JPS61250935A - Inner resistor of cathode-ray tube - Google Patents

Inner resistor of cathode-ray tube

Info

Publication number
JPS61250935A
JPS61250935A JP60091905A JP9190585A JPS61250935A JP S61250935 A JPS61250935 A JP S61250935A JP 60091905 A JP60091905 A JP 60091905A JP 9190585 A JP9190585 A JP 9190585A JP S61250935 A JPS61250935 A JP S61250935A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
resistor
resistor layer
pitch
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60091905A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0612654B2 (en
Inventor
Tsunenari Saito
恒成 斎藤
Kazuyuki Oota
太田 一幸
Yoshiro Ishikawa
芳朗 石川
Shinobu Mihashi
三橋 忍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP60091905A priority Critical patent/JPH0612654B2/en
Publication of JPS61250935A publication Critical patent/JPS61250935A/en
Publication of JPH0612654B2 publication Critical patent/JPH0612654B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent deterioration of insulation by forming the zigzag pattern of resistor layer such that the difference between the potential of resistor layer and the surface potential of an insulator film covering said resistor layer will be reduced at the maximum differential potential position. CONSTITUTION:An inner resistor to be assembled in cathode-ray tube together with an electron gun structure is formed by providing high voltage, convergence and earth electrode terminals 2-4 on a seramic substrate 1 then arranging a resistor layer 5' in zigzag. the surface of said resistor layer 5' is covered with an insulation film 6. With reference to the maximum differential potential position P' between the potential of the resistor layer 5a' and the surface potential of the insulation film 6, the pitch of the resistor layer 5a' between the terminals 3, 4 is set to q1 at the terminal 4 side while to q2 at the terminal 3 side where q2>q1 and a pattern section of L1-L3 is formed between the pitch q1 section and the terminal 4. Consequently, the potential difference at the high potential difference section P' can be reduced effectively resulting in improvement of insulation.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明を以下の順序で説明する。[Detailed description of the invention] The present invention will be explained in the following order.

A 産業上の利用分野 B 発明の概要 C従来の技術 D 発明が解決しようとする問題点 E 問題点を解決するための手段 F作用 G 実施例 G−1構成(第1図、第2図) G−2陰極線管内における各部の電位関係(第3図) H発明の効果 A 産業上の利用分野 本発明は、カラー陰極線管等の管体内に、電子銃構体と
共に組込まれる内蔵抵抗器に関する。
A. Field of industrial application B. Overview of the invention C. Prior art D. Problem to be solved by the invention E. Means for solving the problem F. Effect G. Example G-1 configuration (Figures 1 and 2) G-2 Potential relationship of various parts in a cathode ray tube (FIG. 3) Effects of the invention A Industrial field of application The present invention relates to a built-in resistor that is incorporated together with an electron gun assembly into a tube such as a color cathode ray tube.

B 発明の概要 本発明は、陰極線管の管体内に、電子銃構体と共に組込
まれ、陰極線管の陽極電圧を分圧して得られる電圧を電
子銃構体に供給する、陰極線管の内蔵抵抗器において、
絶縁基板上における低圧側とされる第1の端子と高圧側
とされる第2の端子との間にジグザグ状パターンを有し
、絶縁被膜で覆われる抵抗体層を配し、この抵抗体層を
、第1の端子と第2の端子とを結ぶ方向の単位長当たり
の抵抗値が、絶縁被膜の表面と抵抗体層との間の電位差
が大とされる絶縁基板上の高電位差部位と第1の端子と
の間の第1のパターン部より、高電位差部位と第2の端
子との間の第2のパターン部の方が小となり、さらに、
第1のパターン部における第1の端子とそこからのジグ
ザグ状のパターンの半ピッチ目との間の半ピッチ間隔及
び半ピッチ目と1ピッチ目との間の半ピッチ間隔が、第
1のパターン部における1ピッチ目以降の各半ピッチ間
隔より大となるものとすることにより、陰極線管に組み
込まれ、当該陰極線管のノッキング処理に際しての高電
圧が印加される状況下におかれる場合に、高電位差部位
、さらには、第1の端子の近傍においても絶縁被膜の絶
縁劣化もしくは破壊の発生を回避でき、その結果、陰極
線管のノッキング処理前後での抵抗体層の抵抗値の変化
を最小限に抑えることができるようにしたものである。
B. Summary of the Invention The present invention provides a built-in resistor of a cathode ray tube that is incorporated together with an electron gun assembly into a tube body of the cathode ray tube and supplies a voltage obtained by dividing the anode voltage of the cathode ray tube to the electron gun assembly.
A resistor layer having a zigzag pattern and covered with an insulating film is arranged between a first terminal on the low voltage side and a second terminal on the high voltage side on the insulating substrate. , the resistance value per unit length in the direction connecting the first terminal and the second terminal is a high potential difference site on the insulating substrate where the potential difference between the surface of the insulating coating and the resistor layer is large. The second pattern portion between the high potential difference region and the second terminal is smaller than the first pattern portion between the first terminal, and further,
The half-pitch interval between the first terminal in the first pattern part and the half-pitch of the zigzag pattern from there and the half-pitch interval between the half-pitch and the first pitch are the same as those in the first pattern. By making the interval larger than each half-pitch interval after the first pitch in the section, when the cathode ray tube is assembled into a situation where high voltage is applied during the knocking process of the cathode ray tube, the high voltage It is possible to avoid insulation deterioration or breakdown of the insulating film at the potential difference site and even in the vicinity of the first terminal, and as a result, the change in the resistance value of the resistor layer before and after the knocking treatment of the cathode ray tube is minimized. This is so that it can be suppressed.

C従来の技術・ 従来、カラーテレビジョン受像機に用いられるカラー陰
極線管等において、陽極電圧以外に、例えば、コンバー
ジェンス電極やフォーカス電極等に供給される高電圧が
必要とされるものがある。
C. Prior Art Conventionally, in color cathode ray tubes and the like used in color television receivers, in addition to the anode voltage, high voltages are required to be supplied to convergence electrodes, focus electrodes, etc., for example.

斯かる場合、管体内に電子銃構体と共に分圧用の抵抗器
を内蔵抵抗器として組み込み、それによって陽極電圧を
分圧して夫々の高電圧を得るようにすることが捷案され
ており、このように使用される従来の内蔵抵抗器の一例
として、第4図及び第5図に示される如くのものが知ら
れている。
In such cases, it has been proposed to incorporate a resistor for voltage division into the tube together with the electron gun structure as a built-in resistor, thereby dividing the anode voltage to obtain the respective high voltages. As an example of a conventional built-in resistor used in a conventional built-in resistor, those shown in FIGS. 4 and 5 are known.

第4図は、外表部を形成する絶縁被膜上から通視した状
態の従来の内蔵抵抗器7を示し、第5図は、この従来の
内蔵抵抗器7の全体の側面を示す。
FIG. 4 shows a conventional built-in resistor 7 seen through from above the insulating coating forming the outer surface, and FIG. 5 shows a side view of the entire conventional built-in resistor 7. As shown in FIG.

