KR101538835B1 - Method for manufacturing laminate, and laminate - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 디바이스 기판과 지지판 사이에 수지층이 개재 장착되고, 상기 수지층이 상기 디바이스 기판의 제1 주면에 박리 가능하게 밀착됨과 함께 상기 지지판 위에 고정된 적층체 블록을 소정 치수로 절단하여, 상기 적층체 블록의 외주면의 적어도 둘레 방향 일부를 평면화하는 공정을 포함하는 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.A resin layer is interposed between a device substrate and a support plate so that the resin layer is peelably adhered to a first main surface of the device substrate and the laminate block fixed on the support plate is cut to a predetermined dimension, And a step of planarizing at least a part of the circumferential direction of the outer circumferential surface of the laminate block.

Description

적층체의 제조 방법 및 적층체 {METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATE, AND LAMINATE}[0001] METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATE, AND LAMINATE [0002]

본 발명은 적층체의 제조 방법 및 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a laminate and a laminate.

최근, 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등의 디바이스(전자 기기)의 박형화, 경량화가 진행하고 있어, 이들 디바이스에 사용되는 기판(이하, 「디바이스 기판」이라고 함)의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 디바이스 기판의 강도가 저하하면, 디바이스의 제조 공정에서의 디바이스 기판의 취급성이 저하된다.2. Description of the Related Art In recent years, devices (electronic devices) such as a solar cell (PV), a liquid crystal panel (LCD), and an organic EL panel (OLED) have been made thinner and lighter. ) Has been progressing in thinning. If the strength of the device substrate is reduced by thinning, the handling of the device substrate in the device manufacturing process is reduced.

따라서, 종래로부터, 최종 두께보다 두꺼운 디바이스 기판 위에 디바이스용 부재를 형성하고, 그 후 디바이스 기판을 화학 에칭 처리에 의해 박판화하는 방법이 널리 채용되고 있다. 그러나, 이 방법에서는, 예를 들어 1매의 디바이스 기판의 두께를 0.7 ㎜에서 0.2 ㎜나 0.1 ㎜로 박판화할 경우, 원래 디바이스 기판의 재료의 대부분을 에칭액으로 깎아내게(undercut) 되므로, 생산성이나 원재료의 사용 효율이라는 관점에서는 바람직하지 않다. Therefore, conventionally, a method of forming a device member on a device substrate thicker than the final thickness, and then thinning the device substrate by chemical etching treatment has been widely adopted. However, in this method, for example, when the thickness of one device substrate is thinned from 0.7 mm to 0.2 mm or 0.1 mm, most of the material of the original device substrate is undercut by the etchant, Which is not preferable from the viewpoint of efficiency of use.

또한, 상기의 화학 에칭 처리에 의한 디바이스 기판의 박판화 방법에 있어서는, 디바이스 기판 표면에 미세한 흠집이 존재하는 경우, 에칭 처리에 의해 흠집을 기점으로 미세한 오목부(에치피트)가 형성되어, 광학적인 결함이 되는 경우가 있었다.In the method of thinning a device substrate by the above chemical etching treatment, when fine scratches are present on the surface of the device substrate, fine recesses (etch pits) are formed starting from scratches by etching, .

최근에는, 상기 과제에 대응하기 위해서, 디바이스 기판의 제1 주면에, 지지판 위에 고정된 수지층을 박리 가능하게 밀착시킨 적층체를 준비하여, 적층체의 디바이스 기판의 제2 주면 위에 디바이스용 부재를 형성한 후, 디바이스 기판으로부터 수지층 부착 지지판을 박리하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).In recent years, in order to cope with the above-mentioned problem, a laminated body in which a resin layer fixed on a support plate is peelably adhered to a first main surface of a device substrate is prepared, and a device member is formed on a second main surface of the device substrate of the laminate (Refer to, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-325819).

국제 공개 제2007/018028호 팜플렛International Publication No. 2007/018028 pamphlet

그러나, 상기 종래의 적층체에서는 적층체의 외주면에 오목 홈이 형성되어 버리는 경우가 있다. 예를 들어, 디바이스 기판이나 지지판이 모따기 가공된 경우나, 수지층이 액상의 수지 조성물을 지지판에 도포하여 가열 경화시킨 것인 경우, 디바이스 기판이나 지지판의 외주면이나 수지층의 외주면이 동그란 형태를 나타내고 있으므로 적층체의 외주면에 오목 홈이 형성되어 버린다.However, in the conventional laminate, concave grooves may be formed on the outer circumferential surface of the laminate. For example, when the device substrate or the backing plate is chamfered, or when the resin layer is formed by applying a liquid resin composition to the backing plate by heating and curing, the outer circumferential surface of the device substrate or the backing plate and the outer circumferential surface of the resin layer show a round shape The concave groove is formed on the outer peripheral surface of the laminate.

디바이스 제조 공정에는, 디바이스 기판 표면에 형성된 도전막을, 샌드블라스트, 에칭 등의 처리를 하여, 배선이나 소자 형성과 같은 패턴을 형성하는 공정이 있다. 이 패턴 형성 공정 전에는, 도전막 표면의 일부를 보호하기 위해서, 도전막의 표면에 레지스트액 등의 코팅액을 도포하는 도포 공정이 있다.In the device manufacturing process, there is a process of forming a pattern such as wiring or element formation by performing a treatment such as sandblasting or etching on a conductive film formed on the surface of a device substrate. Before this pattern forming step, there is a coating step of applying a coating solution such as a resist solution on the surface of the conductive film in order to protect a part of the surface of the conductive film.

디바이스 제조 공정의 도포 공정에 있어서, 코팅액이 모세관 현상에 의해 오목 홈에 침입하고, 저류되기 쉽다. 오목 홈 내에 저류된 코팅액은 세정에 의해서도 제거되기 어렵고, 건조 후에 잔사가 남기 쉽다. 이 잔사는 디바이스 제조 공정에서의 가열 처리 공정에 있어서 발진원이 되므로, 발진이 가열 처리 공정 내를 오염시키고, 제품인 디바이스의 수율을 저하시킨다.In the coating step of the device manufacturing process, the coating liquid tends to enter the concave groove due to the capillary phenomenon and is likely to be stored. The coating liquid stored in the concave groove is difficult to be removed even by washing, and the residue tends to remain after drying. This residue becomes an oscillation source in the heat treatment process in the device manufacturing process, so that the oscillation causes contamination of the heat treatment process, thereby lowering the yield of the device as a product.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 디바이스 제조 공정에 있어서, 발진을 억제할 수 있는 적층체의 제조 방법 및 적층체를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and its main object is to provide a method of manufacturing a laminate capable of suppressing oscillation and a laminate in a device manufacturing process.

상기 목적을 해결하기 위해서, 본 발명의 적층체의 제조 방법은, In order to solve the above object, the present invention provides a method for producing a laminate,

디바이스 기판과 지지판 사이에 수지층이 개재 장착되고, 상기 수지층이 상기 디바이스 기판의 제1 주면에 박리 가능하게 밀착됨과 함께 상기 지지판 위에 고정된 적층체 블록을 소정 치수로 절단하여, 상기 적층체 블록의 외주면의 적어도 둘레 방향 일부를 평면화하는 공정을 포함하는 방법이다.A resin layer is interposed between the device substrate and the support plate, the resin layer is peelably adhered to the first main surface of the device substrate, and the laminate block fixed on the support plate is cut to a predetermined dimension, And a step of planarizing at least a part of the circumferential direction of the outer circumferential surface.

또한, 본 발명의 적층체의 제조 방법은, 상기 적층체 블록의 외주면의 평면화된 부분의 코너부를 모따기하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the method of producing a laminate of the present invention includes a step of chamfering a corner of the flattened portion of the outer peripheral surface of the laminate block.

또한, 상기 수지층의 외주면의 평면화된 부분이 상기 수지층의 두께 방향으로 대략 평행한 것이 바람직하다.It is preferable that the planarized portion of the outer circumferential surface of the resin layer is substantially parallel to the thickness direction of the resin layer.

또한, 상기 디바이스 기판이 플로트법에 의해 제조된 유리 기판이며, 상기 코너부를 모따기한 후, 상기 디바이스 기판의 제2 주면을 연마하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the device substrate is a glass substrate produced by a float method, and the step of grinding the second main surface of the device substrate after chamfering the corner portion.

상기 디바이스 기판은 두께 0.03 ㎜ 이상 0.8 ㎜ 미만의 유리 기판인 것이 바람직하다.The device substrate is preferably a glass substrate having a thickness of 0.03 mm or more and less than 0.8 mm.

상기 수지층은 아크릴 수지층, 폴리올레핀 수지층, 폴리우레탄 수지층 및 실리콘 수지층으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.The resin layer preferably includes at least one selected from the group consisting of an acrylic resin layer, a polyolefin resin layer, a polyurethane resin layer, and a silicone resin layer.

상기 수지층의 두께가 5 내지 50 ㎛인 것이 바람직하다.The thickness of the resin layer is preferably 5 to 50 mu m.

또한, 본 발명의 적층체는, Further, in the laminate of the present invention,

디바이스 기판과 지지판 사이에 수지층이 개재 장착되고, 상기 수지층이 상기 디바이스 기판의 제1 주면에 박리 가능하게 밀착됨과 함께 상기 지지판 위에 고정된 적층체 블록을 소정 치수로 절단하여, 상기 적층체 블록의 외주면의 적어도 둘레 방향 일부를 평면화한 것이다.A resin layer is interposed between the device substrate and the support plate, the resin layer is peelably adhered to the first main surface of the device substrate, and the laminate block fixed on the support plate is cut to a predetermined dimension, At least a part of the circumferential direction of the outer circumferential surface is planarized.

본 발명에 따르면, 디바이스 제조 공정에 있어서, 발진을 억제할 수 있는 적층체의 제조 방법 및 적층체를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a method of producing a laminate capable of suppressing oscillation and a laminate in a device manufacturing process.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 적층체의 제조 방법의 공정도.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 평면화 전의 적층체 블록의 부분 측면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 평면화 후의 적층체 블록의 부분 측면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 모따기 방법의 설명도 (1).
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 모따기 방법의 설명도 (2).
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 모따기 방법의 설명도 (3).
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 모따기 후의 적층체 블록의 부분 측면도.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 연마 후의 적층체 블록의 부분 측면도.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 디바이스 제조 방법의 공정도.
도 10은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 LCD 제조 방법의 공정도.
도 11은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 OLED 제조 방법의 공정도.
도 12는 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 평면화 전의 적층체 블록의 부분 측면도.
도 13은 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서의 평면화 전의 적층체 블록의 부분 측면도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a process chart of a method of manufacturing a laminate according to a first embodiment of the present invention; Fig.
Fig. 2 is a partial side view of a laminate block before planarization in the first embodiment of the present invention. Fig.
3 is a partial side view of a laminated block after planarization in the first embodiment of the present invention.
4 is an explanatory diagram (1) of a chamfering method according to the first embodiment of the present invention.
5 is an explanatory diagram (2) of a chamfering method according to the first embodiment of the present invention.
6 is an explanatory view (3) of a chamfering method according to the first embodiment of the present invention.
7 is a partial side view of a laminated block after chamfering according to the first embodiment of the present invention.
8 is a partial side view of a laminated block after polishing according to the first embodiment of the present invention.
9 is a process chart of a device manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
10 is a process chart of the LCD manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
11 is a process chart of an OLED manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
12 is a partial side view of a laminated block before planarization according to a second embodiment of the present invention.
13 is a partial side view of a laminated block before planarization according to a third embodiment of the present invention.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 각 도면 중, 동일 구성은 동일 부호를 붙여서 설명을 생략한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same components are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.

(제1 실시 형태)(First Embodiment)

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 적층체의 제조 방법의 공정도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 적층체의 제조 방법은 디바이스 기판과 지지판 사이에 수지층이 개재 장착되고, 상기 수지층이 디바이스 기판의 제1 주면에 박리 가능하게 밀착됨과 함께 지지판 위에 고정된 적층체 블록을 소정 치수로 절단하여, 적층체 블록의 외주면의 적어도 둘레 방향 일부를 평면화하는 공정(스텝 S11)을 갖는다. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a process diagram of a method of manufacturing a laminate according to a first embodiment of the present invention. FIG. As shown in FIG. 1, a method of manufacturing a laminate includes a resin layer interposed between a device substrate and a support plate, the resin layer being peelably adhered to a first main surface of the device substrate, (Step S11) of cutting the block to a predetermined dimension so as to planarize at least a part of the circumferential direction of the outer circumferential surface of the laminate block.

평면화 후의 적층체는, 상세하게는 후술하지만, 디바이스 제조에 사용된다. 평면화 후의 적층체에 있어서의 수지층 부착 지지판은, 디바이스의 제조 공정의 도중까지(디바이스 기판과 수지층이 박리 조작에 의해 박리될 때까지) 사용된다. 디바이스 기판과 수지층이 박리된 후에는 수지층 부착 지지판은, 디바이스 제조 공정에서 제외되어, 디바이스를 구성하는 부재로는 되지 않는다. 디바이스 기판으로부터 박리된 수지층 부착 지지판은, 적층체의 제조 공정에 재이용할 수 있다. 즉, 수지층 부착 지지판의 수지층 위에 새로운 디바이스 기판이 적층되어, 새로운 적층체 블록을 얻을 수 있다.The laminated body after planarization is used in device manufacturing, which will be described later in detail. The resin-layer-attached support plate in the laminate after the planarization is used until the middle of the manufacturing process of the device (until the device substrate and the resin layer are peeled off by the peeling operation). After the device substrate and the resin layer are peeled off, the resin-layer-attached support plate is excluded from the device manufacturing process and is not a member constituting the device. The resin layer-attached support plate peeled off from the device substrate can be reused in the production process of the laminate. That is, a new device substrate is laminated on the resin layer of the resin-layer-attached support plate, and a new laminate block can be obtained.

처음에, 평면화 전의 적층체 블록에 대하여 설명하고, 이어서, 평면화 후의 적층체 블록에 대해 설명하고, 마지막으로, 디바이스의 제조 공정에 대해 설명한다.First, a laminated block before planarization will be described. Next, a laminated block after planarization will be described. Finally, a manufacturing process of a device will be described.

