KR100691580B1 - Image-displaying device, method of producing spacer used for image-displaying device, and image-displaying device with the spacer produced by the method - Google Patents

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Abstract

형광면을 갖는 제1 기판(10)과, 제1 기판에 간극을 두고 대향 배치되어 있는 동시에 복수의 전자원(18)이 설치된 제2 기판을 구비하고, 제1 및 제2 기판 사이에는 이들 기판에 작용하는 대기압 하중을 지지하는 복수의 스페이서(30a, 30b)가 설치되어 있다. 각 스페이서의 제1 기판측의 선단부 및 제2 기판측의 선단부는, 도전성 재료가 함침되어 각각 도전성 부여부(31a, 31b)를 형성하고 있다. A first substrate 10 having a fluorescent surface, and a second substrate disposed opposite to each other with a gap between the first substrates and provided with a plurality of electron sources 18, and between the first and second substrates; A plurality of spacers 30a and 30b are provided to support an acting atmospheric load. The tip portion on the first substrate side and the tip portion on the second substrate side of each spacer are impregnated with a conductive material to form conductivity provision portions 31a and 31b, respectively.

Description

화상 표시 장치, 화상 표시 장치에 이용하는 스페이서의 제조 방법 및 이 제조 방법에 의해 제조된 스페이서를 구비한 화상 표시 장치{IMAGE-DISPLAYING DEVICE, METHOD OF PRODUCING SPACER USED FOR IMAGE-DISPLAYING DEVICE, AND IMAGE-DISPLAYING DEVICE WITH THE SPACER PRODUCED BY THE METHOD}IMAGE-DISPLAYING DEVICE, METHOD OF PRODUCING SPACER USED FOR IMAGE-DISPLAYING DEVICE, AND IMAGE-DISPLAYING DEVICE WITH THE SPACER PRODUCED BY THE METHOD}

본 발명은 대향 배치된 기판과, 한 쪽 기판의 내면에 배치된 복수의 전자원을 가진 화상 표시 장치, 이 화상 표시 장치에 이용하는 스페이서의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 스페이서를 구비한 화상 표시 장치에 관한 것이다. The present invention provides an image display device having an opposingly disposed substrate, a plurality of electron sources disposed on an inner surface of one substrate, a method of manufacturing a spacer used in the image display device, and a spacer manufactured by the method. It relates to a display device.

최근, 고품위 방송용 혹은 이에 수반되는 고해상도의 화상 표시 장치가 요망되고 있고, 그 스크린 표시 성능에 대해서는 한층 엄격한 성능이 요망되고 있다. 이들 요망을 달성하기 위해서는 스크린면의 평탄화 및 고해상도화가 필수이며, 동시에 경량 및 박형화를 도모할 필요가 있다. In recent years, there has been a demand for high-definition broadcasting or a high resolution image display device accompanying it, and more stringent performance is desired for the screen display performance. In order to achieve these demands, planarization and high resolution of the screen surface are essential, and at the same time, it is necessary to achieve light weight and thickness.

상기한 바와 같은 요망을 충족시키는 화상 표시 장치로서, 예를 들어 필드 이미션 디스플레이(이하 FED라 함) 등의 평면 표시 장치가 주목받고 있다. 이 FED는 소정의 간극을 두고 대향 배치된 제1 기판 및 제2 기판을 갖고 있다. 이들 기판은 그 주연부끼리가 직접 혹은 직사각형 프레임 형상의 측벽을 거쳐서 서로 접합되어 진공 케이싱을 구성하고 있다. 제1 기판의 내면에는 화상 표시를 행하기 위한 형광체층이 형성되고, 제2 기판의 내면에는 형광체층을 여기하여 발광시키는 전자원으로서 복수의 전자 방출 소자가 설치되어 있다. As an image display apparatus that satisfies the above-mentioned demands, flat display apparatuses such as a field emission display (hereinafter referred to as FED) have attracted attention. This FED has a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate arrange | positioned facing the predetermined gap. The periphery of these board | substrates is joined to each other directly or through the side wall of rectangular frame shape, and comprises the vacuum casing. A phosphor layer for displaying an image is formed on the inner surface of the first substrate, and a plurality of electron emission elements are provided on the inner surface of the second substrate as electron sources for exciting and emitting the phosphor layer.

제1 기판 및 제2 기판에 가해지는 대기압 하중을 지지하기 위해, 이들 기판 사이에는 지지 부재로서 복수의 스페이서가 배치되어 있다. 이 FED에 있어서, 화상을 표시하는 경우 형광체층에 애노드 전압이 인가되고, 전자 방출 소자로부터 방출된 전자 빔을 애노드 전압에 의해 가속하여 형광체층에 충돌시킴으로써 형광체가 발광하여 화상을 표시한다. In order to support the atmospheric pressure load applied to a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate, several spacer is arrange | positioned as a support member between these board | substrates. In this FED, when an image is displayed, an anode voltage is applied to the phosphor layer, and the phosphor emits light by accelerating the electron beam emitted from the electron emitting element by the anode voltage to collide with the phosphor layer to display the image.

이러한 FED에서는 전자 방출 소자의 크기가 마이크로미터 오더이며, 제1 기판과 제2 기판의 간격을 마이크로미터 오더로 설정할 수 있다. 이로 인해, FED에서는 현재의 텔레비전이나 컴퓨터의 디스플레이로서 사용되고 있는 음극선관(CRT)과 비교하여 화상 표시 장치의 고해상도화, 경량화, 박형화를 달성하는 것이 가능해진다. In such an FED, the size of the electron emitting device is a micrometer order, and the distance between the first substrate and the second substrate can be set to the micrometer order. For this reason, in FED, compared with the cathode ray tube (CRT) currently used as a display of a television or a computer, it becomes possible to achieve high resolution, light weight, and thinning of an image display apparatus.

상술한 바와 같은 화상 표시 장치에 있어서, 실용적인 표시 특성을 얻기 위해서는 통상의 음극선관과 동일한 형광체를 이용하여 애노드 전압을 수 kV 이상으로 설정하는 것이 바람직하다. 그러나, 제1 기판과 제2 기판 사이의 간극은 해상도나 지지 부재의 특성, 제조성 등의 관점에서 그다지 크게 할 수는 없으며, 1 내지 3 mm 정도로 설정할 필요가 있다. 그로 인해, 제2 기판으로부터 방출된 전자가 제1 기판에 형성된 형광면에 충돌할 때 2차 전자 및 반사 전자가 방출되고, 이들 2차 전자 및 반사 전자가 기판 사이에 배치된 스페이서에 충돌한다. 그 결과, 스페이서가 대전한다. 일반적으로, FED에 있어서의 가속 전압에서는 스페이서가 플러스로 대전하고, 전자 방출 소자로부터 방출된 전자 빔은 스페이서로 끌어 당겨져 본래의 궤도로부터 벗어난다. 그 결과, 형광체층에 대해 전자 빔의 미스 랜딩이 발생되어 표시 화상의 색 순도가 열화된다고 하는 문제가 있다. In the above image display apparatus, in order to obtain practical display characteristics, it is preferable to set the anode voltage to several kV or more using the same phosphor as a normal cathode ray tube. However, the gap between the first substrate and the second substrate cannot be made large in view of the resolution, the characteristics of the support member, the manufacturability, and the like, and needs to be set to about 1 to 3 mm. Therefore, secondary electrons and reflective electrons are emitted when electrons emitted from the second substrate collide with the fluorescent surface formed on the first substrate, and these secondary electrons and reflective electrons collide with the spacer disposed between the substrates. As a result, the spacer is charged. In general, at an accelerating voltage in the FED, the spacer is positively charged, and the electron beam emitted from the electron emitting element is attracted to the spacer and deviates from the original orbit. As a result, there is a problem that miss landing of the electron beam occurs with respect to the phosphor layer, thereby degrading the color purity of the display image.

이러한 스페이서에 따른 전자 빔의 흡인을 저감시키기 위해, 스페이서 표면의 전부 또는 일부에 도전 처리를 실시하여 대전을 피하는 것을 생각할 수 있다. 예를 들어, 미국 특허 제5,726,529호 명세서에는 절연 스페이서의 제2 기판측의 단부에 도전성 처리를 실시하여 스페이서의 대전을 피하는 구조가 개시되어 있다. In order to reduce the suction of the electron beam according to such a spacer, it is conceivable to conduct a conductive treatment to all or part of the surface of the spacer to avoid charging. For example, US Pat. No. 5,726,529 discloses a structure in which the end of the insulating spacer is subjected to conductive treatment to avoid charging of the spacer.

그러나, 스페이서에 도전성 처리를 실시한 경우 스페이서를 거쳐서 제1 기판으로부터 제2 기판으로 흐르는 무효 전류가 증가하여, 온도의 상승이나 소비 전력의 증가를 야기시킨다. 또한, 종래의 도전성 처리 방법에서는 제조 비용의 증가를 피하는 것이 어렵다. However, when the spacer is subjected to the conductive treatment, the reactive current flowing from the first substrate to the second substrate via the spacer increases, causing an increase in temperature and an increase in power consumption. In addition, it is difficult to avoid an increase in manufacturing cost in the conventional conductive treatment method.

도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 표면 전도형 전자 방출 장치(이하, SED라 함)를 도시한 사시도이다. 1 is a perspective view showing a surface conduction electron emission device (hereinafter referred to as SED) according to a first embodiment of the present invention.

도2는 도1의 선 II-II를 따라 파단된 상기 SED의 사시도이다. FIG. 2 is a perspective view of the SED broken along line II-II of FIG.

도3은 상기 SED를 확대하여 도시한 단면도이다.3 is an enlarged cross-sectional view of the SED.

도4는 상기 SED에 이용하는 스페이서의 제조 공정에 있어서, 그리드에 제1 및 제2 금형을 장착한 상태를 도시한 단면도이다. Fig. 4 is a sectional view showing a state in which the first and second molds are attached to the grid in the manufacturing process of the spacer used for the SED.

도5는 상기 제조 공정에 있어서, 상기 금형에 스페이서 형성 재료를 충전한 후, UV 조사 및 은 페이스트 부착을 행한 상태를 도시한 단면도이다. Fig. 5 is a cross-sectional view showing a state in which UV irradiation and silver paste are applied after the mold is filled with the spacer forming material in the manufacturing step.

도6은 상기 제조 공정에 있어서, 상기 금형을 이형한 상태를 도시한 단면도이다. 6 is a cross-sectional view showing a state in which the mold is released in the manufacturing step.

도7은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 SED의 스페이서 제조 방법을 도시한 단면도이다. Fig. 7 is a sectional view showing the spacer manufacturing method of the SED according to the second embodiment of the present invention.

도8은 상기 제2 실시 형태에 관한 스페이서 제조 방법에 있어서, 도전성을 갖는 성분을 포함하는 용액을 스페이서 선단부에 부착시키는 공정을 도시한 단면도이다. 8 is a cross-sectional view showing a step of attaching a solution containing a conductive component to a spacer tip in the spacer manufacturing method according to the second embodiment.

도9는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 SED의 스페이서 제조 방법을 도시한 단면도이다. Fig. 9 is a sectional view showing the spacer manufacturing method of the SED according to the third embodiment of the present invention.