この第4図及び第5図に示される内蔵抵抗器7において
は、セラミック板等の絶縁基板1上に、導電層が被着さ
れて形成された端子部、即ち、高電圧が供給される高圧
電極端子2.コンバージェンス電極用の高電圧、即ち、
コンバージェンス電圧が得られるコンバージェンス電極
端子(以下、CV電極端子という)3及びアース電極端
子4が設けられ、また、Cv電極端子3とアース電極端
子4との間には所要の抵抗値を有するジグザグ状パター
ンとされた抵抗体層5aが、高圧電極端子2とCV電極
端子3との間には同じく所要の抵抗値を有する抵抗体層
5bが、さらに、抵抗体層5a及び5bとCV電極端子
3の間に微調整用抵抗体層5cが、夫々被着されて、分
圧抵抗体層5が形成されている。そして、第4図の斜線
部分には、分圧抵抗体層5を覆う絶縁被膜6が施されて
おり、この絶縁被膜6は、鉛ガラス等からなる流動材料
が、乾燥・焼成されて形成されるもので、第5図に示さ
れる如くに、Cv電極端子3及びアース電極端子4の夫
々に近接する部分等の端縁部の厚さが小とされる。尚、
微調整用抵抗体層5cは、内蔵抵抗器7の製造過程にお
いてその一部を削除することにより、各端子間の抵抗体
層5a及び5bの抵抗値を調整することができるよう゛
に設けられている。
In the built-in resistor 7 shown in FIGS. 4 and 5, a terminal portion formed by depositing a conductive layer on an insulating substrate 1 such as a ceramic plate, that is, a high voltage to which a high voltage is supplied. Electrode terminal 2. High voltage for convergence electrodes, i.e.
A convergence electrode terminal (hereinafter referred to as "CV electrode terminal") 3 from which a convergence voltage can be obtained and a ground electrode terminal 4 are provided, and a zigzag shape having a required resistance value is provided between the Cv electrode terminal 3 and the ground electrode terminal 4. A patterned resistor layer 5a is provided between the high voltage electrode terminal 2 and the CV electrode terminal 3, and a resistor layer 5b having the same required resistance value is further provided between the resistor layers 5a and 5b and the CV electrode terminal 3. Fine adjustment resistor layers 5c are respectively deposited between them to form a voltage dividing resistor layer 5. An insulating coating 6 covering the voltage dividing resistor layer 5 is applied to the shaded area in FIG. 4. This insulating coating 6 is formed by drying and firing a fluid material such as lead glass. As shown in FIG. 5, the thickness of the edge portions such as the portions close to each of the Cv electrode terminal 3 and the ground electrode terminal 4 are made small. still,
The fine adjustment resistor layer 5c is provided so that the resistance value of the resistor layers 5a and 5b between each terminal can be adjusted by removing a part of it during the manufacturing process of the built-in resistor 7. ing.

第6図は、斯かる構成を有する内蔵抵抗器7がカラー陰
極線管に組み込まれた状態を示す。ここで、管体8のネ
ック部りa内に電子銃構体9が配置されており、この電
子銃構体9は、3個のカソードKに対して共通に第1グ
リッド電極Gl、第2グリッド電極G2.第3グリッド
電極G3.第4グリツド電極G4及び第5グリツド電極
G5が順次同軸上に配列されて形成されている。そして
、第5グリツド電極G5の後段には、コンバージェンス
手段10が配置されている。各電極Gl、G2、G3.
G4.G5、及びコンバージェンス手段10は、相互に
所定の位置関係を保持して、ビーディングガラス11に
よって機械的に連結されており、第3グリツド電極G3
と第5グリツド電極G5とは、導線13によって、電気
的に接続されている。また、コンバージェンス手段10
は、導電板14を介して第5グリツド電極G5に電気的
に接続されて、相対向する内側偏向電極板10a及び1
0bと、その外側にこれら電極板10a及び10bと対
向して配置される外側偏向電極板10c及び10dとを
有して形成されている。
FIG. 6 shows a state in which the built-in resistor 7 having such a configuration is incorporated into a color cathode ray tube. Here, an electron gun assembly 9 is disposed within the neck portion a of the tube body 8, and this electron gun assembly 9 has a first grid electrode Gl and a second grid electrode in common for the three cathodes K. G2. Third grid electrode G3. A fourth grid electrode G4 and a fifth grid electrode G5 are sequentially arranged coaxially. A convergence means 10 is arranged after the fifth grid electrode G5. Each electrode Gl, G2, G3.
G4. G5 and the convergence means 10 are mechanically connected by beading glass 11 while maintaining a predetermined positional relationship with each other, and the third grid electrode G3
and the fifth grid electrode G5 are electrically connected by a conductive wire 13. In addition, the convergence means 10
are electrically connected to the fifth grid electrode G5 via the conductive plate 14, and are connected to the opposing inner deflection electrode plates 10a and 1.
0b, and outer deflection electrode plates 10c and 10d arranged on the outside facing these electrode plates 10a and 10b.

このような電子銃構体9に対して、第4図及び第5図に
示される如くの内蔵抵抗器7が取り付けられており、こ
の内蔵抵抗器7の高圧電極端子2が第5グリツド電極G
5に導電性取付は片12を介して連結されている。管体
8のファンネル部8bの内壁には、ネック部8aの内壁
にまで伸びるグラファイト導電膜15が被着されており
、ファンネル部8bに設けられた高圧供給ボタン、即ち
、陽極ボタン(図示しない)を通して陽極電圧が供給さ
れる。そして、導電板14には、導電スプリング16が
設けられていて、この導電スプリング16がグラファイ
ト導電膜15に接触することにより、第5グリッド電極
G5.第3グリッド電極G3.コンバージェンス手段1
0の内側偏向電極板10a及び10b、及び、内蔵抵抗
器7の高圧電極端子2に陽極電圧が供給される。
A built-in resistor 7 as shown in FIGS. 4 and 5 is attached to such an electron gun assembly 9, and the high voltage electrode terminal 2 of this built-in resistor 7 is connected to the fifth grid electrode G.
5 and the electrically conductive attachment is connected via a piece 12. A graphite conductive film 15 extending to the inner wall of the neck portion 8a is adhered to the inner wall of the funnel portion 8b of the tube body 8, and a high-pressure supply button, that is, an anode button (not shown) provided on the funnel portion 8b. Anode voltage is supplied through. The conductive plate 14 is provided with a conductive spring 16, and when the conductive spring 16 comes into contact with the graphite conductive film 15, the fifth grid electrode G5. Third grid electrode G3. Convergence means 1
An anode voltage is supplied to the inner deflection electrode plates 10a and 10b of 0 and the high voltage electrode terminal 2 of the built-in resistor 7.

内蔵抵抗器7のCV電極端子3は、導電性取付は片17
を介しコンバージェンス手段10の外側偏向電極板10
c及び10dに連結され、陽極電圧が抵抗体層5a及び
5bにより分圧されてCv電極端子3に得られるコンバ
ージェンス電圧が、外側偏向電極板10c゛及び10d
に供給される。
The CV electrode terminal 3 of the built-in resistor 7 is conductive mounted on the piece 17.
The outer deflection electrode plate 10 of the convergence means 10 through
c and 10d, and the convergence voltage obtained at the Cv electrode terminal 3 by dividing the anode voltage by the resistor layers 5a and 5b is connected to the outer deflection electrode plates 10c' and 10d.
supplied to

また、内蔵抵抗器7のアース電極端子4が、管体8のネ
ック部8aの基部におけるステム18に貫通埋設された
アース電極端子ビン19に連結され、直接もしくは調整
用外付は抵抗を介して接地される。
Further, the ground electrode terminal 4 of the built-in resistor 7 is connected to a ground electrode terminal pin 19 embedded through the stem 18 at the base of the neck portion 8a of the tube body 8, and the ground electrode terminal 4 is connected directly or via an external adjustment resistor. Grounded.