도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 평면화 전의 적층체 블록의 부분 측면도이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 평면화 전의 적층체 블록(10)은 디바이스 기판(11)과 지지판(12) 사이에 수지층(13)이 개재 장착된 것이다. 수지층(13)은, 디바이스 기판(11)의 제1 주면(111)에 박리 가능하게 밀착됨과 함께, 지지판(12) 위에 고정되어 있다.Fig. 2 is a partial side view of the laminate block before planarization in the first embodiment of the present invention. Fig. As shown in Fig. 2, the laminate block 10 before planarization has a resin layer 13 interposed between the device substrate 11 and the support plate 12. As shown in Fig. The resin layer 13 is in close contact with the first main surface 111 of the device substrate 11 in a releasable manner and is fixed on the support plate 12.

(디바이스 기판)(Device substrate)

디바이스 기판(11)은 제2 주면(112)에 디바이스용 부재가 형성되어 디바이스를 구성한다. 여기서, 디바이스용 부재란, 디바이스(전자 기기)의 적어도 일부를 구성하는 부재를 말한다. 구체예로서는, 박막 트랜지스터(TFT), 컬러 필터(CF)를 들 수 있다. 디바이스로서는, 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등이 예시된다. 디바이스용 부재는, 적층체 블록(10)의 외주면을 평면화한 후에, 디바이스 기판(11)의 제2 주면(112)에 형성된다.The device substrate 11 is formed with a device member on the second main surface 112 to constitute a device. Here, the device member refers to a member constituting at least a part of a device (electronic apparatus). Specific examples thereof include a thin film transistor (TFT) and a color filter (CF). Examples of the device include a solar cell (PV), a liquid crystal panel (LCD), an organic EL panel (OLED), and the like. The device member is formed on the second main surface 112 of the device substrate 11 after the outer peripheral surface of the laminate block 10 is planarized.

디바이스 기판(11)의 종류는 일반적인 것일 수 있고, 예를 들어 유리 기판 또는 수지 기판, 혹은 SUS 기판 등의 금속 기판이면 된다. 이들 중에서도, 유리 기판이 바람직하다. 유리 기판은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한 열수축율이 낮기 때문이다. 열수축율의 지표로는, JIS R3102-1995에 규정되어 있는 선팽창 계수가 사용된다.The device substrate 11 may be of a general type, and may be a metal substrate such as a glass substrate, a resin substrate, or an SUS substrate. Among these, a glass substrate is preferable. This is because the glass substrate is excellent in chemical resistance and moisture permeability, and has a low heat shrinkage ratio. The coefficient of linear expansion specified in JIS R3102-1995 is used as an index of heat shrinkage.

디바이스 기판(11)의 선팽창 계수가 크면, 디바이스의 제조 공정은 가열 처리를 수반하는 경우가 많으므로, 여러 가지 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어, 디바이스 기판(11) 위에 TFT를 형성하는 경우, 가열 하에서 TFT가 형성된 디바이스 기판(11)을 냉각하면, 디바이스 기판(11)의 열수축에 의해, TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.If the coefficient of linear expansion of the device substrate 11 is large, the manufacturing process of the device often involves heat treatment, and thus various problems are likely to occur. For example, when the TFT is formed on the device substrate 11, if the device substrate 11 on which the TFT is formed under heating is cooled, there is a fear that the positional shift of the TFT becomes excessive due to heat shrinkage of the device substrate 11 .

유리 기판은 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판 형상으로 성형해서 얻을 수 있다. 이러한 성형 방법은, 일반적인 것이면 좋고, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법, 풀콜법, 라버스법 등이 사용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판은 일단 판 형상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단으로 잡아당겨서 얇게 하는 방법(리드로우법)으로 성형하여 얻어진다.The glass substrate can be obtained by melting a glass raw material and shaping the molten glass into a plate shape. Such a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot-down draw method, a full-call method, a Lubus method, or the like is used. Particularly, a glass substrate having a small thickness can be obtained by a method in which a glass molded into a plate shape is heated at a moldable temperature and pulled by means of drawing or the like to thin it (lead-through method).

유리 기판의 유리는, 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90 질량%의 유리가 바람직하다.The glass of the glass substrate is not particularly limited, but is preferably an alkali-free glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, or other oxide-based glass containing silicon oxide as a main component. As the oxide-based glass, glass having a silicon oxide content of 40 to 90 mass% in terms of oxide is preferable.

유리 기판의 유리로서는, 디바이스의 종류나 그 제조 공정에 바람직한 유리를 채용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 액정 패널용 유리 기판은, 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 주기 쉬우므로 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)로 이루어진 것이 바람직하다. 이와 같이, 유리 기판의 유리는 적용되는 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.As the glass of the glass substrate, it is preferable to adopt a glass suitable for the kind of device and its manufacturing process. For example, the glass substrate for a liquid crystal panel is preferably made of a glass (alkali-free glass) substantially free of an alkali metal component since elution of the alkali metal component is likely to affect the liquid crystal. As described above, the glass of the glass substrate is appropriately selected based on the kind of the applied device and the manufacturing process thereof.

디바이스 기판의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 통상 0.8 ㎜ 미만이고, 바람직하게는 0.3 ㎜ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.15 ㎜ 이하이다. 또한, 0.03 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. 특히, 디바이스 기판이 유리 기판인 경우, 유리 기판의 박형화 및/또는 경량화의 관점에서, 통상 0.8 ㎜ 미만이고, 바람직하게는 0.3 ㎜ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.15 ㎜ 이하이다. 0.8 ㎜ 이상인 경우, 유리 기판의 박형화 및/또는 경량화의 요구를 만족시킬 수 없다. 0.3 ㎜ 이하인 경우, 유리 기판에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.15 ㎜ 이하인 경우, 유리 기판을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다. 또한, 유리 기판의 두께는, 유리 기판의 제조가 용이한 것, 유리 기판의 취급이 용이한 것 등의 이유에서 0.03 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.The thickness of the device substrate is not particularly limited, but is usually less than 0.8 mm, preferably not more than 0.3 mm, and more preferably not more than 0.15 mm. Further, it is preferably 0.03 mm or more. Particularly, in the case where the device substrate is a glass substrate, it is usually less than 0.8 mm, preferably not more than 0.3 mm, more preferably not more than 0.15 mm from the viewpoint of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate. If it is 0.8 mm or more, the demand for thinning and / or lightening of the glass substrate can not be satisfied. When it is 0.3 mm or less, it is possible to impart good flexibility to the glass substrate. When the thickness is 0.15 mm or less, the glass substrate can be rolled up. The thickness of the glass substrate is preferably 0.03 mm or more for ease of production of the glass substrate and easy handling of the glass substrate.

수지 기판의 수지의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 투명한 수지로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리카르보네이트 수지, 투명 불소 수지, 투명 폴리이미드 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리아크릴 수지, 시클로올레핀 수지, 실리콘 수지, 실리콘계 유기 무기 하이브리드 수지, 유기 중합체/바이오나노파이버 하이브리드 수지 등이 예시된다. 또한, 불투명한 수지로서는, 폴리이미드 수지, 불소 수지, 폴리아미드 수지, 폴리 아라미드 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에테르케톤 수지, 각종 액정 중합체 수지 등이 예시된다. 또한, 수지 기판은 표면에 보호층 등의 기능층이 형성되어 이루어지는 것이어도 된다.The type of the resin of the resin substrate is not particularly limited. Examples of the transparent resin include a resin such as polyethylene terephthalate resin, polycarbonate resin, transparent fluororesin, transparent polyimide resin, polyether sulfone resin, polyethylene naphthalate resin, polyacrylic resin, cycloolefin resin, silicone resin, , Organic polymer / bio-nanofiber hybrid resin, and the like. Examples of the opaque resin include polyimide resin, fluorine resin, polyamide resin, polyaramid resin, polyetheretherketone resin, polyether ketone resin, and various liquid crystal polymer resins. In addition, the resin substrate may have a functional layer such as a protective layer formed on the surface thereof.

(지지판)(Support plate)

지지판(12)은 디바이스 기판(11)을 지지하여 보강하고, 디바이스의 제조 공정에 있어서 디바이스 기판(11)의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지한다. 또한, 종래보다 두께가 얇은 디바이스 기판(11)을 사용하는 경우, 종래의 디바이스 기판과 동일한 두께의 적층체 블록(10)으로 함으로써, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 종래의 두께의 디바이스 기판에 적합한 제조 기술이나 제조 설비를 사용 가능하게 하는 것도, 지지판(12)을 사용하는 목적 중의 하나이다.The support plate 12 supports and reinforces the device substrate 11 to prevent deformation, scratches, breakage, and the like of the device substrate 11 in the device manufacturing process. In the case of using the device substrate 11 having a thinner thickness than that of the conventional device, the laminate block 10 having the same thickness as that of the conventional device substrate can be manufactured. In the device manufacturing process, Making the technology or manufacturing facility usable is one of the purposes of using the support plate 12.

지지판(12)의 두께는 디바이스 기판(11)보다 두껍거나 얇아도 된다. 바람직하게는, 디바이스 기판(11)의 두께, 수지층(13)의 두께 및 적층체 블록(10)의 두께에 기초하여, 지지판(12)의 두께가 선택된다. 예를 들어, 현행의 디바이스의 제조 공정이 두께 0.5 ㎜인 기판을 처리하도록 설계된 것으로, 디바이스 기판(11)의 두께와 수지층(13)의 두께의 합이 0.1 ㎜인 경우, 지지판(12)의 두께를 0.4 ㎜로 한다. 지지판(12)이 유리판인 경우, 유리판의 두께는 취급하기 쉽고, 깨지기 어려운 등의 이유로부터, 0.08 ㎜ 이상인 것이 바람직하다. The thickness of the support plate 12 may be thicker or thinner than the device substrate 11. Preferably, the thickness of the support plate 12 is selected based on the thickness of the device substrate 11, the thickness of the resin layer 13, and the thickness of the laminate block 10. For example, if the current device manufacturing process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm and the sum of the thickness of the device substrate 11 and the thickness of the resin layer 13 is 0.1 mm, The thickness is 0.4 mm. When the support plate 12 is a glass plate, the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more for ease of handling and difficulty in breaking.

지지판(12)의 종류는, 일반적인 것이면 되고, 예를 들어 유리판, 수지판, 금속판 등이면 된다. 지지판(12)은, 디바이스의 제조 공정이 열처리를 수반할 경우, 디바이스 기판(11)과의 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 디바이스 기판(11)과 동일 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하다.The support plate 12 may be of any general type, for example, a glass plate, a resin plate, a metal plate, or the like. It is preferable that the support plate 12 is formed of a material having a small difference in coefficient of linear expansion from the device substrate 11 when the manufacturing process of the device involves heat treatment, desirable.

디바이스 기판(11)과 지지판(12)의 25 내지 300 ℃에 있어서의 평균 선팽창 계수(이하, 간단히 「평균 선팽창 계수」라고 함)의 차는, 바람직하게는 700×10-7/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 500×10-7/℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 300×10-7/℃ 이하이다. 차가 지나치게 크면, 디바이스의 제조 공정에서의 가열 냉각 시에, 적층체 블록(10)이 격렬하게 휘거나, 디바이스 기판(11)과 지지판(12)이 박리될 가능성이 있다. 디바이스 기판(11)의 재료와 지지판(12)의 재료가 동일한 경우, 이러한 문제가 발생되는 경우가 없다.The difference in average coefficient of linear expansion (hereinafter simply referred to as "average coefficient of linear expansion") at 25 to 300 ° C between the device substrate 11 and the support plate 12 is preferably 700 × 10 -7 / ° C or less, Preferably not more than 500 x 10 < -7 > / DEG C, and more preferably not more than 300 x 10 < -7 > If the car is excessively large, there is a possibility that the laminate block 10 is vigorously bent or the device substrate 11 and the support plate 12 are peeled off during heating and cooling in the manufacturing process of the device. This problem does not occur when the material of the device substrate 11 and the material of the support plate 12 are the same.

(수지층)(Resin layer)

수지층(13)은 지지판(12) 위에 고정되어 있고, 또한 디바이스 기판(11)의 제1 주면(111)에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 수지층(13)은 박리 조작이 행해질 때까지 디바이스 기판(11)의 위치 어긋남을 방지함과 함께, 박리 조작에 의해 디바이스 기판(11)으로부터 용이하게 박리하고, 디바이스 기판(11) 등이 박리 조작에 의해 파손되는 것을 방지한다.The resin layer 13 is fixed on the support plate 12 and is also in close contact with the first main surface 111 of the device substrate 11 in a peelable manner. The resin layer 13 prevents displacement of the device substrate 11 until the peeling operation is performed and peels easily from the device substrate 11 by the peeling operation so that the device substrate 11 is peeled Thereby preventing damage to the semiconductor device.

수지층(13)의 표면은, 일반적인 점착제가 갖는 것과 같은 점착력이 아니고, 고체 분자간에 있어서의 반데르발스 힘에 기인하는 힘에 의해, 디바이스 기판(11)의 제1 주면(111)에 붙어 있는 것이 바람직하다. 용이하게 박리할 수 있기 때문이다. 본 발명에서는, 이 수지층 표면의 용이하게 박리할 수 있는 성질을 박리성이라고 한다.The surface of the resin layer 13 is not adhered to the adhesive force of a general adhesive agent but is adhered to the first main surface 111 of the device substrate 11 by a force due to a van der Waals force between solid molecules . This is because it is easily peeled off. In the present invention, the property that the surface of the resin layer can easily be peeled off is referred to as peelability.

한편, 수지층(13)의 지지판(12)의 표면에 대한 결합력은, 수지층(13)의 디바이스 기판(11)의 제1 주면(111)에 대한 결합력보다 상대적으로 높다. 본 발명에서는, 수지층(13) 표면의 디바이스 기판(11) 표면에 대한 결합을 밀착이라고 하며, 지지판(32) 표면에 대한 결합을 고정이라고 한다.On the other hand, the bonding force of the resin layer 13 to the surface of the support plate 12 is relatively higher than the bonding force of the resin layer 13 to the first main surface 111 of the device substrate 11. In the present invention, the bonding of the surface of the resin layer 13 to the surface of the device substrate 11 is referred to as adhesion, and the bonding to the surface of the support plate 32 is referred to as fixing.

