KR20110042006A - Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device - Google Patents

Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic el display device and liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

PURPOSE: A photosensitive resin composition, a method for forming a cured film, the cured film, an organic electroluminescent display device, and a liquid crystal display device are provided to reduce the change of pattern shapes according to the change of exposure amounts. CONSTITUTION: A photosensitive resin composition includes polymer, a photoacid generator, and a solvent. The polymer includes a first monomer unit, a second monomer unit, and a third monomer unit. The first monomer unit is represented by chemical formula Ia or chemical formula Ib. The second monomer unit is represented by chemical formula IIa or chemical formula IIb. The third monomer unit includes epoxy group and/or oxetanyl group. The chemical formula Ia generates carboxylic group by acid. The chemical formula Ib generates phenolic hydroxyl group by acid. The chemical formula IIa generates carboxylic group by acid. The chemical formula IIb generates phenolic hydroxyl group by acid.

Description

감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, CURED FILM, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}Photosensitive resin composition, formation method of cured film, cured film, organic EL display device, and liquid crystal display device {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, CURED FILM, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, an organic EL display device, and a liquid crystal display device.

유기 EL 표시 장치나, 액정 표시 장치 등에는, 패턴 형성된 층간절연막이 마련되어 있다. 이 층간절연막의 형성에는, 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고, 게다가 충분한 평탄성이 얻어진다는 것에서, 감광성 수지 조성물이 널리 사용되고 있다.The organic EL display device, the liquid crystal display device, or the like is provided with a patterned interlayer insulating film. The photosensitive resin composition is widely used in the formation of this interlayer insulating film because the number of steps for obtaining the required pattern shape is small and sufficient flatness is obtained.

상기 표시 장치에 있어서의 층간절연막에는, 절연성, 내용제성, 내열성, 및, 산화인듐주석(ITO) 스퍼터 적성이 뛰어난 경화막의 물성에 더하여, 높은 투명성이 요망되고 있다. 이 때문에, 투명성이 뛰어난 아크릴계 수지를 막 형성 성분으로서 사용하는 것이 시도되고 있다.In the interlayer insulating film in the display device, high transparency is desired in addition to the physical properties of the cured film excellent in insulation, solvent resistance, heat resistance, and indium tin oxide (ITO) sputterability. For this reason, it is tried to use acrylic resin excellent in transparency as a film formation component.

이와 같은 감광성 수지 조성물로서, 예를 들면, 특허문헌 1에는, (A) (a)불포화 카르복시산 또는 불포화 카르복시산무수물, (b)에폭시기를 갖는 라디칼 중합성 화합물 및 (c)다른 라디칼 중합성 화합물의 공중합체인 알칼리 수용액에 가용인 수지 및 (B) 감방사선성(感放射線性) 산 생성 화합물을 갖는 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.As such a photosensitive resin composition, patent document 1 has copolymerization of (A) (a) unsaturated carboxylic acid or unsaturated carboxylic acid anhydride, (b) radically polymerizable compound which has an epoxy group, and (c) other radically polymerizable compound, for example. There is proposed a photosensitive resin composition having a resin soluble in a chain alkali aqueous solution and (B) a radiation sensitive acid generating compound.

또한, 특허문헌 2에는, (A) 아세탈 구조 및/또는 케탈 구조, 및 에폭시 구조를 갖고, 겔투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량이 2000 이상인 고분자량체, 및 (B) 방사선의 조사에 의해 pKa가 4.0 이하의 산을 발생하는 화합물을 함유하는 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있다.In addition, Patent Literature 2 has a (A) acetal structure and / or a ketal structure, and an epoxy structure, and a polystyrene reduced weight average molecular weight measured by gel permeation chromatography is 2000 or more, and (B) irradiation of radiation. There has been proposed a radiation sensitive resin composition containing a compound in which pKa generates an acid of 4.0 or less.

또한, 특허문헌 3에는, (A) 산해리성기를 갖는 하기 일반식(1)으로 표시되는 구성 단위와 카르복시기와 반응하여 공유 결합을 형성할 수 있는 관능기를 갖는 구성 단위를 함유하고, 알칼리 불용성 혹은 알칼리 난용성이며, 또한, 당해 산해리성기가 해리했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지, (B) 활성 광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 적어도 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 기재되어 있다.In addition, Patent Document 3 contains (A) a structural unit having a functional group capable of reacting with a structural unit represented by the following General Formula (1) having an acid dissociable group and a carboxyl group to form a covalent bond, and is alkali insoluble or alkali. The positive photosensitive resin composition which is poorly soluble and contains at least the compound which becomes alkali-soluble when the said acid dissociable group dissociates, and (B) the compound which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light or a radiation is described. It is.

Figure pat00001
Figure pat00001

일반식(1)에 있어서, R1은, 수소 원자, 메틸기, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타낸다. R2 및 R3은, 각각 독립하여, 수소 원자, 직쇄상 혹은 분기상 알킬기, 또는 시클로알킬기를 나타낸다. 단, R2 및 R3의 적어도 하나는, 직쇄상 혹은 분기상 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다. R4는, 치환되어 있어도 좋은, 직쇄상 혹은 분기상 알킬기, 시클로알킬기, 또는 아랄킬기를 나타낸다. R2 또는 R3과, R4가 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다.In General formula (1), R <1> represents a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom, or a cyano group. R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group, or a cycloalkyl group. Provided that at least one of R 2 and R 3 represents a linear or branched alkyl group or a cycloalkyl group. R 4 represents a linear or branched alkyl group, a cycloalkyl group, or an aralkyl group which may be substituted. R 2 or R 3 and R 4 may be linked to form a cyclic ether.

일본 특개평5-165214호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 5-165214 일본 특개2004-264623호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2004-264623 일본 특개2009-98616호 공보Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2009-98616

상기 특허문헌 1에 기재된 감광성 수지 조성물은, 감도, 해상성, 경시(經時) 안정성이 충분하지 않고 고품질의 액정 표시 소자를 제조하기 위해서는 만족할 수 있는 것은 아니고, 또한, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 크다는 문제가 있었다.The photosensitive resin composition of the said patent document 1 does not have sufficient sensitivity, resolution, and time-lapse stability, and is not satisfactory in order to manufacture a high quality liquid crystal display element, and also pattern shape with respect to the change of exposure amount. There was a problem that the change was large.

또한, 상기 특허문헌 2 및 3에 기재된 감광성 수지 조성물에는, 감도가 낮다는 문제, 및/또는, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 크다는 문제가 있었다.Moreover, the photosensitive resin compositions of the said patent documents 2 and 3 had the problem that the sensitivity is low, and / or that the change of the pattern shape with respect to the change of exposure amount is large.

본 발명의 목적은, 내용제성 및 내열투명성이 뛰어난 경화막이 얻어지고, 높은 감도를 가짐과 함께, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 작은(「노광 래티튜드가 넓은」이라고도 한다) 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 및 그 제조 방법, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치를 제공하는 것에 있다.An object of the present invention is to provide a cured film having excellent solvent resistance and heat resistance, having high sensitivity, and having a small change in pattern shape with respect to a change in exposure dose (also referred to as "wide exposure latitude"), It is providing the cured film using the said photosensitive resin composition, its manufacturing method, an organic electroluminescence display, and a liquid crystal display device.

본 발명의 상기 과제는, 이하의 <1>, <10>, <11>, <13> 또는 <14>에 기재된 수단에 의해 해결되었다. 바람직한 실시 태양인 <2>∼<9> 및 <12>와 함께 이하에 기재한다.The said subject of this invention was solved by the means as described in the following <1>, <10>, <11>, <13>, or <14>. It describes below with <2>-<9> and <12> which are preferable embodiments.

<1> (A) 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1), 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2), 및, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)를 함유하는 중합체, (B) 광산(光酸) 발생제, 및, (C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물,<1> (A) monomer unit (a1) which has a structure represented by Formula (Ia) which produces | generates a carboxyl group by acid, or a structure represented by Formula (Ib) which produces | generates phenolic hydroxyl group by acid, and an acid Monomer unit (a2) which has a structure represented by Formula (IIb) which produces a phenolic hydroxyl group by the structure represented by Formula (IIa) which produces | generates a carboxyl group, and a monomer, and a monomer which has an epoxy group and / or an oxetanyl group A photosensitive resin composition comprising a polymer containing a unit (a3), (B) a photoacid generator, and (C) a solvent,

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 중, R1은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 알킬기를 나타내고, R3은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R4는 제3급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 아릴기를 나타내고, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 개소를 나타낸다. 또한, R1과 R2는 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다(단, 6원환 구조를 제외한다))(Wherein, R 1 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 2 each independently represents an alkyl group, R 3 represents a tertiary alkyl group or 2-tetrahydropyranyl group, and R 4 represents tertiary alkyl group, tert- butoxycarbonyl group, or 2-tetrahydro pyranyl represents a group, Ar 1 and Ar 2 are, each independently, an aryl, a broken line portion represents a bond with other portions of the structure. in addition, R 1 and R 2 may be linked to form a cyclic ether (except for a 6-membered ring structure))

<2> 상기 모노머 단위(a1)가 식(Ⅲ)으로 표시되는 모노머 단위이며, 상기 모노머 단위(a2)가 식(IV)으로 표시되는 모노머 단위인, 상기 <1>에 기재된 감광성 수지 조성물,<2> Photosensitive resin composition as described in said <1> whose said monomer unit (a1) is a monomer unit represented by Formula (III), and whose said monomer unit (a2) is a monomer unit represented by Formula (IV),

Figure pat00003
Figure pat00003

(식 중, R5는 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R7은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)(Wherein R 5 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 7 represents a tertiary alkyl group or a 2-tetrahydropyranyl group, and R 8 represents a hydrogen atom or a methyl group) )

<3> 화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인, 상기 <1> 또는 <2>에 기재된 감광성 수지 조성물,The photosensitive resin composition as described in said <1> or <2> which is a <3> chemically amplified positive type photosensitive resin composition,

<4> 상기 모노머 단위(a3)가, 지환 에폭시기를 갖는 모노머 단위, 및/또는, 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인, 상기 <1>∼<3>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<4> Photosensitive resin composition in any one of said <1>-<3> whose said monomer unit (a3) is a monomer unit which has an alicyclic epoxy group, and / or a monomer unit which has an oxetanyl group,

<5> 상기 (A) 중합체에 있어서의 상기 모노머 단위(a3)가, 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종에 유래하는 모노머 단위인, 상기 <1>∼<4>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<5> The said monomer unit (a3) in the said (A) polymer is acrylic acid 3, 4- epoxycyclohexylmethyl, methacrylic acid 3, 4- epoxycyclohexylmethyl, and acrylic acid (3-ethyloxetane-3 -Yl) methyl and any one of said <1>-<4> which is a monomeric unit derived from at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. Photosensitive resin composition,

<6> 상기 (B) 광산 발생제가, 옥심설포네이트 잔기를 갖는 화합물인, 상기 <1>∼<5>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<6> Photosensitive resin composition in any one of said <1>-<5> whose said (B) photo-acid generator is a compound which has an oxime sulfonate residue,

<7> 상기 (B) 광산 발생제가, 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)으로 표시되는 화합물인, 상기 <1>∼<6>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<7> The said (B) photo-acid generator is a compound as described in any one of said <1>-<6> which is a compound represented by a formula (OS-3), a formula (OS-4), or a formula (OS-5). Photosensitive resin composition,

Figure pat00004
Figure pat00004

(식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다)(In formula (OS-3)-Formula (OS-5), R <1> represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, R <2> respectively independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom, and R 6 are, each independently, a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group and represents an amino-sulfonyl group, or an alkoxy-sulfonyl, X represents O or S, n represents 1 or 2, m is 0 to 6 of Represents an integer)

<8> (D) 산화 방지제를 더 함유하는, 상기 <1>∼<7>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<8> Photosensitive resin composition in any one of said <1>-<7> which further contains (D) antioxidant,

<9> (E) 가교제를 더 함유하는, 상기 <1>∼<8>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물,<9> Photosensitive resin composition in any one of said <1>-<8> which further contains (E) crosslinking agent,

<10> (1) 상기 <1>∼<9>의 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정, (2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정, (3) 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정, (4) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및, (5) 열경화하는 포스트베이킹 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법,<10> (1) The application | coating process of apply | coating the photosensitive resin composition in any one of said <1>-<9> on a board | substrate, (2) The solvent removal process which removes a solvent from the apply | coated photosensitive resin composition, (3) A method of forming a cured film including an exposure step of exposing with actinic light, (4) a developing step of developing with an aqueous developer, and (5) a postbaking step of thermosetting,

<11> 상기 <10>에 기재된 방법에 의해 형성된 경화막,<11> Cured film formed by the method as described in said <10>,

<12> 층간절연막인 상기 <11>에 기재된 경화막,The cured film as described in said <11> which is a <12> interlayer insulation film,

<13> 상기 <11> 또는 <12>에 기재된 경화막을 구비하는, 유기 EL 표시 장치,<13> The organic electroluminescence display provided with the cured film as described in said <11> or <12>,

<14> 상기 <11> 또는 <12>에 기재된 경화막을 구비하는, 액정 표시 장치.<14> The liquid crystal display device which comprises the cured film as described in said <11> or <12>.

본 발명에 의하면, 내용제성 및 내열투명성이 뛰어난 경화막이 얻어지고, 높은 감도를 가짐과 함께, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 작은 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막 및 그 제조 방법, 유기 EL 표시 장치, 및, 액정 표시 장치를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the cured film excellent in solvent resistance and heat resistance transparency is obtained, it has high sensitivity, and the photosensitive resin composition with small change of pattern shape with respect to a change of exposure amount, the cured film using the said photosensitive resin composition, and its manufacture A method, an organic EL display device, and a liquid crystal display device can be provided.

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 바톰 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
도 2는 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 층간절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
1 shows a configuration conceptual diagram of an example of an organic EL display device. Typical sectional drawing of the board | substrate in a bottom emission type organic electroluminescence display is shown, and it has the planarization film 4.
2 shows a configuration conceptual diagram of an example of a liquid crystal display device. Typical sectional drawing of the active-matrix board | substrate in a liquid crystal display device is shown, and it has the cured film 17 which is an interlayer insulation film.

(감광성 수지 조성물)(Photosensitive resin composition)

이하, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 대해 상세하게 설명한다.Hereinafter, the photosensitive resin composition of this invention is demonstrated in detail.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A) 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1), 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2), 및, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)를 함유하는 중합체, (B) 광산 발생제, 및, (C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.The photosensitive resin composition of this invention has a monomer unit (a1) which has a structure represented by Formula (Ia) which produces a carboxyl group by (A) acid, or a structure represented by Formula (Ib) which produces a phenolic hydroxyl group by acid. ), A monomer unit (a2) having a structure represented by formula (IIa) that generates a carboxyl group by an acid or a structure represented by formula (IIb) that produces a phenolic hydroxyl group by an acid, and an epoxy group and / or jade A polymer containing a monomer unit (a3) having a cetanyl group, (B) a photoacid generator, and (C) a solvent are contained.

Figure pat00005
Figure pat00005

(식 중, R1은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 알킬기를 나타내고, R3은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R4는 제3급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 아릴기를 나타내고, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 개소를 나타낸다. 또한, R1과 R2는 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다(단, 6원환 구조를 제외한다))(Wherein, R 1 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 2 each independently represents an alkyl group, R 3 represents a tertiary alkyl group or 2-tetrahydropyranyl group, and R 4 represents tertiary alkyl group, tert- butoxycarbonyl group, or 2-tetrahydro pyranyl represents a group, Ar 1 and Ar 2 are, each independently, an aryl, a broken line portion represents a bond with other portions of the structure. in addition, R 1 and R 2 may be linked to form a cyclic ether (except for a 6-membered ring structure))

이하, 이들 (A)∼(C)로 표시되는 각 성분을 각각, 「(A) 성분」∼「(C) 성분」이라고도 한다.Hereinafter, each component represented by these (A)-(C) is also called "(A) component"-"(C) component", respectively.

또한, (A) 중합체에 있어서, 상기 모노머 단위(a1)가 식(Ⅲ)으로 표시되는 모노머 단위인 것이 바람직하고, 또한, 상기 모노머 단위(a2)가 식(IV)으로 표시되는 모노머 단위인 것이 바람직하다.In the polymer (A), the monomer unit (a1) is preferably a monomer unit represented by formula (III), and the monomer unit (a2) is a monomer unit represented by formula (IV). desirable.

Figure pat00006
Figure pat00006

식 중, R5는 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R7은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In the formula, R 5 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 7 represents a tertiary alkyl group or 2-tetrahydropyranyl group, and R 8 represents a hydrogen atom or a methyl group.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 포지티브형 감광성 수지 조성물이다.The photosensitive resin composition of this invention is a positive photosensitive resin composition.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the photosensitive resin composition of this invention is a chemical amplification type positive photosensitive resin composition (chemical amplification positive type photosensitive resin composition).

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 활성 광선에 감응하는 광산 발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 함유하지 않는 쪽이 바람직하다. 1,2-퀴논디아지드 화합물은, 축차형 광화학 반응에 의해 카르복시기를 생성하지만, 그 양자 수율은 반드시 1 이하이다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention does not contain a 1, 2- quinonediazide compound as a photo-acid generator sensitive to actinic light. Although a 1, 2- quinonediazide compound produces | generates a carboxyl group by sequential photochemical reaction, the quantum yield is necessarily 1 or less.

이것에 대해 본 발명에서 사용하는 (B) 광산 발생제는, 활성 광선에 감응하여 생성하는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대해 촉매로서 작용하므로, 1개의 광양자의 작용으로 생성한 산이, 다수의 탈보호 반응에 기여하여, 양자 수율은 1을 초과하며, 예를 들면, 10의 몇 승과 같은 큰 값이 되어, 이른바 화학 증폭의 결과로서, 고감도가 얻어진다.On the other hand, since the acid (B) photoacid generator used in the present invention acts as a catalyst for the deprotection of the acid group protected by the acid generated in response to the actinic light, the acid produced by the action of one photon has many Contributing to the deprotection reaction, the quantum yield exceeds 1, and becomes a large value such as several powers of 10, for example, and high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은, 내용제성의 관점에서, 상기 (A) 중합체가 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 함유하는 것이 바람직하고, 또한, 후술하는 (E) 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains the monomer unit which the said (A) polymer has an alicyclic epoxy group and / or an oxetanyl group from a solvent resistance viewpoint, and also mentions the (E) crosslinking agent mentioned later It is preferable to further contain.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (A)∼(C) 성분을 함유함으로써, 높은 감도를 가짐과 함께, 노광량의 변화에 대한 패턴 형상의 변화가 작은, 즉, 노광량에 대한 래티튜드가 넓은 감광성 수지 조성물이 된다. 또한, 내용제성 및 내열투명성이 뛰어난 경화막이 얻어지는 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention has high sensitivity by containing (A)-(C) component, and the change of the pattern shape with respect to the change of exposure amount is small, ie, the photosensitive resin composition with a large latitude with respect to an exposure amount. Becomes Moreover, the photosensitive resin composition from which the cured film excellent in solvent resistance and heat transparency can be obtained.

이하, 감광성 수지 조성물을 구성하는 (A)∼(C) 성분에 대해 설명한다.Hereinafter, the components (A) to (C) constituting the photosensitive resin composition will be described.

또, 본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하여 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면 「알킬기」란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In addition, in description of group (atom group) in this specification, the description which is not describing substitution and unsubstitution includes what has a substituent with the thing which does not have a substituent. For example, an "alkyl group" includes not only the alkyl group (unsubstituted alkyl group) which does not have a substituent but the alkyl group (substituted alkyl group) which has a substituent.

또한, 본 발명에 사용하는 공중합체가 함유하는 모노머 단위를 도입하는 방법은, 중합법이어도 좋고, 고분자 반응법이어도 좋다. 중합법에서는, 소정의 관능기를 함유하는 모노머를 미리 합성한 후에, 이들 모노머를 공중합한다. 고분자 반응법에서는, 중합 반응을 행한 후에, 얻어진 공중합체의 모노머 단위에 함유되는 반응성기를 이용하여 필요한 관능기를 모노머 단위 중에 도입한다. 여기서, 관능기로서는, 페놀성 수산기 또는 카르복시기를 보호함과 동시에 강산의 존재 하에서 분해하고 이들을 유리(遊離)하기 위한 보호기, 에폭시기 또는 옥세타닐기 등의 가교성기, 페놀성 수산기나 카르복시기와 같은 알칼리 가용성기(산성기) 등을 예시할 수 있다.In addition, the polymerization method may be sufficient as the method of introduce | transducing the monomeric unit which the copolymer used for this invention contains, and a polymer reaction method may be sufficient as it. In the polymerization method, the monomer containing a predetermined functional group is previously synthesized, and then these monomers are copolymerized. In a polymer reaction method, after performing a polymerization reaction, the required functional group is introduce | transduced into a monomer unit using the reactive group contained in the monomer unit of the obtained copolymer. Here, as a functional group, it is a crosslinkable group, such as a protecting group, an epoxy group, or an oxetanyl group, and a soluble hydroxyl group or a carboxyl group, protecting a phenolic hydroxyl group or a carboxy group, and decomposing | disassembling in the presence of a strong acid, and freeing them. (Acidic group) etc. can be illustrated.

상기 모노머 단위(1)∼(3)의 상기 (A) 중합체에의 도입은, 중합법이어도 고분자 반응법이어도 좋고, 이들 두 방법을 병용해도 좋다.The introduction of the monomer units (1) to (3) into the polymer (A) may be either a polymerization method or a polymer reaction method, or a combination of these two methods may be used.

중합법에서는, 예를 들면, 식(Ia) 또는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물, 식(Ⅱa) 또는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물, 및, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 혼합하고 부가 중합하여, 목적으로 하는 (A) 중합체를 얻을 수 있다.In the polymerization method, for example, an ethylenically unsaturated compound having a structure represented by formula (Ia) or (Ib), an ethylenically unsaturated compound having a structure represented by formula (IIa) or formula (IIb), and The ethylenically unsaturated compound which has an epoxy group or an oxetanyl group is mixed, and it superposes | polymerizes and the target (A) polymer can be obtained.

고분자 반응법에서는, 메타크릴산2-히드록시에틸을 공중합한 공중합체에 에피클로로히드린을 반응시켜 에폭시기를 도입하는 것을 예시할 수 있다. 이와 같이, 반응성기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물을 공중합한 후에, 측쇄에 남은 반응성기를 활용하여, 고분자 반응에 의해, 식(Ia), 식(Ib), 식(Ⅱa) 및/또는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조나 가교성기와 같은 관능기를 측쇄에 도입할 수 있다.In the polymer reaction method, epichlorohydrin is reacted with a copolymer obtained by copolymerizing 2-hydroxyethyl methacrylic acid to introduce an epoxy group. Thus, after copolymerizing the ethylenically unsaturated compound which has a reactive group, it utilizes the reactive group which remained in the side chain, and by a polymer reaction, it is represented by Formula (Ia), Formula (Ib), Formula (IIa), and / or Formula (IIb). A functional group such as a structure or a crosslinkable group to be represented can be introduced into the side chain.

(A) 중합체(A) polymer

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 상기 (A) 중합체를 함유한다.The photosensitive resin composition of this invention contains the said (A) polymer.

본 발명의 감광성 수지 조성물이 함유하는 (A) 중합체는,(A) polymer which the photosensitive resin composition of this invention contains,

산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1),Monomer unit (a1) which has a structure represented by Formula (Ia) which produces | generates a carboxyl group by acid, or a structure represented by Formula (Ib) which produces | generates a phenolic hydroxyl group by acid,

산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2), 및,A monomer unit (a2) having a structure represented by formula (IIa) that generates a carboxyl group by an acid or a structure represented by formula (IIb) that produces a phenolic hydroxyl group by an acid, and

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3),Monomer unit (a3) having an epoxy group and / or an oxetanyl group,

를 함유한다.It contains.

(A) 중합체는, 알칼리 불용성이며, 또한, 식(Ia) 또는 식(Ib), 및, 식(Ⅱa) 또는 식(Ⅱb)의 각각에 있어서의 산분해성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지인 것이 바람직하다. 여기서, 본 발명에 있어서 산분해성기란, 산의 존재 하에서 분해하여, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 생성하는 것이 가능한 관능기를 나타낸다.The polymer (A) is alkali insoluble and is a resin which becomes alkali-soluble when the acid-decomposable group in each of formula (Ia) or formula (Ib) and formula (IIa) or formula (IIb) decomposes. It is preferable. Here, in this invention, an acid-decomposable group shows the functional group which can decompose | dissolve in presence of an acid, and can produce a carboxyl group or phenolic hydroxyl group.

또한, 본 발명에 있어서의 「알칼리 가용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께3㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가, 0.005㎛/초 이상인 것을 말하고, 「알칼리 불용성」이란, 당해 화합물(수지)의 용액을 기판 위에 도포하고, 90℃에서 2분간 가열함으로써 형성되는 당해 화합물(수지)의 도막(두께3㎛)의, 23℃에 있어서의 0.4% 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 대한 용해 속도가, 0.005㎛/초 미만인 것을 말한다.In addition, "alkali solubility" in this invention is 23 of the coating film (3 micrometers in thickness) of the said compound (resin) formed by apply | coating the solution of the said compound (resin) on a board | substrate, and heating at 90 degreeC for 2 minutes. The dissolution rate with respect to the 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution in degreeC is 0.005 micrometer / sec or more, and "alkali insoluble" means the solution of the said compound (resin) is apply | coated on a board | substrate, and it is 2 at 90 degreeC. It says that the dissolution rate with respect to the 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution in 23 degreeC of the coating film (3 micrometers in thickness) of this compound (resin) formed by heating for minutes is said to be less than 0.005 micrometer / sec.