斯かるカラー陰極線管にあって、例えば、電子銃構体9
の各部に尖鋭な突起部分等があると、実際の使用にあた
って不所望な放電を生じることになる。そこで、その製
造過程において、電子銃構体9における尖鋭突起部分等
の放電を生じ易い部分については、予め放電を生じさせ
て溶解整形すること等により、完成品とされた後の実際
の使用時の動作を安定化することを目的としたノッキン
グ処理が行われる。このようなノッキング処理工程にお
いては、例えば、カラー陰極線管の実働時に比して2〜
3倍とされた高電圧(ノッキング電圧)が、第3グリッ
ド電極G3.第5グリツド電極G5及び内蔵抵抗器7の
高圧電極端子2に印加され、また、第1.第2及び第4
の各グリッド電極Gl、G2及びG4は接地状態とされ
る。このノッキング処理時には、内蔵抵抗器7の絶縁被
膜6の表面は、一部を除いて、比較的高い電位に帯電せ
しめられ、この絶縁被膜6には、特に、分圧抵抗体層5
を形成する抵抗体層5aの低圧側で、実働時に比して大
なる電位差がかかることになる。
In such a color cathode ray tube, for example, the electron gun assembly 9
If there are sharp protrusions or the like in each part, undesirable discharge will occur during actual use. Therefore, in the manufacturing process, parts of the electron gun assembly 9 that are likely to generate electric discharge, such as sharp protrusions, are melted and shaped by generating electric discharge in advance, so that the parts that are likely to generate electric discharge during actual use after the finished product Knocking processing is performed for the purpose of stabilizing operation. In such a knocking treatment process, for example, the
The tripled high voltage (knocking voltage) is applied to the third grid electrode G3. The voltage is applied to the fifth grid electrode G5 and the high voltage electrode terminal 2 of the built-in resistor 7, and the voltage is applied to the first grid electrode G5. 2nd and 4th
Each of the grid electrodes Gl, G2, and G4 is grounded. During this knocking process, the surface of the insulating coating 6 of the built-in resistor 7, except for a part, is charged to a relatively high potential.
On the low voltage side of the resistor layer 5a forming the resistor layer 5a, a larger potential difference is applied than during actual operation.

第7図は、横軸に内蔵抵抗器7の絶縁基板1上における
、低圧側とされるアース電極端子4からの高圧側とされ
るCV電極端子3側への距離りをとり、縦軸に電圧■を
とって、ノッキング処理時における内蔵抵抗器7の絶縁
被膜6の表面電位(曲線a)、アース電極端子4とCV
電極端子3との間に配された抵抗体層5aの各部の電位
(曲線b)及び両電位の差で曲線C)を示す。
In FIG. 7, the horizontal axis represents the distance from the ground electrode terminal 4, which is the low voltage side, to the CV electrode terminal 3, which is the high voltage side, on the insulating substrate 1 of the built-in resistor 7, and the vertical axis represents the distance. Taking the voltage ■, the surface potential of the insulating coating 6 of the built-in resistor 7 during knocking treatment (curve a), the earth electrode terminal 4 and CV
The potential of each part of the resistor layer 5a disposed between the electrode terminal 3 (curve b) and the difference between the two potentials is shown as a curve C).

これから明らかなように、例えば、絶縁基板l上の高電
圧が印加される第3グリツド電極G3に近接した位置P
における、比較的低電位とされる抵抗体層5aの部分に
おける、抵抗体層5aと絶縁液II!6の表面との間の
電位差が最大となり、従って、この位置(最大電位差位
K)pで絶縁被膜6に最大の電位差がかかることになる
。このため、第3グリツド電極G3付近で、絶縁被膜6
の耐圧を越える電位がかかって絶縁被膜6の絶縁劣化も
しくは破壊を生じ、その結果、抵抗体層5aが被害を受
けてその抵抗値が著しく変化してしまう虞れがある。
As is clear from this, for example, a position P close to the third grid electrode G3 on the insulating substrate l to which a high voltage is applied
In the portion of the resistor layer 5a having a relatively low potential, the resistor layer 5a and the insulating liquid II! Therefore, the maximum potential difference is applied to the insulating coating 6 at this position (maximum potential difference K) p. Therefore, in the vicinity of the third grid electrode G3, the insulating coating 6
A potential exceeding the breakdown voltage of the resistor layer 5a may be applied, causing insulation deterioration or breakdown of the insulating coating 6, and as a result, the resistor layer 5a may be damaged and its resistance value may change significantly.

斯かる絶縁劣化もしくは破壊による抵抗体層5aの抵抗
値変化の問題に対しては、絶縁被膜6の厚さを大として
、耐圧を高めることが有利となる。
To solve the problem of the change in resistance value of the resistor layer 5a due to insulation deterioration or breakdown, it is advantageous to increase the thickness of the insulating coating 6 to increase the withstand voltage.

即ち、絶縁被膜6の膜厚を大に形成することで、絶縁被
膜6の絶縁劣化もしくは破壊を阻止し、抵抗体層5aの
抵抗値の変化を抑えることが可能となる。しかしながら
、内蔵抵抗器7にとって絶縁被膜6の膜厚が無闇に大と
されることはコストの面で不利となり、また、絶縁基板
1と絶縁被膜6との膨張係数の差に起因する内蔵抵抗器
7の全体の反りを生じ、使用時の昇温及び不使用時の降
温の熱サイクルによって絶縁被膜6が絶縁基板1から剥
離する、あるいは亀裂を生じる等の信頼性の低下につな
がる不都合を伴うことになる。
That is, by forming the insulating film 6 to be thick, it is possible to prevent insulation deterioration or breakdown of the insulating film 6 and to suppress changes in the resistance value of the resistor layer 5a. However, increasing the thickness of the insulating coating 6 for the built-in resistor 7 is disadvantageous in terms of cost. 7, and the insulating coating 6 peels off from the insulating substrate 1 or cracks occur due to the thermal cycle of temperature rise during use and temperature fall when not in use, resulting in inconveniences that lead to a decrease in reliability. become.

そこで、上述の問題に対処すべく、本願の出願人により
特願昭58−238244号に記載されている如くの陰
極線管の内蔵抵抗器が提案されている。斯かる先に提案
された内蔵抵抗器の一例にあっては、その絶縁基板上に
おける低圧側とされるアース電極端子と高圧側とされる
CV電極端子との間にジグザグ状パターンを有し、絶縁
被膜に覆われて配される抵抗体層が、アース電極端子と
最大電位差位置にあたる高電位差部位との間でのジグザ
グ状パターンの蛇行ピッチを、高電位差部位とCV電極
端子との間の部分でのジグザグ状パターンの蛇行ピッチ
より小とするものとされて、アース電極端子とCV電極
端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵抗体層の抵抗値が
、高電位差部位とCV電極端子との間におけるより、ア
ース電極端子と高電位差部位との間における方が大とな
るようにされる。このようにされた内蔵抵抗器にあって
は、絶縁基板上のアース電極端子から高電位差部位へか
けての抵抗体層の電位上昇勾配が急峻なものとされ、抵
抗体層の電位が高電位差部位を中心にし、その両端部を
除いて、全体的に高められ、それにより、絶縁被膜にか
かる電位差が低減されることになる。そのため、カラー
陰極線管の電子銃構体に取り付けられて当該カラー陰極
線管のノッキング処理に供される場合、特に大なる電位
差がかかる部分においても、絶縁被膜の絶縁劣化もしく
は破壊が生ずることがないようにされて、ノッキング処
理前後における抵抗体層の抵抗値′の大幅な変化が防止
されることになる。
In order to solve the above-mentioned problem, the applicant of the present application has proposed a built-in resistor for a cathode ray tube as described in Japanese Patent Application No. 58-238244. An example of the previously proposed built-in resistor has a zigzag pattern between the ground electrode terminal on the low voltage side and the CV electrode terminal on the high voltage side on the insulating substrate, The resistor layer covered with the insulating film adjusts the meandering pitch of the zigzag pattern between the ground electrode terminal and the high potential difference area corresponding to the position of the maximum potential difference, and adjusts the meandering pitch of the zigzag pattern between the high potential difference area and the CV electrode terminal. The resistance value of the resistor layer per unit length in the direction connecting the earth electrode terminal and the CV electrode terminal is set to be smaller than the meandering pitch of the zigzag pattern in the high potential difference area and the CV electrode terminal. The potential difference is made larger between the ground electrode terminal and the high potential difference region than between the ground electrode terminal and the high potential difference region. In such a built-in resistor, the potential rise gradient of the resistor layer from the ground electrode terminal on the insulating substrate to the high potential difference area is steep, and the potential of the resistor layer is The electric potential difference applied to the insulating film is reduced because the electric potential is increased as a whole except for both ends of the area. Therefore, when attached to the electron gun assembly of a color cathode ray tube and used for knocking treatment of the color cathode ray tube, care must be taken to prevent insulation deterioration or breakdown of the insulation coating, especially in areas where a large potential difference is applied. This prevents a significant change in the resistance value of the resistor layer before and after the knocking treatment.

