KR100425487B1 - Apparatus Of Driving Plasma Display Panel - Google Patents

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KR100425487B1 KR10-2001-0077117A KR20010077117A KR100425487B1 KR 100425487 B1 KR100425487 B1 KR 100425487B1 KR 20010077117 A KR20010077117 A KR 20010077117A KR 100425487 B1 KR100425487 B1 KR 100425487B1
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Abstract

본 발명은 스위치 소자의 수를 절감하여 소비전력을 낮출 수 있도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치에 관한 것이다.The present invention relates to a driving apparatus of a plasma display panel that can reduce the number of switch elements to lower power consumption.

본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는 리셋기간에 셋업/다운 펄스, 어드레스기간에 셀을 선택하기 위하여 스캔펄스를 제1 전극에 공급하기 위한 제1 전극 구동부를 구비하며; 제1 전극 구동부는 푸쉬풀 형태로 접속되어 제1 전극에 전압신호가 인가되도록 하는 스캔 구동부와, 리셋기간에 램프파형 형태의 정극성 셋업신호를 상기 제1 전극에 공급하기 위한 셋업 구동부와, 정극성 셋업신호가 공급된 후 램프파형 형태의 부극성신호를 상기 제1 전극에 공급하기 위한 셋다운 구동부와; 에너지 회수회로와 셋업 구동부 및 스캔 구동부 사이에 접속되어 셋다운 펄스 및 서스테인 펄스를 스위칭하기 위한 제1 스위치와, 스캔 구동부와 스캔 전압원 사이에 접속되어 어드레스기간에 스캔전압을 스캔 구동부에 공급하도록 하는 스캔 전압 공급부와, 스캔 전압 공급부와 셋다운 구동부 사이에 접속되어 그라운드 레벨 이하의 전압레벨을 가지는 셋다운 펄스와 어드레스기간의 스캔 펄스를 공급하기 제어 동작을 하는 제2 스위치와, 셋업 구동부와 제1 스위치 사이에 형성된 제1 노드와 스캔 전압 공급부와 상기 제2 스위치 사이에 형성된 제2 노드를 연결하는 충/방전 패스를 구비한다.The driving apparatus of the plasma display panel according to the present invention includes a first electrode driver for supplying a scan pulse to the first electrode to select a cell in the reset period and a setup / down pulse in the reset period; A first driving unit connected in a push-pull form to apply a voltage signal to the first electrode, a setup driving unit for supplying a positive waveform setup signal having a ramp waveform to the first electrode during a reset period; A set-down driver for supplying a negative polarity signal having a ramp waveform to the first electrode after the polarity setup signal is supplied; A first switch connected between the energy recovery circuit, the setup driver and the scan driver for switching the setdown pulse and the sustain pulse, and a scan voltage connected between the scan driver and the scan voltage source to supply the scan voltage to the scan driver in the address period. A second switch connected between the supply unit, the scan voltage supply unit, and the set-down driver unit to perform a control operation for supplying a set-down pulse having a voltage level below ground level and a scan pulse of the address period, and formed between the setup driver and the first switch. And a charge / discharge path connecting a first node, a scan voltage supply unit, and a second node formed between the second switch.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치{Apparatus Of Driving Plasma Display Panel}Apparatus Of Driving Plasma Display Panel

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로 특히, 플라즈마 디스플레이 패널의 구동회로에 사용되는 스위치 소자의 수를 절감하여 소비전력을 낮출 수 있도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel, and more particularly, to a driving apparatus of a plasma display panel which reduces power consumption by reducing the number of switch elements used in a driving circuit of a plasma display panel.

플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함)은 He+Xe, Ne+Xe 및 Ne+Ne+Xe 등의 불활성 혼합가스의 방전시 발생하는 147nm의 자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로써 문자 또는 그래픽을 포함한 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공한다. 특히, 3전극 교류 면방전형 PDP는 방전시 표면에 벽전하가 축적되며 방전에 의해 발생되는 스퍼터링으로부터 전극들을 보호하기 때문에 저전압 구동과 장수명의 장점을 가진다.Plasma Display Panels (hereinafter referred to as "PDPs") are characterized by emitting phosphors by 147 nm ultraviolet rays generated during discharge of inert mixed gases such as He + Xe, Ne + Xe and Ne + Ne + Xe. An image containing graphics is displayed. Such a PDP is not only thin and easy to enlarge, but also greatly improved in quality due to recent technology development. In particular, the three-electrode AC surface discharge type PDP has advantages of low voltage driving and long life because wall charges are accumulated on the surface during discharge and protect the electrodes from sputtering caused by the discharge.

도 1을 참조하면, 3전극 교류 면방전형 PDP의 방전셀은 상부기판(10) 상에 형성되어진 주사/서스테인전극(30Y) 및 공통 서스테인전극(30Z)과, 하부기판(18) 상에 형성되어진 어드레스전극(20X)을 구비한다. 주사/서스테인전극(30Y)과 공통 서스테인전극(30Z) 각각은 투명전극(12Y,12Z)과, 투명전극(12Y,12Z)의 선폭보다 작은 선폭을 가지며 투명전극의 일측 가장자리 영역에 형성되는 금속버스전극(13Y,13Z)을 포함한다. 투명전극(12Y,12Z)은 통상 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide : 이하 "ITO"라 함)로 상부기판(10) 상에 형성된다. 금속버스전극(13Y,13Z)은 통상 크롬(Cr) 등의 금속으로 투명전극(12Y,12Z)상에 형성되어 저항이 높은 투명전극(12Y,12Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다. 주사/서스테인전극(30Y)과 공통 서스테인전극(30Z)이 나란하게 형성된 상부기판(10)에는 상부 유전체층(14)과 보호막(16)이 적층된다. 상부 유전체층(14)에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막(16)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링에 의한 상부 유전체층(14)의 손상을 방지함과 아울러 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막(16)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다. 어드레스전극(20X)이 형성된 하부기판(18) 상에는 하부 유전체층(22), 격벽(24)이 형성되며, 하부 유전체층(22)과 격벽(24) 표면에는 형광체층(26)이 도포된다. 어드레스전극(20X)은 주사/서스테인전극(30Y) 및 공통 서스테인전극(30Z)과 교차되는 방향으로 형성된다. 격벽(24)은 어드레스전극(20X)과 나란하게 형성되어 방전에 의해 생성된 자외선 및 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체층(26)은 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다. 상/하부기판(10,18)과 격벽(24) 사이에 마련된 방전셀의 방전공간에는 방전을 위한 He+Xe, Ne+Xe 및 Ne+Ne+Xe 등의 불활성 혼합가스가 주입된다.Referring to FIG. 1, a discharge cell of a three-electrode AC surface discharge type PDP is formed on a scan / sustain electrode 30Y and a common sustain electrode 30Z formed on an upper substrate 10, and a lower substrate 18. An address electrode 20X is provided. The scan / sustain electrode 30Y and the common sustain electrode 30Z each have a line width smaller than the line widths of the transparent electrodes 12Y and 12Z and the transparent electrodes 12Y and 12Z, and are formed on one edge region of the transparent electrode. Electrodes 13Y and 13Z. The transparent electrodes 12Y and 12Z are usually formed on the upper substrate 10 by indium tin oxide (hereinafter, referred to as “ITO”). The metal bus electrodes 13Y and 13Z are usually formed of metal such as chromium (Cr) and formed on the transparent electrodes 12Y and 12Z to reduce the voltage drop caused by the transparent electrodes 12Y and 12Z having high resistance. The upper dielectric layer 14 and the passivation layer 16 are stacked on the upper substrate 10 having the scan / sustain electrode 30Y and the common sustain electrode 30Z side by side. In the upper dielectric layer 14, wall charges generated during plasma discharge are accumulated. The protective layer 16 prevents damage to the upper dielectric layer 14 due to sputtering generated during plasma discharge and increases emission efficiency of secondary electrons. As the protective film 16, magnesium oxide (MgO) is usually used. The lower dielectric layer 22 and the partition wall 24 are formed on the lower substrate 18 on which the address electrode 20X is formed, and the phosphor layer 26 is coated on the surfaces of the lower dielectric layer 22 and the partition wall 24. The address electrode 20X is formed in the direction crossing the scan / sustain electrode 30Y and the common sustain electrode 30Z. The partition wall 24 is formed in parallel with the address electrode 20X to prevent ultraviolet rays and visible light generated by the discharge from leaking to the adjacent discharge cells. The phosphor layer 26 is excited by ultraviolet rays generated during plasma discharge to generate visible light of any one of red, green, and blue. An inert mixed gas such as He + Xe, Ne + Xe, and Ne + Ne + Xe for discharging is injected into the discharge space of the discharge cell provided between the upper and lower substrates 10 and 18 and the partition wall 24.

이러한 3전극 교류 면방전형 PDP는 화상의 계조(Gray Level)를 구현하기 위하여 한 프레임을 발광횟수가 다른 여러 서브필드로 나누어 구동하고 있다. 각 서브필드는 다시 방전을 균일하게 일으키기 위한 리셋 기간, 방전셀을 선택하기 위한 어드레스 기간 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간으로 나뉘어진다. 예를 들어, 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 1/60 초에 해당하는프레임 기간(16.67ms)은 도 2와 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지게 된다. 아울러, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 리셋 및 어드레스 기간과 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다. 여기서, 각 서브필드의 리셋 및 어드레스 기간은 각 서브필드마다 동일한 반면에 서스테인 기간은 각 서브필드에서 2n(n=0,1,2,3,4,5,6,7)의 비율로 증가된다. 이와 같이 각 서브필드에서 서스테인 기간이 달라지게 되므로 화상의 계조를 구현할 수 있게 된다.The three-electrode AC surface discharge type PDP is driven by dividing one frame into several subfields having different emission counts in order to realize gray levels of an image. Each subfield is further divided into a reset period for uniformly generating discharge, an address period for selecting a discharge cell, and a sustain period for implementing gray levels according to the number of discharges. For example, when the image is to be displayed with 256 gray levels, a frame period (16.67 ms) corresponding to 1/60 second is divided into eight subfields SF1 to SF8 as shown in FIG. In addition, each of the eight subfields SF1 to SF8 is divided into a reset and an address period and a sustain period. Here, the reset and address periods of each subfield are the same for each subfield, while the sustain period increases at a rate of 2 n (n = 0,1,2,3,4,5,6,7) in each subfield. do. As described above, since the sustain period is changed in each subfield, gray levels of an image can be realized.

이와 같은 PDP의 구동방법은 어드레스 기간에 어드레스 방전에 의해 선택되는 방전셀의 발광여부에 따라 선택적 쓰기(Selective writing) 방식과 선택적 소거(Selective erasing) 방식으로 대별된다. 먼저 선택적 쓰기방식의 구동방법은 리셋기간에 전화면을 턴-오프(Turn-Off) 시킨 후, 어드레스 기간에 선택된 방전셀들을 턴-온(Turn-on) 시키게 된다. 이어서, 서스테인 기간에는 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들을 서스테인 방전시킴으로써 화상을 표시하게 된다.Such a driving method of the PDP is roughly classified into a selective writing method and a selective erasing method according to whether or not the discharge cells are lighted by the address discharge in the address period. First, the selective write driving method turns off the full screen in the reset period, and then turns on the selected discharge cells in the address period. Subsequently, in the sustain period, an image is displayed by sustaining discharge cells selected by the address discharge.

선택적 소거방식의 구동방법은 리셋기간에 전화면을 라이팅 방전시킴으로써 턴-온(Turn-on) 시킨 후, 어드레스 기간에 선택된 방전셀들을 턴-오프(Turn-on) 시키게 된다. 이어서, 서스테인 기간에는 어드레스 방전에 의해 선택되지 않은 방전셀들을 서스테인 방전시킴으로써 화상을 표시하게 된다.In the selective erasing driving method, the entire screen is turned on by writing discharge in the reset period, and then the selected discharge cells are turned off in the address period. Subsequently, in the sustain period, an image is displayed by sustaining discharge cells not selected by the address discharge.

여기서 선택적 소거방식은 어드레싱 방전이 셀 내의 벽전하를 제거하는 방전이므로, 선택적 쓰기방식보다 주사펄스 폭을 좁게 즉, 어드레싱 타임을 줄일 수 있다. 선택적 쓰기방식의 구동파형은 램프펄스가 많을 수록 콘트라스트를 저하시키는 작용을 하므로 많이 사용할수록 화질을 약화시킨다. 따라서, PDP의 구동방법에 있어서 도 3에서와 같이 한 프레임을 선택적 쓰기 방식의 서브필드들(SF1 내지 SF6)과 선택적 소거 방식의 서브필드들(SF7 내지 SF12)으로 구성하여 선택적 쓰기 및 소거 방식을 병행하여 구동하게 된다.Since the selective erasing method is a discharge for removing wall charges in the cell, the scanning pulse width is narrower than that of the selective writing method, that is, the addressing time can be reduced. The drive waveform of the selective writing method reduces the contrast as the number of lamp pulses increases, so the quality of the driving waveform becomes weaker as it is used more. Accordingly, in the driving method of the PDP, as shown in FIG. 3, one frame is composed of the selective write subfields SF1 through SF6 and the selective erase subfields SF7 through SF12 to configure the selective write and erase method. Drive in parallel.

도 3을 참조하면, 3전극 교류 면방전 PDP의 구동방법에 있어서, 한 프레임은 선택적 쓰기 방식의 서브필드들(SF1 내지 SF6)과 선택적 소거 방식의 서브필드들(SF7 내지 SF12)을 포함한다. 제1 서브필드(SF1)는 전화면을 끄는 리셋기간, 선택된 방전셀들을 켜는 선택적 쓰기 어드레스 기간, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀에 대하여 서스테인 방전시키는 서스테인 기간 그리고 서스테인 방전을 소거시키는 소거기간으로 나뉘어진다. 제2 내지 제5 서브필드들(SF2 내지 SF5) 각각은 선택적 쓰기 어드레스 기간, 서스테인 기간 및 소거기간으로 나뉘어진다. 그리고 제6 서브필드(SF6)는 선택적 쓰기 어드레스 기간과 서스테인기간으로 나뉘어진다. 제1 내지 제6 서브필드들(SF1 내지 SF6)에 있어서 선택적 쓰기 어드레스 기간과 소거기간은 각 서브필드마다 동일한 반면에 서스테인 기간은 각 서브필드에서 2n(n=0,1,2,3,4,5)의 비율로 증가된다. 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)은 전화면이 라이팅되는 전면 라이팅 기간없이 선택된 방전셀들을 끄는 선택적 소거 어드레스 기간과 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들 이외의 방전셀들을 서스테인 방전시키는 서스테인 기간으로 나뉘어진다. 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)에 있어서 선택적 소거 어드레스 기간은 물론 서스테인 기간도 동일하게 설정된다. 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)의 서스테인 기간은제6 서브필드(SF6)와 동일한 휘도 상대비를 갖도록 25의 휘도 상대비로 설정된다.Referring to FIG. 3, in the method of driving a three-electrode alternating surface discharge PDP, one frame includes subfields SF1 through SF6 of selective writing and subfields SF7 through SF12 of selective erasing. The first subfield SF1 is divided into a reset period for turning off the full screen, an optional write address period for turning on the selected discharge cells, a sustain period for sustaining discharge for the discharge cell selected by the address discharge, and an erasing period for canceling the sustain discharge. . Each of the second to fifth subfields SF2 to SF5 is divided into an optional write address period, a sustain period, and an erase period. The sixth subfield SF6 is divided into an optional write address period and a sustain period. In the first to sixth subfields SF1 to SF6, the selective write address period and the erase period are the same for each subfield, while the sustain period is 2n in each subfield (n = 0, 1, 2, 3, 4). Is increased by 5). The seventh through twelfth subfields SF7 through SF12 sustain sustain discharge of discharge cells other than the discharge cells selected by the address discharge and the selective erase address period for turning off the selected discharge cells without a full surface writing period in which the full screen is lit. Divided into periods. In the seventh to twelfth subfields SF7 to SF12, not only the selective erasure address period but also the sustain period are set equally. The sustain period of the seventh to twelfth subfields SF7 to SF12 is set to a luminance relative ratio of 25 to have the same luminance relative ratio as that of the sixth subfield SF6.

