JPS6324530A - Crt aging treatment - Google Patents

Crt aging treatment

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Publication number
JPS6324530A
JPS6324530A JP62151524A JP15152487A JPS6324530A JP S6324530 A JPS6324530 A JP S6324530A JP 62151524 A JP62151524 A JP 62151524A JP 15152487 A JP15152487 A JP 15152487A JP S6324530 A JPS6324530 A JP S6324530A
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JP
Japan
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cathode
aging
grid
ray tube
cathode ray
Prior art date
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Pending
Application number
JP62151524A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
サムアル・スンフィー・チュン
チャールズ・ヘンリー・レコープ
フランクリン・ジョージ・レイゲル
ドナルド・ルイ・シフカー
ジェイムス・リチャード・ストウ
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Philips North America LLC
Original Assignee
North American Philips Consumer Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by North American Philips Consumer Electronics Corp filed Critical North American Philips Consumer Electronics Corp
Publication of JPS6324530A publication Critical patent/JPS6324530A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/44Factory adjustment of completed discharge tubes or lamps to comply with desired tolerances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/44Factory adjustment of completed discharge tubes or lamps to comply with desired tolerances
    • H01J9/445Aging of tubes or lamps, e.g. by "spot knocking"

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Abstract] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は陰極線管のエージングに関するもので、特に集
束電極のエージングにより陰極の中央が黒ずむのをかな
り減少させる改善したエージング処理方法に関するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to the aging of cathode ray tubes, and more particularly to an improved aging process that significantly reduces darkening of the center of the cathode due to aging of the focusing electrode.

テレビジョンや他のディスプレイに使用する陰極線管を
製造するに当たっては、信頼的な動作の寿命を高めるよ
うにするために種々の陰極線管拠理工程が実行されてい
る。
In manufacturing cathode ray tubes for use in televisions and other displays, various cathode ray management processes are implemented to enhance the lifetime of reliable operation.

この処理は陰極線管の構成素子を組立てた後に開始され
るものであり、この処理は 陰極線管を排気し、焼成してエンベロープを真空にし、
陰極線管の構成素子をガス抜きする工程と、 ゲッタを陰極線管の内面および構成素子上にフラッシン
グし、陰極線管の動作中ガスを生じる残留異物を連続的
にゲッタリングするようにする工程と、 加熱により電子銃の陰極を活性化して、電子放出層内で
の仕事関数の低い要素の形成を促進するようにする工程
と、 電子銃の陰極およびその下方のグリッド素子をエージン
グして陰極の活性状態を維持する工程と、電子銃の電圧
を高電圧でコンディショニングして、内部電極のアーク
放電を生せしめる慣れのある粒子および突起部を除去す
る工程と を有している。
This process begins after the cathode ray tube components are assembled; the process involves evacuating the tube, firing it to create a vacuum in the envelope, and
degassing the components of the cathode ray tube; flushing getter onto the interior surfaces of the cathode ray tube and the components so as to continuously getter any residual foreign matter that generates gas during operation of the cathode ray tube; and heating. activating the electron gun cathode to promote the formation of low work function elements in the electron emitting layer; and aging the electron gun cathode and the grid element below it to bring the cathode to an active state. and conditioning the electron gun voltage at a high voltage to remove particles and protrusions that may cause internal electrode arcing.

ガス抜きの割合は時間および温度に依存し、製造処理の
処理量上の要求があるため、またある陰極線管の構成素
子の温度安定性が制限されているために、排気および焼
成中完全なガス抜きが実行できなくなる。したがって、
一定の残留ガスおよびガス生成異物、例えば炭化水素が
排気管を封止した後に陰極線管内に残存する。
The rate of degassing is time and temperature dependent, and due to the throughput demands of manufacturing processes and the limited temperature stability of some cathode ray tube components, complete degassing is not possible during evacuation and firing. Extraction cannot be performed. therefore,
Certain residual gases and gas-forming foreign substances, such as hydrocarbons, remain within the cathode ray tube after sealing the exhaust pipe.

通常、ゲッタフラッシングにより陰極線管に追加の炭化
水素異物が導入される。これらの炭化水素は、一般に多
種類のカラーテレビジョン表示管に用いられる非焼成バ
リウムゲッタによっては有効に吸収することができない
。しかし、後のエージング中、これらの炭化水素は解離
してゲッタリング可能な構成素子中に導入され、したが
って陰極線管内の残留ガスが許容しうるレベルまで減少
する。
Getter flushing typically introduces additional hydrocarbon contaminants into the cathode ray tube. These hydrocarbons cannot be effectively absorbed by the uncalcined barium getter commonly used in many types of color television display tubes. However, during subsequent aging, these hydrocarbons are dissociated and introduced into the getterable components, thus reducing the residual gas within the cathode ray tube to an acceptable level.