수지층(13)의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 5 내지 50 ㎛인 것이 바람직하고, 5 내지 30 ㎛인 것이 보다 바람직하고, 7 내지 20 ㎛인 것이 더욱 바람직하다. 수지층(13)의 두께가 이러한 범위이면, 수지층(13)과 디바이스 기판(11)의 밀착이 충분해지기 때문이다. 또한, 수지층(13)과 디바이스 기판(11) 사이에 기포나 이물질이 개재되어도, 디바이스 기판(11)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있기 때문이다. 또한, 수지층(13)의 두께가 지나치게 두꺼우면, 형성하는 데 시간 및 재료를 필요로 하기 때문에 경제적이지 않다.The thickness of the resin layer 13 is not particularly limited, but is preferably 5 to 50 탆, more preferably 5 to 30 탆, and further preferably 7 to 20 탆. This is because if the thickness of the resin layer 13 is within this range, adhesion between the resin layer 13 and the device substrate 11 becomes sufficient. This is because occurrence of distortion defects in the device substrate 11 can be suppressed even if bubbles or foreign substances are interposed between the resin layer 13 and the device substrate 11. If the thickness of the resin layer 13 is too thick, it is not economical because it requires time and material to be formed.

또한, 수지층(13)은 2층 이상으로 이루어져 있어도 좋다. 이 경우 「수지층의 두께」는 모든 수지층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.The resin layer 13 may be composed of two or more layers. In this case, the " thickness of the resin layer " means the total thickness of all the resin layers.

또한, 수지층(13)이 2층 이상으로 이루어지는 경우에는, 각각의 층을 형성하는 수지의 종류가 상이해도 좋다.In the case where the resin layer 13 is composed of two or more layers, the kinds of resins forming the respective layers may be different.

수지층(13)의 표면 장력은, 30 mN/m 이하인 것이 바람직하고, 25 mN/m 이하인 것이 보다 바람직하고, 22 mN/m 이하인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 15 mN/m 이상인 것이 바람직하다. 이러한 범위의 표면 장력이면, 보다 용이하게 디바이스 기판(11)과 박리할 수 있으며 동시에 디바이스 기판(11)의 밀착도 충분해지기 때문이다.The surface tension of the resin layer 13 is preferably 30 mN / m or less, more preferably 25 mN / m or less and still more preferably 22 mN / m or less. Further, it is preferably at least 15 mN / m. This is because the surface tension in this range makes it easier to peel off the device substrate 11, and at the same time, the device substrate 11 can be sufficiently adhered.

표면 장력은 다음과 같이 측정한다. 우선, 수지층(13)에 대하여 표면 장력이 기지인 복수의 액체를 사용하고, 20 ℃에 있어서의 각 액체의 접촉각을 측정한다. 이어서, 각 액체의 표면 장력과 접촉각(cosθ)을 플롯하고, 직선으로 근사하여, cosθ=1이 되는 표면 장력값을 외삽(extrapolation)하고, 수지층(13)의 임계 표면 장력을 구한다. 이 임계 표면 장력을 수지층(13)의 표면 장력으로 한다.The surface tension is measured as follows. First, a plurality of liquids having a known surface tension are used for the resin layer 13, and the contact angle of each liquid at 20 占 폚 is measured. Subsequently, the surface tension and the contact angle (cos?) Of each liquid are plotted, approximated by a straight line, and the surface tension value that cos? = 1 is extrapolated to obtain the critical surface tension of the resin layer 13. This critical surface tension is defined as the surface tension of the resin layer 13. [

수지층(13)은, 유리 전이점이 실온(25 ℃ 정도)보다 낮거나 또는 유리 전이점을 갖지 않는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 비점착성의 수지층이 되고, 보다 용이하게 디바이스 기판(11)과 박리할 수 있고, 동시에 디바이스 기판(11)의 밀착도 충분해지기 때문이다.The resin layer 13 is preferably made of a material having a glass transition point lower than room temperature (about 25 캜) or having no glass transition point. The resin layer becomes a non-tacky resin layer, so that it can be separated from the device substrate 11 more easily, and at the same time, the device substrate 11 can be closely contacted.

또한, 수지층(13)은, 디바이스의 제조 공정에 있어서 가열 처리되는 경우가 많으므로, 내열성을 갖고 있는 것이 바람직하다.Further, since the resin layer 13 is often subjected to heat treatment in the manufacturing process of the device, it is preferable that the resin layer 13 has heat resistance.

또한, 수지층(13)의 탄성률이 지나치게 높으면 디바이스 기판(11)과의 밀착성이 낮아지는 경향이 있다. 한편, 수지층(13)의 탄성률이 지나치게 낮으면 박리성이 낮아지는 경향이 있다.If the elastic modulus of the resin layer 13 is too high, the adhesion with the device substrate 11 tends to be lowered. On the other hand, if the elastic modulus of the resin layer 13 is too low, the peelability tends to be lowered.

수지층(13)을 형성하는 수지의 종류는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지 및 실리콘 수지를 들 수 있다. 이들 수지는, 단독으로 사용할 수도 있고, 몇 종류의 수지를 혼합하여 사용할 수도 있다. 이 중에서도 실리콘 수지가 바람직하다. 실리콘 수지는, 내열성이나 박리성이 우수하기 때문이다. 또한, 지지판(12)이 유리판인 경우, 표면의 실라놀기와의 축합 반응에 의해, 지지판(12)에 고정하기 쉽기 때문이다. 실리콘 수지층은, 예를 들어 300 내지 400 ℃ 정도에서 1시간 정도 처리해도, 박리성이 거의 열화되지 않는 점도 바람직하다.The kind of the resin forming the resin layer 13 is not particularly limited. For example, acrylic resin, polyolefin resin, polyurethane resin and silicone resin can be mentioned. These resins may be used alone or in combination of several kinds of resins. Of these, a silicone resin is preferable. This is because the silicone resin is excellent in heat resistance and peelability. If the support plate 12 is a glass plate, it is easily fixed to the support plate 12 by the condensation reaction with the silanol group on the surface. It is also preferable that the silicone resin layer is hardly deteriorated in peelability even if it is treated at about 300 to 400 DEG C for about 1 hour.

수지층(13)은, 실리콘 수지 중에서도 박리지용으로 사용되는 실리콘 수지(경화물)로 이루어지는 것이 바람직하다. 박리지용 실리콘 수지가 되는 경화성 수지 조성물을 지지판(12)의 표면에 경화시켜서 형성된 수지층(13)은 우수한 박리성을 가지므로 바람직하다. 또한, 유연성이 높으므로 수지층(13)과 디바이스 기판(11)사이에 기포나 먼지 등의 이물질이 혼입되어도 디바이스 기판(11)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있다.It is preferable that the resin layer 13 is made of a silicone resin (cured product) used for the peeling paper among the silicone resin. The resin layer 13 formed by curing the curable resin composition to be a silicone resin for release paper on the surface of the support plate 12 is preferable since it has excellent releasability. Further, since the flexibility is high, occurrence of distortion defects in the device substrate 11 can be suppressed even if foreign substances such as bubbles or dust are mixed between the resin layer 13 and the device substrate 11.

이러한 박리지용 실리콘 수지가 되는 경화성 실리콘은, 그 경화 기구에 따라 서 축합 반응형 실리콘, 부가 반응형 실리콘, 자외선 경화형 실리콘 및 전자선 경화형 실리콘으로 분류되지만, 모두 사용할 수 있다. 이들 중에서도 부가 반응형 실리콘이 바람직하다. 경화 반응을 하기 쉽고 수지층(13)을 형성했을 때에 박리성의 정도가 양호하고, 내열성도 높기 때문이다.The curable silicone to be a silicone resin for the release agent is classified into a condensation reaction type silicone, an addition reaction type silicone, an ultraviolet ray curable type silicone and an electron ray curable type silicone, depending on the curing mechanism. Of these, addition reaction type silicon is preferable. This is because the curing reaction is easily performed and the degree of peelability is good when the resin layer 13 is formed, and the heat resistance is high.

부가 반응형 실리콘은, 비닐기 등의 불포화기를 갖는 오르가노알케닐 폴리실록산과 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 오르가노히드로겐폴리실록산과 백금계 촉매 등의 촉매의 조합으로 이루어지는 경화성 수지 조성물이며, 상온하에서 또는 가열에 의해 경화하여 경화된 실리콘 수지로 되는 것이다.The addition reaction type silicone is a curable resin composition comprising a combination of an organoalkenyl polysiloxane having an unsaturated group such as a vinyl group and a catalyst such as an organohydrogenpolysiloxane having a hydrogen atom bonded to a silicon atom and a platinum catalyst, Or hardened by heating to form a cured silicone resin.

또한, 박리지용 실리콘 수지가 되는 경화성 실리콘은 형태적으로 용제형, 에멀전형 및 무용제형이 있으며, 어느 형이든 사용 가능하다. 이들 중에서도 무용제형이 바람직하다. 생산성, 안전성, 환경 특성의 면이 우수하기 때문이다. 또한, 수지층(13)을 형성할 때의 경화 시, 즉, 가열 경화, 자외선 경화 또는 전자선 경화 시에 발포를 발생하는 용제를 포함하지 않기 때문에, 수지층(13) 중에 기포가 잔류하기 어렵기 때문이다.In addition, the curable silicone to be a silicone resin for release paper is in the form of a solvent, an emulsion and a solvent, and any type can be used. Of these, no-solvent formulations are preferred. Productivity, safety, and environmental characteristics. Further, since the solvent that generates foaming during the curing at the time of forming the resin layer 13, that is, at the time of heat curing, ultraviolet curing or electron beam curing is not included, the bubbles are hardly left in the resin layer 13 Because.

또한, 박리지용 실리콘 수지가 되는 경화성 실리콘으로서, 구체적으로는 시판되고 있는 상품명 또는 형식 번호로서 KNS-320A, KS-847(모두 신에쯔 실리콘사제), TPR6700(GE 도시바 실리콘사제), 비닐 실리콘 「8500」(아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제)과 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제)의 조합, 비닐 실리콘 「11364」(아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제)과 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제)의 조합, 비닐 실리콘 「11365」(아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제)과 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤제)의 조합 등을 들 수 있다.Specific examples of the curable silicone to be a release silicone resin include KNS-320A and KS-847 (both manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) and TPR6700 (GE Toshiba Silicone Co., Ltd.) (Available from Arakawa Chemical Industries, Ltd.) and a methylhydrogenpolysiloxane " 12031 " (available from Arakawa Chemical Industries, Ltd.), vinyl silicone " 11364 " 11365 " manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) and methylhydrogenpolysiloxane " 12031 " (available from Arakawa Chemical Industries Co., Ltd.) 12031 " (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.).

또한, KNS-320A, KS-847 및 TPR6700은, 미리 주제와 가교제를 함유하고 있는 경화성 실리콘이다.In addition, KNS-320A, KS-847 and TPR6700 are curable silicones containing a subject and a crosslinking agent in advance.

또한, 수지층(13)을 형성하는 실리콘 수지는, 실리콘 수지층 중의 성분이 디바이스 기판(11)으로 이행하기 어려운 성질, 즉 저실리콘 이행성을 갖는 것이 바람직하다.It is preferable that the silicone resin forming the resin layer 13 has a property that the components in the silicon resin layer are difficult to transfer to the device substrate 11, that is, low silicon transition property.

(고정 방법)(Fixing method)

수지층(13)을 지지판(12) 위에 고정하는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 필름 형상의 수지를 지지판(12)의 표면에 고정하는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 지지판(12)의 표면에, 필름의 표면에 대한 높은 고정력(높은 박리 강도)을 부여하기 위해서, 지지판(12)의 표면에 표면 개질 처리(프라이밍 처리)를 행하여, 지지판(12) 위에 고정하는 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 실란 커플링제와 같은 화학적으로 고정력을 향상시키는 화학적 방법(프라이머 처리), 프레임(화염) 처리와 같이 표면 활성기를 증가시키는 물리적 방법, 샌드블라스트 처리와 같이 표면의 조도를 증가시킴으로써 걸림을 증가시키는 기계적 처리 방법 등이 예시된다.The method of fixing the resin layer 13 on the support plate 12 is not particularly limited, and for example, a method of fixing a film-shaped resin on the surface of the support plate 12 is exemplified. Specifically, the surface of the support plate 12 is subjected to a surface modification treatment (priming treatment) in order to impart a high fixing force (high peel strength) to the surface of the support plate 12, For example. For example, chemical methods such as silane coupling agents, chemical methods (primer treatment) to increase the fixing power, physical methods to increase the surface activation period such as frame (flame) treatment, increase the surface roughness such as sand blast treatment, And a mechanical treatment method for increasing the mechanical strength.

또한, 예를 들어 수지층(13)이 되는 경화성 수지 조성물을, 지지판(12) 위에 코트하는 방법을 들 수 있다. 코트하는 방법으로는, 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다. 이들 방법 중에서, 수지 조성물에 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다.Further, for example, a method of coating the curable resin composition to be the resin layer 13 on the support plate 12 can be mentioned. Examples of the coating method include spray coating, die coating, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, screen printing and gravure coating. Of these methods, the resin composition can be appropriately selected depending on the kind thereof.

또한, 수지층(13)이 되는 경화성 수지 조성물을 지지판(12) 위에 코트할 경우, 그 도포 시공량은 1 내지 100 g/㎡인 것이 바람직하고, 5 내지 20 g/㎡인 것이 보다 바람직하다.When the curable resin composition to be the resin layer 13 is coated on the support plate 12, the applied amount of coating is preferably 1 to 100 g / m 2, more preferably 5 to 20 g / m 2.