선택적 소거 방식으로 구동되는 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12) 각각은 서브필드들이 연속될 때마다 필요없는 방전셀들을 끌 수 있도록 이전 서브필드가 반드시 켜져 있어야만 한다. 예를 들어, 제7 서브필드(SF7)가 켜지기 위해서는 이전 서브필드인 선택적 쓰기 방식으로 구동되는 제6 서브필드(SF6)가 켜져야만 한다. 이렇게 제6 서브필드(SF6)가 켜진 후, 제7 내지 제12 서브필드들(SF7 내지 SF12)에서 필요 없는 방전셀들을 꺼나가게 된다. 이를 위하여, 선택적 소거 서브필드(ESF)가 사용되기 위해서는 마지막 선택적 쓰기 서브필드(WSF)인 제6 서브필드(WSF)에서 켜진 셀들이 서스테인 방전에 의해 켜진 상태가 유지되어야 한다. 따라서, 제7 서브필드(SF7)는 선택적 소거 어드레스를 위한 별도의 라이팅 방전이 필요 없게 된다. 또한, 제8 내지 제12 서브필드들(SF8 내지 SF12)도 전면 라이팅없이 이전 서브필드에서 켜져 있는 셀들을 선택적으로 끄게 된다.Each of the seventh to twelfth subfields SF7 to SF12 driven by the selective erasing method must have the previous subfield turned on to turn off unnecessary discharge cells whenever the subfields are consecutive. For example, in order for the seventh subfield SF7 to be turned on, the sixth subfield SF6 driven by the selective write method, which is the previous subfield, must be turned on. After the sixth subfield SF6 is turned on, the unnecessary discharge cells are turned off in the seventh to twelfth subfields SF7 to SF12. To this end, the cells turned on in the sixth subfield WSF, which is the last selective write subfield WSF, must be turned on by the sustain discharge in order for the selective erase subfield ESF to be used. Therefore, the seventh subfield SF7 does not need a separate writing discharge for the selective erase address. In addition, the eighth to twelfth subfields SF8 to SF12 also selectively turn off cells that are turned on in the previous subfield without front lighting.

도 4는 도 3에 도시된 PDP 구동방법에 따른 구동파형을 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a driving waveform according to the PDP driving method illustrated in FIG. 3.

도 4를 참조하면, 제1 선택적 쓰기 서브필드(SW1)의 리셋기간에는 주사전극라인들(Y)에는 램프-업파형의 리셋펄스(RP)에 이어서 램프다운 파형의 리셋펄스(-RP)이 순차적으로 공급된다. 이때 램프다운 파형의 리셋펄스(-RP)은 부극성의 스캔기준전압(-Vw)까지 하강한다. 또한, 유지전극라인들(Z)에는 정극성의 주사직류전압(DCSC)이 공급된다.Referring to FIG. 4, in the reset period of the first selective write subfield SW1, the reset pulse RP of the ramp-down waveform is followed by the reset pulse RP of the ramp-up waveform in the scan electrode lines Y. It is supplied sequentially. At this time, the reset pulse (-RP) of the ramp-down waveform drops to the negative scan reference voltage (-Vw). In addition, the scan electrode voltage DCSC having a positive polarity is supplied to the sustain electrode lines Z.

선택적 쓰기 서브필드(SW1)의 어드레스기간에는 유지전극라인들(Z)에 정극성의 주사직류전압(DCSC)이 공급되는 동안에 주사전극라인들(Y)과 어드레스전극라인들(X) 각각에 부극성(-)의 선택적 쓰기 주사펄스(-SWSP)와 정극성(+)의 선택적 쓰기 데이터 펄스(SWDP)가 상호 동기되게끔 공급된다. 위에서와 같은 선택적 쓰기 주사펄스(SWSP)와 선택적 데이터 펄스(SWDP)에 의해 어드레스 방전을 하게 된다.In the address period of the selective write subfield SW1, the negative polarity is applied to the scan electrode lines Y and the address electrode lines X while the positive scan DC voltage DCSC is supplied to the sustain electrode lines Z. A negative selective write scan pulse (-SWSP) and a positive polarity (+) selective write data pulse (SWDP) are supplied to be synchronized with each other. The address discharge is performed by the selective write scan pulse SWSP and the optional data pulse SWDP as described above.

선택적 쓰기 서브필드(SW)의 어드레스 방전에 의해 켜진 셀에 대하여 서스테인 방전이 일어나도록 서스테인펄스(SUSPy,SUSPz)가 주사전극라인들(Y)과 유지전극라인들(Z)에 교번적으로 공급된다. 그리고 제2 선택적 쓰기 서브필드(SW2)의 종료시점에는 서스테인 방전이 소거되게 하는 소거펄스(EP)가 주사전극라인들(Y)에 공급된다.Sustain pulses SUSPy and SUSPz are alternately supplied to the scan electrode lines Y and the sustain electrode lines Z so that sustain discharge occurs for the cells turned on by the address discharge of the selective write subfield SW. . At the end of the second selective write subfield SW2, the erase pulse EP is supplied to the scan electrode lines Y to erase the sustain discharge.

선택적 소거 서브필드(SE)의 리셋기간은 생략된다. 선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스기간에는 주사전극라인들(Y)과 어드레스전극라인들(X) 각각에 셀을 끄기 위한 부극성(-)의 선택적 소거 주사펄스(-SESP)와 정극성(+)의 선택적 소거 데이터 펄스(SEDP)가 상호 동기되게끔 공급된다. 이 선택적 소거 주사펄스(-SESP)는 스캔기준전압(-Vw)보다 높은 선택적 소거용 스캔전압(-Ve)까지 하강한다.The reset period of the selective erase subfield SE is omitted. In the address period of the selective erase subfield SE, a negative selective erase scan pulse (-SESP) and a positive polarity (-) for turning off a cell in each of the scan electrode lines (Y) and the address electrode lines (X). The selective erase data pulses SEDP of +) are supplied to be synchronized with each other. The selective erase scan pulse (-SESP) drops to the selective erase scan voltage (-Ve) higher than the scan reference voltage (-Vw).

선택적 소거 서브필드(SE)의 어드레스 방전에 의해 꺼지지 않은 셀들에 대하여 서스테인 방전이 일어나도록 서스테인펄스(SUSPy,SUSPz)가 주사전극라인들(Y)과 유지전극라인들(Z)에 교번적으로 공급된다. 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거필드(SE)인 경우에 현재의 선택적 소거 서브필드(SE)의 종료시점에는 비교적 펄스폭이 큰 서스테인펄스(SUSPy)가 주사전극라인들(Y)에 공급된다. 그리고 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드(SW)인 마지막 선택적 소거 서브필드에는 주사전극라인들(Y)과 유지전극라인들(Z)에 소거펄스(EP)와 램프신호(RAMP)가 공급되어 켜진 셀들의 서스테인 방전을 소거시킨다.Sustain pulses SUSPy and SUSPz are alternately supplied to scan electrode lines Y and sustain electrode lines Z so that sustain discharge occurs for cells that are not turned off by the address discharge of the selective erase subfield SE. do. When the next subfield is a selective erase field SE, a sustain pulse SUSPy having a relatively large pulse width is supplied to the scan electrode lines Y at the end of the current selective erase subfield SE. The erase pulse EP and the ramp signal RAMP are supplied to the scan electrode lines Y and the sustain electrode lines Z in the last selective erase subfield in which the next subfield is the selective write subfield SW. Clear the sustain discharge of the cells.

도 5는 일반적인 PDP의 구동장치를 개략적으로 나타낸 것으로서, 도 4에 도시된 선택적 쓰기 및 소거 방식을 기준으로 설명한 것이다.FIG. 5 schematically illustrates a driving apparatus of a general PDP, and has been described with reference to the selective write and erase scheme shown in FIG. 4.

도 5를 참조하면, PDP의 구동장치는 m 개의 주사/서스테인 전극라인들(Y1 내지 Ym)을 구동하기 위한 Y 구동부(100)와, m 개의 공통 서스테인 전극라인들(Z1 내지 Zm)을 구동하기 위한 Z 구동부(102)와, n 개의 어드레스 전극라인들(X1 내지 Xn)을 구동하기 위한 X 구동부(104)를 구비한다.Referring to FIG. 5, the PDP driving apparatus drives the Y driving unit 100 for driving the m scan / sustain electrode lines Y1 to Ym and the m common sustain electrode lines Z1 to Zm. And a Z driver 102 for driving the n address electrode lines X1 to Xn.

Y 구동부(100)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)에서 셋업/다운파형(RPSY,-RPSY)을 공급하여 전화면을 초기화시킴과 아울러 선택적 쓰기 서브필드(WSF)와 선택적 소거 서브필드(SEF)에서 서로 다른 스캔펄스(-SWSCN,-SESCN)를 주사/서스테인전극라인들(Y1 내지 Ym)에 순차적으로 공급하게 된다. 또한, Y 구동부(100)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)와 선택적 소거 서브필드(ESF)에서 서스테인펄스(SUSY)를 공급하여 서스테인 방전을 일으키게 된다.The Y driver 100 initializes the full screen by supplying the setup / down waveforms RPSY and -RPSY in the selective write subfield WSF, and in the selective write subfield WSF and the selective erase subfield SEF. Different scan pulses -SWSCN and -SESCN are sequentially supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. In addition, the Y driver 100 supplies sustain pulses SUSY in the selective write subfield WSF and the selective erase subfield ESF to generate sustain discharge.

Z 구동부(102)는 공통 서스테인 전극라인(Z1 내지 Zm)에 공통으로 접속되어 Z 전극라인들(Z1 내지 Zm)에 셋다운파형(-RPSZ), 주사직류전압(DCSC) 및 서스테인펄스(SUSZ)를 순차적으로 공급하는 역할을 한다.The Z driver 102 is commonly connected to the common sustain electrode lines Z1 to Zm to apply the setdown waveform (-RPSZ), the scan DC voltage, and the sustain pulse (SUSZ) to the Z electrode lines Z1 to Zm. It serves to supply sequentially.

X 구동부(104)는 스캔펄스(-SWSCN,-SESCN)에 동기되도록 어드레스 전극라인들(X1 내지 Xn)에 쓰기 데이터 펄스(SWD) 또는 소거 데이터 펄스(SED)를 공급한다.The X driver 104 supplies the write data pulse SWD or the erase data pulse SED to the address electrode lines X1 to Xn to be synchronized with the scan pulses -SWSCN and -SESCN.

도 6는 Y 구동부(100)의 구성과 동작을 설명하기 위하여 Y 구동부(100)를 상세히 나타낸다.6 illustrates the Y driver 100 in detail to explain the configuration and operation of the Y driver 100.

도 6을 참조하면, Y 구동부(100)는 에너지 회수회로(41)와 드라이버 집적회로(Integrated Circuit ; 이하, 'IC'라 함)(42) 사이에 접속되는 제4 스위치(Q4)와, 제4 스위치(Q4)와 드라이버 IC(42) 사이에 접속되어 스캔펄스(-SWSCN,-SESCN)를 생성하기 위한 스캔 기준전압 공급부(43) 및 스캔 전압 공급부(44)와, 제4 스위치(Q4)와 스캔 기준전압 공급부(43) 및 스캔 전압 공급부(44) 사이에 접속되어 셋업/다운파형(RPSY,-RPSY)를 생성하기 위한 셋업 공급부(45) 및 셋다운 공급부(46)와, 셋업 공급부(45) 및 셋다운 공급부(46) 사이에 접속되어 셋업/다운파형을 절환하기 위한 제5 스위치(Q5)를 구비한다. 또한 셋업 전압원(Vsetup)과 에너지 회수회로(41) 사이에 접속되어 셋업 전압(Vs)을 일정하게 유지시키기 위한 제1 캐패시터(C1)와, 스캔전압원(Vsc)과 제3 노드(n4) 사이에 직렬 접속된 제2 캐패시터(C2)를 구비한다.Referring to FIG. 6, the Y driver 100 includes a fourth switch Q4 connected between an energy recovery circuit 41 and a driver integrated circuit (hereinafter, referred to as IC) 42. A scan reference voltage supply unit 43 and a scan voltage supply unit 44 connected between the fourth switch Q4 and the driver IC 42 to generate the scan pulses -SWSCN and -SESCN, and the fourth switch Q4. And a setup supply 45 and a set down supply 46 connected between the scan reference voltage supply 43 and the scan voltage supply 44 to generate setup / down waveforms RPSY and -RPSY, and a setup supply 45 And a fifth switch Q5 connected between the set-down supply 46 and for switching the setup / down waveform. Also connected between the setup voltage source Vsetup and the energy recovery circuit 41, between the first capacitor C1 and the scan voltage source Vsc and the third node n4 for keeping the setup voltage Vs constant. A second capacitor C2 connected in series is provided.

드라이버 IC(42)는 푸쉬풀 형태로 접속되며 에너지 회수회로(41), 스캔 기준전압 공급부(43) 및 스캔 전압 공급부(44)로부터 전압신호가 입력되는 제11 및 제12 스위치들(Q11,Q12)로 구성된다.The driver IC 42 is connected in a push-pull form and includes eleventh and twelfth switches Q11 and Q12 to which a voltage signal is input from the energy recovery circuit 41, the scan reference voltage supply 43, and the scan voltage supply 44. It is composed of

제11 및 제12 스위치들(Q11,Q12) 사이의 출력라인은 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym) 중 어느 하나에 접속된다.The output line between the eleventh and twelfth switches Q11 and Q12 is connected to any one of the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym.

에너지 회수회로(41)는 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)으로부터 회수되는 전압을 충전하기 위한 외부 캐패시터(CexY)와, 외부 캐패시터(CexY)에 병렬 접속된 스위치들(Q15,Q16)과, 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에 접속된인덕터(L_y)와, 서스테인 전압 공급원(Vs)과 제2 노드(n2) 사이에 접속된 제1 스위치(Q1)와, 제2 노드(n2)와 그라운드단자(GND) 사이에 접속된 제2 스위치(Q2)로 구성된다.The energy recovery circuit 41 includes external capacitors CexY for charging the voltage recovered from the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym, switches Q15 and Q16 connected in parallel to the external capacitors CexY, An inductor L_y connected between the first node n1 and the second node n2, a first switch Q1 connected between the sustain voltage supply source Vs and the second node n2, and a second; The second switch Q2 is connected between the node n2 and the ground terminal GND.