不所望なことに、前記のエージング処理が“中央が黒ず
んだ陰極”として既知の状態を生ぜしめることも確かめ
た。この状態は分析により陰極の放出層の中央に炭素が
堆積されることよるということを確かめた。驚いたこと
に、この堆積物によっては陰極の電子放出をそれほど減
少せしめない。
It has also been found that, undesirably, the aging process described above produces a condition known as a "darkened center cathode." Analysis confirmed that this condition was due to carbon being deposited in the center of the emissive layer of the cathode. Surprisingly, this deposit does not significantly reduce cathode electron emission.

しかし、このことにより放出層の周囲の領域での電子放
出を制限し、これによりスクリーンにおける適切な集束
および解像を妨害する中空ビームが生ぜしめられる。
However, this limits electron emission in the area around the emissive layer, thereby creating a hollow beam that prevents proper focusing and resolution at the screen.

米国特許第4457731号明細書では、前記の中央が
黒ずんだ陰極の問題が再処理された陰極線管について述
べられている。電子銃関係の欠陥のために不合格とされ
た陰極線管は、欠陥のある電子銃を新しいものと取替え
る“リガンニング(reguning)”′により再生
しろる。このリガンニング処理によりエンベロープを周
囲に対し必然的に再開するため、陰極線管を再処理する
必要が生じる。この米国特許明細書には、エージング後
のゲッタのフラッシング、いわゆる“ボスト−フラッシ
ングにより陰極の中央の黒ずみをかなり減少せしめうる
ことが記載されている。しかしポスト−フラッシングが
未使用の陰極線管に行われた場合には、許容しえないほ
ど高いガスレベルが得られてしまう。
In U.S. Pat. No. 4,457,731, the problem of darkened cathodes in the center is addressed in a reprocessed cathode ray tube. Cathode ray tubes rejected due to electron gun-related defects can be refurbished by ``reguning,'' in which the defective electron gun is replaced with a new one. This regunning process necessarily reopens the envelope to its surroundings, requiring the cathode ray tube to be reprocessed. This US patent describes that flushing the getter after aging, so-called "bost-flushing", can significantly reduce darkening in the center of the cathode. If this happens, unacceptably high gas levels will result.

本発明の目的は、許容しえないほど高いガスレベルが生
じないように、中央が黒ずんだ陰極の形成される慣れを
減少せしめることにある。
It is an object of the present invention to reduce the formation of a dark center cathode so that unacceptably high gas levels do not occur.

本発明の他の目的は、封止およびゲッタフラッシング後
に中央が黒ずんだ陰極が形成されることなく陰極線管を
エージングし、同時に残留ガスを許容しうるレベルに減
少させることにある。
Another object of the invention is to age a cathode ray tube without the formation of a darkened cathode after sealing and getter flushing, while reducing residual gas to acceptable levels.

本発明は陰極線管を排気し、封止しゲッタフラッシング
し、陰極を活性化した後に陰極線管をエージングする処
理方法であって、この処理方法は陰極ヒータおよび陰極
線管の電子銃のグリッド電極Glに所定の電圧を印加し
、これにより陰極から電子を放出せしめ、次に電子銃の
グリッド電極G2およびG3に陰極電極およびグリッド
電極G1の電圧より大きな所定の電圧を順次に加える陰
極線管のエージング処理方法において、グリッド電極G
3の電圧をグリッド電極G2の電圧よりも小さくするこ
とを特徴とする。
The present invention is a processing method for aging a cathode ray tube after evacuating the cathode ray tube, sealing it, getter flushing, and activating the cathode. A method for aging a cathode ray tube, in which a predetermined voltage is applied to cause electrons to be emitted from the cathode, and then a predetermined voltage higher than the voltages of the cathode electrode and grid electrode G1 is sequentially applied to grid electrodes G2 and G3 of an electron gun. In, the grid electrode G
3 is smaller than the voltage of the grid electrode G2.

本発明においては、エージング中にグリッドGl。In the present invention, grid Gl during aging.

G2およびG3に十分に高い電圧を印加することにより
陰極から放出された電子が、排気、焼成およびゲッタフ
ラッシング後に陰極線管中にある残留炭化水素を解離す
る電子ビームに集束され、この解離により前記の電子ビ
ームとは逆方向に移動する正炭素イオンのビームが形成
され、このビームが陰極上に堆積されるようになるとい
うことを確かめた。
By applying a sufficiently high voltage to G2 and G3, the electrons emitted from the cathode are focused into an electron beam that dissociates the residual hydrocarbons present in the cathode ray tube after evacuation, firing and getter flushing, and this dissociation causes the aforementioned They found that a beam of positive carbon ions moving in the opposite direction of the electron beam was formed and that this beam became deposited on the cathode.