예를 들어 부가 반응형 실리콘의 경화성 수지 조성물로부터 수지층(13)을 형성하는 경우, 알케닐 폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산과 촉매의 혼합물로 이루어지는 경화성 수지 조성물을, 상기의 스프레이 코트법 등의 공지의 방법에 의해 지지판(12) 위에 도포 시공하고, 그 후에 가열 경화시킨다. 가열 경화 조건은, 촉매의 배합량에 따라서도 다르지만, 예를 들어 알케닐 폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산의 합계량 100 질량부에 대하여, 백금계 촉매를 2 질량부 배합한 경우, 대기 중에서 50 ℃ 내지 250 ℃, 바람직하게는 100 ℃ 내지 200 ℃에서 반응시킨다. 또한, 이 경우의 반응 시간은 5 내지 60분간, 바람직하게는 10 내지 30분간으로 한다. 저 실리콘 이행성을 갖는 실리콘 수지층으로 하기 위해서는, 실리콘 수지층 중에 미반응의 실리콘 성분이 남지 않도록, 경화 반응을 가능한 한 진행시키는 것이 바람직하다. 상기와 같은 반응 온도 및 반응 시간이면, 실리콘 수지층 중에 미반응의 실리콘 성분이 거의 남지 않도록 할 수 있으므로 바람직하다. 상기한 반응 시간보다 지나치게 길거나, 반응 온도가 지나치게 높은 경우에는, 실리콘 수지의 산화 분해가 동시에 일어나, 저분자량의 실리콘 성분이 생성되어, 실리콘 이행성이 높아질 가능성이 있다. 실리콘 수지층 중에 미반응의 실리콘 성분이 남지 않도록 경화 반응을 가능한 한 진행시키는 것은, 가열 처리 후의 박리성을 양호하게 하기 위해서도 바람직하다.For example, in the case of forming the resin layer 13 from the curable resin composition of the addition reaction type silicone, the curable resin composition comprising the mixture of the alkenyl polysiloxane and the organohydrogenpolysiloxane and the catalyst is subjected to the spray- , And is then heated and cured. The heat curing conditions vary depending on the blending amount of the catalyst. For example, when 2 parts by mass of the platinum-based catalyst is blended with respect to 100 parts by mass of the total amount of the alkenyl polysiloxane and the organohydrogenpolysiloxane, Deg.] C, preferably 100 [deg.] C to 200 [deg.] C. In this case, the reaction time is 5 to 60 minutes, preferably 10 to 30 minutes. In order to obtain a silicone resin layer having low silicone transferability, it is preferable to advance the curing reaction as far as possible so that unreacted silicon components do not remain in the silicone resin layer. The above reaction temperature and reaction time are preferable because almost no unreacted silicon component can be left in the silicone resin layer. When the reaction time is excessively longer than the above-mentioned reaction time or the reaction temperature is excessively high, oxidative decomposition of the silicone resin occurs at the same time, and a silicon component with a low molecular weight is generated, and silicon migration property may be enhanced. It is also preferable to advance the curing reaction as far as possible so that the unreacted silicon component remains in the silicone resin layer, in order to improve the peelability after the heat treatment.

또한, 예를 들어 수지층(13)을, 박리지용 실리콘 수지가 되는 경화성 수지 조성물을 사용하여 제조한 경우, 지지판(12) 위에 도포 시공한 경화성 수지 조성물을 가열 경화하여 실리콘 수지층을 형성한다. 경화성 수지 조성물을 가열 경화시킴으로써, 경화 반응 시에 실리콘 수지가 지지판(12)과 화학적으로 결합한다. 또한, 앵커 효과에 의해 실리콘 수지층이 지지판(12)과 결합한다. 이들 작용에 의해, 실리콘 수지층이 지지판(12)에 견고하게 고정된다.Further, for example, when the resin layer 13 is produced by using a curable resin composition to be a silicone resin for a release paper, the curable resin composition coated on the support plate 12 is heated and cured to form a silicone resin layer. By thermally curing the curable resin composition, the silicone resin is chemically bonded to the support plate 12 during the curing reaction. Further, the silicone resin layer is bonded to the support plate 12 by the anchor effect. By these actions, the silicone resin layer is firmly fixed to the support plate 12.

(밀착 방법)(Close contact method)

지지체 위에 형성된 수지층(13)을 디바이스 기판(11) 위에 박리 가능하게 밀착시키는 방법은, 공지의 방법이면 된다. 예를 들어, 상압 환경 하에서 수지층(13)의 박리성 표면에 디바이스 기판(11)을 겹친 후, 롤이나 프레스를 사용해서 수지층(13)과 디바이스 기판(11)을 압착시키는 방법을 들 수 있다. 롤이나 프레스로 압착함으로써 수지층(13)과 디바이스 기판(11)이 더욱 밀착하므로 바람직하다. 또한, 롤 또는 프레스에 의한 압착에 의해, 수지층(13)과 디바이스 기판(11) 사이에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되므로 바람직하다.The resin layer 13 formed on the support may be peelably adhered to the device substrate 11 by any known method. For example, the device substrate 11 may be laminated on the releasable surface of the resin layer 13 under atmospheric pressure, and then the resin layer 13 and the device substrate 11 may be pressed together using a roll or press have. It is preferable that the resin layer 13 and the device substrate 11 are more closely contacted with each other by a roll or a press. Bubbles mixed in between the resin layer 13 and the device substrate 11 can be relatively easily removed by pressing by roll or press, which is preferable.

지지체 위에 형성된 수지층(13)과 디바이스 기판(11)을 진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의해 압착하면, 기포의 혼입의 억제나 양호한 밀착성의 확보가 보다 바람직하게 행해지므로 보다 바람직하다. 진공 하에서 압착함으로써, 미소한 기포가 잔존한 경우에도, 가열에 의해 기포가 성장하지 않아, 디바이스 기판(11)의 왜곡 결함으로 이어지기 어렵다는 이점도 있다.It is more preferable that the resin layer 13 formed on the support and the device substrate 11 are pressed together by a vacuum laminating method or a vacuum press method because the suppression of mixing of bubbles and the securing of good adhesion are more preferable. Even when minute bubbles remain, there is an advantage that bubbles do not grow due to heating, and it is difficult to lead to distortion defects in the device substrate 11 by pressing under vacuum.

수지층(13)을 디바이스 기판(11) 위에 박리 가능하게 밀착시킬 때는, 수지층(13) 및 디바이스 기판(11)의 서로 접촉하는 측의 면을 충분히 세정하고, 클린도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 수지층(13)과 디바이스 기판(11) 사이에 이물질이 혼입되어도, 수지층(13)이 변형되기 때문에 디바이스 기판(11) 표면의 평탄성에 영향을 주지 않지만, 클린도가 높을수록 그 평탄성은 양호해지므로 바람직하다.When the resin layer 13 is brought into close contact with the device substrate 11 in a peelable manner, the surfaces of the resin layer 13 and the device substrate 11 which are in contact with each other are thoroughly cleaned and laminated in an environment with high cleanliness . Even if foreign matters are mixed in between the resin layer 13 and the device substrate 11, the resin layer 13 is deformed, so that the flatness of the surface of the device substrate 11 is not affected. However, the higher the cleanliness, It is preferable.

또한, 수지층(13)을 지지판(12) 위에 고정시키는 공정과, 수지층(13)을 디바이스 기판(11) 위에 박리 가능하게 밀착시키는 공정의 순서에 제한은 없고, 예를 들어 대략 동시에 해도 된다.The order of the step of fixing the resin layer 13 on the support plate 12 and the step of adhering the resin layer 13 to the device substrate 11 in a releasable manner is not limited and may be, for example, substantially the same .

(적층체 블록의 절단)(Cutting of the laminate block)

이와 같이 하여 얻어진 적층체 블록(10)의 외주면(14)에는, 오목 홈(15)이 형성되어 버리는 경우가 있다. 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 디바이스 기판(11)이나 지지판(12)이 모따기 가공된 경우나, 수지층(13)이 액상의 수지 조성물을 지지판(12)에 도포하여 가열 경화시킨 경우, 디바이스 기판(11)이나 지지판(12), 수지층(13)의 외주면이 동그란 형태를 나타내고 있으므로, 적층체 블록(10)의 외주면(14)에 오목 홈(15)이 형성되어 버린다.The concave groove 15 may be formed on the outer peripheral surface 14 of the laminated body block 10 thus obtained. For example, as shown in Fig. 2, when the device substrate 11 and the support plate 12 are chamfered, or when the resin layer 13 is coated with the liquid resin composition on the support plate 12 and thermally cured The concave grooves 15 are formed on the outer circumferential surface 14 of the laminate block 10 because the outer circumferential surfaces of the device substrate 11, the support plate 12 and the resin layer 13 are rounded.

본 실시 형태에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 적층체의 제조 방법은, 적층체 블록을 소정 치수로 절단하고, 적층체 블록의 외주면의 적어도 둘레 방향 일부를 평면화하는 공정(스텝 S11)을 갖는다. 보다 상세하게는, 적층체 블록을 소정 치수로 절단하고, 적층체 블록의 외주부의 적어도 둘레 방향 일부(바람직하게는, 둘레 방향 전체 둘레)를 제거하고, 적층체 블록의 외주면의 적어도 둘레 방향 일부(바람직하게는, 둘레 방향 전체 둘레)를 평면화한다.In the present embodiment, as shown in Fig. 1, the method of manufacturing a laminated body has a step of cutting the laminated block to a predetermined dimension and planarizing at least a part of the circumferential direction of the outer peripheral face of the laminated block (step S11) . More specifically, the laminate block is cut to a predetermined size, and at least a part of the circumferential direction of the laminate block (preferably the entire circumferential direction) is removed, and at least a part of the circumferential direction of the laminate block Preferably, the circumferential overall circumference is flattened.

적층체 블록(10)을 절단하는 방법은, 일반적인 방법이면 된다. 예를 들어, 칼날로 절단하는 방법, 레이저 등의 고에너지선으로 용융 절단하는 방법, 디바이스 기판 및 지지판 중 적어도 한쪽의 판 형상물의 주면에 칼날이나 레이저 등을 사용하여 스크라이브선을 형성하고, 스크라이브선을 따라 분할 절단하는 방법 등을 들 수 있다. 이들 절단 방법은, 단독으로 또는 조합하여 사용된다. 이와 같이 절단이란, 용융 절단이나 분할 절단을 포함한다.The laminate block 10 may be cut by a general method. For example, a scribe line is formed by using a blade, a laser, or the like on a main surface of at least one of a device substrate and a support plate, a method of cutting with a blade, a method of melting and cutting with a high- And a method of dividing and cutting the same. These cutting methods are used alone or in combination. The term " cutting " includes melting cutting and division cutting.

절단 방법은, 디바이스 기판(11), 지지판(12), 수지층(13)의 종류나 두께 등에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 디바이스 기판(11) 또는 지지판(12)이 유리로 이루어진 경우, 유리 주면에 스크라이브선을 형성하고, 그 후, 적층체 블록(10)을 굽혀서 변형시켜 스크라이브선을 따라 분할 절단하는 방법이 바람직하다. 또한, 디바이스 기판(11) 및 지지판(12)이 유리로 이루어진 경우, 양쪽 유리의 주면에 스크라이브선을 형성하고, 그 후, 적층체 블록(10)을 굽혀 변형시켜서 양쪽 스크라이브선을 따라 분할 절단하는 방법이 바람직하다. 분할 절단하는 경우, 수지층(13)의 두께가 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 수지층(13)이 지나치게 두꺼우면, 분할 절단하는 것이 곤란해진다. The cutting method is appropriately selected depending on the type and thickness of the device substrate 11, the support plate 12, and the resin layer 13, and the like. For example, in the case where the device substrate 11 or the support plate 12 is made of glass, a scribe line is formed on the glass main surface, and then the stacked block 10 is bent and deformed to divide and cut along the scribe line . In the case where the device substrate 11 and the support plate 12 are made of glass, a scribe line is formed on the main surfaces of both glass substrates, and then the laminate block 10 is bent and deformed to be divided and cut along both scribe lines Method is preferable. In the case of the split cutting, it is preferable that the thickness of the resin layer 13 is 50 占 퐉 or less. If the resin layer 13 is excessively thick, it is difficult to cut the resin layer.

절단 방향은, 디바이스 기판(11)으로부터 지지판(12)을 향하는 방향이어도 되며, 지지판(12)으로부터 디바이스 기판(11)을 향하는 방향이어도 된다. 또한, 절단 방향은 한 방향이어도 되고, 양방향이어도 된다. 또한, 절단 방향은 적층체 블록의 두께 방향(즉, 수지층의 두께 방향)에 대략 평행한 것이 바람직하다. 수지층(13)의 노출 면적을 작게 할 수 있고, 디바이스 제조 공정에 있어서의 가열 처리에 의한 수지층(13)의 열화를 억제할 수 있기 때문이다.The cutting direction may be a direction from the device substrate 11 to the support plate 12 or a direction from the support plate 12 to the device substrate 11. Further, the cutting direction may be one direction or two directions. It is also preferable that the cutting direction is substantially parallel to the thickness direction of the laminate block (that is, the thickness direction of the resin layer). This is because the exposed area of the resin layer 13 can be reduced and deterioration of the resin layer 13 due to the heat treatment in the device manufacturing process can be suppressed.

도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 외주면 평면화 후의 적층체 블록의 부분 측면도이다. 도 3의 적층체 블록(10A)은 도 2의 A-A'선을 따라 적층체 블록(10)을 절단한 것이다. 평면화 후의 디바이스 기판(11A), 지지판(12A), 수지층(13A)는, 각각 평면화 전의 디바이스 기판(11), 지지판(12), 수지층(13)에 대응한다.Fig. 3 is a partial side view of the laminated block after the peripheral surface planarization in the first embodiment of the present invention. Fig. The laminate block 10A of Fig. 3 is obtained by cutting the laminate block 10 along line A-A 'in Fig. The device substrate 11A after the planarization, the support plate 12A and the resin layer 13A correspond to the device substrate 11, the support plate 12 and the resin layer 13 before planarization, respectively.

평면화 후의 적층체 블록(10A)은 디바이스 기판(11A)과 지지판(12A) 사이에 수지층(13A)이 개재 장착된 것이다. 수지층(13A)은, 디바이스 기판(11A)의 제1 주면(111A)에 박리 가능하게 밀착됨과 함께, 지지판(12A) 위에 고정되어 있다. 또한, 디바이스 기판(11A)의 제2 주면(112A)에는, 상세하게는 후술하지만, 디바이스용 부재가 형성된다.The laminated block 10A after the planarization has the resin layer 13A interposed between the device substrate 11A and the support plate 12A. The resin layer 13A is in close contact with the first main surface 111A of the device substrate 11A in a detachable manner and is fixed on the support plate 12A. In addition, a device member is formed on the second main surface 112A of the device substrate 11A in detail, as will be described later.

평면화 후의 적층체 블록(10A)의 외주면(14A)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 평면으로 되어 있고, 오목 홈(15)(도 2 참조)이 제거되어 있다.The outer peripheral surface 14A of the laminated block 10A after planarization is flat as shown in Fig. 3, and the recessed groove 15 (see Fig. 2) is removed.