도10은 상기 제3 실시 형태에 관한 스페이서 제조 방법에 있어서, 금형에 제1 페이스트 및 제2 페이스트를 충전한 상태를 도시한 단면도이다. Fig. 10 is a sectional view showing a state in which a mold is filled with a first paste and a second paste in the spacer manufacturing method according to the third embodiment.

도11은 상기 제3 실시 형태에 관한 스페이서 제조 방법에 있어서, 금형을 이형하여 소성한 상태를 도시한 단면도이다. FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state in which a mold is released and fired in the spacer manufacturing method according to the third embodiment. FIG.

본 발명은 이상의 점에 비추어 이루어진 것으로, 그 목적은 전자 빔의 궤도 이탈을 방지하여 화상 품위가 향상된 화상 표시 장치, 이 화상 표시 장치에 이용하는 스페이서의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 스페이서를 구비한 화상 표시 장치를 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide an image display device having an improved image quality by preventing the deviation of an orbit of an electron beam, a manufacturing method of a spacer for use in the image display device, and a spacer manufactured by the manufacturing method. An image display apparatus is provided.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 형태에 관한 화상 표시 장치는 형광면을 가진 제1 기판과, 상기 제1 기판에 간극을 두고 대향 배치되어 있는 동시에 전자를 방출하여 상기 형광면을 여기하는 복수의 전자원이 설치된 제2 기판과, 각각 절연 재료로 형성되어 있는 동시에 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되어, 제1 및 제2 기판에 작용하는 대기압 하중을 지지하는 복수의 스페이서를 구비하고, 상기 각 스페이서의 상기 제1 기판측의 선단부 및 제2 기판측의 선단부는 도전성 재료가 함침되어 각각 도전성 부여부를 형성하고 있다. In order to achieve the above object, the image display device according to the aspect of the present invention includes a first substrate having a fluorescent surface, and a plurality of electrons which are disposed to face each other with a gap on the first substrate and emit electrons to excite the fluorescent surface. A second substrate provided with a circle, and a plurality of spacers each formed of an insulating material and disposed between the first substrate and the second substrate and supporting atmospheric loads acting on the first and second substrates, A conductive material is impregnated with the tip portion on the first substrate side and the tip portion on the second substrate side of each of the spacers to form a conductive imparting portion, respectively.

상기 구성의 화상 표시 장치에 따르면, 스페이서 근방에 위치한 전자원으로부터 방출된 전자는 스페이서의 양단부에 위치하는 도전성 부여부에 의해 형성된 전계에 의해 반발되어, 스페이서로부터 멀어지는 방향으로 궤도를 취한 후 그 다음에는 스페이서에 흡인되어 스페이서에 접근하는 방향으로 궤도를 취한다. 이 반발과 흡인에 의해 전자의 궤도 이탈이 상쇄되어, 전자원으로부터 방출된 전자는 최종적으로 화상 표시면의 목표 위치에 도달한다. 이에 의해, 전자의 미스 랜딩에 기인하는 색 순도의 열화를 저감시켜 화상 품위가 향상된 화상 표시 장치를 얻을 수 있다. 또한, 스페이서 전체에 도전성을 갖게 하는 경우와 비교하여 온도의 상승이나 소비 전력의 증가를 억제할 수 있다. According to the image display device of the above structure, the electrons emitted from the electron source located near the spacer are repelled by an electric field formed by the conductive imparting portions located at both ends of the spacer, and then orbited in a direction away from the spacer. It is attracted to the spacer and orbits in a direction approaching the spacer. This repulsion and suction cancel the deviation of the electrons, and the electrons emitted from the electron source finally reach the target position on the image display surface. Thereby, the deterioration of the color purity resulting from the former miss landing can be reduced, and the image display apparatus with improved image quality can be obtained. In addition, an increase in temperature and an increase in power consumption can be suppressed as compared with the case where the entire spacer has conductivity.

본 발명의 다른 형태에 관한 화상 표시 장치의 스페이서의 제조 방법은, 절연 재료에 의해 스페이서를 성형하고, 상기 성형된 스페이서의 선단부에 도전성을 갖는 성분을 포함하는 페이스트 또는 용액을 부착시켜 모세관 현상에 의해 상기 스페이서의 선단부 내에 상기 페이스트 또는 용액을 스며들게 하고, 상기 페이스트 또는 용액이 스며든 스페이서를 소성하여 도전성 재료가 함침된 도전성 부여부를 선단부에 가진 스페이서를 형성한다. In the method for manufacturing a spacer of an image display device according to another aspect of the present invention, a spacer is molded from an insulating material, and a paste or a solution containing a conductive component is attached to the tip of the molded spacer, thereby capillary action occurs. The paste or solution is impregnated into the tip of the spacer, and the spacer into which the paste or solution is soaked is fired to form a spacer having the conductive end impregnated with the conductive material at the tip.

또한, 본 발명의 다른 형태에 관한 스페이서의 제조 방법은 절연 재료에 의해 스페이서를 성형하고, 상기 성형된 스페이서의 선단부에 도전성을 갖는 성분을 포함하는 페이스트를 부착시켜 상기 페이스트가 부착된 스페이서를 가열 처리하고, 도전성을 갖는 성분을 스페이서의 선단부 내에 열확산시켜 도전성 재료가 함침된 도전성 부여부를 선단부에 가진 스페이서를 형성한다. Moreover, in the manufacturing method of the spacer which concerns on another form of this invention, a spacer is shape | molded by an insulating material, the paste containing a component which has electroconductivity is affixed on the front-end | tip of the said molded spacer, and the said paste-attached spacer is heat-processed Then, a conductive component is thermally diffused in the tip portion of the spacer to form a spacer having the electroconductive impregnation portion impregnated with the conductive material at the tip portion.

본 발명의 또 다른 형태에 관한 스페이서의 제조 방법은, 스페이서를 성형하기 위한 복수의 투과 구멍을 가진 금형을 준비하여 도전성을 갖는 성분을 포함하지 않는 제1 페이스트를 상기 투과 구멍에 주입하고, 도전성을 갖는 성분을 분산시킨 제2 페이스트를 상기 제1 페이스트에 겹쳐 상기 투과 구멍에 주입하고, 상기 제1 및 제2 페이스트를 가열 처리하여 도전성을 갖는 성분이 분산된 도전성 부여부를 선단부에 가진 스페이서를 형성한다. According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a spacer, which comprises preparing a mold having a plurality of through holes for molding a spacer, injecting a first paste containing no conductive component into the through holes, thereby providing conductivity. A second paste having a component dispersed therein is superimposed on the first paste and injected into the through hole, and the first and second pastes are heat-treated to form a spacer having a conductive end portion at which a conductive component is dispersed at a distal end thereof. .

이하 도면을 참조하면서, 본 발명을 평면형 화상 표시 장치로서 FED의 일종인 SED에 적용한 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment which applied this invention to SED which is a kind of FED as a planar image display apparatus is described in detail, referring drawings.

도1 내지 도3에 도시한 바와 같이, 이 SED는 투명한 절연 기판으로서 각각 직사각 형상의 유리로 이루어지는 제1 기판(10) 및 제2 기판(12)을 구비하고, 이들 기판은 약 1.0 내지 2.0 mm의 간극을 두고 대향 배치되어 있다. 제2 기판(12)은 제1 기판(10)보다도 약간 큰 치수로 형성되어 있다. 제1 기판(10) 및 제2 기판(12)은 유리로 이루어지는 직사각형 프레임 형상의 측벽(14)을 거쳐서 주연부끼리가 접합되고, 내부가 진공으로 유지된 편평한 직사각 형상의 진공 케이싱(15)을 구성하고 있다. As shown in Figs. 1 to 3, this SED is a transparent insulating substrate having a first substrate 10 and a second substrate 12 each formed of rectangular glass, each of which is about 1.0 to 2.0 mm. They are arranged opposite to each other with a gap of. The second substrate 12 is formed to have a size slightly larger than that of the first substrate 10. The first substrate 10 and the second substrate 12 constitute a flat rectangular vacuum casing 15 in which peripheral edges are joined to each other via a rectangular frame-shaped side wall 14 made of glass, and the inside thereof is maintained in a vacuum. Doing.

제1 기판(10)의 내면에는 형광면으로서 형광체 스크린(16)이 형성되어 있다. 형광체 스크린(16)은 전자의 충돌에 의해 적색, 녹색, 청색으로 발광하는 형광체층(R, G, B) 및 흑색 차광층(11)이 나란히 구성되어 있다. 형광체층(R, G, B)은 스트라이프 형상 혹은 돗트 형상으로 형성되어 있다. 형광체 스크린(16) 상에는 알루미늄 등으로 이루어지는 메탈백(17)이 형성되어 있다. 제1 기판(10)과 형광체 스크린(16) 사이에, 예를 들어 ITO 등으로 이루어지는 투명 도전막 혹은 컬러 필터막을 설치해도 좋다. The phosphor screen 16 is formed on the inner surface of the first substrate 10 as a phosphor surface. The phosphor screen 16 is composed of phosphor layers (R, G, B) and a black light shielding layer (11) side by side which emit red, green, and blue light due to the collision of electrons. The phosphor layers R, G, and B are formed in a stripe shape or a dot shape. On the phosphor screen 16, a metal back 17 made of aluminum or the like is formed. Between the first substrate 10 and the phosphor screen 16, for example, a transparent conductive film made of ITO or the like or a color filter film may be provided.

제2 기판(12)의 내면에는 형광체 스크린(16)의 형광체층(R, G, B)을 여기하는 전자원으로서, 각각 전자 빔을 방출하는 다수의 표면 전도형 전자 방출 소자(18)가 설치되어 있다. 이들 전자 방출 소자(18)는 화소마다 대응하여 복수열 및 복수행으로 배열되어 있다. 각 전자 방출 소자(18)는, 도시하지 않은 전자 방출부 및 이 전자 방출부에 전압을 인가하는 한 쌍의 소자 전극 등으로 구성되어 있다. 제2 기판(12)의 내면 상에는 전자 방출 소자(18)에 전위를 공급하는 다수개의 배선(21)이 매트릭 형상으로 설치되고, 그 단부는 진공 케이싱(15)의 외부에 인출되어 있다. On the inner surface of the second substrate 12, a plurality of surface conduction electron emitting elements 18 are provided as electron sources for exciting the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 16, each emitting an electron beam. It is. These electron emission elements 18 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel. Each electron emission element 18 is composed of an electron emission portion (not shown) and a pair of element electrodes for applying a voltage to the electron emission portion. On the inner surface of the second substrate 12, a plurality of wirings 21 for supplying electric potential to the electron emission element 18 are provided in a metric shape, and the ends thereof are drawn out of the vacuum casing 15 outside.

접합 부재로서 기능하는 측벽(14)은, 예를 들어 저융점 유리 및 저융점 금속 등의 밀봉 부착재(20)에 의해 제1 기판(10)의 주연부 및 제2 기판(12)의 주연부에 밀봉 부착되어, 제1 기판 및 제2 기판끼리를 접합하고 있다. The side wall 14 which functions as a joining member is sealed to the periphery of the 1st board | substrate 10 and the periphery of the 2nd board | substrate 12 by the sealing adhesive 20, such as low melting glass and low melting metal, for example. It adheres and joins the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate.