さらに本発明によれば、エージング中グリッドG3の電
位を、このグリッドG3の有効なエージングに必要とす
るしきい値より高いも、グリッドG2の電位より十分に
低い臨界レベルに減少させることにより、前記の正炭素
イオンのビームを陰極に到達させない電位障壁を形成し
、グリッドG3のエージング効果を十分に維持して、中
央が黒ずんだ陰極が形成される惧れをかなり減少せしめ
ることを確かめた。
Furthermore, according to the invention, by reducing the potential of grid G3 during aging to a critical level above the threshold required for effective aging of this grid G3, but well below the potential of grid G2, It was confirmed that by forming a potential barrier that prevents a beam of positive carbon ions from reaching the cathode, the aging effect of grid G3 can be sufficiently maintained, and the possibility of forming a cathode with a darkened center can be significantly reduced.

本発明による処理の実施例では、グリッドG3の電圧を
少なくとも100vとし、グリッドG2の電圧より少な
くとも50V低くする。
In an embodiment of the process according to the invention, the voltage of grid G3 is at least 100V and is at least 50V lower than the voltage of grid G2.

本発明による処理の他の実施例では、グリッド電極G2
およびG3を同一電位源に接続し、グリッド電極G3の
電圧をこれら2つの電極間に抵抗を挿入することにより
低下させた。
In another embodiment of the process according to the invention, grid electrode G2
and G3 were connected to the same potential source, and the voltage of grid electrode G3 was lowered by inserting a resistor between these two electrodes.

図面につき以下に詳細に説明する。The drawings are explained in detail below.

第1図は本発明の処理によりエージングした複数ビーム
のインライン型カラー陰極線管11の本質的な素子を示
す断面図である。この陰極線管11は中央の長手軸線1
4と、この長手軸線14に垂直なX。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the essential elements of a multi-beam in-line color cathode ray tube 11 that has been aged by the process of the present invention. This cathode ray tube 11 has a central longitudinal axis 1
4 and an X perpendicular to this longitudinal axis 14.

Y軸を有するように構成されている。周囲の陰極線管エ
ンベロープは、ネックR13と、ファンネル部15と、
パネル部17とをハーメチックシールした集合体より成
るガラス構造体である。このパネル部の内面上には、発
色蛍光体材料の細条またはドツトより成るパターン化し
た陰極ルミネセンススクリーン19が配置されている。
It is configured to have a Y axis. The surrounding cathode ray tube envelope includes a neck R13, a funnel part 15,
This is a glass structure consisting of an assembly in which a panel portion 17 is hermetically sealed. Disposed on the inner surface of this panel section is a patterned cathodoluminescent screen 19 consisting of strips or dots of colored phosphor material.

前記パネル部の内側には、パターン化したスクリーン1
9と離間関係で多孔構造体21、本例では有孔マスクが
配置されている。前記エンベロープのネック部13の内
側には、ユニット化した複数ビームのインライン型電子
銃アセンブリ23が収容されており、このアセンブリ2
3から3本の電子ビーム、すなわち中央ビーム25と、
2つの側方ビーム27.29とが共通のインライン面で
放出される。これらビームは放出され、集束されて有孔
マスク21を通ってスクリーン19で集中され、発色蛍
光体を励起する。
A patterned screen 1 is provided inside the panel portion.
A porous structure 21, in this example, a perforated mask, is arranged spaced apart from the porous structure 9. A unitized multi-beam in-line electron gun assembly 23 is housed inside the neck portion 13 of the envelope.
3 to 3 electron beams, namely the central beam 25;
Two side beams 27, 29 are emitted in a common in-line plane. These beams are emitted, focused through a perforated mask 21 and concentrated on a screen 19 to excite the colored phosphors.

陰極線管の外面では、ファンネル部15の前方領域に導
電性被膜31が被着されており、この被膜31が陰極線
管の使用中接地電位に維持される。
On the outside of the cathode ray tube, in the front region of the funnel part 15, a conductive coating 31 is applied, which coating 31 is maintained at ground potential during use of the cathode ray tube.