그런데, 이러한 오목 홈(15)이 존재하면, 디바이스 제조 공정에 있어서, 레지스트액 등의 코팅액이 모세관 현상에 의해 침입하고, 저류되기 쉽다. 오목 홈(15) 내에 저류된 코팅액은, 세정으로 제거되기 어렵고, 건조 후에 잔사가 남기 쉽다. 이 잔사는, 디바이스 제조 공정에 있어서의 가열 처리 공정에 있어서 발진원이 되므로, 발진이 가열 처리 공정 내를 오염시키고, 제품인 디바이스의 수율을 저하시킨다.However, when such concave groove 15 exists, the coating liquid such as a resist solution tends to invade by the capillary phenomenon in the device manufacturing process and is likely to be stored. The coating liquid stored in the concave groove (15) is difficult to be removed by washing, and the residue easily remains after drying. Since this residue becomes an oscillation source in the heat treatment process in the device manufacturing process, the oscillation causes contamination of the heat treatment process and deteriorates the yield of the device as a product.

본 실시 형태에서는, 오목 홈(15)이 제거되어 있으므로, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 코팅액의 잔사가 저류되기 어렵다. 따라서, 가열 처리 공정에 있어서 발진을 억제할 수 있고, 제품인 디바이스의 수율의 저하를 억제할 수 있다.In the present embodiment, since the concave groove 15 is removed, the residue of the coating liquid is hardly stored in the device manufacturing process. Therefore, the oscillation can be suppressed in the heat treatment process, and the lowering of the yield of the device, which is a product, can be suppressed.

(적층체 블록의 모따기)(Chamfer of the laminate block)

도 1에 도시한 바와 같이, 적층체의 제조 방법은 적층체 블록의 외주면의 평면화된 부분의 코너부를 모따기하는 공정(스텝 S12)을 더 가지면 된다. 모따기에 의해, 내충격성, 안전성을 높일 수 있다.As shown in Fig. 1, the method of manufacturing a laminated body may further include a step (step S12) of chamfering a corner of the flattened portion of the outer peripheral surface of the laminated body block. The impact resistance and safety can be improved by chamfering.

그런데, 적층체 블록의 외주면을 평면화 하기 전에, 적층체 블록의 코너부를 모따기할 경우, 적층체 블록의 외주면에 오목 홈이 있으면, 디바이스 기판의 단부나 지지판의 단부가 휘어서 파손되는 경우가 있다.When chamfering the corners of the laminate block before planarizing the outer circumferential surface of the laminate block, if the concave groove exists on the outer circumferential surface of the laminate block, the end of the device substrate or the end of the support plate may be bent and damaged.

본 실시 형태에서는, 적층체 블록의 외주면을 평면화한 후에, 적층체 블록의 코너부를 모따기하므로, 오목 홈이 미리 제거되어 있다. 이로 인해, 모따기 시에, 디바이스 기판의 단부나 지지판의 단부가 휘어서 파손되는 것을 억제할 수 있다.In the present embodiment, the outer peripheral surface of the laminate block is planarized, and then the corners of the laminate block are chamfered, so that the recessed grooves are removed in advance. This makes it possible to suppress the end of the device substrate or the end of the support plate from being bent and broken at the time of chamfering.

모따기 방법은 일반적인 방법이면 된다. 예를 들어, 그라인더 등의 모따기기를 사용하는 방법을 들 수 있다. 모따기의 종류는, 도 4에 도시한 바와 같이, 평면화 후의 코너부(110, 120)를 평면으로 가공하는 모따기이어도 되며, 도 5에 도시한 바와 같이, 평면화 후의 코너부(110, 120)를 원호 형상면으로 가공하는 R 모따기이어도 되고, 도 6에 도시한 바와 같이, 평면화 후의 코너부(110, 120)를 평면과 원호 형상면의 조합으로 가공하는 모따기이어도 되며, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 수지층을 깎는 모따기이어도 되고, 수지층을 깎지 않는 모따기이어도 된다.The chamfering method may be a general method. For example, a method of using a chamfering device such as a grinder can be mentioned. As shown in Fig. 4, the chamfer may be a chamfer for machining the flattened corner portions 110 and 120 into a flat surface, and the chamfered portions 110 and 120 may be chamfered The chamfer may be a chamfer for machining the corner portions 110 and 120 after the planarization by a combination of a flat surface and an arcuate surface, as shown in Fig. 6, and is not particularly limited. Further, the resin layer may be chamfered by cutting off the resin layer, or may be chamfered without cutting the resin layer.

모따기 치수는, 디바이스 기판, 지지판, 수지층의 종류나 두께 등에 따라서 적절하게 선택된다. R 모따기인 경우, 디바이스 기판측의 곡률 반경 R1과 지지판측의 곡률 반경 R2가 동일해도 되고 상이해도 된다. 코너부를 평면으로 가공하는 경우, 디바이스 기판측의 모따기 각도 θ1과 지지판측의 모따기 각도 θ2가 동일해도 되고, 상이해도 된다.The chamfer dimension is appropriately selected in accordance with the type and thickness of the device substrate, the support plate, and the resin layer. R chamfer, the curvature radius R1 on the device substrate side and the curvature radius R2 on the support plate side may be the same or different. When the corner portion is processed into a flat surface, the chamfer angle? 1 on the device substrate side and the chamfer angle? 2 on the support plate side may be the same or different.

모따기 후, 수지층의 외주면의 평면화된 부분이 수지층의 두께 방향에 대략 평행해져 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 수지층의 노출 면적을 작게 할 수 있다.After the chamfering, it is preferable that the planarized portion of the outer circumferential surface of the resin layer is substantially parallel to the thickness direction of the resin layer. Thus, the exposed area of the resin layer can be reduced.

수지층의 노출 면적이 크면, 디바이스의 제조 공정에 있어서의 가열 처리에 의해, 수지층이 열화되기 쉬워진다.If the exposed area of the resin layer is large, the resin layer is easily deteriorated by the heat treatment in the manufacturing process of the device.

본 실시 형태에서는, 수지층의 노출 면적을 작게 할 수 있으므로, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 수지층의 열화를 억제할 수 있다.In this embodiment, since the exposed area of the resin layer can be reduced, deterioration of the resin layer in the device manufacturing process can be suppressed.

도 7은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 모따기 후의 적층체 블록의 부분 측면도이다. 도 7에서, 모따기 전의 적층체 블록의 형상을 점선으로 나타낸다. 도 7의 적층체 블록(10B)은, 도 3의 적층체 블록(10A)의 절단면의 양 코너부를 R 모따기한 것이다. 모따기 후의 디바이스 기판(11B), 지지판(12B), 수지층(13B)은 각각, 모따기 전의 디바이스 기판(11A), 지지판(12A), 수지층(13A)에 대응한다.7 is a partial side view of the laminated block after chamfering according to the first embodiment of the present invention. In Fig. 7, the shape of the laminate block before chamfering is indicated by a dotted line. The laminate block 10B of Fig. 7 is obtained by R-chamfering both corner portions of the cut surface of the laminate block 10A of Fig. The device substrate 11B, the support plate 12B and the resin layer 13B after chamfering correspond to the device substrate 11A, the support plate 12A, and the resin layer 13A before chamfering, respectively.

모따기 후의 적층체 블록(10B)은, 디바이스 기판(11B)과 지지판(12B) 사이에 수지층(13B)이 개재 장착된 것이다. 수지층(13B)은 디바이스 기판(11B)의 제1 주면(111B)에 박리 가능하게 밀착됨과 함께, 지지판(12B) 위에 고정되어 있다.The laminated block 10B after chamfering is provided with a resin layer 13B interposed between the device substrate 11B and the support plate 12B. The resin layer 13B is in close contact with the first main surface 111B of the device substrate HB and is fixed on the support plate 12B.

모따기 후의 적층체 블록(10B)은, 도 7에 도시한 바와 같이, 외주면(14B)이 동그란 형태를 나타내고 있으므로, 내충격성이나 안전성에 우수하다.As shown in Fig. 7, the laminated block 10B after chamfering is excellent in impact resistance and safety since the outer peripheral face 14B has a round shape.

모따기 후의 적층체 블록(10B)은, 도 7에 도시한 바와 같이, 수지층(13B)의 외주면(134B)이 수지층(13B)의 두께 방향(도 7 중 화살표 A 방향)에 대략 평행하므로, 수지층(13B)의 노출 면적이 작다. 이로 인해, 디바이스의 제조 공정에 있어서의 가열 처리에 의해, 수지층(13B)이 열화되는 것을 억제할 수 있다.The outer peripheral surface 134B of the resin layer 13B is substantially parallel to the thickness direction of the resin layer 13B (the direction of the arrow A in Fig. 7) of the laminate block 10B after the chamfering, The exposed area of the resin layer 13B is small. As a result, the resin layer 13B can be prevented from being deteriorated by the heat treatment in the manufacturing process of the device.

(적층체 블록의 연마)(Polishing of laminated block)

도 1에 도시한 바와 같이, 적층체의 제조 방법은, 디바이스 기판이 플로트법에 의해 제조된 유리 기판일 경우, 모따기 후(즉, 평면화 후), 디바이스 기판의 제2 주면을 연마하는 연마 공정(스텝 S13)을 더 가지면 된다. 여기서, 플로트법에 의해 제조된 유리 기판에는, 플로트법에 의해 제조된 유리 기판을 리드로우법에 의해 잡아 당겨서 두께를 더 얇게 한 유리 기판이 포함된다.As shown in Fig. 1, when the device substrate is a glass substrate manufactured by a float process, the method of manufacturing a laminate includes a polishing step (hereinafter referred to as a polishing step) for polishing the second main surface of the device substrate after chamfering Step S13). Here, the glass substrate produced by the float method includes a glass substrate obtained by pulling the glass substrate produced by the float method by the lead-down method to further reduce the thickness.

플로트법은, 플로트 배스 내의 용융 주석 위에 용융 유리를 유출하고, 하류 방향으로 유동시켜서 띠판 형상의 유리로 성형하는 방법이다. 띠판 형상의 유리를 절단하고, 유리 기판을 제조하지만, 유리 기판 표면에는 미소한 요철이나 굴곡이 발생한다.The float method is a method in which a molten glass is flowed out on a molten tin in a float bath and flows in a downstream direction to be formed into a strip-shaped glass. The glass plate is cut to produce a glass substrate, but minute unevenness and curvature are generated on the surface of the glass substrate.

상기 연마 공정에서의 연마에 의해, 유리 기판 표면이 미소한 요철이나 굴곡을 제거할 수 있고, 디바이스용 부재가 형성되는 면의 평탄성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 제품인 디바이스의 신뢰성을 높일 수 있다. 이 효과는, 유리 기판의 두께가 0.03 내지 0.3 ㎜인 경우에 현저하다. 두께 0.03 내지 0.3 ㎜인 유리 기판은, 단독으로 연마하기 어렵고, 적층체 블록으로 하기 전에 미리 연마하는 것이 어렵기 때문이다.By polishing in the polishing step, minute unevenness and bending can be removed from the surface of the glass substrate, and the flatness of the surface on which the device member is formed can be improved. Therefore, the reliability of the device, which is a product, can be increased. This effect is remarkable when the thickness of the glass substrate is 0.03 to 0.3 mm. A glass substrate having a thickness of 0.03 to 0.3 mm is difficult to polish by itself, and it is difficult to polish the glass substrate before it is formed into a laminated block.

그런데, 평면화 전에, 디바이스 기판의 제2 주면을 연마하는 경우, 적층체 블록의 외주면에 오목 홈이 있으면, 연마제가 오목 홈에 인입하여 떨어지지 않게 되거나, 디바이스 기판이 휘어서 파손되는 경우가 있다. 또한, 평면화 후에도, 모따기 전에 디바이스 기판의 제2 주면을 연마하는 경우에는, 디바이스 기판의 예리한 코너부가 파손되기 쉽다.However, when the second main surface of the device substrate is polished before planarization, if the concave groove exists on the outer peripheral surface of the laminate block, the abrasive may not enter the concave groove and may not fall off, or the device substrate may be bent and broken. Further, even after the flattening, sharp corners of the device substrate are liable to be broken when the second main surface of the device substrate is polished before chamfering.

본 실시 형태에서는, 모따기 후(즉, 평면화 후)에, 디바이스 기판의 제2 주면을 연마하므로, 디바이스 기판의 코너부가 미리 모따기되어 있고, 또한 오목 홈이 미리 제거되어 있다. 이로 인해, 연마 시에, 오목 홈으로의 연마제의 부착이나 디바이스 기판이 파손되는 것을 억제할 수 있다.In the present embodiment, since the second main surface of the device substrate is polished after chamfering (i.e., after planarization), the corners of the device substrate are pre-chamfered and the concave grooves are removed in advance. Therefore, it is possible to suppress the adhesion of the abrasive to the concave groove and the breakage of the device substrate at the time of polishing.

연마 방법은, 일반적인 방법이면 된다. 예를 들어, 산화세륨 등의 지립을 사용한 연마 방법을 들 수 있다.The polishing method may be a general method. For example, a polishing method using abrasive grains such as cerium oxide can be mentioned.

연마값은, 디바이스 기판의 두께나 사용하는 디바이스에 따라서 적절히 설정되지만, 예를 들어 0.05 내지 10 ㎛이다.The polishing value is appropriately set depending on the thickness of the device substrate and the device to be used, but is, for example, 0.05 to 10 mu m.

도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 연마 후의 적층체 블록의 부분 측면도이다. 도 8에 있어서, 연마 전의 적층체 블록의 형상을 점선으로 나타낸다. 도 8의 적층체 블록(10C)은, 도 7의 적층체 블록(10B)의 디바이스 기판(11B)의 제2 주면(112B)을 연마한 것이다. 연마 후의 디바이스 기판(11C)은, 연마 전의 디바이스 기판(11B)에 대응한다.8 is a partial side view of the laminated block after polishing according to the first embodiment of the present invention. In Fig. 8, the shape of the laminate block before polishing is shown by a dotted line. The laminate block 10C of Fig. 8 is obtained by polishing the second main surface 112B of the device substrate 11B of the laminate block 10B of Fig. The device substrate 11C after polishing corresponds to the device substrate 11B before polishing.

연마 후의 적층체 블록(10C)은, 디바이스 기판(11C)과 지지판(12B) 사이에 수지층(13B)이 개재 장착된 것이다. 수지층(13B)은 디바이스 기판(11C)의 제1 주면(111C)에 박리 가능하게 밀착됨과 함께, 지지판(12B) 위에 고정되어 있다.The laminated block 10C after polishing has a resin layer 13B interposed between the device substrate 11C and the support plate 12B. The resin layer 13B is in close contact with the first main surface 111C of the device substrate 11C in a detachable manner and is fixed on the support plate 12B.