상기 (A) 중합체는, 상기 (A) 중합체 전체를 알칼리 불용성으로 유지하는 한, 산성기의 도입을 배제하는 것은 아니고, 후술하는 카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위(a4) 등을 갖고 있어도 좋다.As long as the said (A) polymer keeps the said (A) polymer whole alkali insoluble, the introduction of an acidic group is not excluded, The monomer unit (a4) which has a carboxy group, a carboxylic anhydride residue, and / or a phenolic hydroxyl group mentioned later is mentioned. ) May be used.

상기 (A) 중합체는, 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다.It is preferable that the said (A) polymer is an acrylic polymer.

본 발명에 있어서의 「아크릴계 중합체」는, 부가 중합형의 수지이며, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를 함유하는 중합체이며, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위 이외의 모노머 단위, 예를 들면, 스티렌류에 유래하는 모노머 단위나 비닐 화합물에 유래하는 모노머 단위 등을 갖고 있어도 좋다."Acrylic-type polymer" in this invention is a polymer of addition polymerization type | mold, is a polymer containing the monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester, and originates in (meth) acrylic acid and / or its ester You may have monomer units other than a monomer unit, for example, the monomer unit derived from styrene, the monomer unit derived from a vinyl compound, etc.

상기 (A) 중합체는, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위를, 중합체에 있어서의 전 모노머 단위에 대해, 50몰% 이상인 것이 바람직하고, 80몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위만으로 이루어지는 중합체인 것이 특히 바람직하다.As for the said (A) polymer, it is preferable that it is 50 mol% or more, and, as for the monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester with respect to all the monomer units in a polymer, it is more preferable that it is 80 mol% or more, It is especially preferable that it is a polymer which consists only of the monomeric unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester.

또, 「(메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르에 유래하는 모노머 단위」를 「아크릴계 모노머 단위」라고도 한다. 또한, (메타)아크릴산은, 메타크릴산 및/또는 아크릴산을 의미하는 것으로 한다.Moreover, "the monomer unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester" is also called "acrylic-type monomer unit." In addition, (meth) acrylic acid shall mean methacrylic acid and / or acrylic acid.

<모노머 단위(a1)><Monomer unit (a1)>

상기 (A) 중합체는, 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1)를 함유한다. 식 중, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 개소를 나타낸다.The said (A) polymer contains the monomer unit (a1) which has a structure represented by Formula (Ia) which produces | generates a carboxyl group by acid, or a structure represented by Formula (Ib) which produces | generates phenolic hydroxyl group by acid. . In the formula, the broken line portion represents a bonding point with another structure.

Figure pat00007
Figure pat00007

식(Ia) 및 식(Ib) 중, R1은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타낸다.In formula (Ia) and (Ib), R <1> represents an alkyl group or a cycloalkyl group each independently.

R1에 있어서의 알킬기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 좋다.The alkyl group in R 1 may be linear or branched.

R1에 있어서의 알킬기의 바람직한 탄소수로서는, 1∼20인 것이 바람직하고, 1∼10인 것이 보다 바람직하고, 1∼7인 것이 더욱 바람직하다.As preferable carbon number of the alkyl group in R <1> , it is preferable that it is 1-20, It is more preferable that it is 1-10, It is further more preferable that it is 1-7.

R1에 있어서의 시클로알킬기의 바람직한 탄소수로서는, 3∼20인 것이 바람직하고, 3∼10인 것이 보다 바람직하고, 5∼7인 것이 더욱 바람직하다.As preferable carbon number of the cycloalkyl group in R <1> , it is preferable that it is 3-20, It is more preferable that it is 3-10, It is further more preferable that it is 5-7.

또, 이들 탄소수는, 치환기를 갖는 경우, 치환기의 탄소수도 포함된다.Moreover, when these carbon number has a substituent, carbon number of a substituent is also included.

R1에 있어서의 알킬기는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The alkyl group in R 1 is, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group, etc. are mentioned.

R1에 있어서의 시클로알킬기로서는, 예를 들면, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.As a cycloalkyl group in R <1> , a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, isobornyl group etc. are mentioned, for example.

또한, R1에 있어서의 알킬기 및 시클로알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.In addition, the alkyl group and cycloalkyl group in R <1> may have a substituent.

상기 알킬기 및 시클로알킬기에 있어서의 치환기로서는, 탄소수 1∼10의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등), 탄소수 3∼10의 시클로알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 시아노기, 니트로기, 히드록시기, 탄소수 1∼10의 알콕시기 등을 예시할 수 있고, 이들의 치환기는, 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.As a substituent in the said alkyl group and cycloalkyl group, a C1-C10 alkyl group (methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group etc.), a C3-C10 cycloalkyl group, a C6-C10 aryl group, a halogen atom (fluorine) Atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, nitro group, hydroxy group, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and the like, and these substituents may be further substituted with the above substituents.

또한, R1에 있어서의 알킬기 또는 시클로알킬기로서는, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수가 3∼10의 시클로알킬기, 또는, 탄소수가 7∼11의 아랄킬기가 바람직하고, 탄소수가 1∼6의 알킬기, 탄소수가 3∼6의 시클로알킬기, 또는, 벤질기가 보다 바람직하고, 에틸기 또는 시클로헥실기인 것이 더욱 바람직하고, 에틸기인 것이 특히 바람직하다.Moreover, as an alkyl group or a cycloalkyl group in R <1> , a C1-C10 alkyl group, a C3-C10 cycloalkyl group, or a C1-C11 aralkyl group is preferable, and a C1-C6 alkyl group is preferable. The cycloalkyl group having 3 to 6 carbon atoms or the benzyl group is more preferable, the ethyl group or the cyclohexyl group is more preferable, and the ethyl group is particularly preferable.

식(Ia) 및 식(Ib) 중, R2는 알킬기를 나타낸다.In formulas (Ia) and (Ib), R 2 represents an alkyl group.

R2에 있어서의 알킬기는, 직쇄상이어도, 분기상이어도 좋다.The alkyl group in R 2 may be linear or branched.

R2에 있어서의 알킬기의 바람직한 탄소수로서는, 1∼20인 것이 바람직하고, 1∼10인 것이 보다 바람직하고, 1∼7인 것이 더욱 바람직하다.As preferable carbon number of the alkyl group in R <2> , it is preferable that it is 1-20, It is more preferable that it is 1-10, It is further more preferable that it is 1-7.

또, 이들 탄소수는, 치환기를 갖는 경우, 치환기의 탄소수도 포함된다.Moreover, when these carbon number has a substituent, carbon number of a substituent is also included.

또한, R2에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1∼6의 알킬기가 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Moreover, as an alkyl group in R <2> , a C1-C6 alkyl group is preferable and a methyl group is especially preferable.

또한, 식(Ia) 및 식(Ib) 중, R1과 R2는 연결하여 환상 에테르 구조를 형성해도 좋다(단, 6원환 구조를 제외한다). 환상 에테르 구조로서는, 4원환, 5원환, 7원환, 또는, 8원환 구조가 바람직하고, 5원환 구조인 것이 특히 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서, 6원환 구조의 경우는, 탈보호의 활성화 에너지가 높기 때문에, 모노머 단위(a1)에는 포함되지 않는 것으로 하고 있다.In addition, in formula (Ia) and formula (Ib), R <1> and R <2> may connect and form a cyclic ether structure (except a 6-membered ring structure). As a cyclic ether structure, a 4-membered ring, a 5-membered ring, a 7-membered ring, or an 8-membered ring structure is preferable, and it is especially preferable that it is a 5-membered ring structure. In the present invention, in the case of a six-membered ring structure, since the deprotection activation energy is high, it is not included in the monomer unit (a1).

식(Ib) 중, Ar1은, 2가의 방향족기를 나타내고, 방향환 위에 OCH(OR1)(R2)를 갖고 있다.In Formula (Ib), Ar 1 represents a divalent aromatic group and has OCH (OR 1 ) (R 2 ) on the aromatic ring.

Ar1에 있어서의 2가의 방향족기로서는, 특별히 제한은 없고, 페닐렌기, 치환 페닐렌기, 나프틸렌기, 및, 치환 나프틸렌기 등을 예시할 수 있고, 페닐렌기, 또는, 치환 페닐렌기인 것이 바람직하고, 페닐렌기인 것이 보다 바람직하고, 1,4-페닐렌기인 것이 더욱 바람직하다.There is no restriction | limiting in particular as a bivalent aromatic group in Ar <1> , A phenylene group, a substituted phenylene group, a naphthylene group, a substituted naphthylene group, etc. can be illustrated, What is a phenylene group or a substituted phenylene group? It is preferable that it is a phenylene group, and it is still more preferable that it is a 1, 4- phenylene group.

또한, Ar1에 있어서의 2가의 방향족기는, 방향환 위에 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는, 탄소수 1∼10의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등), 탄소수 3∼10의 시클로알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 시아노기, 니트로기, 히드록시기, 탄소수 1∼10의 알콕시기 등을 예시할 수 있고, 이들의 치환기는, 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.The divalent aromatic group in Ar 1 may have a substituent on the aromatic ring, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, etc.), and a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms. , An aryl group having 6 to 10 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom), a cyano group, a nitro group, a hydroxy group, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and the like. May be further substituted with the above substituents.

본 발명에 있어서의 모노머 단위(a1)에서는, 카르복시기 또는 페놀성 수산기가 보호된 구조인 상기 식(Ia) 및/또는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 함유한다.The monomer unit (a1) in this invention contains the structure represented by said Formula (Ia) and / or Formula (Ib) which is a structure where the carboxy group or phenolic hydroxyl group was protected.

카르복시기가 보호됨으로써 상기 식(Ia)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위를 형성할 수 있는 카르복시산 모노머로서는, 카르복시기가 보호됨으로써 모노머 단위(a1)가 될 수 있는 것이면 사용할 수 있고, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-메틸-p-카르복시스티렌 등의 모노카르복시산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복시산을 들 수 있다. 또한, 모노머 단위(a1)로서는, 이들 카르복시기가 보호된 카르복시산 유래의 모노머 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a carboxylic acid monomer which can form the monomeric unit which has a structure represented by said Formula (Ia) by protecting a carboxyl group, if it can become a monomeric unit (a1) by protecting a carboxyl group, For example, acrylic acid, Monocarboxylic acids such as methacrylic acid, crotonic acid and α-methyl-p-carboxystyrene; And dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid. Moreover, as a monomer unit (a1), the monomer unit derived from the carboxylic acid in which these carboxy groups were protected is mentioned as a preferable thing.

페놀성 수산기가 보호됨으로써 상기 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위를 형성할 수 있는 페놀성 수산기를 갖는 모노머로서는, 페놀성 수산기가 보호됨으로써 모노머 단위(a1)가 될 수 있는 것이면 사용할 수 있고, 예를 들면, p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a monomer which has a phenolic hydroxyl group which can form the monomeric unit which has a structure represented by said Formula (Ib) by protecting a phenolic hydroxyl group, as long as it can become a monomeric unit (a1) by protecting a phenolic hydroxyl group, it can be used. For example, hydroxy styrene, such as p-hydroxy styrene and (alpha) -methyl- p-hydroxy styrene, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-40183 Paragraph 0011-0016, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2888454. 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010, addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate, and the like are preferred. Can be mentioned.

이들 중에서도, α-메틸-p-히드록시스티렌, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물이 보다 바람직하다.Among these, α-methyl-p-hydroxystyrene, the compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A-2008-40183, the 4-hydroxybenzoic acid derivatives of paragraphs 0007 to 0010 of JP 2888454, The addition reactant of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, and the addition reactant of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferable.

이들 구조 중에서, 모노머 단위(a1)로서 특히 바람직한 것은, 식(Ⅲ)으로 표시되는 모노머 단위이다.Among these structures, particularly preferred as the monomer unit (a1) is a monomer unit represented by formula (III).

Figure pat00008
Figure pat00008

식(Ⅲ) 중, R5는 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R5의 바람직한 태양은, 식(Ia) 및 식(Ib)에 있어서의 R1의 바람직한 태양과 같다.In formula (III), R <5> represents an alkyl group or a cycloalkyl group, and a preferable aspect of R <5> is the same as that of R <1> in Formula (Ia) and Formula (Ib).

또한, 식(Ⅲ) 중, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In addition, in formula (III), R <6> represents a hydrogen atom or a methyl group.

식(Ⅲ)으로 표시되는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 바람직한 구체예로서는, 예를 들면, 1-에톡시에틸메타크릴레이트, 1-에톡시에틸아크릴레이트, 1-메톡시에틸메타크릴레이트, 1-메톡시에틸아크릴레이트, 1-n-부톡시에틸메타크릴레이트, 1-n-부톡시에틸아크릴레이트, 1-이소부톡시에틸메타크릴레이트, 1-이소부톡시에틸아크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸아크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸메타크릴레이트, 1-n-프로폭시에틸아크릴레이트, 1-시클로헥실옥시에틸메타크릴레이트, 1-시클로헥실옥시에틸아크릴레이트, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸메타크릴레이트, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸아크릴레이트, 1-벤질옥시에틸메타크릴레이트, 1-벤질옥시에틸아크릴레이트 등을 들 수 있고, 특히 바람직한 것으로서는, 1-에톡시에틸메타크릴레이트 및 1-에톡시에틸아크릴레이트이다. 이들 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As a preferable specific example of the radically polymerizable monomer used in order to form the monomeric unit represented by Formula (III), For example, 1-ethoxyethyl methacrylate, 1-ethoxyethyl acrylate, 1-methoxyethyl Methacrylate, 1-methoxyethyl acrylate, 1-n-butoxyethyl methacrylate, 1-n-butoxyethyl acrylate, 1-isobutoxyethyl methacrylate, 1-isobutoxyethyl acrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl methacrylate, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl acrylate, 1-n-propoxyethyl methacrylate, 1-n-propoxyethyl acrylate, 1-cyclohexyloxyethyl methacrylate, 1-cyclohexyloxyethyl acrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl methacrylate, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl acrylate, 1- Benzyloxyethyl methacrylate, 1-benzyloxyethyl acrylate, and the like, Particularly preferred are 1-ethoxyethyl methacrylate and 1-ethoxyethyl acrylate. These monomer units can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

모노머 단위(a1)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판의 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법으로 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 하기에 나타내는 바와 같이 (메타)아크릴산을 산 촉매의 존재 하에서 비닐에테르 화합물과 반응시킴으로써 합성할 수 있다.A commercially available radical may be used for the radically polymerizable monomer used in order to form a monomeric unit (a1), and what synthesize | combined by a well-known method can also be used. For example, it can synthesize | combine by making (meth) acrylic acid react with a vinyl ether compound in presence of an acid catalyst as shown below.

Figure pat00009
Figure pat00009

여기서, R5 및 R6은 각각, 식(Ⅲ)에 있어서의 R5 및 R6에 대응한다.Here, R <5> and R <6> correspond to R <5> and R <6> in Formula (III), respectively.

또한, 모노머 단위(a1)는, 보호되는 카르복시기 또는 페놀성 수산기 함유 모노머를 후술하는 모노머 단위(a2)∼(a5)나 그 전구체와 중합한 후에, 카르복시기 또는 페놀성 수산기를 비닐에테르 화합물과 반응시킴으로써도 형성할 수 있다. 또, 이와 같이 하여 형성되는 바람직한 모노머 단위의 구체예는, 상기 라디칼 중합성 단량체의 바람직한 구체예 유래의 모노머 단위와 같다.In addition, the monomer unit (a1) is polymerized with the monomer units (a2) to (a5) to be described later or a precursor thereof to the carboxyl group or phenolic hydroxyl group-containing monomer to be protected, followed by reacting the carboxyl group or phenolic hydroxyl group with the vinyl ether compound. Can also be formed. Moreover, the specific example of the preferable monomeric unit formed in this way is the same as the monomeric unit derived from the preferable specific example of the said radically polymerizable monomer.

모노머 단위(a1)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다.As a preferable specific example of monomer unit (a1), the following monomer unit can be illustrated.

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 (A) 중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, 모노머 단위(a1)의 함유량은, 10∼80몰%가 바람직하고, 15∼70몰%가 더욱 바람직하고, 20∼60몰%가 특히 바람직하다. 모노머 단위(a2)와 함께, 모노머 단위(a1)를 상기 비율로 함유시킴으로써, 고감도이고 노광 래티튜드가 넓은 감광성 수지 조성물이 얻어진다.In all the monomer units which comprise the said (A) polymer, 10-80 mol% is preferable, as for content of a monomer unit (a1), 15-70 mol% is more preferable, 20-60 mol% is especially preferable. . By including monomeric unit (a1) in the said ratio with monomeric unit (a2), the photosensitive resin composition with high sensitivity and a wide exposure latitude is obtained.

<모노머 단위(a2)><Monomer unit (a2)>

상기 (A) 중합체는, 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2)를 함유한다.The said (A) polymer contains the monomer unit (a2) which has a structure represented by Formula (IIb) which produces | generates a carboxyl group by acid, or a structure represented by Formula (IIb) which produces | generates phenolic hydroxyl group by acid. .

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 식(Ⅱa) 및 식(Ⅱb) 중, R3은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R4는 제3급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, Ar2는 2가의 방향족기를 나타내고, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 개소를 나타낸다.In the formulas (IIa) and (IIb), R 3 represents a tertiary alkyl group or 2-tetrahydropyranyl group, and R 4 represents a tertiary alkyl group, tert-butoxycarbonyl group or 2-tetrahydropyranyl group Ar 2 represents a divalent aromatic group, and the broken line portion represents a bonding position with another structure.

R3 및 R4에 있어서의 제3급 알킬기로서는, 탄소수가 4∼20의 것이 바람직하고, 탄소수가 4∼14의 것이 보다 바람직하고, 탄소수가 4∼8의 것이 더욱 바람직하다.As a tertiary alkyl group in R <3> and R <4> , a C4-C20 thing is preferable, a C4-C14 thing is more preferable, a C4-C8 thing is still more preferable.

R3에 있어서의 제3급 알킬기 및 2-테트라히드로피라닐기, R4에 있어서의 제3급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기, Ar2에 있어서의 2가의 방향족기는, 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는, 탄소수 1∼10의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등), 탄소수 3∼10의 시클로알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기, 할로겐 원자(불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자), 시아노기, 니트로기, 히드록시기, 탄소수 1∼10의 알콕시기 등을 예시할 수 있다. 이들의 치환기는, 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.Group is a tertiary alkyl group, and 2-tetrahydropyranyl group, a divalent aromatic of the tertiary alkyl group, tert- butoxycarbonyl group or a 2-tetrahydropyranyl group, Ar 2 in R 4 in R 3, It may have a substituent, As a substituent, a C1-C10 alkyl group (methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group etc.), a C3-C10 cycloalkyl group, a C6-C10 aryl group, a halogen atom (fluorine atom, Chlorine atom, bromine atom, iodine atom), cyano group, nitro group, hydroxy group, alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms and the like. These substituents may further be substituted by the said substituent.

또한, R3 및 R4에 있어서의 제3급 알킬기로서는, 이하에 나타내는 식(V)으로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 보다 바람직하다.Moreover, as a tertiary alkyl group in R <3> and R <4> , it is more preferable that it is at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of group represented by Formula (V) shown below.

-C(R9R10R11) (V)-C (R 9 R 10 R 11 ) (V)

식 중, R9, R10 및 R11은 각각 독립적으로, 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 3∼12의 시클로알킬기, 탄소수 6∼12의 아릴기 또는 탄소수 7∼12의 아랄킬기를 나타내고, 또한, R9, R10 및 R11의 어느 둘이 서로 결합하여 그들이 결합하고 있는 탄소 원자와 일체로 되어 환을 형성하고 있어도 좋다.In formula, R <9> , R <10> and R <11> respectively independently represents a C1-C12 alkyl group, a C3-C12 cycloalkyl group, a C6-C12 aryl group, or a C7-C12 aralkyl group, and , R 9 , R 10, and R 11 may be bonded to each other to form a ring integrally with the carbon atom to which they are bonded.

식(V)에 있어서의 R9, R10 및 R11의 탄소수 1∼12의 알킬기는, 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 좋고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.The alkyl group of 1 to 12 carbon atoms of R 9 , R 10 and R 11 in formula (V) may be linear or branched, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, texyl group (2,3-dimethyl-2-butyl group), n -Heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group, etc. are mentioned.

탄소수 3∼12의 시클로알킬기로서는, 예를 들면, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노르보르닐기, 이소보르닐기 등을 들 수 있다.As a C3-C12 cycloalkyl group, a cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, norbornyl group, isobornyl group etc. are mentioned, for example.

탄소수 6∼12의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 들 수 있다.As a C6-C12 aryl group, a phenyl group, tolyl group, xylyl group, cumenyl group, 1-naphthyl group etc. are mentioned, for example.

탄소수 7∼12의 아랄킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있다.As a C7-12 aralkyl group, a benzyl group, the (alpha)-methyl benzyl group, a phenethyl group, a naphthyl methyl group, etc. are mentioned, for example.

또한, R9, R10 및 R11은 서로 결합하여, 그들이 결합하고 있는 탄소 원자와 일체로 되어 환을 형성할 수 있다. R9와 R10, R9와 R11, 또는, R10과 R11이 결합한 경우의 환 구조로서는, 예를 들면, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기, 및, 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.In addition, R 9 , R 10 and R 11 may be bonded to each other and may be integrated with the carbon atom to which they are bonded to form a ring. As a ring structure when R <9> and R <10> , R <9> and R <11> or R <10> and R <11> couple | bond, for example, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, tetrahydrofura And a methyl group, adamantyl group, and tetrahydropyranyl group.

또한, 식(Ⅱa)에 있어서의 R3은, 탄소수 4∼12의 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼8의 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기인 것이 보다 바람직하고, t-부틸기 또는 2-테트라히드로피라닐기인 것이 더욱 바람직하고, t-부틸기가 특히 바람직하다.In addition, it is preferable that R <3> in Formula (IIa) is a C4-C12 tertiary alkyl group or 2-tetrahydropyranyl group, and it is a C4-C8 tertiary alkyl group or 2-tetrahydropyranyl It is more preferable that it is a group, It is still more preferable that it is a t-butyl group or 2-tetrahydropyranyl group, A t-butyl group is especially preferable.

또한, 식(Ⅱb)에 있어서의 R4는, 탄소수 4∼12의 제3급 알킬기, 2-테트라히드로피라닐기, tert-부톡시카르보닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 4∼12의 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기인 것이 보다 바람직하고, t-부틸기 또는 2-테트라히드로피라닐기인 것이 더욱 바람직하고, 2-테트라히드로피라닐기가 특히 바람직하다.Moreover, it is preferable that R <4> in Formula (IIb) is a C4-C12 tertiary alkyl group, 2-tetrahydropyranyl group, tert-butoxycarbonyl group, C3-C12 tertiary alkyl group, or It is more preferable that it is a 2-tetrahydropyranyl group, It is still more preferable that it is a t-butyl group or 2-tetrahydropyranyl group, A 2-tetrahydropyranyl group is especially preferable.

식(Ⅱb) 중, Ar2는, 2가의 방향족기를 나타내고, 방향환 위에 OCH(OR1)(R2)를 갖고 있다.In formula (IIb), Ar 2 represents a divalent aromatic group and has OCH (OR 1 ) (R 2 ) on the aromatic ring.

식(Ⅱb)에 있어서의 Ar2의 바람직한 태양은, 상기 식(Ⅱa)에 있어서의 Ar1의 바람직한 태양과 같다.Preferred embodiments of Ar 2 in the formula (Ⅱb) is the same as the preferred embodiment of Ar 1 in the formula (Ⅱa).

본 발명에 있어서의 모노머 단위(a2)에서는, 상기 식(Ⅱa)으로 표시되는 보호된 카르복시기, 및/또는, 상기 식(Ⅱb)으로 표시되는 보호된 페놀성 수산기를 함유한다.The monomer unit (a2) in this invention contains the protected carboxy group represented by said formula (IIa), and / or the protected phenolic hydroxyl group represented by said formula (IIb).

카르복시기가 보호됨으로써 상기 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위를 형성할 수 있는 카르복시산 모노머로서는, 카르복시기가 보호됨으로써 모노머 단위(a2)가 될 수 있는 것이면 사용할 수 있고, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-메틸-p-카르복시스티렌 등의 모노카르복시산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복시산을 들 수 있다. 또한, 모노머 단위(a2)로서는, 이들 카르복시기가 보호된 카르복시산 유래의 모노머 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a carboxylic acid monomer which can form the monomeric unit which has a structure represented by said Formula (IIa) by protecting a carboxyl group, if it can become a monomeric unit (a2) by protecting a carboxyl group, For example, acrylic acid, Monocarboxylic acids such as methacrylic acid, crotonic acid and α-methyl-p-carboxystyrene; And dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid and itaconic acid. Moreover, as a monomer unit (a2), the monomer unit derived from the carboxylic acid in which these carboxy groups were protected is mentioned as a preferable thing.