에너지 회수회로(41)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 외부 캐패시터(Cex_y)에는 Vs/2 전압이 충전되어 있다고 가정한다. 제15 스위치(Q15)가 턴-온되면, 외부 캐패시터(CexY)에 충전된 전압은 제15 스위치(Q15), 제1 다이오드(D1) 및 인덕터(L_y)를 경유하여 드라이버 IC(42)에 공급되고 드라이버 IC(42)의 도시하지 않은 내부 다이오드를 통해 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)에 공급된다. 이 때, 인덕터(L_y)는 셀 내의 정전용량(C)과 함께 직렬 LC 공진회로를 구성하게 되므로 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)에는 공진파형이 공급된다. 공진파형의 공진점에서 제1 스위치(Q1)가 턴-온되어 서스테인 전압(Vs)을 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)에 공급하게 된다. 그러면 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)의 전압레벨은 서스테인 전압(Vs)을 유지하게 되며, 소정 시간 후에 제1 스위치(Q1)는 턴-오프되고 제16 스위치(Q16)가 턴-온된다. 이 때, 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)의 전압은 외부 캐패시터(Cex_y)에 회수된다. 이어서, 제16 스위치(Q16)가 턴-오프되고 제2 스위치(Q2)가 턴-온되면 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)의 전압은 그라운드 전위를 유지한다.The operation of the energy recovery circuit 41 will be described below. It is assumed that the external capacitor Cex_y is charged with the voltage Vs / 2. When the fifteenth switch Q15 is turned on, the voltage charged in the external capacitor CexY is supplied to the driver IC 42 via the fifteenth switch Q15, the first diode D1, and the inductor L_y. And supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym through an internal diode (not shown) of the driver IC 42. At this time, since the inductor L_y forms a series LC resonant circuit together with the capacitance C in the cell, the resonant waveform is supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. The first switch Q1 is turned on at the resonance point of the resonant waveform to supply the sustain voltage Vs to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. Then, the voltage level of the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym maintains the sustain voltage Vs. After a predetermined time, the first switch Q1 is turned off and the sixteenth switch Q16 is turned on. . At this time, the voltages of the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym are recovered to the external capacitor Cex_y. Subsequently, when the sixteenth switch Q16 is turned off and the second switch Q2 is turned on, the voltage of the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym maintains the ground potential.

이 에너지 회수회로(41)에 의해 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)의 전압이 충방전되는 동안, 에너지 회수회로(41)와 드라이버 IC(42) 사이의 전류패스를 형성하기 위하여 제4 스위치(Q4) 및 제5 스위치(Q5)는 온(on) 상태를 유지한다.A fourth switch for forming a current path between the energy recovery circuit 41 and the driver IC 42 while the voltage of the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym is charged and discharged by the energy recovery circuit 41. Q4 and the fifth switch Q5 remain on.

이렇게 에너지 회수회로(41)는 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)으로부터 방전되는 전압을 외부 캐패시터(CexY)를 이용하여 회수한다. 그리고 에너지 회수회로(41)는 회수된 전압을 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)에 공급함으로써 셋업기간과 서스테인기간의 방전시에 과도한 소비전력을 줄이게 된다.In this way, the energy recovery circuit 41 recovers the voltage discharged from the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym by using the external capacitor CexY. The energy recovery circuit 41 supplies the recovered voltage to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym to reduce excessive power consumption during discharge of the setup period and the sustain period.

스캔 기준전압 공급부(43)는 제3 노드(n3)와 선택적 쓰기용 스캔전압원(-Vyw) 사이에 접속된 제7 스위치(Q7)와, 제3 노드(n3)와 선택적 소거용 스캔 전압원(-Vye) 사이에 직렬 접속된 제8 및 제9 스위치(Q8,Q9)로 구성된다. 제7 스위치(Q7)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(yw)에 응답하여 절환됨으로써 선택적 쓰기용 스캔전압(-Vyw)을 드라이버 IC(42)에 공급하는 역할을 한다. 제8 및 제9 스위치(Q8,Q9)는 선택적 소거 서브필드(ESF)의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(ye)에 응답하여 절환됨으로써 선택적 소거용 스캔전압(-Vye)을 드라이버 IC(42)에 공급하는 역할을 한다.The scan reference voltage supply unit 43 includes a seventh switch Q7 connected between the third node n3 and the selective write scan voltage source -Vyw, and a scan voltage source (-) with the third node n3 and the selective erase. It consists of the 8th and 9th switches Q8 and Q9 connected in series between Vye. The seventh switch Q7 is switched in response to the control signal yw supplied in the address period of the selective write subfield WSF to supply the selective write scan voltage -Vyw to the driver IC 42. do. The eighth and ninth switches Q8 and Q9 are switched in response to the control signal ye supplied in the address period of the selective erasing subfield ESF to thereby convert the selective erasing scan voltage -Vye to the driver IC 42. To serve.

스캔 전압 공급부(44)는 스캔전압원(Vsc)과 제4 노드(n4) 사이에 직렬 접속되는 제13 스위치(Q13)로 구성된다. 제13 스위치(Q13)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)와 선택적 소거 서브필드(ESF)의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(SC)에 응답하여 절환됨으로써 스캔전압(Vsc)을 드라이버 IC(42)에 공급하는 역할을 한다. 이 때 스캔전압원(Vsc)과 제3 노드(n3) 사이에 연결된 제2 캐패시터(C2)는 스캔전압원(Vsc)로부터의 스캔전압을 충전하여 충전된 전압을 플로팅 레벨로 유지하면서 선택적 쓰기방식과 선택적 소거방식에서 각기 다른 전압 레벨을 만들 수 있도록 한다.The scan voltage supply 44 is composed of a thirteenth switch Q13 connected in series between the scan voltage source Vsc and the fourth node n4. The thirteenth switch Q13 is switched in response to the control signal SC supplied in the address periods of the selective write subfield WSF and the selective erase subfield ESF to transfer the scan voltage Vsc to the driver IC 42. It serves to supply. At this time, the second capacitor C2 connected between the scan voltage source Vsc and the third node n3 charges the scan voltage from the scan voltage source Vsc and maintains the charged voltage at a floating level. Allows different voltage levels to be created in the erase scheme.

셋업 공급부(45)는 셋업 전압원(Vsetup)과 제3 노드(n3) 사이에 접속된 제4 다이오드(D3), 저항(R) 및 제3 스위치(Q3)로 구성된다. 제3 다이오드(D3)는 제3 노드(n3)로부터 셋업 전압원(Vsetup) 쪽으로 흐르는 역방향 전류를 차단하는 역할을 하게 된다. 제3 스위치(Q3)는 셋업파형(RPSY)을 공급하는 역할을 하게 된다. 이 셋업파형(RPSY)의 기울기는 제3 스위치(Q3)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 따라서, 셋업파형(RPSY)의 기울기는 가변저항(R1)의 저항값 조절에 의해 조정된다.The setup supply 45 is composed of a fourth diode D3, a resistor R and a third switch Q3 connected between the setup voltage source Vsetup and the third node n3. The third diode D3 blocks the reverse current flowing from the third node n3 toward the setup voltage source Vsetup. The third switch Q3 serves to supply the setup waveform RPSY. The slope of this setup waveform RPSY is determined by the RC time constant value of the RC time constant circuit connected to the control terminal of the third switch Q3, that is, the gate terminal. Therefore, the slope of the setup waveform RPSY is adjusted by adjusting the resistance value of the variable resistor R1.

셋다운 공급부(46)는 제3 노드(n3)와 선택적 쓰기용 스캔 전압원(-Vyw) 사이에 접속된 제6 스위치(Q6)를 포함한다. 제6 스위치(Q6)는 셋다운파형(-RPSY)을 공급하는 역할을 한다. 이 셋다운파형(-RPSY)의 기울기는 제6 스위치(Q6)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 따라서, 셋다운파형(-RPSY)의 기울기는 가변저항(R2)의 저항값 조절에 의해 조정된다.The set-down supply 46 includes a sixth switch Q6 connected between the third node n3 and the selective write scan voltage source -Vyw. The sixth switch Q6 serves to supply the setdown waveform -RPSY. The slope of the set-down waveform (-RPSY) is determined by the RC time constant value of the RC time constant circuit connected to the control terminal of the sixth switch Q6, that is, the gate terminal. Therefore, the slope of the set-down waveform -RPSY is adjusted by adjusting the resistance value of the variable resistor R2.

Y 구동부(100)는 각각 제3 노드(n3)와 제4 노드(n4)를 경유하여 스캔 기준전압 공급부(43)와 스캔전압 공급부(44)에 접속되는 제10 스위치(Q10)를 구비한다. 제10 스위치(Q10)는 제어신호(Dic_updn)에 응답하여 드라이버 IC(42)에 공급되는 스캔전압(Vsc)을 절환하는 역할을 한다.The Y driver 100 includes a tenth switch Q10 connected to the scan reference voltage supply unit 43 and the scan voltage supply unit 44 via the third node n3 and the fourth node n4, respectively. The tenth switch Q10 switches the scan voltage Vsc supplied to the driver IC 42 in response to the control signal Dic_updn.

제5 스위치(Q5)는 셋다운과 어드레싱 동작시 서스테인 다운부로 부극성 전아이 공급되기 때문에 이 경우 에너지 회수회로(41) 내 제2 스위치(Q2)를 통하여 그라운드와 단락됨을 방지하기 위한 것이다.Since the fifth switch Q5 is supplied with the negative polarity eye to the sustain down part in the set down and addressing operations, the fifth switch Q5 is to prevent the short circuit from the ground through the second switch Q2 in the energy recovery circuit 41.

도 6을 결부하여 Y 구동부(100)의 동작을 설명하면 다음과 같다.6, the operation of the Y driving unit 100 will be described.

선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 리셋기간에는 주사/서스테인 전극라인(Y)에 셋업파형(RPSY)과 셋다운파형(-RPSY)이 연속적으로 공급된다. 이를 위하여, 제3, 제5 및 제6 스위치(Q3,Q5,Q6)는 각각 제어신호(setup,setdn)에 응답하여 순차적으로 턴-온된다. 그러면 제3, 제5 및 제6 스위치(Q3,Q5,Q6)와 드라이버 IC(42)의 제12 스위치(Q12)를 경유하여 정극성의 셋업전압(Vsetup)과 부극성의 스캔 기준전압(-Vyw)이 순차적으로 주사/서스테인전극라인(Y)에 공급된다. 셋업파형(RPSY)은 셋업전압(Vsetup)까지 상승하고 셋다운파형(-RPSY)은 부극성의 스캔 기준전압(-Vyw)까지 하강한다. 여기서, 셋업전압(Vsetup)은 240∼260(V)로서 서스테인기간에 공급되는 서스테인전압(170∼190V)보다 높게 설정된다. 부극성의 스캔 기준전압(-Vyw)은 대략 -140∼-160(V)로 설정된다. 셋업파형(RPSY)은 소정 기울기로 셋업전압(Vsetup)까지 상승하게 되므로 셀 내에 방전을 크게 일으키지 않으면서도 주사(Scan) 시에 필요한 벽전하를 셀 내에 생성하게 된다. 이 셋업파형(RPSY)의 하강구간에는 에너지 회수회로(41)가 동작함으로써 그 기울기가 완만하게 조정된다. 이렇게 셋업파형(RPSY)의 하강 기울기가 완만하게 되기 때문에 셀들이 자가소거(Self-erase)되지 않게 되며 공통 서스테인전극라인(Z1 내지 Zm)에 공급되는 셋다운파형(-RPSZ)의 전압마진이 넓어지게 된다.In the reset period of the selective write subfield WSF, the setup waveform RPSY and the setdown waveform -RPSY are successively supplied to the scan / sustain electrode line Y. To this end, the third, fifth and sixth switches Q3, Q5 and Q6 are sequentially turned on in response to the control signals setup and setdn, respectively. Then, the positive set-up voltage Vsetup and the negative scan reference voltage (-Vyw) are passed through the third, fifth and sixth switches Q3, Q5 and Q6 and the twelfth switch Q12 of the driver IC 42. ) Is sequentially supplied to the scan / sustain electrode line (Y). The setup waveform RPSY rises to the setup voltage Vsetup and the set-down waveform -RPSY falls to the negative scan reference voltage -Vyw. Here, the setup voltage Vsetup is set to 240 to 260 (V) higher than the sustain voltages 170 to 190 V supplied in the sustain period. The negative scan reference voltage (-Vyw) is set to approximately -140 to -160 (V). Since the setup waveform RPSY rises to the setup voltage Vsetup at a predetermined slope, the setup waveform RPSY generates wall charges required in the scan without causing a large discharge in the cell. In the falling section of the setup waveform RPSY, the inclination of the energy recovery circuit 41 operates so that its inclination is smoothly adjusted. Since the falling slope of the setup waveform (RPSY) is gentle, the cells are not self-erased and the voltage margin of the set-down waveform (-RPSZ) supplied to the common sustain electrode lines (Z1 to Zm) is widened. do.

선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 어드레스 기간에는 제13 및 제14 스위치(Q13,Q14)가 턴-온되고 제10 스위치(Q10)가 턴-오프되어 스캔전압(Vsc)을 드라이버 IC(42)에 공급한다. 그리고 제7 스위치(Q7)가 턴-온되어 선택적 쓰기용 스캔전압(-Vyw)이 드라이버 IC(42)에 공급된다. 그러면 쓰기 스캔펄스(-SWSCN)가 주사/서스테인 전극라인들(Y1 내지 Ym)에 순차적으로 공급된다. 이 쓰기 스캔펄스(-SWSCN)의 전압레벨은 60∼80(V)로 설정된다. 이 쓰기 스캔펄스(-SWSCN)와 동기되어 논리값이 '1'인 쓰기 비디오 데이터 펄스(SWD)가 공급된다. 그 결과, 선택된 방전셀에는 펄스폭이 큰 쓰기 스캔펄스(-SWSCN)와 쓰기 비디오 데이터 펄스(SWD)의 전압차에 의해 라이팅방전이 일어나게 된다. 이렇게 라이팅 방전이 일어난 방전셀 내에는 벽전하 및 공간전하가 생성된다. 이 벽전하 및 공간전하에 의해 선택된 방전셀은 이어지는 서스테인 기간에 공급되는 서스테인펄스에 의해 방전이 일어날 수 있는 벽전압이 충전된다. 제10 스위치(Q10)는 스캔펄스(-SWSCN)가 공급되는 동안에 오프 상태를 유지하며, 그 이외의 기간에는 온 상태를 유지한다.In the address period of the selective write subfield WSF, the thirteenth and fourteenth switches Q13 and Q14 are turned on and the tenth switch Q10 is turned off to transmit the scan voltage Vsc to the driver IC 42. Supply. The seventh switch Q7 is turned on so that the selective write scan voltage -Vyw is supplied to the driver IC 42. The write scan pulse -SWSCN is then sequentially supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. The voltage level of this write scan pulse (-SWSCN) is set to 60 to 80 (V). In synchronization with this write scan pulse (-SWSCN), a write video data pulse (SWD) having a logic value of '1' is supplied. As a result, writing discharge occurs in the selected discharge cell due to the voltage difference between the write scan pulse (-SWSCN) and the write video data pulse (SWD) having a large pulse width. Wall charges and space charges are generated in the discharge cells in which the lighting discharges are generated. The discharge cells selected by the wall charges and the space charges are charged with the wall voltage at which the discharge can occur by the sustain pulses supplied in the subsequent sustain period. The tenth switch Q10 maintains the off state while the scan pulse (−SWSCN) is supplied, and maintains the on state during other periods.