도2 및 도3에 도시한 바와 같이, SED는 제1 기판(10) 및 제2 기판(12) 사이에 배치된 스페이서 어셈블리(22)를 구비하고 있다. 본 실시 형태에 있어서, 스페이서 어셈블리(22)는 판상의 그리드(24)와 그리드의 양면에 일체적으로 세워 설치된 복수의 기둥 형상의 스페이서를 구비하고 있다. As shown in Figs. 2 and 3, the SED has a spacer assembly 22 disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. As shown in Figs. In the present embodiment, the spacer assembly 22 includes a plate-shaped grid 24 and a plurality of columnar spacers which are integrally provided on both sides of the grid.

상세하게 서술하면, 그리드(24)는 제1 기판(10)의 내면과 대향한 제1 표면(24a) 및 제2 기판(12)의 내면과 대향한 제2 표면(24b)을 갖고, 이들 기판과 평행하게 배치되어 있다. 그리드(24)에는 에칭 등에 의해 다수의 전자 빔 통과 구멍(26) 및 복수의 스페이서 개공(開孔)(28)이 형성되어 있다. 전자 빔 통과 구멍(26)은 각각 전자 방출 소자(18)와 대향하여 배열되고, 전자 방출 소자로부터 방출된 전자 빔을 투과한다. 스페이서 개공(28)은 각각 전자 빔 통과 구멍(26) 사이에 위치하고 소정의 피치로 배열되어 있다. In detail, the grid 24 has a first surface 24a facing the inner surface of the first substrate 10 and a second surface 24b facing the inner surface of the second substrate 12. It is arranged parallel to. In the grid 24, a plurality of electron beam through holes 26 and a plurality of spacer openings 28 are formed by etching or the like. The electron beam passing holes 26 are respectively arranged opposite to the electron emission element 18 and transmit the electron beam emitted from the electron emission element. The spacer openings 28 are each located between the electron beam through holes 26 and are arranged at a predetermined pitch.

그리드(24)는, 예를 들어 철 - 니켈계 금속판에 의해 두께 0.1 내지 0.25 mm로 형성되어 있다. 그리드(24)의 표면에는 금속판을 구성하는 원소로 이루어지는 산화막, 예를 들어 Fe3O4 및 NiFe2O4로 이루어지는 산화막이 형성되어 있다. 그리드(24) 중 적어도 제2 기판측의 표면에는 고저항막이 형성되어 있다. 고저항막은 유리 및 세라믹 등으로 이루어지는 고저항 물질을 그리드 표면에 도포하고 소성함으로써 형성되어 있다. 고저항막의 저항은 E + 8 Ω/□ 이상으로 설정되어 있다.The grid 24 is formed with a thickness of 0.1 to 0.25 mm, for example by an iron-nickel metal plate. On the surface of the grid 24, an oxide film made of an element constituting a metal plate, for example, an oxide film made of Fe 3 O 4 and NiFe 2 O 4 is formed. A high resistance film is formed on the surface of at least the second substrate side of the grid 24. The high resistance film is formed by applying and firing a high resistance material made of glass, ceramic, or the like on the grid surface. The resistance of the high resistance film is set to E + 8 Ω / □ or more.

전자 빔 통과 구멍(26)은, 예를 들어 0.15 내지 0.25 mm × 0.15 내지 0.25 mm의 직사각 형상으로 형성되고, 스페이서 개공(28)은 예를 들어 직경이 약 0.2 내지 0.5 mm인 원형으로 형성되어 있다. 상술한 고저항막은 전자 빔 통과 구멍(26)을 규정하고 있는 벽면에도 형성되어 있다. The electron beam through hole 26 is formed into a rectangular shape of, for example, 0.15 to 0.25 mm × 0.15 to 0.25 mm, and the spacer opening 28 is formed into a circle of, for example, about 0.2 to 0.5 mm in diameter. . The high resistance film mentioned above is also formed in the wall surface which defines the electron beam passage hole 26.

그리드(24)의 제1 표면(24a) 상에는 각 스페이서 개공(28)에 겹쳐 제1 스페이서(30a)가 일체적으로 세워 설치되어 있다. 제1 스페이서(30a)의 연장 단부는, 메탈백(17) 및 형광체 스크린(16)의 흑색 차광층(11)을 거쳐서 제1 기판(10)의 내면에 접촉하고 있다. 그리드(24)의 제2 표면(24b) 상에는 각 스페이서 개공(28)에 겹쳐 제2 스페이서(30b)가 일체적으로 세워 설치되고, 그 연장 단부는 제2 기판(12)의 내면에 접촉하고 있다. 각 제2 스페이서(30b)의 연장 단부는 제2 기판(12)의 내면 상에 설치된 배선(21) 상에 위치하고 있다. On the first surface 24a of the grid 24, the first spacer 30a is integrally provided so as to overlap each spacer opening 28. The extended end of the first spacer 30a is in contact with the inner surface of the first substrate 10 via the black light shielding layer 11 of the metal back 17 and the phosphor screen 16. On the second surface 24b of the grid 24, the second spacers 30b are integrally installed so as to overlap each spacer opening 28, and the extended end thereof is in contact with the inner surface of the second substrate 12. . The extended end of each second spacer 30b is located on the wiring 21 provided on the inner surface of the second substrate 12.

제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)는 절연 재료에 의해 형성되어 있다. 제1 스페이서(30a)의 선단부 및 제2 스페이서(30b)의 선단부는, 도전성 재료가 함침되어 도전성 부여부(31a, 31b)를 각각 구성하고 있다. 각 도전성 부여부(31a, 31b)에 있어서, 도전성 재료의 함유 농도는 스페이서의 선단부로부터 중간부를 향해, 즉 그리드(24)측을 향해 서서히 감소하고 있다. The first and second spacers 30a and 30b are formed of an insulating material. The tip portion of the first spacer 30a and the tip portion of the second spacer 30b are impregnated with a conductive material to form the conductivity providing portions 31a and 31b, respectively. In each electroconductive provision part 31a, 31b, the content density | concentration of electroconductive material is gradually decreasing toward the middle part from the front-end | tip part of a spacer, ie toward the grid 24 side.

후술하는 바와 같이, 도전성 부여부(31a, 31b)는 전자 방출 소자(18)로부터 방출된 전자 빔을 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)로부터 이격되는 방향으로 반발하도록 전계를 형성한다. 각 도전성 부여부(31a, 31b)에 함유되는 도전성 재료로서는, 예를 들어 Ni, In, Ag, Au, Pt, Ir, Ru, W 등을 이용할 수 있다. 도전성 부여부(31a, 31b)의 높이 및 도전성 재료의 함유 농도는 전자 빔에 부여하는 반발력, 즉 전자 빔의 궤도 보정량을 고려하여 임의로 설정된다. As described later, the conductivity providing portions 31a and 31b form an electric field so as to repel the electron beam emitted from the electron emission element 18 in the direction away from the first and second spacers 30a and 30b. As an electroconductive material contained in each electroconductive provision part 31a, 31b, Ni, In, Ag, Au, Pt, Ir, Ru, W, etc. can be used, for example. The heights of the conductivity providing portions 31a and 31b and the content concentration of the conductive material are arbitrarily set in consideration of the repulsive force applied to the electron beam, that is, the trajectory correction amount of the electron beam.

제1 및 제2 스페이서(30a, 30b) 각각은, 그리드(24)측으로부터 연장 단부, 즉 선단부를 향해 직경이 작아진 끝이 가는 테이퍼 형상으로 형성되어 있다. 예를 들어, 각 제1 스페이서(30a)는 그리드(24)측에 위치한 기단부의 직경이 약 0.4 mm, 선단부의 직경이 약 0.3 mm, 높이가 약 0.6 mm로 형성되어 있다. 각 제2 스페이서(30b)는 그리드(24)측에 위치한 기단부의 직경이 약 0.4 mm, 선단부의 직경이 약 0.25 mm, 높이가 약 0.8 mm로 형성되어 있다. 이와 같이, 제1 스페이서(30a)의 높이는 제2 스페이서(30b)의 높이보다도 낮게 형성되어 있다. Each of the first and second spacers 30a and 30b is formed in a tapered shape having a narrow end diameter from the grid 24 side toward the extension end portion, that is, the tip portion. For example, each of the first spacers 30a is formed to have a diameter of about 0.4 mm, a diameter of a tip portion of about 0.3 mm, and a height of about 0.6 mm at the base end portion located on the grid 24 side. Each of the second spacers 30b is formed with a diameter of about 0.4 mm, a diameter of a tip of about 0.25 mm, and a height of about 0.8 mm at the base end located on the grid 24 side. Thus, the height of the 1st spacer 30a is formed lower than the height of the 2nd spacer 30b.

제1 스페이서(30a) 및 제2 스페이서(30b)의 표면 저항은 5 × 1013 Ω으로 되어 있다. 각 스페이서 개공(28), 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)는 서로 정렬하여 위치하고, 제1 및 제2 스페이서는 이 스페이서 개공(28)을 거쳐서 서로 일체적으로 연결되어 있다. 이에 의해, 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)는 그리드(24)를 양면으로부터 끼워 넣은 상태에서 그리드(24)와 일체적으로 형성되어 있다.The surface resistance of the 1st spacer 30a and the 2nd spacer 30b is 5 * 10 <13> ( ohm). Each spacer opening 28 and the first and second spacers 30a and 30b are aligned with each other, and the first and second spacers are integrally connected to each other via the spacer opening 28. Thereby, the 1st and 2nd spacers 30a and 30b are integrally formed with the grid 24 in the state which pinched the grid 24 from both surfaces.

상기한 바와 같이 구성된 스페이서 어셈블리(22)는 제1 기판(10) 및 제2 기판(12) 사이에 배치되어 있다. 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)는, 제1 기판(10) 및 제2 기판(12)의 내면에 접촉함으로써 이들 기판에 작용하는 대기압 하중을 지지하여 기판 사이의 간격을 소정치로 유지하고 있다. The spacer assembly 22 configured as described above is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. The first and second spacers 30a and 30b are in contact with the inner surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 12 to support atmospheric loads acting on these substrates to maintain the spacing between the substrates to a predetermined value. Doing.

도2에 도시한 바와 같이, SED는 그리드(24) 및 제1 기판(10)의 메탈백(17)에 전압을 인가하는 도시하지 않은 전압 공급부를 구비하고 있다. 이 전압 공급부는 그리드(24) 및 메탈백(17)에 각각 접속되고, 예를 들어 그리드(24)에 12 kV, 메탈백(17)에 12 kV 이하의 전압을 인가한다. 그리드(24)에 인가하는 전압은 제1 기판(10)에 인가하는 전압과 동일하거나 보다 높게 설정되어 있다. As shown in Fig. 2, the SED includes a voltage supply unit (not shown) for applying a voltage to the grid 24 and the metal back 17 of the first substrate 10. As shown in Figs. The voltage supply part is connected to the grid 24 and the metal back 17, respectively, and applies a voltage of 12 kV or less to the grid 24 and 12 kV or less to the metal back 17, for example. The voltage applied to the grid 24 is set equal to or higher than the voltage applied to the first substrate 10.