페놀성 수산기가 보호됨으로써 상기 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위를 형성할 수 있는 페놀성 수산기를 갖는 모노머로서는, 페놀성 수산기가 보호됨으로써 모노머 단위(a2)가 될 수 있는 것이면 사용할 수 있고, 예를 들면 p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a monomer which has a phenolic hydroxyl group which can form the monomeric unit which has a structure represented by said Formula (IIb) by protecting a phenolic hydroxyl group, as long as it can become a monomeric unit (a2) by protecting a phenolic hydroxyl group, it can be used. For example, hydroxy styrene, such as p-hydroxy styrene and (alpha) -methyl- p-hydroxy styrene, the compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-40183 Paragraph 0011-0016, and Unexamined-Japanese-Patent No. 2888454. The 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010, addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, addition reaction products of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are mentioned as preferred. Can be.

이들 중에서도, α-메틸-p-히드록시스티렌, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물이 보다 바람직하다.Among these, α-methyl-p-hydroxystyrene, the compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of JP-A-2008-40183, the 4-hydroxybenzoic acid derivatives of paragraphs 0007 to 0010 of JP 2888454, The addition reactant of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, and the addition reactant of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferable.

이들 구조 중에서, 모노머 단위(a2)로서 특히 바람직한 것은, 하기식(IV)으로 표시되는 모노머 단위이다.Among these structures, particularly preferred as the monomer unit (a2) is a monomer unit represented by the following formula (IV).

Figure pat00012
Figure pat00012

식(IV) 중, R7은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In formula (IV), R 7 represents a tertiary alkyl group or 2-tetrahydropyranyl group, and R 8 represents a hydrogen atom or a methyl group.

또, 식(IV) 중, R7의 바람직한 태양은, 식(Ⅱa)에 있어서의 R3의 바람직한 태양과 같다.In addition, in Formula (IV), the preferable aspect of R <7> is the same as that of R <3> in Formula (IIa).

식(IV)으로 표시되는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 바람직한 구체예로서는, 예를 들면, 메타크릴산tert-부틸, 아크릴산tert-부틸, 메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일, 아크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일, 메타크릴산2-메틸-2-아다만틸, 아크릴산2-메틸-2-아다만틸, 메타크릴산1-메틸시클로헥실, 아크릴산1-메틸시클로헥실 등을 들 수 있고, 특히 메타크릴산tert-부틸, 아크릴산tert-부틸이 바람직하다. 이들 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As a preferable specific example of the radically polymerizable monomer used in order to form the monomeric unit represented by Formula (IV), For example, tert- butyl methacrylate, tert- butyl acrylate, tetrahydro-2H methacrylic acid-pyran- 2-yl, tetrahydro-2H-pyran-2-yl acrylate, 2-methyl-2-adamantyl methacrylate, 2-methyl-2-adamantyl acrylate, 1-methylcyclohexyl methacrylate, acrylic acid 1-methylcyclohexyl etc. are mentioned, Especially tert- butyl methacrylate and tert- butyl acrylate are preferable. These monomer units can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

모노머 단위(a2)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다.As a preferable specific example of a monomer unit (a2), the following monomer unit can be illustrated.

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 (A) 중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, 모노머 단위(a2)의 함유량은, 5∼60몰%가 바람직하고, 10∼50몰%가 더욱 바람직하고, 10∼40몰%가 특히 바람직하다. 모노머 단위(a1)와 함께, 모노머 단위(a2)를 상기 비율로 함유시킴으로써, 고감도이고 노광 래티튜드가 넓은 감광성 수지 조성물이 얻어진다.In all the monomer units which comprise the said (A) polymer, 5-60 mol% is preferable, as for content of a monomer unit (a2), 10-50 mol% is more preferable, 10-40 mol% is especially preferable. . By including monomeric unit (a2) in the said ratio with monomeric unit (a1), the photosensitive resin composition with high sensitivity and a wide exposure latitude is obtained.

<에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)><Monomer unit (a3) having an epoxy group and / or oxetanyl group>

상기 (A) 중합체는, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)를 함유한다.The said (A) polymer contains the monomeric unit (a3) which has an epoxy group and / or an oxetanyl group.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)로서는, 지환 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인 것이 바람직하고, 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인 것이 보다 바람직하다.As a monomer unit (a3) which has the said epoxy group and / or oxetanyl group, it is preferable that it is a monomer unit which has an alicyclic epoxy group and / or oxetanyl group, and it is more preferable that it is a monomer unit which has an oxetanyl group.

지환 에폭시기는, 지방족환과 에폭시환이 축합환을 형성하고 있는 기이며, 구체적으로는 예를 들면, 3,4-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로헥실기, 2,3-에폭시시클로펜틸기 등을 바람직하게 들 수 있다.The alicyclic epoxy group is a group in which an aliphatic ring and an epoxy ring form a condensed ring, and specifically, for example, a 3,4-epoxycyclohexyl group, a 2,3-epoxycyclohexyl group, a 2,3-epoxycyclopentyl group Etc. are mentioned preferably.

옥세타닐기를 갖는 기로서는, 옥세탄환을 갖고 있으면, 특별히 제한은 없지만, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸기가 바람직하게 예시할 수 있다.The group having an oxetanyl group is not particularly limited as long as it has an oxetane ring, but a (3-ethyloxetan-3-yl) methyl group can be preferably exemplified.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위는, 하나의 모노머 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 하나 갖고 있으면 좋고, 하나 이상의 에폭시기 및 하나 이상의 옥세타닐기, 둘 이상의 에폭시기, 또는, 둘 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 좋고, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 하나∼셋 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 하나 또는 둘 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 하나 갖는 것이 더욱 바람직하다.The monomer unit having an epoxy group and / or oxetanyl group may have at least one epoxy group or oxetanyl group in one monomer unit, and at least one epoxy group and at least one oxetanyl group, two or more epoxy groups, or two or more oxetas Although it may have a nil group and it is not specifically limited, It is preferable to have one or three epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, It is more preferable to have one or two epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, Epoxy group or oxeta It is more preferable to have one silyl group.

에폭시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는, 예를 들면, 아크릴산글리시딜, 메타크릴산글리시딜, α-에틸아크릴산글리시딜, α-n-프로필아크릴산글리시딜, α-n-부틸아크릴산글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제4168443호 공보의 단락0031∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있다.As a specific example of the radically polymerizable monomer used in order to form the monomer unit which has an epoxy group, it is the glycidyl acrylate, the glycidyl methacrylate, the (alpha)-ethyl acrylate glycidyl, the (alpha)-n-propyl acrylate, for example. Cydyl, α-n-butyl acrylate glycidyl, acrylic acid-3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7- Epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, paragraphs of Japanese Patent No. 4168443 The compound containing the alicyclic epoxy frame | skeleton of 0031-0035, etc. are mentioned.

옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 예를 들면, 일본 특개2001-330953호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 등을 들 수 있다.As an example of the radically polymerizable monomer used in order to form the monomer unit which has an oxetanyl group, the (meth) acrylic acid ester etc. which have the oxetanyl group of Paragraph 0011-0016 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-330953 are mentioned, for example. Can be mentioned.

에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 예로서는, 메타크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.As an example of the radically polymerizable monomer used in order to form the monomer unit which has an epoxy group and / or an oxetanyl group, it is preferable that it is a monomer containing a methacrylic acid ester structure, and a monomer containing an acrylate ester structure.

이들 모노머 중에서, 더욱 바람직한 것으로서는, 일본 특허 제4168443호 공보의 단락0034∼0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 및 일본 특개2001-330953호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이며, 특히 바람직한 것으로서는 일본 특개2001-330953호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르이다. 이들 중에서도 바람직한 것은, 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이며, 가장 바람직한 것은 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Among these monomers, more preferably, a compound containing an alicyclic epoxy skeleton described in paragraphs 0034 to 0035 of Japanese Patent No. 4168443 and an oxetanyl group described in paragraphs 0011 to 0016 of Japanese Patent Laid-Open No. 2001-330953 It is (meth) acrylic acid ester and it is a (meth) acrylic acid ester which has an oxetanyl group of Paragraph 0011-0016 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-330953. Among these, preferred are 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl, and methacrylic acid (3-ethyl Oxetan-3-yl) methyl, most preferred are acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl, and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These monomer units can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

모노머 단위(a3)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다.As a preferable specific example of monomer unit (a3), the following monomer unit can be illustrated.

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 (A) 중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)의 함유율은, 10∼80몰%가 바람직하고, 15∼70몰%가 더욱 바람직하고, 20∼65몰%가 특히 바람직하다. 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위를 상기 비율로 함유시킴으로써, 경화막의 물성이 양호하게 된다.10-80 mol% is preferable, as for the content rate of the monomer unit (a3) which has an epoxy group and / or oxetanyl group, in all the monomer units which comprise the said (A) polymer, 15-70 mol% is more preferable, 20-65 mol% is especially preferable. By containing the monomer unit which has an epoxy group and / or an oxetanyl group in the said ratio, the physical property of a cured film becomes favorable.

<카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위(a4)><Monomer unit (a4) which has a carboxyl group, a carboxylic anhydride residue, and / or a phenolic hydroxyl group>

상기 (A) 중합체는, 상기 (A) 중합체가 알칼리 가용성으로 되지 않는 범위에서, 카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 함유하는 것이 바람직하고, 카르복시기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 함유하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the said (A) polymer contains the monomeric unit which has a carboxyl group, a carboxylic anhydride residue, and / or a phenolic hydroxyl group in the range in which the said (A) polymer does not become alkali-soluble, and a carboxyl group and / or phenolic hydroxyl group It is more preferable to contain the monomer unit which has a.

카르복시기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복시산; 말레산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복시산을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a radically polymerizable monomer used in order to form the monomeric unit which has a carboxyl group, For example, Monocarboxylic acid, such as acrylic acid, methacrylic acid, a crotonic acid; Dicarboxylic acids, such as maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, and itaconic acid, are mentioned as a preferable thing.

또한, 카르복시산무수물 잔기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 무수말레산, 무수이타콘산 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Moreover, as a radically polymerizable monomer used in order to form the monomeric unit which has a carboxylic acid anhydride residue, maleic anhydride, itaconic anhydride, etc. are mentioned as a preferable thing, for example.

페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a radically polymerizable monomer used in order to form the monomeric unit which has a phenolic hydroxyl group, For example, hydroxystyrenes, such as p-hydroxy styrene and (alpha) -methyl- p-hydroxy styrene, Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-40183 Compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of the publication, 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, addition reactants of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, 4 -An addition reaction product of hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate is mentioned as a preferable thing.

이들 중에서도, 메타크릴산, 아크릴산, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물이 더욱 바람직하고, 일본 특개2008-40183호 공보의 단락0011∼0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제2888454호 공보의 단락0007∼0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산글리시딜과의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산글리시딜과의 부가 반응물이 특히 바람직하다. 이들 모노머 단위는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Among these, methacrylic acid, acrylic acid, the compound of Paragraph 0011-0016 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-40183, the 4-hydroxybenzoic acid derivatives of Paragraph 0007-0010 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2888454, 4-hydroxy The addition reaction product of benzoic acid and glycidyl methacrylate, the addition reaction product of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferable, The compound of Paragraph 0011-0016 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-40183, Japanese patent The 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Publication No. 2888454, addition reactants of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, addition reactants of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate This is particularly preferred. These monomer units can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

모노머 단위(a4)의 바람직한 구체예로서는, 하기의 모노머 단위를 예시할 수 있다.As a preferable specific example of monomer unit (a4), the following monomer unit can be illustrated.

Figure pat00015
Figure pat00015

상기 (A) 중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, 카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위(a4)를 함유시키는 경우에 있어서의 (a4) 성분의 함유율은, 1∼25몰%가 바람직하고, 2∼25몰%가 더욱 바람직하고, 3∼20몰%가 특히 바람직하다. 카르복시기, 카르복시산무수물 잔기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 모노머 단위를 상기 비율로 함유시킴으로써, 고감도가 얻어지고, 또한, 현상성도 양호하게 된다.The content rate of (a4) component in the case of containing the monomeric unit (a4) which has a carboxyl group, a carboxylic anhydride residue, and / or a phenolic hydroxyl group among all the monomeric units which comprise the said (A) polymer is 1-25 mol. % Is preferable, 2-25 mol% is more preferable, 3-20 mol% is especially preferable. By containing the monomer unit which has a carboxyl group, a carboxylic acid anhydride residue, and / or a phenolic hydroxyl group in the said ratio, high sensitivity is obtained and developability becomes favorable also.

<그 밖의 모노머 단위(a5)><Other monomer unit (a5)>

상기 (A) 중합체는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서, 상기 (a1)∼(a4) 이외의 모노머 단위(a5)(이하, 「(a5) 성분」 또는 「그 밖의 모노머 단위(a5)」라고도 한다)를 함유해도 좋다.The said (A) polymer is a monomer unit (a5) other than said (a1)-(a4) (hereinafter "component (a5)" or "other monomer unit (a5) in the range which does not prevent the effect of this invention. May be referred to as ")".

(a5) 성분을 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 일본 특개2004-264623호 공보의 단락0021∼0024에 기재된 화합물을 들 수 있다(단, 상기 (a1)∼(a4)의 모노머 단위를 제외한다).As a radically polymerizable monomer used in order to form (a5) component, the compound of Paragraph 0021-0024 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-264623 is mentioned, for example (a1)-(a4) And monomer units of) are excluded.

이들 중에서도, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산시클로헥실, 아크릴산시클로헥실과 같은 지환 구조 함유의 (메타)아크릴산에스테르류, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, 스티렌 등을 바람직한 예시할 수 있다. 이들 중에서도, (메타)아크릴산2-히드록시에틸을 보다 바람직하게 예시할 수 있다.Among these, (meth) acrylic acid esters containing alicyclic structures, such as dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, and cyclohexyl acrylate, methyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, Styrene etc. can be illustrated preferable. Among these, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate can be illustrated more preferable.

이들의 (a5) 성분은, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These (a5) components can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

상기 (A) 중합체를 구성하는 전 모노머 단위 중, (a5) 성분을 함유시키는 경우에 있어서의 (a5) 성분의 함유율은, 1∼50몰%가 바람직하고, 5∼40몰%가 더욱 바람직하고, 5∼30몰%가 특히 바람직하다.1-50 mol% is preferable, and, as for the content rate of (a5) component in the case of containing (a5) component among all the monomer units which comprise the said (A) polymer, 5-40 mol% is more preferable 5-30 mol% is especially preferable.

상기 (A) 중합체의 중량평균 분자량은, 1,000∼100,000인 것이 바람직하고, 2,000∼50,000인 것이 보다 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서의 중량평균 분자량은, 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량인 것이 바람직하다.It is preferable that it is 1,000-100,000, and, as for the weight average molecular weight of the said (A) polymer, it is more preferable that it is 2,000-50,000. Moreover, it is preferable that the weight average molecular weight in this invention is a polystyrene conversion weight average molecular weight by gel permeation chromatography (GPC).

또한, 상기 (A) 중합체의 합성법에 대해서도, 다양한 방법이 알려져 있지만, 일례를 들면, 적어도 모노머 단위(a1), 모노머 단위(a2) 및 모노머 단위(a3)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 함유하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 사용하여 중합함으로써 합성할 수 있다.Moreover, although the various methods are known also about the synthesis | combining method of the said (A) polymer, For example, the radically polymerizable monomer used in order to form at least a monomer unit (a1), a monomer unit (a2), and a monomer unit (a3). It can be synthesize | combined by superposing | polymerizing the radically polymerizable monomer mixture containing containing using a radical polymerization initiator in the organic solvent.

이하, 본 발명에서 사용되는 상기 (A) 중합체로서, 바람직한 것을 예시하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although a preferable thing is illustrated as said (A) polymer used by this invention, this invention is not limited to this.

또, 하기에 예시한 상기 (A) 중합체의 중량평균 분자량은, 2,000∼50,000인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the weight average molecular weights of the said (A) polymer illustrated below are 2,000-50,000.

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산글리시딜 공중합체1-ethoxyethyl methacrylate / tert-butyl / methacrylic acid glycidyl copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylate glycidyl / methacrylic acid copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산글리시딜/메타크릴산/스티렌 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylate tert-butyl / methacrylate glycidyl / methacrylic acid / styrene copolymer

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 공중합체Methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl / methacrylate tert-butyl / methacrylate glycidyl / methacrylic acid copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산글리시딜/메타크릴산 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methacrylic acid glycidyl / methacrylic acid copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸 공중합체1-Ethoxyethyl Methacrylic Acid / Methacrylic Acid Tert-Butyl / Methacrylic Acid 3,4-Epoxycyclohexylmethyl Copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/메타크릴산 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / methacrylic acid copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylate tert-butyl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester coalescence

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylate tert-butyl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2- Hydroxyethyl copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산메틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methyl methacrylate coalescence

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylate tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) Ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylate tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) Ester / Methacrylic Acid 2-hydroxyethyl Copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylate tert-butyl / acrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylate tert-butyl / acrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxy Ethyl copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylate tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid copolymer

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 공중합체Methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl / methacrylate tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid copolymer

메타크릴산테트라히드로푸란-2-일/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산/스티렌 공중합체Methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl / methacrylate tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid / styrene copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylate tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxy Propyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산2-메틸-2-아다만틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid 2-methyl-2-adamantyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyl Oxypropyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산1-메틸-1-시클로헥실/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid 1-methyl-1-cyclohexyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy Propyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(6-메타크릴로일옥시헥실)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (6-methacryloyloxyhexyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / meta Krylic Acid 2-Hydroxyethyl Copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산메틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / meta Methyl acrylate copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacrylo) Iloxypropyl) Ester Copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacrylo) Yloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylate tert-butyl / acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester copolymer

메타크릴산1-에톡시에틸/메타크릴산tert-부틸/아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1-ethoxyethyl / methacrylic acid tert-butyl / acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸 공중합체Methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / methacrylate tert-butyl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / methacrylate tert-butyl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester / meta Krylic Acid 2-Hydroxyethyl Copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 공중합체Methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / methacrylate tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / methacrylate tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl Ester / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / methacrylate tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl / 4-hydroxybenzoic acid (3-methacrylo) Yloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer

메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸/메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르/메타크릴산2-히드록시에틸 공중합체Methacrylic acid 1- (cyclohexyloxy) ethyl / methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / 4-hydroxybenzoic acid (3 Methacryloyloxypropyl) ester / methacrylic acid 2-hydroxyethyl copolymer

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-에톡시에틸에테르/메타크릴산tert-부틸/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 공중합체1-ethoxyethyl ether / methacrylic acid tert-butyl / methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl / methacrylic acid of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester Copolymer

4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-에톡시에틸에테르/α-메틸-p-히드록시스티렌의 tert-부톡시카르보닐기 보호체/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 공중합체Tert-butoxycarbonyl group protector / methacrylic acid (3-ethyl jade of 1-ethoxyethyl ether / α-methyl-p-hydroxystyrene of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester Cetane-3-yl) methyl / methacrylic acid copolymer

4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르의 1-에톡시에틸에테르/메타크릴산4-히드록시페닐의 tert-부틸기 보호체/메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸/메타크릴산 공중합체Tert-butyl group protector / methacrylic acid (3-ethyl oxetane- of 1-ethoxyethyl ether / methacrylic acid 4-hydroxyphenyl of 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester 3-yl) methyl / methacrylic acid copolymer

(A) 중합체는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.(A) A polymer can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

상기 (A) 중합체에 있어서의 식(I)으로 표시되는 모노머 단위(a1)의 함유 몰량은, 식(Ⅱ)으로 표시되는 모노머 단위(a2)의 함유 몰량보다 많은 것이 바람직하다.It is preferable that the molar content of the monomeric unit (a1) represented by Formula (I) in the said (A) polymer is larger than the molar content of the monomeric unit (a2) represented by Formula (II).

상기 (A) 중합체에 있어서의 식(I)으로 표시되는 모노머 단위(a1)와, 식(Ⅱ)으로 표시되는 모노머 단위(a2)와의 함유비는, 몰비로, 모노머 단위(a1):모노머 단위(a2)=100:200∼100:5인 것이 바람직하고, 100:100∼100:10인 것이 보다 바람직하고, 100:90∼100:20인 것이 더욱 바람직하다.The content ratio of the monomer unit (a1) represented by Formula (I) in the said (A) polymer and the monomer unit (a2) represented by Formula (II) is a molar ratio, and a monomer unit (a1): monomer unit It is preferable that it is (a2) = 100: 200-100: 5, It is more preferable that it is 100: 100-100: 10, It is still more preferable that it is 100: 90-100: 20.

또한, 상기 (A) 중합체에 있어서의 식(I)으로 표시되는 모노머 단위(a1)와, 식(Ⅱ)으로 표시되는 모노머 단위(a2)와, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)와의 함유비는, 몰비로, 모노머 단위(a1):모노머 단위(a2):모노머 단위(a3)=100:(5∼200):(10∼200)인 것이 바람직하고, 100:(10∼100):(50∼150)인 것이 보다 바람직하고, 100:(20∼90):(50∼150)인 것이 더욱 바람직하다.Moreover, the monomer unit (a1) represented by Formula (I) in the said (A) polymer, the monomer unit (a2) represented by Formula (II), and the monomer unit which has an epoxy group and / or oxetanyl group ( The content ratio with a3) is preferably a molar ratio of monomer unit (a1): monomer unit (a2): monomer unit (a3) = 100: (5 to 200): (10 to 200), and 100: (10 It is more preferable that it is -100) :( 50-150), and it is still more preferable that it is 100: (20-90) :( 50-150).

본 발명의 감광성 수지 조성물 중의 상기 (A) 중합체의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대해, 20∼99중량%인 것이 바람직하고, 40∼97중량%인 것이 보다 바람직하고, 60∼95중량%인 것이 더욱 바람직하다. 함유량이 이 범위이면, 현상했을 때의 패턴 형성성이 양호하게 된다. 또, 감광성 수지 조성물의 고형분량이란, 용제 등의 휘발성 성분을 제외한 양을 나타낸다.It is preferable that it is 20-99 weight% with respect to the total solid of the photosensitive resin composition, and, as for content of the said (A) polymer in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 40-97 weight%, and 60-95 weight It is more preferable that it is%. If content is this range, the pattern formation property at the time of image development will become favorable. In addition, solid content of the photosensitive resin composition represents the quantity except volatile components, such as a solvent.

또, 본 발명의 감광성 수지 조성물 중에서는, 본 발명의 효과를 방해하지 않는 범위에서 (A) 중합체 이외의 수지를 병용해도 좋다. 단, (A) 중합체 이외의 수지의 함유량은, 현상성의 관점에서 (A) 중합체의 함유량보다 적은 쪽이 바람직하다.Moreover, in the photosensitive resin composition of this invention, you may use together resin other than the (A) polymer in the range which does not prevent the effect of this invention. However, it is preferable that content of resin other than (A) polymer is smaller than content of (A) polymer from a developable viewpoint.

(B) 광산 발생제(B) mine generator

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (B) 광산 발생제를 함유한다.The photosensitive resin composition of this invention contains the (B) photo-acid generator.

본 발명에서 사용되는 광산 발생제(「(B) 성분」이라고도 한다)로서는, 파장 300nm 이상, 바람직하게는 파장 300∼450nm의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만, 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300nm 이상의 활성 광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도, 증감제와 병용함으로써 파장 300nm 이상의 활성 광선에 감응하여, 산을 발생하는 화합물이면, 증감제와 조합하여 바람직하게 사용할 수 있다.As a photo-acid generator (also called "(B) component") used by this invention, the compound which generate | occur | produces an acid in response to actinic light of wavelength 300nm or more, Preferably wavelength 300-450nm is preferable, but the chemical structure It is not limited to. Moreover, also about the photo-acid generator which does not directly react to actinic light of wavelength 300nm or more, if it is a compound which responds to actinic light of wavelength 300nm or more by using together with a sensitizer and produces | generates an acid, it can be used conveniently in combination with a sensitizer.

본 발명에서 사용되는 광산 발생제로서는, pKa가 4 이하의 산을 발생하는 광산 발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하의 산을 발생하는 광산 발생제가 보다 바람직하다.As the photoacid generator used in the present invention, a photoacid generator in which pKa generates an acid of 4 or less is preferable, and a photoacid generator in which pKa generates an acid of 3 or less is more preferable.

광산 발생제의 예로서, 트리클로로메틸-s-트리아진류, 설포늄염이나 요오도늄염, 제4급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미드설포네이트 화합물, 및, 옥심설포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 절연성의 관점에서, 옥심설포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는, 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazines, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidesulfonate compounds, and oxime sulfonate compounds. have. Among these, it is preferable to use an oxime sulfonate compound from an insulating viewpoint. These photo-acid generators can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

이들의 구체예로서는, 이하를 예시할 수 있다.As these specific examples, the following can be illustrated.