선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 서스테인기간에는 주사/서스테인전극라인(Y)에 펄스폭이 큰 제1 서스테인펄스(SUSY1)가 공급된 후에, 펄스폭이 작은 정상 서스테인펄스(SUSY2)와 펄스폭이 큰 마지막 서스테인펄스(SUSY3)가 연속으로 공급된다. 이 때, 에너지 회수회로(41)는 외부 캐패시터(CexY)에 충전된 전압과 LC 공진을 이용하여 공진파형을 드라이버 IC(42)에 공급한 후에 제1 스위치(Q1)를 턴-온하여 서스테인전압(Vs)을 드라이버 IC(42)에 공급하게 된다. 어드레스기간에 라이팅 방전이 일어난 방전셀들은 서스테인 펄스들(SUSY1,SUSY2,SUSY3)의 수 만큼 서스테인 방전이 일어난다. 어드레스기간에 라이팅 방전이 일어나지 않은 방전셀들은 서스테인 펄스(SUSY1,SUSY2,SUSY3)에 의한 서스테인 전압(Vs)이 공급되어도 벽전압이 거의 없기 때문에 방전이 일어나지 않는다. 제1 서스테인펄스(SUSY1)는 서스테인 방전 개시가 안정적으로 이루어지도록 대략 20㎲ 정도의 펄스폭을 가진다. 제2 서스테인펄스(SUSy2)는 대략 2.5∼5㎲ 정도의 펄스폭을 가진다. 그리고 제3 서스테인펄스(SUSy3)는 유지방전이 자가소거되지 않도록 펄스폭이 5㎲ 이상으로 설정된다.In the sustain period of the selective write subfield WSF, the first sustain pulse SUSY1 having a large pulse width is supplied to the scan / sustain electrode line Y, and then the normal sustain pulse SUSY2 having a small pulse width and the pulse width are supplied. The large last sustain pulse SUSY3 is supplied continuously. At this time, the energy recovery circuit 41 supplies the resonance waveform to the driver IC 42 by using the voltage charged in the external capacitor CexY and the LC resonance, and then turns on the first switch Q1 to maintain the sustain voltage. (Vs) is supplied to the driver IC 42. The discharge cells in which the writing discharge is generated in the address period are sustained by the number of sustain pulses SUSY1, SUSY2, and SUSY3. In the discharge cells in which writing discharge has not occurred in the address period, even when the sustain voltage Vs is supplied by the sustain pulses SUSY1, SUSY2, and SUSY3, the discharge does not occur because the wall voltage is almost absent. The first sustain pulse SUSY1 has a pulse width of approximately 20 s so that the sustain discharge starts stably. The second sustain pulse SUSy2 has a pulse width of approximately 2.5 to 5 ms. The third sustain pulse SUSy3 is set to a pulse width of 5 m or more so that the sustain discharge is not self-erased.

선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 마지막 시점에는 이어지는 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드(WSF)인지 아니면, 선택적 소거 서브필드(ESF)인지에 따라 소거펄스(ERSPY) 또는 펄스폭이 큰 리셋펄스(RSTP)가 공급된다. 이어지는 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드(WSF)이면 현재의 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 종료시점에는 공통 서스테인 전극라인(Z)에 공급되는 소거펄스(ERSPZ) 및 램프파형(RAMP)과 한 조를 이루는 소거펄스(ERSPY)가 주사/서스테인 전극라인(Y)에 공급된다. 이렇게 한 조를 이루는 소거펄스들(ERSPY,ERSPZ)과 램프파형(RAMP)은 미약한 방전을 연속적으로 일으킴으로써 선택된 방전셀들의 서스테인 방전을 소거시킨다. 그리고 소거펄스들(ERSPY,ERSPZ)과 램프파형(RAMP)은 되도록 미약한 방전을 연속적으로 일으킴으로써 이어지는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 초기시점에 전화면의 셀들 내에 벽전압을 균일하게 축적시키게 된다. 소거펄스(ERSPY,ERSPZ)는 펄스폭이 대략 1㎲ 내인 세폭 구형파이며, 램프파형(RAMP)은 펄스폭이 대략 20㎲로 설정된다. 반면에, 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)이면 현재의 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 종료시점에는 펄스폭이 큰 구형파인 제3 서스테인펄스(SUSY3)가 공급된다. 이 제3 서스테인펄스(SUSY3)는 현재 켜진 셀들에 충분한 벽전하를 생성하여 이어지는 선택적 소거 서브필드(ESF)에서 안정된 어드레스 동작이 가능하게 한다.At the end of the selective write subfield (WSF), the erase pulse (ERSPY) or the reset pulse (RSTP with a large pulse width) is large depending on whether the next subsequent subfield is the selective write subfield (WSF) or the selective erase subfield (ESF). ) Is supplied. If the next subfield that follows is the selective write subfield WSF, the pair of erase pulses ERSPZ and ramp waveforms RAMP supplied to the common sustain electrode line Z at the end of the current selective write subfield WSF are combined. The erase pulse ERSPY is supplied to the scan / sustain electrode line Y. The pair of erasing pulses ERSPY and ERSPZ and the ramp waveform RAMP thus suppress the sustain discharge of the selected discharge cells by continuously generating a weak discharge. The erase pulses ERSPY and ERSPZ and the ramp waveform RAMP continuously generate as few discharges as possible, so that the wall voltages are uniformly accumulated in the cells of the full screen at the initial point of the subsequent selective write subfield WSF. . The erase pulses ERSPY and ERSPZ are narrow square waves having a pulse width of approximately 1 ms, and the ramp waveform RAMP is set to a pulse width of approximately 20 Hz. On the other hand, if the next subsequent subfield is the selective erasure subfield ESF, the third sustain pulse SUSY3, which is a square wave having a large pulse width, is supplied at the end of the current selective write subfield WSF. The third sustain pulse SUSY3 generates sufficient wall charge in the cells that are currently turned on to enable stable address operation in the subsequent selective erase subfield (ESF).

한편, 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)이면 현재의 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 종료시점에 공급되는 펄스는 펄스폭이 넓은 펄스가 공급될 수 있고 전압레벨이 정상 서스테인펄스보다 크게 설정될 수도 있다. 또한, 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)이면 현재의 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 종료시점에 공급되는 펄스는 서스테인기간에 공급되는 서스테인 펄스에 비하여 펄스폭이 넓고 전압레벨이 더 크게 공급될 수도 있다.On the other hand, if the next subsequent subfield is the selective erase subfield (ESF), the pulse supplied at the end of the current selective write subfield (WSF) can be supplied with a pulse having a wide pulse width and the voltage level is greater than the normal sustain pulse. It may be set. In addition, if the next subfield is the selective erasing subfield (ESF), the pulse supplied at the end of the current selective write subfield (WSF) has a wider pulse width and a higher voltage level than the sustain pulse supplied in the sustain period. It may be supplied.

선택적 소거 서브필드(ESF)에는 리셋기간이 생략된다. 이는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)이면 현재의 선택적 쓰기 서브필드(WSF) 또는 선택적 소거 서브필드(ESF)의 종료시점에 발생되는 마지막 서스테인펄스(SUSY3 또는 SUS5)가 다음 선택적 소거 서브필드(ESF)에서 셀을 켜는 역할을 하기 때문이다. 따라서, 선택적 소거 서브필드(ESF)의 초기에는 어드레스기간이 설정된다.The reset period is omitted in the selective erase subfield (ESF). This means that if the next subfield is an optional erase subfield (ESF), the last sustain pulse (SUSY3 or SUS5) generated at the end of the current optional write subfield (WSF) or selective erase subfield (ESF) is the next selective erase subfield. This is because it plays a role in turning on the cell at (ESF). Therefore, the address period is set at the beginning of the selective erasing subfield (ESF).

선택적 소거 서브필드(ESF)의 어드레스기간에는 제13 및 제14 스위치(Q13,Q14)가 턴-온되어 스캔전압(Vs)을 드라이버 IC(42)에 공급하게 된다. 그리고 제8 및 제9 스위치(Q8,Q9)가 턴-온되어 선택적 소거용 스캔전압(-Vye)이 드라이버 IC(42)에 공급된다. 그러면 소거 스캔펄스(-SESCN)가 주사/서스테인 전극라인들(Y1 내지 Ym)에 순차적으로 공급된다. 여기서, 소거 스캔펄스(-SESCN)의 전압레벨은 대략 60∼80(V)로 설정된다. 이 소거 스캔펄스(-SESCN)와 동기되어 논리값이 "0"인 소거 비디오 데이터 펄스(SED)가 공급된다. 그 결과, 선택된 방전셀에는 펄스폭이 세폭인 소거 스캔펄스(-SESCN)와 소거 비디오 데이터 펄스(SED)의 전압차에 의해 미약한 라이팅방전이 일어나게 된다. 이 방전에 의해 방전셀 내의 벽전하와 공간전하는 재결합(Recombination)되어 소거된다. 따라서, 소거 스캔펄스(-SESCN)와 소거 비디오 데이터 펄스(SED)에 의해 소거 방전이 일어난 방전셀들은 방전에 필요한 전압만큼 충전되지 않기 때문에 서스테인펄스가 공급되어도 방전이 일어나지 않는다. 제10 스위치(Q10)는 스캔펄스(-SESCN)가 공급되는 동안에 오프 상태를 유지하며, 그 이외의 기간에는 온 상태를 유지한다.In the address period of the selective erase subfield ESF, the thirteenth and fourteenth switches Q13 and Q14 are turned on to supply the scan voltage Vs to the driver IC 42. The eighth and ninth switches Q8 and Q9 are turned on to supply the selective erasing scan voltage -Vye to the driver IC 42. Then, the erase scan pulse -SESCN is sequentially supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. Here, the voltage level of the erase scan pulse (-SESCN) is set to approximately 60 to 80 (V). In synchronization with this erase scan pulse (-SESCN), an erase video data pulse SED having a logic value of "0" is supplied. As a result, a weak writing discharge occurs in the selected discharge cell due to the voltage difference between the erase scan pulse (-SESCN) and the erase video data pulse (SED) having a narrow pulse width. By this discharge, wall charges and space charges in the discharge cells are recombined and erased. Accordingly, since the discharge cells generated by the erase scan pulse (-SESCN) and the erase video data pulse (SED) are not charged as much as the voltage required for the discharge, no discharge occurs even when the sustain pulse is supplied. The tenth switch Q10 maintains the off state while the scan pulse (-SESCN) is supplied, and maintains the on state during other periods.

선택적 소거 서브필드(ESF)의 서스테인기간에는 펄스폭이 대략 2.5㎲∼5㎲ 정도인 정상 서스테인펄스(SUSY4)가 공급된다. 이 때, 에너지 회수회로(41)는 외부 캐패시터(CexY)에 충전된 전압과 LC 공진을 이용하여 공진파형을 드라이버 IC(42)에 공급한 후에 제1 스위치(Q1)를 턴-온하여 서스테인전압(Vs)을 드라이버 IC(42)에 공급하게 된다. 어드레스 기간에 소거 방전이 일어난 방전셀들은 내부의 벽전압이 거의 없기 때문에 서스테인 전압펄스(SUSY4)에 의해 서스테인전압(Vs)이 공급되어도 방전이 일어나지 않는다. 반면에, 어드레스 기간에 소거 방전이 일어나지 않은 방전셀들은 리셋기간 또는 셋업기간에 충전된 벽전압과 서스테인 전압(Vs)이 더해지기 때문에 방전이 일어날 수 있는 전압까지 충전된다. 따라서, 어드레스 기간에 소거 방전이 일어나지 않는 방전셀들은 서스테인펄스(SUSY4)의 수만큼 방전이 일어나게 된다.In the sustain period of the selective erasing subfield ESF, the normal sustain pulse SUSY4 having a pulse width of approximately 2.5 ms to 5 ms is supplied. At this time, the energy recovery circuit 41 supplies the resonance waveform to the driver IC 42 by using the voltage charged in the external capacitor CexY and the LC resonance, and then turns on the first switch Q1 to maintain the sustain voltage. (Vs) is supplied to the driver IC 42. Since the discharge cells in which the erase discharge has occurred in the address period have almost no internal wall voltage, discharge does not occur even when the sustain voltage Vs is supplied by the sustain voltage pulse SUSY4. On the other hand, the discharge cells which do not have erase discharge in the address period are charged to the voltage at which discharge can occur because the charged wall voltage and the sustain voltage Vs are added during the reset period or the setup period. Therefore, the discharge cells in which no erasure discharge occurs in the address period are discharged by the number of sustain pulses SUSY4.

선택적 소거 서브필드(ESF)의 종료 시점에는 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)인지 아니면 선택적 쓰기 서브필드(WSF)인지에 따라 펄스폭이 큰 서스테인펄스(SUSY5)나 펄스폭이 작은 소거펄스(ERSPY)가 공급된다. 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)이면 현재의 선택적 소거서브필드(ESF)의 종료시점에는 방전셀들을 켜기 위하여 펄스폭이 큰 서스테인펄스(SUSY5)가 공급된다. 이어지는 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드(WSF)이면 현재의 선택적 소거 서브필드(ESF)의 종료시점에는 공통 서스테인 전극라인(Z1 내지 Zm)에 공급되는 소거펄스(ERSPZ) 및 램프파형(RAMP)과 한 조를 이루는 소거펄스(ERSPY)가 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)에 공급된다. 소거펄스들(ERSPY,ERSPZ)과 램프파형(RAMP)은 다음 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 초기시점에 전화면의 셀들 내에 벽전압이 균일하게 되도록 미약한 방전을 연속적으로 일으킨다. 이 소거펄스들(ERSPY,ERSPZ)과 램프파형(RAMP)에 의하여, 전화면의 방전셀들에 균일한 벽전하와 공간전하가 축적된다. 이들에 관한 동작은 도 7에 도시된 구동파형 및 스위치 제어신호로써 설명되어진다.At the end of the selective erase subfield (ESF), a sustain pulse (SUSY5) having a large pulse width or a small pulse width is erased depending on whether the next subsequent subfield is the selective erase subfield (ESF) or the selective write subfield (WSF). The pulse ERSPY is supplied. If the next subfield that follows is the selective erasing subfield (ESF), a sustain pulse SUSUS5 having a large pulse width is supplied to turn on the discharge cells at the end of the current selective erasure subfield (ESF). If the next subfield that follows is the selective write subfield WSF, the erase pulse ERSPZ and ramp waveform RAMP supplied to the common sustain electrode lines Z1 to Zm at the end of the current selective erase subfield ESP are A pair of erase pulses ERSPY are supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. The erase pulses ERSPY and ERSPZ and the ramp waveform RAMP continuously generate a weak discharge so that the wall voltage is uniform in the full screen cells at the initial point of the next selective write subfield WSF. By the erase pulses ERSPY and ERSPZ and the ramp waveform RAMP, uniform wall charges and space charges are accumulated in the discharge cells of the full screen. Operations relating to them are explained by the drive waveform and the switch control signal shown in FIG.

그러나, 제4 스위치(Q4) 및 제5 스위치(Q5)에는 리셋전압 및 서스테인전압이 통과하게 되어 셋업파형을 인가하는 리셋전압 이상의 고내압 스위치여야 하므로 전계효과 트랜지스터(Field Effect Transistor; 이하 "FET"라 함)가 5개씩을 사용하여 총 10개의 FET가 회로보호용으로 사용된다. 이로써 다수의 FET를 사용함에 따른 비용이 상승됨과 아울러 에너지 손실이 많이 발생하는 단점이 있게 된다.However, since the reset voltage and the sustain voltage pass through the fourth switch Q4 and the fifth switch Q5, the switch must be a high breakdown voltage above the reset voltage for applying the setup waveform. A total of 10 FETs are used to protect the circuit using 5 units each. This increases the cost of using a large number of FETs and also has the disadvantage of generating a lot of energy loss.

따라서, 본 발명의 목적은 스위치 소자의 수를 줄임과 아울러 에너지 손실을 줄일 수 있도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a driving device of a plasma display panel which can reduce the number of switch elements and reduce energy loss.

도 1은 일반적인 3전극 교류 면방전 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.1 is a perspective view showing a typical three-electrode alternating surface discharge plasma display panel.

도 2는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 한 프레임 구성을 나타내는 도면.2 is a diagram showing a frame structure of a conventional plasma display panel.