이 SED에 있어서, 화상을 표시하는 경우 형광체 스크린(16) 및 메탈백(17)에 애노드 전압으로 인가하고, 전자 방출 소자(18)로부터 방출된 전자 빔(B)을 애노드 전압에 의해 가속하여 형광체 스크린(16)에 충돌시킨다. 이에 의해, 형광체 스크린(16)의 형광체층이 여기되어 발광하고 화상을 표시한다. In this SED, when an image is displayed, the phosphor screen 16 and the metal back 17 are applied as an anode voltage, and the electron beam B emitted from the electron emission element 18 is accelerated by the anode voltage to cause phosphors. It hits the screen 16. As a result, the phosphor layer of the phosphor screen 16 is excited to emit light to display an image.

다음에, 이상과 같이 구성된 SED의 제조 방법에 대해 설명한다. 스페이서 어셈블리(22)를 제조하는 경우, 우선 소정 치수의 그리드(24) 및 그리드와 거의 동일한 치수를 가진 직사각형 판상의 제1 및 제2 금형(36a, 36b)을 준비한다. 이 경우, Fe - 45 내지 55 % Ni로 이루어지는 판 두께 0.12 mm의 박판을 탈지, 세정, 건조한 후, 에칭에 의해 전자 빔 통과 구멍(26) 및 스페이서 개공(28)을 형성하여 그리드(24)로 한다. 그 후, 그리드(24) 전체를 산화 처리에 의해 산화시키고, 전자 빔 통과 구멍(26) 및 스페이서 개공(28)의 내면을 포함하여 그리드 표면에 절연막을 형성한다. 또한, 절연막 상에 산화 주석 및 산화 안티몬의 미립자를 분산시킨 액체를 스프레이하여 피복하고, 이 액체를 건조 및 소성하여 고저항막을 형성한다. Next, the manufacturing method of the SED comprised as mentioned above is demonstrated. When manufacturing the spacer assembly 22, first, a grid 24 having a predetermined dimension and first and second molds 36a and 36b in a rectangular plate shape having substantially the same dimensions as the grid are prepared. In this case, after degreasing, cleaning, and drying a thin plate having a thickness of 0.12 mm made of Fe-45 to 55% Ni, the electron beam passage hole 26 and the spacer opening 28 are formed by etching to form a grid 24. do. Thereafter, the entirety of the grid 24 is oxidized by an oxidation process, and an insulating film is formed on the surface of the grid including the electron beam passage hole 26 and the inner surface of the spacer opening 28. Furthermore, the liquid which disperse | distributed the fine particle of tin oxide and antimony oxide was sprayed and coat | covered on an insulating film, and this liquid is dried and baked, and a high resistance film is formed.

도4에 도시한 바와 같이, 성형형으로서 기능하는 제1 및 제2 금형(36a, 36b)은 스페이서 형성용 투과 구멍(38a, 38b)을 갖고, 이들 투과 구멍은 각각 그리드(24)의 스페이서 개공(28)에 대응하여 배치되어 있다. 제1 금형(36a) 및 제2 금형(36b)에 있어서, 적어도 투과 구멍(38a, 38b)의 내면에는 열처리에 의해 열분해하는 수지가 도포되어 있다. As shown in Fig. 4, the first and second molds 36a and 36b functioning as molds have through holes 38a and 38b for forming spacers, and these through holes respectively open the spacers of the grid 24. It is arrange | positioned corresponding to (28). In the 1st metal mold | die 36a and the 2nd metal mold | die 36b, resin which thermally decomposes by heat processing is apply | coated at least on the inner surface of the permeation hole 38a, 38b.

제1 금형(36a)을, 각 투과 구멍(38a)이 그리드(24)의 스페이서 개공(28)과 정렬하도록 위치 결정한 상태에서 그리드의 제1 표면(24a)에 밀착시킨다. 마찬가지로 제2 금형(36b)을, 각 투과 구멍(38b)이 그리드(24)의 스페이서 개공(28)과 정렬하도록 위치 결정한 상태에서 그리드의 제2 표면(24b)에 밀착시킨다. 이들 제1 금형(36a), 그리드(24) 및 제2 금형(36b)을 도시하지 않은 클램퍼 등을 이용하여 서로 고정한다. The first die 36a is brought into close contact with the first surface 24a of the grid in a state where each of the transmission holes 38a is aligned with the spacer opening 28 of the grid 24. Similarly, the second die 36b is brought into close contact with the second surface 24b of the grid in a state where each of the transmission holes 38b is aligned with the spacer opening 28 of the grid 24. These 1st metal mold | die 36a, the grid 24, and the 2nd metal mold | die 36b are mutually fixed using the clamper etc. which are not shown in figure.

다음에, 예를 들어 제1 금형(36a)의 외면측으로부터 페이스트 형상의 스페이서 형성 재료(40)를 공급하고, 제1 금형의 투과 구멍(38a), 그리드(24)의 스페이서 개공(28) 및 제2 금형(36b)의 투과 구멍(38b)에 스페이서 형성 재료(40)를 충전한다. 스페이서 형성 재료(40)로서는, 자외선 경화형의 바인더(유기 성분) 및 유리 필러를 함유한 절연성 유리 페이스트를 이용한다. Next, for example, the paste-shaped spacer forming material 40 is supplied from the outer surface side of the first mold 36a, and the perforation holes 38a of the first mold, the spacer opening 28 of the grid 24, and The spacer forming material 40 is filled into the permeation hole 38b of the second mold 36b. As the spacer forming material 40, an insulating glass paste containing an ultraviolet curable binder (organic component) and a glass filler is used.

계속해서, 충전된 스페이서 형성 재료(40)에 대해 제1 및 제2 금형(36a, 36b)의 외면측으로부터 방사선으로서 자외선(이하, UV라 함)을 조사하여, 스페이서 형성 재료를 UV 경화시킨다. 이후, 필요에 따라서 열경화를 행해도 좋다. 다음에, 열처리에 의해 제1 및 제2 금형(36a, 36b)의 각 투과 구멍(38a, 38b)에 도포된 수지를 열분해하여, 도5에 도시한 바와 같이 스페이서 형성 재료(40)와 투과 구멍 사이에 간극을 만든다. 각 스페이서 형성 재료(40)의 양단부에, 즉 제1 스페이서(30a)가 되는 부분의 선단부 및 제2 스페이서(30b)가 되는 부분의 선단부에만, 예를 들어 스크린 인쇄법에 의해 도전성 재료로서의 은 페이스트(42)를 부착시킨다. 그 후, 제1 및 제2 금형(36a, 36b)을 그리드(24)로부터 이형한다. Subsequently, the filled spacer forming material 40 is irradiated with ultraviolet rays (hereinafter referred to as UV) from the outer surface sides of the first and second molds 36a and 36b as radiation to cure the spacer forming material. Then, you may thermoset as needed. Next, the resin applied to each of the transmission holes 38a and 38b of the first and second molds 36a and 36b is thermally decomposed by heat treatment, and as shown in Fig. 5, the spacer forming material 40 and the transmission hole are shown. Make a gap in between. Silver paste as a conductive material at both ends of each spacer forming material 40, i.e., only at the tip of the portion to be the first spacer 30a and at the tip of the portion to be the second spacer 30b, for example, by screen printing. (42) is attached. Thereafter, the first and second molds 36a and 36b are released from the grid 24.

계속해서, 스페이서 형성 재료(40)에 의해 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)가 성형된 그리드(24)를 가열로 내에서 열처리하고, 스페이서 형성 재료 내로부터 바인더를 비산시킨 후, 약 500 내지 550 ℃에서 30분 내지 1시간, 스페이서 형성 재료 및 은 페이스트(42)를 본 소성한다. 이에 의해, 도6에 도시한 바와 같이 그리드(24) 상에 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)가 만들어 넣어진 스페이서 어셈블리(22)를 얻을 수 있다. 동시에, 은 페이스트(42) 중의 은 성분이 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)의 선단부 내의 약 0.15 mm 정도의 범위에 걸쳐 확산된다. 그 결과, 각각 선단부에 은을 함유한 도전성 부여부(31a, 31b)를 벌그로서 구비한, 즉 일체적으로 구비한 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)를 얻을 수 있다. Subsequently, the grid 24 in which the first and second spacers 30a and 30b were formed by the spacer forming material 40 was heat-treated in a heating furnace, and after the binder was scattered from the spacer forming material, about 500 30 to 1 hour at -550 degreeC, the spacer formation material and the silver paste 42 are baked together. Thereby, as shown in FIG. 6, the spacer assembly 22 in which the 1st and 2nd spacers 30a and 30b were formed on the grid 24 can be obtained. At the same time, the silver component in the silver paste 42 diffuses over the range of about 0.15 mm in the tip portions of the first and second spacers 30a and 30b. As a result, the first and second spacers 30a and 30b, which are provided integrally with the conductive imparting portions 31a and 31b containing silver at the distal ends, that is, integrally provided, can be obtained.

한편, 미리 형광체 스크린(16) 및 메탈백(17)이 설치된 제1 기판(10)과, 전자 방출 소자(18) 및 배선(21)이 설치되어 있는 동시에 측벽(14)이 접합된 제2 기판(12)을 준비해 둔다. On the other hand, the second substrate on which the first substrate 10 on which the phosphor screen 16 and the metal back 17 are provided, the electron emission element 18 and the wiring 21 are provided, and the sidewall 14 is bonded to each other. Prepare (12).

계속해서, 상기한 바와 같이 구성된 스페이서 어셈블리(22)를 제2 기판(12) 상에 위치 결정 배치한다. 이 때, 제2 스페이서(30b)의 연장 단부가 각각 배선(21) 상에 배치되도록 스페이서 어셈블리(22)를 위치 결정한다. 이 상태에서, 제1 기판(10), 제2 기판(12) 및 스페이서 어셈블리(22)를 진공 챔버 내에 배치하여 진공 챔버 내를 진공 배기한 후, 측벽(14)을 거쳐서 제1 기판을 제2 기판에 접합한다. 이에 의해, 스페이서 어셈블리(22)를 구비한 SED가 제조된다. Subsequently, the spacer assembly 22 configured as described above is positioned on the second substrate 12. At this time, the spacer assembly 22 is positioned so that the extended ends of the second spacers 30b are disposed on the wirings 21, respectively. In this state, the first substrate 10, the second substrate 12, and the spacer assembly 22 are disposed in the vacuum chamber to evacuate the vacuum chamber, and then the first substrate is passed through the side wall 14 to the second substrate. Bond to the substrate. Thereby, the SED provided with the spacer assembly 22 is manufactured.

이상과 같이 구성된 SED에 따르면, 도3에 도시한 바와 같이 제2 스페이서(30b)의 근방에 위치한 전자 방출 소자(18)로부터 방출된 전자 빔(B)은 제2 스페이서(30b)의 선단부를 구성한 도전성 부여부(31b)가 형성하는 전계에 의해 반발되어, 제2 스페이서로부터 멀어지는 방향으로 궤도를 취하면서 전자 빔 통과 구멍(26)을 향한다. 그 후, 전자 빔(B)은 그 다음에는 대전한 제2 스페이서(30b) 및 제1 스페이서(30a)에 흡인되고, 이들 스페이서에 접근하는 방향으로 궤도를 취한다. 또한, 전자 빔(B)은 제1 스페이서(30a)의 선단부를 구성한 도전성 부여부(31a)가 형성하는 전계에 의해 반발되어, 제1 스페이서로부터 멀어지는 방향으로 궤도를 취하면서 형광체 스크린(16)을 향한다. 이 반발과 흡인에 의해 전자 빔(B)의 궤도 이탈이 상쇄되어, 전자 방출 소자(18)로부터 방출된 전자 빔(B)은 최종적으로 형광체 스크린(16)이 목표로 하는 형광체층에 도달한다. According to the SED configured as described above, as shown in FIG. 3, the electron beam B emitted from the electron emission element 18 located near the second spacer 30b constitutes the front end of the second spacer 30b. It repulses by the electric field which the electroconductivity provision part 31b forms, and it goes to the electron beam passage hole 26, orbiting in the direction away from a 2nd spacer. Thereafter, the electron beam B is then attracted to the charged second spacer 30b and the first spacer 30a, and orbits in a direction approaching these spacers. In addition, the electron beam B is repelled by an electric field formed by the conductivity providing portion 31a constituting the tip of the first spacer 30a, and traverses the phosphor screen 16 while orbiting in a direction away from the first spacer. Headed. This repulsion and suction cancel out of the orbit of the electron beam B, and the electron beam B emitted from the electron emission element 18 finally reaches the phosphor layer targeted by the phosphor screen 16.