複数ビームの電子銃アセンブリ23は、3本のインライ
ン型ビーム27.25および29が陰極線管のX軸とほ
ぼ一致する共通水平“インライン”平面にあるように、
ネック部13内に配置されている。この電子銃アセンブ
リは、空間的な関連でユニット化したインライン型有孔
電極部材の複数個の細長構造体である。これら電極(部
材)は、個々の電子放出陰極素子の前方で互いに離間し
た順次の配列で設けられ、個々の電子ビームの各々を形
成、集束および加速する。電子銃アセンブリはコンバー
ゼンスカップ39により前方で終端しており、この構造
の全体は少なくとも2個の互いに対向して位置する絶縁
性多形部材により一体化されており、これら部材の1つ
41のみを図示しである。コンバーゼンスカップ39に
取付けた弾性細条37によりゲッタ容器35が支持され
ている。このゲッタ容器35から誘導加熱によりゲッタ
材料の薄肉層(図示せず)がフラッシュされ、これがエ
ンベロープ、マスクおよび他の陰極線管の構成素子の内
面の一部を被う。
The multi-beam electron gun assembly 23 is arranged such that the three in-line beams 27, 25 and 29 are in a common horizontal "in-line" plane approximately coincident with the X-axis of the tube.
It is located within the neck portion 13. The electron gun assembly is a plurality of elongated structures of in-line perforated electrode members unitized in spatial relationship. These electrodes are provided in a spaced sequential array in front of the individual electron-emitting cathode elements to form, focus and accelerate each individual electron beam. The electron gun assembly terminates forwardly by a convergence cup 39, the entire structure being integrated by at least two mutually opposed insulating polymorphic members, only one of which 41 It is illustrated. A getter container 35 is supported by elastic strips 37 attached to a convergence cup 39. A thin layer of getter material (not shown) is flashed from the getter container 35 by induction heating, which covers some of the inner surfaces of the envelope, mask, and other cathode ray tube components.

第2図におけるユニット化した2電位電子銃アセンブリ
は、個々の陰極素子に、、 K2. K3の前方で順次
に配置された複数個のユニット化したインライン型有孔
電極部材を有している。2電位電極配列は初期ビーム形
成グリッドG1と、初期ビーム加速グリッドG2と、前
後の有孔端により規定された長手寸法を有する主集束グ
リッドG3と、最終加速グリッドG4とを有する。
The unitized two-potential electron gun assembly in FIG. 2 has individual cathode elements: K2. It has a plurality of unitized in-line perforated electrode members arranged sequentially in front of K3. The two-potential electrode array has an initial beam forming grid G1, an initial beam accelerating grid G2, a main focusing grid G3 having a longitudinal dimension defined by front and rear perforated ends, and a final accelerating grid G4.

第3図においては、ユニット化した4電位インライン型
電子銃アセンブリは、個々の陰極素子に1゜K2. K
3の前方に配置された複数個の電極、すなわち初期ビー
ム形成グリッドG1と、初期ビーム加速グリッドG2と
、第1高電位集東グリッドG3と、グリッドG2に電気
的に接続された低電位集束グリッドG4と、グリッドG
3に電気的に接続された第2高電位集束グリッドG5と
、最終加速グリッドG6とを有している。グリッドG3
. G4およびG5の各々は前後の開口端により規定さ
れた長手寸法を有している。
In FIG. 3, the unitized four-potential in-line electron gun assembly has individual cathode elements of 1°K2. K
3, a plurality of electrodes arranged in front of the grid, namely an initial beam forming grid G1, an initial beam acceleration grid G2, a first high potential focusing grid G3, and a low potential focusing grid electrically connected to the grid G2. G4 and grid G
3 and a final acceleration grid G6. grid G3
.. G4 and G5 each have a longitudinal dimension defined by the front and rear open ends.

陰極線管を製造するに当たって、陰極線管の排気、焼成
、封止およびゲッタフラッシングに続くエーシング処理
を電子銃の陰極および低電位集束素子に行うのが一般的
である。このようなエージング処理は陰極を活性化する
直後で高電圧にするコンディショニングの前に行われる
。エージングは電子放出層自体を調整することに加えて
、少なくとも2つの目的を有しており、それらの目的は
陰極を活性状態に維持し、これによって陰極から適切な
電子の放出を確実にするためのものである。
In manufacturing cathode ray tubes, it is common to subject the cathode of the electron gun and the low potential focusing element to an acing process subsequent to evacuation, firing, sealing and getter flashing of the cathode ray tube. Such aging treatment is performed immediately after activating the cathode and before conditioning to a high voltage. In addition to conditioning the electron-emitting layer itself, aging has at least two purposes: to maintain the cathode in an active state, thereby ensuring proper emission of electrons from the cathode. belongs to.

エージングの第1の目的は、隣接するグリッド素子の表
面を“コンディショニングすること、すなわちグリッド
を加熱して陰極の汚染の潜在源である粒子、吸収ガスお
よびその他の残留物を除去することである。
The primary purpose of aging is to "condition" the surfaces of adjacent grid elements, ie, to heat the grids to remove particles, adsorbed gases, and other residues that are potential sources of cathode contamination.