D 発明が解決しようとする問題点 上述の如くの、ジグザグ状パターンを有した抵抗体層が
配された絶縁基板上におけるアース電極端子とCV電極
端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵抗体層の抵抗値が
、高電位差部位とCV電極端子との間におけるよりアー
ス電極端子と高電位差部位との間における方が大となる
ようにされた内蔵抵抗器にあっては、カラー陰極線管の
電子銃に取り付けられて当該カラー陰極線管のノッキン
グ処理に供される場合、絶縁基板上のアース電極端子か
ら高電位差部位へかけての抵抗体層の電位上昇勾配が急
峻なものとされて、アース電極端子とそれからの抵抗体
層のジグザク状パターンの半ピッチ目及びlピッチ目と
の間は、比較的小なる間隔のもとに、比較的大なる電位
差がかかる状態となる。一方、絶縁基板上の抵抗体層を
被覆する絶縁被膜は、絶縁基板上に鉛ガラス等の流動絶
縁材料が塗布された後、乾燥・焼成されて形成されるの
で、そのアース電極端子に近接する端縁部の絶縁基板に
対する厚さが比較的小なるものとされることになる。こ
のため、カラー陰極線管のノッキング処理に際しての高
電圧が印加される状況下におかれる場合、絶縁基板上に
比較的小なる間隔をもって配されたアース、電極端子と
抵抗体層のジグザク状パターンの半ピッチ目及び1ピッ
チ目との間で、絶縁基板に対する厚さが比較的小なるも
のとされた絶縁被膜の端縁部にその耐圧限界を越える電
位差がかかる状態が生じて、絶縁被膜の絶縁劣化もしく
は破壊を生じ、その結果、抵抗体層のアース電極端子か
らのジグザグ状パターンの半ピッチ目もしくは1ピッチ
目の部分が被害を受けて、その抵抗値がノッキング処理
前後で著しく変化してしまう虞がある。
D Problems to be Solved by the Invention As described above, resistor layer per unit length in the direction connecting the earth electrode terminal and the CV electrode terminal on the insulating substrate on which the resistor layer having a zigzag pattern is arranged. If the built-in resistor has a resistance value greater between the ground electrode terminal and the high potential difference part than between the high potential difference part and the CV electrode terminal, the electronic resistance of the color cathode ray tube When the color cathode ray tube is attached to a gun and subjected to knocking treatment, the potential rise gradient of the resistor layer from the ground electrode terminal on the insulating substrate to the high potential difference area is steep, and the ground electrode A relatively large potential difference is applied between the terminal and the half-pitch and l-th pitch of the zigzag pattern of the resistor layer with a relatively small interval. On the other hand, the insulating coating that covers the resistor layer on the insulating substrate is formed by coating a fluid insulating material such as lead glass on the insulating substrate, then drying and baking it, so that it is not close to the ground electrode terminal. The thickness of the edge portion relative to the insulating substrate is made relatively small. For this reason, when a color cathode ray tube is subjected to a high voltage application during knocking treatment, the zigzag pattern of earth, electrode terminals and resistor layers arranged at relatively small intervals on an insulating substrate must be Between the half-pitch and the first pitch, a potential difference that exceeds the withstand voltage limit is applied to the edge of the insulating coating, which has a relatively small thickness with respect to the insulating substrate, and the insulation of the insulating coating deteriorates. Deterioration or destruction occurs, and as a result, the half-pitch or first-pitch portion of the zigzag pattern from the ground electrode terminal of the resistor layer is damaged, and its resistance value changes significantly before and after the knocking treatment. There is a possibility.

斯かる点に鑑み、本発明は、絶縁基板上に設けられた複
数の電極端子のうちの低圧側とされる第1の端子と高圧
側とされる第2の端子との間にジグザグ状パターンを有
した抵抗体層が形成され、この抵抗体層が絶縁被膜で覆
われる構成を有して、陰極線管に電子銃構体と共に組み
込まれるものとされ、当該陰極線管のノッキング処理に
際しての高電圧が印加される状況下におかれる場合に、
高電位差部位、さらには、第1の端子の近傍においても
絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊を効果的に回避でき、
その結果、陰極線管のノッキング処理前後での抵抗体層
の抵抗値の変化を最小限に抑えることができ、しかも、
製造コスト面や信顛性の面での不利をまねかないように
された陰極線管の内蔵抵抗器を提供することを目的とす
る。
In view of this, the present invention provides a zigzag pattern between a first terminal on the low voltage side and a second terminal on the high voltage side among the plurality of electrode terminals provided on an insulating substrate. A resistor layer is formed, and this resistor layer is covered with an insulating film, and is incorporated into a cathode ray tube together with an electron gun assembly, so that high voltage during knocking treatment of the cathode ray tube is When placed under conditions where
Insulation deterioration or breakdown of the insulating coating can be effectively avoided even in areas with high potential difference, and even in the vicinity of the first terminal.
As a result, it is possible to minimize the change in the resistance value of the resistor layer before and after the knocking treatment of the cathode ray tube.
It is an object of the present invention to provide a built-in resistor for a cathode ray tube that does not cause disadvantages in terms of manufacturing cost or reliability.

E 問題点を解決するための手段 上述の目的を達成すべく、本発明に係る陰極線管の内蔵
抵抗器は、絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された複
数の電極端子と、これら複数の電極端子のうちの低圧側
とされる第1の端子と高圧側とされる第2の端子との間
において絶縁基板上に設けられた絶縁被膜と、絶縁基板
上における。第■の端子と第2の端子との間に、ジグザ
グ状パターンを有して形成され、上記絶縁被膜に覆われ
て配された抵抗体層とを備えて構成され、抵抗体層が、
第1の端子と第2の端子とを結ぶ方向の単位長当たりの
抵抗値が、絶縁被膜の表面電位と抵抗体層の電位との間
の差が大とされる絶縁基板状の高電位差部位と第1の端
子との間における第1のパターン部より、高電位差部位
と第2の端子との間における第2のパターン部の方が小
となるとともに、第1のパターン部における第1の端子
とそこからのジグザグ状パターンの半ピッチ間隔の間の
半ピッチ間隔及び半ピッチ目と1ピッチ目との間の半ピ
ッチ間隔が、第1のパターン部におけるエビッチ目以降
の各半ピッチ間隔より大となるものとされる。
E Means for Solving the Problems In order to achieve the above-mentioned object, the built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention includes an insulating substrate, a plurality of electrode terminals formed on the insulating substrate, and a plurality of electrode terminals formed on the insulating substrate. An insulating coating is provided on an insulating substrate between a first terminal on the low voltage side and a second terminal on the high voltage side of the electrode terminals, and an insulating coating is provided on the insulating substrate. A resistor layer formed in a zigzag pattern and covered with the insulating film is disposed between the second terminal and the second terminal, and the resistor layer includes:
A high potential difference site on an insulating substrate where the resistance value per unit length in the direction connecting the first terminal and the second terminal is a large difference between the surface potential of the insulating coating and the potential of the resistor layer. The second pattern portion between the high potential difference region and the second terminal is smaller than the first pattern portion between the high potential difference region and the first terminal, and the first pattern portion in the first pattern portion The half-pitch interval between the terminal and the half-pitch interval of the zigzag pattern from there, and the half-pitch interval between the first half-pitch and the first pitch, are larger than each half-pitch interval after the first pattern in the first pattern part. It is said to be large.