전자 방출 소자(18)와 스페이서의 거리가 작을수록 전자 빔이 스페이서측으로 이동하는 양은 크고, 반대로 전자 방출 소자와 스페이서의 거리가 충분히 큰 경우 전자 빔이 스페이서측으로 이동하는 양은 무시할 수 있는 양이 된다. 전자 빔의 이동 현상은, 형광면에서 발생된 2차 전자 및 반사 전자가 스페이서에 충돌하여 스페이서가 대전함으로써 발생한다. SED에서 사용되는 가속 전압인 경우, 스페이서 표면에서의 2차 전자 방출 계수가 1 이상이 되어, 스페이서 측벽은 플러스로 대전하여 전자 빔을 스페이서측으로 끌어당기게 된다. The smaller the distance between the electron-emitting device 18 and the spacer is, the larger the amount the electron beam moves toward the spacer side. On the contrary, when the distance between the electron-emitting device and the spacer is sufficiently large, the amount that the electron beam moves toward the spacer side becomes negligible. The movement phenomenon of the electron beam occurs when secondary electrons and reflected electrons generated at the fluorescent surface collide with the spacers and the spacers are charged. In the case of the acceleration voltage used in the SED, the secondary electron emission coefficient at the spacer surface becomes 1 or more, and the spacer sidewalls are positively charged to attract the electron beam to the spacer side.

본 SED에서는, 스페이서의 대전을 피하는 것은 아니며, 제1 스페이서(30a)의 제1 기판(10)측의 선단부 및 제2 스페이서(30b)의 제2 기판(12)측의 선단부에 각각 도전성 부여부(31a, 31b)를 설치함으로써, 전자 빔을 스페이서로부터 멀어지는 방향으로 반발하는 전계를 형성하고 있다. 도전성 부여부(31a, 31b)의 높이를 제어함으로써 전계의 강도를 바꾸어 반발량을 제어할 수 있다. In the present SED, the charging of the spacers is not avoided, and the conductivity providing portions are respectively provided at the distal end portion of the first substrate 10 side of the first spacer 30a and the distal end portion of the second substrate 12 side of the second spacer 30b. By providing 31a and 31b, an electric field for repelling the electron beam in a direction away from the spacer is formed. By controlling the heights of the conductivity providing portions 31a and 31b, the amount of repulsion can be controlled by changing the strength of the electric field.

따라서, 본 SED에 따르면 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)가 대전하여 이들 스페이서에 의해 전자 빔(B)이 끌어 당겨진 경우라도, 전자 빔의 궤도 이탈을 방지할 수 있다. 이에 의해, 전자 빔(B)의 미스 랜딩을 방지하여 색 순도의 열화를 저감시켜 화상 품위가 향상된 SED를 얻을 수 있다. Therefore, according to the present SED, even when the first and second spacers 30a and 30b are charged and the electron beam B is pulled by these spacers, the deviation of the trajectory of the electron beam can be prevented. Thereby, the SED can be obtained by preventing the mis-landing of the electron beam B, reducing the deterioration of color purity, and improving the image quality.

스페이서에 설치된 도전성 부여부 중, 제2 기판(12)측의 도전성 부여부(31b)는 전자 빔의 출사측에 근접하므로, 이 도전성 부여부(31b)에 의해 형성된 전계는 전자 빔의 궤도에 큰 영향을 준다. 즉, 전자 빔은 도전성 부여부(31b)에 의해 형성된 전계에 대해 감도가 높다. 그로 인해, 도전성 부여부(31b)의 제2 기판(12)으로부터의 높이가 약간이라도 변화하면, 전자 빔의 궤도가 크게 변화한다. 이 이유로부터 제2 기판측의 도전성 부여부(31b)만으로 전자 빔의 궤도를 제어하고자 한 경우, 제조 공정에서 도전성 부여부(31b)의 높이에 변동이 발생되면 복수의 전자 방출 소자로부터 출사된 전자 빔 사이에서 이동량의 차가 발생되어, 전자 빔 궤도를 정확하게 제어하는 것이 어렵다. Of the conductivity providing portions provided in the spacer, the conductivity providing portion 31b on the second substrate 12 side is close to the emission side of the electron beam, so that the electric field formed by the conductivity providing portion 31b is large in the trajectory of the electron beam. affect. That is, the electron beam has high sensitivity to the electric field formed by the conductivity providing portion 31b. Therefore, if the height from the 2nd board | substrate 12 of the electroconductive provision part 31b changes a little, the trajectory of an electron beam will change large. For this reason, when the trajectory of the electron beam is to be controlled only by the conductivity providing portion 31b on the second substrate side, electrons emitted from the plurality of electron emitting elements are generated when a variation occurs in the height of the conductivity providing portion 31b in the manufacturing process. Differences in the amount of movement between the beams occur, making it difficult to accurately control the electron beam trajectory.

그러나, 본 실시 형태에 관한 SED에 따르면 제1 스페이서(30a) 및 제2 스페이서(30b)의 양 스페이서의 선단부에 도전성 부여부(31a, 31b)를 설치하고, 도전성 부여부(31b)의 전자 빔 궤도에의 작용을 억제하는 경향으로 하여, 감도가 낮은 도전성 부여부(31a)에 의해 궤도 보정의 부족분을 보정하고 있다. 이에 의해, 전자 빔 궤도를 용이하고 정확하게 제어하는 것이 가능해진다. However, according to the SED according to the present embodiment, the conductive provision portions 31a and 31b are provided at the front end portions of both the spacers of the first spacer 30a and the second spacer 30b, and the electron beam of the conductivity provision portion 31b is provided. As a tendency to suppress the action on the track, the shortage of the track correction is corrected by the electroconductive provision part 31a having low sensitivity. This makes it possible to easily and accurately control the electron beam trajectory.

이에 의해, 도전성 부여부(31a, 31b)의 제조 정밀도를 낮추어, 도전성 부여부(31a, 31b)를 용이하게 제조하는 것이 가능해진다. 즉, 도전성 부여부를 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)의 양쪽 선단부에 설치함으로써, 제2 기판(12)측만큼 도전성 부여부를 높인 높은 정밀도로 설치한 경우와 동일한 효과를 쉽게 얻을 수 있다. Thereby, manufacturing precision of electroconductivity provision part 31a, 31b can be lowered, and it becomes possible to manufacture electroconductivity provision part 31a, 31b easily. That is, by providing the electroconductive provision part at the front-end | tip of both the 1st and 2nd spacers 30a and 30b, the effect similar to the case where the electroconductivity provision part is provided with the high precision provided only by the 2nd board | substrate 12 side can be acquired easily.

제1 및 제2 스페이서(30a, 30b) 전체에 도전 처리를 실시한 경우, 스페이서를 거쳐서 제1 기판(10)으로부터 제2 기판(12)으로 흐르는 무효 전류가 증가하여, 온도의 상승이나 소비 전력의 증가를 야기시킨다. 또한, SED의 동작 중 이 도전 처리부가 가스의 발생원이 되어, 스페이서 근방에 배치된 전자 방출 소자의 이온 충격을 야기시키는 경우도 있다. When conducting the entire first and second spacers 30a and 30b, the reactive current flowing from the first substrate 10 to the second substrate 12 through the spacer increases to increase the temperature and the power consumption. Causes an increase. In addition, during the operation of the SED, this conductive processing portion may be a source of gas generation, causing an ion bombardment of the electron-emitting device disposed in the vicinity of the spacer.

이에 대해, 본 실시 형태에 따르면 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)의 선단부에 도전성 부여부(31a, 31b)를 형성하고, 스페이서 전체적으로 도전부 - 절연부 - 도전부의 3단 구조로 하고 있다. 이에 의해, 무효 전류의 증가, 온도의 상승이나 소비 전력의 증가, 이온 충돌을 야기시키는 일 없이 도전성 부여부(31a, 31b)에 의해 스페이서 주변의 전계를 바꾸어 전자 빔의 궤도를 용이하고 또한 정확하게 제어할 수 있다. On the other hand, according to this embodiment, the electroconductive provision part 31a, 31b is formed in the front-end | tip of 1st and 2nd spacer 30a, 30b, and the spacer has the 3-stage structure of the electroconductive part-insulation part-electroconductive part. . This makes it possible to easily and accurately control the trajectory of the electron beam by changing the electric field around the spacer by the conductive provision parts 31a and 31b without causing an increase in reactive current, an increase in temperature, an increase in power consumption, or ion collision. can do.

본 실시 형태에 관한 SED와 상술한 도전성 부여부(31a, 31b)를 갖지 않는 스페이서가 설치된 SED를 준비하여, 전자 빔의 이동량을 비교하였다. 그 결과, 도전성 부여부(31a, 31b)가 설치되어 있지 않은 SED에서는 전자 빔이 스페이서측으로 약 120 ㎛ 흡인된 데 반해, 본 실시 형태에 관한 SED에서는 전자 빔의 이동량이 ± 20 ㎛가 되어 표시 화상의 색 순도도 개선되었다. The SED concerning this embodiment and the SED provided with the spacer which does not have the electroconductive provision part 31a, 31b mentioned above were prepared, and the movement amount of the electron beam was compared. As a result, in the SED in which the conductivity providing portions 31a and 31b are not provided, the electron beam is attracted to the spacer side by about 120 µm, whereas in the SED according to the present embodiment, the amount of movement of the electron beam becomes ± 20 µm, thereby displaying a display image. The color purity of the was also improved.

본 SED에 따르면, 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 사이에 그리드(24)가 배치되어 있는 동시에, 제1 스페이서(30a)의 높이는 제2 스페이서(30b)의 높이보다도 낮게 형성되어 있다. 이에 의해, 그리드(24)는 제2 기판(12)보다도 제1 기판(10)측에 접근하여 위치하고 있다. 그로 인해, 제1 기판(10)측으로부터 방전이 발생된 경우라도, 그리드(24)에 의해 제2 기판(12) 상에 설치된 전자 방출 소자(18)의 방전 파손을 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 방전에 대한 내압성이 우수하여 화상 품위가 향상된 SED를 얻을 수 있다. According to the present SED, the grid 24 is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12, and the height of the first spacer 30a is lower than that of the second spacer 30b. have. As a result, the grid 24 is located closer to the first substrate 10 side than the second substrate 12. Therefore, even when discharge is generated from the first substrate 10 side, the breakage of the discharge of the electron emission element 18 provided on the second substrate 12 by the grid 24 can be suppressed. Therefore, it is possible to obtain an SED having excellent pressure resistance against discharge and improved image quality.