エージングの第2の目的は、残留ガス、主として炭化水
素をゲッタリングしうる種類のものに変換することであ
る。この変換は陰極および種々のグリッド素子上の電圧
を、これら残留ガス分子をより小さな成分に分離するの
に十分なエネルギーの電子ビームが得られるように選択
することにより行われる。
A second purpose of aging is to convert residual gases, primarily hydrocarbons, into getterable types. This conversion is accomplished by selecting the voltages on the cathode and the various grid elements such that an electron beam of sufficient energy is obtained to separate these residual gas molecules into smaller components.

4電位集東電子銃を有する19V  ミニネックカラー
表示管に対し陰極を活性化し陰極線管をエージングする
代表的な従来技術の処理手順を第4図に線図的に示す。
A typical prior art procedure for activating the cathode and aging the cathode ray tube for a 19V mini-neck color display tube with a four-potential electron gun is diagrammatically shown in FIG.

ボルトで表しそれぞれEp、εGll EG2およびE
G3を付したヒータフィラメントおよびグリッドGl、
 G2およびG3の電位は、分で表した時間に対してプ
ロットしである。この第4図から明らかなように、陰極
を予熱するためにこれらヒータフィラメントに最初に約
6.5vの比較的低い電位E。
Ep, εGll EG2 and E, respectively, expressed in volts
heater filament and grid Gl labeled G3;
The potentials of G2 and G3 are plotted against time in minutes. As is clear from this FIG. 4, a relatively low potential E of about 6.5 V is initially applied to these heater filaments to preheat the cathode.

を約1分間加え、その後この電位を約1分間約9.5V
に高めて陰極を活性化する。エージングはこの活性化の
直後に開始する。33分間のエージングサイクル中、約
8,5Vの電圧が陰極ヒータフィラメントに維持されて
いる。エージングの開始時には、グリッドG1にはヒー
タフィラメントよりわずかに低い電位である約8vが加
えられる。約4分後にグリッドG1の電位は約15Vに
増加され、グリッドG2には約300vのかなり高い電
位が加えられる。さらに4.5分後にグリッドG2の電
位は約350vまで高められ、その11分後にグリッド
G1の電位EGIがIOVに減少される。この瞬時、す
なわちエージングの開始から19分後にグリッドG3に
は約350vの電位が約13分間加えられる。
is applied for about 1 minute, and then this potential is increased to about 9.5V for about 1 minute.
to activate the cathode. Aging begins immediately after this activation. A voltage of approximately 8.5 V is maintained on the cathode heater filament during the 33 minute aging cycle. At the beginning of aging, grid G1 is applied with a potential of approximately 8v, which is slightly lower than the heater filament. After about 4 minutes, the potential of grid G1 is increased to about 15V, and a much higher potential of about 300V is applied to grid G2. After another 4.5 minutes, the potential of grid G2 is increased to about 350V, and after 11 minutes, potential EGI of grid G1 is decreased to IOV. At this instant, 19 minutes after the start of aging, a potential of about 350 V is applied to grid G3 for about 13 minutes.

ヒータフィラメント電位BP は電位EGII EG2
およびEG3がターン・オフした後1分間維持される。
Heater filament potential BP is potential EGII EG2
and maintained for 1 minute after EG3 turns off.

電圧EFは後に2分間再印加され、これらのグリッドか
ら陰極上に有害な堆積物が形成されないようにするとと
もに、陰極表面上のいかなる汚染をもさらに減少させる
ようにする。
The voltage EF is then reapplied for 2 minutes to ensure that no harmful deposits form on the cathode from these grids and to further reduce any contamination on the cathode surface.

上述した活性化およびエージングの処理手順を達成する
従来の回路を第7図に線図的に示す。この第7図で電位
源ε、が陰極線ヒータフィラメントに給電し、電位源E
。1がグリッドG1に給電し、電位源E。2がグリッド
G2およびG3に給電する。各電子銃素子をエージング
する実際の電位1直は抵抗値により制御される。抵抗1
hl〜Rう。の代表的な抵抗値は例えば各々150 Ω
であり、Rc置ま100 Ω、RG2は5000Ωであ
る。グリッドG2と63との間には抵抗が無いので、こ
れらのグリッドには同じ電位が与えられる。
A conventional circuit for accomplishing the activation and aging procedure described above is diagrammatically shown in FIG. In this figure, a potential source ε supplies power to the cathode ray heater filament, and a potential source E
. 1 powers grid G1 and potential source E. 2 feeds grids G2 and G3. The actual potential for aging each electron gun element is controlled by the resistance value. resistance 1
hl~R. Typical resistance values are, for example, 150 Ω each.
, Rc is 100Ω, and RG2 is 5000Ω. Since there is no resistance between grids G2 and 63, the same potential is applied to these grids.