연마 후의 적층체 블록(10C)은, 연마 전의 적층체 블록(10B)에 비해, 디바이스용 부재가 형성되는 제2 주면(112C)의 평탄성, 청정도가 높아지고 있다.The laminate block 10C after polishing has a higher flatness and cleanliness of the second main surface 112C on which the device member is formed, as compared with the laminate block 10B before polishing.

(디바이스의 제조 방법)(Device Manufacturing Method)

도 9는 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 디바이스의 제조 방법을 나타내는 공정도이다. Fig. 9 is a process diagram showing a manufacturing method of a device according to the first embodiment of the present invention.

디바이스의 제조 방법은, 평면화 후의 적층체 블록(적층체)의 디바이스 기판의 제2 주면 위에, 코팅액을 사용하여 디바이스용 부재를 형성하는 공정(스텝 S61)과, 디바이스 기판과 수지층을 박리하는 공정(스텝 S62)을 갖는다. 여기서, 평면화 후의 적층체 블록(적층체)은, 모따기 후의 적층체 블록(적층체), 연마 후의 적층체 블록(적층체)을 당연히 포함한다.A method of manufacturing a device includes a step (step S61) of forming a device member using a coating liquid on a second main surface of a device substrate of a laminated block (laminate) after planarization, a step of peeling the device substrate and a resin layer (Step S62). Here, the laminated block (laminate) after planarization naturally includes a laminate block (laminate) after the chamfering and a laminate block (laminate) after polishing.

디바이스용 부재는, 디바이스 기판의 제2 주면에 형성되어서 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재이다. 디바이스용 부재는, 디바이스 기판의 제2 주면에 최종적으로 형성되는 부재의 전부(이하, 「전체 부재」라고 함)가 아니고, 전체 부재의 일부(이하, 「부분 부재」라고 함)이어도 된다. 수지층으로부터 박리된, 부분 부재 부착 디바이스 기판을, 그 후의 공정에서, 전체 부재 부착 디바이스 기판으로 할 수 있기 때문이다. 또한 그 후, 전체 부재 부착 디바이스 기판을 사용하여 디바이스가 제조된다. 또한, 수지층으로부터 박리된 전체 부재 부착 디바이스 기판에는, 그 박리면(제1 주면)에 다른 디바이스용 부재가 형성되어도 된다. 또한, 전체 부재 부착 적층체를 사용하여 디바이스를 조립하고, 그 후, 전체 부재 부착 적층체로 수지층 부착 지지판을 박리하고, 디바이스를 제조할 수 있다. 또한, 전체 부재 부착 적층체를 2장 사용하여 디바이스를 조립하고, 그 후, 전체 부재 부착 적층체로 2매의 수지층 부착 지지판을 박리하고, 디바이스를 제조할 수도 있다.The member for a device is a member that is formed on a second main surface of the device substrate and constitutes at least a part of the device. The device-use member may be a part (hereinafter referred to as " part member ") of the entire member rather than all of the member finally formed on the second main surface of the device substrate (hereinafter referred to as the " This is because the device substrate with a partial member, which is peeled off from the resin layer, can be used as a device substrate with an entire member in a subsequent step. Thereafter, the device is manufactured using the entire member-attached device substrate. Further, another device member may be formed on the peeling surface (first main surface) of the entire device-attached device substrate peeled from the resin layer. Further, the device can be manufactured by assembling the device using the whole member-mounted laminate, then peeling the resin-layer-attached supporting plate with the laminate with the whole member. It is also possible to manufacture the device by assembling the device by using two sheets of the whole member stacked layers and then peeling the two sheets of the resin layer stacked with the stack of the whole members.

디바이스 기판과 수지층을 박리하는 방법은, 공지의 방법이면 된다. 예를 들어, 디바이스 기판과 수지층 사이에 박리 날을 자입(刺入)하고, 그 후, 박리 날의 자입 위치에 압축 공기와 물을 혼합한 유체를 분사한다. 이 상태에서, 적층체의 한쪽 주면을 평탄하게 유지하고, 다른 쪽 주면을 자입 위치 부근에서 순차적으로 휘도록 변형시킨다. 이와 같이 하여, 디바이스 기판과 수지층을 박리할 수 있다.The method for peeling the device substrate and the resin layer may be any known method. For example, a separating blade is inserted between the device substrate and the resin layer, and then a fluid mixed with compressed air and water is injected at the position where the separating blade is inserted. In this state, one main surface of the laminate is maintained flat, and the other main surface is deformed so as to bend sequentially in the vicinity of the insertion position. In this manner, the device substrate and the resin layer can be peeled off.

도 10은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 LCD의 제조 방법의 공정도이다. 본 실시 형태에서는, TFT-LCD의 제조 방법에 대해 설명하지만, 본 발명을 STN-LCD의 제조 방법에 적용해도 되며, 액정 패널의 종류 또는 방식에 제한은 없다.10 is a process diagram of a manufacturing method of an LCD according to the first embodiment of the present invention. In this embodiment mode, a method of manufacturing a TFT-LCD is described, but the present invention may be applied to a method of manufacturing an STN-LCD, and there is no limitation on the type or method of the liquid crystal panel.

TFT-LCD의 제조 방법은, 평면화 후의 적층체 블록(적층체)의 디바이스 기판의 제2 주면 위에, 레지스트액을 사용하여, CVD법 및 스패터법 등, 일반적인 성막법에 의해 형성되는 금속막 및 금속 산화막 등으로 패턴 형성하여 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 공정(스텝 S71)과, 다른 평면화 후의 적층체 블록(적층체)의 디바이스 기판의 제2 주면 위에, 레지스트액을 패턴 형성으로 사용하여 컬러 필터(CF)를 형성하는 공정(스텝 S72)과, TFT 부착 디바이스 기판과, CF 부착 디바이스 기판을 적층하는 공정(스텝 S73)과, 양쪽 디바이스 기판과 수지층을 박리하는 공정(스텝 S74)을 갖는다. 또한, TFT 형성 공정(스텝 S71)과, CF 형성 공정(스텝 S72)의 순서에 제한은 없고, 대략 동시에 해도 된다. 또한, 박리 공정(스텝 S74)은, 적층 공정(스텝 S73) 전이어도 되며, TFT 형성 공정이나 CF 형성 공정의 도중이어도 된다.A manufacturing method of a TFT-LCD is a method of manufacturing a metal film and a metal film formed by a general film-forming method such as a CVD method and a sputtering method using a resist solution on a second main surface of a device substrate of a laminated block (laminate) (Step S71) of forming a thin film transistor (TFT) by patterning with an oxide film or the like on the second main surface of the device substrate of another laminated block (laminate) after another planarization, (Step S72) of laminating the device substrate with the TFT and the device substrate with the CF (step S73), and a step of peeling the device substrate and the resin layer (step S74). The order of the TFT forming step (step S71) and the CF forming step (step S72) is not limited, and may be substantially simultaneous. The peeling step (step S74) may be carried out before the laminating step (step S73), or during the TFT forming step or the CF forming step.

TFT 형성 공정이나 CF 형성 공정에서는, 주지의 포토리소그래피 기술이나 에칭 기술 등을 사용하여, 디바이스 기판의 제2 주면 위에 TFT나 CF를 형성한다. 이때, 패턴 형성용 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다.In the TFT forming step and the CF forming step, TFTs or CFs are formed on the second main surface of the device substrate by using well-known photolithography or etching techniques. At this time, a resist solution is used as a coating liquid for pattern formation.

또한, TFT나 CF를 형성하기 전에, 필요에 따라, 디바이스 기판의 제2 주면을 세정할 수도 있다. 세정 방법으로는, 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정을 사용할 수 있다.Further, the second main surface of the device substrate may be cleaned, if necessary, before forming the TFT or CF. As the cleaning method, well-known dry cleaning or wet cleaning can be used.

적층 공정에서는, TFT 부착 적층체와 CF 부착 적층체 사이에 액정재를 주입하여 적층한다. 액정재를 주입하는 방법으로서는, 예를 들어, 감압 주입법, 적하 주입법이 있다.In the lamination step, a liquid crystal material is injected between the laminate of TFT-attached laminate and CF laminate, and laminated. As a method of injecting the liquid crystal material, for example, there are a reduced pressure injection method and a dropping injection method.

감압 주입법은, 예를 들어 최초로 시일재 및 스페이서 재를 사용하여 양쪽 적층체를, TFT가 존재하는 면과 CF가 존재하는 면이 대향하게 접합한다. 이어서, 양쪽 적층체에서 2매의 수지층 부착 지지판을 박리한다. 그 후, 접합한 양쪽 디바이스 기판을 복수의 셀로 절단한다. 절단된 각 셀의 내부를 감압 분위기로 한 뒤에, 주입 구멍으로부터 각 셀의 내부에 액정재를 주입하고, 주입 구멍을 밀봉한다. 이어서, 각 셀에 편광판을 부착하고, 백라이트 등을 내장하여, 액정 패널을 제조한다.In the reduced-pressure injection method, for example, a sealing material and a spacer material are first used to bond the two stacked layers so that the face where the TFT exists and the face where the CF exists are opposed to each other. Then, the two resin layer-attached support plates are peeled off from both stacked bodies. Thereafter, the bonded device substrates are cut into a plurality of cells. After setting the inside of each cut cell to a reduced pressure atmosphere, a liquid crystal material is injected into each cell from the injection hole, and the injection hole is sealed. Then, a polarizing plate is attached to each cell, and a backlight or the like is built in to manufacture a liquid crystal panel.

또한, 본 실시 형태에서는, 양쪽 적층체에서 2매의 수지층 부착 지지판을 박리하고, 그 후, 접합한 양쪽 디바이스 기판을 복수의 셀로 절단하는 것으로 했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 시일재 및 스페이서 재를 사용하여 양쪽 적층체를 접합하기 전에, 각 적층체에서 수지층 부착 지지판을 박리할 수도 있다.In the present embodiment, two resin layer-attached support plates are peeled off from both stacks, and then both device substrates bonded together are cut into a plurality of cells. However, the present invention is not limited to this. For example, before attaching the two laminated bodies using the sealing material and the spacer material, the resin-layer-attached supporting plate may be peeled from each laminated body.

적하 주입법에서는, 예를 들어 최초에, 양쪽 적층체 중 어느 한쪽에 액정재를 적하해 두고, 시일재 및 스페이서 재를 사용하여 양쪽 적층체를, TFT가 존재하는 면과 CF가 존재하는 면이 대향하도록 적층한다. 이어서, 양쪽 적층체에서 2매의 수지층 부착 지지판을 박리한다. 그 후, 적층한 양쪽 디바이스 기판을 복수의 셀로 절단한다. 이어서, 각 셀에 편광판을 부착하고, 백라이트 등을 내장하여, 액정 패널을 제조한다.In the dropping injection method, for example, a liquid crystal material is first dropped on either one of the two stacked layers, and both the stacked layers are stacked by using a sealing material and a spacer material, . Then, the two resin layer-attached support plates are peeled off from both stacked bodies. Thereafter, the stacked device substrates are cut into a plurality of cells. Then, a polarizing plate is attached to each cell, and a backlight or the like is built in to manufacture a liquid crystal panel.

액정 패널의 제조 방법은, 상기 공정 외에, 디바이스 기판인 유리 기판으로부터 수지층 부착 지지판을 박리한 후에, 유리 기판을 화학적 에칭 처리에 의해 박판화하는 공정(스텝 S75)을 더 가져도 된다. 유리 기판의 제1 주면은, 지지판에 의해 보호되어 있었으므로, 에칭 처리를 행하더라도, 에치피트가 발생되기 어렵다.The manufacturing method of the liquid crystal panel may further include a step (step S75) of thinning the glass substrate by a chemical etching treatment after peeling the resin substrate-attached support plate from the glass substrate as the device substrate. Since the first main surface of the glass substrate is protected by the support plate, etch pits are less likely to be generated even if the etching process is performed.

또한, 도 10에 도시하는 예에서는, TFT 부착 디바이스 기판, CF 부착 디바이스 기판의 제조에 각각 적층체를 1개씩 사용하기로 했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, TFT 부착 디바이스 기판, CF 부착 디바이스 기판 중 어느 한쪽만의 기판의 제조에 적층체를 사용해도 된다.In the example shown in Fig. 10, one laminate is used for each of the TFT-equipped device substrate and the CF-attached device substrate, but the present invention is not limited thereto. For example, a laminate may be used for manufacturing a substrate of either a TFT-attached device substrate or a CF-attached device substrate.

도 11은 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서의 유기 EL 패널(OLED)의 제조 방법의 공정도이다.11 is a process diagram of a manufacturing method of an organic EL panel (OLED) according to the first embodiment of the present invention.

유기 EL 패널의 제조 방법은, 패턴 형성용 레지스트액을 사용하여, 평면화 후의 적층체의 디바이스 기판의 제2 주면 위에 유기 EL 소자를 형성하는 공정(스텝 S81)과, 유기 EL 소자 위에 대향 기판을 적층하는 공정(스텝 S82)과, 디바이스 기판과 수지층을 박리하는 공정(스텝 S83)을 갖는다. 또한, 박리 공정(스텝 S83)은, 적층 공정(스텝 S82) 전이어도 되고, 유기 EL 소자 형성 공정(스텝 S81)의 도중이어도 된다.A method of manufacturing an organic EL panel includes a step (step S81) of forming an organic EL element on a second main surface of a device substrate of a laminated body after planarization using a resist solution for forming a pattern (step S81) (Step S82), and a step of peeling off the device substrate and the resin layer (step S83). The peeling step (step S83) may be either before the laminating step (step S82) or during the organic EL element forming step (step S81).

유기 EL 소자 형성 공정에서는, 주지의 포토리소그래피 기술이나 증착 기술 등을 사용하여 디바이스 기판의 제2 주면 위에 유기 EL 소자를 형성한다. 이때, 디바이스 기판의 제2 주면 위에, 패턴 형성용 코팅액으로서 레지스트액이 도포된다. 유기 EL 소자는, 예를 들어 투명 전극층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등으로 이루어진다.In the organic EL element formation step, an organic EL element is formed on the second main surface of the device substrate by using a well-known photolithography technique, vapor deposition technique or the like. At this time, a resist liquid is applied as a coating liquid for pattern formation on the second main surface of the device substrate. The organic EL element is composed of, for example, a transparent electrode layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer.