트리클로로메틸-s-트리아진류로서, 2-(3-클로로페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진, 또는, 2-(4-메톡시나프틸)-비스(4,6-트리클로로메틸)-s-트리아진 등; As trichloromethyl-s-triazines, 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -bis (4,6 -Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxy-β-styryl) -Bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2-piperonyl-bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (furan-2-yl ) Ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (4-diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, or 2- (4-meth Methoxynaphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and the like;

디아릴요오도늄염류로서, 디페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄트리플루오로아세테이트, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄헥사플루오로안티모네이트, 또는, 페닐-4-(2'-히드록시-1'-테트라데카옥시)페닐요오도늄p-톨루엔설포네이트 등; As the diaryl iodonium salts, diphenyl iodonium trifluoroacetate, diphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxy Phenylphenyl iodonium trifluoroacetate, phenyl-4- (2'-hydroxy-1'-tetradecaoxy) phenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, 4- (2'-hydroxy-1 ' -Tetradecaoxy) phenyl iodonium hexafluoro antimonate, or phenyl-4- (2'-hydroxy-l'- tetradecaoxy) phenyl iodonium p-toluenesulfonate;

트리아릴설포늄염류로서, 트리페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 4-메톡시페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로메탄설포네이트, 또는, 4-페닐티오페닐디페닐설포늄트리플루오로아세테이트 등; As the triarylsulfonium salts, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenyl Sulfonium trifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, and the like;

제4급 암모늄염류로서, 테트라메틸암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 테트라메틸암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄부틸트리스(2,6-디플루오로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(p-클로로페닐)보레이트, 벤질디메틸페닐암모늄헥실트리스(3-트리플루오로메틸페닐)보레이트 등; As quaternary ammonium salts, tetramethylammoniumbutyltris (2,6-difluorophenyl) borate, tetramethylammoniumhexyltris (p-chlorophenyl) borate, tetramethylammoniumhexyltris (3-trifluoromethylphenyl) Borate, benzyldimethylphenylammoniumbutyltris (2,6-difluorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammoniumhexyltris (p-chlorophenyl) borate, benzyldimethylphenylammoniumhexyltris (3-trifluoromethylphenyl) borate ;

디아조메탄 유도체로서, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(t-부틸설포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄 등; Examples of diazomethane derivatives include bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (t-butylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane and the like;

이미드설포네이트 유도체로서, 트리플루오로메틸설포닐옥시비시클로[2.2.1]-헵토-5-엔-디카르복시이미드, 숙신이미드트리플루오로메틸설포네이트, 프탈이미드트리플루오로메틸설포네이트, N-히드록시나프탈이미드메탄설포네이트, N-히드록시-5-노르보르넨-2,3-디카르복시이미드프로판설포네이트 등; As imide sulfonate derivatives, trifluoromethylsulfonyloxybicyclo [2.2.1] -hepto-5-ene-dicarboxyimide, succinimidetrifluoromethylsulfonate, phthalimidetrifluoromethylsulfo Nate, N-hydroxynaphthalimide methanesulfonate, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboxyimidepropanesulfonate and the like;

옥심설포네이트 화합물로서, 이하에 나타내는 화합물.As an oxime sulfonate compound, the compound shown below.

옥심설포네이트 화합물, 즉, 옥심설포네이트 잔기를 갖는 화합물로서는, 식(2)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물이 바람직하게 예시할 수 있다.As an oxime sulfonate compound, ie, a compound which has an oxime sulfonate residue, the compound containing the oxime sulfonate residue represented by Formula (2) can be illustrated preferably.

Figure pat00016
Figure pat00016

식(2) 중, R5는, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 어느 기도 치환되어도 좋고, R5에 있어서의 알킬기는 직쇄상이어도 분기쇄상이어도 환상이어도 좋다. 허용되는 치환기는, 이하에 설명한다.In formula (2), R <5> represents an alkyl group or an aryl group. Either group may be substituted and the alkyl group in R <5> may be linear, branched chain, or cyclic may be sufficient as it. Acceptable substituents are described below.

R5의 알킬기로서는, 탄소수 1∼10의 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬기가 바람직하다.As an alkyl group of R <5> , a C1-C10 linear or branched alkyl group is preferable.

R5의 알킬기는, 탄소수 6∼11의 아릴기, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 또는, 시클로알킬기(7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교식(有橋式) 지환기를 포함하는, 바람직하게는 비시클로알킬기 등)로 치환되어도 좋다.The alkyl group of R 5 is an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or a cycloaliphatic group such as a cycloalkyl group (7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group). Containing, preferably a bicycloalkyl group).

R5의 아릴기로서는, 탄소수 6∼11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기 또는 나프틸기가 보다 바람직하다. R5의 아릴기는, 저급 알킬기, 알콕시기 혹은 할로겐 원자로 치환되어도 좋다.As an aryl group of R <5> , a C6-C11 aryl group is preferable and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group of R 5 may be substituted with a lower alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom.

식(2)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 상기 화합물은, 하기식(3)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 보다 바람직하다.As for the said compound containing the oxime sulfonate residue represented by Formula (2), it is more preferable that it is an oxime sulfonate compound represented by following formula (3).

Figure pat00017
Figure pat00017

식(3) 중, R5는, 식(2)에 있어서의 R5와 동의(同義)이며, X는, 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자를 나타내고, m은, 0∼3의 정수를 나타내고, m이 2 또는 3일 때, 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다.In formula (3), R <5> is synonymous with R <5> in Formula (2), X represents an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom, m represents the integer of 0-3. When m is 2 or 3, some X may be same or different.

X로 표시되는 알킬기로서는, 탄소 원자수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다.As an alkyl group represented by X, a C1-C4 linear or branched alkyl group is preferable.

X로 표시되는 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상 알콕시기가 바람직하다.As an alkoxy group represented by X, a C1-C4 linear or branched alkoxy group is preferable.

X로 표시되는 할로겐 원자로서는, 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.As the halogen atom represented by X, a chlorine atom or a fluorine atom is preferable.

m은, 0 또는 1이 바람직하다.As for m, 0 or 1 is preferable.

식(3) 중, m이 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르토 위치이며, R5가 탄소수 1∼10의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐메틸기, 또는 p-톨릴기인 화합물이 특히 바람직하다.In formula (3), m is 1, X is a methyl group, a substitution position of X is an ortho position, R <5> is a C1-C10 linear alkyl group, and 7- dimethyl- 2-oxonorbornylmethyl group Or a compound that is a p-tolyl group is particularly preferred.

옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 화합물(i), 화합물(ii), 화합물(iii), 화합물(iv) 등을 들 수 있고, 1종 단독으로 사용하거나, 또는, 2종류 이상을 병용할 수 있다. 화합물(i)∼(iv)는, 시판품으로서, 입수할 수 있다. 또한, 다른 종류의 (B) 광산 발생제와 조합하여 사용할 수도 있다.As a specific example of an oxime sulfonate compound, following compound (i), compound (ii), compound (iii), compound (iv) etc. are mentioned, It can be used individually by 1 type, or can use two or more types together. have. Compound (i)-(iv) can be obtained as a commercial item. Moreover, it can also be used in combination with another kind of (B) photo-acid generator.

Figure pat00018
Figure pat00018

광산 발생제로서는, 식(Ⅱ)으로 표시되는 광산 발생제인 것도 바람직하다.It is preferable that it is a photo-acid generator represented by Formula (II) as a photo-acid generator.

Figure pat00019
Figure pat00019

식(Ⅱ) 중, R4A는, 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기, 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기, 시아노기 또는 니트로기를 나타내고, L은 0∼5의 정수를 나타낸다. R3A는, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타내고, W는, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알킬기 또는 탄소 원자수 1∼5의 할로겐화알콕시기를 나타내는 것이다.In formula (II), R <4A> represents a halogen atom, a hydroxyl group, a C1-C4 alkyl group, a C1-C4 alkoxy group, a cyano group, or a nitro group, and L represents the integer of 0-5. . R 3A may be substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or W; A phenyl group, a naphthyl group which may be substituted by W, or an anthranyl group which may be substituted by W, represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and a carbon atom having 1 to 10 carbon atoms. It represents an alkoxy group, a halogenated alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms.

식(Ⅱ)에 있어서의 R3A로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-톨릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 p-톨릴기인 것이 특히 바람직하다.As R <3A> in Formula (II), a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-octyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluoro-n-propyl group, purple A fluoro-n-butyl group, p-tolyl group, 4-chlorophenyl group or pentafluorophenyl group is preferable, and it is especially preferable that they are a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, or p-tolyl group.

R4A로 표시되는 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자가 바람직하다.As the halogen atom represented by R 4A , a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom is preferable.

R4A로 표시되는 탄소 원자수 1∼4의 알킬기로서는, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.As the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A , a methyl group or an ethyl group is preferable.

R4A로 표시되는 탄소 원자수 1∼4의 알콕시기로서는, 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 4A , a methoxy group or an ethoxy group is preferable.

L로서는, 0∼2가 바람직하고, 0∼1이 특히 바람직하다.As L, 0-2 are preferable and 0-1 are especially preferable.

식(Ⅱ)으로 표시되는 광산 발생제에 포함되는 화합물의 바람직한 태양으로서는, R3A가 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-톨릴기를 나타내고, R4A가 수소 원자 또는 메톡시기를 나타내고, L이 0∼1의 태양이다.As a preferable aspect of the compound contained in the photo-acid generator represented by Formula (II), R <3A> represents a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, or 4-tolyl group, and R <4A> is a hydrogen atom or a methoxy group Represents L is 0-1.

이하, 식(Ⅱ)으로 표시되는 광산 발생제에 포함되는 화합물의 특히 바람직한 예를 나타내지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although the especially preferable example of the compound contained in the photo-acid generator represented by Formula (II) is shown, this invention is not limited to these.

α-(메틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=메틸기, R4A=수소 원자)α- (methylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = methyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(에틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=에틸기, R4A=수소 원자)α- (ethylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = ethyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(n-프로필설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=n-프로필기, R4A=수소 원자)α- (n-propylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = n-propyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(n-부틸설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=n-부틸기, R4A=수소 원자)α- (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = n-butyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-(4-톨루엔설포닐옥시이미노)벤질시아니드(R3A=4-톨릴기, R4A=수소 원자)α- (4-toluenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 3A = 4-tolyl group, R 4A = hydrogen atom)

α-〔(메틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=메틸기, R4A=메톡시기)α-[(methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = methyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(에틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=에틸기, R4A=메톡시기)α-[(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = ethyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(n-프로필설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=n-프로필기, R4A=메톡시기)α-[(n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = n-propyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(n-부틸설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=n-부틸기, R4A=메톡시기)α-[(n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = n-butyl group, R 4A = methoxy group)

α-〔(4-톨루엔설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐〕아세토니트릴(R3A=4-톨릴기, R4A=메톡시기)α-[(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 3A = 4-tolyl group, R 4A = methoxy group)

상기 식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서는, 식(OS-1)으로 표시되는 화합물인 것도 바람직하다.It is preferable that it is a compound represented by a formula (OS-1) as a compound containing the oxime sulfonate residue represented by said Formula (4).

Figure pat00020
Figure pat00020

상기 식(OS-1) 중, R1은, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 알콕시카르보닐기, 아실기, 카르바모일기, 설파모일기, 설포기, 시아노기, 아릴기, 또는, 헤테로아릴기를 나타낸다. R2는, 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.In said formula (OS-1), R <1> is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, a cyano group, an aryl group, or hetero An aryl group is shown. R 2 represents an alkyl group or an aryl group.

X는 -O-, -S-, -NH-, -NR5-, -CH2-, -CR6H-, 또는, -CR6R7-를 나타내고, R5∼R7은 알킬기, 또는, 아릴기를 나타낸다.X is -O-, -S-, -NH-, -NR 5 -, -CH 2 -, -CR 6 H-, or, -CR 6 R 7 - represents a, R 5 ~R 7 is an alkyl group, or And an aryl group.

R21∼R24는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 아미노기, 알콕시카르보닐기, 알킬카르보닐기, 아릴카르보닐기, 아미드기, 설포기, 시아노기, 또는, 아릴기를 나타낸다. R21∼R24 중 둘은, 각각 서로 결합하여 환을 형성해도 좋다.R 21 to R 24 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxy group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, an arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group, or an aryl group. . Two of R 21 to R 24 may be bonded to each other to form a ring.

R21∼R24로서는, 수소 원자, 할로겐 원자, 및, 알킬기가 바람직하고, 또한, R21∼R24 중 적어도 둘이 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 태양도 또한, 바람직하게 들 수 있다. 그 중에서도, R21∼R24가 모두 수소 원자인 태양이 감도의 관점에서 바람직하다.As R <21> -R <24> , a hydrogen atom, a halogen atom, and an alkyl group are preferable, Moreover, the aspect which at least two of R <21> -R <24> couple | bonds with each other and forms an aryl group is also mentioned preferably. Especially, the aspect whose R <21> -R <24> is all hydrogen atoms is preferable from a viewpoint of a sensitivity.

상술한 관능기는, 모두, 치환기를 더 갖고 있어도 좋다.All of the functional groups mentioned above may further have a substituent.

상기 식(OS-1)으로 표시되는 화합물은, 하기식(OS-2)으로 표시되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.As for the compound represented by said formula (OS-1), it is more preferable that it is a compound represented by a following formula (OS-2).

Figure pat00021
Figure pat00021

상기 식(OS-2) 중, R1, R2, R21∼R24는, 각각 식(OS-1)에 있어서의 것과 동의이며, 바람직한 예도 또한 같다.In said formula (OS-2), R <1> , R <2> , R <21> -R <24> is synonymous with the thing in Formula (OS-1), respectively, and a preferable example is also the same.

이들 중에서도, 식(OS-1) 및 식(OS-2)에 있어서의 R1이 시아노기, 또는, 아릴기인 태양이 보다 바람직하고, 식(OS-2)으로 표시되고, R1이 시아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 태양이 가장 바람직하다.Among these, the aspect whose R <1> in a formula (OS-1) and a formula (OS-2) is a cyano group or an aryl group is more preferable, It is represented by a formula (OS-2), R <1> is a cyano group Most preferred is a phenyl group or a naphthyl group.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심이나 벤조티아졸환의 입체 구조(E,Z 등)에 대해서는 각각, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 좋다.In addition, in the said oxime sulfonate compound, about either the three-dimensional structure (E, Z etc.) of an oxime and a benzothiazole ring, respectively, may be sufficient as it, or a mixture may be sufficient as it.

이하에, 본 발명에 호적(好適)하게 사용할 수 있는 식(OS-1)으로 표시되는 화합물의 구체예(예시 화합물b-1∼b-34)를 나타내지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 또, Me는 메틸기를 나타내고, Et는 에틸기를 나타내고, Bn은 벤질기를 나타내고, Ph는 페닐기를 나타낸다.Specific examples (example compounds b-1 to b-34) of the compound represented by formula (OS-1) which can be favorably used in the present invention are shown below, but the present invention is not limited thereto. . In addition, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, Bn represents a benzyl group, and Ph represents a phenyl group.

Figure pat00022
Figure pat00022

Figure pat00023
Figure pat00023

Figure pat00024
Figure pat00024

Figure pat00025
Figure pat00025

상기 화합물 중에서도, 감도와 안정성과의 양립의 관점에서, b-9, b-16, b-31, b-33이 바람직하다.Among the above compounds, b-9, b-16, b-31 and b-33 are preferable from the viewpoint of compatibility with sensitivity and stability.

상기 식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물로서는, 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 바람직하다.As a compound containing the oxime sulfonate residue represented by said formula (4), it is preferable that it is an oxime sulfonate compound represented by a formula (OS-3), a formula (OS-4), or a formula (OS-5).

Figure pat00026
Figure pat00026

(식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다)(In formula (OS-3)-Formula (OS-5), R <1> represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, R <2> respectively independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom, and R 6 are, each independently, a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group and represents an amino-sulfonyl group, or an alkoxy-sulfonyl, X represents O or S, n represents 1 or 2, m is 0 to 6 of Represents an integer)

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group, aryl group or heteroaryl group in R 1 may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.It is preferable that it is a C1-C30 alkyl group which may have a substituent as said alkyl group in R <1> in said Formula (OS-3)-(OS-5).

R1에 있어서의 알킬기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, and an aminocarbonyl group.

R1에 있어서의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.As an alkyl group in R <1> , a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-jade Methyl, n-decyl, n-dodecyl, trifluoromethyl, perfluoropropyl, perfluorohexyl, benzyl, phenoxyethyl, methylthioethyl, phenylthioethyl, ethoxycarbonylethyl, A phenoxycarbonylethyl group and a dimethylaminocarbonylethyl group are mentioned.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Among these, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-de The preferred group, n-dodecyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, and benzyl group are preferable.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 아릴기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30의 아릴기가 바람직하다.Moreover, as said aryl group in R <1> , the aryl group of 6-30 total carbons which may have a substituent is preferable in said Formula (OS-3)-(OS-5).

R1에 있어서의 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 알콕시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which may be included in the aryl group in R 1 include a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an aminocarbonyl group, a sulfonic acid group, and an aminosulfo. A silyl group and an alkoxysulfonyl group are mentioned.

R1에 있어서의 아릴기로서는, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기, p-메틸티오페닐기, p-페닐티오페닐기, p-에톡시카르보닐페닐기, p-페녹시카르보닐페닐기, p-디메틸아미노카르보닐페닐기를 들 수 있다.Examples of the aryl group in R 1 include a phenyl group, p-methylphenyl group, p-chlorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentafluorophenyl group, o-methoxyphenyl group, p-phenoxyphenyl group, p-methylthiophenyl group and p- A phenylthiophenyl group, p-ethoxycarbonylphenyl group, p-phenoxycarbonylphenyl group, and p-dimethylaminocarbonylphenyl group are mentioned.

이들 중에서도, 페닐기, p-메틸페닐기, p-클로로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타플루오로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.Among these, a phenyl group, p-methylphenyl group, p-chlorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentafluorophenyl group, o-methoxyphenyl group, and p-phenoxyphenyl group are preferable.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 헤테로아릴기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 4∼30의 헤테로아릴기가 바람직하다.Moreover, as said heteroaryl group in R <1> , the heteroaryl group of 4-30 total carbons which may have a substituent is preferable in said Formula (OS-3)-(OS-5).

R1에 있어서의 헤테로아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기, 설폰산기, 아미노설포닐기, 알콕시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the heteroaryl group in R 1 may have include a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, an aminocarbonyl group, a sulfonic acid group, and an amino group. A sulfonyl group and an alkoxysulfonyl group are mentioned.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R1에 있어서의 헤테로아릴기는, 적어도 하나의 환이 복소방향환이면 좋고, 예를 들면, 복소방향환과 벤젠환이 축환하여 있어도 좋다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), at least one ring may be a heteroaromatic ring in the heteroaryl group in R 1 , and for example, the heteroaromatic ring and the benzene ring may be condensed.

R1에 있어서의 헤테로아릴기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은, 티오펜환, 피롤환, 티아졸환, 이미다졸환, 푸란환, 벤조티오펜환, 벤조티아졸환, 및, 벤조이미다졸환으로 이루어지는 군에서 선택된 환에서 하나의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.As a heteroaryl group in R <1> , it consists of a thiophene ring, a pyrrole ring, a thiazole ring, an imidazole ring, a furan ring, a benzothiophene ring, a benzothiazole ring, which may have a substituent, and a benzoimidazole ring. The group remove | excluding one hydrogen atom from the ring selected from the group is mentioned.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R2는, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, and more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중, 하나 또는 둘이 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 하나가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 하나가 알킬기이며, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), one or two of R 2 present in the compound is preferably an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and one is an alkyl group, an aryl group or a halogen atom. It is more preferable, it is especially preferable that one is an alkyl group and the other is a hydrogen atom.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R2에 있어서의 알킬기 또는 아릴기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group or the aryl group in R 2 may have a substituent.

R2에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 상기 R1에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 같은 기를 예시할 수 있다.As a substituent which the alkyl group or aryl group in R <2> may have, the group similar to the substituent which the alkyl group or aryl group in said R <1> may have can be illustrated.

R2에 있어서의 알킬기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼12의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.As an alkyl group in R <2> , it is preferable that it is a C1-C12 alkyl group which may have a substituent, and it is more preferable that it is a C1-C6 alkyl group which may have a substituent.

R2에 있어서의 알킬기로서 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 알릴기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 퍼플루오로헥실기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.Specifically as an alkyl group in R <2> , a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, allyl group, n- Pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-decyl group, n-dodecyl group, perfluorohexyl group, chloromethyl group, bromomethyl group, methoxymethyl group, benzyl group, phenoxyethyl group, methylthioethyl group And phenylthioethyl group, ethoxycarbonylethyl group, phenoxycarbonylethyl group, and dimethylaminocarbonylethyl group.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기, 알릴기, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 메톡시메틸기, 벤질기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, n-헥실기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 더욱 바람직하고, 메틸기가 특히 바람직하다.Among these, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, n-hexyl group, allyl group, chloromethyl group, bromomethyl group, methoxymethyl group , Benzyl group is preferable, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, n-hexyl group is more preferable, and methyl group, ethyl group, n- The propyl group, n-butyl group and n-hexyl group are more preferable, and a methyl group is especially preferable.

R2에 있어서의 아릴기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6∼30의 아릴기인 것이 바람직하다.As an aryl group in R <2> , it is preferable that it is a C6-C30 aryl group which may have a substituent.

R2에 있어서의 아릴기로서 구체적으로는, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기, p-메틸티오페닐기, p-페닐티오페닐기, p-에톡시카르보닐페닐기, p-페녹시카르보닐페닐기, p-디메틸아미노카르보닐페닐기를 들 수 있다.Specifically as an aryl group in R <2> , a phenyl group, p-methylphenyl group, o-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group, o-methoxyphenyl group, p-phenoxyphenyl group, p-methylthiophenyl group, p-phenyl A thiophenyl group, p-ethoxycarbonylphenyl group, p-phenoxycarbonylphenyl group, and p-dimethylaminocarbonylphenyl group are mentioned.

이들 중에서도, 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.Among these, a phenyl group, p-methylphenyl group, o-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group, o-methoxyphenyl group, and p-phenoxyphenyl group are preferable.

R2에 있어서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.As a halogen atom in R <2> , a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom are mentioned.

이들 중에서도, 염소 원자, 브롬 원자가 바람직하다.Among these, a chlorine atom and a bromine atom are preferable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, X는 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.In said formula (OS-3)-(OS-5), X represents O or S, and it is preferable that it is O.

식(OS-3)∼(OS-5)에 있어서, X를 환원(環員)으로서 포함하는 환은, 5원환 또는 6원환이다.In formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as a reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, n은 1 또는 2를 나타내고, X가 O인 경우, n은 1인 것이 바람직하고, 또한, X가 S인 경우, n은 2인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1, and when X is S, n is 2 desirable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알킬기 및 알킬옥시기는, 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group and the alkyloxy group in R 6 may have a substituent.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알킬기로서는, 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬기인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group for R 6 is preferably an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms which may have a substituent.

R6에 있어서의 알킬기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group in R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, and an aminocarbonyl group.

R6에 있어서의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기, 페녹시에틸기, 메틸티오에틸기, 페닐티오에틸기, 에톡시카르보닐에틸기, 페녹시카르보닐에틸기, 디메틸아미노카르보닐에틸기를 들 수 있다.As an alkyl group in R <6> , a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-jade Methyl, n-decyl, n-dodecyl, trifluoromethyl, perfluoropropyl, perfluorohexyl, benzyl, phenoxyethyl, methylthioethyl, phenylthioethyl, ethoxycarbonylethyl, A phenoxycarbonylethyl group and a dimethylaminocarbonylethyl group are mentioned.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기, n-도데실기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로필기, 퍼플루오로헥실기, 벤질기가 바람직하다.Among these, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, n-de The preferred group, n-dodecyl group, trifluoromethyl group, perfluoropropyl group, perfluorohexyl group, and benzyl group are preferable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알킬옥시기로서는, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1∼30의 알킬옥시기인 것이 바람직하다.In said formula (OS-3)-(OS-5), as an alkyloxy group in R <6> , it is preferable that it is a C1-C30 alkyloxy group which may have a substituent.

R6에 있어서의 알킬옥시기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyloxy group in R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, and an aminocarbonyl group.

R6에 있어서의 알킬옥시기로서는, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 에톡시에틸옥시기, 메틸티오에틸옥시기, 페닐티오에틸옥시기, 에톡시카르보닐에틸옥시기, 페녹시카르보닐에틸옥시기, 디메틸아미노카르보닐에틸옥시기를 들 수 있다.Examples of the alkyloxy group in R 6 include a methyloxy group, ethyloxy group, butyloxy group, hexyloxy group, phenoxyethyloxy group, trichloromethyloxy group, ethoxyethyloxy group, methylthioethyloxy group, A phenylthio ethyl oxy group, an ethoxy carbonyl ethyl oxy group, a phenoxy carbonyl ethyl oxy group, and a dimethylamino carbonyl ethyl oxy group are mentioned.

이들 중에서도, 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기, 또는, 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.Among these, methyloxy group, ethyloxy group, butyloxy group, hexyloxy group, phenoxyethyloxy group, trichloromethyloxy group, or ethoxyethyloxy group is preferable.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 아미노설포닐기로서는, 메틸아미노설포닐기, 디메틸아미노설포닐기, 페닐아미노설포닐기, 메틸페닐아미노설포닐기, 아미노설포닐기를 들 수 있다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), as the aminosulfonyl group for R 6 , a methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, methylphenylaminosulfonyl group, and aminosulfonyl group are mentioned. Can be.

상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, R6에 있어서의 알콕시설포닐기로서는, 메톡시설포닐기, 에톡시설포닐기, 프로필옥시설포닐기, 부틸옥시설포닐기를 들 수 있다.Examples of the alkoxysulfonyl group for R 6 in the formulas (OS-3) to (OS-5) include a methoxysulfonyl group, an ethoxysulfonyl group, a propyloxysulfonyl group, and a butyloxysulfonyl group.

또한, 상기 식(OS-3)∼(OS-5) 중, m은 0∼6의 정수를 나타내고, 0∼2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하고, 0인 것이 특히 바람직하다.Moreover, in said formula (OS-3)-(OS-5), m shows the integer of 0-6, It is preferable that it is an integer of 0-2, It is more preferable that it is 0 or 1, It is especially preferable that it is 0 Do.