前述したように、グリッドG3にグリッドG2の電位と
同様な電位が与えられ際に残留炭化水素の解離によって
生じる正に帯電された炭素粒子がビーム中に形成され、
陰極に向けて戻され、第5図に示すのと同様なダークセ
ンタ(中央が黒ずんだ)陰極を形成する。すなわち陰極
90は電子放出層94の中央に炭素堆積物92を有して
いる。このような有害な堆積物を排除するために、グリ
ッドG3の電位を正に帯電された粒子ビームに対する障
壁を形成するように低くする必要がある。
As mentioned above, when grid G3 is given a potential similar to that of grid G2, positively charged carbon particles are formed in the beam due to the dissociation of residual hydrocarbons;
It is directed back towards the cathode to form a dark center cathode similar to that shown in FIG. That is, the cathode 90 has a carbon deposit 92 in the center of the electron emitting layer 94. In order to eliminate such harmful deposits, the potential of grid G3 needs to be lowered so as to form a barrier to the positively charged particle beam.

しかしグリッドG3の電位を低下しすぎると、少なくと
も2つの悪影響が生じる惧れがある。第1にX子ビーム
のエネルギーを減少させることにより、ガスの解離の有
効度が減少する。第2に、グリッドG3におけるエネル
ギー消費により生ぜしめられる温度を減少させることに
より、グリッドG3のコンディショニングの有効度を減
少させる。グリッドG3上の残留ガスおよび汚染物の双
方は、後の陰極線管の動作中陰極に到達し、電子の放出
を減少させ、したがって陰極線管の寿命を短くする惧れ
がある。
However, if the potential of grid G3 is lowered too much, at least two adverse effects may occur. First, by reducing the energy of the X-n beam, the effectiveness of gas dissociation is reduced. Second, reducing the temperature caused by energy consumption in grid G3 reduces the conditioning effectiveness of grid G3. Both residual gas and contaminants on grid G3 can reach the cathode during subsequent operation of the cathode ray tube, reducing the emission of electrons and thus shortening the lifetime of the cathode ray tube.

これらの欠点を除去するために、エージング中グリッド
G3の電位を、臨界範囲内で有効的なガスの解離および
コンディショニングを達成するのに十分高いも、陰極上
の炭素堆積物に対して障壁を形成する程度に十分低く維
持する必要がある。この点でグリッドG3の電位は少な
くとも100VでかつグリッドG2の電位より少なくと
も50V低い値、好ましくは少なくとも150vでかつ
グリッドG2の電位より少なくとも100v低い値に決
定する必要がある。
To eliminate these drawbacks, during aging the potential of grid G3 is high enough to achieve effective gas dissociation and conditioning within a critical range and also form a barrier against carbon deposits on the cathode. It needs to be kept low enough that it does. In this respect, the potential of grid G3 must be determined to be at least 100V and at least 50V lower than the potential of grid G2, preferably at least 150V and at least 100V lower than the potential of grid G2.

本発明の利点を確認するために、以下に実施例を示す。Examples are given below to confirm the advantages of the invention.

26VCFF力ラー表示管の3組のサンプルを2群に分
割した。この第1群は、ミニネック管に対して前述した
ものと同様な従来技術による処理手順によりエージング
し、第2群は第6図に示す本発明による処理手順により
エージングした。これらのサンプルを電子放出量、ダー
クセンタ陰極および放出電子減少量に対して比較した。
Three sets of samples of 26VCFF color display tubes were divided into two groups. This first group was aged using a prior art procedure similar to that described above for mini-neck tubes, and the second group was aged using the inventive procedure shown in FIG. These samples were compared in terms of electron emission, dark center cathode, and emitted electron reduction.

第7図および第8図に示す回路と同様な回路を使用した
。従来技術のエージング(第7図)では、電圧BG2お
よび抵抗R62の値は各々600vおよび5000Ωで
あり、これによりグリッドG2およびG3の双方に51
5Vの電位が得られた。グリッドG2およびG3に流れ
る電流は各々0.8mAおよび17mAであった。
A circuit similar to that shown in FIGS. 7 and 8 was used. For prior art aging (FIG. 7), the values of voltage BG2 and resistor R62 are 600v and 5000Ω, respectively, which provides 51V for both grids G2 and G3.
A potential of 5V was obtained. The currents flowing through grids G2 and G3 were 0.8 mA and 17 mA, respectively.

本発明による処理のエージング処理手順においては、電
位E。2を400vに減少させ、500 Ωの抵抗(第
8図のR03)をグリッドG2とグリッドG3との間の
回路に挿入し、これによりグリッドG2およびG3に各
々325vおよび255vの電位を得た。グリッドG2
およびG3に流れる電流は各々0.5mAおよび15m
Aであった。
In the aging procedure of the process according to the invention, the potential E. 2 was reduced to 400v and a 500 Ω resistor (R03 in Figure 8) was inserted in the circuit between grid G2 and grid G3, thereby obtaining potentials of 325v and 255v on grids G2 and G3, respectively. Grid G2
The current flowing through G3 and G3 is 0.5mA and 15mA, respectively.
It was A.