또한, 유기 EL 소자를 형성하기 전에 필요에 따라, 디바이스 기판의 제2 주면을 세정할 수도 있다. 세정 방법으로는, 예를 들어 드라이 세정이나 웨트 세정을 사용할 수 있다.Further, the second main surface of the device substrate may be cleaned, if necessary, before forming the organic EL device. As the cleaning method, for example, dry cleaning or wet cleaning may be used.

적층 공정에서는, 예를 들어 최초로, 유기 EL 소자 부착 디바이스 기판으로부터, 수지층 부착 지지판을 박리한다. 그 후, 유기 EL 소자 부착 디바이스 기판을 복수의 셀로 절단한다. 계속해서, 유기 EL 소자와 대향 기판이 접촉하도록, 각 셀과 대향 기판을 접합한다. 이와 같이 하여, 유기 EL 디스플레이를 제조한다.In the laminating step, for example, for the first time, the supporting plate with the resin layer is peeled off from the device substrate with the organic EL element. Thereafter, the device substrate with the organic EL element is cut into a plurality of cells. Subsequently, each cell and the counter substrate are bonded so that the organic EL element and the counter substrate are in contact with each other. Thus, an organic EL display is manufactured.

이와 같이 하여, 제조된 LCD나 OLED 등의 표시 패널은, 그 용도에 특별히 제한은 없지만, 예를 들어 휴대 전화, PDA, 디지털 카메라, 게임기 등의 휴대 전자 기기에 적절하게 사용된다.Thus produced display panels such as LCDs and OLEDs are not particularly limited in their use but are suitably used for portable electronic devices such as cellular phones, PDAs, digital cameras, game machines, and the like.

(제2 실시 형태)(Second Embodiment)

제2 실시 형태는 평면화 전의 적층체 블록에 관한 것이다.The second embodiment relates to a laminate block before planarization.

도 12는 본 발명의 제2 실시 형태에 있어서의 평면화 전의 적층체 블록의 부분 측면도이다. 도 12에 도시한 바와 같이, 평면화 전의 적층체 블록(20)은, 디바이스 기판(21)과 지지판(22) 사이에 수지층(23)이 개재 장착된 것이다. 수지층(23)은 디바이스 기판(21)의 제1 주면(211)에 박리 가능하게 밀착됨과 함께, 지지판(22) 위에 고정되어 있다.12 is a partial side view of the laminated block before planarization in the second embodiment of the present invention. 12, the laminate block 20 before planarization is formed by interposing a resin layer 23 between the device substrate 21 and the support plate 22. As shown in Fig. The resin layer 23 is in close contact with the first main surface 211 of the device substrate 21 in a detachable manner and is fixed on the support plate 22.

지지판(22)은 수지층(23)보다 크고, 수지층(23)은 디바이스 기판(21)보다 크게 되어 있다. 이러한 경우, 도 12에 도시한 바와 같이, 디바이스 기판(21)이 모따기 가공된 것이면, 디바이스 기판(21)의 외주면이 동그란 형태를 나타내고 있으므로 적층체 블록(20)의 외주면(24)에 오목 홈(25)이 형성되어 버린다.The support plate 22 is larger than the resin layer 23 and the resin layer 23 is larger than the device substrate 21. 12, since the outer circumferential surface of the device substrate 21 has a rounded shape, the outer circumferential surface 24 of the laminate block 20 is formed with a concave groove (not shown) 25 are formed.

이 경우에도, 도 12의 A-A'선을 따라 적층체 블록(20)을 절단함으로써, 적층체 블록(20)의 외주면(24)을 평면화할 수 있고, 오목 홈(25)을 제거할 수 있다.In this case also, by cutting the laminate block 20 along line A-A 'in Fig. 12, the outer peripheral surface 24 of the laminate block 20 can be flattened, and the concave groove 25 can be removed have.

그런데, 도 12의 B-B'선이나 C-C'선을 따라 적층체 블록(20)을 절단한 경우, 적층체 블록(20)의 외주면(24)을 평면화할 수 없으므로, 오목 홈(25)이 잔존한다.However, when the laminate block 20 is cut along the line B-B 'or C-C' in FIG. 12, since the outer circumferential surface 24 of the laminate block 20 can not be flattened, ).

이러한 경우, 오목 홈(25)이 잔존하는 것에 기인하여 디바이스의 제조 공정에 있어서, 코팅액의 잔사가 남기 쉽다. 이 잔사는, 디바이스 제조 공정에 있어서의 가열 처리 공정에 있어서 발진원이 되므로, 발진이 가열 처리 공정 내를 오염시키고, 제품인 디바이스의 수율을 저하시킨다.In this case, residues of the coating liquid easily remain in the manufacturing process of the device due to the remaining concave groove 25. Since this residue becomes an oscillation source in the heat treatment process in the device manufacturing process, the oscillation causes contamination of the heat treatment process and deteriorates the yield of the device as a product.

본 실시 형태에서는, 오목 홈(25)을 제거할 수 있으므로, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 발진을 억제할 수 있고, 제품인 디바이스의 수율의 저하를 억제할 수 있다.In this embodiment, since the concave groove 25 can be removed, the oscillation can be suppressed in the manufacturing process of the device, and the lowering of the yield of the device as a product can be suppressed.

(제3 실시 형태)(Third Embodiment)

도 13은 본 발명의 제3 실시 형태에 있어서의 평면화 전의 적층체 블록의 부분 측면도이다. 도 13에 도시한 바와 같이, 평면화 전의 적층체 블록(30)은, 디바이스 기판(31)과 지지판(32) 사이에 수지층(33)이 개재 장착된 것이다. 수지층(33)은 디바이스 기판(31)의 제1 주면(311)에 박리 가능하게 밀착됨과 함께, 지지판(32) 위에 고정되어 있다.13 is a partial side view of a laminated block before planarization in the third embodiment of the present invention. As shown in Fig. 13, the laminate block 30 before planarization is formed by interposing a resin layer 33 between the device substrate 31 and the support plate 32. As shown in Fig. The resin layer 33 is in close contact with the first main surface 311 of the device substrate 31 in a detachable manner and is fixed on the support plate 32.

수지층(33)은 디바이스 기판(31)이나 지지판(32)보다 작게 되어 있다. 이로 인해, 도 13에 도시한 바와 같이, 적층체 블록(30)의 외주면(34)에 오목 홈(35)이 형성되어 버린다.The resin layer 33 is smaller than the device substrate 31 and the support plate 32. [ As a result, the concave groove 35 is formed on the outer peripheral surface 34 of the laminate block 30, as shown in Fig.

이 경우에도, 도 13의 A-A'선을 따라 적층체 블록(30)을 절단함으로써, 적층체 블록(30)의 외주면(34)을 평면화할 수 있고, 오목 홈(35)을 제거할 수 있다.Also in this case, the outer peripheral surface 34 of the laminate block 30 can be flattened by cutting the laminate block 30 along line A-A 'in Fig. 13, and the concave groove 35 can be removed have.

그런데, 도 13의 B-B'선이나 C-C'선을 따라 적층체 블록(30)을 절단한 경우, 적층체 블록(30)의 외주면(34)을 평면화할 수 없으므로, 오목 홈(35)의 일부 또는 전부가 잔존한다.When the laminate block 30 is cut along the line B-B 'or C-C' in FIG. 13, the outer circumferential surface 34 of the laminate block 30 can not be flattened, ) Are partially or wholly remaining.

이러한 경우, 오목 홈(35)의 일부 또는 전부가 잔존하는 것에 기인하여 디바이스의 제조 공정에 있어서, 코팅액의 잔사가 남기 쉽다. 이 잔사는 디바이스 제조 공정에 있어서의 가열 처리 공정에 있어서 발진원이 되므로, 발진이 가열 처리 공정 내를 오염시키고, 제품인 디바이스의 수율을 저하시킨다.In this case, a residue of the coating liquid tends to remain in the manufacturing process of the device due to a part or the whole of the concave groove 35 remaining. This residue becomes an oscillation source in the heat treatment process in the device manufacturing process, so that the oscillation contaminates the heat treatment process and lowers the yield of the device as a product.

본 실시 형태에서는, 오목 홈(35)을 제거할 수 있으므로, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 발진을 억제할 수 있고, 제품인 디바이스 수율의 저하를 억제할 수 있다.In the present embodiment, since the concave groove 35 can be removed, oscillation can be suppressed in the manufacturing process of the device, and deterioration of device yield, which is a product, can be suppressed.

실시예 Example

이하에, 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.

(실시예 1)(Example 1)

지지판에는, 플로트법에 의해 얻어진 세로 370 ㎜×가로 320 ㎜×두께 0.6 ㎜인 유리판(아사히 가라스사제, AN100, 무알칼리 유리)을 사용했다. 이 유리판의 평균 선팽창 계수는 38×10-7/℃이었다.As the support plate, a glass plate (AN100, non-alkali glass made by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 370 mm x 320 mm x 0.6 mm obtained by the float method was used. The average linear expansion coefficient of this glass plate was 38 x 10 < -7 > / deg.

이 유리판을 순수로 세정하고, UV 세정하고, 유리판의 표면을 청정화했다. 그 후, 유리판 표면에, 무용제 부가 반응형 실리콘(신에쯔 실리콘사제, KNS-320A) 100 질량부와 백금계 촉매(신에쯔 실리콘사제, CAT-PL-56) 5 질량부의 혼합물을 스핀 코터에 의해 도포 시공했다(도포 시공량 20 g/㎡).This glass plate was cleaned with pure water and UV-cleaned to clean the surface of the glass plate. Thereafter, a mixture of 100 parts by mass of solvent-free addition reaction type silicone (KNS-320A, manufactured by Shinetsu Silicone Co., Ltd.) and 5 parts by mass of a platinum-based catalyst (CAT- (Coating amount 20 g / m < 2 >).

상기 무용제 부가 반응형 실리콘은, 규소 원자에 결합한 비닐기와 메틸기를 갖는 직쇄상 오르가노알케닐 폴리실록산(주제)과, 규소 원자에 결합한 수소 원자와 메틸기를 갖는 직쇄상 오르가노히드로겐폴리실록산(가교제)를 포함하는 것이다.The reactive solvent of the present invention is a reaction product of a straight chain organoalkenyl polysiloxane (subject) having a vinyl group and a methyl group bonded to a silicon atom and a straight chain organohydrogenpolysiloxane (crosslinking agent) having a hydrogen atom bonded to a silicon atom and a methyl group .

유리판 위에 도포 시공한 혼합물을 대기 중에서 180 ℃, 10분간 가열 경화시켜, 유리판 위에 세로 366 ㎜×가로 316 ㎜인 수지층을 형성하여, 고정했다.The mixture coated and applied on the glass plate was heated and cured at 180 ° C for 10 minutes in air to form a resin layer having a length of 366 mm and a width of 316 mm on a glass plate and fixed.

한편, 디바이스 기판에는, 폴리에테르술폰으로 이루어지는, 세로 370 ㎜×가로 320 ㎜×두께 0.1 ㎜인 수지 기판(스미또모 베이크라이트사제, 스미 라이트 FS-5300)을 사용했다. 이 수지 기판의 평균 선팽창 계수는 540×10-7/℃이었다.On the other hand, as the device substrate, a resin substrate (Sumilite FS-5300 manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) having a length of 370 mm x 320 mm x 0.1 mm thick made of polyethersulfone was used. The average linear expansion coefficient of the resin substrate was 540 x 10 < -7 > / DEG C.

이 수지 기판을 순수로 세정하고, UV 세정하고, 수지 기판의 표면을 청정화했다. 그 후, 수지 기판과 유리판을 위치 정렬한 다음, 진공 프레스 장치를 사용하여, 실온 하에서, 수지 기판의 제1 주면에, 유리판 위에 고정된 수지층을 밀착시켰다.The resin substrate was cleaned with pure water and UV-cleaned to clean the surface of the resin substrate. Thereafter, the resin substrate and the glass plate were aligned, and then the resin layer fixed on the glass plate was brought into close contact with the first main surface of the resin substrate at room temperature using a vacuum press apparatus.

이와 같이 하여, 도 2에 도시하는 적층체 블록과 대략 동일한 적층체 블록을 얻었다. 얻어진 적층체 블록을 두께 방향으로 절단하고, 적층체 블록의 외주부를 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐서 폭 10 ㎜로 제거했다. 구체적으로는, 커터 나이프를 사용하여 수지 기판 및 수지층을 두께 방향으로 절단함과 함께, 유리 커터를 사용하여 유리판의 주면에 스크라이브선을 형성한 후, 적층체 블록을 굽혀 변형시켜서 스크라이브선을 따라 분할 절단하고, 적층체 블록의 외주부를 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐서 제거했다.Thus, a laminate block substantially identical to the laminate block shown in Fig. 2 was obtained. The obtained laminate block was cut in the thickness direction, and the outer peripheral portion of the laminate block was removed with a width of 10 mm over the entire circumferential direction. Specifically, the resin substrate and the resin layer are cut in the thickness direction by using a cutter knife, and a scribe line is formed on the main surface of the glass plate by using a glass cutter. Then, the laminate block is bent and deformed to follow the scribe line And the outer peripheral portion of the laminate block was removed over the entire circumferential direction.

이 상태에서는, 수지 기판, 유리판 및 수지층의 외주면은 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐서 정렬되고 있어, 적층체 블록의 외주면은 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐서 평면화되어 있었다. 또한, 적층체 블록의 외주면에 오목 홈은 확인되지 않았다.In this state, the outer circumferential surfaces of the resin substrate, the glass plate, and the resin layer were aligned over the entire circumferential direction, and the outer circumferential surface of the laminate block was planarized over the entire circumferential direction. Further, no concave groove was found on the outer peripheral surface of the laminate block.

계속해서, 평면화 후의 적층체 블록을, CF용 블랙 매트릭스용 레지스트액(아사히 가라스사제, PMA-ST) 중에 담근 후, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 아세테이트(레지스트액의 주 용매)로 세정했다. 그 후, 열풍 오븐에서 120 ℃, 30분간 건조시켜, 현미경에서 적층체의 외주면을 관찰한바, 레지스트액의 잔사는 확인되지 않았다.Subsequently, the laminated block after the planarization was immersed in a resist solution for a black matrix for CF (PMA-ST, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), followed by washing with propylene glycol monomethyl ether acetate (main solvent for resist solution). Thereafter, the resultant was dried in a hot air oven at 120 DEG C for 30 minutes, and the outer peripheral surface of the laminate was observed under a microscope. No residue of the resist solution was observed.