또한, 상기 식(4)으로 표시되는 옥심설포네이트 잔기를 함유하는 화합물은, 하기식(OS-6)∼(OS-11)의 어느 하나로 표시되는 옥심설포네이트 화합물인 것이 특히 바람직하다.Moreover, it is especially preferable that the compound containing the oxime sulfonate residue represented by said Formula (4) is an oxime sulfonate compound represented by either of following formula (OS-6)-(OS-11).

Figure pat00027
Figure pat00027

(식(OS-6)∼(OS-11) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7은, 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, R8은 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, R10은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)(In formula (OS-6)-(OS-11), R <1> represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, R <7> represents a hydrogen atom or a bromine atom, R <8> is a hydrogen atom, C1-C8 Represents an alkyl group, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and R 10 represents a hydrogen atom or Methyl group)

식(OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R1은, 상기 식(OS-3)∼(OS-5)에 있어서의 R1과 동의이며, 바람직한 태양도 같다.R 1 in formulas (OS-6) to (OS-11) is synonymous with R 1 in formulas (OS-3) to (OS-5), and preferred embodiments thereof are also the same.

식(OS-6)에 있어서의 R7은, 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R <7> in Formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom, and it is preferable that it is a hydrogen atom.

식(OS-6)∼(OS-11)에 있어서의 R8은, 수소 원자, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1∼8의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1∼8의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6의 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.R 8 in formulas (OS-6) to (OS-11) is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or chloro It is preferable that it is a C1-C8 alkyl group, a halogen atom, or a phenyl group, It is more preferable that it is a C1-C8 alkyl group, It is still more preferable that it is a C1-C6 alkyl group, It is especially preferable that it is a methyl group .

식(OS-8) 및 식(OS-9)에 있어서의 R9는, 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R 9 in formulas (OS-8) and (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

식(OS-8)∼(OS-11)에 있어서의 R10은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R <10> in formula (OS-8)-(OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group, and it is preferable that it is a hydrogen atom.

또한, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심의 입체 구조(E,Z)에 대해서는, 어느 한쪽이어도, 혼합물이어도 좋다.In addition, in the said oxime sulfonate compound, any one or a mixture may be sufficient about the three-dimensional structure (E, Z) of an oxime.

상기 식(OS-3)∼식(OS-5)으로 표시되는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 하기 예시 화합물을 들 수 있지만, 본 발명은, 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the following exemplary compound is mentioned as a specific example of the oxime sulfonate compound represented by said formula (OS-3)-a formula (OS-5), This invention is not limited to these.

Figure pat00028
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Figure pat00029
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Figure pat00030
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Figure pat00031
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Figure pat00032
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Figure pat00033
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Figure pat00034
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본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서, (B) 성분인 광산 발생제는, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.1∼10중량부 사용하는 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부 사용하는 것이 보다 바람직하다.In the photosensitive resin composition of this invention, it is preferable to use 0.1-10 weight part with respect to 100 weight part of (A) component, and, as for the photo-acid generator which is (B) component, it is more preferable to use 0.5-10 weight part. Do.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (B) 광산 발생제와의 조합에 있어서, 그 분해를 촉진시키기 위해서, 증감제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains a sensitizer in order to accelerate the decomposition | disassembly in combination with (B) photo-acid generator.

증감제는, 활성 광선 또는 방사선을 흡수하여 전자 여기 상태가 된다. 전자 여기(勵起) 상태가 된 증감제는, 광산 발생제와 접촉하여, 전자 이동, 에너지 이동, 발열 등의 작용이 생긴다. 이것에 의해 광산 발생제는 화학 변화를 일으켜 분해하여, 산을 생성한다.A sensitizer absorbs actinic light or a radiation and will be in an electronic excited state. A sensitizer which has become an electron excitation state comes into contact with a photoacid generator to generate an action such as electron transfer, energy transfer, and heat generation. As a result, the photoacid generator causes chemical change to decompose to produce an acid.

바람직한 증감제의 예로서는, 이하의 화합물류에 속하여 있고, 또한 350nm∼450nm역의 어느 곳에 흡수 파장을 갖는 화합물을 들 수 있다.As an example of a preferable sensitizer, the compound which belongs to the following compounds, and has an absorption wavelength in 350 nm-450 nm region is mentioned.

다핵방향족류(예를 들면, 피렌, 페릴렌, 트리페닐렌, 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디에톡시안트라센, 3,7-디메톡시안트라센, 9,10-디프로필옥시안트라센), 크산텐류(예를 들면, 플루오레세인, 에오신, 에리트로신, 로다민B, 로즈벵갈), 크산톤류(예를 들면, 크산톤, 티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤), 시아닌류(예를 들면 티아카르보시아닌, 옥사카르보시아닌), 멜로시아닌류(예를 들면, 멜로시아닌, 카르보멜로시아닌), 로다시아닌류, 옥소놀류, 티아진류(예를 들면, 티오닌, 메틸렌 블루, 톨루이딘 블루), 아크리딘류(예를 들면, 아크리딘 오렌지, 클로로플라빈, 아크리플라빈), 아크리돈류(예를 들면, 아크리돈, 10-부틸-2-클로로아크리돈), 안트라퀴논류(예를 들면, 안트라퀴논), 스쿠알륨류(예를 들면, 스쿠알륨), 스티릴류, 베이스스티릴류(예를 들면, 2-[2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐]벤조옥사졸), 쿠마린류(예를 들면, 7-디에틸아미노4-메틸쿠마린, 7-히드록시4-메틸쿠마린, 2,3,6,7-테트라히드로-9-메틸-1H,5H,11H-[1]벤조피라노[6,7,8-ij]퀴놀리진-11-논).Polynuclear aromatics (e.g., pyrene, perylene, triphenylene, anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-diethoxyanthracene, 3,7-dimethoxyanthracene, 9,10-dipropyloxy Anthracene), xanthenes (e.g., fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B, rose bengal), xanthones (e.g., xanthone, thioxanthone, dimethyl thioxanthone, diethylthioke) Santon), cyanines (e.g., tiacarbocyanine, oxacarbocyanine), melocyanines (e.g., melocyanine, carbomelocyanine), rhodyanine, oxonol, thiazines (E.g. thionine, methylene blue, toluidine blue), acridines (e.g. acridine orange, chloroflavin, acriflavin), acridones (e.g. acridon, 10 -Butyl-2-chloroacridone), anthraquinones (e.g., anthraquinones), squalariums (e.g., squaals), styryls, bases Reels (e.g. 2- [2- [4- (dimethylamino) phenyl] ethenyl] benzoxazole), Coumarins (e.g. 7-diethylamino4-methylcoumarin, 7-hydroxy4 Methylcoumarin, 2,3,6,7-tetrahydro-9-methyl-1H, 5H, 11H- [1] benzopyrano [6,7,8-ij] quinolizine-11-non).

이들 증감제 중에서도, 다핵방향족류, 아크리돈류, 스티릴류, 베이스스티릴류, 쿠마린류가 바람직하고, 다핵방향족류가 보다 바람직하다. 다핵방향족류 중에서도 안트라센 유도체가 가장 바람직하다.Among these sensitizers, polynuclear aromatics, acridones, styryls, base styryls and coumarins are preferable, and polynuclear aromatics are more preferable. Among the polynuclear aromatics, anthracene derivatives are most preferred.

(C) 용제(C) solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (C) 용제를 함유한다.The photosensitive resin composition of this invention contains the (C) solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필수 성분인 상기 (A) 및 (B) 성분, 바람직한 성분인 후술하는 (D) 성분 및/또는 (E) 성분, 및, 또한 후술하는 임의 성분을, (C) 용제에 용해한 용액으로서 제조되는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of this invention is the said (A) and (B) component which are essential components, (D) component mentioned later which is a preferable component, and / or (E) component, and the arbitrary component mentioned later further, (C) It is preferable to manufacture as a solution which melt | dissolved in the solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (C) 용제로서는, 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As a solvent (C) used for the photosensitive resin composition of this invention, a well-known solvent can be used and ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers Propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, Dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, etc. can be illustrated.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 (C) 용제로서는, 예를 들면,As a (C) solvent used for the photosensitive resin composition of this invention, for example,

(가)에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류; (A) ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether;

(나)에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜디프로필에테르 등의 에틸렌글리콜디알킬에테르류; (B) ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether and ethylene glycol dipropyl ether;

(다)에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (C) ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, and ethylene glycol monobutyl ether acetate;

(라)프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (D) propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether;

(마)프로필렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜디알킬에테르류; (E) propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether and diethylene glycol monoethyl ether;

(바)프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (F) propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate and propylene glycol monobutyl ether acetate;

(사)디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디에틸렌글리콜디알킬에테르류; Diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether;

(아)디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (Ethylene) diethylene glycol monoalkyl ether acetates such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, and diethylene glycol monobutyl ether acetate;

(자)디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류; (I) dipropylene glycol monoalkyl ethers such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether and dipropylene glycol monobutyl ether;

(차)디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜디에틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸메틸에테르 등의 디프로필렌글리콜디알킬에테르류; (Propylene) dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, and dipropylene glycol ethyl methyl ether;

(카)디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류; (K) dipropylene glycol monoalkyl ether acetates such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate and dipropylene glycol monobutyl ether acetate;

(타)젖산메틸, 젖산에틸, 젖산n-프로필, 젖산이소프로필, 젖산n-부틸, 젖산이소부틸, 젖산n-아밀, 젖산이소아밀 등의 젖산에스테르류; (E) lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, n-butyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate, and isoamyl lactate;

(파)아세트산n-부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산n-아밀, 아세트산이소아밀, 아세트산n-헥실, 아세트산2-에틸헥실, 프로피온산에틸, 프로피온산n-프로필, 프로피온산이소프로필, 프로피온산n-부틸, 프로피온산이소부틸, 부티르산메틸, 부티르산에틸, 부티르산에틸, 부티르산n-프로필, 부티르산이소프로필, 부티르산n-부틸, 부티르산이소부틸 등의 지방족 카르복시산에스테르류; (Wave) n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, n-hexyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, ethyl propionate, n-propyl propionate, isopropyl propionate, n-butyl propionate, Aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate and isobutyl butyrate;

(하)히드록시아세트산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 2-히드록시-3-메틸부티르산에틸, 메톡시아세트산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시부틸부티레이트, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 피르브산메틸, 피르브산에틸 등의 다른 에스테르류; (H) ethyl hydroxy acetate, 2-hydroxy-2-methylpropionate, 2-hydroxy-3-methylbutyrate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, 3-methoxypropionate, 3-meth Ethyl oxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, 3 Other esters such as methyl-3-methoxybutylbutyrate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pirbate and ethyl pirbate;

(거)메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 4-헵탄온, 시클로헥산온 등의 케톤류; (Ke) ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, and cyclohexanone;

(너)N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; (N) amides such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methylpyrrolidone;

(더)γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.Lactone, such as (gamma) -butyrolactone, etc. are mentioned.

또한, 이들 용제에 또한 필요에 따라, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아니솔, 아세트산벤질, 벤조산에틸, 옥살산디에틸, 말레산디에틸, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 용제를 첨가할 수도 있다.Moreover, as needed for these solvents, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1 -Solvents such as octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate and propylene carbonate may be added.

이들 용제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These solvents can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

본 발명에 사용할 수 있는 용제는, 1종 단독, 또는, 2종을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류와 디에틸렌글리콜디알킬에테르류를 병용하는 것이 더욱 바람직하다.It is preferable to use together single 1 type or 2 types, the solvent which can be used for this invention, It is more preferable to use 2 types together, It is more preferable to use propylene glycol monoalkyl ether acetates and diethylene glycol dialkyl ethers. It is more preferable to use together.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (C) 용제의 함유량은, (A) 성분 100중량부당, 50∼3,000중량부인 것이 바람직하고, 100∼2,000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150∼1,500중량부인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that content of (C) solvent in the photosensitive resin composition of this invention is 50-3,000 weight part per 100 weight part of (A) component, It is more preferable that it is 100-2,000 weight part, It is 150-1,500 weight part More preferred.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

본 발명의 감광성 수지 조성물에는, (A) 성분, (B) 성분, 및, (C) 성분 이외에, 필요에 따라, 임의 성분으로서, 이하에 기술하는 (D) 산화 방지제, (E) 가교제, (F) 밀착 개량제, (G) 염기성 화합물, (H) 계면활성제, (I) 가소제, 및, (J) 열라디칼 발생제, 및, 열산 발생제, 자외선 흡수제, 증점제, 및, 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의 공지의 첨가제를 가할 수 있다.In the photosensitive resin composition of this invention, in addition to (A) component, (B) component, and (C) component, (D) antioxidant, (E) crosslinking agent, which are described below as arbitrary components as needed as needed, (( F) Adhesion improvers, (G) basic compounds, (H) surfactants, (I) plasticizers, and (J) thermal radical generators, and thermal acid generators, ultraviolet absorbers, thickeners, and organic or inorganic precipitations Known additives such as inhibitors can be added.

(D) 산화 방지제(D) antioxidant

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (D) 산화 방지제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains the antioxidant (D).

(D) 산화 방지제로서는, 공지의 산화 방지제를 함유할 수 있다. (D) 산화 방지제를 첨가함으로써, 경화막의 착색을 방지할 수 있고, 또한, 분해에 의한 막두께 감소를 저감할 수 있고, 또한, 내열투명성이 뛰어나다는 이점이 있다.(D) As antioxidant, a well-known antioxidant can be contained. By adding antioxidant (D), coloring of a cured film can be prevented, the film thickness reduction by decomposition can be reduced, and there is an advantage that it is excellent in heat transparency.

이와 같은 산화 방지제로서는, 예를 들면, 인계 산화 방지제, 히드라지드류, 힌더드아민계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 페놀계 산화 방지제, 아스코르브산류, 황산아연, 당류, 아질산염, 아황산염, 티오황산염, 히드록시아민 유도체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 경화막의 착색, 막두께 감소의 관점에서 특히 페놀계 산화 방지제가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 혼합하고 사용해도 좋다.Examples of such antioxidants include phosphorus antioxidants, hydrazides, hindered amine antioxidants, sulfur antioxidants, phenolic antioxidants, ascorbic acids, zinc sulfate, sugars, nitrites, sulfites, thiosulfates, and hydrides. And oxyamine derivatives. Among these, a phenolic antioxidant is especially preferable from a viewpoint of coloring of a cured film and a film thickness reduction. These may be used individually by 1 type, and may mix and use 2 or more types.

페놀계 산화 방지제의 시판품으로서는, 예를 들면, 아데카스탑AO-60((주)ADEKA제), 아데카스탑AO-80((주)ADEKA제), 이르가녹스1098(치바재팬(주)제)을 들 수 있다.As a commercial item of a phenolic antioxidant, Adecas top AO-60 (made by ADEKA), Adecas top AO-80 (made by ADEKA), Irganox 1098 (Chiba Japan Co., Ltd.) 1) can be mentioned.

(D) 산화 방지제의 함유량은, 감광성 수지 조성물의 전 고형분에 대해, 0.1∼6중량%인 것이 바람직하고, 0.2∼5중량%인 것이 보다 바람직하고, 0.5∼4중량%인 것이 특히 바람직하다. 이 범위로 함으로써, 형성된 막의 충분한 투명성이 얻어지고, 또한, 패턴 형성시의 감도도 양호하게 된다.It is preferable that content of (D) antioxidant is 0.1-6 weight% with respect to the total solid of the photosensitive resin composition, It is more preferable that it is 0.2-5 weight%, It is especially preferable that it is 0.5-4 weight%. By setting it as this range, sufficient transparency of the formed film is obtained and the sensitivity at the time of pattern formation also becomes favorable.

또한, 산화 방지제 이외의 첨가제로서, "고분자 첨가제의 신전개((주)닛칸고교신분샤)"에 기재된 각종 자외선 흡수제나, 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 좋다.In addition, as an additive other than antioxidant, you may add the various ultraviolet absorbers, metal deactivator, etc. which were described in "extension of polymer additive (Nikkan Kogyo Co., Ltd.)", etc. to the photosensitive resin composition of this invention.

(E) 가교제(E) crosslinking agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 필요에 따라, (E) 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains (E) crosslinking agent as needed.

(E) 가교제로서는, 예를 들면, 이하에 기술하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가할 수 있다. (E) 가교제를 첨가함으로써, 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.As the (E) crosslinking agent, for example, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups, an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent and a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond can be added in the molecule described below. By adding the crosslinking agent (E), the cured film can be made a stronger film.

<분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물><Compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule>

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.As a specific example of the compound which has two or more epoxy groups in a molecule | numerator, a bisphenol-A epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a phenol novolak-type epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, an aliphatic epoxy resin, etc. are mentioned.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있다. 예를 들면, 비스페놀A형 에폭시 수지로서는, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055(이상, DIC(주)제) 등이, 비스페놀F형 에폭시 수지로서는, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLON830, EPICLON835(이상, DIC(주)제), LCE-21, RE-602S(이상, 니뽄가야쿠(주)제) 등이, 페놀노볼락형 에폭시 수지로서는, JER152, JER154, JER157S70(이상, 재팬에폭시레진(주)제), EPICLONN-740, EPICLONN-740, EPICLONN-770, EPICLONN-775(이상, DIC(주)제) 등이, 크레졸노볼락형 에폭시 수지로서는, EPICLONN-660, EPICLONN-665, EPICLONN-670, EPICLONN-673, EPICLONN-680, EPICLONN-690, EPICLONN-695(이상, DIC(주)제), EOCN-1020(이상, 니뽄가야쿠(주)제) 등이, 지방족 에폭시 수지로서는, ADEKARESINEP-4080S, 동(同)EP-4085S, 동EP-4088S(이상, (주)ADEKA제), 세록사이드 2021P, 세록사이드 2081, 세록사이드 2083, 세록사이드 2085, EHPE3150, EPOLEADPB3600, 동PB4700(이상, 다이셀가가쿠고교(주)제) 등을 들 수 있다. 그 밖에도, ADEKARESINEP-4000S, 동EP-4003S, 동EP-4010S, 동EP-4011S(이상, (주)ADEKA제), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501, EPPN-502(이상, (주)ADEKA제) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.These can be obtained as a commercial item. For example, as bisphenol-A epoxy resin, JER827, JER828, JER834, JER1001, JER1002, JER1003, JER1055, JER1007, JER1009, JER1010 (above, Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON860, EPICLON1055, EPICLON1055 (EPICLON1055) As mentioned above, DIC Corporation make, for example, JER806, JER807, JER4004, JER4005, JER4007, JER4010 (above, Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPICLON830, EPICLON835 (above, DIC Corporation) ), LCE-21, RE-602S (above, Nippon Kayaku Co., Ltd.) are JER152, JER154, JER157S70 (above, Japan epoxy resin Co., Ltd. product), as a phenol novolak-type epoxy resin, EPICLONN-740, EPICLONN-740, EPICLONN-770, EPICLONN-775 (above, made by DIC Co., Ltd.) are cresol novolac-type epoxy resins such as EPICLONN-660, EPICLONN-665, EPICLONN-670, and EPICLONN-673. , EPICLONN-680, EPICLONN-690, EPICLONN-695 (above, made by DIC Corporation), EOCN-1020 (above, Nippon Kayaku Co., Ltd.) are ADEKARESINEP-4080S, copper ( EP-4085S, EP-408 8S (above, made by ADEKA Corporation), ceroxide 2021P, ceroxide 2081, ceroxide 2083, ceroxide 2085, EHPE3150, EPOLEADPB3600, copper PB4700 (above, manufactured by Daicel Chemical Co., Ltd.), and the like. . In addition, ADEKARESINEP-4000S, East EP-4003S, East EP-4010S, East EP-4011S (above, made by ADEKA Corporation), NC-2000, NC-3000, NC-7300, XD-1000, EPPN-501 And EPPN-502 (above, manufactured by ADEKA Corporation). These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

이들 중에서 바람직한 것으로서는, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지를 들 수 있다. 특히 비스페놀A형 에폭시 수지가 바람직하다.Preferred among these are bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, and phenol novolac type epoxy resins. In particular, a bisphenol-A epoxy resin is preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는, 아론옥세탄OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도아고세이(주)제)를 사용할 수 있다.As a specific example of a compound which has two or more oxetanyl groups in a molecule | numerator, Aaronoxetane OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX (above, Toagosei Co., Ltd. product) can be used.

또한, 옥세타닐기를 함유하는 화합물은, 단독으로 또는 에폭시기를 함유하는 화합물과 혼합하여 사용할 수 있다.In addition, the compound containing an oxetanyl group can be used individually or in mixture with the compound containing an epoxy group.

분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 감광성 수지 조성물에의 첨가량은 (A) 성분의 총량을 100중량부로 했을 때, 1∼50중량부가 바람직하고, 3∼30중량부가 보다 바람직하다.1-50 weight part is preferable and, as for the addition amount of the compound which has two or more epoxy groups or oxetanyl group in a molecule | numerator to the photosensitive resin composition, when the total amount of (A) component is 100 weight part, 3-30 weight part is more preferable. .

<알콕시메틸기 함유 가교제><Alkoxymethyl group-containing crosslinking agent>

알콕시메틸기 함유 가교제로서는, 알콕시메틸화멜라민, 알콕시메틸화벤조구아나민, 알콕시메틸화글리콜라우릴 및 알콕시메틸화요소 등이 바람직하다. 이들은, 각각 메틸올화멜라민, 메틸올화벤조구아나민, 메틸올화글리콜라우릴, 또는, 메틸올화요소의 메틸올기를 알콕시메틸기로 변환함으로써 얻어진다. 이 알콕시메틸기의 종류에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 등을 들 수 있지만, 아웃가스(out-gas)의 발생량의 관점에서, 특히 메톡시메틸기가 바람직하다.As the alkoxy methyl group-containing crosslinking agent, alkoxy methylated melamine, alkoxy methylated benzoguanamine, alkoxy methylated glycol lauryl, alkoxy methylated urea and the like are preferable. These are obtained by converting the methylol groups of methylolated melamine, methylolated benzoguanamine, methylolated glycol lauryl, or methylolated urea groups into alkoxymethyl groups, respectively. It does not specifically limit about the kind of this alkoxy methyl group, For example, although a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group, butoxymethyl group etc. are mentioned, from a viewpoint of the outgas generation amount, In particular, a methoxymethyl group is preferable.

이들 가교성 화합물 중, 알콕시메틸화멜라민, 알콕시메틸화벤조구아나민, 알콕시메틸화글리콜라우릴이 바람직한 가교성 화합물로서 들 수 있고, 투명성의 관점에서, 알콕시메틸화글리콜라우릴이 특히 바람직하다.Among these crosslinkable compounds, alkoxy methylated melamine, alkoxy methylated benzoguanamine and alkoxy methylated glycol lauryl are mentioned as preferable crosslinkable compounds, and alkoxy methylated glycol lauryl is particularly preferable from the viewpoint of transparency.

이들 알콕시메틸기 함유 가교제는, 시판품으로서 입수 가능하며, 예를 들면, 사이멜300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170, 1174, UFR65, 300(이상, 미쯔이사이아나미드(주)제), 니칼락MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290, 니칼락MS-11, 니칼락MW-30HM, -100LM, -390, (이상, (주)산와케미컬제) 등을 바람직하게 사용할 수 있다.These alkoxy methyl group containing crosslinking agents are available as a commercial item, For example, Cymel 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123 , 1170, 1174, UFR65, 300 (above, Mitsui Cyanamid Co., Ltd.), Nikalac MX-750, -032, -706, -708, -40, -31, -270, -280, -290 , Nikalak MS-11, Nikalak MW-30HM, -100LM, -390, (above, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) and the like can be preferably used.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 알콕시메틸기 함유 가교제를 사용하는 경우의 알콕시메틸기 함유 가교제의 첨가량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.05∼50중량부인 것이 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 보다 바람직하다. 이 범위에서 첨가함으로써, 현상시의 바람직한 알칼리 용해성과, 경화 후의 막의 뛰어난 내용제성이 얻어진다.It is preferable that it is 0.05-50 weight part with respect to 100 weight part of (A) component, and, as for the addition amount of the alkoxy methyl group containing crosslinking agent in the case of using an alkoxy methyl group containing crosslinking agent for the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 0.5-10 weight part. desirable. By adding in this range, preferable alkali solubility at the time of image development and the outstanding solvent resistance of the film | membrane after hardening are obtained.

<적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물><Compounds having at least one ethylenically unsaturated double bond>

적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는, 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트 화합물을 호적하게 사용할 수 있다.As a compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond, (meth) acrylate compounds, such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate, and trifunctional or more (meth) acrylate, can be used suitably. have.

단관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 카르비톨(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸(메타)아크릴레이트, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-2-히드록시프로필프탈레이트 등을 들 수 있다.As monofunctional (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acryl The rate, 2- (meth) acryloyloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate, etc. are mentioned.

2관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a bifunctional (meth) acrylate, for example, ethylene glycol (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol Di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene diacrylate, bisphenoxy ethanol fluorene diacrylate, and the like.

3관능 이상의 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 트리((메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As (meth) acrylate more than trifunctional, for example, trimethylol propane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri ((meth) acryloyloxyethyl) phosphate, pentaerythritol tetra (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, etc. are mentioned.