도 3은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 한 프레임의 다른 구성을 나타내는 도면.3 is a view showing another configuration of one frame of a conventional plasma display panel.

도 4는 도 3의 선택적 쓰기 및 소거 방식에 따른 PDP의 구동방법의 구동파형을 나타낸 도면.FIG. 4 is a diagram illustrating a driving waveform of the PDP driving method according to the selective writing and erasing scheme of FIG. 3.

도 5는 일반적인 PDP의 구동장치를 개략적으로 나타낸 도면.5 is a view schematically showing a driving apparatus of a general PDP.

도 6은 종래 기술에 따른 주사/서스테인 전극 구동부를 상세히 나타내는 도면.6 is a view showing in detail the scan / sustain electrode driver according to the prior art;

도 7은 도 6에 도시된 구동부에 따른 구동파형 및 스위치 제어신호를 설명하는 도면.FIG. 7 is a view for explaining a driving waveform and a switch control signal according to the driving unit shown in FIG. 6;

도 8은 본 발명에 따른 PDP의 구동장치에서 주사/서스테인 전극 구동부를 상세히 나타내는 도면.8 is a view illustrating in detail the scan / sustain electrode driver in the driving apparatus of the PDP according to the present invention;

도 9는 도 8에 도시된 구동회로에 있어서 선택적 쓰기 서브필드의 구동파형과 스위칭 동작을 설명하는 도면.FIG. 9 is a diagram for explaining driving waveforms and switching operations of a selective write subfield in the driving circuit shown in FIG. 8; FIG.

도 10은 도 9에 도시된 셋다운 레벨을 검출하기 위한 구동회로를 나타내는 도면.10 is a view showing a driving circuit for detecting the setdown level shown in FIG.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 상부기판 12Y,12Z : 투명전극10: upper substrate 12Y, 12Z: transparent electrode

13Y,13Z : 금속버스전극 14,22 : 유전체층13Y, 13Z: metal bus electrode 14, 22: dielectric layer

16 : 보호막 18 : 하부기판16: protective film 18: lower substrate

20X : 어드레스전극 24 : 격벽20X: address electrode 24: partition wall

26 : 형광체 30Y : 주사/서스테인 전극26: phosphor 30Y: scan / sustain electrode

30Z : 공통 서스테인 전극 41,51 : 에너지 회수회로30Z: common sustain electrode 41, 51: energy recovery circuit

42,52 : 드라이버 집적회로 43,53 : 스캔 기준전압 공급부42,52: driver integrated circuit 43,53: scan reference voltage supply

44,54 : 스캔전압 공급부 45,55 : 셋업전압 공급부44,54: Scan voltage supply part 45,55: Setup voltage supply part

46,56 : 셋다운전압 공급부 57 : 브리지 정류회로46,56: set down voltage supply part 57: bridge rectification circuit

100 : Y 구동부 102 : Z 구동부100: Y drive unit 102: Z drive unit

104 : X 구동부104: X drive part

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는 전화면을 초기화하기 위한 리셋기간, 셀을 선택하기 위한 어드레스기간 및 선택된 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인기간으로 나누어 전극들을 구동하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치에 있어서, 패널의 제1 전극으로부터 에너지를 회수하는 에너지 회수회로를 포함하며 상기 리셋기간에 셋업/다운 펄스, 상기 어드레스기간에 상기 셀을 선택하기 위하여 선택적 쓰기에 대응하는 스캔펄스 및 선택적 소거에 대응하는 스캔펄스를 상기 제1 전극에 공급하기 위한 제1 전극 구동부를 구비하며; 상기 제1 전극 구동부는 푸쉬풀 형태로 접속되어 상기 제1 전극에 전압신호가 인가되도록 하는 스캔 구동부와, 상기 리셋기간에 램프파형 형태의 정극성 셋업신호를 상기 제1 전극에 공급하기 위한 셋업 구동부와, 상기 정극성 셋업신호가 공급된 후 램프파형 형태의 부극성신호를 상기 제1 전극에 공급하기 위한 셋다운 구동부와; 상기 에너지 회수회로와 상기 셋업 구동부 및 스캔 구동부 사이에 접속되어 셋다운 펄스 및 서스테인 펄스를 스위칭하기 위한 제1 스위치와, 상기 스캔 구동부와 스캔 전압원 사이에 접속되어 선택적 쓰기 및 소거필드의 어드레스기간에 스캔전압을 상기 스캔 구동부에 공급하도록 하는 스캔 전압 공급부와, 상기 스캔 전압 공급부와 셋다운 구동부 사이에 접속되어 그라운드 레벨 이하의 전압레벨을 가지는 셋다운 펄스와 어드레스기간의 스캔 펄스를 공급하기 제어 동작을 하는 제2 스위치와, 상기 셋업 구동부와 제1 스위치 사이에 형성된 제1 노드와 상기 스캔 전압 공급부와 상기 제2 스위치 사이에 형성된 제2 노드를 연결하는 충/방전 패스를구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the driving apparatus of the plasma display panel of the present invention is to drive the plasma by dividing it into a reset period for initializing the full screen, an address period for selecting a cell, and a sustain period for maintaining the discharge of the selected cell. A driving device for a display panel, comprising: an energy recovery circuit for recovering energy from a first electrode of the panel, the scan pulse corresponding to a setup / down pulse during the reset period and a selective write for selecting the cell in the address period And a first electrode driver for supplying a scan pulse corresponding to selective erasure to the first electrode; The first electrode driver is connected in the form of a push-pull scan driver for applying a voltage signal to the first electrode, and a setup driver for supplying a positive waveform setup signal having a ramp waveform to the first electrode during the reset period. And a set-down driver configured to supply a negative waveform signal having a ramp waveform to the first electrode after the positive setup signal is supplied to the first electrode. A first switch connected between the energy recovery circuit, the setup driver and the scan driver for switching a setdown pulse and a sustain pulse, and between the scan driver and the scan voltage source to provide a scan voltage in an address period of a selective write and erase field. A switch for supplying a scan voltage supply unit to supply the scan driver to the scan driver, and a control operation of supplying a scan pulse of an address period and a setdown pulse having a voltage level below the ground level connected between the scan voltage supply unit and the setdown driver; And a charge / discharge path for connecting a first node formed between the setup driver and the first switch and a second node formed between the scan voltage supply unit and the second switch.

본 발명의 경우 제1 전극 구동부와 교대로 상기 패널의 제2 전극으로부터 에너지를 회수하는 에너지 회수회로를 포함하며 선택적 쓰기시와 선택적 소거시에 상기 제2 전극에 직류전압을 공급하기 위한 제2 전극 구동부를 구비하는 것을 특징으로 한다.The present invention includes an energy recovery circuit for recovering energy from the second electrode of the panel alternately with the first electrode driver, and a second electrode for supplying a DC voltage to the second electrode during selective writing and selective erasing. It is characterized by including a drive unit.

본 발명의 경우 어드레스기간에 상기 셀을 선택적으로 켜기 위한 선택적 쓰기 데이터 및 상기 셀을 선택적으로 끄기 위한 선택적 소거 데이터 중 어느 하나를 상기 제1 및 제2 전극과 직교하는 제3 전극에 공급하기 위한 데이터 구동부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, data for supplying any one of selective write data for selectively turning on the cell and selective erase data for selectively turning off the cell to the third electrode orthogonal to the first and second electrodes in an address period. It further comprises a drive unit.

본 발명의 경우 그라운드 레벨 이하의 전압레벨을 가지도록 제2 스위치가 제어되도록 하는 셋다운 전압 검출부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, it is further characterized by a set-down voltage detector for controlling the second switch to have a voltage level below the ground level.

본 발명에서의 세다운 전압 검출부는 상기 스캔 구동부에 접속된 제1 저항과, 상기 제1 저항에 접속되어 제1 저항을 거친 전압을 배분하도록 하는 제2 및 제3 저항과, 상기 제2 저항과 제3 저항 사이에 접속되어 상기 제1 저항에 거친 전압을 유지하도록 하는 제너 다이오드와, 외부 전압원과 그라운드 사이에 직렬 접속되어 외부 전압을 일정 배율로 배분되게 하는 제4 및 제5 저항과, 상기 제2 및 제3 저항 사이의 제3 노드와 제4 및 제5 저항 사이의 제4 노드 사이로부터 도출되어 제3 및 제4 노드에 걸린 전압을 비교하여 상기 제2 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 신호를 출력하도록 하는 비교기를 구비하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the down voltage detector includes a first resistor connected to the scan driver, a second resistor and a third resistor connected to the first resistor to distribute the voltage across the first resistor, and the second resistor; A zener diode connected between a third resistor to maintain a voltage rough to the first resistor, fourth and fifth resistors connected in series between an external voltage source and ground to distribute an external voltage at a constant magnification; A signal derived from between the third node between the second and third resistors and the fourth node between the fourth and fifth resistors to compare the voltage across the third and fourth nodes to control the switching operation of the second switch. And a comparator for outputting.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above objects will become apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 8 및 도 10을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 10.

본 발명에 따른 PDP의 구동장치는 도 5에서와 같이 m 개의 주사/서스테인 전극라인들(Y1 내지 Ym)을 구동하기 위한 Y 구동부(100)와, m 개의 공통 서스테인 전극라인들(Z1 내지 Zm)을 구동하기 위한 Z 구동부(102)와, n 개의 어드레스 전극라인들(X1 내지 Xn)을 구동하기 위한 X 구동부(104)를 구비하며, 선택적 쓰기 및 소거 방식을 기준하여 설명한다.The driving apparatus of the PDP according to the present invention includes a Y driver 100 for driving m scan / sustain electrode lines Y1 to Ym and m common sustain electrode lines Z1 to Zm as shown in FIG. 5. And a Z driver 102 for driving the N-axis, and an X driver 104 for driving the n address electrode lines X1 to Xn, which will be described based on a selective write and erase method.

Y 구동부(100)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)에서 셋업/다운파형(RPSY,-RPSY)을 공급하여 전화면을 초기화시킴과 아울러 선택적 쓰기 서브필드(WSF)와 선택적 소거 서브필드(SEF)에서 서로 다른 스캔펄스(-SWSCN,-SESCN)를 주사/서스테인전극라인들(Y1 내지 Ym)에 순차적으로 공급하게 된다. 또한, Y 구동부(100)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)와 선택적 소거 서브필드(ESF)에서 서스테인펄스(SUSY)를 공급하여 서스테인 방전을 일으키게 된다.The Y driver 100 initializes the full screen by supplying the setup / down waveforms RPSY and -RPSY in the selective write subfield WSF, and in the selective write subfield WSF and the selective erase subfield SEF. Different scan pulses -SWSCN and -SESCN are sequentially supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. In addition, the Y driver 100 supplies sustain pulses SUSY in the selective write subfield WSF and the selective erase subfield ESF to generate sustain discharge.

Z 구동부(102)는 공통 서스테인 전극라인(Z1 내지 Zm)에 공통으로 접속되어 Z 전극라인들(Z1 내지 Zm)에 셋다운파형(-RPSZ), 주사직류전압(DCSC) 및 서스테인펄스(SUSZ)를 순차적으로 공급하는 역할을 한다.The Z driver 102 is commonly connected to the common sustain electrode lines Z1 to Zm to apply the setdown waveform (-RPSZ), the scan DC voltage, and the sustain pulse (SUSZ) to the Z electrode lines Z1 to Zm. It serves to supply sequentially.

X 구동부(104)는 스캔펄스(-SWSCN,-SESCN)에 동기되도록 어드레스 전극라인들(X1 내지 Xn)에 쓰기 데이터 펄스(SWD) 또는 소거 데이터 펄스(SED)를 공급한다.The X driver 104 supplies the write data pulse SWD or the erase data pulse SED to the address electrode lines X1 to Xn to be synchronized with the scan pulses -SWSCN and -SESCN.

도 8은 본 발명에 따른 PDP의 구동장치에서 Y 구동부(100)의 구성과 동작을설명하기 위하여 Y 구동부(100)를 상세히 나타낸 것이다.8 illustrates the Y driver 100 in detail to explain the configuration and operation of the Y driver 100 in the driving apparatus of the PDP according to the present invention.

도 8을 참조하면, Y 구동부(100)는 에너지 회수회로(51)와 드라이버 IC(52) 사이에 접속되는 제4 스위치(Q4)와, 제4 스위치(Q4)와 드라이버 IC(52) 사이에 접속되어 스캔펄스(-SWSCN,-SESCN)를 생성하기 위한 스캔 기준전압 공급부(53) 및 스캔 전압 공급부(54)와, 제4 스위치(Q4) 및 스캔 전압 공급부(54) 사이에 접속되어 셋업/다운파형(RPSY,-RPSY)를 생성하기 위한 셋업 공급부(55) 및 셋다운 공급부(56)를 구비한다. 또한 셋업 전압원(Vsetup)과 에너지 회수회로(51) 사이에 접속되어 셋업 전압(Vs)을 일정하게 유지시키기 위한 제1 캐패시터(C1)와, 스캔전압원(Vsc)과 제3 노드(n4) 사이에 직렬 접속된 제2 캐패시터(C2)를 구비한다.Referring to FIG. 8, the Y driver 100 includes a fourth switch Q4 connected between the energy recovery circuit 51 and the driver IC 52, and a fourth switch Q4 and the driver IC 52. Connected between the scan reference voltage supply section 53 and the scan voltage supply section 54 and the fourth switch Q4 and the scan voltage supply section 54 for generating scan pulses (-SWSCN, -SESCN) And a setup supply 55 and a set down supply 56 for generating the down waveforms RPSY and -RPSY. Also connected between the setup voltage source Vsetup and the energy recovery circuit 51, between the first capacitor C1 and the scan voltage source Vsc and the third node n4 for keeping the setup voltage Vs constant. A second capacitor C2 connected in series is provided.

드라이버 IC(52)는 푸쉬풀 형태로 접속되며 에너지 회수회로(51), 스캔 기준전압 공급부(53) 및 스캔 전압 공급부(54)로부터 전압신호가 입력되는 제10 및 제11 스위치들(Q10,Q11)로 구성된다.The driver IC 52 is connected in a push-pull form and includes tenth and eleventh switches Q10 and Q11 to which a voltage signal is input from the energy recovery circuit 51, the scan reference voltage supply unit 53, and the scan voltage supply unit 54. It consists of

제10 및 제11 스위치들(Q10,Q11) 사이의 출력라인은 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym) 중 어느 하나에 접속된다.The output line between the tenth and eleventh switches Q10 and Q11 is connected to any one of the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym.

에너지 회수회로(51)는 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)으로부터 회수되는 전압을 충전하기 위한 외부 캐패시터(CexY)와, 외부 캐패시터(CexY)에 병렬 접속된 스위치들(Q13,Q14)과, 제1 노드(n1)와 제2 노드(n2) 사이에 접속된 인덕터(L_y)와, 서스테인 전압 공급원(Vs)과 제2 노드(n2) 사이에 접속된 제1 스위치(Q1)와, 제2 노드(n2)와 그라운드단자(GND) 사이에 접속된 제2 스위치(Q2)로 구성된다.The energy recovery circuit 51 includes external capacitors CexY for charging the voltage recovered from the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym, switches Q13 and Q14 connected in parallel to the external capacitors CexY, An inductor L_y connected between the first node n1 and the second node n2, a first switch Q1 connected between the sustain voltage supply source Vs and the second node n2, and a second The second switch Q2 is connected between the node n2 and the ground terminal GND.