(실시예 2)(Example 2)

실시예 2에서는, 지지판에 플로트법에 의해 얻어진 세로 370 ㎜×가로 320 ㎜×두께 0.4 ㎜인 유리판(아사히 가라스사제, AN100, 무알칼리 유리)을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 유리판 위에 수지층을 형성하고, 고정했다.Example 2 was the same as Example 1 except that a glass plate (AN100, non-alkali glass made by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 370 mm x 320 mm x 0.4 mm obtained by a float method was used as the support plate, A resin layer was formed on a glass plate and fixed.

또한, 실시예 2에서는, 디바이스 기판에 플로트법에 의해 얻어진 세로 370 ㎜×가로 320 ㎜×두께 0.3 ㎜인 유리 기판(아사히 가라스사제, AN100, 무알칼리 유리)을 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 유리 기판의 제1 주면에, 유리판 위에 고정된 수지층을 밀착시켰다.In Example 2, a glass substrate (AN100, non-alkali glass made by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 370 mm x 320 mm x 0.3 mm obtained by a float method was used as the device substrate, The resin layer fixed on the glass plate was brought into close contact with the first main surface of the glass substrate.

이와 같이 하여, 도 2에 도시하는 적층체 블록과 대략 동일한 적층체 블록을 얻었다. 얻어진 적층체 블록을 두께 방향에 절단하고, 적층체 블록의 외주부를 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐서 폭 10 ㎜으로 제거했다. 구체적으로는, 유리 커터를 사용하여 유리 기판의 제2 주면에 스크라이브선을 형성함과 함께, 유리 커터를 사용하여 유리판의 주면에 스크라이브선을 형성한 후, 적층체 블록을 굽혀 변형시켜서 스크라이브선을 따라 분할 절단하고, 적층체 블록의 외주부를 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐서 제거했다.Thus, a laminate block substantially identical to the laminate block shown in Fig. 2 was obtained. The obtained laminate block was cut in the thickness direction, and the outer peripheral portion of the laminate block was removed to a width of 10 mm over the entire circumferential direction. Specifically, a scribe line is formed on the second main surface of the glass substrate by using a glass cutter, a scribe line is formed on the main surface of the glass sheet by using a glass cutter, and then the laminate block is bent and deformed to form a scribe line And the outer peripheral portion of the laminate block was removed over the entire circumferential direction.

이 상태에서는, 유리 기판, 유리판 및 수지층의 외주면은 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐서 정렬되고 있어, 적층체 블록의 외주면은 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐서 평면화되어 있었다. 또한, 적층체 블록의 외주면에 오목 홈은 확인되지 않았다.In this state, the outer circumferential surfaces of the glass substrate, the glass plate, and the resin layer were aligned over the entire circumferential direction, and the outer circumferential surface of the laminate block was planarized over the entire circumferential direction. Further, no concave groove was found on the outer peripheral surface of the laminate block.

이 적층체 블록의 외주면의 코너부를, 지석을 사용하여, 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐서 모따기했다. 모따기 치수는 곡률 반경 R=0.4(단위: ㎜)로 했다.The corner portion of the outer circumferential surface of the laminated block was chamfered over the entire circumferential direction using a grinding wheel. The chamfer dimension was defined as radius of curvature R = 0.4 (unit: mm).

이어서, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 모따기 후의 적층체 블록을 레지스트액 중에 담그고, 세정하고, 건조한 후, 현미경에서 적층체의 외주면을 관찰했다. 그 결과, 레지스트액의 잔사는 확인되지 않았다.Then, in the same manner as in Example 1, the chamfered laminate block was immersed in the resist solution, washed, and dried, and then the outer peripheral surface of the laminate was observed under a microscope. As a result, residues of the resist solution were not confirmed.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

비교예 1에서는, 실시예 2과 마찬가지로 하여 얻어진 절단 전의 적층체 블록을 실시예 1과 마찬가지로 하여, 레지스트액 중에 담그고 세정하여, 건조한 후, 현미경에서 적층체의 외주면을 관찰했다. 그 결과, 레지스트액의 잔사가 확인하였다.In Comparative Example 1, the laminated block before cutting obtained in the same manner as in Example 2 was immersed in the resist solution in the same manner as in Example 1, washed and dried, and then the outer peripheral surface of the laminated body was observed under a microscope. As a result, residues of the resist solution were confirmed.

본 발명을 상세하게, 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고, 여러 변형이나 수정을 가할 수 있는 것은 당업자에 있어서 명확하다.Although the present invention has been described in detail with reference to specific embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the present invention.

본 출원은 2010년 1월 25일 출원의 일본 특허 출원 제2010-012785호에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로 포함된다.This application is based on Japanese Patent Application No. 2010-012785 filed on January 25, 2010, the contents of which are incorporated herein by reference.

10: 적층체 블록
11: 디바이스 기판
111: 제1 주면
112: 제2 주면
12: 지지판
13: 수지층
14: 외주면
15: 오목 홈
10: laminated block
11: Device substrate
111: first main surface
112: 2nd week
12: Support plate
13: Resin layer
14:
15: concave groove

Claims (8)

디바이스의 제조에 사용되는 적층체의 제조 방법에 있어서,
유리제의 디바이스 기판과 유리제의 지지판 사이에 수지층이 개재 장착되고, 상기 수지층이 상기 디바이스 기판의 제1 주면에 박리 가능하게 밀착됨과 함께 상기 지지판 위에 고정된 적층체 블록을 소정 치수로 절단하여, 상기 적층체 블록의 외주면의 적어도 둘레 방향 일부를 평면화하는 공정을 포함하고,
상기 공정에 의해, 상기 적층체의 블록의 외주에 존재하는 오목 홈을 제거하는 적층체의 제조 방법.
A method of manufacturing a laminate used for manufacturing a device,
A resin layer is interposed between a glass substrate board and a glass support plate and the resin layer is peelably adhered to the first main surface of the device substrate and the laminate block fixed on the support plate is cut to a predetermined dimension, And a step of planarizing at least a part of the circumferential direction of the outer circumferential surface of the laminate block,
And removing the concave groove existing on the outer periphery of the block of the laminate by the above process.
제1항에 있어서, 상기 적층체 블록의 외주면의 평면화된 부분의 코너부를 모따기하는 공정을 더 포함하는 적층체의 제조 방법.The method according to claim 1, further comprising a step of chamfering a corner of the planarized portion of the outer circumferential surface of the laminate block. 제2항에 있어서, 상기 디바이스 기판이 플로트법에 의해 제조된 유리 기판이며,
상기 코너부를 모따기한 후, 상기 디바이스 기판의 제2 주면을 연마하는 공정을 포함하는 적층체의 제조 방법.
The method according to claim 2, wherein the device substrate is a glass substrate manufactured by a float process,
And polishing the second main surface of the device substrate after chamfering the corner portion.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지층의 외주면의 평면화된 부분이 상기 수지층의 두께 방향에 평행한 적층체의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the planarized portion of the outer circumferential surface of the resin layer is parallel to the thickness direction of the resin layer. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 디바이스 기판은 두께 0.03 ㎜ 이상 0.8 ㎜ 미만의 유리 기판인 적층체의 제조 방법.The method of manufacturing a laminated body according to any one of claims 1 to 3, wherein the device substrate is a glass substrate having a thickness of 0.03 mm or more and less than 0.8 mm. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지층은 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지 및 실리콘 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 적층체의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin layer comprises at least one member selected from the group consisting of an acrylic resin, a polyolefin resin, a polyurethane resin, and a silicone resin. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지층의 두께가 5 내지 50 ㎛인 적층체의 제조 방법.The method for producing a laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin layer has a thickness of 5 to 50 탆. 디바이스의 제조에 사용되는 적층체에 있어서,
유리제의 디바이스 기판과 유리제의 지지판 사이에 수지층이 개재 장착되고, 상기 수지층이 상기 디바이스 기판의 제1 주면에 박리 가능하게 밀착됨과 함께 상기 지지판 위에 고정된 적층체 블록을 소정 치수로 절단하여, 상기 적층체 블록의 외주면의 적어도 둘레 방향 일부를 평면화함으로써, 상기 적층체 블록의 외주에 존재하는 오목 홈을 제거한 적층체.
In a laminate used for manufacturing a device,
A resin layer is interposed between a glass substrate board and a glass support plate, the resin layer is brought into close contact with the first main surface of the device substrate in a peelable manner, and the laminate block fixed on the support plate is cut to a predetermined dimension, Wherein at least a part of a circumferential direction of the outer circumferential surface of the laminate block is planarized to thereby remove concave grooves existing on the outer periphery of the laminate block.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5861647B2 (en) * 2010-12-28 2016-02-16 旭硝子株式会社 Manufacturing method of laminate
JP5904456B2 (en) * 2011-05-13 2016-04-13 日本電気硝子株式会社 Laminated body
KR102043657B1 (en) * 2011-05-13 2019-11-12 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 Laminate, method for cutting laminate, method for processing laminate, and device and method for cutting brittle plate-like object
JP5790392B2 (en) * 2011-10-12 2015-10-07 旭硝子株式会社 Manufacturing method of electronic device
JP5887946B2 (en) * 2012-01-18 2016-03-16 旭硝子株式会社 Method for manufacturing electronic device and method for manufacturing glass laminate
JP6313744B2 (en) 2012-03-23 2018-04-18 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Wireless power receiver
TWI604480B (en) 2012-03-23 2017-11-01 Lg伊諾特股份有限公司 Wireless power receiver and portable terminal comprising the same
US20140014260A1 (en) 2012-07-12 2014-01-16 Dipakbin Qasem Chowdhury Laminated structures and methods of manufacturing laminated structures
JP6003604B2 (en) * 2012-12-10 2016-10-05 旭硝子株式会社 Laminate processing method, processed laminate
WO2014092015A1 (en) * 2012-12-13 2014-06-19 旭硝子株式会社 Electronic device manufacturing method, and glass laminate manufacturing method
JP6375595B2 (en) * 2013-06-21 2018-08-22 凸版印刷株式会社 Coreless wiring board manufacturing method and peeling apparatus
JP2015096313A (en) * 2013-11-15 2015-05-21 日本電気硝子株式会社 Glass film laminate and method of producing liquid crystal panel
US20180016179A1 (en) * 2015-01-06 2018-01-18 Corning Incorporated A glass-carrier assembly and methods for processing a flexible glass sheet
JP6541987B2 (en) * 2015-02-18 2019-07-10 コニカミノルタ株式会社 Optical element and method of manufacturing imaging element
JP6593676B2 (en) * 2015-03-02 2019-10-23 日本電気硝子株式会社 Laminated body and semiconductor package manufacturing method
JP2016210023A (en) * 2015-04-30 2016-12-15 日本電気硝子株式会社 Method for manufacturing flexible laminate
CN108367980A (en) 2015-12-09 2018-08-03 旭硝子株式会社 Laminated glass
JP6834983B2 (en) 2015-12-21 2021-02-24 Agc株式会社 Laminated board
JP2018032661A (en) * 2016-08-22 2018-03-01 イビデン株式会社 Printed wiring board and method for manufacturing the same
JP7070425B2 (en) * 2016-11-15 2022-05-18 Agc株式会社 Manufacturing method for laminated boards and electronic devices
CN106624628B (en) * 2016-11-22 2019-07-23 江西昌河航空工业有限公司 A kind of honeycomb core NC processing method of no chamfering defect
KR102200159B1 (en) * 2017-12-18 2021-01-08 주식회사 포스코 Method of manufacturing ultra thin and wide width steel sheet
WO2020095415A1 (en) * 2018-11-08 2020-05-14 日東電工株式会社 Thin glass laminated body
CN111918489B (en) * 2020-08-26 2022-07-05 鸿安(福建)机械有限公司 Multilayer PCB board closing device
KR102443795B1 (en) * 2020-11-03 2022-09-16 주식회사 도우인시스 Manufacturing Method of Ultra-Thin Type Glass Plate
JP2022078516A (en) * 2020-11-13 2022-05-25 日東電工株式会社 Multilayer structure and method for manufacturing the same
TWI770818B (en) * 2021-02-10 2022-07-11 彩碁科技股份有限公司 A substrate and manufacturing method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10506367A (en) * 1994-10-03 1998-06-23 フォード モーター カンパニー Improvement of edge strength of sheet glass
JP2001097733A (en) * 1999-09-29 2001-04-10 Mitsubishi Plastics Ind Ltd Method for handling glass film and glass laminate
JP2002011826A (en) * 2000-06-29 2002-01-15 Mitsubishi Plastics Ind Ltd Metal laminated injection molding and its manufacturing method
JP2009120439A (en) * 2007-11-14 2009-06-04 Agc Glass Kenzai Engineering Co Ltd Tempered laminated glass, glass screen structure and glass-made handrail

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1048628A1 (en) * 1999-04-30 2000-11-02 Schott Glas Polymer coated glassfoil substrate
JP4250276B2 (en) * 1999-10-20 2009-04-08 三菱樹脂株式会社 Plastic film / glass film laminate and method for producing the same
JP4406752B2 (en) * 2005-05-27 2010-02-03 日本電気硝子株式会社 Glass substrate end face processing apparatus and end face processing method
CN101242951B (en) * 2005-08-09 2012-10-31 旭硝子株式会社 Thin sheet glass laminate and method for manufacturing display using thin sheet glass laminate
JP2007281067A (en) * 2006-04-04 2007-10-25 Nitto Denko Corp Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer processing adhesive sheet used for it
JP2009008973A (en) * 2007-06-29 2009-01-15 Hitachi Displays Ltd Liquid crystal display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10506367A (en) * 1994-10-03 1998-06-23 フォード モーター カンパニー Improvement of edge strength of sheet glass
JP2001097733A (en) * 1999-09-29 2001-04-10 Mitsubishi Plastics Ind Ltd Method for handling glass film and glass laminate
JP2002011826A (en) * 2000-06-29 2002-01-15 Mitsubishi Plastics Ind Ltd Metal laminated injection molding and its manufacturing method
JP2009120439A (en) * 2007-11-14 2009-06-04 Agc Glass Kenzai Engineering Co Ltd Tempered laminated glass, glass screen structure and glass-made handrail

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