F作用 上述の如くに構成される本発明に係る陰極線管の内蔵抵
抗器にあっては、陰極線管に電子銃構体と共に組み込ま
れて、陰極線管のノッキング処理に際しての高電圧が印
加される状況下におかれる場合、絶縁基板上における第
1の端子から高電位差部位へかけての抵抗体層の第1の
パターン部の電位上昇勾配が急峻なものとなり、抵抗体
層の電位が高電位差部位を中心にして全体的に高められ
、それによって、抵抗体層を覆う絶縁被膜にかかる電位
差が低減されることになり、さらに、これに加えて、抵
抗体層の第1のパターン部における第1の端子とそこか
らのジグザグ状パターンの半ピッチ目及び1ピッチ目と
の間においては、それらの間隔が比較的大されてその間
における電位上昇勾配が比較的緩やかにされる。この結
果、抵抗体層を覆う絶縁被膜にかかる電位差が、高電位
差部位においても、°また、絶縁被膜の絶縁基板に対す
る厚さが小とされるアース電極端子と抵抗体層のジグザ
ク状パターンの半ピッチ目及び1ピッチ目との間におい
ても、絶縁被膜が絶縁劣化もしくは破壊を生じないもの
とされ、陰極線管のノッキング処理前後での抵抗体層の
抵抗値の大幅な変化が防止されることになる。
F action The built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention configured as described above is incorporated in the cathode ray tube together with the electron gun assembly, and is resistant to high voltage applied during knocking treatment of the cathode ray tube. In the case where the resistor layer is placed in The electrical potential difference applied to the insulating film covering the resistor layer is thereby reduced, and in addition to this, the first The interval between the terminal and the half-pitch and first pitch of the zigzag pattern from there is relatively large, so that the potential rise gradient therebetween is relatively gentle. As a result, the potential difference applied to the insulating film covering the resistor layer is reduced even at high potential difference parts.Also, the thickness of the insulating film relative to the insulating substrate is small, and the zigzag pattern between the earth electrode terminal and the resistor layer Even between the first pitch and the first pitch, the insulation coating will not deteriorate or break, and a significant change in the resistance value of the resistor layer before and after the knocking treatment of the cathode ray tube will be prevented. Become.

G 実施例 G−1構成(第1図、第2図) 第1図は、本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の一例を
示し、また、第2図は、第1図に示される例の■−■線
に沿つう断面を示す。この例は、第4図及び第5図に示
される内蔵抵抗器7と同様に、絶縁基板上に分圧抵抗体
層が配されるとともにこれを被覆する絶縁被膜が設けら
れて形成され、第1図においては、外表部を形成する絶
縁被膜上から透視した状態が示されている。なお、第1
図及び第2図において、第4図及び第5図に示される各
部に対応する部分は、第4図及び第5図と共通の符号が
付されて示されており、それらについての詳細説明は省
略される。
G Example G-1 Configuration (Figures 1 and 2) Figure 1 shows an example of the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention, and Figure 2 shows the example shown in Figure 1. A cross section taken along the line ■-■ is shown. Similar to the built-in resistor 7 shown in FIGS. 4 and 5, this example is formed by disposing a voltage dividing resistor layer on an insulating substrate and providing an insulating film to cover it. In FIG. 1, the state seen through from above the insulating coating forming the outer surface portion is shown. In addition, the first
In FIGS. 4 and 2, parts corresponding to those shown in FIGS. 4 and 5 are denoted by the same reference numerals as in FIGS. Omitted.

斯かる第1図及び第2図に示される例においては、絶縁
基板1上に、CV電極端子3とアース電極端子4との間
に配された、ジグザク状パターンを有するとともに調整
用抵抗体層5゛C1を伴う抵抗体1i5’aと、高圧電
極端子2とCV電極端子3との間に配された、抵抗体層
5’b及び微調整用抵抗体層5′c2とを含んで構成さ
れた分圧抵抗体層5゛が、上述の第4図及び第5図に示
される内蔵抵抗器7における抵抗体層5a及び5bと微
調整用抵抗体層5cとで形成された分圧抵抗体層5に相
当するものとして設けられている。また、絶縁基板1上
には、この分圧抵抗体層5′を被覆する絶縁被膜6が配
されている。
In the example shown in FIGS. 1 and 2, a resistor layer for adjustment has a zigzag pattern and is arranged between a CV electrode terminal 3 and a ground electrode terminal 4 on an insulating substrate 1. 5'C1, a resistor layer 5'b and a fine adjustment resistor layer 5'c2 arranged between the high voltage electrode terminal 2 and the CV electrode terminal 3. The divided voltage resistor layer 5'' formed by the resistor layers 5a and 5b and the fine adjustment resistor layer 5c in the built-in resistor 7 shown in FIG. 4 and FIG. It is provided to correspond to the body layer 5. Further, on the insulating substrate 1, an insulating coating 6 is disposed to cover the voltage dividing resistor layer 5'.

分圧抵抗体N5′は、例えば、一様な断面積を有し、均
一な抵抗材料、例えば、高抵抗の酸化ルテニウムペース
トが焼成されて得られる焼成体として形成されている。
The voltage dividing resistor N5' has, for example, a uniform cross-sectional area and is formed as a fired body obtained by firing a uniform resistance material, such as a high-resistance ruthenium oxide paste.

分圧抵抗体層5”の一部分を構成する抵抗体層5“aは
、全体的゛に一定の蛇行幅を有したジグザグ状パターン
を有するものとされ、低圧側であるアース電極端子4と
第4図及び第5図に示される内蔵抵抗器7における最大
電位差位置Pに対応する、例えば、第6図に示される如
くの陰極線管内に電子銃構体9とともに組み込まれて電
圧が印加されたとき、絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層
5+aの電位との間の差が最大となる位置である最大電
位差位置P°との間に配された、そのアース電極端子4
に近接する始端部を除いて、ジグザグ状パターンの蛇行
ピッチを小ピッチq、とする第1のパターン部5°al
と、これに続き、最大電位差位置P°と高圧側であるC
V電極端子3との間に配された、ジグザグ状パターンの
蛇行ピッチを大ピッチqz  (qz >q、)とする
第2のパターン部5”ahとで構成されている。
The resistor layer 5"a constituting a part of the voltage dividing resistor layer 5" has a zigzag pattern with a constant meandering width as a whole. Corresponding to the maximum potential difference position P in the built-in resistor 7 shown in FIGS. 4 and 5, for example, when installed together with the electron gun assembly 9 in a cathode ray tube as shown in FIG. The ground electrode terminal 4 is arranged between the maximum potential difference position P°, which is the position where the difference between the surface potential of the insulating coating 6 and the potential of the resistor layer 5+a is maximum.
The first pattern part 5°al has a meandering pitch of the zigzag pattern with a small pitch q, except for the starting end near the
Following this, the maximum potential difference position P° and the high voltage side C
The second pattern portion 5''ah is disposed between the V electrode terminal 3 and has a zigzag pattern with a large meandering pitch qz (qz > q,).