下記の表にこの結果を示す。The results are shown in the table below.

電子放出量および放出電子減少量が赤電子銃、緑電子銃
および青電子銃の各々について表されている。この電子
放出量は10〜12個のサンプルの平均値(X)として
マイクロアンペアで表され、その標準偏差がSで表され
ている。放出電子減少量はフィラメント電位を5Vとし
、バイアスを零にした際の5秒後の減少量をパーセント
で表している。エージング後の陰極の状態を、零の堆積
物、少量堆積物、中位量堆積物および多量堆積物として
視覚的に評価して、個々の電子銃間の区別なく表した。
The amount of electron emission and the amount of reduction in emitted electrons are shown for each of the red electron gun, green electron gun, and blue electron gun. The amount of electron emission is expressed in microamperes as the average value (X) of 10 to 12 samples, and its standard deviation is expressed as S. The amount of decrease in emitted electrons is expressed as a percent decrease after 5 seconds when the filament potential is 5V and the bias is zero. The condition of the cathode after aging was visually evaluated as zero deposit, low deposit, moderate deposit, and high deposit, representing no distinction between individual electron guns.

この結果から明らかなように、本発明(群■)による処
理のエージング処理手順により、電子放出レベルが良好
になり、放出電子減少量が低くなることにより表される
ように、安定性がかなり良好になり、陰極の中央が黒ず
む確率が十分に減少した。
As is clear from this result, the aging procedure of the treatment according to the present invention (group ■) results in a good electron emission level and considerably good stability as expressed by a low reduction in emitted electrons. , and the probability of the center of the cathode becoming dark has been sufficiently reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の処理によりエージングずべき、封止
およびゲッタフラッシングした陰極線管を示す部分的断
面図、 第2図は、本発明の処理によりエージングすべき2電位
電子銃の陰極およびグリッド素子を示した第1図の陰極
線管のネック部の部分的断面図、第3図は、本発明の処
理によりエージングすべき4電位電子銃の素子を示した
第2図の断面図と同様な断面図、 第4図は、従来技術の代表的な陰極の活性化および陰極
線管エージング処理手順について、分で表した時間に対
するボルトで表した電位を示す線図、 第5図は、第4図の従来技術のエージング処理手順によ
り生ぜしめられる中央が黒ずんだ陰極の拡大平面図、 第6図は、本発明の代表的な陰極の活性化および陰極線
管エージング処理手順について、分で表した時間に対す
るボルトで表した電位を示す線図、第7図は、第4図の
処理手順を達成する従来技術回路の線図的な回路図、 第8図は、第6図の処理手順を達成する本発明回路の線
図的回路図である。 11・・・カラー陰極線管 13・・・ネック部    14・・・中央の長手軸線
15・・・ファンネル部  17・・・パネル部19・
・・陰極ルミネセンススクリーン21・・・多孔構造体
   23・・・電子銃アセンブリ25・・・中央ビー
ム   27.29・・・側方ビーム31・・・導電性
被膜   35・・・ゲック容器37・・・弾性細条 
   39・・・コンバーゼンスカップ41・・・絶縁
部材    90・・・陰極92・・・中央の黒ずみ(
炭素堆積物)94・・・電子放出層   61〜G6・
・・グリッドに1〜に3・・・陰極素子  RK+〜R
K、・・・抵抗−之 ヒフ ロ= αフ ヒフ ト ■ Oコ (り
FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a sealed and getter flushed cathode ray tube to be aged by the process of the present invention; FIG. 2 is a cathode and grid of a two-potential electron gun to be aged by the process of the present invention. The partial sectional view of the neck of the cathode ray tube shown in FIG. 1 showing the device, and FIG. 3 similar to the sectional view of FIG. 4 is a diagram showing potential in volts versus time in minutes for a typical prior art cathode activation and cathode ray tube aging procedure; FIG. FIG. 6 is an enlarged plan view of a cathode with a darkened center resulting from a prior art aging procedure; FIG. 7 is a diagrammatic circuit diagram of a prior art circuit that accomplishes the procedure of FIG. 4; FIG. 8 is a diagram of a circuit diagram of a prior art circuit that accomplishes the procedure of FIG. 1 is a diagrammatic circuit diagram of an inventive circuit; FIG. 11...Color cathode ray tube 13...Neck part 14...Central longitudinal axis 15...Funnel part 17...Panel part 19.
...Cathodeluminescent screen 21...Porous structure 23...Electron gun assembly 25...Central beam 27.29...Side beam 31...Conductive coating 35...Geck container 37.・Elastic strips
39... Convergence cup 41... Insulating member 90... Cathode 92... Dark spot in the center (