이들의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물은, 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다.The compound which has these at least 1 ethylenically unsaturated double bond is used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 사용 비율은, (A) 성분 100중량부에 대해, 50중량부 이하인 것이 바람직하고, 30중량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이와 같은 비율로 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 함유시킴으로써, 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 절연막의 내열성 및 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 가하는 경우에는, (J) 열라디칼 발생제를 첨가하는 것이 바람직하다.It is preferable that it is 50 weight part or less with respect to 100 weight part of (A) component, and, as for the usage ratio of the compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 30 weight part or less. Do. By containing the compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond in such a ratio, the heat resistance, surface hardness, etc. of the insulating film obtained from the photosensitive resin composition of this invention can be improved. When adding the compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond, it is preferable to add (J) thermal radical generating agent.

(F) 밀착 개량제(F) adhesion improver

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (F) 밀착 개량제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of this invention may contain the (F) adhesive improving agent.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 (F) 밀착 개량제는, 기재가 되는 무기물, 예를 들면, 실리콘, 산화실리콘, 질화실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막과의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는, 실란 커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 (F) 밀착 개량제로서의 실란 커플링제는, 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별히 한정하지 않고, 공지의 것을 사용할 수 있다.The (F) adhesion improving agent which can be used for the photosensitive resin composition of this invention is made from the inorganic substance used as a base material, for example, silicon compounds, such as a silicon, a silicon oxide, a silicon nitride, metal, such as gold, copper, aluminum, and an insulating film. It is a compound which improves adhesiveness. Specifically, a silane coupling agent, a thiol type compound, etc. are mentioned. The silane coupling agent as the (F) adhesion improving agent used in the present invention is for the purpose of modifying the interface, and is not particularly limited and known ones can be used.

바람직한 실란 커플링제로서는, 예를 들면, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴옥시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다.As a preferable silane coupling agent, (gamma) -aminopropyl trimethoxysilane, (gamma) -aminopropyl triethoxysilane, (gamma)-glycidoxy propyl trialkoxysilane, (gamma)-glycidoxy propyl alkyl dialkoxysilane, (gamma), for example -Methacryloxypropyltrialkoxysilane, (gamma) -methacryloxypropylalkyl dialkoxysilane, (gamma) -chloropropyltrialkoxysilane, (gamma)-mercaptopropyltrialkoxysilane, (beta)-(3, 4- epoxycyclohexyl) ethyl tree Alkoxysilane and vinyltrialkoxysilane are mentioned.

이들 중, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이나 γ-메타크릴옥시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하다.Among these, γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane and γ-methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable.

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성의 향상에 유효함과 함께, 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. These materials are effective for improving adhesion with the substrate and also for adjusting the taper angle with the substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (F) 밀착 개량제의 함유량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.1∼20중량부가 바람직하고, 0.5∼10중량부가 보다 바람직하다.0.1-20 weight part is preferable with respect to 100 weight part of (A) component, and, as for content of the (F) adhesion improving agent in the photosensitive resin composition of this invention, 0.5-10 weight part is more preferable.

(G) 염기성 화합물(G) basic compounds

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (G) 염기성 화합물을 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of this invention may contain the (G) basic compound.

(G) 염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스트로 사용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제4급 암모늄히드록시드, 카르복시산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다.(G) It can be used selecting arbitrarily as a basic compound from what is used by chemically amplified resist. For example, aliphatic amine, aromatic amine, heterocyclic amine, quaternary ammonium hydroxide, quaternary ammonium salt of carboxylic acid, etc. are mentioned.

지방족 아민으로서는, 예를 들면, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amines include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, and diethanolamine. , Triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, etc. are mentioned.

방향족 아민으로서는, 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.As aromatic amine, aniline, benzylamine, N, N- dimethylaniline, diphenylamine, etc. are mentioned, for example.

복소환식 아민으로서는, 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.As the heterocyclic amine, for example, pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8- Oxyquinoline, pyrazine, pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8- diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene, etc. are mentioned.

제4급 암모늄히드록시드로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.As quaternary ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexyl ammonium hydroxide, etc. are mentioned, for example. have.

카르복시산의 제4급 암모늄염으로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.As quaternary ammonium salt of carboxylic acid, tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, tetra-n-butylammonium benzoate, etc. are mentioned, for example.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은, 1종 단독으로 사용해도, 2종 이상을 병용해도 좋지만, 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 복소환식 아민을 2종 병용하는 것이 더욱 바람직하다.Although the basic compound which can be used for this invention may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together, It is preferable to use 2 or more types together, It is more preferable to use 2 types together, Heterocyclic amine 2 It is more preferable to use together species.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (G) 염기성 화합물의 함유량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.001∼1중량부인 것이 바람직하고, 0.005∼0.2중량부인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 0.001-1 weight part with respect to 100 weight part of (A) component, and, as for content of the (G) basic compound in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 0.005-0.2 weight part.

(H) 계면활성제(H) surfactant

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (H) 계면활성제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of this invention may contain (H) surfactant.

(H) 계면활성제로서는, 음이온계, 양이온계, 비이온계, 또는, 양성의 어느 것이라도 사용할 수 있지만, 바람직한 계면활성제는 비이온계 계면활성제이다.As the (H) surfactant, any of anionic, cationic, nonionic, and amphoteric compounds can be used, but the preferred surfactant is a nonionic surfactant.

비이온계 계면활성제의 예로서는, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산디에스테르류, 실리콘계, 불소계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 이하 상품명으로, KP(신에츠가가쿠고교(주)제), 폴리플로우(고에이샤가가쿠(주)제), 에프톱(JEMCO사제), 메가팩(DIC(주)제), 플로라도(스미토모-쓰리엠(주)제), 아사히가드, 서플론(아사히글래스(주)제), PolyFox(OMNOVA사제) 등의 각 시리즈를 들 수 있다.Examples of the nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkylphenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, silicone and fluorine-based surfactants. In addition, the following brand names are KP (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), polyflow (made by Koeisha Chemical Co., Ltd.), F-Top (made by JEMCO Corporation), mega pack (made by DIC Corporation), and a flora. Each series, such as a figure (Sumitomo-Three Co., Ltd. make), Asahi Guard, a sufflon (made by Asahi Glass Co., Ltd.), PolyFox (made by OMNOVA Corporation), is mentioned.

또한, 계면활성제로서, 하기식(1)으로 표시되는 구성 단위A 및 구성 단위B를 함유하고, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 한 경우의 겔투과 크로마토그래피로 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.Moreover, the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography in the case of containing the structural unit A and structural unit B represented by following formula (1) as a surfactant, and using tetrahydrofuran (THF) as a solvent. The copolymer whose (Mw) is 1,000 or more and 10,000 or less is mentioned as a preferable example.

Figure pat00035
Figure pat00035

(식(1) 중, R1 및 R3은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R4는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 중량 백분율이며, p는 10중량% 이상 80중량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20중량% 이상 90중량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다)(In formula (1), R <1> and R <3> respectively independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R <2> represents a C1-C4 linear alkylene group, R <4> represents a hydrogen atom or C1-C4 or less Represents an alkyl group, L represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q are weight percentages representing the polymerization ratio, p represents a numerical value of 10% by weight to 80% by weight, and q is 20% by weight. The numerical value of 90 weight% or more is shown, r represents an integer of 1 or more and 18 or less, n represents an integer of 1 or more and 10 or less)

상기 L은, 하기식(2)으로 표시되는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식(2)에 있어서의 R5는, 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성의 점에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다. p와 q와의 합(p+q)은, p+q=100, 즉, 100중량%인 것이 바람직하다.It is preferable that said L is a branched alkylene group represented by following formula (2). R <5> in Formula (2) represents a C1-C4 alkyl group, From a compatibility and wettability with respect to a to-be-coated surface, C1-C3 alkyl group is preferable, A C2-C3 alkyl group is preferable. More preferred. It is preferable that sum (p + q) of p and q is p + q = 100, ie, 100 weight%.

Figure pat00036
Figure pat00036

상기 공중합체의 중량평균 분자량(Mw)은, 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.As for the weight average molecular weight (Mw) of the said copolymer, 1,500 or more and 5,000 or less are more preferable.

이들 계면활성제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These surfactant can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (H) 계면활성제의 첨가량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 10중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01∼10중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01∼1중량부인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that it is 10 weight part or less with respect to 100 weight part of (A) component, and, as for the addition amount of (H) surfactant in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 0.01-10 weight part, and it is 0.01-1 weight More preferably denial.

(I) 가소제(I) plasticizer

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (I) 가소제를 함유해도 좋다.The photosensitive resin composition of this invention may contain the (I) plasticizer.

(I) 가소제로서는, 예를 들면, 디부틸프탈레이트, 디옥틸프탈레이트, 디도데실프탈레이트, 폴리에틸렌글리콜, 글리세린, 디메틸글리세린프탈레이트, 타르타르산디부틸, 아디프산디옥틸, 트리아세틸글리세린 등을 들 수 있다.Examples of the plasticizer (I) include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, didodecyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin, dimethyl glycerine phthalate, dibutyl tartarate, dioctyl adipate, and triacetyl glycerine.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (I) 가소제의 첨가량은, (A) 성분 100중량부에 대해, 0.1∼30중량부인 것이 바람직하고, 1∼10중량부인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 0.1-30 weight part with respect to 100 weight part of (A) component, and, as for the addition amount of the (I) plasticizer in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 1-10 weight part.

(J) 열라디칼 발생제(J) thermal radical generating agent

본 발명의 감광성 수지 조성물은, (J) 열라디칼 발생제를 함유하고 있어도 좋고, 상술한 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물과 같은 에틸렌성 불포화 화합물을 함유하는 경우, (J) 열라디칼 발생제를 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of this invention may contain the (J) thermal radical generating agent, and when it contains the ethylenically unsaturated compound like the compound which has the at least 1 ethylenically unsaturated double bond mentioned above, (J) thermal radical It is preferable to contain a generator.

본 발명에 있어서의 열라디칼 발생제로서는, 공지의 열라디칼 발생제를 사용할 수 있다.As a thermal radical generating agent in this invention, a well-known thermal radical generating agent can be used.

열라디칼 발생제는, 열의 에너지에 의해 라디칼을 발생하여, 중합성 화합물의 중합 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물이다. 열라디칼 발생제를 첨가함으로써, 얻어진 경화막이 보다 강인하게 되고, 내열성, 내용제성이 향상하는 경우가 있다.A thermal radical generating agent is a compound which generate | occur | produces a radical by the energy of heat, and starts or accelerates the polymerization reaction of a polymeric compound. By adding a thermal radical generating agent, the obtained cured film becomes stronger, and heat resistance and solvent resistance may improve.

바람직한 열라디칼 발생제로서는, 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 티오 화합물, 헥사아릴비이미다졸 화합물, 케토옥심에스테르 화합물, 보레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스테르 화합물, 탄소할로겐 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물, 비벤질 화합물 등을 들 수 있다.Preferable thermal radical generators include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbiimidazole compounds, ketooxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds and carbon halogens. The compound which has a bond, an azo compound, a bibenzyl compound, etc. are mentioned.

(J) 열라디칼 발생제는, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용하는 것도 가능하다.(J) A thermal radical generating agent may be used individually by 1 type, and can also use 2 or more types together.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (J) 열라디칼 발생제의 첨가량은, 막 물성 향상의 관점에서, (A) 중합체를 100중량부로 했을 때, 0.01∼50중량부가 바람직하고, 0.1∼20중량부가 보다 바람직하고, 0.5∼10중량부인 것이 가장 바람직하다.The amount of the (J) thermal radical generating agent in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 50 parts by weight, and preferably 0.1 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer (A) from the viewpoint of improving film properties. Addition is more preferable and it is most preferable that it is 0.5-10 weight part.

(경화막의 형성 방법)(Formation method of hardened film)

다음으로, 본 발명의 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, the formation method of the cured film of this invention is demonstrated.

본 발명의 경화막의 형성 방법은, 이하의 (1)∼(5)의 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The formation method of the cured film of this invention is characterized by including the process of the following (1)-(5).

(1) 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정(1) Coating process of apply | coating photosensitive resin composition of this invention on board | substrate

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정(2) Solvent removal process which removes solvent from apply | coated photosensitive resin composition

(3) 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정(3) Exposure process to expose by actinic light

(4) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정(4) Developing process developed by aqueous developer

(5) 열경화하는 포스트베이킹 공정(5) thermosetting post-baking process

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each process is demonstrated in order below.

(1)의 도포 공정에서는, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하여 용제를 함유하는 습윤막으로 한다.In the application | coating process of (1), the photosensitive resin composition of this invention is apply | coated on a board | substrate, and it is set as the wet film containing a solvent.

(2)의 용제 제거 공정에서는, 도포된 상기 막으로부터, 감압(배큠) 및/또는 가열에 의해, 용제를 제거하여 기판 위에 건조 도막을 형성시킨다.In the solvent removal process of (2), a solvent is removed from the apply | coated film | membrane by pressure reduction (backing) and / or heating, and a dry coating film is formed on a board | substrate.

(3)의 노광 공정에서는, 얻어진 도막에 파장 300nm 이상 450nm 이하의 활성 광선을 조사한다. 이 공정에서는, (B) 광산 발생제가 분해하여 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해, (A) 중합체 중에 함유되는 식(Ia) 및/또는 식(Ib), 및, 식(Ⅱa) 및/또는 식(Ⅱb)으로 표시되는 모노머 단위 중의 산분해성기가 가수 분해되어, 카르복시기 및/또는 페놀성 수산기가 생성한다.In the exposure process of (3), actinic light of wavelength 300nm or more and 450nm or less is irradiated to the obtained coating film. In this step, (B) the photoacid generator decomposes and an acid is generated. By the catalysis of the generated acid, the acid-decomposable group in the monomer unit represented by formula (Ia) and / or formula (Ib) and / or formula (IIa) and / or formula (IIb) contained in the polymer (A) Decomposition results in carboxyl and / or phenolic hydroxyl groups.

산 촉매의 생성한 영역에 있어서, 상기 가수 분해 반응을 가속시키기 위해서, 필요에 따라, 노광 후 가열 처리 : Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고도 한다)를 행할 수 있다. PEB에 의해, 산분해성기로부터의 카르복시기 생성을 촉진시킬 수 있다.In the generated region of the acid catalyst, in order to accelerate the hydrolysis reaction, after exposure heat treatment: Post Exposure Bake (hereinafter also referred to as "PEB") can be performed. PEB can promote the generation of carboxyl groups from acid-decomposable groups.

본 발명에 있어서의 식(Ia) 및/또는 식(Ib)으로 표시되는 모노머 단위 중의 산분해성기는, 산분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해하여, 카르복시기를 발생하기 때문에, 반드시 PEB를 행하지 않고, 현상에 의해 포지티브 화상을 형성할 수도 있다. 또한, 본 발명에서는, 상대적으로 산분해의 활성화 에너지가 높은 산분해성기를 갖는 (Ⅱa) 및/또는 식(Ⅱb)으로 표시되는 모노머 단위를 병용하고 있기 때문에, 노광량 등의 변동에 대해 안정한 감광성 수지 조성물을 얻을 수 있다.The acid-decomposable group in the monomer unit represented by Formula (Ia) and / or Formula (Ib) in this invention has low activation energy of acid decomposition, and it decompose | disassembles easily by the acid derived from the acid generator by exposure, Since a carboxyl group is generated, a positive image can also be formed by image development without necessarily PEB. Moreover, in this invention, since the monomer unit represented by (IIa) and / or Formula (IIb) which has an acid-decomposable group with relatively high acid decomposition activation energy is used together, the photosensitive resin composition which is stable to the fluctuation | variation of exposure amount etc. is also used. Can be obtained.

또, 비교적 저온으로 PEB를 행함으로써, 가교 반응을 일으키지 않고, 산분해성기의 가수 분해를 촉진할 수도 있다. PEB를 행하는 경우의 온도는, 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 80℃ 이하가 특히 바람직하다.Moreover, by performing PEB at a relatively low temperature, hydrolysis of the acid-decomposable group can be promoted without causing a crosslinking reaction. It is preferable that the temperature at the time of PEB is 30 degreeC or more and 130 degrees C or less, 40 degreeC or more and 110 degrees C or less are more preferable, 50 degreeC or more and 80 degrees C or less are especially preferable.

(4)의 현상 공정에서는, 유리(遊離)한 카르복시기를 갖는 중합체를, 알칼리성 현상액을 사용하여 현상한다. 알칼리성 현상액에 용해하기 쉬운 카르복시기를 갖는 수지 조성물을 함유하는 노광부 영역을 제거함으로써, 포지티브 화상이 형성한다.In the developing process of (4), the polymer which has a free carboxy group is developed using alkaline developing solution. A positive image is formed by removing the exposure part area | region containing the resin composition which has a carboxyl group which is easy to melt | dissolve in an alkaline developing solution.

(5)의 포스트베이킹 공정에 있어서, 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써, 모노머 단위(a1) 및 모노머 단위(a2) 중의 산분해성기를 열분해하여 카르복시기를 생성시키고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기와 가교시킴으로써, 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은, 150℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180∼250℃로 가열하는 것이 보다 바람직하고, 200∼250℃로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 가열 시간은, 가열 온도 등에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 10∼90분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.In the post-baking process of (5), by heating the obtained positive image, the acid-decomposable groups in the monomer unit (a1) and the monomer unit (a2) are thermally decomposed to generate a carboxyl group, and crosslinked with an epoxy group and / or an oxetanyl group, A cured film can be formed. It is preferable to heat this heating at 150 degreeC or more high temperature, It is more preferable to heat at 180-250 degreeC, It is especially preferable to heat at 200-250 degreeC. Although heating time can be set suitably according to heating temperature etc., it is preferable to set it in the range of 10 to 90 minutes.

포스트베이킹 공정 전에 활성 광선, 바람직하게는 자외선을, 현상 패턴에 전면 조사하는 공정을 가하면, 활성 광선조사에 의해 발생하는 산에 의해 가교 반응을 촉진할 수 있다.If a step of totally irradiating active light, preferably ultraviolet light, to the developing pattern before the post-baking step, a crosslinking reaction can be promoted by an acid generated by active light irradiation.

다음으로, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, the formation method of the cured film using the photosensitive resin composition of this invention is demonstrated concretely.

<감광성 수지 조성물의 제조 방법><The manufacturing method of the photosensitive resin composition>

(A)∼(C)의 필수 성분을 소정의 비율로 임의의 방법으로 혼합하여, 교반 용해하여 감광성 수지 조성물을 제조한다. 예를 들면, (A) 또는 (B) 성분을, 각각 미리 (C) 용제에 용해시킨 용액으로 한 후, 이들을 소정의 비율로 혼합하고 수지 조성물을 제조할 수도 있다. 이상과 같이 제조한 조성물 용액은, 공경(孔徑) 0.2㎛의 필터 등을 사용하여 여과한 후에, 사용에 제공할 수도 있다.The essential components of (A)-(C) are mixed by arbitrary methods at arbitrary ratios, are stirred and dissolved, and the photosensitive resin composition is manufactured. For example, after making (A) or (B) component into the solution which melt | dissolved in the (C) solvent previously, respectively, these can also be mixed in a predetermined ratio and a resin composition can also be manufactured. The composition solution prepared as described above may be used for use after filtration using a filter having a pore size of 0.2 μm or the like.

<도포 공정 및 용제 제거 공정><Application process and solvent removal process>

수지 조성물을, 소정의 기판에 도포하고, 감압 및/또는 가열(프리베이킹)에 의해 용매를 제거함으로써, 원하는 건조 도막을 형성할 수 있다. 상기 기판으로서는, 예를 들면 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 편광판, 또한 필요에 따라 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 마련하고, 또한 투명 도전 회로층을 마련한 유리판 등을 예시할 수 있다. 기판에의 도포 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 슬릿 코팅법, 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다. 그 중에서도 슬릿 코팅법이 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 여기서 대형 기판이란, 각 변이 1m 이상의 크기의 기판을 말한다.The desired dry coating film can be formed by apply | coating a resin composition to a predetermined board | substrate and removing a solvent by pressure reduction and / or heating (prebaking). As said board | substrate, for example, in manufacture of a liquid crystal display element, the glass plate etc. which provided the black matrix layer, the color filter layer as needed, and provided the transparent conductive circuit layer can be illustrated. The coating method to a board | substrate is not specifically limited, For example, methods, such as a slit coating method, a spray method, a roll coating method, and a spin coating method, can be used. Among them, the slit coating method is preferable from the viewpoint of being suitable for large substrates. A large board | substrate means here the board | substrate of the magnitude | size of 1 m or more in each side.

또한, (2) 용제 제거 공정의 가열 조건은, 미노광부에 있어서의 (A) 성분 중의 모노머 단위(a1) 및 모노머 단위(a2) 등에 있어서 산분해성기가 분해하여, (A) 성분을 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 다르지만, 바람직하게는 80∼130℃에서 30∼120초간 정도이다.In addition, the heating conditions of (2) solvent removal process decompose an acid-decomposable group in the monomeric unit (a1), monomeric unit (a2), etc. in (A) component in an unexposed part, and (A) component is made to alkaline developing solution. Although it is a range which does not make it soluble and changes also with the kind and compounding ratio of each component, Preferably it is about 30 to 120 second at 80-130 degreeC.

<노광 공정 및 현상 공정(패턴 형성 방법)><Exposure process and development process (pattern forming method)>

노광 공정에서는, 도막을 마련한 기판에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해, 활성 광선을 조사한다. 노광 공정 후, 필요에 따라 가열 처리(PEB)를 행한 후, 현상 공정에서는, 알칼리성 현상액을 사용하여 노광부 영역을 제거하여 화상 패턴을 형성한다.In an exposure process, actinic light is irradiated to the board | substrate which provided the coating film through the mask which has a predetermined pattern. After an exposure process, heat processing (PEB) is performed as needed, and in an image development process, an exposure part area | region is removed using alkaline developing solution, and an image pattern is formed.

활성 광선에 의한 노광에는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, LED광원, 엑시머 레이저 발생 장치 등을 사용할 수 있고, g선(436nm), i선(365nm), h선(405nm) 등의 파장 300nm 이상 450nm 이하의 파장을 갖는 활성 광선이 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 장파장 커트 필터, 단파장 커트 필터, 밴드패쓰 필터와 같은 분광 필터를 통하여 조사광을 조정할 수도 있다.Low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, ultra-high pressure mercury lamps, chemical lamps, LED light sources, excimer laser generators, and the like can be used for exposure to active light, and g-ray (436 nm), i-ray (365 nm), h-ray (405 nm), and the like can be used. An active light ray having a wavelength of 300 nm or more and a wavelength of 450 nm or less can be preferably used. Moreover, irradiation light can also be adjusted through spectroscopic filters, such as a long wavelength cut filter, a short wavelength cut filter, and a bandpass filter, as needed.

현상 공정에서 사용하는 현상액에는, 염기성 화합물을 사용한다. 염기성 화합물로서는, 예를 들면, 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산나트륨, 탄산칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산나트륨, 중탄산칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류; 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산나트륨, 메타규산나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.A basic compound is used for the developing solution used at a developing process. As a basic compound, For example, alkali metal hydroxides, such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; Ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and choline hydroxide; Aqueous solutions, such as sodium silicate and sodium metasilicate, can be used. Moreover, the aqueous solution which added an appropriate amount of water-soluble organic solvents, such as methanol and ethanol, and surfactant to the aqueous solution of the said alkalis can also be used as a developing solution.

현상액의 pH는, 바람직하게는 10.0∼14.0이다.The pH of the developing solution is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은, 바람직하게는 30∼180초간이며, 또한, 현상의 방법은 액성법(液盛法), 딥핑법 등의 어느 것이어도 좋다. 현상 후에는, 유수(流水) 세정을 30∼90초간 행하여, 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a liquid method and a dipping method. After image development, flowing water washing is performed for 30 to 90 seconds, and a desired pattern can be formed.

<포스트베이킹 공정(가교 공정)><Post Baking Process (Crosslinking Process)>

현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해, 핫플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 사용하여, 소정의 온도, 예를 들면 180∼250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫플레이트 상이면 5∼60분간, 오븐이면 30∼90분간, 가열 처리를 함으로써, (A) 성분에 있어서의 산분해성기를 분해하여, 카르복시기를 발생시켜, (A) 성분 중의 에폭시기 및/또는 옥세타닐기인 가교성기와 반응하여, 가교시킴으로써, 내열성, 경도 등이 뛰어난 보호막이나 층간절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.About a pattern corresponding to the unexposed area | region obtained by image development, using heating apparatuses, such as a hotplate and oven, 5 to a predetermined time, for example, hotplate phase, at predetermined temperature, for example, 180-250 degreeC. If it is an oven for 60 minutes, it heat-processes for 30 to 90 minutes, decomposes the acid-decomposable group in (A) component, produces | generates a carboxyl group, and reacts with the crosslinkable group which is an epoxy group and / or oxetanyl group in (A) component. By crosslinking, a protective film or an interlayer insulating film excellent in heat resistance, hardness, and the like can be formed. In addition, when performing heat processing, transparency can also be improved by performing in nitrogen atmosphere.

또, 가열 처리에 앞서, 패턴을 형성한 기판에 활성 광선에 의해 재노광한 후, 포스트베이킹하는 것(재노광/포스트베이킹)에 의해 미노광 부분에 존재하는 (B) 성분으로부터 산을 발생시켜, 가교 공정을 촉진하는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.In addition, prior to the heat treatment, after re-exposure to the substrate on which the pattern is formed by actinic light, post-baking (re-exposure / post-baking) generates an acid from the component (B) present in the unexposed portion. It is preferable to function as a catalyst which accelerates a crosslinking process.