そして、第1のパターン部5’aβは、そのアース電極
端子4に近接する始端部においてはジグザグ状パターン
の蛇行ピッチを小ピッチq、とするものとはされず、ア
ース電極端子4とそれから見てジグザグ状パターンの半
ピッチ目の部分子、とが距離L1を隔て、さらに、半ピ
ッチ目の部分子、と1ピッチ目の部分子tとが距離Lt
を隔てるものとされ、続<1.5ピッチ目の部分子3以
隆においてジグザグ状パターンの蛇行ピッチを小ピッチ
q1とするものとされている。ここで、距離L1及びり
、tは、夫々、小ピッチq1の1/2に相当する距離、
例えば、第1のパターン部5’afの1ピッチ目の部分
子2から1.5ピッチ目の部分子、lまでの距離L3よ
り大に選定され、例えば、上述の大ピッチq2の172
に相当する距離に等しいものとされる。
The first pattern portion 5'aβ is not designed such that the meandering pitch of the zigzag pattern is a small pitch q at the starting end close to the ground electrode terminal 4, and the ground electrode terminal 4 and the ground electrode terminal 4 are The half-pitch partial molecule of the zigzag pattern is separated by a distance L1, and furthermore, the half-pitch partial molecule and the first pitch partial molecule t are separated by a distance Lt.
It is assumed that the meandering pitch of the zigzag pattern is set as a small pitch q1 in the sub-molecule 3 and above at the continuation<1.5th pitch. Here, the distances L1 and t are distances corresponding to 1/2 of the small pitch q1, respectively.
For example, the distance L3 from the first pitch part molecule 2 to the 1.5th pitch part molecule l of the first pattern portion 5'af is selected to be larger than the distance L3, for example, 172 of the above-mentioned large pitch q2.
is assumed to be equal to the distance corresponding to .

抵抗体層5+aを構成する第1のパターン部5’aβ及
び第2のパターン部5’ahが上述の如くのジグザグ状
パターンを有するものとされることにより、絶縁基板1
上のアース電極端子4と最大電位差位?I P ’ と
の間の単位長内における第1のパターン部5’alの実
効長は、そのアース電極端子4に近接する始端部を除い
て、絶縁基板1上の最大電位差位WP″とCV電極端子
3との間の単位長内における第2のパターン部5’ah
の実効長より大となり、従って、アース電極端子4と最
大電位差位M P ’ との間の単位長当りの抵抗体層
5°aの抵抗値は、最大電位差位置P°とCV電極端子
3との間の単位長当りの抵抗体層5’aの抵抗値より大
となる。また、第1のパターン部5’aIlのアース電
極端子4に近接する始端部が配された領域においては、
単位長内における第1のパターン部5’am!の実効長
は、第1のパターン部5taβの他の部分が配された領
域に比して小となり、例えば、最大電位差位置P゛とC
V電極端子3との間の単位長当りの抵抗体層5”aの抵
抗値と同等となる。
Since the first pattern portion 5'aβ and the second pattern portion 5'ah forming the resistor layer 5+a have a zigzag pattern as described above, the insulating substrate 1
What is the maximum potential difference with the upper earth electrode terminal 4? The effective length of the first pattern portion 5'al within a unit length between I P' and CV The second pattern portion 5'ah within the unit length between the electrode terminal 3
Therefore, the resistance value of the resistor layer 5°a per unit length between the earth electrode terminal 4 and the maximum potential difference MP' is the value between the maximum potential difference position P° and the CV electrode terminal 3. The resistance value per unit length of the resistor layer 5'a is greater than that of the resistor layer 5'a. In addition, in the region where the starting end of the first pattern portion 5'aIl close to the ground electrode terminal 4 is arranged,
The first pattern portion 5'am! within the unit length. The effective length of is smaller than the area where other parts of the first pattern portion 5taβ are arranged, and for example, the effective length of the maximum potential difference positions P′ and C
This is equivalent to the resistance value of the resistor layer 5''a per unit length between the V electrode terminal 3 and the resistor layer 5''a.

一方、絶縁基板1上において分圧抵抗体層5゜を覆う絶
縁被膜6は、例えば、流動体とされた鉛ガラスが絶縁基
板1上・に塗布された後、乾燥・焼成されて形成され、
第2図に示される如く、その絶縁基板1に対する厚さt
は、全体的には略一定とされるが、例えばアース電極端
子4に近接する端縁部においては他の部分より薄くされ
ることになる。
On the other hand, the insulating film 6 that covers the voltage-dividing resistor layer 5° on the insulating substrate 1 is formed by, for example, applying fluidized lead glass onto the insulating substrate 1 and then drying and firing it.
As shown in FIG. 2, the thickness t with respect to the insulating substrate 1
is generally constant, but is thinner at the edge near the ground electrode terminal 4 than at other parts, for example.

G−2陰極線管内における各部の電位関係(第3図) 上述の如くに構成された第1図に示される内蔵抵抗器が
、第6図に示される如くのカラー陰極線管の電子銃構体
9に、従来の内蔵抵抗器7と同様にして取り付けられ、
当該カラー陰極線管のノッキング処理時において、高圧
電極端子2にノッキジグ電圧が印加される場合には、絶
縁被膜6の表面電位及び抵抗体層5”aの各部の電位は
、第3図に示される如くとなる。
Potential relationship of each part in the G-2 cathode ray tube (Fig. 3) The built-in resistor shown in Fig. 1 configured as described above is installed in the electron gun assembly 9 of the color cathode ray tube as shown in Fig. 6. , installed in the same manner as the conventional built-in resistor 7,
When a knock jig voltage is applied to the high-voltage electrode terminal 2 during knocking treatment of the color cathode ray tube, the surface potential of the insulating coating 6 and the potential of each part of the resistor layer 5''a are as shown in FIG. It will be like this.

第3図は、横軸に絶縁基板l上におけるアース電極端子
4からのCV電極端子3側への距離りをとり、縦軸に電
圧Vをとって表されたグラフを示す。これから明らかな
如く、抵抗体層5°aの各部の電位は、曲線b°で示さ
れる如く、抵抗体層5’aのアース電極端子4と最大電
位差位置P′ との間に配された第1のパターン部5゛
a2におけるその始端部の後端から最大電位差位置P″
へかけての電位上昇勾配が急峻なものとなり、また、最
大電位差位置P゛とCV電極端子3との間に配された第
2のパターン部5’ahにおける最大電位差位置P°か
らCV電橘端子3へかけての電位上昇勾配が緩やかにな
る。従って、抵抗体層5’aの各部の電位は、第7図に
曲線すで示される従来の内蔵抵抗器7の場合における抵
抗体層5の各部の電位に比して、最大電位差位WP”を
中心にして全体的に高められることになる。この結果、
第3図において曲線a”で示される第1図の内蔵抵抗器
の絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層51aの電位との差
、即ち、絶縁被膜6にかかる電位差が、従来の内蔵抵抗
器7の場合に比して、絶縁被膜6の全体に亙って低減さ
れ、特に、最大電位差位置P′及びその近傍において顕
著に低減されることになる。そして、第り図に示される
内蔵抵抗器にあっては、このように低減される最大電位
差位Rp ’において絶縁被膜6にかかる電位差が絶縁
被膜6の耐圧限界より小となるように、抵抗体層5’a
の第1のパターン部5°agの実効長及び第2のパター
ン部5“ahの実効長が選定される。
FIG. 3 shows a graph in which the horizontal axis represents the distance from the ground electrode terminal 4 to the CV electrode terminal 3 side on the insulating substrate l, and the vertical axis represents the voltage V. As is clear from this, the potential of each part of the resistor layer 5'a is different from the potential of each part of the resistor layer 5'a located between the ground electrode terminal 4 of the resistor layer 5'a and the maximum potential difference position P', as shown by the curve b°. Maximum potential difference position P'' from the rear end of the starting end in pattern section 5'a2 of 1
The potential rise gradient from the maximum potential difference position P' to the CV electrode terminal 3 becomes steep, and the CV voltage rises from the maximum potential difference position P° in the second pattern portion 5'ah arranged between the maximum potential difference position P' and the CV electrode terminal 3. The potential rise gradient applied to terminal 3 becomes gentle. Therefore, the potential of each part of the resistor layer 5'a is greater than the maximum potential difference WP'' compared to the potential of each part of the resistor layer 5 in the case of the conventional built-in resistor 7, which is shown by the curve in FIG. As a result,
The difference between the surface potential of the insulating coating 6 of the built-in resistor of FIG. 1 and the potential of the resistor layer 51a, which is indicated by the curve a'' in FIG. 7, it is reduced throughout the insulating coating 6, and is particularly significantly reduced at the maximum potential difference position P' and its vicinity.Then, the built-in resistance shown in FIG. In the case of the resistor layer 5'a, the resistor layer 5'a is set so that the potential difference applied to the insulating coating 6 at the maximum potential difference Rp' reduced in this way is smaller than the withstand voltage limit of the insulating coating 6.
The effective length of the first pattern portion 5° ag and the effective length of the second pattern portion 5″ah are selected.