에너지 회수회로(51)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 외부 캐패시터(Cex_y)에는 Vs/2 전압이 충전되어 있다고 가정한다. 제13 스위치(Q13)가 턴-온되면, 외부 캐패시터(CexY)에 충전된 전압은 제13 스위치(Q13), 제1 다이오드(D1) 및 인덕터(L_y)를 경유하여 드라이버 IC(52)에 공급되고 드라이버 IC(52)의 도시하지 않은 내부 다이오드를 통해 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)에 공급된다. 이 때, 인덕터(L_y)는 셀 내의 정전용량(C)과 함께 직렬 LC 공진회로를 구성하게 되므로 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)에는 공진파형이 공급된다. 공진파형의 공진점에서 제1 스위치(Q1)가 턴-온 되어 서스테인 전압(Vs)을 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)에 공급하게 된다. 그러면 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)의 전압레벨은 서스테인 전압(Vs)을 유지하게 되며, 소정 시간 후에 제1 스위치(Q1)는 턴-오프되고 제14 스위치(Q14)가 턴-온 된다. 이 때, 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)의 전압은 외부 캐패시터(Cex_y)에 회수된다. 이어서, 제14 스위치(Q14)가 턴-오프되고 제2 스위치(Q2)가 턴-온되면 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)의 전압은 그라운드 전위를 유지한다.The operation of the energy recovery circuit 51 will be described below. It is assumed that the external capacitor Cex_y is charged with the voltage Vs / 2. When the thirteenth switch Q13 is turned on, the voltage charged in the external capacitor CexY is supplied to the driver IC 52 via the thirteenth switch Q13, the first diode D1, and the inductor L_y. And supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym through an internal diode (not shown) of the driver IC 52. At this time, since the inductor L_y forms a series LC resonant circuit together with the capacitance C in the cell, the resonant waveform is supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. The first switch Q1 is turned on at the resonance point of the resonance waveform to supply the sustain voltage Vs to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. Then, the voltage level of the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym maintains the sustain voltage Vs. After a predetermined time, the first switch Q1 is turned off and the fourteenth switch Q14 is turned on. . At this time, the voltages of the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym are recovered to the external capacitor Cex_y. Subsequently, when the fourteenth switch Q14 is turned off and the second switch Q2 is turned on, the voltage of the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym maintains the ground potential.

이 에너지 회수회로(51)에 의해 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)의 전압이 충방전되는 동안, 에너지 회수회로(51)와 드라이버 IC(52) 사이의 전류패스를 형성하기 위하여 제4 스위치(Q4)는 온(on) 상태를 유지한다.The fourth switch to form a current path between the energy recovery circuit 51 and the driver IC 52 while the voltage of the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym is charged and discharged by the energy recovery circuit 51. Q4 remains on.

이렇게 에너지 회수회로(51)는 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)으로부터 방전되는 전압을 외부 캐패시터(CexY)를 이용하여 회수한다. 그리고 에너지 회수회로(51)는 회수된 전압을 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)에 공급함으로써 셋업기간과 서스테인기간의 방전시에 과도한 소비전력을 줄이게 된다.In this way, the energy recovery circuit 51 recovers the voltage discharged from the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym by using an external capacitor CexY. The energy recovery circuit 51 supplies the recovered voltage to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym to reduce excessive power consumption during discharge of the setup period and the sustain period.

스캔 기준전압 공급부(53)는 제3 노드(n3)와 선택적 쓰기용 스캔전압원(-Vyw) 사이에 접속된 제6 스위치(Q6)와, 제3 노드(n3)와 선택적 소거용 스캔 전압원(-Vye) 사이에 직렬 접속된 제7 및 제8 스위치(Q7,Q8)로 구성된다. 제6 스위치(Q6)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(yw)에 응답하여 절환됨으로써 선택적 쓰기용 스캔전압(-Vyw)을 드라이버 IC(52)에 공급하는 역할을 한다. 제7 및 제8 스위치(Q7,Q8)는 선택적 소거 서브필드(ESF)의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(ye)에 응답하여 절환됨으로써 선택적 소거용 스캔전압(-Vye)을 드라이버 IC(52)에 공급하는 역할을 한다.The scan reference voltage supply unit 53 includes a sixth switch Q6 connected between the third node n3 and the selective write scan voltage source -Vyw, and a scan voltage source for the selective erase with the third node n3. The seventh and eighth switches Q7 and Q8 connected in series between Vye. The sixth switch Q6 is switched in response to the control signal yw supplied in the address period of the selective write subfield WSF, thereby supplying the selective write scan voltage -Vyw to the driver IC 52. do. The seventh and eighth switches Q7 and Q8 are switched in response to the control signal ye supplied in the address period of the selective erasing subfield ESF to thereby convert the selective erasing scan voltage (-Vye) into the driver IC 52. To serve.

스캔 전압 공급부(54)는 스캔전압원(Vsc)과 제4 노드(n4) 사이에 직렬 접속되는 제12 스위치(Q12)로 구성된다. 제12 스위치(Q12)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)와 선택적 소거 서브필드(ESF)의 어드레스기간에 공급되는 제어신호(SC)에 응답하여 절환됨으로써 스캔전압(Vsc)을 드라이버 IC(52)에 공급하는 역할을 한다. 이 때 스캔전압원(Vsc)과 제3 노드(n3) 사이에 연결된 제2 캐패시터(C2)는 스캔전압원(Vsc)로부터의 스캔전압을 충전하여 충전된 전압을 플로팅 레벨로 유지하면서 선택적 쓰기방식과 선택적 소거방식에서 각기 다른 전압 레벨을 만들 수 있도록 한다. 제2 캐패시터(C2)는 스캔 전압원(Vsc)과 셋업 공급부(55) 사이에 접속되어 스캔전압을 일정하게 유지시키는 역할을 한다.The scan voltage supply unit 54 is composed of a twelfth switch Q12 connected in series between the scan voltage source Vsc and the fourth node n4. The twelfth switch Q12 is switched in response to the control signal SC supplied in the address periods of the selective write subfield WSF and the selective erase subfield ESF to transfer the scan voltage Vsc to the driver IC 52. It serves to supply. At this time, the second capacitor C2 connected between the scan voltage source Vsc and the third node n3 charges the scan voltage from the scan voltage source Vsc and maintains the charged voltage at a floating level. Allows different voltage levels to be created in the erase scheme. The second capacitor C2 is connected between the scan voltage source Vsc and the setup supply unit 55 to maintain a constant scan voltage.

셋업 공급부(55)는 셋업 전압원(Vsetup)과 제4 노드(n4) 사이에 접속된 제3 다이오드(D3), 저항(R) 및 제3 스위치(Q3)로 구성된다. 제3 다이오드(D3)는 제4노드(n4)로부터 셋업 전압원(Vsetup) 쪽으로 흐르는 역방향 전류를 차단하는 역할을 하게 된다. 제3 스위치(Q3)는 셋업파형(RPSY)을 공급하는 역할을 하게 된다. 이 셋업파형(RPSY)의 기울기는 제3 스위치(Q3)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 따라서, 셋업파형(RPSY)의 기울기는 가변저항(R1)의 저항값 조절에 의해 조정된다. 또한 제1 캐패시터(C1)는 셋업 전압원(Vsetup)와 에너지 회수회로(51) 사이에 접속되어 셋업파형(RPSY)가 일정하게 유지시키는 역할을 한다.The setup supply 55 is composed of a third diode D3, a resistor R and a third switch Q3 connected between the setup voltage source Vsetup and the fourth node n4. The third diode D3 blocks the reverse current flowing from the fourth node n4 toward the setup voltage source Vsetup. The third switch Q3 serves to supply the setup waveform RPSY. The slope of this setup waveform RPSY is determined by the RC time constant value of the RC time constant circuit connected to the control terminal of the third switch Q3, that is, the gate terminal. Therefore, the slope of the setup waveform RPSY is adjusted by adjusting the resistance value of the variable resistor R1. In addition, the first capacitor C1 is connected between the setup voltage source Vsetup and the energy recovery circuit 51 to keep the setup waveform RPSY constant.

셋다운 공급부(56)는 제3 노드(n3)와 선택적 쓰기용 스캔 전압원(-Vyw) 사이에 접속된 제5 스위치(Q5)를 포함한다. 제5 스위치(Q5)는 셋다운파형(-RPSY)을 공급하는 역할을 한다. 이 셋다운파형(-RPSY)의 기울기는 제5 스위치(Q5)의 제어단자 즉, 게이트 단자에 연결된 RC 시정수회로의 RC 시정수값에 의해 결정된다. 따라서, 셋다운파형(-RPSY)의 기울기는 가변저항(R2)의 저항값 조절에 의해 조정된다.The set-down supply 56 includes a fifth switch Q5 connected between the third node n3 and the selective write scan voltage source -Vyw. The fifth switch Q5 serves to supply the setdown waveform -RPSY. The slope of the set-down waveform -RPSY is determined by the RC time constant value of the RC time constant circuit connected to the control terminal of the fifth switch Q5, that is, the gate terminal. Therefore, the slope of the set-down waveform -RPSY is adjusted by adjusting the resistance value of the variable resistor R2.

Y 구동부(100)는 각각 제3 노드(n3)와 제4 노드(n4)를 경유하여 스캔 기준전압 공급부(53)와 스캔전압 공급부(54)에 접속되는 제9 스위치(Q9)를 구비한다. 제9 스위치(Q9)는 제어신호(Dic_updn)에 응답하여 드라이버 IC(52)에 공급되는 스캔전압(Vsc)을 절환하는 역할을 한다.The Y driver 100 includes a ninth switch Q9 connected to the scan reference voltage supply unit 53 and the scan voltage supply unit 54 via the third node n3 and the fourth node n4, respectively. The ninth switch Q9 switches the scan voltage Vsc supplied to the driver IC 52 in response to the control signal Dic_updn.

도 9는 도 8에 도시된 구동회로에 있어서 선택적 쓰기 서브필드의 구동파형과 스위칭 동작을 설명하는 도면으로서, 도 8과 도 9를 결부하여 Y 구동부(100)의 동작을 설명하면 다음과 같다.FIG. 9 illustrates driving waveforms and switching operations of the selective write subfield in the driving circuit of FIG. 8. Referring to FIGS. 8 and 9, the operation of the Y driver 100 will be described as follows.

선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 리셋기간에는 주사/서스테인 전극라인(Y)에 셋업파형(RPSY)과 셋다운파형(-RPSY)이 연속적으로 공급된다. 이를 위하여, 제3, 제4 및 제5 스위치(Q3,Q4,Q5)는 각각 제어신호(setup,setdn)에 응답하여 순차적으로 턴-온된다. 그러면 제3, 제4 및 제5 스위치(Q3,Q4,Q5)와 드라이버 IC(52)의 제11 스위치(Q11)를 경유하여 정극성의 셋업전압(Vsetup)과 부극성의 스캔 기준전압(-Vyw)이 순차적으로 주사/서스테인전극라인(Y)에 공급된다. 셋업파형(RPSY)은 셋업전압(Vsetup)까지 상승하고 셋다운파형(-RPSY)은 부극성의 스캔 기준전압(-Vyw)까지 하강한다. 셋다운파형(-RPSY)은 P 시점을 기준으로 그라운드 이상의 전압동작 구간과 그라운드 이하의 전압 동작구간으로 나누어 구동된다.In the reset period of the selective write subfield WSF, the setup waveform RPSY and the setdown waveform -RPSY are successively supplied to the scan / sustain electrode line Y. To this end, the third, fourth and fifth switches Q3, Q4 and Q5 are sequentially turned on in response to the control signals setup and setdn, respectively. Then, the positive setup voltage Vsetup and the negative scan reference voltage (-Vyw) are passed through the third, fourth and fifth switches Q3, Q4 and Q5 and the eleventh switch Q11 of the driver IC 52. ) Is sequentially supplied to the scan / sustain electrode line (Y). The setup waveform RPSY rises to the setup voltage Vsetup and the set-down waveform -RPSY falls to the negative scan reference voltage -Vyw. The set-down waveform (-RPSY) is driven by dividing the voltage operation section above ground and the voltage operation section below ground based on the time point P.

T1 구간에는 제4 스위치(Q4), 제5 스위치(Q5) 및 제9 스위치(Q9)와 드라이버 IC(52) 내 제10 스위치(Q10)의 내부 다이오드를 통하여 셋다운 동작을 수행하게 된다. 이후 P 시점이 되면 T2 구간에는 제9 스위치(Q9)를 턴-오프 시키고 제11 스위치(Q11)를 턴-온 시켜서 셋다운 동작을 계속 수행한다. 이후 셋다운 파형이 선택절 쓰기 기준전압(-Vw)이 되면 리셋동작을 마치게 된다.In the T1 section, a setdown operation is performed through an internal diode of the fourth switch Q4, the fifth switch Q5, the ninth switch Q9, and the tenth switch Q10 in the driver IC 52. After the P point, the set-down operation is continued by turning off the ninth switch Q9 and turning on the eleventh switch Q11 in the T2 section. After that, when the set-down waveform becomes the selection clause write reference voltage (-Vw), the reset operation is completed.

상기에서와 같이 구간을 나누어 구동하는 것은 제9 스위치(Q9)를 통해 계속 셋다운 동작을 시킬 경우 제4 노드(n4)가 그라운드 이하로 내려가게 된다. 이러할 경우 제4 스위치(Q4)와 제2 스위치(Q2)의 내부 다이오드를 통해 그라운드와 단락되기 때문이다. 또한 제11 스위치(Q11)를 통해서 셋다운 동작할 경우 셋다운 시작전의 서스테인 전압(Vs)과 선택적 쓰기 기준 전압(-Vyw)을 통하여 드라이버 IC(52)가 견딜 수 있는 내압을 넘게 되는 문제점이 있기 때문이다.As described above, driving the divided sections causes the fourth node n4 to be lowered to the ground or less when the setdown operation is continuously performed through the ninth switch Q9. This is because a short circuit with the ground is performed through the internal diodes of the fourth switch Q4 and the second switch Q2. In addition, when the set-down operation is performed through the eleventh switch Q11, there is a problem that the breakdown voltage that the driver IC 52 can withstand is exceeded through the sustain voltage Vs and the selective write reference voltage (-Vyw) before the start of the setdown. .

여기서, 셋업전압(Vsetup)은 240∼260(V)로서 서스테인기간에 공급되는 서스테인전압(170∼190V)보다 높게 설정된다. 부극성의 스캔 기준전압(-Vyw)은 대략 -140∼-160(V)로 설정된다. 셋업파형(RPSY)은 소정 기울기로 셋업전압(Vsetup)까지 상승하게 되므로 셀 내에 방전을 크게 일으키지 않으면서도 주사(Scan) 시에 필요한 벽전하를 셀 내에 생성하게 된다. 이 셋업파형(RPSY)의 하강구간에는 에너지 회수회로(51)가 동작함으로써 그 기울기가 완만하게 조정된다. 이렇게 셋업파형(RPSY)의 하강 기울기가 완만하게 되기 때문에 셀들이 자가소거(Self-erase)되지 않게 되며 공통 서스테인전극라인(Z1 내지 Zm)에 공급되는 셋다운파형(-RPSZ)의 전압마진이 넓어지게 된다.Here, the setup voltage Vsetup is set to 240 to 260 (V) higher than the sustain voltages 170 to 190 V supplied in the sustain period. The negative scan reference voltage (-Vyw) is set to approximately -140 to -160 (V). Since the setup waveform RPSY rises to the setup voltage Vsetup at a predetermined slope, the setup waveform RPSY generates wall charges required in the scan without causing a large discharge in the cell. In the falling section of the setup waveform RPSY, the inclination of the energy recovery circuit 51 is operated to smoothly adjust the slope. Since the falling slope of the setup waveform (RPSY) is gentle, the cells are not self-erased and the voltage margin of the set-down waveform (-RPSZ) supplied to the common sustain electrode lines (Z1 to Zm) is widened. do.