carbon deposit) 94...electron emission layer 61~G6・
...1 to 3 to grid...Cathode element RK+ to R
K,...resistance-hifro = αfuhyft■ Oko(ri)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、陰極線管を排気し、封止し、ゲッタフラッシングし
、陰極を活性化した後に陰極線管をエージングする処理
方法であって、この処理方法は陰極ヒータおよび陰極線
管の電子銃のグリッド電極G1に所定の電圧を印加し、
これにより陰極から電子を放出せしめ、次に電子銃のグ
リッド電極G2およびG3に陰極電圧およびグリッド電
極G1の電圧より大きな所定の電圧を順次に加える陰極
線管のエージング処理方法において、 グリッド電極G3の電圧をグリッド電極G2の電圧より
も小さくすることを特徴とする陰極線管のエージング処
理方法。 2、特許請求の範囲第1項記載の陰極線管のエージング
処理方法において、前記のグリッド電極G3の電圧を少
なくとも100Vにすることを特徴とする陰極線管のエ
ージング処理方法。 3、特許請求の範囲第1項または第2項に記載の陰極線
管のエージング処理方法において、前記のグリッド電極
G3の電圧を前記のグリッド電極G2の電圧より少なく
とも50V低くすることを特徴とする陰極線管のエージ
ング処理方法。 4、特許請求の範囲第2項記載の陰極線管のエージング
処理方法において、前記のグリッド電極G3の電圧を少
なくとも150Vにすることを特徴とする陰極線管のエ
ージング処理方法。 5、特許請求の範囲第3項記載の陰極線管のエージング
処理方法において、前記のグリッド電極G3の電圧を前
記のグリッド電極G2の電圧より少なくとも100V低
くすることを特徴とする陰極線管のエージング処理方法
。 6、特許請求の範囲第1項記載の陰極線管のエージング
処理方法において、前記のヒータ電圧を約5〜10Vの
範囲内にすることを特徴とする陰極線管のエージング処
理方法。 7、特許請求の範囲第1項記載の陰極線管のエージンク
処理方法において、前記のグリッド電極G1の電圧を約
5〜20Vの範囲内にすることを特徴とする陰極線管の
エージング処理方法。 8、特許請求の範囲第1項記載の陰極線管のエージング
処理方法において、前記のグリッド電極G2の電圧を約
250〜400Vの範囲内にすることを特徴とする陰極
線管のエージング処理方法。
[Claims] 1. A treatment method for aging a cathode ray tube after evacuating the tube, sealing it, getter flushing, and activating the cathode, which treatment method comprises Applying a predetermined voltage to the grid electrode G1 of the gun,
In this aging treatment method for a cathode ray tube, electrons are emitted from the cathode, and then a predetermined voltage higher than the cathode voltage and the voltage of grid electrode G1 is sequentially applied to grid electrodes G2 and G3 of the electron gun. A method for aging a cathode ray tube, characterized in that the voltage of the grid electrode G2 is made smaller than the voltage of the grid electrode G2. 2. A method for aging a cathode ray tube according to claim 1, characterized in that the voltage of the grid electrode G3 is set to at least 100V. 3. A cathode ray tube aging treatment method according to claim 1 or 2, characterized in that the voltage of the grid electrode G3 is lowered by at least 50V than the voltage of the grid electrode G2. Aging treatment method for pipes. 4. A method for aging a cathode ray tube according to claim 2, characterized in that the voltage of the grid electrode G3 is set to at least 150V. 5. A method for aging a cathode ray tube according to claim 3, characterized in that the voltage of the grid electrode G3 is lowered by at least 100 V than the voltage of the grid electrode G2. . 6. A method for aging a cathode ray tube according to claim 1, characterized in that the heater voltage is within a range of approximately 5 to 10V. 7. A method for aging a cathode ray tube according to claim 1, characterized in that the voltage of the grid electrode G1 is set within a range of about 5 to 20V. 8. A method for aging a cathode ray tube according to claim 1, characterized in that the voltage of the grid electrode G2 is within a range of about 250 to 400V.
JP62151524A 1986-06-19 1987-06-19 Crt aging treatment Pending JPS6324530A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3966287A (en) * 1975-06-27 1976-06-29 Rca Corporation Low-voltage aging of cathode-ray tubes
JPS61110935A (en) * 1984-11-05 1986-05-29 Toshiba Corp Manufacture of cathode-ray tube

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KR880001015A (en) 1988-03-30
EP0250053A3 (en) 1990-03-28
CA1304774C (en) 1992-07-07
EP0250053A2 (en) 1987-12-23

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