さらに、抵抗体層5°aの第1のパターン部518βの
始端部におυ1ては、アース電極端子4からジグザグ状
パターンの半ピッチ目の部分子、までの距離り、及び半
ピッチ目の部分子1から1ピッチ目の部分子2までの距
離L2が、第1のパターン部5”alの他の部分におけ
るピッチq1の172に相当する距離より大とされてい
るので、電位上昇勾配は緩やかになる。これにより、ア
ース電極端子4と第1のパターン部5’aIlのジグザ
ク状パターンの半ピッチ目の部分子、及びlピッチロの
部分子2との間は、比較的大なる間隔のもとに、比較的
小なる電位差がかかる状態となり、アース電極端子4と
第1のパターン部51 a7!のジグザク状パターンの
半ピッチ目の部分子1及び1ピッチ目の部分子2との間
の絶縁被膜6の厚さが実質的に増大せしめられることに
なるとともに、斯かる絶縁被膜6にかかる電位差は比較
的小なるものとされる。この場合、上述の距離り、及び
L2は、アース電極端子4と第1のパターン部5”al
のジグザク状パターンの半ピッチ目の部分子、及び1ピ
ッチ目の部分子2との間における、絶縁基板1に対する
厚さが小止された絶縁被膜6の端縁部に、その耐圧限界
を越える電位差がかかることがないように選定されて、
上述の如く、例えば、抵抗体IW5’aの第2のパター
ン部5’ahにおける大ピッチqtの1/2に相当する
距離に等しいものとされるのである。
Furthermore, at the starting end of the first pattern portion 518β of the resistor layer 5°a, the distance from the ground electrode terminal 4 to the half-pitch molecule of the zigzag pattern, and the half-pitch Since the distance L2 from the partial molecule 1 to the first pitch partial molecule 2 is larger than the distance corresponding to 172 of the pitch q1 in other parts of the first pattern portion 5''al, the potential increase gradient is As a result, there is a relatively large distance between the ground electrode terminal 4 and the half-pitch portion of the zigzag pattern of the first pattern portion 5'aIl and the half-pitch portion of the zigzag pattern 2. Initially, a relatively small potential difference is applied between the ground electrode terminal 4 and the half pitch part molecule 1 and the first pitch part molecule 2 of the zigzag pattern of the first pattern part 51 a7! The thickness of the insulating coating 6 will be substantially increased, and the potential difference across the insulating coating 6 will be relatively small.In this case, the above-mentioned distance and L2 will be Electrode terminal 4 and first pattern portion 5”al
At the edge of the insulating coating 6 whose thickness with respect to the insulating substrate 1 is small between the half-pitch partial element and the first-pitch partial element 2 of the zigzag pattern, the voltage exceeds its withstand voltage limit. Selected so that no potential difference is applied,
As described above, the distance is, for example, equal to 1/2 of the large pitch qt in the second pattern portion 5'ah of the resistor IW5'a.

なお、抵抗体層5’aの第1のパターン部5°allの
始端部においては、電位上昇勾配が緩やかにされること
により絶縁被膜6の表面電位と抵抗体層5’aの電位と
の差が低減されないことになるが、斯かる部分では絶縁
被膜6の表面電位は充分に低く、絶縁被膜6の表面電位
と抵抗体層5”aの電位との差は本来小であるので問題
はない。
Note that at the starting end of the first pattern portion 5°all of the resistor layer 5'a, the potential increase gradient is made gentler, so that the surface potential of the insulating coating 6 and the potential of the resistor layer 5'a are equal to each other. Although the difference will not be reduced, the surface potential of the insulating coating 6 is sufficiently low in such a portion, and the difference between the surface potential of the insulating coating 6 and the potential of the resistor layer 5''a is originally small, so this problem is not caused. do not have.

上述の如くにして、第1図及び第2図に示される内蔵抵
抗器にあっては、第6図に示される如くのカラー陰極線
管の電子銃構体9に、従来の内蔵抵抗器7と同様にして
取り付けられて、当該カラー陰極線管のノッキング処理
に供される場合において、絶縁基板1上における最大電
位差位置P゛においても、また、アース電極端子4の近
傍においても、絶縁被膜6の絶縁劣化もしくは破壊を生
じることが回避され、その結果、抵抗体層5°aの抵抗
値のノッキング処理前後での変化が抑制される。
As described above, in the built-in resistor shown in FIGS. 1 and 2, the same as the conventional built-in resistor 7 can be used in the electron gun assembly 9 of the color cathode ray tube as shown in FIG. In the case where the color cathode ray tube is subjected to knocking treatment, insulation deterioration of the insulating coating 6 occurs both at the maximum potential difference position P' on the insulating substrate 1 and in the vicinity of the ground electrode terminal 4. Otherwise, destruction is avoided, and as a result, a change in the resistance value of the resistor layer 5°a before and after the knocking treatment is suppressed.

H発明の効果 以上の説明から明らかな如く、本発明に係る陰極線管の
内蔵抵抗器は、陰極線管の管体内に電子銃構体と共に組
み込まれて電圧印加状態とされるとき、その絶縁基板上
に低圧側とされる第1の端子と高圧側とされる第2の端
子との間にジグザグ状パターンを有して配された抵抗体
層の電位が、第1の端子から絶縁基板上の第1の端子と
第2の端子との間に形成される高電位差部位へかけての
その上昇勾配が急峻なものとなるようにされて、絶縁基
板上で抵抗体層を被覆する絶縁被膜の表面電位と抵抗体
層の電位との間の電位差が、特に、高電位差部位におい
て顕著に低減せしめられ、また、第1の端子と抵抗体層
のそこからのジグザグ状パターンの半ピッチ目及びlピ
ッチ目との間においては、それらの間隔が比較的大とさ
れてその間における抵抗体層の電位上昇勾配が比較的緩
やかにされて、そこにおける絶縁被膜の厚さが実質的に
増大せしめられるとともに斯かる絶縁被膜にかかる電位
差が比較的小なるようにされるので、陰極線管のノッキ
ング処理に際して高電圧が印加される状況下におかれる
場合に、高電位差部位においても、第1の端子の近傍に
おいても、絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊が生じる虞
がなく、抵抗体層の抵抗値の変化を最小限に抑制するこ
とができる優れた特性を示すものとなる。
H Effects of the Invention As is clear from the above explanation, when the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention is incorporated together with the electron gun assembly into the tube of the cathode ray tube and a voltage is applied, The potential of the resistor layer arranged in a zigzag pattern between the first terminal on the low voltage side and the second terminal on the high voltage side is transferred from the first terminal to the second terminal on the insulating substrate. The surface of the insulating film covering the resistor layer on the insulating substrate is such that the rising gradient toward the high potential difference region formed between the first terminal and the second terminal is steep. The potential difference between the potential and the potential of the resistor layer is significantly reduced, especially at high potential difference sites, and the half-pitch and l-pitch of the zigzag pattern from there of the first terminal and the resistor layer Between the eyes, the distance between them is relatively large, and the potential increase gradient of the resistor layer between them is made relatively gentle, and the thickness of the insulating film there is substantially increased. Since the potential difference applied to the insulating coating is made relatively small, when a cathode ray tube is placed under a situation where a high voltage is applied during the knocking process, even in a high potential difference area, there is a small potential difference in the vicinity of the first terminal. Also, there is no risk of insulation deterioration or breakdown of the insulating film, and it exhibits excellent characteristics that can suppress changes in the resistance value of the resistor layer to a minimum.