상기 구성의 SED에 따르면, 제1 스페이서(30a)의 높이를 제2 스페이서(30b)보다도 낮게 형성함으로써, 그리드(24)에 인가하는 전압을 제1 기판(10)에 인가하는 전압보다 크게 한 경우라도, 전자 방출 소자(18)로부터 발생된 전자를 형광체 스크린측으로 확실하게 도달시킬 수 있다. According to the SED of the above structure, when the height of the first spacer 30a is made lower than the second spacer 30b, the voltage applied to the grid 24 is made larger than the voltage applied to the first substrate 10. Even if the electrons generated from the electron emission element 18 can be reliably reached to the phosphor screen side.

다음에, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 스페이서의 제조 방법에 대해 설명한다. 상술한 제1 실시 형태와 동일한 방법에 의해 소정 치수의 그리드(24)를 형성하고, 또한 제1 및 제2 금형(36a, 36b)을 준비한다. 계속해서, 도4에 도시한 경우와 마찬가지로 제1 금형(36a)을 각 투과 구멍(38a)이 그리드(24)의 스페이서 개공(28)과 정렬하도록 위치 결정한 상태에서 그리드의 제1 표면(24a)에 밀착시킨다. 마찬가지로, 제2 금형(36b)을 각 투과 구멍(38b)이 그리드(24)의 스페이서 개공(28)과 정렬하도록 위치 결정한 상태에서 그리드의 제2 표면(24b)에 밀착시킨다. 그리고, 이들 제1 금형(36a), 그리드(24) 및 제2 금형(36b)을 도시하지 않은 클램퍼 등을 이용하여 서로 고정한다. Next, the manufacturing method of the spacer which concerns on 2nd Embodiment of this invention is demonstrated. The grid 24 of predetermined dimensions is formed by the same method as the above-described first embodiment, and the first and second molds 36a and 36b are prepared. Subsequently, similarly to the case shown in FIG. 4, the first surface 24a of the grid with the first mold 36a positioned so that each of the through holes 38a is aligned with the spacer opening 28 of the grid 24. In close contact. Similarly, the second die 36b is brought into close contact with the second surface 24b of the grid with the respective through holes 38b positioned to align with the spacer openings 28 of the grid 24. And the 1st metal mold | die 36a, the grid 24, and the 2nd metal mold | die 36b are mutually fixed using the clamper etc. which are not shown in figure.

다음에, 예를 들어 제1 금형(36a)의 외면측으로부터 페이스트 형상의 스페이서 형성 재료(40)를 공급하고, 제1 금형의 투과 구멍(38a), 그리드(24)의 스페이서 개공(28) 및 제2 금형(36b)의 투과 구멍(38b)에 스페이서 형성 재료(40)를 충전한다. 스페이서 형성 재료(40)로서는 UV 경화형 바인더(유기 성분) 및 유리 필러를 함유한 절연성 유리 페이스트를 이용한다. Next, for example, the paste-shaped spacer forming material 40 is supplied from the outer surface side of the first mold 36a, and the perforation holes 38a of the first mold, the spacer opening 28 of the grid 24, and The spacer forming material 40 is filled into the permeation hole 38b of the second mold 36b. As the spacer forming material 40, an insulating glass paste containing a UV curable binder (organic component) and a glass filler is used.

계속해서, 충전된 스페이서 형성 재료(40)에 대해 제1 및 제2 금형(36a, 36b)의 외면측으로부터 UV를 조사하여 스페이서 형성 재료를 UV 경화시킨다. 이후, 필요에 따라서 열경화를 행해도 좋다. 다음에, 열처리에 의해 제1 및 제2 금형(36a, 36b)의 각 투과 구멍(38a, 38b)에 도포된 수지를 열분해하여, 도7에 도시한 바와 같이 스페이서 형성 재료(40)와 투과 구멍 사이에 간극을 만든다. 그 후, 제1 및 제2 금형(36a, 36b)을 그리드(24)로부터 이형한다. Subsequently, the filled spacer forming material 40 is irradiated with UV from the outer surface sides of the first and second molds 36a and 36b to cure the spacer forming material. Then, you may thermoset as needed. Next, the resin applied to each of the transmission holes 38a and 38b of the first and second molds 36a and 36b is thermally decomposed by heat treatment, and as shown in FIG. 7, the spacer forming material 40 and the transmission hole are shown. Make a gap in between. Thereafter, the first and second molds 36a and 36b are released from the grid 24.

계속해서, 스페이서 형성 재료(40)에 의해 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)가 성형된 그리드(24)를 가열로 내에서 열처리하고, 스페이서 형성 재료 내로부터 바인더를 비산하여 탈바인더 처리를 행한다. 그 후, 도8에 도시한 바와 같이 스페이서 형성 재료(40)가 소결 전의 다공질 상태에서, 제1 스페이서(30a)의 선단부 및 제2 스페이서(30b)의 선단부에만, 예를 들어 잉크젯에 의해 은의 초미립자와 에트라데칸액으로 이루어지는 용액을 부착시킨다. 부착된 용액은, 모세관 현상에 의해 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)의 선단부 내에 약 0.2 mm 정도 침투한다. Subsequently, the grid 24 in which the first and second spacers 30a and 30b are formed by the spacer forming material 40 is heat-treated in a heating furnace, and the binder is scattered from the spacer forming material to remove the binder. Do it. Then, as shown in Fig. 8, in the porous state before the sintering of the spacer forming material 40, the ultrafine particles of silver only by the tip of the first spacer 30a and the tip of the second spacer 30b, for example, by inkjet. And a solution consisting of etadecane solution. The attached solution penetrates about 0.2 mm into the tip portions of the first and second spacers 30a and 30b by capillary action.

다음에, 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)가 성형된 그리드(24)를 가열로 내에 배치하여, 약 500 내지 550 ℃에서 30분 내지 1시간 본 소성한다. 본 소성에 의해, 스페이서 형성 재료를 구성하는 유리 입자가 일체화되어, 그리드(24) 상에 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)가 만들어 넣어진 스페이서 어셈블리(22)를 얻을 수 있다. 동시에, 각각 선단부에 은을 함유한 도전성 부여부(31a, 31b)를 벌그로서 구비한 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)를 얻을 수 있다. Next, the grid 24 in which the first and second spacers 30a and 30b are formed is placed in a heating furnace, and main baking is performed at about 500 to 550 ° C. for 30 minutes to 1 hour. By the main baking, the glass particles constituting the spacer forming material are integrated to obtain a spacer assembly 22 in which the first and second spacers 30a and 30b are formed on the grid 24. At the same time, the first and second spacers 30a and 30b each having the conductivity-providing portions 31a and 31b containing silver as a bulk at the distal end can be obtained.

그 후, 제1 실시 형태와 동일한 방법에 의해 제1 기판(10), 스페이서 어셈블리(22) 및 제2 기판을 조립함으로써 스페이서 어셈블리(22)를 구비한 SED를 얻을 수 있다. Then, the SED provided with the spacer assembly 22 can be obtained by assembling the first substrate 10, the spacer assembly 22, and the second substrate in the same manner as in the first embodiment.

본 실시 형태에 관한 SED와 상술한 도전성 부여부(31a, 31b)를 갖지 않는 스페이서가 설치된 SED를 준비하여, 전자 빔의 이동량을 비교하였다. 그 결과, 도전성 부여부(31a, 31b)가 설치되어 있지 않은 SED에서는 전자 빔이 스페이서측으로 약 120 ㎛ 흡인된 데 반해, 본 실시 형태에 관한 SED에서는 전자 빔의 이동량이 ± 20 ㎛가 되어 표시 화상의 색 순도도 개선되었다. The SED concerning this embodiment and the SED provided with the spacer which does not have the electroconductive provision part 31a, 31b mentioned above were prepared, and the movement amount of the electron beam was compared. As a result, in the SED in which the conductivity providing portions 31a and 31b are not provided, the electron beam is attracted to the spacer side by about 120 µm, whereas in the SED according to the present embodiment, the amount of movement of the electron beam becomes ± 20 µm, thereby displaying a display image. The color purity of the was also improved.

또한, 다른 구성은 상술한 제1 실시 형태와 동일하며, 동일한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 제2 실시 형태에 관한 제조 방법에 의해 제조된 스페이서를 구비한 SED에 있어서도, 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. In addition, another structure is the same as that of 1st Embodiment mentioned above, the same code | symbol is attached | subjected to the same part, and the detailed description is abbreviate | omitted. Also in SED provided with the spacer manufactured by the manufacturing method which concerns on 2nd Embodiment, the effect similar to 1st Embodiment can be acquired.

다음에, 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 스페이서의 제조 방법에 대해 설명한다. 제1 실시 형태와 동일한 방법에 의해, 그리드(24)를 형성하는 동시에 제1 및 제2 금형(36a, 36b)을 준비한다. 계속해서, 도9에 도시한 바와 같이 제1 금형(36a)을 각 투과 구멍(38a)이 그리드(24)의 스페이서 개공(28)과 정렬하도록 위치 결정한 상태에서 그리드의 제1 표면(24a)에 밀착시킨다. 마찬가지로, 제2 금형(36b)을 각 투과 구멍(38b)이 그리드(24)의 스페이서 개공(28)과 정렬하도록 위치 결정한 상태에서 그리드의 제2 표면(24b)에 밀착시킨다. 그리고, 이들 제1 금형(36a), 그리드(24) 및 제2 금형(36b)을 도시하지 않은 클램퍼 등을 이용하여 서로 고정한다. Next, the manufacturing method of the spacer which concerns on 3rd Embodiment of this invention is demonstrated. By the method similar to 1st Embodiment, the grid 24 is formed and the 1st and 2nd metal mold | die 36a, 36b is prepared. Subsequently, as shown in Fig. 9, the first die 36a is positioned on the first surface 24a of the grid in a state where each of the transmission holes 38a is aligned with the spacer opening 28 of the grid 24. Close contact Similarly, the second die 36b is brought into close contact with the second surface 24b of the grid with the respective through holes 38b positioned to align with the spacer openings 28 of the grid 24. And the 1st metal mold | die 36a, the grid 24, and the 2nd metal mold | die 36b are mutually fixed using the clamper etc. which are not shown in figure.

다음에, 예를 들어 제1 금형(36a)의 외면측으로부터 스페이서 형성 재료로서 제1 페이스트(40)a를 공급하고, 제1 금형의 투과 구멍(38a), 그리드(24)의 스페이서 개공(28) 및 제2 금형(36b)의 투과 구멍(38b)에 스페이서 형성 재료(40)를 충전한다. 이 때, 투과 구멍(38a)의 단부 및 투과 구멍(38b)의 단부에는 제1 페이스트(40a)를 충전하지 않고 공간을 남겨 둔다. 제1 페이스트(40a)로서는 UV 경화형 바인더 및 유리 필러를 함유한 절연성 유리 페이스트를 이용하여, 도전성을 갖는 성분을 포함하지 않는 페이스트로 한다. Next, for example, the first paste 40a is supplied as the spacer forming material from the outer surface side of the first mold 36a, and the perforation holes 38a of the first mold and the spacer openings 28 of the grid 24 are then supplied. ) And the through hole 38b of the second mold 36b are filled with the spacer forming material 40. At this time, a space is left at the end of the permeation hole 38a and at the end of the permeation hole 38b without filling the first paste 40a. As the 1st paste 40a, it is set as the paste which does not contain the component which has electroconductivity using the insulating glass paste containing a UV curable binder and a glass filler.