선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 어드레스 기간에는 제12 스위치(Q12)가 턴-온되고 제9 스위치(Q9)가 턴-오프 되어 스캔전압(Vsc)을 드라이버 IC(52)에 공급한다. 그리고 제6 스위치(Q6)가 턴-온되어 선택적 쓰기용 스캔전압(-Vyw)이 드라이버 IC(52)에 공급된다. 그러면 쓰기 스캔펄스(-SWSCN)가 주사/서스테인 전극라인들(Y1 내지 Ym)에 순차적으로 공급된다. 이 쓰기 스캔펄스(-SWSCN)의 전압레벨은 60∼80(V)로 설정된다. 이 쓰기 스캔펄스(-SWSCN)와 동기되어 논리값이 '1'인 쓰기 비디오 데이터 펄스(SWD)가 공급된다. 그 결과, 선택된 방전셀에는 펄스폭이 큰 쓰기 스캔펄스(-SWSCN)와 쓰기 비디오 데이터 펄스(SWD)의 전압차에 의해 라이팅방전이 일어나게 된다. 이렇게 라이팅 방전이 일어난 방전셀 내에는 벽전하 및 공간전하가 생성된다. 이 벽전하 및 공간전하에 의해 선택된 방전셀은 이어지는 서스테인 기간에 공급되는 서스테인펄스에 의해 방전이 일어날 수 있는 벽전압이충전된다. 제9 스위치(Q9)는 셋다운펄스(-RPSY)가 그라운드 레벨 이하의 전압이 공급되는 동안과 스캔펄스(-SWSCN)가 공급되는 동안에 오프 상태를 유지하며, 그 이외의 기간에는 온 상태를 유지한다.In the address period of the selective write subfield WSF, the twelfth switch Q12 is turned on and the ninth switch Q9 is turned off to supply the scan voltage Vsc to the driver IC 52. The sixth switch Q6 is turned on so that the selective write scan voltage -Vyw is supplied to the driver IC 52. The write scan pulse -SWSCN is then sequentially supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. The voltage level of this write scan pulse (-SWSCN) is set to 60 to 80 (V). In synchronization with this write scan pulse (-SWSCN), a write video data pulse (SWD) having a logic value of '1' is supplied. As a result, writing discharge occurs in the selected discharge cell due to the voltage difference between the write scan pulse (-SWSCN) and the write video data pulse (SWD) having a large pulse width. Wall charges and space charges are generated in the discharge cells in which the lighting discharges are generated. The discharge cells selected by the wall charges and the space charges are charged with the wall voltages at which discharges can occur by the sustain pulses supplied in the subsequent sustain periods. The ninth switch Q9 maintains the off state while the set-down pulse (-RPSY) is supplied with a voltage below ground level and while the scan pulse (-SWSCN) is supplied, and remains on for other periods. .

선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 서스테인기간에는 주사/서스테인전극라인(Y)에 펄스폭이 큰 제1 서스테인펄스(SUSY1)가 공급된 후에, 펄스폭이 작은 정상 서스테인펄스(SUSY2)와 펄스폭이 큰 마지막 서스테인펄스(SUSY3)가 연속으로 공급된다. 이 때, 에너지 회수회로(51)는 외부 캐패시터(CexY)에 충전된 전압과 LC 공진을 이용하여 공진파형을 드라이버 IC(52)에 공급한 후에 제1 스위치(Q1)를 턴-온하여 서스테인전압(Vs)을 드라이버 IC(52)에 공급하게 된다. 어드레스기간에 라이팅 방전이 일어난 방전셀들은 서스테인 펄스들(SUSY1,SUSY2,SUSY3)의 수 만큼 서스테인 방전이 일어난다. 어드레스기간에 라이팅 방전이 일어나지 않은 방전셀들은 서스테인 펄스(SUSY1,SUSY2,SUSY3)에 의한 서스테인 전압(Vs)이 공급되어도 벽전압이 거의 없기 때문에 방전이 일어나지 않는다. 제1 서스테인펄스(SUSY1)는 서스테인 방전 개시가 안정적으로 이루어지도록 대략 20㎲ 정도의 펄스폭을 가진다. 제2 서스테인펄스(SUSY2)는 대략 2.5∼5㎲ 정도의 펄스폭을 가진다. 그리고 제3 서스테인펄스(SUSY3)는 유지방전이 자가소거되지 않도록 펄스폭이 5㎲ 이상으로 설정된다.In the sustain period of the selective write subfield WSF, the first sustain pulse SUSY1 having a large pulse width is supplied to the scan / sustain electrode line Y, and then the normal sustain pulse SUSY2 having a small pulse width and the pulse width are supplied. The large last sustain pulse SUSY3 is supplied continuously. At this time, the energy recovery circuit 51 supplies the resonance waveform to the driver IC 52 using the voltage charged in the external capacitor CexY and the LC resonance, and then turns on the first switch Q1 to sustain the voltage. (Vs) is supplied to the driver IC 52. The discharge cells in which the writing discharge is generated in the address period are sustained by the number of sustain pulses SUSY1, SUSY2, and SUSY3. In the discharge cells in which writing discharge has not occurred in the address period, even when the sustain voltage Vs is supplied by the sustain pulses SUSY1, SUSY2, and SUSY3, the discharge does not occur because the wall voltage is almost absent. The first sustain pulse SUSY1 has a pulse width of approximately 20 s so that the sustain discharge starts stably. The second sustain pulse SUSY2 has a pulse width of approximately 2.5 to 5 ms. The third sustain pulse SUSY3 is set to a pulse width of 5 m or more so that the sustain discharge is not self-erased.

선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 마지막 시점에는 이어지는 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드(WSF)인지 아니면, 선택적 소거 서브필드(ESF)인지에 따라 소거펄스(ERSPY) 또는 펄스폭이 큰 리셋펄스(RSTP)가 공급된다. 이어지는 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드(WSF)이면 현재의 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 종료시점에는 공통 서스테인 전극라인(Z)에 공급되는 소거펄스(ERSPZ) 및 램프파형(RAMP)과 한 조를 이루는 소거펄스(ERSPY)가 주사/서스테인 전극라인(Y)에 공급된다. 이렇게 한 조를 이루는 소거펄스들(ERSPY,ERSPZ)과 램프파형(RAMP)은 미약한 방전을 연속적으로 일으킴으로써 선택된 방전셀들의 서스테인 방전을 소거시킨다. 그리고 소거펄스들(ERSPY,ERSPZ)과 램프파형(RAMP)은 되도록 미약한 방전을 연속적으로 일으킴으로써 이어지는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 초기시점에 전화면의 셀들 내에 벽전압을 균일하게 축적시키게 된다. 소거펄스(ERSPY,ERSPZ)는 펄스폭이 대략 1㎲ 내인 세폭 구형파이며, 램프파형(RAMP)은 펄스폭이 대략 20㎲로 설정된다. 반면에, 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)이면 현재의 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 종료시점에는 펄스폭이 큰 구형파인 제3 서스테인펄스(SUSY3)가 공급된다. 이 제3 서스테인펄스(SUSY3)는 현재 켜진 셀들에 충분한 벽전하를 생성하여 이어지는 선택적 소거 서브필드(ESF)에서 안정된 어드레스 동작이 가능하게 한다.At the end of the selective write subfield (WSF), the erase pulse (ERSPY) or the reset pulse (RSTP with a large pulse width) is large depending on whether the next subsequent subfield is the selective write subfield (WSF) or the selective erase subfield (ESF). ) Is supplied. If the next subfield that follows is the selective write subfield WSF, the pair of erase pulses ERSPZ and ramp waveforms RAMP supplied to the common sustain electrode line Z at the end of the current selective write subfield WSF are combined. The erase pulse ERSPY is supplied to the scan / sustain electrode line Y. The pair of erasing pulses ERSPY and ERSPZ and the ramp waveform RAMP thus suppress the sustain discharge of the selected discharge cells by continuously generating a weak discharge. The erase pulses ERSPY and ERSPZ and the ramp waveform RAMP continuously generate as few discharges as possible, so that the wall voltages are uniformly accumulated in the cells of the full screen at the initial point of the subsequent selective write subfield WSF. . The erase pulses ERSPY and ERSPZ are narrow square waves having a pulse width of approximately 1 ms, and the ramp waveform RAMP is set to a pulse width of approximately 20 Hz. On the other hand, if the next subsequent subfield is the selective erasure subfield ESF, the third sustain pulse SUSY3, which is a square wave having a large pulse width, is supplied at the end of the current selective write subfield WSF. The third sustain pulse SUSY3 generates sufficient wall charge in the cells that are currently turned on to enable stable address operation in the subsequent selective erase subfield (ESF).

한편, 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)이면 현재의 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 종료시점에 공급되는 펄스는 펄스폭이 넓은 펄스가 공급될 수 있고 전압레벨이 정상 서스테인펄스보다 크게 설정될 수도 있다. 또한, 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)이면 현재의 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 종료시점에 공급되는 펄스는 서스테인기간에 공급되는 서스테인 펄스에 비하여 펄스폭이 넓고 전압레벨이 더 크게 공급될 수도 있다.On the other hand, if the next subsequent subfield is the selective erase subfield (ESF), the pulse supplied at the end of the current selective write subfield (WSF) can be supplied with a pulse having a wide pulse width and the voltage level is greater than the normal sustain pulse. It may be set. In addition, if the next subfield is the selective erasing subfield (ESF), the pulse supplied at the end of the current selective write subfield (WSF) has a wider pulse width and a higher voltage level than the sustain pulse supplied in the sustain period. It may be supplied.

선택적 소거 서브필드(ESF)에는 리셋기간이 생략된다. 이는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)이면 현재의 선택적 쓰기 서브필드(WSF) 또는 선택적 소거 서브필드(ESF)의 종료시점에 발생되는 마지막 서스테인펄스(SUSY3 또는 SUS5)가 다음 선택적 소거 서브필드(ESF)에서 셀을 켜는 역할을 하기 때문이다. 따라서, 선택적 소거 서브필드(ESF)의 초기에는 어드레스기간이 설정된다.The reset period is omitted in the selective erase subfield (ESF). This means that if the next subfield is an optional erase subfield (ESF), the last sustain pulse (SUSY3 or SUS5) generated at the end of the current optional write subfield (WSF) or selective erase subfield (ESF) is the next selective erase subfield. This is because it plays a role in turning on the cell at (ESF). Therefore, the address period is set at the beginning of the selective erasing subfield (ESF).

선택적 소거 서브필드(ESF)의 어드레스기간에는 제12 스위치(Q12)가 턴-온되어 스캔전압(Vs)을 드라이버 IC(52)에 공급하게 된다. 그리고 제7 및 제8 스위치(Q7,Q8)가 턴-온되어 선택적 소거용 스캔전압(-Vye)이 드라이버 IC(52)에 공급된다. 그러면 소거 스캔펄스(-SESCN)가 주사/서스테인 전극라인들(Y1 내지 Ym)에 순차적으로 공급된다. 여기서, 소거 스캔펄스(-SESCN)의 전압레벨은 대략 60∼80(V)로 설정된다. 이 소거 스캔펄스(-SESCN)와 동기되어 논리값이 "0"인 소거 비디오 데이터 펄스(SED)가 공급된다. 그 결과, 선택된 방전셀에는 펄스폭이 세폭인 소거 스캔펄스(-SESCN)와 소거 비디오 데이터 펄스(SED)의 전압차에 의해 미약한 라이팅방전이 일어나게 된다. 이 방전에 의해 방전셀 내의 벽전하와 공간전하는 재결합(Recombination)되어 소거된다. 따라서, 소거 스캔펄스(-SESCN)와 소거 비디오 데이터 펄스(SED)에 의해 소거 방전이 일어난 방전셀들은 방전에 필요한 전압만큼 충전되지 않기 때문에 서스테인펄스가 공급되어도 방전이 일어나지 않는다. 제9 스위치(Q9)는 스캔펄스(-SESCN)가 공급되는 동안에 오프 상태를 유지하며, 그 이외의 기간에는 온 상태를 유지한다.In the address period of the selective erase subfield ESF, the twelfth switch Q12 is turned on to supply the scan voltage Vs to the driver IC 52. The seventh and eighth switches Q7 and Q8 are turned on to supply the selective erasing scan voltage -Vye to the driver IC 52. Then, the erase scan pulse -SESCN is sequentially supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. Here, the voltage level of the erase scan pulse (-SESCN) is set to approximately 60 to 80 (V). In synchronization with this erase scan pulse (-SESCN), an erase video data pulse SED having a logic value of "0" is supplied. As a result, a weak writing discharge occurs in the selected discharge cell due to the voltage difference between the erase scan pulse (-SESCN) and the erase video data pulse (SED) having a narrow pulse width. By this discharge, wall charges and space charges in the discharge cells are recombined and erased. Accordingly, since the discharge cells generated by the erase scan pulse (-SESCN) and the erase video data pulse (SED) are not charged as much as the voltage required for the discharge, no discharge occurs even when the sustain pulse is supplied. The ninth switch Q9 maintains the off state while the scan pulse (-SESCN) is supplied, and maintains the on state during other periods.

선택적 소거 서브필드(ESF)의 서스테인기간에는 펄스폭이 대략 2.5㎲∼5㎲ 정도인 정상 서스테인펄스(SUSY4)가 공급된다. 이 때, 에너지 회수회로(51)는 외부 캐패시터(CexY)에 충전된 전압과 LC 공진을 이용하여 공진파형을 드라이버 IC(52)에 공급한 후에 제1 스위치(Q1)를 턴-온하여 서스테인전압(Vs)을 드라이버 IC(52)에 공급하게 된다. 어드레스 기간에 소거 방전이 일어난 방전셀들은 내부의 벽전압이 거의 없기 때문에 서스테인 전압펄스(SUSY4)에 의해 서스테인전압(Vs)이 공급되어도 방전이 일어나지 않는다. 반면에, 어드레스 기간에 소거 방전이 일어나지 않은 방전셀들은 리셋기간 또는 셋업기간에 충전된 벽전압과 서스테인 전압(Vs)이 더해지기 때문에 방전이 일어날 수 있는 전압까지 충전된다. 따라서, 어드레스 기간에 소거 방전이 일어나지 않는 방전셀들은 서스테인펄스(SUSY4)의 수만큼 방전이 일어나게 된다.In the sustain period of the selective erasing subfield ESF, the normal sustain pulse SUSY4 having a pulse width of approximately 2.5 ms to 5 ms is supplied. At this time, the energy recovery circuit 51 supplies the resonance waveform to the driver IC 52 using the voltage charged in the external capacitor CexY and the LC resonance, and then turns on the first switch Q1 to sustain the voltage. (Vs) is supplied to the driver IC 52. Since the discharge cells in which the erase discharge has occurred in the address period have almost no internal wall voltage, discharge does not occur even when the sustain voltage Vs is supplied by the sustain voltage pulse SUSY4. On the other hand, the discharge cells which do not have erase discharge in the address period are charged to the voltage at which discharge can occur because the charged wall voltage and the sustain voltage Vs are added during the reset period or the setup period. Therefore, the discharge cells in which no erasure discharge occurs in the address period are discharged by the number of sustain pulses SUSY4.

