 except that the photosensitive resin composition of Example 7 was changed to the photosensitive resin composition of Example 51. [ The organic EL display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예58)(Example 58)

일본 특허 제3321003호 공보의 도 1 및 도 2에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 하여 형성하여, 실시예58의 액정 표시 장치를 얻었다.In the active matrix type liquid crystal display device shown in Figs. 1 and 2 of Japanese Patent No. 3321003, a cured film 17 as an interlayer insulating film was formed as follows to obtain a liquid crystal display device of Example 58. [

즉, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기 실시예55에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 평탄화막(4)의 형성 방법과 같은 방법으로, 층간절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.That is, the photosensitive resin composition of Example 7 was used to form a cured film 17 as an interlayer insulating film in the same manner as in the method of forming the planarization film 4 of the organic EL display device in Example 55.

얻어진 액정 표시 장치에 대해, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.When the driving voltage was applied to the obtained liquid crystal display device, the liquid crystal display device exhibited good display characteristics and was highly reliable.

(실시예59)(Example 59)

실시예58에 있어서, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 실시예34의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was prepared in the same manner as in Example 58 except that the photosensitive resin composition of Example 7 was changed to the photosensitive resin composition of Example 34. [ The liquid crystal display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

(실시예60)(Example 60)

실시예58에 있어서, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 실시예51의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.A liquid crystal display device was manufactured in the same manner as in Example 58 except that the photosensitive resin composition of Example 7 was changed to the photosensitive resin composition of Example 51. [ The liquid crystal display device exhibits good display characteristics and is highly reliable.

1 : TFT(박막 트랜지스터)
2 : 배선
3 : 절연막
4 : 평탄화막
5 : 제1 전극
6 : 유리 기판
7 : 콘택트홀
8 : 절연막
10 : 액정 표시 장치
12 : 백라이트 유닛
14,15 : 유리 기판
16 : TFT
17 : 경화막
18 : 콘택트홀
19 : ITO 투명 전극
20 : 액정
22 : 컬러 필터
1: TFT (thin film transistor)
2: Wiring
3: Insulating film
4: Planarizing film
5: First electrode
6: glass substrate
7: Contact hole
8: Insulating film
10: Liquid crystal display
12: Backlight unit
14, 15: glass substrate
16: TFT
17:
18: Contact hole
19: ITO transparent electrode
20: liquid crystal
22: Color filter

Claims (14)

(A) 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1), 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2), 및, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)를 함유하는 중합체,
(B) 광산발생제(光酸發生劑), 및,
(C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는
감광성 수지 조성물.
Figure 112015098060014-pat00049

(식 중, R1은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 알킬기를 나타내고, R3은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R4는 제3급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 2가의 방향족기를 나타내고, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 개소를 나타낸다. 또한, R1과 R2는 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다(단, 6원환 구조를 제외한다))
(A) a monomer unit (a1) having a structure represented by the formula (Ia) for producing a carboxy group by an acid or a structure represented by the formula (Ib) for producing a phenolic hydroxyl group by an acid, A monomer unit (a2) having a structure represented by the formula (IIa) or a structure represented by the formula (IIb) which generates a phenolic hydroxyl group by an acid, and a monomer unit having an epoxy group and / or oxetanyl group ), &Lt; / RTI &gt;
(B) a photoacid generator, and
(C) a solvent.
Sensitive resin composition.
Figure 112015098060014-pat00049

(Wherein, R 1 represents an alkyl group or a cycloalkyl group independently, R 2 are, each independently, an alkyl group, R 3 represents a tertiary alkyl group or a 2-tetrahydropyranyl, R 4 is the Ar 1 and Ar 2 each independently represent a divalent aromatic group, and the broken line portion represents a bonding site to another structure. In addition, R 1, R 2, R 3, R 4, R 5, 1 and R 2 may be connected to form a cyclic ether (except for the 6-membered ring structure))
제1항에 있어서,
상기 모노머 단위(a1)가 식(Ⅲ)으로 표시되는 모노머 단위이며, 상기 모노머 단위(a2)가 식(IV)으로 표시되는 모노머 단위인, 감광성 수지 조성물.
Figure 112010066116678-pat00050

(식 중, R5는 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R7은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)
The method according to claim 1,
Wherein the monomer unit (a1) is a monomer unit represented by the formula (III), and the monomer unit (a2) is a monomer unit represented by the formula (IV).
Figure 112010066116678-pat00050

(Wherein R 5 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 7 represents a tertiary alkyl group or a 2-tetrahydropyranyl group, and R 8 represents a hydrogen atom or a methyl group )
제1항 또는 제2항에 있어서,
화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photosensitive resin composition is a chemically amplified positive photosensitive resin composition.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 모노머 단위(a3)가, 지환 에폭시기를 갖는 모노머 단위, 및/또는, 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the monomer unit (a3) is a monomer unit having an alicyclic epoxy group and / or a monomer unit having an oxetanyl group.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (A) 중합체에 있어서의 상기 모노머 단위(a3)가, 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종에 유래하는 모노머 단위인, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the monomer unit (a3) in the polymer (A) is at least one monomer selected from the group consisting of 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, Methyl methacrylate, and methyl methacrylate (3-ethyloxetan-3-yl) methyl.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (B) 광산발생제가, 옥심설포네이트 잔기를 갖는 화합물인, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photoacid generator (B) is a compound having an oxime sulfonate residue.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (B) 광산발생제가, 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)으로 표시되는 화합물인, 감광성 수지 조성물.
Figure 112015098060014-pat00051

(식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다)
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the photoacid generator (B) is a compound represented by formula (OS-3), formula (OS-4) or formula (OS-5).
Figure 112015098060014-pat00051

Wherein R 1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, each of R 2 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, R 6 each independently represent a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents 0 to 6 Lt; / RTI &gt;
제1항 또는 제2항에 있어서,
(D) 산화 방지제를 더 함유하는, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(D) an antioxidant.
제1항 또는 제2항에 있어서,
(E) 가교제를 더 함유하는, 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
(E) a crosslinking agent.
(1) 제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정,
(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정,
(3) 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정,
(4) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및,
(5) 열경화하는 포스트베이킹 공정을 포함하는
경화막의 형성 방법.
(1) a coating step of applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3 on a substrate,
(2) a solvent removing step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
(3) an exposure step for exposing by an actinic ray,
(4) a developing step of developing by an aqueous developing solution, and
(5) a heat-curing post-baking step
Method of forming a cured film.
제10항에 기재된 방법에 의해 형성된 경화막.A cured film formed by the method according to claim 10. 제11항에 있어서,
층간절연막인 경화막.
12. The method of claim 11,
A cured film which is an interlayer insulating film.
제11항에 기재된 경화막을 구비하는, 유기 EL 표시 장치.An organic EL display device comprising the cured film according to claim 11. 제11항에 기재된 경화막을 구비하는, 액정 표시 장치.A liquid crystal display device comprising the cured film according to claim 11.
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