계속해서, 제1 금형(36a) 및 제2 금형(36b)의 외면측으로부터 스페이서 형성 재료로서 제2 페이스트(40b)를 공급하고, 제1 페이스트에 겹쳐 투과 구멍(38a, 38b)의 단부에 주입한다. 제2 페이스트(40b)로서는, UV 경화형 바인더(유기 성분) 및 유리 필러를 함유하고 있는 동시에 도전성을 갖는 성분으로서 Au의 입자가 확산된 유리 페이스트를 이용한다. Subsequently, the second paste 40b is supplied as the spacer forming material from the outer surface sides of the first mold 36a and the second mold 36b, and is superposed on the first paste and injected into the end portions of the through holes 38a and 38b. do. As the second paste 40b, a glass paste containing Au curable binder (organic component) and a glass filler and having Au particles diffused as a conductive component is used.

계속해서, 충전된 제1 및 제2 페이스트(40a, 40b)에 대해 제1 및 제2 금형(36a, 36b)의 외면측으로부터 UV를 조사하여, 제1 및 제2 페이스트를 UV 경화시킨다. 이후, 필요에 따라서 열경화를 행해도 좋다. 다음에, 열처리에 의해 제1 및 제2 금형(36a, 36b)의 각 투과 구멍(38a, 38b)에 도포된 수지를 열분해하여, 제1 및 제2 페이스트(40a, 40b)와 투과 구멍 사이에 간극을 만든다. 그 후, 제1 및 제2 금형(36a, 36b)을 그리드(24)로부터 이형한다. Subsequently, UV is irradiated to the filled first and second pastes 40a and 40b from the outer surface side of the first and second molds 36a and 36b to cure the first and second pastes. Then, you may thermoset as needed. Next, the resin applied to each of the transmission holes 38a and 38b of the first and second molds 36a and 36b is thermally decomposed by heat treatment, and is formed between the first and second pastes 40a and 40b and the transmission holes. Create a gap Thereafter, the first and second molds 36a and 36b are released from the grid 24.

이형 후, 제1 및 제2 페이스트(40a, 40b)에 의해 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)가 성형된 그리드(24)를 가열로 내에서 열처리하고, 제1 및 제2 페이스트 내로부터 바인더를 비산시켜 탈바인더 처리를 행한다. 또한, 제1 및 제2 페이스트(40a, 40b)를 약 500 내지 550 ℃에서 30분 내지 1시간 본 소성한다. 이에 의해, 도11에 도시한 바와 같이 그리드(24) 상에 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)가 만들어 넣어진 스페이서 어셈블리(22)를 얻을 수 있다. 동시에, 각각 선단부에 Au가 분산된 도전성 부여부(31a, 31b)를 벌그로서 구비한 제1 및 제2 스페이서(30a, 30b)를 얻을 수 있다. After releasing, the grid 24 formed with the first and second spacers 30a and 30b by the first and second pastes 40a and 40b is heat-treated in a heating furnace, and then removed from the first and second pastes. The binder is scattered to remove the binder. In addition, the first and second pastes 40a and 40b are baked at about 500 to 550 ° C. for 30 minutes to 1 hour. Thereby, as shown in FIG. 11, the spacer assembly 22 in which the 1st and 2nd spacers 30a and 30b were formed on the grid 24 can be obtained. At the same time, the first and second spacers 30a and 30b each having the conductivity providing portions 31a and 31b in which Au is dispersed at the distal ends as a bulk can be obtained.

그 후, 제1 실시 형태와 동일한 방법에 의해, 제1 기판(10), 스페이서 어셈블리(22) 및 제2 기판을 조립함으로써, 스페이서 어셈블리(22)를 구비한 SED를 얻을 수 있다. Then, the SED provided with the spacer assembly 22 can be obtained by assembling the first substrate 10, the spacer assembly 22, and the second substrate by the same method as in the first embodiment.

본 실시 형태에 관한 SED와 상술한 도전성 부여부(31a, 31b)를 갖지 않는 스페이서가 설치된 SED를 준비하여, 전자 빔의 이동량을 비교하였다. 그 결과, 도전성 부여부(31a, 31b)가 설치되어 있지 않은 SED에서는 전자 빔이 스페이서측으로 약 120 ㎛ 흡인된 데 반해, 본 실시 형태에 관한 SED에서는 전자 빔의 이동량이 ± 20 ㎛가 되어 표시 화상의 색 순도도 개선되었다. The SED concerning this embodiment and the SED provided with the spacer which does not have the electroconductive provision part 31a, 31b mentioned above were prepared, and the movement amount of the electron beam was compared. As a result, in the SED in which the conductivity providing portions 31a and 31b are not provided, the electron beam is attracted to the spacer side by about 120 µm, whereas in the SED according to the present embodiment, the amount of movement of the electron beam becomes ± 20 µm, thereby displaying a display image. The color purity of the was also improved.

또한, 제3 실시 형태에 있어서 다른 구성은 전술한 제1 실시 형태와 동일하며, 동일한 부분에는 동일한 참조 부호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다. 그리고, 제3 실시 형태에 관한 제조 방법에 의해 제조된 스페이서를 구비한 SED에 있어서도 제1 실시 형태와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. In addition, in 3rd Embodiment, the other structure is the same as that of 1st Embodiment mentioned above, The same code | symbol is attached | subjected to the same part, and the detailed description is abbreviate | omitted. And also in the SED provided with the spacer manufactured by the manufacturing method which concerns on 3rd Embodiment, the effect similar to 1st Embodiment can be acquired.

본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 일 없이, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 본 발명은 그리드를 구비한 화상 표시 장치에 한정되지 않으며, 그리드를 갖지 않는 화상 표시 장치에도 적용 가능하다. 이 경우, 각각 일체적으로 형성된 기둥 형상 혹은 판상의 스페이서를 이용하여, 각 스페이서의 제1 기판측의 선단부 및 제2 기판측의 선단부에 도전성 부여부를 일체적으로 설치함으로써 상기와 동일한 작용 효과를 얻을 수 있다. The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible within the scope of the present invention. For example, the present invention is not limited to an image display apparatus having a grid, but is also applicable to an image display apparatus having no grid. In this case, by using the columnar or plate-shaped spacers formed integrally with each other, the electroconductive provision portions are integrally provided at the tip end portion on the first substrate side and the tip end portion on the second substrate side of each spacer to obtain the same effects as described above. Can be.

또한, 본 발명에 있어서 스페이서의 직경이나 높이, 그 밖의 구성 요소의 치수, 재질 등은 필요에 따라서 적절하게 선택 가능하다. 상술한 실시 형태에 있어서, 스페이서의 제2 기판측의 단부는 제2 기판의 배선 상에 설치하는 구성으로 하였지만, 배선 상에 한정되지 않고 전자 방출 소자를 피한 위치에서 제2 기판 상에 설치되어 있어도 좋다. 그리드의 스페이서 개공은 생략해도 된다. In addition, in this invention, the diameter and height of a spacer, the dimension, material, etc. of other components can be suitably selected as needed. In the above-mentioned embodiment, although the edge part of the side of the 2nd board | substrate side of a spacer was provided on the wiring of a 2nd board | substrate, it is not limited to a wiring, Even if it is provided on the 2nd board | substrate in the position which avoided the electron emission element. good. The opening of the spacer of the grid may be omitted.

그리드(24)의 전위와 제1 기판의 전위를 같은 전위로 설정한 경우, 제1 스페이서 전체에 도전성 재료를 함침시켜 제1 스페이서 전체를 도전성 부여부로서 형성할 수도 있다. When the potential of the grid 24 and the potential of the first substrate are set to the same potential, the entirety of the first spacer may be impregnated with the conductive material to form the entirety of the first spacer as the conductivity providing portion.

또한, 상술한 실시 형태에서는 제1 및 제2 스페이서의 선단부에 도전성 부여부를 형성하는 구성으로 하였지만, 상술한 제조 방법에 의해 제2 스페이서의 선단부, 즉 스페이서의 제2 기판측의 선단부에만 도전성 부여부를 형성하고 이 스페이서를 이용하여 SED를 구성해도 된다. In addition, in the above-described embodiment, the conductive provision portion is formed at the tip ends of the first and second spacers, but the conductivity provision portion is formed only at the tip end portion of the second spacer, that is, the tip end portion on the second substrate side of the spacer by the manufacturing method described above. You may form and comprise an SED using this spacer.

전자원은 표면 전도형 전자 방출 소자에 한정되지 않고, 전계 방출형 및 카본 나노 튜브 등의 진공 중에 전자가 방출되는 전자원을 이용한 FED이면 어떠한 타입에도 적용 가능하다. The electron source is not limited to the surface conduction electron emission device, and any type can be applied as long as it is an FED using an electron source in which electrons are emitted in a vacuum such as a field emission type and a carbon nanotube.

본 발명에 따르면, 온도의 상승이나 소비 전력의 증가 및 제조 비용의 증가를 야기시키는 일 없이, 전자 빔의 궤도를 용이하게 제어하여 화상 품위가 향상된 화상 표시 장치, 이 화상 표시 장치에 이용하는 스페이서의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 스페이서를 구비한 화상 표시 장치를 제공할 수 있다. According to the present invention, an image display device having an improved image quality by easily controlling the trajectory of an electron beam without causing an increase in temperature, an increase in power consumption, or an increase in manufacturing cost, and manufacture of a spacer for use in the image display device. The image display apparatus provided with the method and the spacer manufactured by the said manufacturing method can be provided.