즉, 본 발명의 경화막의 형성 방법은, 현상 공정과 포스트베이킹 공정 사이에, 활성 광선에 의해 재노광하는 재노광 공정을 포함하는 것이 바람직하다.That is, it is preferable that the formation method of the cured film of this invention includes the re-exposure process which re-exposes by actinic light between a developing process and a postbaking process.

재노광 공정에 있어서의 노광은, 상기 노광 공정과 같은 수단에 의해 행하면 좋지만, 상기 재노광 공정에서는, 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대해, 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다. 재노광 공정의 바람직한 노광량으로서는, 100∼1,000mJ/cm2이다.Although exposure in a re-exposure process may be performed by the same means as the said exposure process, in the said re-exposure process, it is preferable to perform whole surface exposure with respect to the side in which the film | membrane was formed by the photosensitive resin composition of this invention of a board | substrate. As a preferable exposure amount of a re-exposure process, it is 100-1,000mJ / cm <2> .

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해, 절연성이 뛰어나고, 고온으로 베이크된 경우에 있어서도 높은 투명성을 갖는 층간절연막이 얻어진다. 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 이루어지는 층간절연막은, 높은 투명성을 갖고, 경화막 물성이 뛰어나기 때문에, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도에 유용하다.By the photosensitive resin composition of this invention, the interlayer insulation film which is excellent in insulation and has high transparency also when baked at high temperature is obtained. Since the interlayer insulation film which uses the photosensitive resin composition of this invention has high transparency and is excellent in cured film physical property, it is useful for the use of an organic electroluminescence display or a liquid crystal display device.

본 발명의 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로서는, 상기 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 평탄화막이나 층간절연막을 갖는 것 이외는 특별히 제한되지 않고, 다양한 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device or liquid crystal display device of the present invention is not particularly limited except having a planarization film or an interlayer insulating film formed by using the photosensitive resin composition of the present invention, and various known organic EL displays having various structures. A device and a liquid crystal display device are mentioned.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은, 상기 용도에 한정되지 않고 여러가지 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막이나 층간절연막 이외에도, 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 위에 마련되는 마이크로렌즈 등에 호적하게 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition of this invention and the cured film of this invention can be used for various uses, without being limited to the said use. For example, in addition to the planarization film and the interlayer insulating film, it can be suitably used as a spacer for maintaining the thickness of the liquid crystal layer in the liquid crystal display device or a microlens provided on the color filter in the solid-state image sensor.

도 1은, 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 바톰 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내며, 평탄화막(4)을 갖고 있다.1 shows a configuration conceptual diagram of an example of an organic EL display device. Typical sectional drawing of the board | substrate in a bottom emission type organic electroluminescence display is shown, and it has the planarization film 4.

유리 기판(6) 위에 바톰 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에, 여기서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이1.0㎛)이 절연막(3) 위에 형성되어 있다. 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A glass substrate 6 is over the insulating film 3 formed comprising, forming a TFT (1) of batom gate in a state covering the TFT (1) to the Si 3 N 4. After forming a contact hole (not shown here) in the insulating film 3, a wiring 2 (1.0 μm in height) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3. The wiring 2 is for connecting the TFT 1 with the organic EL element formed between the TFTs 1 or in a later step.

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화층(4)이 형성되어 있다.In addition, in order to planarize the unevenness caused by the formation of the wiring 2, the planarization layer 4 is formed on the insulating film 3 in a state of filling the unevenness by the wiring 2.

평탄화막(4) 위에는, 바톰 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)이, 콘택트홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜 형성되어 있다. 또한, 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the planarization film 4, the bottom emission type organic electroluminescent element is formed. That is, on the planarization film 4, the 1st electrode 5 which consists of ITO is connected to the wiring 2 through the contact hole 7, and is formed. In addition, the 1st electrode 5 is corresponded to the anode of organic electroluminescent element.

제1 전극(5)의 주연(周緣)을 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있고, 이 절연막(8)을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.The insulating film 8 of the shape which covers the periphery of the 1st electrode 5 is formed, By providing this insulating film 8, between the 1st electrode 5 and the 2nd electrode formed in a subsequent process is provided. Short can be prevented.

또한, 도 1에는 도시하지 않지만, 원하는 패턴 마스크를 통해, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련하고, 이어서, 기판 상방의 전면에 Al로 이루어지는 제2 전극을 형성하여, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합함으로써 밀봉하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.In addition, although not shown in FIG. 1, through a desired pattern mask, a hole transport layer, an organic light emitting layer, and an electron transport layer are sequentially deposited and provided, and then a second electrode made of Al is formed on the entire surface above the substrate to form a sealing glass plate. It seals by bonding together using an ultraviolet curable epoxy resin, and the active-matrix type organic electroluminescence display by which the TFT 1 for driving this is connected to each organic electroluminescent element is obtained.

도 2는, 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는, 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은, 편광 필름이 첩부(貼付)된 2매의 유리 기판(14,15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 위에 형성된 각 소자에는, 경화막(17) 중에 형성된 콘택트홀(18)을 통하여, 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO 투명 전극(19) 위에는, 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 마련되어 있다.2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of the liquid crystal display device 10 of the active matrix system. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel which has the backlight unit 12 in the back surface, and a liquid crystal panel has all arrange | positioned between two glass substrates 14 and 15 with which the polarizing film was affixed. Elements of the TFT 16 corresponding to the pixels are arranged. In each element formed on the glass substrate, the ITO transparent electrode 19 which forms a pixel electrode is wired through the contact hole 18 formed in the cured film 17. As shown in FIG. On the ITO transparent electrode 19, the RGB color filter 22 which has arrange | positioned the layer of liquid crystal 20 and a black matrix is provided.

[실시예][Example]

다음으로, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은, 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Next, an Example demonstrates this invention further more concretely. However, this invention is not limited by these Examples.

이하의 합성예에 있어서, 이하의 부호는 각각 이하의 화합물을 나타낸다.In the following synthesis examples, the following code | symbols represent the following compounds, respectively.

tert-BMA : tert-부틸메타크릴레이트tert-BMA: tert-butyl methacrylate

V-65 : 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴)V-65: 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile)

GMA : 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

EDM : 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르EDM: diethylene glycol ethyl methyl ether

<중합체A-1의 합성>Synthesis of Polymer A-1

에틸비닐에테르 144.2중량부(2몰당량)에 페노티아진 0.5중량부를 첨가하고, 반응계 중을 10℃ 이하로 냉각하면서 메타크릴산 86.1중량부(1몰당량)를 적하 후, 실온(25℃)에서 4시간 교반했다. p-톨루엔설폰산피리디늄 5.0중량부를 첨가 후, 실온에서 2시간 교반하고, 하룻밤 실온 방치했다. 반응액에 탄산수소나트륨 5중량부 및 황산나트륨 5중량부를 첨가하고, 실온에서 1시간 교반하여, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하여, 잔사(殘渣)의 황색 유상물을 감압 증류하여 비점(bp.) 43∼45℃/7mmHg 유분(留分)의 메타크릴산1-에톡시에틸 134.0중량부를 무색 유상물(油狀物)로서 얻었다.0.5 parts by weight of phenothiazine was added to 144.2 parts by weight (2 molar equivalents) of ethyl vinyl ether, and 86.1 parts by weight of methacrylic acid (1 molar equivalents) was added dropwise while cooling the reaction system to 10 ° C. or lower, followed by room temperature (25 ° C.). It stirred at 4 hours. After adding 5.0 parts by weight of p-toluenesulfonic acid pyridinium, the mixture was stirred at room temperature for 2 hours and allowed to stand at room temperature overnight. 5 parts by weight of sodium hydrogen carbonate and 5 parts by weight of sodium sulfate were added to the reaction solution, the mixture was stirred at room temperature for 1 hour, the insolubles were filtered and concentrated under reduced pressure at 40 ° C. or lower, and the residue yellow oil was distilled under reduced pressure to obtain a boiling point. (bp.) 134.0 parts by weight of 1-ethoxyethyl methacrylate of 43 to 45 ° C./7 mmHg fraction was obtained as a colorless oil.

얻어진 메타크릴산1-에톡시에틸(63.25중량부(0.4몰당량)), tert-BMA(42.66중량부(0.3몰당량)), GMA(42.65중량부(0.3몰당량)) 및 EDM(126.6중량부)의 혼합 용액을 질소 기류 하, 70℃로 가열했다. 이 혼합 용액을 교반하면서, 라디칼 중합 개시제 V-65(와코준야쿠고교(주)제, 4중량부) 및 EDM(100.0중량부)의 혼합 용액을 2.5시간 걸쳐 적하했다. 적하가 종료하고나서, 70℃에서 4시간 반응시킴으로써 중합체A-1의 EDM 용액(고형분 농도 : 40중량%)을 얻었다. 얻어진 중합체A-1의 겔투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정한 중량평균 분자량은, 18,000이었다.1-ethoxyethyl methacrylate (63.25 parts (0.4 molar equivalents)), tert-BMA (42.66 parts (0.3 molar equivalents)), GMA (42.65 parts (0.3 molar equivalents)) and EDM (126.6 parts) Part) was heated to 70 ° C. under a stream of nitrogen. While stirring this mixed solution, the mixed solution of radical polymerization initiator V-65 (made by Wako Pure Chemical Industries Ltd., 4 weight part) and EDM (100.0 weight part) was dripped over 2.5 hours. After completion of the dropwise addition, the mixture was reacted at 70 ° C for 4 hours to obtain an EDM solution (solid content concentration: 40% by weight) of polymer A-1. The weight average molecular weight measured by the gel permeation chromatography (GPC) of the obtained polymer A-1 was 18,000.

<중합체A-2∼A-14, A'-15 및 A'-16의 합성><Synthesis of Polymers A-2 to A-14, A'-15 and A'-16>

사용한 각 모노머 및 그 사용량을 표 1에 기재된 것으로 변경한 이외는, 중합체A-1의 합성과 같이 하여, 중합체A-2∼A-14, A'-15, A'-16 및 A-17을 각각 합성했다.Polymer A-2 to A-14, A'-15, A'-16 and A-17 were prepared in the same manner as in the synthesis of Polymer A-1, except that each monomer used and its amount of use were changed to those shown in Table 1. Respectively synthesized.

[표 1]TABLE 1

Figure pat00037
Figure pat00037

또, 표 1에 기재된 공중합비는 몰비이며, 표 1 중의 약호는 이하와 같다.In addition, the copolymerization ratio of Table 1 is a molar ratio, and the symbol of Table 1 is as follows.

MAEVE : 메타크릴산1-에톡시에틸MAEVE: 1-ethoxyethyl methacrylate

t-BMA : tert-부틸메타크릴레이트t-BMA: tert-butyl methacrylate

GMA : 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

OXE-30 : 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(오사카유키가가쿠고교(주)제)Oxe-30: methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl (manufactured by Osaka Yuki Chemical Co., Ltd.)

OXE-10 : 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸(오사카유키가가쿠고교(주)제)Oxe-10: acrylic acid (3-ethyloxetane-3-yl) methyl (manufactured by Osaka Yuki Chemical Co., Ltd.)

HEMA : 메타크릴산2-히드록시에틸HEMA: 2-hydroxyethyl methacrylate

M100 : 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸(다이셀가가쿠고교(주)제)M100: methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl (made by Daicel Chemical Co., Ltd.)

A400 : 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸(다이셀가가쿠고교(주)제)A400: 3, 4- epoxycyclohexyl methyl acrylate (made by Daicel Chemical Co., Ltd.)

MAA : 메타크릴산MAA: Methacrylic acid

thpMA : 메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일thpMA: Methacrylic acid tetrahydro-2H-pyran-2-yl

Ph-2 : 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르Ph-2: 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester

Ph-3 : 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르Ph-3: 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester

Ph-6 : 4-히드록시벤조산(6-메타크릴로일옥시헥실)에스테르Ph-6: 4-hydroxybenzoic acid (6-methacryloyloxyhexyl) ester

Ph-3OH : 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르Ph-3OH: 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester

CHOEMA : 메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸CHOEMA: 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate

MATHF : 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일MATHF: Methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl

P-Ph-3 : 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르의 1-에톡시에틸에테르P-Ph-3: 1-ethoxyethyl ether of 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester

P-Ph-1 : 메타크릴산4-히드록시페닐의 테트라히드로피라닐에테르P-Ph-1: tetrahydropyranyl ether of methacrylic acid 4-hydroxyphenyl

St : 스티렌St: Styrene

C1 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트C1: Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate

C2 : 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르C2: diethylene glycol ethyl methyl ether

또, thpMA(메타크릴산테트라히드로-2H-피란-2-일)는, 일본 특개평5-88367호 공보의 단락0018에 기재된 합성예1의 방법으로 합성했다.In addition, thpMA (tetrahydro-2H-pyran-2-yl) was synthesized by the method of Synthesis Example 1 described in paragraph 0018 of JP-A-588367.

CHOEMA(메타크릴산1-(시클로헥실옥시)에틸)도 같은 방법으로 합성했다. 또한, 이 다른 1-에톡시에틸에테르 보호, 테트라히드로피라닐에테르 보호도, 같은 방법으로 실시했다.CHOEMA (1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate) was also synthesized in the same manner. In addition, this other 1-ethoxyethyl ether protection and tetrahydropyranyl ether protection were also performed by the same method.

또한, Ph-2, Ph-3, Ph-6, 및, Ph-3OH는, 각각 이하의 방법으로 합성했다.In addition, Ph-2, Ph-3, Ph-6, and Ph-3OH were synthesize | combined with the following method, respectively.

<Ph-2(4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르)의 합성><Synthesis of Ph-2 (4-hydroxybenzoic acid (2-methacryloyloxyethyl) ester)>

4-히드록시벤조산(2-히드록시에틸)에스테르 21g의 아세토니트릴 100ml 용액에, 교반 하, N,N-디메틸아세트아미드 20ml를 가하고, 메타크릴산클로리드 20g을 더 가했다. 35℃에서 8시간, 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 빙수에 부어, 석출한 결정을 여취(濾取)하고, 아세트산에틸/n-헥산에서 재결정하여, 4-히드록시벤조산(2-메타크릴로일옥시에틸)에스테르를 얻었다.To 100 ml solution of 21 g of 4-hydroxybenzoic acid (2-hydroxyethyl) ester in acetonitrile, 20 ml of N, N-dimethylacetamide was added, and 20 g of methacrylic acid chloride was further added. After reacting with stirring at 35 ° C. for 8 hours, the reaction mixture was poured into ice water, and the precipitated crystals were filtered off, recrystallized from ethyl acetate / n-hexane, and 4-hydroxybenzoic acid (2-methacryl). Loyloxyethyl) ester was obtained.

Ph-3(4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르) 및 Ph-6(4-히드록시벤조산(6-메타크릴로일옥시헥실)에스테르)은, 상기 Ph-2와 같이 하여 합성했다.Ph-3 (4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester) and Ph-6 (4-hydroxybenzoic acid (6-methacryloyloxyhexyl) ester) are the same as the above Ph-2. It synthesize | combined in the same way.

<Ph-3OH(4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르)의 합성><Synthesis of Ph-3OH (4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester)>

p-히드록시벤조산 100g, 글리시딜메타크릴레이트 100g, 테트라부틸암모늄브로마이드 9.7g을 N-메틸피롤리돈250ml에 가하고, 90℃에서 6시간, 교반하면서 반응시킨 후, 반응 혼합물을 물/아세트산에틸 혼합 용매에 부어, 석출한 결정을 여취하고, 아세트산에틸/n-헥산에서 재결정하여, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시-2-히드록시프로필)에스테르를 얻었다.100 g of p-hydroxybenzoic acid, 100 g of glycidyl methacrylate, and 9.7 g of tetrabutylammonium bromide were added to 250 ml of N-methylpyrrolidone, and the reaction mixture was stirred at 90 DEG C for 6 hours, after which the reaction mixture was water / acetic acid. Poured into ethyl mixed solvent, precipitated crystals were filtered out and recrystallized from ethyl acetate / n-hexane to give 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxy-2-hydroxypropyl) ester.

<MATHF(메타크릴산테트라히드로푸란-2-일)의 합성><Synthesis of MATHF (methacrylic acid tetrahydrofuran-2-yl)>

메타크릴산(86g, 1몰)을 15℃로 냉각해두고, 캠퍼설폰산(4.6g, 0.02몰)을 첨가했다. 그 용액에, 2,3-디히드로푸란(71g, 1몰, 1.0당량)을 적하했다. 1시간 교반한 후에, 포화 탄산수소나트륨 수용액(500ml)을 가하고, 아세트산에틸(500ml)로 추출하여, 황산마그네슘으로 건조 후, 불용물을 여과 후 40℃ 이하에서 감압 농축하여, 잔사의 황색 유상물을 감압 증류하여 비점(bp.) 54∼56℃/3.5mmHg 유분의 메타크릴산테트라히드로푸란-2-일(MATHF) 125g을 무색 유상물로서 얻었다(수율80%).Methacrylic acid (86 g, 1 mol) was cooled to 15 ° C, and camphorsulfonic acid (4.6 g, 0.02 mol) was added. 2,3-dihydrofuran (71 g, 1 mol, 1.0 equivalent) was dripped at this solution. After stirring for 1 hour, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution (500 ml) was added, extracted with ethyl acetate (500 ml), dried over magnesium sulfate, and the insoluble matters were filtered and concentrated under reduced pressure at 40 ° C. or lower to give a yellow oily residue. The resulting mixture was distilled under reduced pressure to obtain 125 g of tetrahydrofuran-2-yl methacrylate (MATHF) having a boiling point (bp.) Of 54 to 56 ° C / 3.5 mmHg fraction as a colorless oil (yield 80%).

(실시예1∼53 및 비교예1∼3)(Examples 1 to 53 and Comparative Examples 1 to 3)

(1) 감광성 수지 조성물 용액의 제조(1) Preparation of Photosensitive Resin Composition Solution

하기 표 2∼표 4에 나타내는 각 성분을 혼합하여 균일한 용액으로 한 후, 0.2㎛의 포어 사이즈(pore size)를 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 사용하여 여과하여, 실시예1∼53 및 비교예1 및 2의 감광성 수지 조성물 용액을 각각 제조했다.Each component shown in following Table 2-Table 4 was mixed, it was made into a uniform solution, and it filtered using the polytetrafluoroethylene filter which has a pore size of 0.2 micrometer, and Examples 1-53 and The photosensitive resin composition solutions of Comparative Examples 1 and 2 were prepared, respectively.

[표 2]TABLE 2

Figure pat00038
Figure pat00038

[표 3][Table 3]

Figure pat00039
Figure pat00039

[표 4][Table 4]

Figure pat00040
Figure pat00040

또, 표 2∼표 4 중의 약호는 이하와 같다.In addition, the symbol of Table 2-Table 4 is as follows.

B1 : CGI1397(치바재팬(주)제)B1: CGI1397 (made by Chiba Japan Co., Ltd.)

B2 : CGI1325(치바재팬(주)제)B2: CGI1325 (made by Chiba Japan Co., Ltd.)

B3 : PAI-1001(하기에 나타내는 구조, 미도리가가쿠(주)제) B3: PAI-1001 (structure shown below, product of Midorigagaku Co., Ltd.)

B4 : DBA(9,10-디부톡시안트라센, 하기에 나타내는 구조, 가와사키가세이고교(주)제)B4: DBA (9,10-dibutoxy anthracene, the structure shown below, the Kawasaki Chemical Industries, Ltd. make)

Figure pat00041
Figure pat00041

<광산 발생제B5의 합성><Synthesis of Photoacid Generator B5>

1-1. 합성 중간체B5-A의 합성1-1. Synthesis of Synthetic Intermediate B5-A

2-아미노벤젠티올 : 31.3g(도쿄가세이고교(주)제)를 톨루엔 : 100mL(와코준야쿠고교(주)제)에 실온(25℃) 하 용해시켰다. 다음으로, 페닐아세틸클로리드 : 40.6g(도쿄가세이고교(주)제)을 적하하고, 실온 하 1시간, 이어서 100℃에서 2시간 교반하여 반응시켰다. 얻어진 반응액에 물 500mL를 넣어 석출한 염을 용해시켜, 톨루엔 유분을 추출, 추출액을 로터리 이베이퍼레이터로 농축시켜, 합성 중간체B5-A를 얻었다.2-aminobenzenethiol: 31.3 g (manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was dissolved in toluene: 100 mL (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) at room temperature (25 ° C). Next, phenyl acetyl chloride: 40.6g (Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd. product) was dripped, and it stirred for 1 hour and then made it react at 100 degreeC under room temperature for 2 hours. 500 mL of water was put into the obtained reaction liquid, the precipitated salt was dissolved, the toluene fraction was extracted, the extract was concentrated with the rotary evaporator, and the synthetic intermediate B5-A was obtained.

1-2. B5의 합성1-2. Synthesis of B5

상기와 같이 하여 얻어진 합성 중간체B5-A 2.25g을 테트라히드로푸란 : 10mL(와코준야쿠고교(주)제)에 혼합시킨 후, 빙욕(氷浴)에 담가 반응액을 5℃ 이하로 냉각했다. 다음으로, 테트라메틸암모늄히드록시드 : 4.37g(25중량% 메탄올 용액, Alfa Acer사제)을 적하하고, 빙욕 하 0.5시간 교반하여 반응시켰다. 또한, 아질산이소펜틸 : 7.03g을 내온 20℃ 이하로 유지하면서 적하하고, 적하 종료 후에 반응액을 실온까지 승온 후, 1시간 교반했다.2.25 g of the synthetic intermediate B5-A obtained as described above was mixed with 10 mL of tetrahydrofuran (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), and then immersed in an ice bath to cool the reaction solution to 5 ° C or lower. Next, tetramethylammonium hydroxide: 4.37g (25 weight% methanol solution, the Alfa Acer company make) was dripped, and it stirred for 0.5 hours and reacted under an ice bath. In addition, isopentyl nitrite: 7.03 g was added dropwise keeping the internal temperature at 20 ° C. or lower, and after completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated to room temperature, followed by stirring for 1 hour.

이어서, 반응액을 5℃ 이하로 냉각한 후, p-톨루엔설포닐클로리드(1.9g)(도쿄가세이고교(주)제)를 투입하고, 10℃ 이하를 유지하면서 1시간 교반했다. 그 후 물 80mL를 투입하고, 0℃에서 1시간 교반했다. 얻어진 석출물을 여과한 후, 이소프로필알코올(IPA) 60mL를 투입하고, 50℃로 가열하여 1시간 교반하여, 열시 여과, 건조시킴으로써, (B5 : 상기 구조) 1.8g을 얻었다.Subsequently, after cooling the reaction liquid to 5 degrees C or less, p-toluene sulfonyl chloride (1.9 g) (made by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was thrown in, and it stirred for 1 hour, maintaining 10 degrees C or less. Then, 80 mL of water was thrown in and it stirred at 0 degreeC for 1 hour. After filtering the obtained precipitate, 60 mL of isopropyl alcohols (IPA) were added, it heated at 50 degreeC, stirred for 1 hour, was filtered and dried at the time, and 1.8 g (B5: said structure) was obtained.

얻어진 B5의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, 중DMSO((D3C)2S=O))은, δ=8.2∼8.17(m,1H), 8.03∼8.00(m,1H), 7.95∼7.9(m,2H), 7.6∼7.45(m,9H), 2.45(s,3H)이었다.The 1 H-NMR spectrum (300 MHz, heavy DMSO ((D 3 C) 2 S═O)) of the obtained B5 is δ = 8.2 to 8.17 (m, 1H), 8.03 to 8.00 (m, 1H), and 7.95 to 7.9 (m, 2H), 7.6-7.45 (m, 9H), and 2.45 (s, 3H).

상기 1H-NMR 측정 결과로부터, 얻어진 B5는, 1종 단독의 기하 이성체인 것이 추정된다.From the said 1 H-NMR measurement result, it is estimated that obtained B5 is a single type of geometric isomer.

<B6의 합성><Synthesis of B6>

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로리드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열하여 2시간 반응시켰다. 빙랭 하, 반응액에 4NHCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산에틸(50mL)을 첨가하여 분액했다. 유기층에 탄산칼륨(19.2g)을 가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후, 2NHCl 수용액(60mL)을 첨가하여 분액하고, 유기층을 농축 후, 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension solution of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixed solution was heated to 40 ° C for 2 hours to react. 4NHCl aqueous solution (60 mL) was dripped at the reaction liquid under ice cooling, ethyl acetate (50 mL) was added and liquid-separated. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, reacted at 40 ° C for 1 hour, followed by separating an aqueous solution of 2NHCl (60 mL), separating the organic layer, and then recrystallizing the crystal with diisopropyl ether (10 mL), Filtration and drying yielded the ketone compound (6.5 g).

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(30mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50중량% 히드록시아민 수용액(8.0g)을 첨가하고, 가열 환류했다. 방랭 후, 물(50mL)을 가하고, 석출한 결정을 여과, 냉메탄올 세정 후, 건조하여 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3g) and 50 weight% hydroxyamine aqueous solution (8.0g) were added and heated and refluxed to the obtained ketone compound (3.0g) and the suspension solution of methanol (30mL). After cooling, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시켜, 빙랭 하 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔설포닐클로리드(2.4g)를 첨가하고, 실온으로 승온하여 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과 후, 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조하여 B6(2.3g)을 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice cooling, and the reaction mixture was heated to room temperature for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered off, reslurried with methanol (20 mL), filtered and dried to obtain B6 (2.3 g).