선택적 소거 서브필드(ESF)의 종료 시점에는 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)인지 아니면 선택적 쓰기 서브필드(WSF)인지에 따라 펄스폭이 큰 서스테인펄스(SUSY5)나 펄스폭이 작은 소거펄스(ERSPY)가 공급된다. 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드(ESF)이면 현재의 선택적 소거 서브필드(ESF)의 종료시점에는 방전셀들을 켜기 위하여 펄스폭이 큰 서스테인펄스(SUSY5)가 공급된다. 이어지는 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드(WSF)이면 현재의 선택적 소거 서브필드(ESF)의 종료시점에는 공통 서스테인 전극라인(Z1 내지 Zm)에 공급되는 소거펄스(ERSPZ) 및 램프파형(RAMP)과 한 조를 이루는 소거펄스(ERSPY)가 주사/서스테인 전극라인(Y1 내지 Ym)에 공급된다. 소거펄스들(ERSPY,ERSPZ)과 램프파형(RAMP)은 다음 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 초기시점에 전화면의 셀들 내에 벽전압이 균일하게 되도록 미약한 방전을 연속적으로 일으킨다. 이 소거펄스들(ERSPY,ERSPZ)과 램프파형(RAMP)에 의하여, 전화면의 방전셀들에 균일한 벽전하와 공간전하가 축적된다.At the end of the selective erase subfield (ESF), a sustain pulse (SUSY5) having a large pulse width or a small pulse width is erased depending on whether the next subsequent subfield is the selective erase subfield (ESF) or the selective write subfield (WSF). The pulse ERSPY is supplied. If the next subfield is a selective erasure subfield ESF, a sustain pulse SUSY5 having a large pulse width is supplied at the end of the current selective erasure subfield ESF to turn on the discharge cells. If the next subfield is a selective write subfield (WSF), the erase pulse (ERSPZ) and ramp waveform (RAMP) supplied to the common sustain electrode lines (Z1 to Zm) at the end of the current selective erase subfield (ESF) and A pair of erase pulses ERSPY are supplied to the scan / sustain electrode lines Y1 to Ym. The erase pulses ERSPY and ERSPZ and the ramp waveform RAMP continuously generate a weak discharge so that the wall voltage is uniform in the full screen cells at the initial point of the next selective write subfield WSF. By the erase pulses ERSPY and ERSPZ and the ramp waveform RAMP, uniform wall charges and space charges are accumulated in the discharge cells of the full screen.

도 10은 도 9에 도시된 셋다운 레벨을 검출하기 위한 구동회로를 나타내는 도면이다.FIG. 10 is a diagram illustrating a driving circuit for detecting the setdown level illustrated in FIG. 9.

도 10을 참조하면, 본 발명에 따른 셋다운 전압 검출회로(60)는 드라이버 IC(52)와 제9 스위치(Q9) 사이에 접속되어 도 9에 도시된 P 시점을 기준으로 제9 스위치(Q9)의 스위칭 동작을 제어하는 역할을 하며, 비교기(62), 제너다이오드(ZD), 5개의 저항(R1,R2,R3,R4,R5)으로 구성된다.Referring to FIG. 10, the set-down voltage detection circuit 60 according to the present invention is connected between the driver IC 52 and the ninth switch Q9 so that the ninth switch Q9 based on the point P of FIG. 9 is shown. It serves to control the switching operation of the comparator 62, Zener diode (ZD), and consists of five resistors (R1, R2, R3, R4, R5).

이들의 구성을 살펴보면, 드라이버 IC(52)와 제9 스위치(Q9) 사이에 형성된 제1 저항(R1)과, 제1 저항(R1)에 접속되어 제1 저항(R1)을 거친 전압을 배분하도록 하는 제2 및 제3 저항(R2,R3)과, 제2 저항(R2)과 제3 저항(R3) 사이에 접속되어 일정 전압을 유지하도록 하는 제너 다이오드(ZD)와, 외부 전압원(Vcc)과 그라운드(GND) 사이에 직렬 접속되어 외부 전압(Vcc)을 일정 배율로 배분되게 하는 제4 및 제5 저항(R4,R5)과, 제2 및 제3 저항(R2,R3) 사이의 제5 노드(n5)와 제4 및 제5 저항(R4,R5) 사이의 제6 노드(n6) 사이에 접속되어 상기 제5 및 제6 노드(n5,n6)로부터의 기준전압(Vr)과 셋다운전압(Vd)을 비교하여 비교 신호를 출력하도록 하는 비교기(62)를 구비한다. 이 때 제5 노드(n5)에서의 셋다운전압(Vd)은 제3 저항(R3)에 의해 그라운드(GND) 이상의 전압으로 그 근처의 값을 갖도록 하고, 이를 검출한 후 제9 스위치(Q9)를 턴-온에서 턴-오프로 스위칭되도록 한다.Looking at these configurations, the first resistor R1 formed between the driver IC 52 and the ninth switch Q9 and a voltage connected to the first resistor R1 and passed through the first resistor R1 are distributed. A zener diode ZD connected between the second and third resistors R2 and R3, the second resistor R2 and the third resistor R3 to maintain a constant voltage, and an external voltage source Vcc A fifth node between the fourth and fifth resistors R4 and R5 and the second and third resistors R2 and R3 connected in series between the ground GND to distribute the external voltage Vcc at a constant magnification. (n5) and the sixth node (n6) between the fourth and fifth resistors (R4, R5) is connected to the reference voltage (Vr) and the set-down voltage () from the fifth and sixth nodes (n5, n6) And a comparator 62 for comparing Vd) and outputting a comparison signal. At this time, the setdown voltage Vd at the fifth node n5 is set to have a value near the ground GND by the third resistor R3, and after detecting the setdown voltage Vd, the ninth switch Q9 is turned on. Allows switching from turn-on to turn-off.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치에 의하면 제1 실시예에 국한하여 적용되는 것이 아니라, 선택적 쓰기 방식의 실시예들에도 적용될 수 있다.As described above, the driving apparatus of the plasma display panel according to the present invention is not limited to the first embodiment, but may be applied to the embodiments of the selective writing method.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는 서브필드에 각각 공급되는 스캔전압을 공급하기 위하여 에너지 회수장치와 드라이버 IC 사이의 셋업 구동부와 드라이버 IC의 접속방법을 변환시킴으로써 PDP 구동에 필요한 구동소자의 수를 줄일 수 있게 된다.In addition, the driving device of the plasma display panel according to the present invention is a driving element required for driving the PDP by changing the connection method between the setup driver and the driver IC between the energy recovery device and the driver IC to supply the scan voltages respectively supplied to the subfields. The number of can be reduced.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (11)

전화면을 초기화하기 위한 리셋기간, 셀을 선택하기 위한 어드레스기간 및 선택된 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인기간으로 나누어 전극들을 구동하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치에 있어서,A driving apparatus of a plasma display panel for driving electrodes divided into a reset period for initializing a full screen, an address period for selecting a cell, and a sustain period for maintaining discharge of a selected cell, 패널의 제1 전극으로부터 에너지를 회수하는 에너지 회수회로를 포함하며 상기 리셋기간에 셋업/다운 펄스, 상기 어드레스기간에 상기 셀을 선택하기 위하여 선택적 쓰기에 대응하는 스캔펄스 및 선택적 소거에 대응하는 스캔펄스를 상기 제1 전극에 공급하기 위한 제1 전극 구동부를 구비하며;An energy recovery circuit for recovering energy from the first electrode of the panel, comprising: a setup / down pulse in the reset period, a scan pulse corresponding to selective write to select the cell in the address period, and a scan pulse corresponding to selective erase. A first electrode driver for supplying the first electrode to the first electrode; 상기 제1 전극 구동부는 푸쉬풀 형태로 접속되어 상기 제1 전극에 전압신호가 인가되도록 하는 스캔 구동부와,A scan driver connected to the first electrode driver in a push-pull form to apply a voltage signal to the first electrode; 상기 리셋기간에 램프파형 형태의 정극성 셋업신호를 상기 제1 전극에 공급하기 위한 셋업 구동부와,A setup driver for supplying a positive setup signal in the form of a ramp waveform to the first electrode during the reset period; 상기 정극성 셋업신호가 공급된 후 램프파형 형태의 부극성신호를 상기 제1 전극에 공급하기 위한 셋다운 구동부와;A set-down driver configured to supply a negative waveform signal having a ramp waveform to the first electrode after the positive setup signal is supplied; 상기 에너지 회수회로와 상기 셋업 구동부 및 스캔 구동부 사이에 접속되어 셋다운 펄스 및 서스테인 펄스를 스위칭하기 위한 제1 스위치와,A first switch connected between the energy recovery circuit and the setup driver and the scan driver for switching a setdown pulse and a sustain pulse; 상기 스캔 구동부와 스캔 전압원 사이에 접속되어 선택적 쓰기 및 소거필드의 어드레스기간에 스캔전압을 상기 스캔 구동부에 공급하도록 하는 스캔 전압 공급부와,A scan voltage supply unit connected between the scan driver and a scan voltage source to supply a scan voltage to the scan driver in an address period of a selective write and erase field; 상기 스캔 전압 공급부와 셋다운 구동부 사이에 접속되어 그라운드 레벨 이하의 전압레벨을 가지는 셋다운 펄스와 어드레스기간의 스캔 펄스를 공급하기 제어 동작을 하는 제2 스위치와,A second switch connected between the scan voltage supply unit and the setdown driver to perform a control operation of supplying a setdown pulse having a voltage level below ground level and a scan pulse of an address period; 상기 셋업 구동부와 제1 스위치 사이에 형성된 제1 노드와 상기 스캔 전압 공급부와 상기 제2 스위치 사이에 형성된 제2 노드를 연결하는 충/방전 패스를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.And a charge / discharge path connecting the first node formed between the setup driver and the first switch and the second node formed between the scan voltage supply unit and the second switch. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전극 구동부와 교대로 상기 패널의 제2 전극으로부터 에너지를 회수하는 에너지 회수회로를 포함하며 선택적 쓰기시와 선택적 소거시에 상기 제2 전극에 직류전압을 공급하기 위한 제2 전극 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.And an energy recovery circuit for recovering energy from the second electrode of the panel, alternating with the first electrode driver, and having a second electrode driver for supplying a DC voltage to the second electrode during selective writing and selective erasing. Driving device for a plasma display panel, characterized in that. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서스테인기간에 서로 다른 펄스폭을 가지는 서스테인펄스를 상기 제1 전극에 공급하기 위한 서스테인 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.And a sustain driver for supplying sustain pulses having different pulse widths to the first electrode during the sustain period. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전극 구동부는 상기 선택적 쓰기에 대응하는 스캔펄스의 기준전압과 상기 선택적 소거에 대응하는 스캔펄스의 기준전압을 다르게 설정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.And the first electrode driver sets a reference voltage of a scan pulse corresponding to the selective write and a reference voltage of the scan pulse corresponding to the selective erasure differently. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에너지 회수회로와 셋업 전압원 사이에 접속되어 램프펄스 전압 레벨을 일정하게 유지시킴과 아울러 램프 펄스를 발생시키기 위한 제1 캐패시터와,A first capacitor connected between the energy recovery circuit and a setup voltage source to maintain a constant lamp pulse voltage level and to generate a lamp pulse; 상기 스캔전압원와 스캔 구동부 사이에 접속되어 스캔펄스 전압 레벨을 일정하게 유지시킴과 아울러 상기 스캔 구동부에 공급되는 전압을 조절하게 하는 제2 캐패시터를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.And a second capacitor connected between the scan voltage source and the scan driver to maintain a constant scan pulse voltage level and to adjust a voltage supplied to the scan driver. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제2 전극 구동부는 상기 리셋기간에 램프파형 형태의 부극성 셋다운신호를 상기 제2 전극에 공급하기 위한 셋다운 구동부와;The second electrode driver may include: a setdown driver configured to supply a negative waveform setdown signal having a ramp waveform to the second electrode during the reset period; 상기 어드레스기간에 선택적 쓰기 서브필드 및 선택적 소거 서브필드에 따라 정극성 직류전압 및 그라운드 전압 중 어느 하나를 상기 제2 전극에 공급하기 위한 스캔 구동부와;A scan driver for supplying any one of a positive DC voltage and a ground voltage to the second electrode according to the selective write subfield and the selective erase subfield in the address period; 상기 서스테인기간에 서로 다른 펄스폭을 가지는 서스테인펄스를 상기 제2 전극에 공급하기 위한 서스테인 구동부와;A sustain driver for supplying sustain pulses having different pulse widths to the second electrode in the sustain period; 이어지는 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드인 경우에 구동되어 상기 서스테인기간의 마지막 시점에 램프파형을 공급하기 위한 램프 구동부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.And a lamp driver for driving when the next subfield is a selective write subfield to supply a ramp waveform at the end of the sustain period. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 및 제2 전극 구동부는 이어지는 다음 서브필드가 선택적 쓰기 서브필드이면 상기 서스테인 기간의 마지막 시점에 상기 제1 및 제2 전극에 교대로 1㎛내의 펄스폭을 가지는 세폭 펄스를 교대로 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.The first and second electrode drivers alternately supply narrow pulses having a pulse width within 1 μm to the first and second electrodes alternately at the end of the sustain period when the next subfield is a selective write subfield. Driving apparatus for a plasma display panel, characterized in that. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 전극 구동부는 이어지는 다음 서브필드가 선택적 소거 서브필드이면 마지막 시점의 서스테인기간에 공급되는 정상 서스테인펄스에 비하여 펄스폭이 넓은 구형파펄스를 상기 제1 전극에 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.The first electrode driver supplies a square wave pulse having a wider pulse width to the first electrode than a normal sustain pulse supplied in the sustain period of the last time point when the next subfield is a selective erasure subfield. Drive. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 어드레스기간에 상기 셀을 선택적으로 켜기 위한 선택적 쓰기 데이터 및 상기 셀을 선택적으로 끄기 위한 선택적 소거 데이터 중 어느 하나를 상기 제1 및 제2 전극과 직교하는 제3 전극에 공급하기 위한 데이터 구동부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.A data driver for supplying one of selective write data for selectively turning on the cell and selective erase data for selectively turning off the cell to the third electrode orthogonal to the first and second electrodes in the address period And a plasma display panel drive device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 그라운드 레벨 이하의 전압레벨을 가지도록 제2 스위치가 제어되도록 하는 셋다운 전압 검출부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.And a set-down voltage detector configured to control the second switch so as to have a voltage level below the ground level. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 셋다운 전압 검출부는 상기 스캔 구동부에 접속된 제1 저항과,The set down voltage detector includes a first resistor connected to the scan driver; 상기 제1 저항에 접속되어 제1 저항을 거친 전압을 배분하도록 하는 제2 및 제3 저항과,Second and third resistors connected to the first resistor to distribute the voltage across the first resistor; 상기 제2 저항과 제3 저항 사이에 접속되어 상기 제1 저항에 거친 전압을 유지하도록 하는 제너 다이오드와,A zener diode connected between the second resistor and the third resistor to maintain a rough voltage across the first resistor; 외부 전압원과 그라운드 사이에 직렬 접속되어 외부 전압을 일정 배율로 배분되게 하는 제4 및 제5 저항과,Fourth and fifth resistors connected in series between the external voltage source and the ground to distribute the external voltage at a constant magnification; 상기 제2 및 제3 저항 사이의 제3 노드와 제4 및 제5 저항 사이의 제4 노드 사이로부터 도출되어 제3 및 제4 노드에 걸린 전압을 비교하여 상기 제2 스위치의 스위칭 동작을 제어하는 신호를 출력하도록 하는 비교기를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.Comparing the voltage applied to the third and fourth nodes derived from the third node between the second and third resistors and the fourth node between the fourth and fifth resistors to control the switching operation of the second switch. And a comparator for outputting a signal.
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