Claims (18)

형광면을 가진 제1 기판과, A first substrate having a fluorescent surface, 상기 제1 기판에 간극을 두고 대향 배치되어 있는 동시에, 전자를 방출하여 상기 형광면을 여기하는 복수의 전자원이 설치된 제2 기판과, A second substrate disposed to face the first substrate with a gap therebetween and provided with a plurality of electron sources releasing electrons to excite the fluorescent surface; 각각 절연 재료로 형성되어 있는 동시에 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되고, 제1 및 제2 기판에 작용하는 대기압 하중을 지지하는 복수의 스페이서를 구비하고, A plurality of spacers each formed of an insulating material and disposed between the first substrate and the second substrate and supporting atmospheric loads acting on the first and second substrates, 상기 각 스페이서의 상기 제1 기판측의 선단부 및 제2 기판측의 선단부는 도전성 재료가 함침되어 각각 도전성 부여부를 형성하고,The tip portion on the first substrate side and the tip portion on the second substrate side of each of the spacers are impregnated with a conductive material to form conductivity provision portions, respectively. 상기 각 도전성 부여부에 있어서의 상기 도전성 재료의 함유 농도는 상기 스페이서의 선단부로부터 중간부를 향해 감소하고 있는 화상 표시 장치. The image display apparatus of the said electroconductive material containing density in each said electroconductive provision part is decreasing toward the intermediate part from the front-end | tip part of the said spacer. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 유리를 포함하는 절연 재료로 형성되고, The method of claim 1, wherein the spacer is formed of an insulating material including glass, 상기 각 도전성 부여부는 상기 스페이서를 형성하는 유리 성분 중에 분산된 도전성을 갖는 금속 입자를 포함하고 있는 화상 표시 장치. Each said electroconductive provision part contains the metal particle which has electroconductivity dispersed in the glass component which forms the said spacer. 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 유리를 포함하는 절연 재료로 형성되고, The method of claim 1, wherein the spacer is formed of an insulating material including glass, 상기 도전성 부여부는 상기 스페이서를 형성하는 유리 성분 중에 확산된 도전성을 갖는 금속 성분을 포함하고 있는 화상 표시 장치. The electroconductive provision part contains the metal component which has electroconductivity spread | diffused in the glass component which forms the said spacer. 제3항에 있어서, 상기 금속 입자는 Ni, In, Ag, Au, Pt, Ir, Ru, W 중 적어도 1 종류를 포함하고 있는 화상 표시 장치. 4. An image display device according to claim 3, wherein the metal particles contain at least one of Ni, In, Ag, Au, Pt, Ir, Ru, and W. 제1항에 있어서, 상기 제2 기판 상에 설치된 복수의 전위 공급용 배선을 구비하고, 2. The apparatus of claim 1, further comprising: a plurality of potential supply wirings provided on the second substrate; 상기 각 스페이서의 제2 기판측의 단부는 상기 전위 공급용 배선 상에 배치되어 있는 화상 표시 장치. An end portion on the second substrate side of each of the spacers is disposed on the potential supply wiring. 제6항에 있어서, 상기 전자원은 표면 전도형 전자원인 화상 표시 장치. The image display device according to claim 6, wherein the electron source is a surface conduction electron source. 제7항에 있어서, 상기 전위 공급용 배선은 상기 전자원에 전위를 공급하는 배선인 화상 표시 장치. 8. The image display device according to claim 7, wherein the potential supply wiring is a wiring for supplying a potential to the electron source. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기판 사이에 설치되어 있는 동시에, 각각 상기 전자원에 대응한 복수의 전자 빔 통과 구멍을 가진 판상의 그리드를 구비하고, The plate-like grid according to claim 1, further comprising a plate-shaped grid which is provided between the first and second substrates and has a plurality of electron beam passing holes corresponding to the electron source, respectively. 상기 각 스페이서는 상기 그리드에 고정되어 있는 화상 표시 장치. And each of the spacers is fixed to the grid. 형광면을 갖는 제1 기판과, 상기 제1 기판에 간극을 두고 대향 배치되어 있는 동시에 전자를 방출하여 상기 형광면을 여기하는 복수의 전자원이 설치된 제2 기판을 구비한 화상 표시 장치에 있어서, 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되고 제1 및 제2 기판에 작용하는 대기압 하중을 지지하는 복수의 스페이서를 제조하는 스페이서의 제조 방법에 있어서, An image display apparatus comprising: a first substrate having a fluorescent surface; and a second substrate provided with a gap between the first substrate and a plurality of electron sources for emitting electrons to excite the fluorescent surface, wherein the second substrate is provided. In the manufacturing method of the spacer which manufactures the some spacer arrange | positioned between a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate, and supports the atmospheric load which acts on a 1st and 2nd board | substrate, 절연 재료에 의해 스페이서를 성형하고, The spacer is molded by an insulating material, 상기 성형된 스페이서의 선단부에 도전성을 갖는 성분을 포함하는 페이스트 또는 용액을 부착시키고, 모세관 현상에 의해 상기 스페이서의 선단부 내에 상기 페이스트 또는 용액을 스며들게 하고, Attaching a paste or solution containing a conductive component to the tip of the shaped spacer, infiltrating the paste or solution into the tip of the spacer by capillary action, 상기 페이스트 또는 용액이 스며든 스페이서를 소성하고, 도전성 재료가 함침된 도전성 부여부를 선단부에 가진 스페이서를 형성하는 스페이서의 제조 방법. And a spacer having the paste or solution impregnated therein and forming a spacer having a conductive end portion impregnated with a conductive material at its tip. 제10항에 있어서, 상기 성형된 스페이서의 양단부에 상기 페이스트를 부착시키고, 도전성 재료가 함침된 도전성 부여부를 양단부에 가진 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 하는 스페이서의 제조 방법.The method of manufacturing a spacer according to claim 10, wherein the paste is attached to both ends of the molded spacer, and a spacer having both ends of the imparting conductivity impregnated with a conductive material is formed. 형광면을 갖는 제1 기판과, 상기 제1 기판에 간극을 두고 대향 배치되어 있는 동시에 전자를 방출하여 상기 형광면을 여기하는 복수의 전자원이 설치된 제2 기판과, 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되고 제1 및 제2 기판에 작용하는 대기압 하중을 지지하는 복수의 스페이서를 구비한 화상 표시 장치에 이용되는 상기 스페이서를 제조하는 스페이서의 제조 방법에 있어서, Between a first substrate having a fluorescent surface, a second substrate provided with a gap between the first substrate and a plurality of electron sources releasing electrons to excite the fluorescent surface, and between the first substrate and the second substrate; In the manufacturing method of the spacer which manufactures the said spacer used for the image display apparatus provided with the some spacer arrange | positioned at and supporting the atmospheric pressure load which acts on a 1st and 2nd board | substrate, 절연 재료에 의해 스페이서를 성형하고, The spacer is molded by an insulating material, 상기 성형된 스페이서의 선단부에 도전성을 갖는 성분을 포함하는 페이스트를 부착시키고, Attaching a paste containing a conductive component to a distal end of the molded spacer, 상기 페이스트가 부착된 스페이서를 가열 처리하여 도전성을 갖는 성분을 스페이서의 선단부 내에 열확산시키고, 도전성 재료가 함침된 도전성 부여부를 선단부에 가진 스페이서를 형성하는 스페이서의 제조 방법. A method for producing a spacer, wherein the paste-attached spacer is heat treated to thermally diffuse a conductive component into the tip of the spacer, and to form a spacer having the conductive end impregnated with the conductive material at the tip. 제12항에 있어서, 상기 성형된 스페이서의 양단부에 상기 페이스트를 부착시키고, 도전성 재료가 함침된 도전성 부여부를 양단부에 가진 스페이서를 형성하는 스페이서의 제조 방법. The method for manufacturing a spacer according to claim 12, wherein the paste is attached to both ends of the molded spacer, and a spacer having both ends of the imparting conductivity impregnated with a conductive material is formed. 형광면을 갖는 제1 기판과, 상기 제1 기판에 간극을 두고 대향 배치되어 있는 동시에 전자를 방출하여 상기 형광면을 여기하는 복수의 전자원이 설치된 제2 기판과, 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되고 제1 및 제2 기판에 작용하는 대기압 하중을 지지하는 복수의 스페이서를 구비한 화상 표시 장치에 이용되는 스페이서의 제조 방법에 있어서, Between a first substrate having a fluorescent surface, a second substrate provided with a gap between the first substrate and a plurality of electron sources releasing electrons to excite the fluorescent surface, and between the first substrate and the second substrate; In the manufacturing method of the spacer used for the image display apparatus provided with the some spacer arrange | positioned at and supporting the atmospheric pressure load which acts on a 1st and 2nd board | substrate, 스페이서를 성형하기 위한 복수의 투과 구멍을 가진 성형형을 준비하고, Preparing a mold having a plurality of transmission holes for molding the spacer, 도전성을 갖는 성분을 포함하지 않는 제1 페이스트를 상기 투과 구멍에 주입하고, Injecting a first paste that does not contain a conductive component into the through hole, 도전성을 갖는 성분을 분산시킨 제2 페이스트를 상기 제1 페이스트에 겹쳐 상기 투과 구멍에 주입하고, A second paste having a conductive component dispersed therein is superposed on the first paste and injected into the transmission hole; 상기 제1 및 제2 페이스트를 가열 처리하여, 도전성을 갖는 성분이 분산된 도전성 부여부를 선단부에 구비한 스페이서를 형성하는 스페이서의 제조 방법. A method for producing a spacer, wherein the first and second pastes are subjected to heat treatment to form a spacer provided at the distal end with an electroconductive provision part in which conductive components are dispersed. 제14항에 있어서, 상기 제1 페이스트를 상기 투과 구멍에 주입한 후, 각 투과 구멍의 양단부측으로부터 상기 제1 페이스트의 양단부측에 겹쳐 상기 제2 페이스트를 주입하고, 도전성을 갖는 성분이 분산된 도전성 부여부를 양단부에 가진 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 하는 스페이서의 제조 방법. 15. The method according to claim 14, wherein after injecting the first paste into the through holes, the second paste is injected from both ends of each through hole onto both ends of the first paste, and the conductive components are dispersed. A spacer having the electroconductive provision part at both ends is formed. 형광면을 가진 제1 기판과, A first substrate having a fluorescent surface, 상기 제1 기판에 간극을 두고 대향 배치되어 있는 동시에, 전자를 방출하여 상기 형광면을 여기하는 복수의 전자원이 설치된 제2 기판과, A second substrate disposed to face the first substrate with a gap therebetween and provided with a plurality of electron sources releasing electrons to excite the fluorescent surface; 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해 제조되고, 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되어 제1 및 제2 기판에 작용하는 대기압 하중을 지지하는 복수의 스페이서를 구비한 화상 표시 장치. A plurality of spacers manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 10 to 15 and disposed between the first substrate and the second substrate to support atmospheric loads acting on the first and second substrates. Image display device provided. 제16항에 있어서, 상기 제1 및 제2 기판 사이에 설치되어 있는 동시에, 각각 상기 전자원에 대응한 복수의 전자 빔 통과 구멍을 가진 판상의 그리드를 구비하고, The plate-shaped grid according to claim 16, further comprising a plate-shaped grid which is provided between the first and second substrates and has a plurality of electron beam through holes respectively corresponding to the electron source. 상기 각 스페이서는 상기 그리드에 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치. And the spacers are fixed to the grid. 형광면을 가진 제1 기판과, A first substrate having a fluorescent surface, 상기 제1 기판에 간극을 두고 대향 배치되어 있는 동시에, 전자를 방출하여 상기 형광면을 여기하는 복수의 전자원이 설치된 제2 기판과, A second substrate disposed to face the first substrate with a gap therebetween and provided with a plurality of electron sources releasing electrons to excite the fluorescent surface; 상기 제1 및 제2 기판 사이에 설치되어 있는 동시에, 각각 상기 전자원에 대응한 복수의 전자 빔 통과 구멍을 가진 판상의 그리드와, A plate-shaped grid provided between the first and second substrates and having a plurality of electron beam through holes respectively corresponding to the electron source; 제10항, 제12항 또는 제14항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해 제조되고, 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 배치되어 있는 동시에 각각 상기 제2 기판측에 위치한 선단부에 상기 도전성 부여부를 갖고, 제1 및 제2 기판에 작용하는 대기압 하중을 지지하는 복수의 스페이서를 구비한 화상 표시 장치. The said conductive part manufactured by the manufacturing method in any one of Claims 10, 12, or 14, and arrange | positioned between the said 1st board | substrate and a 2nd board | substrate, and located respectively in the said 2nd board | substrate side, The said electroconductivity An image display apparatus having a provision portion and comprising a plurality of spacers for supporting atmospheric loads acting on the first and second substrates.
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