또, B6의 1H-NMR 스펙트럼(300MHz, CDCl3)은, δ=8.3(d,1H), 8.0(d,2H), 7.9(d,1H), 7.8(d,1H), 7.6(dd,1H), 7.4(dd,1H), 7.3(d,2H), 7.1(d.1H), 5.6(q,1H), 2.4(s,3H), 1.7(d,3H)이었다.In addition, the 1 H-NMR spectrum (300 MHz, CDCl 3 ) of B6 is δ = 8.3 (d, 1H), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), and 7.6 (dd). , 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d. 1H), 5.6 (q, 1H), 2.4 (s, 3H) and 1.7 (d, 3H).

C1 : 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트C1: Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate

C2 : 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르C2: diethylene glycol ethyl methyl ether

D1 : 아데카스탑AO-60((주)ADEKA제)D1: Adecas Top AO-60 (made by ADEKA Co., Ltd.)

E1 : JER-157S70(다관능 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 200∼220g/eq), 재팬에폭시레진(주)제)E1: JER-157S70 (polyfunctional novolak type epoxy resin (epoxy equivalent 200-220 g / eq), Japan epoxy resin Co., Ltd. product)

E2 : 니칼락MW-100LM(산와케미컬(주)제)E2: Nikalak MW-100LM (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.)

계면활성제1 : 메가팩R-08(퍼플루오로알킬기 함유 비이온성 계면활성제, DIC(주)제)Surfactant 1: Megapack R-08 (Perfluoroalkyl group-containing nonionic surfactant, manufactured by DIC Corporation)

계면활성제2 : 하기 구조의 화합물W-3Surfactant 2: Compound W-3

염기성 화합물1 : 4-디메틸아미노피리딘Basic compound 1: 4-dimethylaminopyridine

염기성 화합물2 : 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨Basic compound 2: 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene

염기성 화합물3 : 트리페닐이미다졸Basic compound 3: triphenylimidazole

밀착 개량제1 : KBM-403(신에츠가가쿠고교(주)제)Close Enhancement Agent 1: KBM-403 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

Figure pat00043
Figure pat00043

Figure pat00044
Figure pat00044

또한, 비교예3에서 사용한 조성물은, 일본 특개2004-264623호 공보의 실시예1에 기재된 조성물이다. 즉, 이하와 같이 제조한 조성물이다.In addition, the composition used by the comparative example 3 is a composition as described in Example 1 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-264623. That is, it is the composition manufactured as follows.

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7중량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200중량부를 장입했다. 이어서 1-(시클로헥실옥시)에틸메타크릴레이트 40중량부, 스티렌 5중량부, 메타크릴산글리시딜 45중량부, 2-히드록시에틸메타크릴레이트 10중량부 및 α-메틸스티렌다이머 3중량부를 장입하고 질소 치환한 후, 서서히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 유지하여 공중합체를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 얻어진 공중합체의 폴리스티렌 환산 중량평균 분자량(Mw)은 11,000이었다. 또한, 여기서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.6중량%이었다.In a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 7 parts by weight of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by weight of diethylene glycol ethylmethyl ether were charged. Then 40 parts by weight of 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate, 5 parts by weight of styrene, 45 parts by weight of glycidyl methacrylate, 10 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate and α-methylstyrene dimer 3 After charging by weight and nitrogen-substituting, stirring was gradually started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing a copolymer. The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the obtained copolymer was 11,000. In addition, solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.6 weight%.

상기에서 합성한 공중합체를 함유하는 용액을, 공중합체 100중량부(고형분)에 상당하는 양, 및, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄설포네이트 5중량부를, 고형분 농도가 30중량%가 되도록 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르에 용해시킨 후, 구경0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 비교예3의 감광성 수지 조성물을 제조했다.The solution containing the copolymer synthesize | combined above is the amount equivalent to 100 weight part (solid content) of a copolymer, and 4,7-di-n-butoxy-1- naphthyl tetrahydrothiophenium trifluoro 5 parts by weight of methanesulfonate was dissolved in diethylene glycol methylethyl ether so that the solid content concentration was 30% by weight, and then filtered through a membrane filter having a diameter of 0.2 µm to prepare the photosensitive resin composition of Comparative Example 3.

(2)감도의 평가(2) Evaluation of sensitivity

실리콘산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 위에 감광성 수지 조성물 용액을 회전 도포한 후, 95℃에서 90초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이킹하여 막두께3㎛의 도막을 형성했다.After rotationally apply | coating the photosensitive resin composition solution on the silicon wafer which has a silicon oxide film, it prebaked at 95 degreeC for 90 second on the hotplate, and formed the coating film of 3 micrometers in film thickness.

다음으로, i선 스텝퍼(캐논(주)제 FPA-3000i5+)를 사용하여, 소정의 마스크를 통해 노광했다. 노광 후, 0.4중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액에 의해 23℃에서 60초간 액성법으로 현상한 후, 초순수로 1분간 린스했다. 이들의 조작에 의해 10㎛의 라인 앤드 스페이스를 1:1로 해상할 때의 최적 노광량(Eopt)을 감도로 했다. 감도는, 100mJ/cm2보다 저노광량의 경우에, 고감도라고 할 수 있다.Next, it exposed through the predetermined mask using the i-line stepper (FPA-3000i5 + by Canon Corporation). After exposure, after developing by the liquid method for 60 second by 23 degreeC tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 degreeC, it rinsed for 1 minute with ultrapure water. By these operations, the optimum exposure dose Eopt when resolving a 10 µm line and space in a 1: 1 ratio was set as the sensitivity. Sensitivity can be said to be high sensitivity in the case of exposure amount lower than 100 mJ / cm <2> .

(3) 노광량 의존성의 평가(3) Evaluation of exposure dose dependency

상기 최적 노광량(Eopt)에 대해, (Eopt-10%의 노광량으로 노광했을 때의 선폭)와 (Eopt+10%의 노광량으로 노광했을 때의 선폭)을 각각 구하여, {(Eopt-10%의 노광량으로 노광했을 때의 선폭)-(Eopt+10%의 노광량으로 노광했을 때의 선폭)}이, 1㎛ 미만의 경우를 「1」, 1㎛ 이상의 경우를 「2」로 했다. 「1」의 경우는, 노광량 의존성이 양호하다고 할 수 있다.With respect to the optimum exposure dose (Eopt), (line width when exposed at an exposure amount of Eopt-10%) and (line width when exposed at an exposure amount of Eopt + 10%) were obtained, respectively, and {(exposure amount at 10% of Eopt-10%). The line width at the time of exposure to-) (the line width at the time of exposure with the exposure amount of Eopt + 10%)} made "1" the case of less than 1 micrometer, and made the case "1" and 1 micrometer or more. In the case of "1", it can be said that exposure dose dependency is favorable.

감도 및 노광량 의존성의 평가 결과를 표 5 및 표 6에 나타냈다.The evaluation results of the sensitivity and the exposure dose dependence are shown in Tables 5 and 6.

본 발명의 감광성 수지 조성물은, 모두 감도가 높고, 노광량 의존성이 양호함을 알 수 있다.It turns out that all the photosensitive resin compositions of this invention are high in sensitivity, and light dose dependence is favorable.

[표 5]TABLE 5

Figure pat00045
Figure pat00045

[표 6]TABLE 6

Figure pat00046
Figure pat00046

(4) 내용제성의 평가(4) Evaluation of solvent resistance

실리콘산화막을 갖는 실리콘 웨이퍼 위에 감광성 수지 조성물 용액을 회전 도포한 후, 95℃에서 90초간 핫플레이트 상에 있어서 프리베이킹하여 막두께3㎛의 도막을 형성했다. 얻어진 도막에 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 200mJ/cm2(조도 : 20mW/cm2)가 되도록 노광하고, 그 후, 이 기판을 오븐으로 230℃에서 1시간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 막두께(T1)를 측정했다. 다음으로, 이 경화막이 형성된 실리콘 웨이퍼를 25℃로 온도 제어된 N-메틸피롤리돈 중에 30분간 침지시킨 후, 당해 경화막의 막두께(t1)를 측정하고, 침지에 의한 막두께 변화율{|t1-T1|/T1}×100(%)을 산출했다. 또, 변화율이 3% 미만이면, 내용제성이 양호하다고 할 수 있다.After rotationally apply | coating the photosensitive resin composition solution on the silicon wafer which has a silicon oxide film, it prebaked at 95 degreeC for 90 second on the hotplate, and formed the coating film of 3 micrometers in film thickness. The obtained coating film was exposed so that the accumulated irradiation amount might be 200 mJ / cm 2 (roughness: 20 mW / cm 2 ) with a PLA-501F exposure machine (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Corporation, and then the substrate was subjected to 1 at 230 ° C. in an oven. It heated for time and obtained the cured film. The film thickness (T1) of the obtained cured film was measured. Subsequently, the silicon wafer on which the cured film was formed was immersed for 30 minutes in N-methylpyrrolidone temperature-controlled at 25 ° C., and then the film thickness t1 of the cured film was measured and the film thickness change rate due to the immersion {| t1 -T1 | / T1} x100 (%) was computed. Moreover, solvent resistance can be said that a change rate is less than 3%.

내용제성의 평가 결과를 표 7에 나타낸다.Table 7 shows the evaluation results of solvent resistance.

본 발명의 감광성 조성물은, 모두 양호한 내용제성을 나타내며, 지환 에폭시기를 함유하는 중합체를 사용한 경우, 옥세타닐기를 함유하는 수지를 사용한 경우, 또한, 가교제를 사용한 경우에 특히 양호하게 됨을 알 수 있다.It turns out that the photosensitive composition of this invention becomes favorable especially when the polymer containing an alicyclic epoxy group is used, and when the resin containing an oxetanyl group is used, and also when a crosslinking agent is used, all the photosensitive compositions of this invention are used.

[표 7]TABLE 7

Figure pat00047
Figure pat00047

(5) 내열투명성의 평가(5) Evaluation of heat resistance transparency

상기 (4) 내용제성의 평가에 있어서, 실리콘 웨이퍼 대신에 유리 기판「코닝1737(코닝사제)」을 사용한 것 이외는 (4)와 같이 하여 유리 기판 위에 경화막을 제작했다. 얻어진 경화막을 오븐으로 230℃에서 2시간 더 가열한 후, 광선 투과율을 분광광도계「150-20형 더블빔((주)히다치세이사쿠쇼제)」를 사용하여 400∼800nm의 범위의 파장에서 측정했다. 그 때의 최저 광선 투과율의 평가(내열투명성의 평가)를 표 8에 나타낸다. 이 값이 81% 이상이면, 내열투명성이 양호하다고 할 수 있다.In the evaluation of solvent resistance (4), a cured film was produced on the glass substrate in the same manner as in (4), except that a glass substrate "Corning 1737 (manufactured by Corning)" was used instead of the silicon wafer. After heating the obtained cured film further at 230 degreeC in oven for 2 hours, the light transmittance was measured at the wavelength of 400-800 nm using the spectrophotometer "150-20 type double beam (made by Hitachi Seisakusho Co., Ltd.). . Table 8 shows the evaluation of the minimum light transmittance (evaluation of heat resistance) at that time. If this value is 81% or more, it can be said that heat resistance transparency is favorable.

본 발명의 감광성 조성물은, 모두 양호한 내열투명성을 나타내며, 특히, 광산 발생제B6을 사용한 경우, 및, 산화 방지제를 사용한 경우는 특히 양호하게 됨을 알 수 있다.It turns out that the photosensitive composition of this invention all shows favorable heat-transparency, especially when the photo-acid generator B6 is used, and the case where antioxidant is used is especially favorable.

[표 8][Table 8]

Figure pat00048
Figure pat00048

(실시예54)Example 54

실시예51의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기 실시예51과 같은 평가를, 초고압 수은 램프 대신에 UV-LED 광원 노광기를 사용하여 실시한 바, 실시예51과 같은 결과가 얻어졌다.The evaluation similar to Example 51 was performed using the photosensitive resin composition of Example 51 using the UV-LED light source exposure machine instead of the ultrahigh pressure mercury lamp, and the result similar to Example 51 was obtained.

(실시예55)Example 55

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 위에 바톰 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 다음으로, 이 절연막(3)에, 여기서는 도시를 생략한 콘택트홀을 형성한 후, 이 콘택트홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이1.0㎛)을 절연막(3) 위에 형성했다. 이 배선(2)은, TFT(1) 사이 또는, 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.Forming a TFT (1) of batom gate on the glass substrate 6, thereby forming the insulating film 3 made of Si 3 N 4 in a state covering the TFT (1). Next, a contact hole (not shown here) is formed in the insulating film 3, and then a wiring 2 (1.0 m in height) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3. did. This wiring 2 is for connecting the TFT 1 with the organic EL element formed between the TFTs 1 or in a later step.

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서, 배선(2)에 의한 요철을 메워넣는 상태로 절연막(3) 위에 평탄화층(4)을 형성했다. 절연막(3) 위에의 평탄화막(4)의 형성은, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 기판 위에 스핀 도포하고, 핫플레이트 상에서 프리베이킹(90℃×2분)한 후, 마스크 상에서 고압 수은등을 사용하여 i선(365nm)을 45mJ/cm2(조도20mW/cm2) 조사한 후, 알칼리 수용액으로 현상하여 패턴을 형성하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 그 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하고, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는, 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500nm, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2,000nm이었다.In addition, in order to planarize the unevenness caused by the formation of the wiring 2, the planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 in a state of filling the unevenness by the wiring 2. Formation of the planarization film 4 on the insulating film 3 is carried out by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 7 on a substrate, prebaking (90 占 폚 x 2 minutes) on a hot plate, and using a high pressure mercury lamp on a mask. After irradiating i line | wire (365 nm) to 45mJ / cm <2> (roughness 20mW / cm <2> ), it developed in alkaline aqueous solution, the pattern was formed, and it heat-processed for 60 minutes at 230 degreeC. The applicability | paintability at the time of apply | coating this photosensitive resin composition was favorable, and generation | occurrence | production of a wrinkle and a crack was not recognized by the cured film obtained after exposure, image development, and baking. In addition, the film thickness of the planarization film 4 which produced 500 nm of average level | step differences of the wiring 2 was 2,000 nm.

다음으로, 얻어진 평탄화막(4) 위에, 바톰 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선, 평탄화막(4) 위에, ITO로 이루어지는 제1 전극(5)을, 콘택트홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜 형성했다. 그 후, 레지스트를 도포, 프리베이킹하고, 원하는 패턴의 마스크를 통해 노광하여, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, ITO 에천트를 사용한 웨트에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후, 레지스트 박리액(모노에탄올아민과 디메틸설폭시드(DMSO)와의 혼합액)을 사용하여 그 레지스트 패턴을 박리했다. 이렇게 하여 얻어진 제1 전극(5)은, 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Next, the bottom emission type organic electroluminescent element was formed on the obtained planarization film 4. First, on the planarization film 4, the 1st electrode 5 which consists of ITO was connected to the wiring 2 through the contact hole 7, and was formed. Then, the resist was apply | coated and prebaked, and it exposed and developed through the mask of a desired pattern. Using this resist pattern as a mask, pattern processing was performed by wet etching using ITO etchant. Then, the resist pattern was stripped using the resist stripping solution (mixed liquid of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The 1st electrode 5 obtained in this way is corresponded to the anode of organic electroluminescent element.

다음으로, 제1 전극(5)의 주연을 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막(8)에는, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기와 같은 방법으로 형성했다. 이 절연막(8)을 마련함으로써, 제1 전극(5)과 이후의 공정에서 형성하는 제2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Next, the insulating film 8 of the shape which covers the periphery of the 1st electrode 5 was formed. It formed in the insulating film 8 by the method similar to the above using the photosensitive resin composition of Example 7. By providing this insulating film 8, the short between the 1st electrode 5 and the 2nd electrode formed in a later process can be prevented.

또한, 진공 증착 장치 내에서 원하는 패턴 마스크를 통해, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착하여 마련했다. 이어서, 기판 상방의 전면에 Al로 이루어지는 제2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 취출하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용하여 첩합함으로써 밀봉했다.Moreover, the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron carrying layer were sequentially deposited and provided through the desired pattern mask in the vacuum vapor deposition apparatus. Next, the 2nd electrode which consists of Al was formed in the whole surface above a board | substrate. The obtained said board | substrate was taken out from the vapor deposition machine, and it sealed by bonding together using the sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 하여, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속하여 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 통해 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.As described above, an active matrix organic EL display device obtained by connecting the TFT 1 for driving this to each organic EL element was obtained. When voltage was applied through the drive circuit, it was found that the display was a good organic EL display device with good display characteristics.

(실시예56)Example 56

실시예55에 있어서, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 실시예34의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.In Example 55, the organic EL device was similarly manufactured except having changed the photosensitive resin composition of Example 7 into the photosensitive resin composition of Example 34. It showed that it was an organic electroluminescent display apparatus which shows favorable display characteristics and is highly reliable.

(실시예57)(Example 57)

실시예55에 있어서, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 실시예51의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치임을 알 수 있었다.In Example 55, the organic EL device was produced similarly except having changed the photosensitive resin composition of Example 7 into the photosensitive resin composition of Example 51. It showed that it was an organic electroluminescent display apparatus which shows favorable display characteristics and is highly reliable.

(실시예58)(Example 58)

일본 특허 제3321003호 공보의 도 1 및 도 2에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 층간절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 하여 형성하여, 실시예58의 액정 표시 장치를 얻었다.In the active matrix liquid crystal display device of FIGS. 1 and 2 of JP-A-3321003, a cured film 17 was formed as follows as an interlayer insulating film to obtain a liquid crystal display device of Example 58.

즉, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 사용하여, 상기 실시예55에 있어서의 유기 EL 표시 장치의 평탄화막(4)의 형성 방법과 같은 방법으로, 층간절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.That is, using the photosensitive resin composition of Example 7, the cured film 17 was formed as an interlayer insulation film by the method similar to the formation method of the planarization film 4 of the organic electroluminescent display in Example 55.

얻어진 액정 표시 장치에 대해, 구동 전압을 인가한 바, 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.When the drive voltage was applied to the obtained liquid crystal display device, it showed favorable display characteristics and it turned out that it is a highly reliable liquid crystal display device.

(실시예59)Example 59

실시예58에 있어서, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 실시예34의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.In Example 58, the liquid crystal display device was produced similarly except having changed the photosensitive resin composition of Example 7 into the photosensitive resin composition of Example 34. It showed that favorable display characteristics were shown and it was a highly reliable liquid crystal display device.

(실시예60)Example 60

실시예58에 있어서, 실시예7의 감광성 수지 조성물을 실시예51의 감광성 수지 조성물로 바뀐 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내며, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치임을 알 수 있었다.In Example 58, the liquid crystal display device was produced similarly except having changed the photosensitive resin composition of Example 7 into the photosensitive resin composition of Example 51. It showed that favorable display characteristics were shown and it was a highly reliable liquid crystal display device.

1 : TFT(박막 트랜지스터)
2 : 배선
3 : 절연막
4 : 평탄화막
5 : 제1 전극
6 : 유리 기판
7 : 콘택트홀
8 : 절연막
10 : 액정 표시 장치
12 : 백라이트 유닛
14,15 : 유리 기판
16 : TFT
17 : 경화막
18 : 콘택트홀
19 : ITO 투명 전극
20 : 액정
22 : 컬러 필터
1: TFT (Thin Film Transistor)
2: wiring
3: insulation film
4: planarization film
5: first electrode
6: glass substrate
7: contact hole
8: insulating film
10: liquid crystal display device
12: backlight unit
14,15: glass substrate
16: TFT
17: cured film
18: contact hole
19: ITO transparent electrode
20: liquid crystal
22: color filter

Claims (14)

(A) 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ia)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ib)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a1), 산에 의해 카르복시기를 생성하는 식(Ⅱa)으로 표시되는 구조 또는 산에 의해 페놀성 수산기를 생성하는 식(Ⅱb)으로 표시되는 구조를 갖는 모노머 단위(a2), 및, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위(a3)를 함유하는 중합체,
(B) 광산(光酸) 발생제, 및,
(C) 용제를 함유하는 것을 특징으로 하는
감광성 수지 조성물.
Figure pat00049

(식 중, R1은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 알킬기를 나타내고, R3은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R4는 제3급 알킬기, tert-부톡시카르보닐기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로, 2가의 방향족기를 나타내고, 파선 부분은 다른 구조와의 결합 개소를 나타낸다. 또한, R1과 R2는 연결하여 환상 에테르를 형성해도 좋다(단, 6원환 구조를 제외한다))
(A) A carboxyl group is produced | generated by the monomer unit (a1) which has a structure represented by Formula (Ia) which produces | generates a carboxyl group by acid, or a structure represented by Formula (Ib) which produces | generates a phenolic hydroxyl group by acid, and an acid. Monomer unit (a2) which has a structure represented by Formula (IIb) which produces | generates a phenolic hydroxyl group by the structure or acid represented by Formula (IIa), and the monomeric unit (a3) which has an epoxy group and / or an oxetanyl group Polymers containing
(B) a photo-acid generator, and
(C) containing a solvent, characterized by
Photosensitive resin composition.
Figure pat00049

(Wherein, R 1 each independently represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 2 each independently represents an alkyl group, R 3 represents a tertiary alkyl group or 2-tetrahydropyranyl group, and R 4 represents A tertiary alkyl group, tert-butoxycarbonyl group or 2-tetrahydropyranyl group, each of Ar 1 and Ar 2 independently represents a divalent aromatic group, and a dashed portion represents a bonding position with another structure. 1 and R 2 may be linked to each other to form a cyclic ether (except for a six-membered ring structure))
제1항에 있어서,
상기 모노머 단위(a1)가 식(Ⅲ)으로 표시되는 모노머 단위이며, 상기 모노머 단위(a2)가 식(IV)으로 표시되는 모노머 단위인, 감광성 수지 조성물.
Figure pat00050

(식 중, R5는 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, R6은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R7은 제3급 알킬기 또는 2-테트라히드로피라닐기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)
The method of claim 1,
The said photosensitive resin composition whose monomeric unit (a1) is a monomeric unit represented by Formula (III), and the said monomeric unit (a2) is a monomeric unit represented by Formula (IV).
Figure pat00050

(Wherein R 5 represents an alkyl group or a cycloalkyl group, R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 7 represents a tertiary alkyl group or a 2-tetrahydropyranyl group, and R 8 represents a hydrogen atom or a methyl group) )
제1항 또는 제2항에 있어서,
화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물인, 감광성 수지 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
The photosensitive resin composition which is a chemically amplified positive type photosensitive resin composition.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 모노머 단위(a3)가, 지환 에폭시기를 갖는 모노머 단위, 및/또는, 옥세타닐기를 갖는 모노머 단위인, 감광성 수지 조성물.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The photosensitive resin composition in which the said monomer unit (a3) is a monomer unit which has an alicyclic epoxy group, and / or a monomer unit which has an oxetanyl group.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (A) 중합체에 있어서의 상기 모노머 단위(a3)가, 아크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸, 및, 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종에 유래하는 모노머 단위인, 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 4,
The monomer unit (a3) in the polymer (A) is acrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl, methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl, acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) The photosensitive resin composition which is a monomer unit derived from at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of methyl and a methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (B) 광산 발생제가, 옥심설포네이트 잔기를 갖는 화합물인, 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 5,
The photosensitive resin composition whose said (B) photo-acid generator is a compound which has an oxime sulfonate residue.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 (B) 광산 발생제가, 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)으로 표시되는 화합물인, 감광성 수지 조성물.
Figure pat00051

(식(OS-3)∼식(OS-5) 중, R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R6은 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설포닐기 또는 알콕시설포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0∼6의 정수를 나타낸다)
The method according to any one of claims 1 to 6,
The photosensitive resin composition whose said (B) photo-acid generator is a compound represented by a formula (OS-3), a formula (OS-4), or a formula (OS-5).
Figure pat00051

(In formula (OS-3)-Formula (OS-5), R <1> represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, R <2> respectively independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom, and R 6 are, each independently, a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group and represents an amino-sulfonyl group, or an alkoxy-sulfonyl, X represents O or S, n represents 1 or 2, m is 0 to 6 of Represents an integer)
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
(D) 산화 방지제를 더 함유하는, 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 7,
(D) Photosensitive resin composition which further contains antioxidant.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
(E) 가교제를 더 함유하는, 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 8,
(E) Photosensitive resin composition which further contains a crosslinking agent.
(1) 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 기판 위에 도포하는 도포 공정,
(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 용제 제거 공정,
(3) 활성 광선에 의해 노광하는 노광 공정,
(4) 수성 현상액에 의해 현상하는 현상 공정, 및,
(5) 열경화하는 포스트베이킹 공정을 포함하는
경화막의 형성 방법.
(1) an application step of applying the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 9 on a substrate;
(2) a solvent removal step of removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
(3) an exposure step of exposing with active light;
(4) a developing step of developing with an aqueous developer, and
(5) comprising a post-baking step of thermosetting
Formation method of a cured film.
제10항에 기재된 방법에 의해 형성된 경화막.The cured film formed by the method of Claim 10. 제11항에 있어서,
층간절연막인 경화막.
The method of claim 11,
Cured film which is an interlayer insulation film.
제11항 또는 제12항에 기재된 경화막을 구비하는, 유기 EL 표시 장치.The organic electroluminescence display provided with the cured film of Claim 11 or 12. 제11항 또는 제12항에 기재된 경화막을 구비하는, 액정 표시 장치.The liquid crystal display device provided with the cured film of Claim 11 or 12.
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