しかも、絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊を防ぐべく、
その膜厚を増大するという手法がとられるものではない
ので、絶縁基板と絶縁被膜との熱膨張係数の差に起因す
る全体の反りや絶縁被膜の絶縁基板からの剥離等が生じ
る欠点を伴わず、さらに、安価に製造することができる
ものとなる利点を有している。
Moreover, in order to prevent insulation deterioration or destruction of the insulation coating,
Since the technique does not involve increasing the film thickness, there are no disadvantages such as overall warpage or peeling of the insulating film from the insulating board due to the difference in thermal expansion coefficient between the insulating substrate and the insulating film. Furthermore, it has the advantage that it can be manufactured at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の一例を示
す平面図、第2図は第1図に示される例についての■−
■に沿う部分断面図、第3図は第1図に示される例が陰
極線管に組み込まれた場合の各部における電位関係の説
明に供される特性図、第4図及び第5図は従来の陰極線
管の内蔵抵抗器を示す平面図及び側面図、第6図は第4
図及び第5図に示される内蔵抵抗器が組み込まれた陰極
線管の要部を示す概略構成図、第7図は第6図に示され
る陰極線管内における内蔵抵抗器に関連した電位関係の
説明に供される特性図である。 図中、1は絶縁基板、2は高圧電極端子、3はコンバー
ジェンス電極端子、4はアース電極端子、5及び5”は
分圧抵抗体層、5°aは分圧抵抗体層5を構成する抵抗
体層、5’afは第1のパターン部、5”ahは第2の
パターン部、9は電子銃構体である。 実施例に係々内蔵抵抗器の平面図 第1図 第2図 第3図 従来の内蔵抵抗器の平面図 従来の内蔵抵抗器の祷1面図 第5図 第6図
FIG. 1 is a plan view showing an example of the built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention, and FIG.
3 is a characteristic diagram used to explain the potential relationship in each part when the example shown in FIG. 1 is incorporated into a cathode ray tube, and FIGS. A plan view and a side view showing the built-in resistor of a cathode ray tube.
7 is a schematic configuration diagram showing the main parts of a cathode ray tube incorporating the built-in resistor shown in FIG. FIG. In the figure, 1 is an insulating substrate, 2 is a high-voltage electrode terminal, 3 is a convergence electrode terminal, 4 is a ground electrode terminal, 5 and 5'' are voltage-dividing resistor layers, and 5°a is a voltage-dividing resistor layer 5. In the resistor layer, 5'af is a first pattern portion, 5''ah is a second pattern portion, and 9 is an electron gun structure. FIG. 1 FIG. 2 FIG. 3 A plan view of a conventional built-in resistor A side view of a conventional built-in resistor FIG. 5 FIG. 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】 絶縁基板と、 該絶縁基板上に形成された複数の電極端子と、該複数の
電極端子のうちの低圧側とされる第1の端子と高圧側と
される第2の端子との間において上記絶縁基板上に設け
られる絶縁被膜と、上記絶縁基板上における上記第1の
端子と第2の端子との間に、ジグザグ状パターンを有し
、上記絶縁被膜に覆われて配され、上記第1の端子と上
記第2の端子とを結ぶ方向の単位長当たりの抵抗値が、
上記絶縁被膜の表面との間の電位差が大とされることに
なる上記絶縁基板上の高電位差部位と上記第1の端子と
の間における第1のパターン部より、上記高電位差部位
と上記第2の端子との間における第2のパターン部の方
が小とされるとともに、上記第1のパターン部における
上記第1の端子とそこからのジグザグ状パターンの半ピ
ッチ目との間の半ピッチ間隔及び上記半ピッチ目と1ピ
ッチ目との間の半ピッチ間隔が、上記第1のパターン部
における1ピッチ目以降の各半ピッチ間隔より大とされ
た抵抗体層と、 を備えて構成された陰極線管の内蔵抵抗器。
[Claims] An insulating substrate, a plurality of electrode terminals formed on the insulating substrate, a first terminal on the low voltage side and a second terminal on the high voltage side among the plurality of electrode terminals. an insulating coating provided on the insulating substrate between the terminal and the first terminal and the second terminal on the insulating substrate, the zigzag pattern being covered by the insulating coating; and the resistance value per unit length in the direction connecting the first terminal and the second terminal is
A first pattern portion between a high potential difference site on the insulating substrate and the first terminal, where the potential difference between the surface of the insulating coating is large, is arranged between the high potential difference site and the first terminal. The second pattern portion between the two terminals is smaller, and the half pitch between the first terminal in the first pattern portion and the half pitch of the zigzag pattern from there. a resistor layer in which the interval and the half-pitch interval between the half-pitch and the first pitch are larger than each half-pitch interval after the first pitch in the first pattern section; Built-in resistor of cathode ray tube.
JP60091905A 1985-04-29 1985-04-29 Built-in resistor of cathode ray tube Expired - Fee Related JPH0612654B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60091905A JPH0612654B2 (en) 1985-04-29 1985-04-29 Built-in resistor of cathode ray tube

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60091905A JPH0612654B2 (en) 1985-04-29 1985-04-29 Built-in resistor of cathode ray tube

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61250935A true JPS61250935A (en) 1986-11-08
JPH0612654B2 JPH0612654B2 (en) 1994-02-16

Family

ID=14039591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60091905A Expired - Fee Related JPH0612654B2 (en) 1985-04-29 1985-04-29 Built-in resistor of cathode ray tube

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0612654B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100626786B1 (en) * 2000-04-28 2006-09-22 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100626786B1 (en) * 2000-04-28 2006-09-22 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0612654B2 (en) 1994-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910009245B1 (en) Resistors for cathode ray tube
KR920005003B1 (en) Resistor performing on the beadglass of crt
JPS61250935A (en) Inner resistor of cathode-ray tube
JPS6313242A (en) Resistor incorporated in cathode-ray tube
US6005472A (en) Inner resistor for cathode-ray tube
JP2646578B2 (en) Built-in cathode ray tube low resistance
JPH0552621B2 (en)
JPS60239001A (en) Coating insulating resistor
KR100659050B1 (en) Electron gun with resistor and capacitor
JPS63184231A (en) Knocking process for cathode-ray tube
JPS60124339A (en) Resistor built in cathode ray tube
JPS60107242A (en) Built-in resistor of cathode ray tube
JPS60227342A (en) Cathode-ray tube device
JPS63231847A (en) Color cathode ray tube
JP3303466B2 (en) Cathode ray tube
JPS61250934A (en) Inner resistor of cathode-ray tube
JPS5829894Y2 (en) electron gun structure
JPS63108647A (en) Self-contained resistor for cathode-ray tube
JPH0785403B2 (en) Built-in resistor of cathode ray tube
JP3673906B2 (en) Resistor, cathode-ray tube electron gun using the same, and resistor manufacturing method
JPS61147442A (en) Built-in resistor for cathode-ray tube
JP3133352B2 (en) Withstand voltage treatment method for cathode ray tube
JPH07123031B2 (en) Cathode ray tube
JPH0748358B2 (en) Traveling wave type deflection device
JPH11213911A (en) Electron gun structure and electron tube

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees